UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

SEMICONDUCTORES: TECNOLOGIA POR: - ROGER GOMEZ GOMEZ - PAUL ABRAHAN MONZON C. CUSCO - 2011

SEMICONDUCTORES: HISTORIA La revolucin tecnolgica causada por los semiconductores empieza a fines de 1947 cuando John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley,de los Laboratorios Bell centro de investigacin de la compaa AT&T, nombrados as en honor de Alexander Graham Bell, inventor del telfono y fundador de Bell Telephone Co., antecesora de AT&T, construyeron el primer transistor hecho de un pedazo de germanio (elemento semiconductor) con varios contactos elctricos sobrepuestos. El transistor mejor enormemente el funcionamiento de los bulbos al vaco como instrumento de control, amplificacin y generacin de seales electrnicas. Estos cientficos recibieron el Premio Nobel en 1956 y los descendientes de este primer transistor cambiaron la tecnologa de nuestro mundo.

El primer dispositivo semiconductor

QU ES UN SEMICONDUCTOR?
Semi es un prefijo que viene del latn y quiere decir medio. Hay semicrculos, semiautomticas, semifinales, seminternados... y tambin semiconductores. Se puede decir que nuestra sociedad est marcada en gran parte por la tecnologa de los semiconductores. Los sistemas de control, los lectores pticos, las pantallas con luces y en general toda la electrnica del Sistema Colectivo de Transporte Metro, en el que ests en este momento, utilizan semiconductores. Desde las poderosas computadoras hasta las calculadoras de bolsillo, adems de la mayora de los aparatos domsticos, los equipos de medicin de laboratorio, las asombrosas celdas solares, las fotocopiadoras y una larga serie de otras aplicaciones, tienen que ver con los semiconductores.

INTRODUCCION
Gran parte de los dispositivos elctricos y electrnicos, que se encuentran impresos dentro de los circuitos y en el mercado, se fabrican de un material slido llamados semiconductores. En la estructura cristalina de los semiconductores.

Desde el punto de vista energtico, es decir, a travs del modelo de las bandas de energa.

CLASIFICACION DE LOS MATERIALES La materia, en general, est constituida por tomos formados por un ncleo cargado positivamente rodeado de los electrones necesarios que hacen que el tomo sea elctricamente neutro. Los electrones se distribuyen en rbitas que rodean al ncleo.

En los buenos conductores metlicos, tales como el Cu, Ag y Al, sus estructura cristalina (disposicin atmica) es tal que los electrones exteriores (electrones de valencia) estn compartidos por todos los tomos y pueden moverse libremente por todo el material.

3.- SEMICONDUCTORES INTRENSECOS: ESTRUCTURA CRISTALINA

Los SEMICONDUCTORES son slidos cristalinos con enlaces covalentes. Elementales: Silicio (Si), Germanio (Ge).

3.1.- SEMICONDUCTORES A TEMPERATURAS BAJAS: un semiconductor puro (sin defectos ni elementos extraos) a una temperatura muy baja, esto es, cuando todos los e- de valencia permanecen ligados en los enlaces covalentes no disponindose

3.2.- SEMICONDUCTORES A TEMPERATURAS ALTAS: A temperaturas superiores la vibracin trmica de los tomos de la red cristalina da lugar a sacudidas en las que se rompen algunos enlaces covalentes disponindose, en tal caso, de cargas libres que pueden moverse por todo el cristal.

4.- SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS. IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS consiste en introducir, de forma controlada, una cierta cantidad de tomos de impurezas obtenindose lo que se denomina semiconductor extrnseco o dopado. En ellos, la conduccin de corriente elctrica tiene lugar preferentemente por uno de los dos tipos de portadores.

4.1.SEMICONDUCTORES DONADORAS.

TIPO

N.

IMPUREZAS

Aparece reflejada la estructura de un cristal de Silicio que resulta cuando se ha sustituido uno de sus tomos por otro que posee 5 e- de valencia. Dicho tomo encajar sin mayores dificultades en la red cristalina del Si. Cuatro de sus 5 e- de valencia completarn la estructura de enlaces, quedando el quinto e- dbilmente ligado al tomo.

4.2.SEMICONDUCTORES ACEPTADORAS.

TIPO

P.

IMPUREZAS

Un razonamiento similar se puede hacer cuando sustituimos un tomo de Silicio por otro que tenga 3 e- de valencia. Dicho tomo no completa la estructura de enlaces. De ah que a temperatura ambiente e incluso inferiores, un e- ligado de un tomo vecino pase a ocupar dicha vacante completando, de esta forma, la estructura de enlaces y creando, al mismo tiempo, un h+.