Defecto cristalino

De Wikipedia, la enciclopedia libre Un defecto cristalino es cualquier perturbacin en la periodicidad de la red de un slido cristalino. El cristal perfecto es un modelo ideal, en el que las diferentes especies (ya sean molculas, iones u tomos neutros) estn colocados de forma peridica y regular, extendindose hasta el infinito. En la realidad, cualquier cristal presenta defectos en este modelo ideal, empezando por el hecho de que no hay cristales infinitos. Son estos defectos cristalinos los que dan las propiedades ms interesantes de la materia, como la deformacin plstica, la resistencia a la rotura, la conductividad elctrica, el color, la difusin...

Clasificacin
Segn sean intrnsecos o extrnsecos
En primer lugar se clasifican en intrnsecos y extrnsecos:

Intrnsecos: naturales, propios del material, salto de los propios tomos. Extrnsecos: impurezas, precipitados.

Segn su dimensin
Se distinguen 4 tipos de defectos:

Puntuales: de 0 dimensiones, afectan a un punto de red, perturbando nicamente a los vecinos ms prximos: o Vacante o Vacancia.

El defecto vacante es cuando un tomo que se encuentra normalmente en la red cristalina deja de estarlo, dejando as un espacio vaco, que a veces es ocupado por un electrn (centro F).
o

tomo intersticial.

El defecto intersticial es cuando un tomo extra se introduce en un lugar de la estructura cristalina donde no se encuentra normalmente.
o

tomo sustitucional.

En este defecto se sustituye un tomo de la estructura crisatalina por otro. Se debe tomar en cuenta que el radio del tomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporcin ya que podran ocurrir perturbaciones en el material. Un tomo de mayor radio

har que los tomos vecinos sufran una compresin, y un tomo sustuido de menor radio har que los tomos vecinos sufran una tensin.
o o

tomo sustitucional grande. Defecto Frenkel.

Este defecto es una combinacin entre el defecto de vacancia e intersticial, donde un tomo que se encuentra en un lugar normal de la estructura cristalina salta hacia un lugar intersticial dejando as una vacancia.
o

Defecto Schottky o de par inico.

Es un par de vacancias que se presentan en los cristales inicos, donde se debe mantener un equilibrio en la estructura cristalina. Cuando se deja una vacancia de un anin, tambin debe dejarlo un catin para mantener un equilibrio en la red. Debe encontrarse la misma cantidad de aniones que de cationes.
o o

Impurezas. Defectos de antiestructura.

Defectos lineales: se extienden en una direccin, y afectan a una fila de puntos de red: o Dislocaciones Defectos de superficie: se extienden en dos dimensiones: o Superficie del cristal. o Borde, frontera o lmite de grano. o Defectos de apilamiento. o Maclas. Defectos volumtricos: de 3 dimensiones, distorsionan fuertemente la red. Suelen estar formados por la agrupacin de defectos puntuales: o Cavidades. o Precipitacin de fases.

Defectos puntuales. (Imperfeccion cerodimencional) Son defectos que se presentan estructuralmente a nivel atomico en sistemas cristalinos reales. Existen dos tipos de defectos puntuales: vacante y intersticial.

La vacante es un sitio desocupado por atomo dentro de la estructura del cristal. El intersticial es un atomo extra insertado en la estructura ideal del cristal haciendo que dos atomos ocupen un lugar cercano al de uno solo en la estructura perfecta del cristal. Los defectos puntuales ocurren ocurren como resultado de la vibracion termica de toda la estructura atomica del cristal. Al aumentar la temperatura aumenta la intensidad de esta vibraciony se incrementa la probabilidad de desorganizacion estructural. Defectos Lineales o dislocaciones(imperfeccion unidimimencional). La red cristalina se distorsiona alrededor de una linea. Las imperfecciones unidimensionales estan asociadas con deformaciones mecanicas. El defecto lineal generalmente es designado con una T invertida. Las dislocaciones pueden ser de tipo helicoidal (de tornillo) o de borde, asi como combinaciones mixtas de ambas. Se cuantifican por medio del vector de burgers b que indica la presencia de una dislocacion en el cristal. Dislocacion de Borde: Se genera por la insercion de un semiplano adicional de atomos. La distancia de desplazamiento de los atomos alrededor de una dislocacion se denomina vector b de deslizamiento o de Burgers y es perpendicular a la linea de dislocacion. Dislocacin de tornillo: Se genera en un plano que se somete a un esfuerzo de corte. Se provoca un desplazamiento que genera una superficie de un plano en forma de espiral semejante al movimiento de un tornillo. Dato: Las dislocaciones en algunos materiales hacen que el material se ablande y mientras ms se vaya usando el material se hace mas blando. Defectos planares: Tambin se les conoce como bordes de grano. son imperfecciones en la superficie que separan los granos (cristales) de diferentes orientaciones en materiales policristalinos. Es una regin de tomos mal distribuidos entre granos adyacentes.

En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros. El borde de grano es una regin estrecha. El empaquetamiento atmico de los bordes de grano es algo menor que dentro de los granos.

DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Autointersticiales Vacantes Cristales no inicos Por impurezas : Sustitucional Intersticial DEFECTOS PUNTUALES Defecto de Frenkel Defecto de Schottky Defecto de Farbe Cristales inicos Sustitucional Por impurezas Intersticial de borde DEFECTOS DE LINEA de tornillo mixtas

DEFECTOS PLANARES O INTERFACIALES: Borde de grano.

DEFECTOS PUNTUALES En cristales no inicos

Autointersticiales (self intersticial): Un tomo de un cristal puede ocupar el lugar intersticial entre los tomos que lo rodean. No ocurre espontneamente puede inducirse por radiacin.

Vacantes (vacancy) : se producen debido a la prdida del tomo que se encontraba en una posicin en la red. Solidificacin, vibraciones atmicas. Proporcin 1/10000 Difusin de tomos en estado slido a altas temperaturas.

Por impurezas: se presentan en cristales covalentes y metlicos. Sustitucionales (sustitutional): la impureza se ubica reemplazando a un tomo de la red. Aumento de la conductividad en el silicio puro.

Intersticiales (Interstitial): las impurezas se ubican en los intersticios. El tamao del tomo de la impureza debe ser pequeo. Ej: carbono en el hierro.

en Cristales inicos

Existe necesidad de mantener la electroneutralidad. Defecto de Frenkel: Cuando un catin se mueve hacia la posicin intersticial y genera una vacante. El conjunto vacante defecto intersticial es el defecto de Frenkel. En un cristal inico aumenta la conductividad del mismo. Defecto de Schottky: Cuando dos iones de carga opuesta se pierden se crea un par de huecos debidos a la ausencia del catin y anin.

Por impurezas: las impurezas inicas sustitucionales o intersticiales son tambin defectos en los cristales inicos. Ej: Sustitucin del Ba2+ por Sr2+ en el BaS04

Vacancias: A 1000 oC el NiO es verde aislador y a 1500 oC se crean vacancias y se forma Ni0.97O (negro semiconductor).

Defecto de Farbe: Un anin que est ausente es reemplazado por un electrn que migra hacia el lugar vacante. Proporciona color al cristal

DEFECTOS DE LNEA O DISLOCACIONES La red cristalina se distorsiona alrededor de una lnea. Se crean durante la solidificacin del slido cristalino, por deformacin plstica del cristal, por condensacin de vacantes, por desajustes de tamaos atmicos en disoluciones slidas.

De borde : Se genera por la insercin de un semiplano adicional de tomos.

La distancia de desplazamiento de los tomos alrededor de una dislocacin se denomina vertor b de deslizamiento o de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin [esta es perpendicular al plano del dibujo]. Hay una zona de compresin donde se insert el plano y una de traccin por debajo del mismo.

Dislocacin tornillo : Se genera en un plano que se somete a un esfuerzo de corte. Se provoca un desplazamiento que genera una superficie de un plano en forma de espiral semejante al movimiento de un tornillo. Aqu la lnea de dislocacin y el vector desplazamiento de b son paralelos [en la de borde eran perpendiculares].

Mixtas: Existen dislocaciones mixtas [de borde + tornillo].

DEFECTOS PLANARES O INTERFACIALES Bordes de grano

Los bordes de grano son imperfecciones en la superficie que separa los granos [cristales] de diferentes orientaciones en materiales policristalinos. Es una regin de tomos mal distribuidos entre granos adyacentes.

En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros. El borde de grano es una regin estrecha El empaquetamiento atmico de los bordes de grano es algo menor que dentro de los granos. El ms bajo empaquetamiento atmico tambin permite la difusin ms rpida de los tomos en la regin de los bordes de grano. La energa ms alta de los bordes de grano y su estructura ms abierta hacen de ellos una regin ms favorable para la nucleacin y el crecimiento de precipitados. A temperaturas normales los bordes de grano limitan el flujo plstico que permite el movimiento de dislocaciones.