Polarizacin fija y de Divisor de Voltaje en Transistores

Resumen
Luis Carlos Moreno Chaparro1

polarization of a transistor. The typical curves for the different polarizations are two: The curve that represents the behavior of a common transistor, and other one that is defined, in agreement to the voltage collector - issuer, and to the current IC, due to critical conditions. Keywords: Transistor, polarization fixes, polarization for divisor of voltage, region activates or of operation.

Maicol Douglas Prez Llanos2

En este informe se ha de especificar la funcin del transistor de acuerdo a la polarizacin que se realice en este; para esta operacin debe considerarse el transistor en la regin activa, para los respectivos clculos que requiera para realizar estos procedimientos. La polarizacin por medio de divisor de voltaje se considera la ms eficiente de los dems tipos de polarizaciones, por ende, es la ms usada para cualquier tipo de operacin que requiera la polarizacin de un transistor. Las curvas caractersticas para las diferentes polarizaciones, son dos: La curva que representa el comportamiento de un transistor comn, y la otra que est definida, de acuerdo al voltaje colector emisor, y a la corriente Ic, debido a condiciones crticas. Palabras clave: Transistor, polarizacin fija, polarizacin por divisor de voltaje, regin activa o de operacin. Abstract: In this report there has to be specified the function of the transistor of agreement to the polarization that is realized in this one; for this operation it must be considered to be the transistor in the active region, for the respective calculations that it should need to realize these procedures. The polarization by means of divisor of voltage is considered to be the most efficient of other types of polarizations, for so much, is most used for any type of operation that needs the

1. Introduccin Con el objeto de representar el comportamiento del transistor debido a su polarizacin, se debe realizar un anlisis previo que mostrara el modo de operacin de este dispositivo. En un principio, se debe asumir que el transistor se encuentra en la zona de operacin, es decir en la regin activa; en este anlisis, se deben tener en cuenta tres variables que son importantes en el anlisis de la polarizacin: Corriente de base, Corriente de colector, Voltaje colector emisor y el beta del transistor. De acuerdo al anlisis realizado, se presentaran tres respuestas diferentes, de acuerdo a la tensin aplicada o a las cargas que son conectadas a los terminales del transistor; en otras palabras, se efectuara la condicin del transistor de acuerdo a la regin de operacin en que se encuentre, como es: regin de saturacin, regin de corte y regin activa; para cada uno de los casos mencionados, se presentara caractersticas diferentes en el modo de operacin del transistor, lo que permitir, realizar anlisis previos, para que sea realizada la polarizacin.

1 Estudiante de

Ingeniera Elctrica de la Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas 20072007008. . 2 Estudiante de Ingeniera Elctrica de la Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas 20072007024

2. Marco terico 2.1 Circuitos de polarizacin de transistores bipolares La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. En la siguiente figura 1.9 se incluyen los circuitos de polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes. La polarizacin de corriente de base de la figura 1.9 es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva

2.2 ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vcc SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta

como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / I B 3. Desarrollo terico

Polarizacin fija con Transistor NPN 2N2222:

Polarizacin por divisor de voltaje: con

Polarizacin por divisor de voltaje Transistor NPN 2N3904:

Polarizacin fija:

Polarizacin fija con Transistor NPN 2N3904:

Polarizacin por divisor de voltaje con

Transistor NPN 2N2222:

VB VE VCE IC IE IB

0.7V 0V 7.5V 10mA 10mA 52.96A 188.82

0.7V 0V 7.53V 9.96mA 9.96mA 52.96A 188

RESULTADOS TEORICOS Si consideramos B=188 Tenemos En la Malla de base:

4. Desarrollo Prctico:
POLARIZACION FIJA DE BASE - El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

Ib(270K)+0.7V=15V Ib = (15V-0.7V)/(270K) Ib = 52.96uA Ic = B(Ib) Ic = (188)(52.96uA) Ic = 9.96 mA En la malla de colector Ic(750)+Vce = 15V Vce = 15V (9.96mA)(750) Vce = 7.53 V

POLARIZACION POR EMISOR En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados: - El circuito con el que se trabaj es el siguiente: Prctico VC 7.5V Terico 7.53V

En la malla de colector Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V Vce = 15V (910)(5.4mA)-(100)(5.4mA) Vce = 9.55 V Ve = (100)(5.4mA) Ve = 0.54 V Vc = 9.55V + 0.54V Vc = 10.09V En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados: Vb = 0.7V + 0.54V Vb = 1.24V

Prctico VC VB VE VCE IC IE IB 10V 1.2V 0.55V 9.6V 5.1mA 5.1mA 27A 188.88

Terico 10.09V 1.24V 0.54V 9.55V 5.4mA 5.4mA 29.25uA 188

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE - El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

Si consideramos B=188 Tenemos En la Malla de base: Ib(470K)+0.7V+Ie(100) = 15V Ib = (15V-0.7V)/(470K+100(188+1)) Ib = 29.25uA Ic = Ib(188) Ic = (29.25uA)(188) Ic = 5.4 mA En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Vb = 0.7V + 1.95V Prctico VC VB VE VCE IC IE IB 8.4V 2.7V 2.1V 6.6V 1.8mA 1.8mA 8A 225 Terico Vb = 2.65 V 8.45V 2.65V 1.95V 6.5V 1.97mA 1.97mA 8.77uA 225

Si consideramos B=225 Tenemos En la Malla de base: Ib(Rbb)+0.7V+Ie.Re = Vbb Ib(1.8K)+0.7V+Ie(1000) = 2.7V Ib = (2.7V-0.7V)/(1.8K+1000(225+1)) Ib = 8.77uA Ic = Ib(225) Ic = (8.77uA)(225) Ic = 1.97mA En la malla de colector Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V Vce = 15V (3.3K)(1.97mA)(1000)(1.97mA) Vce = 6.5 V Ve = (1000)(1.97mA) Ve = 1.95V Vc = 6.5V + 1.97V Vc = 8.45V

Referencia Bibliogrfica 1] Boylestad, Robert, Electrnica: teora de circuitos, y dispositivos electrnicos - 8 ED. Prentice Hall Mxico. 2] http://html.rincondelvago.com/compr obacion-puertas-logicas.html

Luis Carlos Moreno Chaparro Es estudiante de Ingeniera elctrica de la Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas, de Bogot, Colombia. Su cdigo de identificacin dentro de la Universidad es: 20072007008 e-mail: luisc-2125@hotmail.com Maicol Douglas Prez Llanos Es estudiante de Ingeniera elctrica de la Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas, de Bogot, Colombia. Su cdigo de identificacin dentro de la Universidad es: 20072007024 e-mail: piruz91@hotmail.com

Conclusiones

La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por CD o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.