Problemas de Diodos y Transistores BJT

Problemas Resueltos de
Introduccin a la Electrnica
Juan A. Carrasco
Departament dEnginyeria Electrnica
Universitat Politcnica de Catalunya
Barcelona, Septiembre 2009
II
Prefacio
La presente coleccin de problemas resueltos abarca todos los contenidos tericos de la asigna-
tura Introduccin a la Electrnica, tal y como es impartida en la Escuela Tcnica Superior de
Ingeniera Industrial de Barcelona, de la Universidad Politcnica de Catalua relacionados con el
anlisis de circuitos. Se espera que la coleccin sea un instrumento til para el estudio de dicha
asignatura y que pale el dcit crnico de resolucin de problemas en clase, que siempre ha
existido en dicha asignatura, debido el reducido nmero de horas lectivas disponibles.
En la resolucin de todos los problemas de anlisis de circuitos se usa, por defecto, el habitual
sistema consistente de unidades V, mA, k, que hace que los valores numricos que tpicamente
aparecen en la resolucin de dichos problemas no disten muchos rdenes de magnitud de la
unidad.
Unos ltimos comentarios. Es sabido que los circuitos lineales pueden no tener solucin o tener
innitas soluciones. Todos los circuitos lineales comprendidos en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica.
De modo similar, los circuitos con diodos modelados con modelos lineales a tramos pueden no
tener solucin o tener innitas soluciones. Un ejemplo de circuito con diodos sin solucin es:
3 V 2 V
donde el diodo se supone ideal. En efecto, la hiptesis diodo en ON conduce a un circuito sin
solucin, pues la fuente de tensin de valor 3 V queda conectada a la fuente de tensin de va-
lor 2 V. Por otro lado, la hiptesis diodo en OFF conduce a una tensin nodo-ctodo positiva
(1 V), no cumplindose la condicin de estado del diodo. Un ejemplo de circuito con innitas
soluciones es el circuito del problema 25 con v
i
= 2 V. Tal y como se razona en la resolucin
de dicho problema, con esa v
i
la corriente i vale 0 y los dos diodos estn en OFF. El valor de
la tensin nodo-ctodo de D1 puede tomar, sin embargo, cualquier valor dentro del intervalo
[2,7, 0,7], pues, siendo v
AK1
y v
AK2
las tensiones nodo-ctodo de, respectivamente, D1 y
D2, cualquiera de esos valores es compatible con v
AK1
0,7, 4,7 v
AK2
0,7 y v
AK1
v
AK2
= 2. Todos los circuitos con diodos considerados, con la excepcin antes comentada,
tienen solucin nica. Los problemas correspondientes, sin embargo, son resueltos suponiendo
IV Prefacio
que el circuito puede no tener solucin. Es decir, se da por terminado el anlisis del circuito
cuando se determina una combinacin de estados para los diodos para la que el circuito lineal
resultante tiene solucin y se cumplen las condiciones de estado de cada diodo.
Los circuitos con transistores presentan una problemtica ms rica. Dichos circuitos admiten un
nmero nito de soluciones. Esa posibilidad es de hecho aprovechada para disear biestables,
circuitos con dos soluciones (estados). La siguiente gura muestra un biestable constituido por
dos BJTs.
Q1 Q2
R R
5 V
Es fcil comprobar que con V
BE,u
= V
BE,act
= V
BE,sat
= 0,7, V
CE,sat
= 0,2 y un valor
sucientemente elevado del parmetro de los BJTs, caben dos soluciones: en una de ellas Q1
est en CORTE y Q2 est en SATURACIN; en la otra Q1 est en SATURACIN y Q2 est
en CORTE. Todos los circuitos con transistores analizados en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica dentro del dominio para el comportamiento en continua de los dispositivos
cubierto por los modelos utilizados para los transistores (V
CE
0 para los BJTs npn, V
EC
0
para los BJTs pnp, V
DS
0 para los MOSFETs de canal n, y V
DS
0 para los MOSFETs
de canal p). Sin embargo, al igual que en los problemas de anlisis de circuitos con diodos,
la resolucin de problemas de anlisis de circuitos con transistores se hace aceptando que el
circuito pudiera no tener solucin dentro del dominio para el comportamiento en continua de
los dispositivos cubierto por los modelos utilizados para los transistores. Es decir, se da por
concluido el anlisis del circuito cuando se encuentra una combinacin para los estados (zonas
de trabajo) de los transistores para la que el circuito lineal resultante tiene solucin y se cumplen
las condiciones de estado de cada dispositivo.
Captulo 1
Problemas de Anlisis de Circuitos con
Diodos
Problema 1: Los diodos D1 y D2 del siguiente circuito tienen corrientes inversas de saturacin
I
S1
= 10
12
A e I
S2
= 210
11
A, respectivamente, y un parmetro = 1. Analice el circuito
y determine V e I. Suponga V
T
= 25,9 mV.
I
V
D1
D2
5 V +
Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V V

T
= 0,0259 V. Ello implica que, con mucha
precisin, I = I
S1
= 10
12
A = 10
9
mA. La tensin V puede ser calculada utilizando
I = I
S2
_
e
V/V
T
1
_
,
obtenindose
V = V
T
ln
_
1 +
I
I
S2
_
= (0,0259) ln
_
1 +
10
9
2 10
8
_
= 0,001264 = 1,264 mV.
Resulta 5 V = 5 0,001264 = 4,999, que es 0,0259. As pues, los valores calculados para
V e I son correctos.
I
S1
= 10
12
A e I
S2
= 8 10
12
2 1 Problemas de Anlisis de Circuitos con Diodos
y determine I
1
e I
2
.
1 A
I
1
D1
I
2
D2
Solucin: Llamando V
AK
a la tensin ando-ctodo comn a los dos diodos, tenemos
I
1
= I
S1
_
e
V
AK
/V
T
1
_
,
I
2
= I
S2
_
e
V
AK
/V
T
1
_
,
de donde,
I
1
I
2
=
I
S1
I
S2
=
10
9
8 10
9
= 0,125 .
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que estn conectados los nodos de los dos
diodos, obtenemos 10
3
= I
1
+I
2
, y usando la relacin anterior entre I
1
e I
2
,
10
3
= 0,125I
2
+I
2
= 1,125I
2
,
de donde
I
2
=
10
3
1,125
= 8,889 10
4
= 0,8889 A.
Finalmente, usando 10
3
= I
1
+I
2
,
I
1
= 10
3
I
2
= 10
3
8,889 10
4
= 1,111 10
4
= 0,1111 A.
I
S1
= 3 10
11
A e I
S2
= 10
12
y determine V e I. Suponga V
T
= 25,9 mV.
I
D1
10 M
5 V
V
D2
+
Solucin: Empezaremos suponiendo 5V V
T
= 0,0259. Llamando I
a la corriente inversa
por el diodo D1, se tendr, con mucha aproximacin, I
= I
S1
= 3 10
11
A = 3 10
8
mA.
Sea R la resistencia del circuito. La corriente a travs de dicha resistencia vale V/R. Aplicando
la primera ley de Kirchoff al nodo conectado a los nodos de los diodos y utilizando la ecuacin
del diodo D2, se obtiene
I
= I +
V
R
= I
S2
_
e
V/V
T
1
_
+
V
R
,
3
y, sustituyendo valores,
3 10
8
= 10
9
_
e
V/0,0259
1
_
+
V
10
4
,
que da
3 10
4
= 10
5
_
e
V/0,0259
1
_
+V ,
V = 3 10
4
10
5
_
e
V/0,0259
1
_
.
Dicha ecuacin trascendente tiene la forma V = f(V ). Para resolverla, usamos una iteracin
de punto jo V
k+1
= f(V
k
). Con V
1
= 3 10
4
, se obtiene V
2
= 2,999 10
4
, V
3
=
2,999 10
4
. As pues, una solucin de la ecuacin es V = 2,999 10
4
V = 0,2999 mV. Se
puede argumentar que dicha solucin es nica observando que
df
dV
=
10
5
0,0259
e
V/0,0259
= 3,861 10
6
e
V/0,0259
< 0 .
Entonces, al hacerse V mayor a 2,999 10
4
, f(V ) se har menor, haciendo imposible que
para valores mayores a 2,999 10
4
se pueda vericar V = f(V ). De modo similar se puede
razonar que no se podr vericar V = f(V ) para valores menores a 2,999 10
4
. La solucin
encontrada para V verica 5 V = 5,000, que es 0,0259, como se haba supuesto. Falta
calcular I. Usando la ecuacin del diodo D2 se obtiene
I = I
S2
_
e
V/V
T
1
_
= 10
9
_
e
2,99910
4
/0,0259
1
_
= 1,165 10
11
mA = 1,165 10
14
A.
Problema 4: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine I
1
, I
2
y V .
10 V
V
I
1 I
2
10 k
9,9 k
10 V
Solucin: Supondremos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
A
K
A
K
10 V
10 k
9,9 k
I
1
+ I
2
I
1
10 V
I
2
V
Se ha de vericar I
1
0 e I
2
0. Por inspeccin, V = 0. Adems, las diferencias de tensin en
las dos resistencias resultan ser iguales a 10 V, obtenindose
10 = 9,9 (I
1
+I
2
) = 9,9I
1
+ 9,9I
2
,
10 = 10I
2
,
de donde I
2
= 1, que es 0, e
I
1
=
10 9,9 I
2
9,9
=
10 (9,9)(1)
9,9
= 0,01010 ,
que tambin es 0. As pues, los estados supuestos para los diodos son correctos, I
1
=
0,01010 mA, I
2
= 1 mA y V = 0.
Problema 5: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine los valores de I
1
, I
2
, I
3
y V .
30 V
I
3
10 k I
1
V
20 k 20 k
I
2
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de
valor 30 V y las resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la resistencia
de valor 20 k, se obtiene una tensin de Thvenin
V
th
=
20
10 + 20
30 = 20 V
5
y una resistencia de Thvenin
R
th
= 10 20 =
(10)(20)
10 + 20
= 6,667 k.
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin resulta el circuito
20 V
I
2
V
20 k
6,667 k
Analizando dicho circuito es fcil deducir que el diodo estar en ON y calcular el valor de la co-
rriente I
2
. En efecto, el punto de trabajo (V
AK
, I
2
) del diodo estar en la interseccin del modelo
lineal a tramos del diodo y la recta de carga cuya ecuacin se obtiene aplicando la segunda ley
de Kirchoff:
20 = 6,667I
2
+V
AK
+ 20I
2
= 26,67I
2
+V
AK
.
Grcamente, tenemos:
20
26,67
= 0,7499 mA
20 V
V
AK
I
2
Sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON se obtiene el circuito
A K
30 V
10 k I
1
V
20 k 20 k
I
2
I
3
La tensin V puede ser calculada aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 20 k de la
derecha, obtenindose
V = 20I
2
= (20)(0,7499) = 15,00 V.
Por simetra,
I
3
= I
2
= 0,7499 mA.
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al nodo del diodo,
I
1
= I
2
+I
3
= 0,7499 + 0,7499 = 1,500 mA.
Problema 6: Utilizando para el diodo el modelo con tensin nodo-ctodo nula para corrien-
tes directas y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para corrientes inversas, determine la funcin de
transferencia v
o
= F(v
i
) del siguiente cuadripolo.
+
10 k
v
o
10 k
+
v
i
Solucin: Supondremos cada uno de los tres estados posibles para el diodo Zener y determina-
remos, para cada uno de ellos, el intervalo de tensiones v
i
para el cual el diodo est en el estado
y la relacin entre v
o
y v
i
.
Para el estado ON, se obtiene el circuito
A
K
i
1
+ i
2
i
1
i
2
v
i
+
v
o
+
10 k
10 k
Se ha de imponer i
1
0. Por inspeccin, v
o
= 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de
valor 10 k de la derecha, se obtiene
0 = 10i
2
,
i
2
= 0 .
Aplicando al segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, la
resistencia de valor 10 k de la izquierda y el diodo, se obtiene
v
i
= 10(i
1
+i
2
) = 10i
1
,
i
1
=
v
i
10
.
La condicin i
1
0 se traduce en
v
i
10
0 ,
7
v
i
0 .
As pues, para v
i
(, 0], el diodo est en ON y v
o
= 0
Para el estado OFF, se obtiene el circuito
A
K
+
v
AK v
i
10 k
+
+
v
o
10 k
Se ha de imponer 5 v
AK
0. Utilizando la frmula del divisor de tensin, se obtiene
v
o
=
10
10 + 10
v
i
=
v
i
2
.
Por inspeccin, v
AK
= v
o
. La condicin 5 v
AK
0 se traduce en 5 v
o
0,
0 v
o
5, y utilizando v
o
= v
i
/2, en 0 v
i
/2 5, 0 v
i
10. As pues, para v
i
[0, 10],
el diodo est en OFF y v
o
= v
i
/2.
Para el estado RUPTURA, se obtiene el circuito
K
A
i
2
i
1
i
1
+ i
2
v
i
10 k
5 V
+
v
o
10 k
+
Se ha de imponer i
1
0. Por inspeccin, v
o
= 5. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de
valor 10 k de la derecha, se obtiene
v
o
= 10i
2
,
5 = 10i
2
,
i
2
= 0,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, la
resistencia de valor 10 k de la izquierda y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
v
i
= 10(i
1
+i
2
) + 5 = 10i
1
+ 10i
2
+ 5 = 10i
1
+ (10)(0,5) + 5 = 10i
1
+ 10 ,
i
1
=
v
i
10
10
.
La condicin i
1
0 se traduce en v
i
10 0, v
i
10. As pues, para v
i
[10, ) el diodo
est en RUPTURA y v
o
= 5.
La siguiente gura representa grcamente la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
5
v
i
v
o
10
Problema 7: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V, analice el
circuito de la gura y determine los valores de la corriente directa I y la tensin nodo-ctodo
V
AK
del diodo.
5 V
5 k
1 k
Solucin: Empezaremos suponiendo el diodo en OFF. Ello conduce al circuito
V
AK
5 V
+
5 k
1 k
La condicin a vericar es V
AK
0,7. Aplicando la frmula del divisor de tensin, se obtiene
V
AK
=
1
1 + 5
5 = 0,8333 ,
que es > 0,7. Por lo tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el diodo est en ON. Ello
9
conduce al circuito
K
A
0,7 V
I
I
I + I
V
AK
+
5 V
1 k
5 k
La condicin a vericar es I 0. Por inspeccin, V
AK
= 0,7. Aplicando la ley de Ohm a la
resistencia de valor 1 k, se obtiene
0,7 = (1)I
,
I
= 0,7 .
Por ltimo, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de
valor 5 V y las resistencias, se obtiene
5 = 5(I +I
) + (1)I
= 5I + 6I
= 5I + (6)(0,7) = 5I + 4,2 ,
I =
5 4,2
5
= 0,16 ,
que es 0. As pues, el diodo est en ON, I = 0,16 mA y V
AK
= 0,7 V.
Problema 8: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V y resistencia
incremental en conduccin directa r
D
= 1 , analice el circuito de la gura y determine los
valores de la corriente directa I y de la tensin nodo-ctodo V
AK
del diodo.
10
100 mA
Solucin: Empezaremos suponiendo que el diodo est en OFF. Ello conduce al circuito
K
A
V
AK
100 mA
10
+
La condicin a vericar es V
AK
0,7. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
V
AK
= (0,01)(100) = 1, que es > 0,7. Por tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el
diodo est en ON. El circuito resultante es
A
K
1
0,7 V
100 mA
10
I
N
I
La condicin a vericar es I 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo N, se obtiene
100 = I +I
.
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 0,7 V
y las resistencias, se obtiene
0,7 = 0,001I + 0,01I
,
dando lugar al sistema lineal
I +I
= 100
I + 10I
= 700 ,
cuya solucin para I es
I =
100 1
700 10
1 1
1 10
=
300
11
= 27,27 ,
que es 0. As pues, el diodo est en ON e I = 27,27 mA. La tensin nodo-ctodo resulta valer
V
AK
= 0,7 + 0,001 I = 0,7 + (0,001)(27,27) = 0,7273 V.
Problema 9: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V, analice el
siguiente circuito y determine I.
1 k
I
10 k
D1
D2
5 V
Solucin: Con el diodo D1 en OFF, el diodo D2 quedara polarizado exclusivamente por la
resistencia de valor 1 k y tambin estara en OFF. Con esos estados para D1 y D2, tendramos
11
V
AK1
= 5, que no es 0,7 V. As pues, el diodo D1 no est en OFF. Supongamos que el diodo
D1 est en ON y que el diodo D2 est en OFF. Se obtiene el circuito
1 k
5 V
I 10 k
A
K
0,7 V
A
K
V
AK2
+
Se ha de vericar I 0 y V
AK2
0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por las fuentes de tensin y las resistencias, se obtiene
5 = 10I + 0,7 + (1)I ,
5 = 11I + 0,7 ,
I =
5 0,7
11
= 0,3909 ,
que es 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 1 k, se obtiene
V
AK2
= (1)I = I = 0,3909 ,
que es 0,7. As pues, los estados supuestos para los diodos son correctos e I = 0,3909 mA.
D0
= 0,7 V, resisten-
cia incremental en conduccin directa r
D
= 10 , tensin de ruptura V
Z0
= 5 V y resistencia
incremental en ruptura r
Z
= 20 , analice el circuito de la gura y determine I
1
e I
2
.
D1 I
2
I
1
1 k
D2
10 k 1 k
10 V
Solucin: Supondremos que D1 est en ON y que D2 est en RUPTURA. Sustituyendo los
diodos por los circuitos equivalentes correspondientes a esos estados, se obtiene el circuito
K
A
A
K
0,7 V
10
I
1
I
1
+ I
2
I
2
20
10 V
10 k 1 k
5 V
1 k
Las condiciones a vericar son I
1
0 e I
2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 1 k de la izquierda, la
resistencia de valor 10 k, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin de valor 0,7 V y a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, las resistencias de valor 1 k, la resistencia
de valor 20 y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
10 = (1)(I
1
+I
2
) + 10I
1
+ 0,01 I
1
+ 0,7 ,
10 = (1)(I
1
+I
2
) + (1)I
2
+ 0,02 I
2
+ 5 ,
que conducen al sistema lineal
11,01I
1
+I
2
= 9,3
I
1
+ 2,02I
2
= 5 ,
cuya solucin es
I
1
=
9,3 1
5 2,02
11,01 1
1 2,02
=
13,79
21,24
= 0,6492 ,
I
2
=
5 I
1
2,02
=
5 0,6492
2,02
= 2,154 .
Tanto I
1
como I
2
son 0. As pues, el diodo D1 est en ON, el diodo D2 est en RUPTURA,
I
1
= 0,6492 mA e I
2
= 2,154 mA.
Problema 11: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para
13
corrientes inversas, analice el circuito de la gura y determine I
1
e I
2
.
10 mA
I
1
I
2
D1
D2
1 k
200
Solucin: Por cada conjunto formado por un diodo y la resistencia que tiene en paralelo ha de
circular una corriente de valor 10 mA. Ello permite el anlisis independiente de esos dos grupos
de elementos. Supongamos que el diodo D1 est en ON. Se obtiene el circuito
1 k
A
K
0,7 V
I
I
1
10 mA
Se ha de vericar I
1
0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
0,7 = (1)I
,
I
= 0,7 .
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al nodo del diodo, se obtiene
10 = I
+I
1
= 0,7 +I
1
,
I
1
= 10 0,7 = 9,3 ,
que es 0. As pues, D1 est en ON e I
1
= 9,3 mA.
Supongamos que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito
A
10 mA
I
5 V
I
2
200
K
Se ha de vericar I
2
0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
5 = (0,2)I
,
I
=
5
0,2
= 25 .
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al ctodo del diodo, se obtiene
10 = I
+I
2
= 25 +I
2
,
I
2
= 10 25 = 15 ,
que no es 0. Supongamos D2 en OFF. Se obtiene el circuito
V
AK2
10 mA
I
200
K
A
I
2
+
Se ha de vericar 5 V
AK2
0,7. Por inspeccin, I
2
= 0 e I
= 10. Por otro lado, aplicando

la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
V
AK2
= 0,2 I
= (0,2)(10) = 2 ,
que es 5 y 0,7. As pues, el diodo D2 est en OFF e I
2
= 0.
D0
= 0,7 V y para
D0
corrientes inversas, analice el circuito de la gura y determine los valores de I y V .
10 V
D1
1 k
I
V
10 k
D2
+
Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en ON. Con el diodo D2 en ON, todas las corrientes
entrantes al nodo al que estn conectados los ctodos de los diodos seran 0, con al menos una
de ellas (la procedente de la resistencia) > 0, lo cual es imposible. Supongamos que el diodo D2
est en OFF. Se obtiene el circuito
V
I
A
K
V
AK2
0,7 V
A K
10 V
10 k
1 k
I
+
Se ha de vericar I
0 y 5 V
AK2
0,7. Por inspeccin, I = 0. Aplicando la segunda ley
15
de Kirchoff a la malla con corriente I
se obtiene
10 = 0,7 + 10I
+ (1)I
= 0,7 + 11I
,
I
=
10 0,7
11
=
9,3
11
= 0,8455 ,
que es 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k, se obtiene
V
AK2
= 10I
= (10)(0,8455) = 8,455 ,
que es < 5. As pues, el estado supuesto para el diodo D2 no es correcto. Supongamos que est
en RUPTURA. Se obtiene el circuito
I + I
0,7 V
A K
10 V
1 k
K
A
5 V
10 k
I
I + I
V
I
Se ha de vericar I 0 e I + I
0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k,

se obtiene
5 = 10I
,
I
=
5
10
= 0,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V,
la fuente de tensin de valor 0,7 V, la fuente de tensin de valor 5 V y la resistencia de valor 1 k,
se obtiene
10 = 0,7 + 5 + (1)(I +I
) = 5,7 +I +I
= 5,7 +I + 0,5 = 6,2 +I ,

I = 10 6,2 = 3,8 ,
que es 0. Adems, I+I
= 3,8+0,5 = 4,3, que tambin es 0. As pues, los estados supuestos

para los diodos son correctos e I = 3,8 mA. La tensin V puede ser calculada aplicando la ley
de Ohm a la resistencia de valor 1 k. Se obtiene
V = (1)(I +I
) = I +I
= 3,8 + 0,5 = 4,3 V.

D0
= 0,7 V y para
D0
= 0,7 V y tensin ctodo-nodo 5 V en ruptura,
analice el circuito de la gura y determine los valores de las corrientes I
1
e I
2
.
1 mA
D1 D2
2 k 10 k
I
1 I
2
Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en estado OFF. Tenemos I
2
= 1 mA, implicando
que D2 estar en estado RUPTURA. Entonces, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por los diodos y las resistencias, se obtiene
V
AK1
= 5 + 2I
2
= 5 + (2)(1) = 7 ,
que no es 0,7. As pues el diodo D1 no estar en OFF. Supongamos que el diodo D1 est en
ON y que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito
1 mA
I
1
I
2
K
A
A
K
0,7 V 5 V
10 k 2 k
Se ha de vericar I
1
0 e I
2
0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado a las
resistencias, se obtiene
1 = I
1
+I
2
.
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por las fuentes de tensin y las resis-
tencias, se obtiene
0,7 + 10I
1
= 5 + 2I
2
,
10I
1
2I
2
= 4,3 ,
que combinada con I
1
+I
2
= 1 da el sistema lineal
I
1
+I
2
= 1
10I
1
2I
2
= 4,3 ,
cuya solucin es
I
1
=
1 1
4,3 2
1 1
10 2
=
6,3
12
= 0,5250 ,
I
2
= 1 I
1
= 1 0,5250 = 0,4750 .
Dado que tanto I
1
como I
2
son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I
1
=
0,5250 mA e I
2
= 0,4750 mA.
17
D0
= 0,7 V, analice el
circuito de la gura y determine I
1
e I
2
.
I
1 D1
1 k
5 V
I
2
4 k
1 k
D2
2 k
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo constituido por la fuente de tensin
de valor 5 V y las dos resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la
resistencia de 1 k, se obtienen una tensin de Thvenin
V
th
=
1
4 + 1
5 = 1
y una resistencia de Thvenin
R
th
= 4 1 =
(4)(1)
4 + 1
= 0,8 .
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin se obtiene el circuito
D1
1 k
I
2
I
1
1 V
0,8 k
D2
2 k
Supongamos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
K
A
K
A
0,8 k
1 V
I
1
+ I
2
2 k I
2
0,7 V
I
1 1 k
0,7 V
Se ha de vericar I
1
0 e I
2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 k, la resistencia de valor 1 k y
la fuente de tensin de valor 0,7 V de la izquierda y a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 k, la resistencia de valor 2 k y la fuente de tensin de
valor 0,7 V de la derecha, se obtiene
1 = (0,8)(I
1
+I
2
) + (1)I
1
+ 0,7 ,
1 = (0,8)(I
1
+I
2
) + 2I
2
+ 0,7 ,
1,8I
1
+ 0,8I
2
= 0,3
0,8I
1
+ 2,8I
2
= 0,3 ,
cuya solucin es
I
1
=
0,3 0,8
0,3 2,8
1,8 0,8
0,8 2,8
=
0,6
4,4
= 0,1364 ,
I
2
=
1,8 0,3
0,8 0,3
1,8 0,8
0,8 2,8
=
0,3
4,4
= 0,06818 .
Dado que tanto I
1
como I
2
son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I
1
=
0,1364 mA e I
2
= 0,06818 mA.
D0
= 0,7 V y para el
diodo D2 el modelo con tensin umbral V
D0
= 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, determine la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
)
19
del cuadripolo de la gura.
D1
D2 4,7 V

v
o
v
i
1 k
+ +
Solucin: Una forma sencilla de analizar el circuito es considerar los posibles valores de la
corriente i:
D2
D1
v
o
v
i
1 k
4,7 V
i
+ +
El diodo D1 impide que i tome valores < 0. As pues, i 0. Determinemos los valores de v
i
para los cuales i > 0 y la relacin entre v
o
y v
i
en ese caso. D1 slo podr estar en ON y D2 slo
podr estar en RUPTURA, obtenindose el circuito
A
K
K
A
i
v
o
1 k
+
v
i
0,7 V
4,7 V
+
Por inspeccin, obtenemos v
o
= 4,7 + 0,7 = 5,4. Aplicando la segunda ley de Kirchoff, se
obtiene
v
i
= (1)i + 0,7 + 4,7 = 5,4 +i ,
i = v
i
5,4 .
Imponiendo la condicin i > 0, se obtiene v
i
> 5,4. As pues, v
o
= 5,4 para v
i
> 5,4. Para
v
i
5,4, i = 0 y siendo nula la diferencia de tensin en la resistencia de 1 k, se obtiene
v
o
= v
i
. La siguiente gura representa grcamente la funcin de transferencia.
v
i
5,4
5,4
v
o
D0
= 0,7 V y para
D0
corrientes inversas, analice el circuito de la gura y: 1) determine la funcin de transferencia
v
o
= F(v
i
); 2) suponiendo v
i
senoidal con amplitud 15 V, determine el valor medio V
o
y el
valor ecaz V
o,eff
de la tensin de salida v
o
.
v
o
v
i
D1
D2
10 k
10 k
+
Solucin: 1) Hacemos un barrido de v

i
desde hasta . Obtenemos as una sucesin de
intervalos para v
i
en los que los estados de los diodos se mantienen constantes. Los extremos
derechos de los intervalos y los diodos que cambian de estado al pasar de un intervalo al siguiente
son determinados imponiendo las condiciones de estado de los diodos. Los diodos deben cambiar
a estados correspondientes a tramos lineales adyacentes a los tramos lineales de los estados en los
que estn los diodos antes del cambio. En caso de que un estado tenga dos estados adyacentes,
es necesario analizar qu desigualdad falla al aumentar v
i
para determinar a qu estado cambia
el diodo.
Dado que el cuadripolo es pasivo, la potencia consumida por l tiene que ser 0. Ello implica
que, para v
i
negativa, la corriente de entrada al cuadripolo o es 0 o va de a +, pues en caso
contrario la potencia consumida por el cuadripolo sera < 0. Eso slo es posible con D1 en OFF.
As pues para v
i
negativa D1 est en OFF. Con D1 en OFF, el conjunto formado por D2 y la
resistencia de la derecha queda aislado y la corriente por D2 es 0, implicando que D2 tambin
estar en OFF. As pues, para v
i
negativa, D1 y D2 estn en OFF. Supongamos dichos estados,
analicemos el cuadripolo y determinemos hasta que valor de v
i
se mantienen los estados, qu
21
diodos cambian de estado al crecer v
i
y a qu estado cambian. Se obtiene el circuito
v
o v
i
A K
10 k
v
AK1
K
A
v
AK2
10 k
+
+
+
Se ha de imponer v
AK1
0,7 y 5 v
AK2
0,7. Las corrientes por todas las ramas del
circuito son nulas y, aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la derecha, se obtiene v
AK2
= 0,
que es 5 y 0,7. Adems, v
o
= 0. Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, los diodos y la resistencia de la izquierda, se
obtiene
v
i
= v
AK1
+ 0 v
AK2
,
de donde v
AK1
= v
i
+ v
AK2
= v
i
. La condicin v
AK1
0,7 se traduce en v
i
0,7. As pues,
para v
i
(, 0,7], los diodos D1 y D2 estn en OFF y v
o
= 0. Al hacerse v
i
> 0,7, falla
la condicin de estado del diodo D1, que pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en
v
i
= 0,7, D1 est en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
i
v
i
K
10 k
K
A
v
AK2
10 k v
o
A
0,7 V
+
Se ha de imponer i 0 y 5 v
AK2
0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
con corriente i se obtiene
v
i
= 0,7 + 10i + 10i = 20i + 0,7 ,
i =
v
i
0,7
20
.
Imponiendo i 0, se obtiene la condicin v
i
0,7, que no deja de cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo. La tensin v
o
puede obtenerse aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la
derecha:
v
o
= 10i = 10
v
i
0,7
20
=
1
2
v
i
0,35 .
Por inspeccin,
v
AK2
= v
o
=
1
2
v
i
+ 0,35 .
Imponiendo la condicin 5 v
AK2
0,7, se obtiene 5 (1/2)v
i
+ 0,35 0,7,
10 v
i
+ 0,7 1,4, 0,7 v
i
10,7. Al aumentar v
i
dentro del intervalo falla la
condicin v
i
10,7. Dicha condicin procede de v
AK2
5. As pues, para v
i
(0,7, 10,7]
D1 est en ON, D2 est en OFF, y v
o
= (1/2)v
i
0,35. Al hacerse v
i
> 10,7 el diodo D2
pasa a RUPTURA. En el siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 10,7, D1 est en ON y D2 en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
i
v
i
K
10 k
10 k v
o
A
0,7 V
K
A
5 V
i
1
i
2
+
Se ha de imponer i
1
0 e i
2
0. Por inspeccin, v
o
= 5. Aplicando la ley de Ohm a la
resistencia por la que circula la corriente i
se obtiene
5 = 10i
,
i
=
5
10
= 0,5 .
i
,
la fuente de tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor 10 k de la izquierda y la fuente de
tensin de valor 5 V, se obtiene
v
i
= 0,7 + 10i
1
+ 5 = 5,7 + 10i
1
,
i
1
=
v
i
5,7
10
.
La condicin i
1
0 se traduce en v
i
i
dentro del
intervalo. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo en el que conuyen las corrientes i
1
, i
2
e
i
, se obtiene
i
1
= i
2
+i
,
i
2
= i
1
i
=
v
i
5,7
10
0,5 =
v
i
10
1,07 .
La condicin i
2
0 se traduce en v
i
i
dentro del
intervalo. As pues, para v
i
(10,7, ), D1 est en ON, D2 est en RUPTURA y v
o
= 5. La
siguiente gura representa grcamente la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
5
10,7 v
i
v
o
1
2
v
i
0,35
0,7
2) Sea la pulsacin de v
i
. Usando la variable = t, usando la relacin = 2/T, donde T
23
es el periodo de v
i
, y haciendo el cambio de variable = t, se obtiene
V
o
=
1
T
_
T
0
v
o
(t) dt =
1
T
_
T
0
v
o
() d =
1
2
_
2
0
v
o
() d,
y, de modo similar,
V
2
o,eff
=
1
T
_
T
0
v
o
(t)
2
dt =
1
2
_
2
0
v
o
()
2
d.
Empecemos determinando la forma de v
o
() usando la forma de v
i
() y la funcin de trans-
ferencia. La siguiente gura la ilustra.
v
i
() = 15 sen
2
/2
2
15
5
0,7
1
= t
v
o
() =
1
2
v
i
() 0,35 = 7,5 sen 0,35
10,7
Utilizando las caractersticas y simetras de v
o
(), se obtiene
V
o
=
1
2
_

1
1
v
o
() d =
1
2
_
2
_
/2
1
v
o
() d
_
=
1
_
/2
1
v
o
() d . (1.1)
De modo similar,
V
2
o,eff
=
1
_
/2
1
v
o
()
2
d. (1.2)
El problema queda pues reducido a evaluar las integrales
I
1
=
_
/2
1
v
o
() d,
I
2
=
_
/2
1
v
o
()
2
d.
Empecemos calculando
1
y
2
(en radianes):
0,7 = 15 sen
1
,
1
= arc sen
_
0,7
15
_
= arc sen(0,04667) = 0,04669 .
10,7 = 15 sen
2
,
2
= arc sen
_
10,7
15
_
= arc sen(0,7133) = 0,7942 .
Evaluemos la integral I
1
. Se obtiene
I
1
=
_

2
1
v
o
() d +
_
/2
2
v
o
() d
=
_
0,7942
0,04669
(7,5 sen 0,35) d + 5
_
2
0,7942
_
= 7,5
_
0,7942
0,04669
sen d (0,35)(0,7942 0,04669) + 3,883
= (7,5)[cos(0,04669) cos(0,7942)] + 3,621
= 5,856 .
Evaluemos la integral I
2
. Se obtiene
I
2
=
_

2
1
v
o
()
2
d +
_
/2
2
v
o
()
2
d
=
_
0,7942
0,04669
(7,5 sen 0,35)
2
d + 25
_
2
0,7942
_
=
_
0,7942
0,04669
_
56,25 sen
2
5,25 sen + 0,1225
_
d + 19,41
= 56,25
_
0,7942
0,04669
sen
2
d 5,25
_
0,7942
0,04669
sen d + 0,1225(0,7942 0,04669)
+19,41
= 56,25
_
2

sen 2
4
_
0,7942
0,04669
(5,25)[cos(0,04669) cos(0,7942)] + 19,50
= (28,13)(0,7942 0,04669) (14,06)[sen(1,588) sen(0,09338)] + 17,94
= 26,22 .
Finalmente, usando (1.1) y (1.2), se obtiene
V
o
=
I
1
=
5,856
= 1,864 V,
V
2
o,eff
=
I
2
=
26,22
= 8,346 ,
V
o,eff
=
_
8,346 = 2,889 V.
25
Problema 17: Utilizando para los diodos los modelos con tensin nodo-ctodo nula para co-
rrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin de ruptura indicada para corrientes
inversas, analice el circuito de la gura y determine la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
D1
D2
5 V
v
i
v
o
1 k
7 V
1 k
+
Solucin: Intuitivamente, parece que para v
i
el diodo D2 deber estar en ON. Supuesto
D2 en ON, v
o
valdr 0, implicando que D1 estar en OFF. As pues, supongamos que para
v
i
, D1 est en OFF y D2 est en ON. Se obtiene el circuito
K
A
K
A
i
1 k
+
v
o
v
i
i
1 k
+
La condicin a imponer, correspondiente al diodo D2, es i 0, i 0. Evidentemente, v

o
= 0.
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, obtenemos v
i
= (1)i = i, dando la
condicin para v
i
, v
i
0. As pues, para v
i
(, 0], D1 est en OFF, D2 est en ON y
v
o
= 0. Al hacerse v
i
> 0, i se har > 0 y dejar de cumplirse la condicin de estado de D2, que
cambiar al estado OFF. Supongamos que D1 permanece en el estado OFF. Se obtiene el circuito
v
AK2
i
1 k
v
AK1
1 k
+
v
o
+
v
i
+
Se ha de imponer 5 v
AK1
0 y 7 v
AK2
0. La corriente i valdr 0, la diferencia de
tensin en la resistencia de 1 k conectada a la fuente de tensin de valor v
i
valdr 0 y v
o
ser
igual a v
i
. Dado que v
i
= v
AK1
, la condicin 5 v
AK1
0 se traduce en la condicin
5 v
i
0, 0 v
i
5. Dado que v
i
= v
AK2
, la condicin 7 v
AK2
0 se
traduce en la condicin 7 v
i
0, 0 v
i
7. As pues, para v
i
[0, 5] D1 y D2
estarn en OFF y v
o
= v
i
. Al hacerse v
i
> 5, el diodo D1 pasar a RUPTURA, pues fallar
la desigualdad v
AK1
5 de la condicin de estado de D1, permaneciendo D2 en OFF. En el
siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 5, D1 estar en RUPTURA y D2 en OFF. Se obtiene el
circuito
K
A
K
A
i
v
AK2
1 k
+
v
o
+
v
i
1 k
5 V
i
+
AK2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor v
i
, las resistencias de valor 1 k y la fuente de tensin
de valor 5 V, se obtiene
v
i
= (1)i + (1)i + 5 = 2i + 5 ,
i =
v
i
5
2
,
que se mantiene 0 al aumentar v
i
o
resulta valer
v
o
= 5 + (1)i = 5 +i = 5 +
v
i
5
2
=
1
2
v
i
+
5
2
.
Utilizando v
AK2
= v
o
, la condicin 7 v
AK2
0 se traduce en 7 v
o
0, 0 v
o

7, y utilizando v
o
= v
i
/2 + 5/2, en la condicin 0 v
i
/2 + 5/2 7, 0 v
i
+ 5 14, 5
v
i
9. As pues, para v
i
[5, 9], D1 estar en RUPTURA, D2 estar en OFF y v
o
= v
i
/2+5/2.
Al hacerse v
i
> 9, el diodo D2 pasar a RUPTURA, pues fallar la desigualdad v
AK2
7 de
la condicin de estado de D2, permaneciendo D1 en RUPTURA. En el siguiente intervalo, que
empieza en v
i
= 9, los dos diodos estarn en RUPTURA. Se obtiene el circuito
K
A
K
A
i
2
+
v
o
1 k
v
i
5 V
i
1
+ i
2
1 k
i
1
7 V
+
Se ha de imponer i
1
0 e i
2
0. Por inspeccin, v
o
= 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, las resistencias de valor 1 k y la fuente
de tensin de valor 5 V y a la malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, la resistencia de
la izquierda y la fuente de tensin de valor 7 V, se obtiene
v
i
= (1)(i
1
+i
2
) + (1)i
1
+ 5
v
i
= (1)(i
1
+i
2
) + 7
y el sistema lineal
2i
1
+i
2
= v
i
5
i
1
+i
2
= v
i
7 ,
27
cuya solucin es
i
1
=
v
i
5 1
v
i
7 1
2 1
1 1
=
2
1
= 2 ,
i
2
= v
i
7 i
1
= v
i
7 2 = v
i
9 .
Las condiciones i
1
0 e i
2
0 no dejan de cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo,
implicando que para v
i
[9, ) D1 y D2 estarn en RUPTURA y v
o
= 7. La siguiente gura
representa grcamente la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
5 9
5
7
v
i
2
+
5
2
v
i
v
o
v
i
Problema 18: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula en conduccin directa y tensin ctodo-nodo igual a 7 V para
corrientes inversas, analice el circuito de la gura y determine la funcin de transferencia v
o
=
F(v
i
).
v
o
v
i
2 k D1
D2
5 mA
+
Solucin: Supondremos que para v

i
, los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
5 mA
v
i
2 k
K A
i
1
i
2
A
K
v
o
+
Se ha de imponer i
1
0 e i
2
0. Por inspeccin, v
o
= 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff
a la malla externa, se obtiene
v
i
= 2i
1
,
i
1
=
v
i
2
.
La condicin i
1
0 se traduce pues en v
i
0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al ctodo del diodo D2 se obtiene
5 +i
2
= i
1
,
i
2
= i
1
5 =
v
i
2
5 .
La condicin i
2
0 se traduce pues en v
i
/2 5 0, v
i
/2 5, v
i
10. As pues, para
v
i
(, 10] los dos diodos estn en ON y v
o
= 0. Al hacerse v
i
> 10 el diodo D2 cambia
de estado y pasar a OFF, pues fallar la condicin i
2
0. En el siguiente intervalo, que empieza
en v
i
= 10, D1 estar en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
v
i
2 k
K A
i
1
5 mA
A
K
v
AK2
v
o
+
+
+
Se ha de imponer i
1
0 y 7 v
AK2
0. Por inspeccin, i
1
= 5, que es 0. Aplicando la
segunda ley de Kirchoff a la malla externa se obtiene
v
o
= 2i
1
+v
i
= (2)(5) +v
i
= v
i
+ 10 .
Por inspeccin, v
AK2
= v
o
y la condicin 7 v
AK2
0 se traduce en 7 v
o
0,
0 v
o
7, que usando v
o
= v
i
+ 10 da 0 v
i
+ 10 7, 10 v
i
3. Al aumentar
v
i
dentro del intervalo fallar la desigualdad v
i
3. Dado que dicha desigualdad procede de
v
AK2
7, en ese punto el diodo D2 pasar a RUPTURA. As pues, para v
i
(10, 3] D1
est en ON, D2 est en OFF y v
o
= v
i
+10. Al hacerse v
i
> 3 el diodo D2 pasar a RUPTURA.
En el siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 3, D1 estar en ON y D2 en RUPTURA. Se
obtiene el circuito
7 V
v
i
2 k
K A
i
1
5 mA
v
o
K
A
i
2
+
+
Se de imponer i
1
0 e i
2
0. Por inspeccin, v
o
= 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a
la malla externa, se obtiene
v
i
= 2i
1
+ 7 ,
29
i
1
=
7 v
i
2
.
La condicin i
1
0 se traduce en v
i
7. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que
est conectado el nodo del diodo D1 se obtiene
5 = i
1
+i
2
,
i
2
= 5 i
1
= 5
7 v
i
2
=
3
2
+
v
i
2
,
y la condicin i
2
0 se traduce en 3/2 + v
i
/2 0, 3 + v
i
0, v
i
3, que no deja de
cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo. As pues, para v
i
(3, 7], D1 est en ON, D2
est en RUPTURA, y v
o
= 7. Al hacerse v
i
> 7, fallar la condicin de estado de D1, que
pasar a OFF. En el siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 7, D1 est en OFF y D2 est en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
v
i
2 k
K A
5 mA
v
o
K
A
7 V
i
2 v
AK1
+
+
Se ha de imponer v
AK1
0 e i
2
0. Por inspeccin, v
o
= 7 e i
2
= 5, que es 0. Aplicando la
segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se obtiene
v
i
= 0 v
AK1
+ 7 ,
v
AK1
= v
i
+ 7 .
La condicin v
AK1
0 se traduce en v
i
+7 0, v
i
7, que no deja de cumplirse al aumentar
v
i
i
(7, ), D1 est en OFF, D2 est en RUPTURA y
v
o
= 7. La siguiente gura representa grcamente la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
v
o
= v
i
+ 10
3 10
7
v
i
v
o
Problema 19: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula para corrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, analice el circuito de la gura y determine la funcin
de transferencia v
o
= F(v
i
).
D1
D2
v
i
+
v
o
5 V
1 k
2 k 5 k
3 V
+
Solucin: Intuitivamente, parece que para v

i
los dos diodos estarn en OFF. Supong-
moslo. Se obtiene el circuito
A
K
A K
5 k
3 V
+
v
AK2
v
i
+
v
o
1 k
+
v
AK1
2 k
+
Se ha de imponer v
AK1
0 y 5 v
AK2
0. Por inspeccin, teniendo en cuenta que todas
las corrientes son nulas, v
o
= 3, v
AK1
= v
i
3 y v
AK2
= 3. La condicin 5 v
AK2
0 es
vericada. La condicin v
AK1
0 se traduce en v
i
3 0, v
i
3. As pues, para v
i
(, 3]
los dos diodos estn en OFF y v
o
= 3. Al hacerse v
i
> 3, el diodo D1 pasar a ON. En el
siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 3, D1 est en ON y D2 est en OFF. Se obtiene el
circuito
A
K
A K
i
+
v
AK2
5 k
v
i
+
v
o
1 k
2 k
3 V
+
AK2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla for-
mada por la fuente de tensin de valor v
i
, la resistencia de valor 1 k, el diodo D1, la resistencia
de valor 2 k y la fuente de tensin de valor 3 V, se obtiene
v
i
= (1)i + 2i + 3 = 3i + 3 ,
i =
v
i
3
3
=
1
3
v
i
1 .
La tensin v
o
resulta valer
v
o
= 3 + 2i = 3 + 2
_
1
3
v
i
1
_
=
2
3
v
i
+ 1 ,
31
y v
AK2
= v
o
= (2/3)v
i
1. La condicin i 0 se traduce en v
i
/3 1 0, v
i
3, que no
deja de cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo. La condicin 5 v
AK2
0 se traduce
en 5 (2/3)v
i
1 0, 0 (2/3)v
i
+ 1 5, 0 v
i
+ 1,5 7,5, 1,5 v
i
6.
Al aumentar v
i
dentro del intervalo dejar de cumplirse v
i
6. As pues, para v
i
(3, 6], el
diodo D1 est en ON, el diodo D2 est en OFF y v
o
= (2/3)v
i
+ 1. Al hacerse v
i
> 6, el diodo
D2 pasar a RUPTURA, pues fallar la desigualdad v
AK2
5. En el siguiente intervalo, que
empieza en v
i
= 6, D1 est en ON y D2 en RUPTURA. Se obtiene el circuito
A K
K
A
i
1
i
2
v
o
1 k
3 V
i
1
2 k
5 k
5 V
i
2
v
i
+
+
Se ha de imponer i
1
0 e i
2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor v
i
, la resistencia de valor 1 k, la resistencia de valor 2 k y la fuente
de tensin de valor 3 V y a la malla formada por la fuente de tensin de valor v
i
, la resistencia de
valor 1 k, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
v
i
= (1)i
1
+ 2(i
1
i
2
) + 3 ,
v
i
= (1)i
1
+ 5i
2
+ 5 ,
3i
1
2i
2
= v
i
3
i
1
+ 5i
2
= v
i
5 ,
cuya solucin es
i
1
=
v
i
3 2
v
i
5 5
3 2
1 5
=
7v
i
25
17
= 0,4118v
i
1,471 ,
i
2
=
3 v
i
3
1 v
i
5
3 2
1 5
=
2v
i
12
17
= 0,1176v
i
0,7059 .
La tensin v
o
resulta valer
v
o
= 5 + 5i
2
= 5 + (5)(0,1176v
i
0,7059) = 0,5880v
i
+ 1,471 .
Imponiendo i
1
0, se obtiene 0,4118v
i
1,471 0, v
i
1,471/0,4118 = 3,572, que no deja de
cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo. Imponiendo i
2
0, se obtiene 0,1176v
i
0,7059
0, v
i
0,7059/0,1176 = 6, que no deja de cumplirse al aumentar v
i
dentro del intervalo. As
pues, para v
i
(6, ), D1 est en ON, D2 est en RUPTURA y v
o
= 0,5880v
i
+ 1,471. La
siguiente gura representa grcamente la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
).
3 6
5
7
3
9,403
v
o
v
i
2
3
v
i
+ 1
0,5880v
i
+ 1,471
D0
= 0,7 V, analice el
circuito de la gura con R = 20 k y determine la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
). Cul
es la funcin de transferencia para R ? Es una buena aproximacin de ella la funcin de
transferencia obtenida con R = 20 k? Cmo se podra reducir el error de la aproximacin?
2,5 mA
v
o
D1
D2
R
v
i
2 k
2 k
+
+
Solucin: Empezaremos encontrando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la

fuente de tensin de valor v
i
, las resistencias de valor 2 k y la fuente de corriente, que tiene
como salidas el nodo conectado al nodo del diodo D2 y el nodo conectado a los terminales
de la entrada y la salida del cuadripolo. Aplicando el principio de superposicin, la tensin de
Thvenin vale v
th
= v
1
+v
2
, donde v
1
y v
2
son las tensiones indicadas de los circuitos:
v
i
v
1 2,5 mA v
2
2 k 2 k
2 k
2 k
+
+ +
El de la izquierda es un divisor de tensin y, por tanto,

v
1
=
2
2 + 2
v
i
=
v
i
2
.
33
El de la derecha es un divisor de corriente. Las corrientes por las dos resistencias son, por sime-
tra, iguales y, por tanto,
v
2
= (2)
1
2
(2,5) = 2,5 ,
obtenindose
v
th
= v
1
+v
2
=
v
i
2
+ 2,5 .
Anulando la fuente de tensin de valor v
i
y la fuente de corriente de valor 2,5 mA, las resistencias
de 2 k quedan asociadas en paralelo y conectadas a la salida del dipolo, por lo que la resistencia
de Thvenin valdr
R
th
= 2 2 = 1 k.
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin y teniendo en cuenta que el nodo de D1
est conectado directamente al extremo positivo de la fuente de tensin de valor v
i
, resulta que
el cuadripolo que hay que analizar en el problema es equivalente al circuito
v
o
D1
D2
R
v
i
1 k
v
i
2
+ 2,5
+
+
+
Parece claro que para v

i
los dos diodos debern estar en OFF. Supongamos pues los dos
diodos en OFF. Se obtiene el circuito
v
o R
v
i
1 k
v
i
2
+ 2,5
K A
A K
v
AK1
v
AK2
+
+
+
+
Hemos de imponer v
AK1
0,7 y v
AK2
0,7. La corriente por la resistencia de valor R es nula
y, aplicando la ley de Ohm a dicha resistencia, v
o
= 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla externa, se obtiene
v
i
= v
AK1
+v
o
= v
AK1
.
La condicin v
AK1
0,7 se traduce pues en v
i
0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla interna, se obtiene
v
i
2
+ 2,5 = 0 +v
AK2
+v
o
= v
AK2
.
La condicin v
AK2
0,7 se traduce en v
i
/2 + 2,5 0,7, v
i
3,6. As pues, para v
i

(, 3,6], D1 y D2 estn en OFF y v
o
= 0. Al hacerse v
i
> 3,6, fallar la condicin
v
AK2
0,7 y el diodo D2 pasar a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 3,6, el
diodo D1 est en OFF y el diodo D2 est en ON. Se obtiene el circuito
i
v
o R
v
i
1 k
v
i
2
+ 2,5
K A
v
AK1
A K
i
0,7 V
+
+
+
Se ha de imponer v
AK1
0,7 e i 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla por la
que circula la corriente i, se obtiene
v
i
2
+ 2,5 = (1)i + 0,7 +Ri = 21i + 0,7 ,
i =
v
i
42
+
2,5 0,7
21
=
v
i
+ 3,6
42
.
La condicin i 0 se traduce en v
i
+3,6 0, v
i
3,6, que no deja de cumplirse al aumentar
v
i
o
resulta valer
v
o
= Ri = 20
v
i
+ 3,6
42
= 0,4762v
i
+ 1,714 .
Por ltimo, la tensin v
AK1
resulta valer
v
AK1
= v
i
v
o
= v
i
0,4762v
i
1,714 = 0,5238v
i
1,714 .
La condicin v
AK1
0,7 se traduce en 0,5238v
i
1,714 0,7, 0,5238v
i
2,414, v
i

2,414/0,5238 = 4,609. As pues, para v
i
(3,6, 4,609], D1 est en OFF, D2 en ON y v
o
=
0,4762v
i
+1,714. Al hacerse v
i
> 4,609, fallar la condicin de estado de D1 y D1 pasar a ON.
En el siguiente intervalo, que empieza en v
i
= 4,609, los dos diodos estn en ON. Se obtiene el
circuito
i
1
+ i
2
v
o R
v
i
1 k
v
i
2
+ 2,5
A K
0,7 V
K A
0,7 V
i
2
i
1
+
+
Se ha de imponer i
1
0 e i
2
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se
obtiene
v
i
= 0,7 +v
o
,
v
o
= v
i
0,7 .
35
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interna, se obtiene
v
i
2
+ 2,5 = (1)i
2
+ 0,7 +v
o
= i
2
+ 0,7 +v
i
0,7 = i
2
+v
i
,
i
2
=
v
i
2
+ 2,5 .
La condicin i
2
0 se traduce en v
i
/2 + 2,5 0, v
i
+ 5 0, v
i
5. Aplicando la ley de
Ohm a la resistencia de valor R, se obtiene
v
o
= R(i
1
+i
2
) = Ri
1
+Ri
2
= 20i
1
+ 20i
2
,
i
1
=
v
o
20
i
2
=
v
i
0,7
20
+
v
i
2
2,5 = 0,55v
i
2,535 .
La condicin i
1
0 se traduce en 0,55v
i
2,535 0, v
i
2,535/0,55 = 4,609, que no deja
de cumplirse al aumentar v
i
i
(4,609, 5], D1 y D2 estn
en ON y v
o
= v
i
0,7. Al hacerse v
i
> 5, fallar la condicin de estado de D2, y D2 pasar a
OFF. En el nuevo intervalo, que empieza en v
i
= 5, D1 est en ON y D2 en OFF. Se obtiene el
circuito
i
1
v
o R
v
i
1 k
v
i
2
+ 2,5
K A
0,7 V
i
1
A K
v
AK2
+
+
+
Se ha de imponer i
1
0 y v
AK2
0,7. Por inspeccin,
v
o
= v
i
0,7 .
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor R, se obtiene
i
1
=
v
o
R
=
v
i
0,7
20
,
y la condicin i
1
0 se traduce en v
i
i
dentro del
intervalo. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interior, se obtiene
v
i
2
+ 2,5 = 0 +v
AK2
+v
o
,
v
AK2
=
v
i
2
+ 2,5 v
o
=
v
i
2
+ 2,5 v
i
+ 0,7 =
v
i
2
+ 3,2 ,
y la condicin v
AK2
0,7 se traduce en v
i
/2 + 3,2 0,7, v
i
+ 6,4 1,4, v
i
5, que no
deja de cumplirse al aumentar v
i
i
(5, ), D1 est en
ON, D2 est en OFF y v
o
= v
i
0,7, nalizando la determinacin de la funcin de transferencia
v
o
= F(v
i
). La siguiente gura la representa grcamente.
v
i
0,7
3,6
v
i
3,909
4,609
v
o
0,4762v
i
+ 1,714
Falta determinar la funcin de transferencia para R . La corriente por la resistencia de valor
R es la suma de las corrientes directas por los diodos y para cada v
i
dicha corriente tiende a 0
para R . As pues, para R , cuando el diodo D2 conduce lo hace con una corriente
que tiende a 0. Ello permite ignorar la resistencia de valor 1 k en serie con la fuente de tensin
de valor v
i
/2 + 2,5, y concluir que, para R , el circuito se comporta como el circuito
v
o
R
v
i
2
+ 2,5
v
i
+
+
Dicho circuito es un selector de mximo. Con el modelo para los diodos con tensin umbral
V
D0
, la salida de un selector de mximo con entradas v
1
, v
2
, . . . , v
N
vale m ax{0, v
1
V
D0
, v
2
V
D0
, . . . , v
N
V
D0
}. As pues, para R , v
o
= m ax{0, v
i
0,7, v
i
/2 + 1,8}. La siguiente
gura representa grcamente la funcin de transferencia para R
v
i
2
+ 1,8
3,6
v
i
v
o v
i
0,7
5
4,3
Comparndola con la obtenida para R = 20 k, podemos observar que sta es una buena apro-
ximacin de la funcin de transferencia para R , con un error mximo del orden de 0,2 V.
37
Para reducir dicho error mximo habra que aumentar R.
Captulo 2
Transistores de Unin Bipolares
Problema 21: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 50, V
BE0
= 0,7 Vy V
CE,sat
=
0,2 V, analice el circuito de la gura y determine el valor de I.
10 k
10 V
I 1 k
Solucin: Empezaremos suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Se obtiene el circuito
B C
E
I
10 V
1 k I
B
50I
B 0,7 V
10 k
B
0 y V
CE
0,2. Para calcular I
B
aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor
40 2 Problemas de Anlisis de Circuitos con Transistores de Unin Bipolares
10 k y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = 10I
B
+ 0,7 ,
I
B
=
10 0,7
10
= 0,93 ,
que es 0. Para calcular V
CE
conociendo I
B
aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V , la resistencia de valor 1 k y la fuente controlada
de corriente, obteniendo
10 = (1)(50I
B
) +V
CE
= 50I
B
+V
CE
,
V
CE
= 10 50I
B
= 10 (50)(0,93) = 36,5 ,
que no es 0,2. As pues, el BJT no est en ACTIVO. Supongamos que est en SATURACIN.
Se obtiene el circuito
B C
E
I = I
C
10 V
1 k I
B
10 k
0,7 V 0,2 V
B
0, I
C
0, e I
C
I
B
. El valor de I
B
es idntico al
obtenido anteriormente, I
B
= 0,93, que es 0. Para calcular I
C
aplicamos la segunda ley de
Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 1 k y
la fuente de tensin de valor 0,2 V, obteniendo
10 = (1)I
C
+ 0,2 = I
C
+ 0,2 ,
I
C
= 10 0,2 = 9,8 ,
que es 0 y I
B
= (50)(0,93) = 46,5. As pues, el BJT est en SATURACIN e I = I
C
=
9,800 mA.
EB0
= 0,7 V y
41
V
EC,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y determine los valores de I y V .
V
24 V
1 k
1 k 500 k
I
Solucin: Empezaremos suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Se obtiene el circuito
E
B C
24 V
1 k
V
100I
B
0,7 V
I
B
1 k
500 k
I = 101I
B
B
0 y V
EC
0,2 V. Para calcular I
B
aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor
1 k conectada al emisor, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 500 k,
obteniendo
24 = (1)(101I
B
) + 0,7 + 500I
B
= 601I
B
+ 0,7 ,
I
B
=
24 0,7
601
= 0,03877 ,
EC
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, las dos resistencias de valor 1 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
24 = (1)(101I
B
) +V
EC
+ (1)(100I
B
) = V
EC
+ 201I
B
,
V
EC
= 24 201I
B
= 24 (201)(0,03877) = 16,21 ,
que es 0,2. As pues, el estado supuesto para el BJT es correcto, I resulta valer
I = 101I
B
= (101)(0,03877) = 3,916 mA,
y V resulta valer
V = 24 (1)I = 24 3,916 = 20,08 V.
Problema 23: Usando para el LED el modelo con tensin umbral V
D0
= 1,7 V, usando para el
BJT el modelo con parmetros , V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V, y sabiendo que el parmetro
del BJT puede variar entre 20 y 100, analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor
que ha de tener R
2
para que, suponiendo el BJT en saturacin, I valga 20 mA; 2) para el valor
de R
2
calculado anteriormente, determine el valor mximo que puede tener R
1
para que, cuando
el interruptor est en OFF, el BJT est en saturacin; 3) para el valor mximo de R
1
calculado
anteriormente, determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en ON.
R
1
5 V
I R
2
Solucin: 1) Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Sustituyendo el LED por el
circuito equivalente correspondiente a ON y utilizando el circuito equivalente entre colector y
emisor del BJT para SATURACIN, se obtiene el circuito
0,2 V
5 V
R
2
I
A
K
C
E
1,7 V
Aplicando la segunda ley de Kirchoff se obtiene
5 = R
2
I + 1,7 + 0,2 = 20R
2
+ 1,9 ,
R
2
=
5 1,9
20
= 0,155 k = 155 .
2) Se exige que el BJT est en SATURACIN. Entonces, de acuerdo con el apartado anterior,
I = 20 mA y el LED estar en ON. Con el valor de R
2
calculado en el apartado anterior y
43
teniendo en cuenta que el interruptor est en OFF, se obtiene el circuito
I = I
C
R
1
B C
E
A
K
1,7 V
0,2 V
5 V
I
B
155
0,7 V
Se ha de imponer I
B
0, I
C
0 e I
C
I
B
. I
C
= I = 20 mA, que es 0. Para calcular
I
B
en funcin de R
1
aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R
1
y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5 = R
1
I
B
+ 0,7 ,
I
B
=
5 0,7
R
1
=
4,3
R
1
,
que es 0 para todo R
1
. Imponiendo I
C
I
B
, obtenemos
20
4,3
R
1
,
R
1

4,3
20
= 0,215 .
La condicin ms estricta sobre R
1
se obtiene para el valor mnimo de . Por tanto, se deber
cumplir
R
1
(0,215)(20) = 4,300 k.
El valor mximo que podr tener R
1
es, por tanto, 4,300 k.
3) Con el interruptor en ON, V
BE
= 0 y el BJT est en CORTE con V
CE
= 5 V, pues I = 0 y la
tensin nodo-ctodo en el LED vale 0. Sea I
la corriente por el interruptor del nodo conectado

a la base a masa. Dado que I
B
= 0, I
ser la corriente por R

1
de la fuente de tensin de valor
5 V a la base del BJT y R
1
ve una tensin de valor 5 V. Tenemos, por tanto
5 = R
1
I
,
I
=
5
R
1
=
5
4,3
= 1,163 mA.
EB0
= 0,7 V y
V
EC,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor de I cuando el inte-
rruptor est en ON; 2) determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en
ON.
50
10 V
I
10 k
Solucin: 1) La hiptesis BJT en CORTE conduce a I = 0 y, estando el interruptor en ON y
siendo nula la tensin de la base del BJT, a V
EB
= 10, que no es 0,7. Supongamos que el BJT
trabaja en ACTIVO. Teniendo en cuenta que el interruptor est en ON, obtenemos el circuito
B
10 V
50
10 k
E
C
100I
B
I
B
I
I = 101I
B
0,7 V
Se ha de comprobar I
B
0 y V
EC
B
aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 50 y la fuente
de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = (0,05)(101I
B
) + 0,7 = 5,05I
B
+ 0,7 ,
I
B
=
10 0,7
5,05
= 1,842 ,
que es 0. Por otro lado, por inspeccin, V
EC
= 0,7 0,2. As pues, el BJT est en ACTIVO e
I = 101I
B
= (101)(1,842) = 186,0 mA.
2) Dado que el interruptor est en ON, podemos utilizar el mismo circuito que en el apartado
anterior. La tensin que ve la resistencia de valor 10 k es 10 V. Por tanto,
10 = 10I
,
I
= 1 ,
y, aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT, la corriente por el interruptor, I
, vale
I
= I
+I
B
= 1 + 1,842 = 2,842 mA.
45
BE0
= 0,7 Vy V
CE,sat
=
0,2 V, determine el mximo valor de R para el cual el BJT est en activo y determine la corriente
I en ese caso.
R
10 V
I
100
10 k
5 k
Solucin: Empezaremos determinando el equivalente de Thvenin del dipolo que incluye la
fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k y la resistencia de valor 5 k, que
tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, V
th
, y la resistencia de
Thvenin, R
th
, valen
V
th
=
5
10 + 5
10 = 3,333 V,
R
th
= 5 10 =
(5)(10)
5 + 10
= 3,333 k.
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, se obtiene el circuito
3,333 k
10 V
I
100
R
3,333 V
y, con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
3,333 k
R
I
B
C
E
50I
B
51I
B
0,7 V
10 V
100
I
B
3,333 V
Se ha de imponer I
B
0 y V
CE
B
aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 3,333 V, la resistencia de valor 3,333 k, la
fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 , obteniendo
3,333 = 3,333I
B
+ 0,7 + (0,1)(51I
B
) = 8,433I
B
+ 0,7 ,
8,433I
B
= 2,633 ,
I
B
=
2,633
8,433
= 0,3122 ,
que es 0. Por inspeccin,
I = 50I
B
= (50)(0,3122) = 15,61 mA.
Para calcular V
CE
conociendo I
B
e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de corriente controlada
y la resistencia de valor 100 , obteniendo
10 = RI +V
CE
+ (0,1)(51I
B
) = RI +V
CE
+ 5,1I
B
,
V
CE
= 10 RI 5,1I
B
= 10 15,61R (5,1)(0,3122) = 8,408 15,6R,
e imponiendo V
CE
0,2, obtenemos
8,408 15,6R 0,2 ,
8,208 15,6R,
R
8,208
15,6
= 0,5262 k = 526,2 .
As pues, el mximo valor que puede tener R para que el BJT trabaje en ACTIVO es 526,2 y,
en ese caso, I = 15,61 mA.
EB0
= 0,7 Vy V
EC,sat
=
0,2 V, analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor que ha de tener R
1
para que, su-
puesto el BJT en activo, I = 20 mA; 2) con el valor de R
1
calculado en el apartado anterior,
determine el mximo valor de R
2
para el cual el BJT est en activo.
R
2
10 V
I 10 k
100
R
1
Solucin: 1) Empezaremos determinando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por
la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R
1
y la resistencia de valor 10 k,
47
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, V
th
Thvenin, R
th
, valen
V
th
=
10
R
1
+ 10
10 =
100
R
1
+ 10
, (2.1)
R
th
= R
1
10 =
10R
1
R
1
+ 10
. (2.2)
10 V
I
100
R
2
V
th
R
th
y, con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
R
2
10 V
100
I
I
B
V
th
0,7 V
B C
E
50I
B
51I
B
R
th
Por inspeccin I = 50I
B
, de donde, para que I = 20 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
50
=
20
50
= 0,4 .
Para calcular el valor necesario de R
1
conociendo I
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 100 , la fuente de
tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor R
th
y la fuente de tensin de valor V
th
, obteniendo,
usando (2.1) y (2.2),
10 = (0,1)(51I
B
) + 0,7 +R
th
I
B
+V
th
,
10 = (0,1)(51)(0,4) + 0,7 + 0,4R
th
+V
th
,
0,4R
th
+V
th
= 7,26 ,
0,4
10R
1
R
1
+ 10
+
100
R
1
+ 10
= 7,26 ,
4R
1
R
1
+ 10
+
100
R
1
+ 10
= 7,26 ,
4R
1
+ 100 = 7,26(R
1
+ 10) ,
4R
1
+ 100 = 7,26R
1
+ 72,6 ,
3,26R
1
= 27,4 ,
R
1
=
27,4
3,26
= 8,404 k.
2) Podemos utilizar el ltimo circuito del apartado anterior con el valor calculado para R
1
, R
1
=
8,404 k, que hace I
B
= 0,4 mA e I = 20 mA. Se ha de imponer I
B
0 y V
EC
0,2. Dado
que I
B
= 0,4, la primera condicin se cumple. Para calcular V
EC
conociendo I
B
e I, aplicamos
la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia
de valor 100 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R
2
, obteniendo
10 = (0,1)(51I
B
) +V
EC
+R
2
I = 5,1I
B
+V
EC
+R
2
I ,
V
EC
= 10 5,1I
B
R
2
I = 10 (5,1)(0,4) 20R
2
= 7,96 20R
2
.
E imponiendo V
EC
0,2, obtenemos
7,96 20R
2
0,2 ,
20R
2
7,76 ,
R
2

7,76
20
= 0,3880 k = 388,0 .
As pues, con el valor de R
1
calculado en el apartado 1), el mximo valor de R
2
para el cual el
BJT est en ACTIVO es 388,0 .
Problema 27: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 5,1 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 50, V
EB0
= 0,7 V y
V
EC,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor que ha de tener R
2
para que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y el BJT est en activo, I = 50 mA; 2)
para el valor de R
2
calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R
1
para que el diodo est en ruptura con una corriente inversa
0.5 mA; 3) para el valor de R
2
calculado en el apartado 1) y un valor de R
1
menor o igual al
49
mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R
3
para el cual el BJT est
en activo.
R
1
20 V
R
2
I R
3
Solucin: 1) Con el diodo Zener en RUPTURA y el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
I
Z
+ I
B
20 V
51I
B
50I
B
I
I
B
B C
E
0,7 V
5,1 V
R
2
R
1
R
3
I
Z
Por inspeccin, I = 50I
B
y para que I = 50 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
50
=
50
50
= 1 .
2
conociendo I
B
malla formada por la fuente de tensin de valor 5,1 V, la resistencia de valor R
2
y la fuente de
tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5,1 = R
2
(51I
B
) + 0,7 ,
5,1 = R
2
(51)(1) + 0,7 ,
51R
2
= 4,4 ,
R
2
=
4,4
51
= 0,08627 k = 86,27 .
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de trabajar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado para R
2
, que hace I
B
= 1 mA.
Para calcular I
Z
en funcin de R
1
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 20 V, la fuente de tensin de valor 5,1 V y la resistencia
de valor R
1
, obteniendo
20 = 5,1 +R
1
(I
Z
+I
B
) = 5,1 +R
1
I
Z
+R
1
I
B
,
20 = 5,1 +R
1
I
Z
+R
1
(1) = 5,1 +R
1
I
Z
+R
1
,
I
Z
=
14,9 R
1
R
1
,
e, imponiendo I
Z
0,5, obtenemos
14,9 R
1
R
1
0,5 ,
14,9 R
1
0,5R
1
,
14,9 1,5R
1
,
R
1

14,9
1,5
= 9,933 k.
As pues, para el valor de R
2
calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en ACTIVO,
el valor mximo que puede tener R
1
para que la corriente inversa por el diodo Zener sea
0,5 mA es 9,933 k.
3) Dado que el BJT ha de estar en ACTIVO y R
1
tiene un valor menor o igual al mximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener trabajar en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado para R
2
, R
2
= 86,27 , que hace I
B
= 1 mA e I = 50 mA.
Dado que I
B
0, basta imponer V
EC
0,2. Para calcular V
EC
en funcin de R
3
conociendo
I
B
e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
20 V, la resistencia de valor R
2
, la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R
3
,
obteniendo
20 = R
2
(51I
B
) +V
EC
+R
3
I ,
20 = (0,08627)(51)(1) +V
EC
+ 50R
3
,
V
EC
= 15,6 50R
3
,
e, imponiendo V
EC
0,2, obtenemos
15,6 50R
3
0,2 ,
15,4 50R
3
,
R
3

15,4
50
= 0,3080 k = 308,0 .
2
1
menor o igual que el
mximo calculado en el apartado 2), el mximo valor de R
3
para el cual el BJT est en ACTIVO
es 308,0 .
51
Problema 28: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V
BE0
= 0,7 V y
V
CE,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor que ha de tener R
3
para
que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y que el BJT est en activo, I = 10 mA; 2)
para el valor de R
3
calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R
1
para que el diodo Zener est en ruptura con una corriente
inversa 0.5 mA; 3) para el valor de R
3
1
menor o
igual al mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R
2
para el cual el
BJT est en activo.
R
3
20 V
R
1
I R
2
R
2
20 V
R
3
I
100I
B
101I
B
B C
E
I
B
4,7 V
R
1
I
Z
I
Z
+ I
B
0,7 V
Dado que, por inspeccin I = 100I
B
, para que I = 10 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
100
=
10
100
= 0,1 .
Para calcular el valor necesario para R
3
conociendo I
B
aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 4,7 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la
resistencia de valor R
3
, obteniendo
4,7 = 0,7 +R
3
(101I
B
) = 0,7 + (101)(0,1)R
3
= 0,7 + 10,1R
3
,
R
3
=
4,7 0,7
10,1
= 0,3960 k = 396,0 .
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de estar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado de R
3
, R
3
= 396,0 , que hace
I
B
= 0,1 mA. Para calcular I
Z
conociendo I
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R
1
y la fuente de tensin
de valor 4,7 V, obteniendo
20 = R
1
(I
Z
+I
B
) + 4,7 = R
1
I
Z
+R
1
I
B
+ 4,7 = R
1
I
Z
+ 0,1R
1
+ 4,7 ,
15,3 = R
1
I
Z
+ 0,1R
1
,
I
Z
=
15,3 0,1R
1
R
1
,
e, imponiendo I
Z
0,5,
15,3 0,1R
1
R
1
0,5 ,
15,3 0,1R
1
0,5R
1
,
15,3 0,6R
1
,
R
1

15,3
0,6
= 25,50 k.
As pues, el mximo valor que ha de tener R
1
para que con el valor de R
3
calculado en el apartado
anterior y suponiendo el BJT en ACTIVO, el diodo Zener est en RUPTURA con una corriente
inversa 0,5 mA es 25,50 k.
3) Dado que el BJT ha de estar en ACTIVO y R
1
tiene un valor menor o igual al mximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener estar en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado de R
3
, R
3
= 396,0 , que hace I
B
= 0,1 mAe I = 10 mA.
Dado que I
B
0, basta imponer V
CE
CE
en funcin de R
2
conociendo
I
B
e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
20 V, la resistencia de valor R
2
, la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R
3
,
obteniendo
20 = R
2
I +V
CE
+R
3
(101I
B
) = 10R
2
+V
CE
+ (0,396)(101)(0,1) = 10R
2
+V
CE
+ 4 ,
V
CE
= 16 10R
2
.
Imponiendo V
CE
0,2, obtenemos
16 10R
2
0,2 ,
15,8 10R
2
,
R
2

15,8
10
= 1,580 k.
3
1
menor o igual al
mximo calculado en el apartado 2), el mximo valor de R
2
para el cual el BJT est en ACTIVO
es 1,580 k.
53
Problema 29: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 6 V
BE0
= 0,7 V y
V
CE,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y determine el valor de I.
I
24 V
1 k
10 A
Solucin: La fuente de corriente hace I
B
= 0,01 mA > 0. Eso descarta que el BJT est en
CORTE. Supongamos que el BJT est en ACTIVO y que el diodo est en RUPTURA. Se obtiene
el circuito
C B
E
K
A
10 A
24 V
1 k
100I
B
I
B
0,7 V
6 V
I = 101I
B
Dado que I
B
> 0, las nicas condiciones a vericar son V
CE
0,2 V e I 0. Por inspeccin,
I = 101I
B
= (101)(0,01) = 1,010 mA,
CE
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia, la fuente de corriente controlada y
la fuente de tensin de valor 6 V, obteniendo
24 = (1)(100I
B
) +V
CE
+ 6 = 100I
B
+V
CE
+ 6 ,
V
CE
= 18 100I
B
= 18 (100)(0,01) = 17 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos e I = 1,010 mA.
Problema 30: Determine para el circuito de la gura el valor que ha de tener R para que I valga
20 mA. Para el LED use el modelo con tensin umbral V
D0
= 2 V. Para el BJT use el modelo
con parmetros = 50, V
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
= 0,2 V.
R
5 V
I
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Supongmoslo. La tensin de
colector, V
C
, del BJT valdr 2 V. Adems, la tensin de emisor, V
E
, del BJT vale 5 V. La tensin
V
EC
del BJT resulta, por tanto, valer
V
EC
= V
E
V
C
= 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar I
B
0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
A
K
C B
E
I
5 V
50I
B
0,7 V
I
B
R
2 V
Por inspeccin, I = 50I
B
y, para que I = 20 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
50
=
20
50
= 0,4 ,
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo I
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia, obteniendo
5 = 0,7 +RI
B
,
R =
5 0,7
I
B
=
4,3
0,4
= 10,75 k.
D0
55
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V.
5 V
R
I
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Ello implica que la tensin de
emisor del BJT, V
E
, valdr 2 V. Adems, la tensin de colector, V
C
, del BJT vale 5 V. La tensin
V
CE
del BJT resulta, por tanto, valer
V
CE
= V
C
V
E
= 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar I
B
0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
C
B
E
A
K
5 V
R
50I
B
2 V
I = 51I
B
0,7 V
I
B
Dado que I = 51I
B
B
deber valer
I
B
=
I
51
=
20
51
= 0,3922 ,
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo I
B
tensin de valor 5 V, la resistencia, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la fuente de tensin de
valor 2 V, obteniendo
5 = RI
B
+ 0,7 + 2 = RI
B
+ 2,7 ,
R =
5 2,7
I
B
=
2,3
0,3922
= 5,864 k.
Problema 32: Determine para el circuito de la gura el valor de I. Para el diodo Zener use
el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes inversas. Para el LED use el
modelo con tensin umbral V
D0
= 1,5 V. Para el BJT use el modelo con parmetros = 100,
V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V.
10 V
I
200
5 k
Solucin: Supondremos que el diodo Zener est en RUPTURA, el LED en ON y el BJT en
ACTIVO. Se obtiene el circuito
C
E
B
200
10 V
5 k
4,7 V
I
I
B
I
Z
I
B
+ I
Z
A
K
K
A
101I
B
100I
B 0,7 V
1,5 V
Se ha de vericar I
Z
0, 100I
B
0, I
B
0 y V
CE
0,2, que se reducen a I
Z
0, I
B
0
y V
CE
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 4,7 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor
200 , obteniendo
4,7 = 0,7 + (0,2)(101I
B
) = 0,7 + 20,2I
B
,
I
B
=
4,7 0,7
20,2
= 0,1980 ,
que es 0. Para calcular I
Z
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin
10 = 5(I
B
+I
Z
) + 4,7 = 5I
B
+ 5I
Z
+ 4,7 ,
5I
Z
= 5,3 5I
B
,
I
Z
=
5,3 5I
B
5
=
5,3 (5)(0,198)
5
= 0,862 ,
57
CE
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de tensin de valor 1,5 V, la fuente de
corriente controlada y la resistencia de valor 200 , obteniendo
10 = 1,5 +V
CE
+ (0,2)(101I
B
) = 1,5 +V
CE
+ 20,2I
B
,
V
CE
= 8,5 20,2I
B
= 8,5 (20,2)(0,198) = 4,5 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos. Por inspeccin,
I = 100I
B
= (100)(0,198) = 19,80 mA.
D0
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
= 0,2 V. Suponga, a continuacin, que puede
variar entre 20 y 200. Entre qu valores variar I con el R calculado anteriormente?
1 k
R
5 V
I
Solucin: Siendo I > 0, el LED slo podr estar en ON. El BJT slo puede estar en ACTIVO
o en SATURACIN. En cualquiera de esos dos estados, V
EC
= V
EB
+ (1)I
B
= 0,7 + I
B

0,7 > 0,2. Por tanto, todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Con el LED en ON y el
BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
A
K
E
B C
I = 51I
B
5 V
R
50I
B
0,7 V
I
B
1 k
2 V
Slo se ha de comprobar I
B
0. Dado que I = 51I
B
B
deber valer
I
B
=
I
51
=
20
51
= 0,3922 ,
que es 0. As pues, el BJT estar efectivamente en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo I e I
B
aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente
de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 2 V, la fuente de
tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = RI + 2 + 0,7 + (1)I
B
= 20R + 2,7 + 0,3922 = 3,092 + 20R,
R =
5 3,092
20
= 0,09540 k = 95,40 .
Para resolver la segunda parte del problema expresemos, para R = 95,4 , I en funcin de .
Supondremos que el LED est en ON y que el BJT est en ACTIVO. El razonamiento realizado
anteriormente que conduce a V
EC
> 0,2 sigue siendo vlido con independencia del valor de ,
por lo que bastar comprobar I
B
0 e I 0. Con el LED en ON, el BJT en ACTIVO y con
R = 95,4 , se obtiene el circuito
A
K
E
B C
95,4
5 V
0,7 V
I
B
1 k
2 V
I
B
I = ( + 1)I
B
Para calcular I
B
en funcin de , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 95,4 , la fuente de tensin de valor 2 V, la
fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (0,0954)( + 1)I
B
+ 2 + 0,7 + (1)I
B
= 2,7 + (0,0954 + 1,095)I
B
,
I
B
=
2,3
0,0954 + 1,095
,
que es 0 para todo valor posible de . La corriente I en funcin de valdr
I() = ( + 1)I
B
=
2,3 + 2,3
0,0954 + 1,095
,
que es 0 para todo valor posible de . As pues, el LED est en ON y el BJT est en ACTIVO
para todo valor posible de e I tiene en funcin de la expresin anterior. La derivada de I
respecto de para 0,0954 + 1,095 = 0 vale
dI
d
=
2,3(0,0954 + 1,095) 0,0954(2,3 + 2,3)
(0,0954 + 1,095)
2
=
2,299
(0,0954 + 1,095)
2
,
59
que es > 0 para todo valor posible de , ninguno de los cuales verica 0,0954 + 1,095 = 0.
As pues, I es una funcin creciente de en [20, 200] y variar entre un valor mnimo
I
min
= I(20) =
(2,3)(20) + 2,3
(0,0954)(20) + 1,095
= 16,08 mA
y un valor mximo
I
max
= I(200) =
(2,3)(200) + 2,3
(0,0954)(200) + 1,095
= 22,91 mA.
Problema 34: El BJT del circuito de la gura tiene un parmetro comprendido entre 20 y
150. Usando para el BJT el modelo con parmetros , V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V, analice
el circuito y: 1) determine el valor de R
2
para el cual, suponiendo el BJT en activo y = 50,
I = 10 mA; 2) para el valor de R
2
calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en
activo, determine entre qu valores puede variar I debido al rango posible de valores para ; 3)
para el valor de R
2
calculado en el apartado 1), determine el mximo valor que puede tener R
1
de modo que para cualquier valor posible para , el BJT trabaje en activo.
1 k
20 V
I R
1
R
2
3 k
Solucin: 1) Empezaremos calculando el equivalente de Thvenin del dipolo constituido por
la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor 3 k y la resistencia de valor 1 k,
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, V
th
Thvenin, R
th
, valen
V
th
=
1
3 + 1
20 = 5 V,
R
th
= 1 3 =
(1)(3)
1 + 3
= 0,75 k.
20 V
I R
1
R
2
5 V
0,75 k
y, suponiendo el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
0,75 k
20 V
I
B
I
( + 1)I
B
0,7 V
5 V
I
B
B C
E
R
1
R
2
Por inspeccin I = I
B
y para que con = 50 I = 10 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
=
10
50
= 0,2 .
2
conociendo I
B
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 0,75 k, la fuente de
tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor R
2
, obteniendo
5 = 0,75I
B
+ 0,7 +R
2
( + 1)I
B
, (2.3)
5 = (0,75)(0,2) + 0,7 +R
2
(51)(0,2) ,
5 = 0,85 + 10,2R
2
,
4,15 = 10,2R
2
,
R
2
=
4,15
10,2
= 0,4069 k = 406,9 .
2) Calculemos el valor de I en funcin de para el valor de R
2
, R
2
= 406,9 , obtenido en el
apartado anterior, suponiendo que el BJT est en ACTIVO. De (2.3), obtenemos
5 = 0,75I
B
+ 0,7 + 0,4069( + 1)I
B
,
4,3 = (0,4069 + 1,157)I
B
,
I
B
=
4,3
0,4069 + 1,157
, (2.4)
y, usando I = I
B
,
I() =
4,3
0,4069 + 1,157
. (2.5)
La derivada de I respecto de vale, para 0,4069 + 1,157 = 0,
dI
d
=
4,3(0,4069 + 1,157) 0,4069(4,3)
(0,4069 + 1,157)
2
=
4,975
(0,4069 + 1,157)
2
,
61
que es > 0 para todos valor posible de , ninguno de los cuales verica 0,4069 + 1,157 = 0.
I
min
= I(20) =
(4,3)(20)
(0,4069)(20) + 1,157
= 9,252 mA
y un valor mximo
I
max
= I(150) =
(4,3)(150)
(0,4069)(150) + 1,157
= 10,37 mA.
3) La expresin (2.4) pone de maniesto que I
B
es > 0 para todo valor posible de . As pues,
para asegurar el trabajo del BJT en ACTIVO bastar imponer V
CE
0,2. Calculemos, pues,
V
CE
en funcin de suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Podemos usar el ltimo circuito
del apartado 1) con R
2
= 406,9 . Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R
1
, la fuente de corriente controlada y
la resistencia de valor R
2
, obtenemos
20 = R
1
I +V
CE
+R
2
( + 1)I
B
= R
1
I +V
CE
+ (0,4069)( + 1)I
B
.
Usando (2.4) y (2.5), obtenemos
20 = R
1
4,3
0,4069 + 1,157
+V
CE
+ (0,4069)( + 1)
4,3
0,4069 + 1,157
,
20 =
4,3R
1
0,4069 + 1,157
+V
CE
+
1,75 + 1,75
0,4069 + 1,157
,
V
CE
= 20
4,3R
1
0,4069 + 1,157

1,75 + 1,75
0,4069 + 1,157
,
V
CE
= 20
4,3R
1
+ 1,75 + 1,75
0,4069 + 1,157
,
e, imponiendo V
CE
0,2, obtenemos
20
4,3R
1
+ 1,75 + 1,75
0,4069 + 1,157
0,2 ,
19,8
4,3R
1
+ 1,75 + 1,75
0,4069 + 1,157
,
8,057 + 22,91 4,3R
1
+ 1,75 + 1,75 ,
4,3R
1
6,307 + 21,16 ,
R
1

6,307 + 21,16
4,3
= F() .
La derivada de F respecto de vale, para = 0,
dF
d
=
6,307(4,3) 4,3(6,307 + 21,16)
(4,3)
2
=
90,99
4,3
2
2
=
4,921
2
,
que es < 0 para todos los valores posibles de , que no incluyen = 0. As pues, F es una
funcin decreciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva para R
1
se obtiene para =
150, y R
1
deber satisfacer
R
1

(6,307)(150) + 21,16
(4,3)(150)
= 1,500 k.
2
calculado en el apartado 1), el mximo valor que puede tomar R
1
de modo que el BJT trabaje en estado ACTIVO para todos los valores posibles de es 1,500 k.
Problema 35: El BJT del circuito de la gura tiene un parmetro comprendido entre 20 y 150.
Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes
inversas y para el BJT el modelo con parmetros , V
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
= 0,2 V, analice el
circuito y: 1) determine el valor de R
2
para el cual, con = 50 y suponiendo el diodo Zener en
ruptura y el BJT en activo, I = 20 mA; 2) para el valor de R
2
calculado en el apartado anterior
y suponiendo el diodo Zener en ruptura y el BJT en activo, determine entre qu valores puede
variar I debido al rango posible de valores para ; 3) para el valor de R
2
1), determine los mximos valores que pueden tener R
1
y R
3
de modo que para cualquier valor
posible para , el diodo Zener trabaje en ruptura con una corriente inversa 0,5 mA y el BJT
trabaje en activo.
R
2
20 V
I
R
3
R
1
0,7 V
20 V
R
2
R
3
R
1
I
B
( + 1)I
B
I
B
I
Z
I
B
+ I
Z
I
B
C
E
4,7 V
63
Por inspeccin, I = I
B
y, para que con = 50 I = 20 mA, I
B
deber valer
I
B
=
I
=
20
50
= 0,4 .
2
conociendo I
B
malla formada por la fuente de tensin de valor 4,7 V, la resistencia de valor R
2
y la fuente de
4,7 = R
2
( + 1)I
B
+ 0,7 , (2.6)
4,7 = (51)(0,4)R
2
+ 0,7 ,
4,7 = 20,4R
2
+ 0,7 ,
4 = 20,4R
2
,
R
2
=
4
20,4
= 0,1961 k = 196,1 .
2) Dado que el diodo Zener est en RUPTURA y el BJT est en ACTIVO, podemos utilizar
los resultados del apartado anterior que no usan el valor de , con el valor calculado para R
2
,
R
2
= 196,1 . Calculemos I en funcin de . De (2.6),
4,7 = (0,1961)( + 1)I
B
+ 0,7 ,
I
B
=
4
0,1961 + 0,1961
, (2.7)
y, usando I = I
B
,
I() =
4
0,1961 + 0,1961
. (2.8)
La derivada de I respecto de vale, para 0,1961 + 0,1961 = 0,
dI
d
=
4(0,1961 + 0,1961) 0,1961(4)
(0,1961 + 0,1961)
2
=
0,7844
(0,1961 + 0,1961)
2
,
que es > 0 para todo valor posible de , ninguno de los cuales verica 0,1961 + 0,1961 = 0.
I
min
= I(20) =
(4)(20)
(0,1961)(20) + 0,1961
= 19,43 mA
y un valor mximo
I
max
= I(150) =
(4)(150)
(0,1961)(150) + 0,1961
= 20,26 mA.
3) Podemos usar el circuito del apartado 1) con el valor de R
2
, R
2
= 196,1 , calculado en
dicho apartado y los valores de I
B
e I en funcin de calculados en el apartado 2). Siendo I
Z
la corriente inversa por el diodo Zener, hemos de imponer I
Z
0,5, I
B
0 y V
CE
0,2.
Para calcular I
Z
conociendo I
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 20 V, la fuente de tensin de valor 4,7 V y la resistencia de valor R
1
,
obteniendo, usando (2.7),
20 = 4,7 +R
1
(I
B
+I
Z
) = 4,7 +R
1
I
B
+R
1
I
Z
,
20 = 4,7 +
4R
1
0,1961 + 0,1961
+R
1
I
Z
,
15,3 =
4R
1
0,1961 + 0,1961
+R
1
I
Z
,
(15,3)(0,1961 + 0,1961) = 4R
1
+ (0,1961 + 0,1961)R
1
I
Z
,
3 + 3 = 4R
1
+ (0,1961 + 0,1961)R
1
I
Z
,
I
Z
=
3 + 3 4R
1
(0,1961 + 0,1961)R
1
,
e, imponiendo I
Z
0,5,
3 + 3 4R
1
(0,1961 + 0,1961)R
1
0,5 ,
3 + 3 4R
1
0,5(0,1961 + 0,1961)R
1
,
3 + 3 (0,09805 + 4,098)R
1
,
R
1

3 + 3
0,09805 + 4,098
= F
1
() .
La derivada de F
1
respecto de vale, para 0,09805 + 4,098 = 0,
dF
1
d
=
3(0,09805 + 4,098) 0,09805(3 + 3)
(0,09805 + 4,098)
2
=
12
(0,09805 + 4,098)
2
,
que es > 0 para todos los valores posibles de , ninguno de los cuales verica 0,0980 +4,10 =
0. As pues, F
1
es una funcin creciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva para R
1
se obtiene para = 20, y R
1
deber satisfacer
R
1

(3)(20) + 3
(0,09805)(20) + 4,098
= 10,40 k.
La expresin (2.7) para I
B
en funcin de pone de maniesto que I
B
0 para todo valor
posible de . Calculemos V
CE
en funcin de e impongamos V
CE
CE
conociendo I
B
e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
2
, la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor R
3
, obteniendo, usando (2.7) y (2.8),
20 = R
2
( + 1)I
B
+V
CE
+R
3
I ,
20 = (0,1961)( + 1)
4
0,1961 + 0,1961
+V
CE
+
4R
3
0,1961 + 0,1961
,
20 = 4 +V
CE
+
4R
3
0,1961 + 0,1961
,
65
V
CE
= 16
4R
3
0,1961 + 0,1961
,
e, imponiendo V
CE
0,2, obtenemos
16
4R
3
0,1961 + 0,1961
0,2 ,
4R
3
0,1961 + 0,1961
15,8 ,
4R
3
15,8(0,1961 + 0,1961) ,
4R
3
3,098 + 3,098 ,
R
3

3,098 + 3,098
4
= F
2
() .
La derivada de F
2
respecto de vale, para = 0,
dF
2
d
=
3,098(4) 4(3,098 + 3,098)
16
2
=
12,39
16
2
=
0,7744
2
,
que es < 0 para todos los valores posibles de , que no incluyen = 0. As pues, F
2
es una
funcin decreciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva se obtiene para = 150, y R
3
deber satisfacer
R
3

(3,098)(150) + 3,098
(4)(150)
= 0,7797 k = 779,7 .
As pues, para que para cualquier valor posible de , el diodo Zener trabaje en RUPTURA con
una corriente inversa 0,5 mA y el BJT trabaje en estado ACTIVO, el valor de R
1
no deber
superar 10,40 k y el valor de R
3
no deber superar 779,7 .
BE0
= 0,7 Vy V
CE,sat
=
0,2 V, analice el circuito de la gura y determine el valor que ha de tener Rpara que I valga 2 mA.
200
R
12 V
2 k
I 25 k
Solucin: Con el BJT en CORTE, I sera 0. Todo parece indicar que el BJT debe estar en
ACTIVO o en SATURACIN. Supongamos que est en ACTIVO. Con el BJT en dicho estado,
se obtiene el circuito
C
E
B
12 V
2 k
50I
B
200
0,7 V
R
25 k
I
3
I
1
I
B
I
2
I = 51I
B
B
0 y V
CE
0,2. Dado que I = 51I
B
, para que I = 2 mA,
I
B
deber valer
I
B
=
2
51
= 0,03922 ,
que es 0. Calculemos la tensin de la base, V
B
:
V
B
= 0,7 + 0,2I = 0,7 + (0,2)(2) = 1,1 .
Calculemos la corriente I
1
:
I
1
=
V
B
25
=
1,1
25
= 0,044 .
I
2
puede ser calculada a partir de I
1
e I
B
aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT:
I
2
= I
1
+I
B
= 0,044 + 0,03922 = 0,08322 .
La corriente I
3
puede ser calculada aplicando la primera ley de Kirchoff al colector del BJT:
I
3
= I
2
+ 50I
B
= 0,0832 + (50)(0,03922) = 2,044 .
Calculemos la tensin de colector, V
C
:
V
C
= 12 2I
3
= 12 (2)(2,044) = 7,912 .
Calculemos la tensin de emisor, V
E
:
V
E
= 0,2I = (0,2)(2) = 0,4 .
La tensin V
CE
resulta valer
V
CE
= V
C
V
E
= 7,912 0,4 = 7,512 ,
que es 0,2. Por tanto, el estado supuesto para el BJT es correcto. El valor necesario para R
puede ser obtenido imponiendo V
C
V
B
= RI
2
. Ello da
R =
V
C
V
B
I
2
=
7,912 1,1
0,08322
= 81,86 k.
67
Problema 37: Determine para el circuito de la gura el valor de I
L
cuando el interruptor est en
OFF y cuando est en ON. Use para los BJTs el modelo con parmetros = 50, V
BE0
= 0,7 V
y V
CE,sat
= 0,2 V.
I
L
10
5 V
200 5 k
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha y denotemos con los sub-
ndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos analizando
el circuito para el caso interruptor en OFF. Supondremos que Q1 est en SATURACIN y que
Q2 est en CORTE. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en
OFF, el circuito
B
C
E
B
C
E
5 V
200 10
0,2 V
5 k
0,7 V
I
L
I
C1
I
B1
Se ha de vericar I
B1
0, I
C1
0, I
C1
50I
B1
, V
BE2
0,7 y V
CE2
0. Por inspeccin,
I
L
= 0 y V
BE2
= 0,2, que es 0,7. Tambin por inspeccin, teniendo en cuenta I
L
= 0,
V
CE2
= 5, que es 0. As pues, basta vericar I
B1
0, I
C1
0 e I
C1
50I
B1
. Para calcular
I
B1
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5 = 5I
B1
+ 0,7 ,
I
B1
=
5 0,7
5
= 0,86 ,
C1
aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 200 y la fuente de tensin de valor 0,2 V,
obteniendo
5 = 0,2I
C1
+ 0,2 ,
I
C1
=
5 0,2
0,2
= 24 ,
que es 0 y 50I
B1
= (50)(0,86) = 43. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en OFF, I
L
= 0.
Analizaremos por ltimo el circuito para el caso interruptor en ON. Con I en ON, V
BE1
=
0 0,7 y, suponiendo V
CE1
0, Q1 estar en CORTE. Supondremos Q1 en CORTE y Q2 en
SATURACIN. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en ON,
el circuito
B C
E E
B
C
I
B2
5 k
5 V
200 10
0,7 V 0,2 V
I
B2
I
L
= I
C2
Se ha de vericar V
CE1
0, I
B2
0, I
C2
0, e I
C2
50I
B2
. Por inspeccin, V
CE1
= 0,7 V,
B2
obteniendo
5 = 0,2I
B2
+ 0,7 ,
I
B2
=
5 0,7
0,2
= 21,5 ,
C2
obteniendo
5 = 0,01I
C2
+ 0,2 ,
I
C2
=
5 0,2
0,01
= 480 ,
que es 0 y 50I
B2
= (50)(21,5) = 1.075. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en ON, I
L
= I
C2
= 480 mA.
Problema 38: Determine para el circuito de la gura los valores de I, V
1
y V
2
. Use para los
69
BJTs el modelo con parmetros = 50, V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V.
100 k
24 V
1 k I
V
1
V
2
100
82 k
10 k
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha, y denotemos con los
subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos determi-
nando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor 24 V y las
resistencias de valores 82 , 10 k y 100 k, que tiene como salidas la base de Q1 y masa. La
tensin de Thvenin, V
th
, y la resistencia de Thvenin, R
th
, valen
V
th
=
10
10 + 82
24 = 2,609 V,
R
th
= 100 + 10 82 = 100 +
(10)(82)
10 + 82
= 108,9 k.
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin se obtiene el circuito
Q1
Q2
24 V
1 k
V
1
V
2
100
I
108,9 k
2,609 V
Supongamos que Q1 est en ACTIVO y que Q2 est en SATURACIN. Se obtiene el circuito
B C
E
B
C
E
108,9 k
50I
B1
I
B1
0,7 V
V
2
100
I
B2
= 51I
B1
51I
B1
+ I
C2
0,2 V
0,7 V
1 k
V
1
24 V
I = I
C2
2,609 V
B1
0, V
CE1
0,2, I
B2
0, I
C2
0, e I
C2
50I
B2
. Dado
que I
B2
= 51I
B1
, I
B2
0 queda reducida a I
B1
0. As pues, basta vericar I
B1
0, V
CE1

0,2 V, I
C2
0 e I
C2
50I
B2
. Empezaremos calculando I
B1
e I
C2
. Aplicando la segunda ley
de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor
108,9 k, las fuentes de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 y a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor 1 k, la fuente de tensin de valor
0,2 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9I
B1
+ 0,7 + 0,7 + 0,1(51I
B1
+I
C2
) ,
24 = (1)I
C2
+ 0,2 + (0,1)(51I
B1
+I
C2
)
y el sistema de ecuaciones lineales
114I
B1
+ 0,1I
C2
= 1,209
5,1I
B1
+ 1,1I
C2
= 23,8
cuya solucin es
I
B1
=
1,209 0,1
23,8 1,1
114 0,1
5,1 1,1
=
1,05
124,9
= 0,008407 ,
I
C2
=
114 1,209
5,1 23,8
114 0,1
5,1 1,1
=
2.707
124,9
= 21,67 .
Dado que I
B1
no es 0, el par de estados supuesto para los BJTs no es correcto. Supongamos
que los dos BJTs estn en ACTIVO. Con esos estados, se obtiene el circuito
B C
E
B
C
E
I
50I
B1
I
B1
I
B2
= 51I
B1
1 k
0,7 V
24 V
V
2
100
0,7 V
50I
B2
51I
B2
V
1
2,609 V
108,9 k
B1
0, V
CE1
0,2, I
B2
0 y V
CE2
0,2. Dado que
I
B2
= 51I
B1
, la condicin I
B2
0 queda reducida a I
B1
0. As pues, basta vericar I
B1
0,
71
V
CE1
0,2 V y V
CE2
0,2 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor 108,9 k, las fuentes de tensin de
valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9I
B1
+ 0,7 + 0,7 + (0,1)(51I
B2
) = 108,9I
B1
+ 5,1I
B2
+ 1,4
y, usando I
B2
= 51I
B1
,
2,609 = 108,9I
B1
+ (5,1)(51I
B1
) + 1,4 = 369I
B1
+ 1,4 ,
I
B1
=
2,609 1,4
369
= 0,003276 ,
que es 0. Usando de nuevo I
B2
= 51I
B1
, la tensin V
CE1
puede ser calculada de la forma
V
CE1
= V
C1
V
E1
= 24 (0,7 + (0,1)(51I
B2
)) = 23,3 5,1I
B2
= 23,3 (5,1)(51I
B1
)
= 23,3 260,1I
B1
= 23,3 (260,1)(0,003276) = 22,45 ,
que es 0,2. Usando I
B2
= 51I
B1
, la tensin V
CE2
puede ser calculada de la forma
V
CE2
= V
C2
V
E2
= (24 (1)(50I
B2
)) (0,1)(51I
B2
) = 24 55,1I
B2
= 24 (55,1)(51I
B1
) = 24 2.810I
B1
= 24 (2.810)(0,003276) = 14,79 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los BJTs son correctos. Usando I
B2
= 51I
B1
,
la corriente I resulta valer
I = 50I
B2
= (50)(51I
B1
) = 2.550I
B1
= (2.550)(0,003276) = 8,354 mA.
La tensin V
1
vale
V
1
= 24 (1)I = 24 8,354 = 15,65 V.
Finalmente, usando I
B2
= 51I
B1
, la tensin V
2
vale
V
2
= (0,1)(51I
B2
) = 5,1I
B2
= (5,1)(51I
B1
) = 260,1I
B1
= (260,1)(0,003276) = 0,8521 V.
Problema 39: Los BJT del circuito de la gura tienen un parmetro comprendido entre 20
y 150. Usando para los BJT el modelo con parmetros , V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V,
analice el circuito de la gura y: 1) determine el mximo valor que puede tener R
2
para que, con
el interruptor en ON, el BJT Q2 est en saturacin; 2) para el valor mximo de R
2
calculado en el
apartado anterior, determine el valor mximo que puede tener R
1
para que, con el interruptor en
OFF, Q1 est en saturacin; 3) para los valores mximos de R
1
y R
2
calculados anteriormente,
determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en ON.
10 V
10 R
1
R
2
Q1
Q2
Solucin: Usaremos el subndice 1 para las tensiones y corrientes de Q1 y el subndice 2 para
las tensiones y corrientes de Q2.
1) Con Q2 en SATURACIN, V
CE1
= V
BE2
= 0,7, que es 0. Con el interruptor en ON,
V
BE1
= 0, que es < 0,7. V
CE1
0 y V
BE1
< 0,7 implican Q1 en CORTE. As pues, Q2 en
SATURACIN implica Q1 en CORTE. Supongamos, pues, Q2 en SATURACIN y, sabiendo
que Q1 est en CORTE, impongamos I
B2
0, I
C2
0 e I
C2
I
B2
. Con Q1 en CORTE y
Q2 en SATURACIN, se obtiene el circuito
R
2
10 V
10
0,7 V 0,2 V
B C
E
I
C2 I
B2
Para calcular I
B2
2
10 = R
2
I
B2
+ 0,7 ,
I
B2
=
10 0,7
R
2
=
9,3
R
2
,
2
. Para calcular I
C2
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin
10 = 0,01I
C2
+ 0,2 ,
I
C2
=
10 0,2
0,01
= 980 ,
73
que es 0. Finalmente imponiendo I
C2
I
B2
, obtenemos
980
9,3
R
2
,
R
2

9,3
980
= 0,00949 .
La condicin ms restrictiva se obtiene para = 20, dando
R
2
(0,00949)(20) = 0,1898 k = 189,8 .
As pues, el valor mximo de R
2
para el cual, con el interruptor en ON, Q2 estar en SATURA-
CIN es 189,8 .
2) Con Q1 en SATURACIN, V
BE2
= V
CE1
= 0,2, que es < 0,7. Ello implica que Q2 estar
en CORTE, debindose nicamente vericar V
CE2
0. Pero, con Q2 en CORTE, la corriente
por la resistencia de valor 10 es nula y V
CE2
= 10 0. As pues, Q1 en SATURACIN
implica Q2 en CORTE. Supongamos Q1 en SATURACIN y, sabiendo que Q2 est en CORTE,
impongamos I
B1
0, I
C1
0 e I
C1
I
B1
. Con el interruptor en OFF, Q2 en CORTE, y
Q1 en SATURACIN, se obtiene, para el mximo valor de R
2
, R
2
= 189,8 , calculado en el
apartado anterior, el circuito
189,8
10 V
0,7 V 0,2 V
B C
E
R
1
I
B1
I
C1
Para calcular I
B1
1
10 = R
1
I
B1
+ 0,7 ,
I
B1
=
10 0,7
R
1
=
9,3
R
1
,
1
. Para calcular I
C1
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 189,8 y la fuente de
10 = 0,1898I
C1
+ 0,2 ,
I
C1
=
10 0,2
0,1898
= 51,63 ,
que es 0. Finalmente imponiendo I
C1
I
B1
, se obtiene
51,63
9,3
R
1
,
R
1

9,3
51,63
= 0,1801 .
La condicin ms restrictiva se obtiene para = 20, dando
R
1
(0,1801)(20) = 3,602 k.
As pues, para el valor mximo calculado en el apartado anterior para R
2
y con el interruptor en
OFF, el valor mximo de R
1
para el cual Q1 estar en SATURACIN es 3,602 k.
3) Con el interruptor en ON y con el valor mximo para R
2
calculado en el apartado 1), tal y
como se ha visto en ese apartado, Q1 estar en CORTE. Ello implica I
B1
= 0 y que la corriente
por el interruptor sea igual a la corriente por la resistencia de valor R
1
, que, con el interruptor en
ON, ve una tensin de valor 10 V. As pues, la corriente por el interruptor valdr
10
R
1
=
10
3,602
= 2,776 mA.
Problema 40: Los BJT Q1, Q2 y Q3 del circuito de la gura tienen un parmetro comprendido
entre 20 y 150. Las tensiones v
1
y v
2
pueden variar entre 0 y 5 V. Usando para Q1 y Q2 el modelo
con parmetros , V
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
= 0,2 V, y para Q3 el modelo con parmetros ,
V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V, analice el circuito de la gura y: 1) demuestre que, con
v
1
> v
2
, I = 0; 2) determine el mximo valor de R para el cual con v
1
< v
2
, Q3 est en
saturacin. Ayuda: para el apartado 1), suponga que Q2 est en activo o en saturacin, determine
los estados de Q1 y Q3, y luego demuestre que efectivamente Q2 est en activo o en saturacin,
dependiendo del valor de R.
100 k
10 V
R
v
1 v
2
10 V
50
100 k
I
Q1
10 V
Q3
Q2
Solucin: Denotaremos mediante los subndices 1, 2 y 3 las tensiones y corrientes correspon-
dientes a, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
75
1) Empecemos suponiendo que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. En ambos casos te-
nemos V
EB2
= 0,7 y una tensin de emisor de Q2, V
E2
= v
2
+ 0,7. La tensin V
EB1
resulta
valer
V
EB1
= V
E2
v
1
= v
2
+ 0,7 v
1
= 0,7 +v
2
v
1
,
que para v
1
> v
2
es < 0,7. Ello implica que Q1 estar en CORTE, debindose nicamente
vericar V
EC1
0. Hagmoslo y, de paso, determinemos el estado de Q3. Con Q1 en corte,
I
C1
= 0. Puede verse que eso implica que Q3 estar en CORTE. Se ha de vericar V
BE3
0,7
y V
CE3
0. Con Q3 en CORTE, I
B3
= 0. Siendo I
C1
= 0, ello implica que la corriente por la
resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 sea 0 y que V
BE3
= 0, que es 0,7. Con
Q3 en CORTE, I = I
C3
= 0, implicando V
CE3
= 10 (10) = 20, que es 0,2. As pues,
Q1 en CORTE implica Q3 en CORTE. Hemos de comprobar V
EC1
0 sabiendo que Q3 est en
CORTE. Dado que la corriente por la resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 es 0,
la tensin de colector de Q1 valdr 10 y
V
EC1
= V
E2
(10) = V
E2
+ 10 = v
2
+ 0,7 + 10 = 10,7 +v
2
,
que es 0 para todos los valores posibles de v
2
.
En resumen, supuesto Q2 en ACTIVO o en SATURACIN, Q1 y Q3 estarn en CORTE e I = 0.
Falta comprobar que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. Podemos usar el hecho de que
Q1 y Q3 estn en CORTE.
Se ha visto antes que V
E2
= v
2
+ 0,7. Estando Q1 en CORTE, la corriente por la resistencia de
valor R ser la corriente de emisor de Q2, I
E2
, y tendremos
I
E2
=
10 V
E2
R
=
10 (v
2
+ 0,7)
R
=
9,3 v
2
R
,
que, para todos los valores posibles de v
2
es > 0. Supongamos Q2 en ACTIVO. Se ha de vericar
I
B2
0 y V
EC2
0,2. Dado que en ACTIVO I
B2
= I
E2
/(
2
+ 1), tendremos I
B2
> 0,
vericndose la primera condicin. La condicin V
EC2
0,2 puede o no cumplirse dependiendo
del valor de R. En efecto, con Q2 en ACTIVO, la corriente de colector de Q2 valdr I
C2
=
2
/(
2
+ 1)I
E2
, la tensin de colector de Q2 valdr V
C2
= 10 + 100I
C2
, y V
EC2
= V
E2
V
C2
= v
2
+0,7+10100I
C2
= v
2
+10,7100I
C2
. Para Rsucientemente pequea, I
E2
e I
C2
sern sucientemente grandes y V
EC2
ser < 0,2, en contradiccin con Q2 en estado ACTIVO.
Vamos a ver que en ste caso, Q2 estar en SATURACIN. En ese estado, V
EC2
= 0,2. Adems,
I
C2
< (
2
/(
2
+ 1))I
E2
, pues V
EC2
= v
2
+ 10,7 100I
C2
y I
C2
=
2
/(
2
+ 1)I
E2
conducen
a V
EC2
< 0,2. De hecho, I
C2
valdr
I
C2
=
V
C2
(10)
100
=
V
C2
+ 10
100
=
V
E2
V
EC2
+ 10
100
=
v
2
+ 0,7 0,2 + 10
100
=
v
2
+ 10,5
100
.
Hemos de vericar I
B2
0, I
C2
0 y I
C2
I
B2
. Dado que I
B2
= I
E2
I
C2
e I
C2
<
(
2
/(
2
+ 1))I
E2
, tendremos I
B2
> I
E2
(
2
/(
2
+ 1))I
E2
= I
E2
/(
2
+ 1) > 0. De la
expresin de I
C2
en funcin de v
2
se deduce que para todos los valores posibles de v
2
, I
C2
0.
Finalmente, usando I
C2
< (
2
/(
2
+ 1))I
E2
e I
B2
> I
E2
/(
2
+ 1) > 0, teniendo en cuenta
I
B2
> 0, obtenemos
I
C2
I
B2
<
2
+ 1
I
E2
I
E2
2
+ 1
=
2
,
que, con I
B2
> 0, implica I
C2
<
2
I
B2
. As pues, cuando Q2 no est en estado ACTIVO, est
en estado SATURACIN y Q2 est necesariamente en uno de esos dos estados. Ello concluye
la demostracin.
2) Con Q3 en SATURACIN y v
1
< v
2
, Q1 est en estado ACTIVO y Q2 est en CORTE.
Veamos primero que con Q2 en CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Con Q1 en estado ACTIVO,
V
EB1
= 0,7 y la tensin de emisor de Q1 vale V
E1
= v
1
+ 0,7. Adems, la corriente por la
resistencia de valor R ser la corriente de emisor de Q1 y valdr
I
E1
=
10 (v
1
+ 0,7)
R
=
9,3 v
1
R
,
que es > 0 para todos los valores posibles de v
1
. Hemos de comprobar I
B1
0 y V
EC1
0,2.
Como en estado ACTIVO I
B1
= I
E1
/(
1
+ 1), tenemos I
B1
> 0, comprobando la primera
condicin. Para la segunda, con Q3 en SATURACIN, V
BE3
= 0,7 y V
C1
= 10+0,7 = 9,3,
dando
V
EC1
= V
E1
V
C1
= v
1
+ 0,7 (9,3) = v
1
+ 10 ,
que es 0,2 para todos los valores posibles de v
1
. Acabamos de comprobar que con Q2 en
CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Comprobemos que Q2 est en CORTE, sabiendo que Q1
est en estado ACTIVO. La tensin V
EB2
vale
V
EB2
= V
E2
v
2
= V
E1
v
2
= v
1
+ 0,7 v
2
= 0,7 +v
1
v
2
,
que con v
1
< v
2
es < 0,7. Basta comprobar V
EC2
0. Con Q2 en corte, I
C2
= 0 y la tensin
de colector de Q2 vale V
C2
= 10. Ello da
V
EC2
= V
E2
V
C2
= V
E1
V
C2
= v
1
+ 0,7 (10) = v
1
+ 10,7 ,
que para todos los valores posibles de v
1
es 0.
En resumen, con Q3 en SATURACIN y v
1
< v
2
, Q1 est en ACTIVO y Q2 est en CORTE.
Con esos estados, obtenemos el circuito
v
1
0,7 V
0,7 V 0,2 V
10 V
10 V
I
B3
C
E
B
B C
E
50
I
1 100 K
I
C3
10 V
R (
1
+ 1)I
B1
I
B1
1
I
B1
Hemos de imponer las condiciones del estado SATURACIN de Q3, es decir I
B3
0, I
C3
0,
e I
C3

3
I
B3
. Calculemos I
B3
e I
C3
.
77
Para calcular I
C3
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 50 , la fuente de tensin de valor 0,2 V y la fuente
de tensin de valor 10 V, obteniendo
10 = 0,05I
C3
+ 0,2 10 = 0,05I
C3
9,8 ,
I
C3
=
19,8
0,05
= 396 , (2.9)
1
fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito equivalente de Q3 y la resistencia de valor 100 k,
obteniendo
0,7 = 100I
1
,
I
1
=
0,7
100
= 0,007 . (2.10)
Para calcular I
B1
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito
equivalente de Q1 y la fuente de tensin de valor v
1
, obteniendo
10 = R(
1
+ 1)I
B1
+ 0,7 +v
1
,
I
B1
=
9,3 v
1
R(
1
+ 1)
. (2.11)
Por ltimo, para calcular I
B3
conociendo I
1
e I
B1
, aplicamos la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al colector de Q1, obteniendo
1
I
B1
= I
1
+I
B3
,
y, usando (2.10) y (2.11),
1
+ 1
9,3 v
1
R
= 0,007 +I
B3
,
I
B3
=

1
1
+ 1
9,3 v
1
R
0,007 . (2.12)
La condicin I
B3
0 se traduce en
1
+ 1
9,3 v
1
R
0,007 0 ,
1
+ 1
9,3 v
1
R
0,007 ,
R

1
1
+ 1
9,3 v
1
0,007
.
Dado que el miembro de la derecha es una funcin creciente de
1
y decreciente de v
1
, la condi-
cin ms restrictiva se alcanza para el menor valor posible de
1
y el mayor valor posible de v
1
,
y es
R
20
20 + 1
9,3 5
0,007
= 585,0 k.
Por ltimo, la condicin I
C3

3
I
B3
se traduce, usando (2.9) y (2.12), en
396
3
_

1
1
+ 1
9,3 v
1
R
0,007
_
,
396
3
1
+ 1
9,3 v
1
R
0,007
3
,
1
+ 1
9,3 v
1
R
396 + 0,007
3
,
R

3
0,007
3
+ 396
1
+ 1
(9,3 v
1
) .
El miembro de la derecha es creciente con
1
y
3
y decreciente con v
1
, la condicin ms restric-
tiva se alcanza con los menores valores posibles para
1
y
3
y con el mayor valor posible para
v
1
, y es
R
20
(0,007)(20) + 396
20
20 + 1
(9,3 5) = 0,2068 k = 206,8 .
Dicha condicin para R es ms restrictiva que la condicin R 585,0 k obtenida imponiendo
I
B3
0, por lo que el mayor valor de R para el cual, con v
1
< v
2
, Q3 estar en SATURACIN
es 206,8 .
Captulo 3
MOSFETs
Problema 41: Analice el circuito de la gura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor est en ON y cuando el interruptor est en OFF.
5 V
2 k
V
t
= 1 V
K = 2 mA/V
2
I
1 M
1 M
Solucin: Con el interruptor en ON, V
GS
= 0 < V
t
= 1, el transistor trabajar en la zona corte
e I = 0. nicamente se ha de vericar V
DS
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET,
obtenemos
5 = 2I +V
DS
= V
DS
,
V
DS
= 5 ,
que es 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es
nula, la fuente de tensin de valor 5 V y las dos resistencias de valor 1 M forman un divisor de
tensin, y
V
GS
=
1 M
1 M + 1 M
5 = 2,5 ,
que es > V
t
= 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que
trabaja en la zona saturacin. La nica condicin a vericar es V
DS
V
GS
V
t
= 2,51 = 1,5.
80 3 Problemas de Anlisis de Circuitos con MOSFETs
La corriente I vale
I = K(V
GS
V
t
)
2
= (2)(2,5 1)
2
= (2)(1,5)
2
= 4,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la
resistencia de valor 2 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 2I +V
DS
,
V
DS
= 5 2I = 5 (2)(4,5) = 4 ,
que no es 1,5. Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Las condiciones a
vericar son V
DS
0 y V
DS
V
GS
V
t
= 2,5 1 = 1,5. La corriente I valdr, en funcin de
V
DS
,
I = K
_
2(V
GS
V
t
)V
DS
V
2
DS
= 2
_
(2)(2,5 1)V
DS
V
2
DS
= 6V
DS
2V
2
DS
. (3.1)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET, se obtiene
5 = 2I +V
DS
,
que, combinada con (3.1), da la ecuacin de segundo grado en V
DS
5 = 12V
DS
4V
2
DS
+V
DS
,
4V
2
DS
13V
DS
+ 5 = 0 ,
cuyas soluciones son V
DS
= 2,804 y V
DS
= 0,4458. La solucin V
DS
= 0,4458 verica V
DS

0 y V
DS
1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica, V
DS
= 0,4458 y, usando (3.1),
I = (6)(0,4458) (2)(0,4458)
2
= 2,277 mA.
Problema 42: Analice el circuito de la gura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor est en ON y cuando el interruptor est en OFF.
K = 2 mA/V
2
1 M
1 M
5 V
V
t
= 1 V
I
5 k
Solucin: Con el interruptor en ON, V
GS
= 0 > V
t
= 1, el transistor trabajar en la zona
corte e I = 0. nicamente se ha de vericar V
DS
0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
81
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el MOSFET y la resistencia de valor 5 k,
obtenemos
5 = V
DS
+ 5I = V
DS
,
V
DS
= 5 ,
que es 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es nula,
la fuente de tensin de valor 5 V y las resistencias de valor 1 M forman un divisor de tensin, y
la tensin de puerta, V
G
, vale
V
G
=
1 M
1 M + 1 M
5 = 2,5 .
Siendo V
S
la tensin de la fuente, la tensin V
GS
vale V
GS
= V
G
V
S
= 2,5 5 = 2,5 <
V
t
= 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que trabaja en
la zona saturacin. Tenemos
I = K(V
GS
V
t
)
2
= (2)(2,5 (1))
2
= 4,5 .
Se ha de vericar V
DS
V
GS
V
t
= 2,5 (1) = 1,5. La tensin de drenador, V
D
, vale
V
D
= 5I = (5)(4,5) = 22,5 .
La tensin V
DS
resulta, por tanto, valer V
DS
= V
D
V
S
= 22,5 5 = 17,5, que no es 1,5.
Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Se ha de vericar V
DS
0 y V
DS

V
GS
V
t
= 1,5. La corriente I, en funcin de V
DS
, vale
I = K
_
2(V
GS
V
t
)V
DS
V
2
DS
= 2
_
(2)(2,5 (1))V
DS
V
2
DS
= 6V
DS
2V
2
DS
. (3.2)
La tensin de drenador, V
D
, vale
V
D
= 5I = 30V
DS
10V
2
DS
y, utilizando V
DS
= V
D
V
S
= V
D
5, se obtiene la ecuacin de segundo grado en V
DS
V
DS
= 30V
DS
10V
2
DS
5 ,
10V
2
DS
+ 31V
DS
+ 5 = 0 ,
DS
= 0,1707 y V
DS
DS
= 0,1707 verica
las condiciones V
DS
0 y V
DS
1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica,
V
DS
= 0,1707 V y, utilizando (3.2), la corriente I vale
I = (6)(0,1707) (2)(0,1707)
2
= 0,9659 mA.
Problema 43: Se utiliza el circuito de la gura para caracterizar un MOSFET de enriquecimien-
to de canal n. Cuando el interruptor est en OFF, la lectura del ampermetro es 6,5 mA y, cuando
est en ON, 4 mA. Qu valores tienen los parmetros V
t
y K del transistor?
A
10 V
1 k
1 M 1 M
Solucin: Siendo el transistor un MOSFET de enriquecimiento de canal n, V
t
ser > 0. Con
el interruptor en OFF, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la corriente por la
resistencia de valor 1 k es I
D
y V
DS
= 10(1)I
D
= 10(1)(6,5) = 3,5. Con el interruptor en
ON, despreciando la corriente por las resistencias de valor 1 M, tenemos V
DS
= 10 (1)I
D
=
10 (1)(4) = 6. En ambos casos, pues, V
DS
> 0. Entonces, I
D
> 0 implica V
GS
> V
t
, por lo
que el transistor no podr trabajar en la zona corte.
Con el interruptor en OFF, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, V
GD
= 0 y el
transistor trabajar en la zona saturacin, pues se tiene V
DS
= V
DG
+ V
GS
= V
GS
V
GD
=
V
GS
> V
GS
V
t
. Obtenemos
6,5 = K(V
GS
V
t
)
2
. (3.3)
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V,
la resistencia de valor 1 k y el transistor, y utilizando V
DS
= V
GS
, obtenemos
10 = (1)I
D
+V
DS
= (1)(6,5) +V
GS
= 6,5 +V
GS
,
V
GS
= 3,5 .
Sustituyendo este valor en (3.3), obtenemos
6,5 = K(3,5 V
t
)
2
. (3.4)
Con el interruptor en ON, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, las resistencias de
valor 1 M forman un divisor de tensin, y
V
GS
=
1 M
1 M + 1 M
V
DS
=
V
DS
2
,
V
DS
= 2V
GS
,
y el transistor tambin trabajar en la zona saturacin, pues se tendr V
DS
> V
GS
> V
GS
V
t
.
Obtenemos
4 = K(V
GS
V
t
)
2
. (3.5)
83
Despreciando la corriente por las resistencias de 1 M, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
misma malla que antes, y usando V
DS
= 2V
GS
, obtenemos
10 = (1)I
D
+V
DS
= (1)(4) + 2V
GS
= 4 + 2V
GS
,
que da
V
GS
=
10 4
2
= 3 .
La corriente por las resistencias de 1 M resulta valer, por tanto, V
GS
/(2 M) = 3/2.000 =
0,0015 mA, que, efectivamente, es despreciable frente a 4 mA. Sustituyendo el valor de V
GS
en
(3.5), obtenemos
4 = K(3 V
t
)
2
. (3.6)
Los parmetros V
t
y K del MOSFET pueden ser determinados resolviendo el sistema de ecua-
ciones formado por (3.4) y (3.6). Dividindolas, obtenemos
6,5
4
=
_
3,5 V
t
3 V
t
_
2
,
y, considerando que V
t
< 3, pues, con el interruptor en OFF, V
GS
> V
t
y V
GS
= 3, obtenemos
3,5 V
t
3 V
t
=
_
6,5
4
= 1,275 ,
3,5 V
t
= 3,825 1,275V
t
,
V
t
=
3,825 3,5
1,275 1
= 1,182 V.
Sustituyendo ese valor en (3.6), obtenemos
4 = K(3 1,182)
2
= 3,305K
y
K =
4
3,305
= 1,21 mA/V
2
.
Problema 44: El circuito de la gura se comporta como una fuente de corriente para ciertos
valores de R. Cules?
V
t
= 1 V
5 V
R
K = 1 mA/V
2
5 k
10 k
Solucin: Dado que la corriente por la puerta del transistor es nula, la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 5 k y la resistencia de valor 10 k forman un divisor de tensin, y
V
GS
=
10
5 + 10
5 = 3,333 .
Siendo V
GS
> V
t
= 1, el transistor trabajar en la zona hmica o en la zona saturacin. El que
trabaje en una zona u otra depender del valor de R. Ello se puede ver grcamente considerando
que el punto de trabajo del transistor estar en la interseccin de la recta de carga
5 = RI
D
+V
DS
con la caracterstica I
D
= f(V
DS
) del transistor para V
GS
= 3,333 V. Con V
GS
= 3,333,
I
D,sat
= K(V
GS
V
t
)
2
= (1)(3,333 1)
2
= 5,443 mA
y la transicin entre la zona hmica y la zona saturacin se producir para V
DS
= V
DS,sat
=
V
GS
V
t
= 3,333 1 = 2,333 V. As pues, la situacin ser:
2,333 V
DS
(V) 5
5
R
5
R
max
I
D
(mA)
5,443 V
GS
= 3,333 V
Para R R
max
, el transistor trabajar en la zona saturacin, I
D
ser independiente de R y el
circuito se comportar como una fuente de corriente. R
max
puede ser determinada imponiendo
I
D
= I
D,sat
y V
DS
= V
DS,sat
en la ecuacin de la recta de carga:
5 = R
max
I
D,sat
+V
DS,sat
,
5 = 5,443R
max
+ 2,333 ,
R
max
=
5 2,333
5,443
= 0,49 k = 490 .
Problema 45: El MOSFET del circuito de la gura tiene una V
t
= 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 10 y 40 mA/V
2
. Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R
1
para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 20 mA/V
2
, I = 10 mA;
2) con la R
1
obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
para el valor de R
1
2
85
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
R
1
R
2
I
10 k
10 k
Solucin: 1) Con el MOSFET trabajando en saturacin, I = K(V
GS
V
t
)
2
= K(V
GS
1)
2
,
y para que con K = 20 mA/V
2
, I = 10 mA, V
GS
deber ser > V
t
= 1 y satisfacer
10 = 20(V
GS
1)
2
,
de donde, usando V
GS
> 1,
V
GS
= 1 +
_
10
20
= 1,707 .
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V y las dos
resistencias de valor 10 k forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta, V
G
, vale
V
G
=
10
10 + 10
12 = 6 .
1
conociendo V
GS
y V
G
, aplicamos la segunda ley de Kir-
choff a la malla formada por la resistencia inferior de valor 10 k, el MOSFET y la resistencia
de valor R
1
, obteniendo
V
G
= V
GS
+R
1
I , (3.7)
6 = 1,707 + 10R
1
,
R
1
=
6 1,707
10
= 0,4293 k = 429,3 .
2) Con el MOSFET trabajando en saturacin y en funcin de K, la corriente I vale
I = K(V
GS
1)
2
.
Teniendo en cuenta V
GS
V
t
= 1, se obtiene
V
GS
= 1 +
_
I
K
.
Por otro lado, usando (3.7) con V
G
= 6 y R
1
= 0,4293, se obtiene
6 = 1 +
_
I
K
+ 0,4293I . (3.8)
Dicha relacin pone de maniesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por
tanto, al variar K entre 10 mA/V
2
y 40 mA/V
2
, el valor mnimo de I, I
min
, se obtiene para
K = 10 mA/V
2
y el valor mximo, I
max
, para K = 40 mA/V
2
. Para determinar I
min
e I
max
,
expresemos I en funcin de K usando (3.8). Podemos reescribir (3.8) en forma de ecuacin de
segundo grado en
I. Se obtiene
0,4293I +
1
I 5 = 0 .
La soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son
I =
1/
K
_
1/K + 8,586
0,8586
.
De ellas, la nica que da
I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,
I =
_
1/K + 8,586 1/
K
0,8586
e
I =
_
_
1/K + 8,586 1/
K
_
2
0,7372
,
que da
I
min
=
_
_
1/10 + 8,586 1/
10
_
2
0,7372
= 9,368 mA
e
I
max
=
_
_
1/40 + 8,586 1/
40
_
2
0,7372
= 10,43 mA.
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R
1
y R
2
y el MOSFET, obtenemos
12 = R
2
I +V
DS
+R
1
I ,
y, usando R
1
= 0,4293,
12 = V
DS
+ 0,4293I +R
2
I ,
V
DS
= 12 0,4293I R
2
I .
Por otro lado, de (3.7) con V
G
= 6 y R
1
= 0,4293,
V
GS
= V
G
R
1
I = 6 0,4293I .
Imponiendo, entonces, V
DS
V
GS
V
t
= V
GS
1, se obtiene
12 0,4293I R
2
I 5 0,4293I ,
R
2
I 7 ,
87
R
2

7
I
.
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R
2
deber vericar
R
2

7
10,43
= 0,6711 k = 671,1 .
As pues, el valor mximo que deber tener R
2
para que, con el valor de R
1
obtenido en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 671,1, .
Problema 46: El MOSFET del circuito de la gura tiene una V
t
= 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 5 y 20 mA/V
2
. Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener R
1
para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 10 mA/V
2
, I = 10 mA; 2)
con la R
1
obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
para el valor de R
1
2
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
8 k
12 V
I
R
1
R
2
4 k
Solucin: 1) Con el MOSFET trabajando en saturacin, I = K(V
GS
V
t
)
2
= K(V
GS
+ 1)
2
,
y para que con K = 10 mA/V
2
, I = 10 mA, V
GS
deber ser < V
t
= 1 y satisfacer
10 = 10(V
GS
+ 1)
2
,
de donde, usando V
GS
< 1,
V
GS
= 1
_
10
10
= 2 .
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V, la resis-
tencia de valor 4 k y la resistencia de valor 8 k forman un divisor de tensin, y la tensin de
puerta vale
V
G
=
8
4 + 8
12 = 8 ,
que implica que la resistencia de valor 4 k ver una tensin de valor 4 V. Para calcular el valor
necesario de R
1
conociendo V
GS
y la tensin que ve la resistencia de valor 4 k, aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 4 k, el MOSFET y la
resistencia de valor R
1
, obteniendo
4 = R
1
I V
GS
, (3.9)
4 = 10R
1
+ 2 ,
R
1
=
4 2
10
= 0,2 k = 200 .
2) Con el MOSFET trabajando en saturacin y en funcin de K, la corriente I vale
I = K(V
GS
+ 1)
2
.
Teniendo en cuenta V
GS
V
t
= 1, se obtiene
V
GS
= 1
_
I
K
.
Por otro lado, usando (3.9) con R
1
= 0,2, se obtiene
4 = 0,2I + 1 +
_
I
K
,
3 = 0,2I +
_
I
K
. (3.10)
Dicha relacin pone de maniesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por tanto, al
variar K entre 5 mA/V
2
y 20 mA/V
2
, el valor mnimo de I, I
min
, se obtiene para K = 5 mA/V
2
y el valor mximo, I
max
, para K = 20 mA/V
2
. Para determinar I
min
e I
max
, expresemos I en
funcin de K usando (3.10). Podemos reescribir (3.10) en forma de ecuacin de segundo grado
en
I. Se obtiene
0,2I +
1
I 3 = 0 .
La soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son
I =
1/
K
_
1/K + 2,4
0,4
.
I =
_
1/K + 2,4 1/
K
0,4
e
I =
_
_
1/K + 2,4 1/
K
_
2
0,16
,
que da
I
min
=
_
_
1/5 + 2,4 1/
5
_
2
0,16
= 8,486 mA
e
I
max
=
_
_
1/20 + 2,4 1/
20
_
2
0,16
= 11,25 mA.
89
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R
1
y R
2
y el MOSFET, obtenemos
12 = R
1
I V
DS
+R
2
I ,
y, usando R
1
= 0,2,
12 = V
DS
+ 0,2I +R
2
I ,
V
DS
= 12 + 0,2I +R
2
I .
Por otro lado, de (3.9) con R
1
= 0,2,
V
GS
= 4 + 0,2I .
Imponiendo, entonces, V
DS
V
GS
V
t
= V
GS
+ 1, se obtiene
12 + 0,2I +R
2
I 3 + 0,2I ,
R
2
I 9 ,
R
2

9
I
.
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R
2
deber vericar
R
2

9
11,25
= 0,8 k = 800 .
As pues, el valor mximo que deber tener R
2
para que, con el valor de R
1
calculado en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 796 .
Problema 47: Analice el circuito de la gura y determine el valor de la tensin V
o
en funcin
de K
1
/K
2
. Entre qu valores puede variar V
o
?
Q1
Q2
5 V
V
t
= 1 V
K = K
2
mA/V
2
K = K
1
mA/V
2
V
t
= 1 V
V
o
Solucin: Denotemos con los subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2. Dado que V
DS1
= V
GS1
> V
GS1
V
t1
= V
GS1
1 y V
DS2
= V
GS2
> V
GS2
V
t2
=
V
GS2
1, supuesto V
GS1
> V
t1
= 1 y V
GS2
> V
t2
= 1, los dos transistores trabajarn en la
zona saturacin. Supongmoslo. Tenemos
I
D1
= K
1
(V
GS1
1)
2
,
I
D2
= K
2
(V
GS2
1)
2
.
Por otro lado, por inspeccin I
D1
= I
D2
, obtenindose, usando V
GS1
> 1 y V
GS2
> 1,
K
1
(V
GS1
1)
2
= K
2
(V
GS2
1)
2
,
_
V
GS2
1
V
GS1
1
_
2
=
K
1
K
2
,
V
GS2
1
V
GS1
1
=
_
K
1
K
2
,
V
GS2
1 =
_
K
1
K
2
(V
GS1
1) ,
V
GS2
= 1 +
_
K
1
K
2
(V
GS1
1) . (3.11)
Utilizando (3.11) en V
GS1
+V
GS2
= 5, se obtiene
V
GS1
+ 1 +
_
K
1
K
2
(V
GS1
1) = 5 ,
_
1 +
_
K
1
K
2
_
V
GS1
= 4 +
_
K
1
K
2
,
V
GS1
=
4 +
_
K
1
K
2
1 +
_
K
1
K
2
.
Obviamente, V
GS1
> 1, y utilizando (3.11), V
GS2
> 1. As pues, los dos transistores trabajan en
la zona saturacin y el anlisis realizado es correcto. Dado que V
o
= V
GS1
, obtenemos
V
o
=
4 +
_
K
1
K
2
1 +
_
K
1
K
2
.
Tanto K
1
/K
2
como
_
K
1
/K
2
toman valores en el intervalo (0, ). Por otro lado, la funcin
f(x) = (4+x)/(1+x) es decreciente con x en (0, ), como puede ser comprobado fcilmente
calculando df/dx,
df
dx
=
1 +x (4 +x)
(1 +x)
2
=
3
(1 +x)
2
< 0 .
As pues, V
o
puede tomar valores en el intervalo (V
o,min
, V
o,max
) con
V
o,min
= lm
x
f(x) = lm
x
4 +x
1 +x
= lm
x
4/x + 1
1/x + 1
= 1 ,
V
o,max
= lm
x0
f(x) = f(0) = 4 .
91
Problema 48: Analice el circuito de la gura y determine: 1) el valor de la tensin V
GS
de Q1
y valor de la corriente I, 2) el intervalo de valores de R para los cuales Q3 trabaja en la zona
saturacin y valor de la corriente I
en ese caso. El circuito de la gura se denomina espejo de

corriente. Por qu?
Q2
Q1 Q3
5 V 5 V
I
I
R
V
t
= 1 V
K = K
1
mA/V
2
K = K
1
mA/V
2
V
t
= 1 V
V
t
= 1 V
K = K
2
mA/V
2
Solucin: Denotaremos usando los subndices 1, 2 y 3 los valores de las tensiones, corrientes y
parmetros V
t
de, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
1) Por inspeccin, V
DS1
= V
GS1
y V
DS2
= V
GS2
. Supongamos que tanto Q1 como Q2 trabajan
en la zona saturacin. Las condiciones a vericar son V
GS1
V
t1
= 1, V
GS2
V
t2
= 1,
V
DS1
V
GS1
V
t1
= V
GS1
1 y V
DS2
V
GS2
V
t2
= V
GS2
1. Las dos ltimas quedan
aseguradas por V
DS1
= V
GS1
y V
DS2
= V
GS2
. As pues, las nicas condiciones a vericar son
V
GS1
1 y V
GS2
1. Con Q1 y Q2 en saturacin, tenemos
I
D1
= K
1
(V
GS1
1)
2
,
I
D2
= K
1
(V
GS2
1)
2
.
Entonces, V
GS1
= V
GS2
es consistente con I
D1
= I
D2
= I. Por otro lado, V
GS1
+ V
GS2
= 5.
As pues, V
GS1
= V
GS2
= 2,5, que es 1. Las zonas de trabajo supuestas para Q1 y Q2 son,
por tanto, correctas, V
GS1
= 2,5 V e
I = I
D1
= K
1
(2,5 1)
2
= 2,25K
1
mA.
2) Por inspeccin, obtenemos V
GS3
= V
GS1
= 2,5 V
t3
= 1. Para que Q3 trabaje en la zona
saturacin, se deber cumplir V
DS3
V
GS3
V
t3
= 2,5 1 = 1,5. En esa zona, la corriente I
valdr
I
= I
D3
= K
2
(V
GS3
1)
2
= K
2
(2,5 1)
2
= 2,25K
2
mA.
resistencia de valor R y Q3, obtenemos
5 = RI
+V
DS3
,
V
DS3
= 5 RI
= 5 2,25K
2
R,
e, imponiendo V
DS3
1,5, obtenemos
5 2,25K
2
R 1,5 ,
R
5 1,5
2,25K
2
=
1,556
K
2
k.
El circuito se denomina espejo de corriente porque, cuando Q3 trabaja en la zona saturacin,
I
/I = K
2
/K
1
y la corriente I
es una rplica de la corriente I independiente del valor de R con

un factor de escalado K
2
/K
1
. Dicho factor de escalado puede ser ajustado escogiendo valores
apropiados para K
1
y K
2
.
Problema 49: El parmetro K del MOSFET Q1 del espejo de corriente de la gura, K
1
, puede
variar entre 5 mA/V
2
y 20 mA/V
2
. Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R
1
para que, con K
1
= 10 mA/V
2
, I = 1 mA; 2) para el valor de R
1
anterior y suponiendo Q2 en saturacin, determine los valores entre los que puede variar I
debido
al rango de valores posibles para K
1
; 3) para el valor de R
1
calculado en el apartado 1) y = 20,
determine el mximo valor que puede tener R
2
para que Q2 trabaje en saturacin para todo valor
posible de K
1
.
Q1 Q2
K = K
1
5 V 5 V
K = K
1
V
t
= 1 V
R
2
I
R
1 I
V
t
= 1 V
Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros V
t
de,
respectivamente, Q1 y Q2.
1) Por inspeccin, V
DS1
= V
GS1
y V
DS1
> V
GS1
V
t1
= V
GS1
1. Ello implica que Q1 estar
en saturacin con V
GS1
> V
t1
= 1, pues V
GS1
V
t1
conduce a I = 0. La corriente I valdr,
por tanto,
I = K
1
(V
GS1
V
t1
)
2
= 10(V
GS1
1)
2
,
e, imponiendo I = 1, obtenemos, usando V
GS1
> 1,
1 = 10(V
GS1
1)
2
,
V
GS1
= 1 +
_
1
10
= 1,316 .
1
conociendo V
GS1
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R
1
y Q1, obteniendo
5 = R
1
I +V
GS1
, (3.12)
5 = R
1
+ 1,316 ,
R
1
= 5 1,316 = 3,684 k.
2) Determinemos, primero, el rango de valores posibles para I. El razonamiento del apartado
anterior que ha conducido a que Q1 trabaje en saturacin y a que V
GS1
> 1 es independiente
del valor de R
1
, siempre y cuando I = 0. Pero I = 0 slo es posible con Q1 en corte y, con
93
I = 0, tenemos V
GS1
= 5 > V
t1
= 1, una contradiccin. Por tanto, Q1 trabaja en saturacin con
V
GS1
> 1 para todo valor posible de K
1
e
I = K
1
(V
GS1
V
t1
)
2
= K
1
(V
GS1
1)
2
, (3.13)
que es > 0, y, teniendo en cuenta V
GS1
> 1,
V
GS1
= 1 +
_
I
K
1
,
que, combinada con (3.12) da
5 = R
1
I + 1 +
_
I
K
1
,
y, con R
1
= 3,684,
4 =
_
I
K
1
+ 3,684I . (3.14)
Dicha relacin pone de maniesto que I es una funcin creciente de K
1
para K
1
> 0. Por tanto,
al variar K
1
entre 5 mA/V
2
y 20 mA/V
2
, I vara entre un valor mnimo, I
min
, correspondiente a
K
1
= 5 mA/V
2
, y un valor mximo, I
max
, correspondiente a K
1
= 20 mA/V
2
. Para determinar
I
min
e I
max
, expresemos I en funcin de K
1
usando (3.14). Podemos reescribir (3.14) en forma
de ecuacin de segundo grado en
I. Se obtiene
3,684I +
1
K
1
I 4 = 0 .
Las soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son
I =
1/
K
1
_
1/K
1
+ 58,94
7,368
.
I =
_
1/K
1
+ 58,94 1/
K
1
7,368
,
e
I =
_
_
1/K
1
+ 58,94 1/
K
1
_
2
54,29
,
que da
I
min
=
_
_
1/5 + 58,94 1/
5
_
2
54,29
= 0,9663 mA
e
I
max
=
_
_
1/20 + 58,94 1/
20
_
2
54,29
= 1,024 mA.
Por otro lado, con Q2 en saturacin y siendo V
GS2
= V
GS1
,
I
= K
2
(V
GS2
V
t2
)
2
= K
1
(V
GS1
1)
2
,
que, combinada con (3.13), da
I
= I .
Por tanto, I
variar entre un valor mnimo

I
min
= 0,9663mA
y un valor mximo
I
max
= 1,024mA.
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V,
la resistencia de valor R
2
y Q2, obtenemos, usando I
= I,
5 = R
2
I
+V
DS2
= R
2
I +V
DS2
,
V
DS2
= 5 R
2
I .
Usando V
GS2
= V
GS1
, de (3.12), con R
1
= 3,684, obtenemos
V
GS2
= V
GS1
= 5 3,684I ,
e, imponiendo V
DS2
V
GS2
V
t2
= V
GS2
1,
5 R
2
I 4 3,684I ,
R
2
I 1 + 3,684I ,
R
2

1 + 3,684I
I
=
1 + 3,684I
20I
=
1
20I
+ 0,1842 .
La condicin ms estricta se obtiene para I = I
max
y es
R
2

1
(20)(1,024)
+ 0,1842 = 0,233 k = 233 .
Por tanto, para que con el valor de R
1
calculado en el apartado 1) y con = 20, Q2 trabaje en
saturacin para cualquier valor posible de K
1
, R
2
no deber superar 233 .
Problema 50: Analice el circuito de la gura y: 1) determine el valor de la corriente I cuando el
interruptor est en ON; 2) determine el valor que ha de tener R
1
para que, cuando el interruptor
est en OFF y suponiendo que el MOSFET trabaja en saturacin, I = 10 mA; 3) para el valor de
R
1
calculado en el apartado anterior y con el interruptor en OFF, determine el mximo valor que
puede tener R
2
de modo que el MOSFET trabaje en saturacin.
I
12 V
10 k R
1
R
2
10 k
V
t
= 1 V
K = 5 mA/V
2
Solucin: 1) Con el interruptor en ON, la tensin de puerta del MOSFET, V
G
, vale 0. Vamos
a ver que ello implica que el MOSFET estar en corte. Se ha de vericar V
GS
V
t
= 1 y
95
V
DS
0. Con el MOSFET en corte, I = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por el interruptor, el MOSFET y la resistencia de valor R
1
se obtiene
0 = V
GS
+R
1
I = V
GS
,
y V
GS
= 0 1. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 12 V, la resistencia de valor R
2
, el MOSFET y la resistencia de valor R
1
, se obtiene
12 = R
2
I +V
DS
+R
1
I = V
DS
,
y V
DS
= 12 0. As pues, con el interruptor en ON, el MOSFET est en corte e I = 0.
2) Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por el interruptor es nula y que
la corriente por la puerta del MOSFET es tambin nula, resulta que la fuente de tensin de valor
12 V y las resistencias de valor 10 k forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta del
MOSFET, V
G
, valdr
V
G
=
10
10 + 10
12 = 6 .
Con el MOSFET en saturacin, la corriente I vale
I = K(V
GS
V
t
)
2
= K(V
GS
1)
2
.
Para que I = 10 mA, V
GS
deber vericar
10 = 5(V
GS
1)
2
,
que, teniendo en cuenta que V
GS
deber ser > 1, pues el MOSFET est en saturacin e I > 0,
conduce a
V
GS
= 1 +
_
10
5
= 2,414 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia inferior de valor
10 k, el MOSFET y la resistencia de valor R
1
, obtenemos
V
G
= V
GS
+R
1
I ,
y, usando V
G
= 6, V
GS
= 2,414 e I = 10, R
1
deber vericar
6 = 2,414 + 10R
1
,
de donde R
1
deber valer
R
1
=
6 2,414
10
= 0,3586 k = 358,6 .
3) Bastar calcular, para R
1
= 358,6 , V
DS
en funcin de R
2
e imponer V
DS
V
GS
V
t
=
V
GS
1. Podemos usar V
GS
= 2,414 e I = 10. Para calcular V
DS
en funcin de R
2
aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 12 V, la resistencia
de valor R
2
, el MOSFET y la resistencia de valor R
1
, obteniendo
12 = R
2
I +V
DS
+R
1
I .
Usando I = 10 y R
1
= 358,6 , obtenemos
12 = 10R
2
+V
DS
+ (0,3586)(10) ,
V
DS
= 8,414 10R
2
.
Finalmente, imponiendo V
DS
V
GS
1 = 2,414 1 = 1,414, obtenemos
8,414 10R
2
1,414 ,
R
2

8,414 1,414
10
= 0,7 k = 700 .
As pues, para que con el valor de R
1
calculado en el apartado anterior y con el interruptor en
OFF, el MOSFET trabaje en saturacin, el valor de R
2
no deber superar 700 .
Problema 51: Analice el circuito de la gura y determine el valor de la corriente I para v
i
= 0
y para v
i
= 5 V.
Q1
Q2
10
V
t
= 1 V
I
5 V
K = 100 mA/V
2
v
i
10 k
V
t
= 1 V
K = 0,2 mA/V
2
+

t
y K
de, respectivamente, Q1 y Q2.
Para v
i
= 0, V
GS1
= 0 < V
t1
= 1 y Q1 est en corte. Slo hay que vericar V
DS1
0. Pero,
teniendo en cuenta que la corriente por la puerta de Q2 es nula, V
DS1
= 5 10I
D1
= 5 0.
Dado que V
GS2
= V
DS1
= 5 > 1, Q2 no estar en corte. Supongamos que trabaja en la zona
hmica. Se ha de vericar V
DS2
0 y V
DS2
V
GS2
V
t2
= 5 1 = 4. Tenemos
I
D2
= K
2
[2(V
GS2
V
t2
)V
DS2
V
2
DS2
] = 100[(2)(5 1)V
DS2
V
2
DS2
]
= 800V
DS2
100V
2
DS2
. (3.15)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 y Q2, obtenemos
5 = 0,01I
D2
+V
DS2
. (3.16)
Combinando (3.15) y (3.16) obtenemos la ecuacin de segundo grado en V
DS2
5 = 8V
DS2
V
2
DS2
+V
DS2
,
97
V
2
DS2
9V
DS2
+ 5 = 0 ,
DS2
= 8,405 y V
DS2
DS2
= 0,5949 verica
V
DS2
0 y V
DS2
4. As pues, el transistor Q2 trabaja en la zona hmica y V
DS2
= 0,5949.
Usando (3.15) obtenemos
I = I
D2
= (800)(0,5949) (100)(0,5949)
2
= 440,5 mA.
Para v
i
= 5 V, V
GS1
= 5 > V
t1
= 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que trabaja en la zona
DS1
0 y V
DS1
V
GS1
V
t1
= 5 1 = 4. Tenemos
I
D1
= K
1
[2(V
GS1
V
t1
)V
DS1
V
2
DS1
] = 0,2[(2)(5 1)V
DS1
V
2
DS1
]
= 1,6V
DS1
0,2V
2
DS1
. (3.17)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 k y Q1, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = 10I
D1
+V
DS1
. (3.18)
Combinando (3.17) y (3.18) obtenemos la ecuacin de segundo grado en V
DS1
5 = 16V
DS1
2V
2
DS1
+V
DS1
,
2V
2
DS1
17V
DS1
+ 5 = 0 ,
V
2
DS1
8,5V
DS1
+ 2,5 = 0 ,
DS1
= 8,195 y V
DS1
DS1
= 0,3051 verica
V
DS1
0 y V
DS1
4. As pues, el transistor Q1 trabaja en la zona hmica y V
DS1
= 0,3051 V.
Dado que V
GS2
= V
DS1
= 0,3051 < V
t1
= 1, el transistor Q2 trabajar en la zona corte. Slo
hay que vericar V
DS2
0. Pero, con Q2 en corte, I = 0 y V
DS2
= 5 0,01I = 5 0. La
corriente I valdr, por tanto, I = 0.
Problema 52: Analice el circuito de la gura y determine el valor de la corriente I para v
i
= 0
y para v
i
= 5 V.
Q2
v
i
30
I
5 V
K = 0,1 mA/V
2
V
t
= 1 V
K = 50 mA/V
2
V
t
= 1 V
50 k
Q1
+

t
y K
de, respectivamente, Q1 y Q2.
Para v
i
= 0, V
GS1
= 5 < V
t1
= 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que est en la zona
DS1
0 y V
DS1
V
GS1
V
t1
= 5 +1 = 4. Con Q1 en la zona
hmica,
I
D1
= K
1
[2(V
GS1
V
t1
)V
DS1
V
2
DS1
] = 0,1[(2)(5 + 1)V
DS1
V
2
DS1
]
= 0,8V
DS1
0,1V
2
DS1
. (3.19)
de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = V
DS1
+ 50I
D1
,
que, combinada con (3.19), conduce a la ecuacin de segundo grado en V
DS1
5 = V
DS1
40V
DS1
5V
2
DS1
,
5V
2
DS1
+ 41V
DS1
+ 5 = 0 ,
DS1
= 0,1238 y V
DS1
DS1
= 0,1238 verica
V
DS1
0 y V
DS1
4. As pues, con v
i
= 0, Q1 est en la zona hmica y V
DS1
= 0,1238.
Por inspeccin, V
GS2
= V
DS1
y V
GS2
= 0,1238 > V
t2
= 1, implicando que Q2 estar en
corte, debindose nicamente vericar V
DS2
0. Con Q2 en corte, I = 0 y, aplicando la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q2 y la resistencia de
valor 30 , obtenemos
5 = V
DS2
+ 0,03I = V
DS2
,
V
DS2
= 5 ,
que es 0. As pues, con v
i
= 0, Q2 est en corte e I = 0.
Para v
i
= 5, V
GS1
= 0 > V
t1
= 1, implicando que Q1 estar en corte, debindose nicamente
vericar V
DS1
0. Con Q1 en corte, I
D1
= 0 y, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en
cuenta que la corriente por la puerta de Q2 es nula, obtenemos
5 = V
DS1
+ 50I
D1
= V
DS1
,
V
DS1
= 5 ,
que es 0. As pues, para v
i
= 5, Q1 est en corte y V
DS1
= 5. Por inspeccin, V
GS2
=
V
DS1
= 5 y V
GS2
< V
t2
= 1, implicando que Q2 no estar en corte. Supongamos que est
en la zona hmica. Se ha de vericar V
DS2
0 y V
DS2
V
GS2
V
t2
= 5 + 1 = 4. Con Q2
en hmica, la corriente I vale
I = K
2
[2(V
GS2
V
t2
)V
DS2
V
2
DS2
] = 50[(2)(5 + 1)V
DS2
V
2
DS2
]
= 400V
DS2
50V
2
DS2
. (3.20)
de valor 5 V, Q2 y la resistencia de valor 30 , obtenemos
5 = V
DS2
+ 0,03I ,
99
que, combinada con (3.20), conduce a la ecuacin de segundo grado en V
DS2
5 = V
DS2
12V
DS2
1,5V
2
DS2
,
1,5V
2
DS2
+ 13V
DS2
+ 5 = 0 ,
cuyas soluciones con V
DS2
= 0,4034 y V
DS2
DS2
= 0,4034 verica
V
DS2
0 y V
DS2
4. As pues, para v
i
= 5, Q2 est en la zona hmica y V
DS2
= 0,4034.
La corriente I puede ser calculada utilizando (3.20):
I = (400)(0,4034) (50)(0,4034)
2
= 153,2 mA.
Problema 53: Con V
t
= 1 V, K = 1 mA/V
2
y R = 10 k, determine la funcin de transferen-
cia v
o
= F(v
i
), 0 v
i
5 V del circuito de la gura para: 1) v
c
= 0, 2) v
c
= 5 V. Suponga, a
continuacin, V
t
< 5 V y, para v
c
= 5 V, 3) obtenga v
o
= F(v
i
), 0 v
i
5 V en funcin de
K, V
t
y R, 4) demuestre que dv
o
/dR es > 0 para todo v
i
, 0 < v
i
5 V, 5) obtenga v
o
= F(v
i
),
0 v
i
5 V para R .
R
v
c
v
i
v
o
V
t
, K
Solucin: 1) Para v
c
= 0, el transistor trabaja en la zona corte, I
D
= 0 y v
o
= 10I
D
= 0.
Comprobmoslo. Las condiciones a vericar son V
GS
1 y V
DS
0. Tenemos V
GS
= v
c
v
o
=
0, que es 1. Tenemos V
DS
= v
i
v
o
= v
i
, que, para 0 v
i
5, es 0.
2) Con v
c
= 5 V, el transistor no puede trabajar en la zona corte, pues en ese caso V
GS
=
v
c
v
o
= v
c
RI
D
= 5 0 = 5, que es > 1, una contradiccin. Supongamos que el transistor
trabaja en la zona hmica. Las condiciones a vericar son V
GS
1 y 0 V
DS
V
GS

V
t
= V
GS
1. La condicin V
DS
0 es fcil de vericar. En la zona hmica, el transistor
es equivalente a una resistencia R
DS
entre el drenador y la fuente de valor dependiente de V
GS
y V
DS
, y V
DS
= v
i
v
o
= v
i
(R/(R
DS
+ R))v
i
= (R
DS
/(R
DS
+ R))v
i
0. Siendo
V
GS
= 5 v
o
y V
DS
= v
i
v
o
, la condicin V
DS
V
GS
1 se traduce en v
i
v
o
4 v
o
,
v
i
4. sta ltima condicin asegura V
GS
1, pues v
o
= (R/(R
DS
+ R))v
i
v
i
y, con
v
i
4, V
GS
= 5 v
o
5 v
i
1. As pues, para 0 v
i
4, el transistor trabajar en la zona
hmica. Al hacerse v
i
> 4, el transistor pasar a trabajar en la zona saturacin, la corriente I
D
no variar y v
o
mantendr el valor correspondiente a v
i
= 4. En efecto, la condicin V
GS
1
queda asegurada por V
GS
= 5 v
o
y por el hecho de que v
o
mantenga su valor y la condicin
V
DS
> V
GS
1 queda asegurada por la condicin v
i
> 4, pues V
DS
> V
GS
1 se traduce en
v
i
v
o
> 5 v
o
1, v
i
> 4.
Para determinar la funcin de transferencia v
0
= F(v
i
), 0 v
i
5 bastar analizar el circuito
para 0 v
i
4, sabiendo que el transistor trabaja en la zona hmica. La corriente I
D
valdr
I
D
= K
_
2(V
GS
V
t
)V
DS
V
2
DS
= 2(V
GS
1)V
DS
V
2
DS
.
Con V
GS
= 5 v
o
y V
DS
= v
i
v
o
, se obtiene
I
D
= 2(4 v
o
)(v
i
v
o
) (v
i
v
o
)
2
= 8v
i
8v
o
2v
i
v
o
+ 2v
2
o
v
2
i
+ 2v
i
v
o
v
2
o
= v
2
o
8v
o
+ 8v
i
v
2
i
.
Por otro lado, v
o
= 10I
D
, obtenindose la ecuacin de segundo grado en v
o
v
o
= 10(v
2
o
8v
o
+ 8v
i
v
2
i
) ,
v
o
= 10v
2
o
80v
o
+ 80v
i
10v
2
i
,
10v
2
o
81v
o
+ 80v
i
10v
2
i
,
v
2
o
8,1v
o
+ 8v
i
v
2
i
= 0 ,
cuyas soluciones son
v
o
=
8,1
_
65,61 32v
i
+ 4v
2
i
2
= 4,05
_
v
2
i
8v
i
+ 16,4025 .
Discutamos el signo. Para v
i
= 0, el signo + da v
o
= 8,1 y el signo da v
o
= 0. Dado que
v
o
= (R/(R
DS
+ R))v
i
, para v
i
= 0, v
o
deber valer 0, y el signo correcto para v
i
= 0 es
el . El discriminante de la ecuacin v
2
i
8v
i
+ 16,4025 = 0 es < 0 y dicha ecuacin no
tiene soluciones reales. Siendo positivo el coeciente de v
2
i
en v
2
i
8v
i
+ 16,4025, se tendr
v
2
i
8v
i
+16,4025 > 0 para toda v
i
. Ello implica que el signo se ha de mantener para toda v
i
,
0 v
i
4, pues, de lo contrario, la funcin de transferencia no sera continua. As pues, para
0 v
i
4,
v
o
= 4,05
_
v
2
i
8v
i
+ 16,4025 .
Con v
i
= 4, se obtiene v
o
= 3,416 y, para 4 < v
i
5, v
o
= 3,416.
3) Una generalizacin de los razonamientos realizados en 2) lleva a las conclusiones de que, para
0 v
i
5 V
t
, el transistor trabajar en la zona hmica y de que, al hacerse v
i
> 5 V
t
,
el transistor pasar a trabajar a la zona saturacin y v
o
mantendr el valor correspondiente a
v
i
= 5 V
t
.
Para determinar la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
), 0 v
i
5 bastar analizar el circuito
para 0 v
i
5 V
t
, sabiendo que el transistor trabaja en la zona hmica. Teniendo en cuenta
que V
GS
= 5 v
o
y V
DS
= v
i
v
o
, la corriente I
D
valdr
I
D
= K
_
2(V
GS
V
t
)V
DS
V
2
DS
= 2K(5 V
t
v
o
)(v
i
v
o
) K(v
i
v
o
)
2
= 2K(5 V
t
)v
i
2K(5 V
t
)v
o
2Kv
i
v
o
+ 2Kv
2
o
Kv
2
i
Kv
2
o
+ 2Kv
i
v
o
= Kv
2
o
2K(5 V
t
)v
o
+ 2K(5 V
t
)v
i
Kv
2
i
.
Usando v
o
= RI
D
se obtiene la ecuacin de segundo grado en v
o
v
o
= R
_
Kv
2
o
2K(5 V
t
)v
o
+ 2K(5 V
t
)v
i
Kv
2
i
,
v
o
KR
= v
2
o
2(5 V
t
)v
o
+ 2(5 V
t
)v
i
v
2
i
,
101
v
2
o

_
2(5 V
t
) +
1
KR
_
v
o
+ 2(5 V
t
)v
i
v
2
i
= 0 .
Las soluciones de dicha ecuacin son
v
o
= 5 V
t
+
1
2KR

v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
.
Como en 2), hay que discutir el signo. Para v
i
= 0, el signo + da v
o
= 2(5 V
t
) +1/(KR) y el
signo da v
o
= 0. Como v
o
ha de ser 0, el signo correcto para v
i
= 0 es el . El discriminante
de la ecuacin v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+ [5 V
t
+ 1/(2KR)]
2
= 0 vale
4(5 V
t
)
2
4
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
< 0 .
As pues, la ecuacin v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+ [5 V
t
+ 1/(2KR)]
2
= 0 no tiene soluciones reales
y, siendo positivo el coeciente de v
2
i
en v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+ [5 V
t
+ 1/(2KR)]
2
, se tendr
v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+ [5 V
t
+ 1/(2KR)]
2
> 0 para toda v
i
. Ello implica que el signo se ha
de mantener para 0 v
i
5 V
t
, pues, de lo contrario, la funcin de transferencia no sera
continua. As pues, para 0 v
i
5 V
t
,
v
o
= 5 V
t
+
1
2KR

v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
. (3.21)
El valor de v
o
para 5 V
t
< v
i
5 se obtiene evaluando (3.21) para v
i
= 5 V
t
y es
v
o
= 5 V
t
+
1
2KR

_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
(5 V
t
)
2
.
4) Basta demostrar el resultado para 0 v
i
5 V
t
. Calculando dv
o
/dR usando (3.21), se
obtiene
dv
o
dR
=
1
2KR
2

1
2
2
_
5 V
t
+
1
2KR
__
1
2KR
2
_
v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
=
1
2KR
2
5 V
t
+
1
2KR

v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
.
Dado que, como se ha visto en 3), v
2
i
2(5V
t
)v
i
+[5V
t
+1/(2KR)]
2
es > 0, basta vericar
que
5 V
t
+
1
2KR
>
v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+
_
5 V
t
+
1
2KR
_
2
.
Pero v
2
i
2(5 V
t
)v
i
= v
i
[v
i
2(5 V
t
)], que, para 0 < v
i
5 V
t
, es < 0.
5) Calculando el lmite para R de (3.21) se obtiene, para 0 v
i
5 V
t
,
lm
R
v
o
= 5 V
t
_
v
2
i
2(5 V
t
)v
i
+ (5 V
t
)
2
= 5 V
t
_
[v
i
(5 V
t
)]
2
= 5 V
t
[(5 V
t
) v
i
] = v
i
.
La funcin de transferencia lmite para 5 V
t
< v
i
5 se obtiene evaluando el lmite anterior
en v
i
= 5 V
t
, con el resultado lm
R
v
o
= 5 V
t
, 5 V
t
< v
i
5.
Problema 54: Los MOSFETs del circuito de la gura son idnticos y tienen una V
t
= 1 V.
Analice el circuito y demuestre que para 1 v
i
3, v
o
= (v
i
+ 5)/2. Sugerencia: suponga
que los dos MOSFETs trabajan en saturacin y determine los valores de v
i
para los que eso es
cierto y la relacin que hay entre v
o
y v
i
.
5 V
v
i
v
o
Q2
Q1
Solucin: Sea K el parmetro de escala de corriente de los dos MOSFETs y denotemos con
los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros V
t
y K de, respectivamente, Q1 y
Q2. Supongamos Q1 y Q2 en saturacin. Dado que, por inspeccin, V
GS2
= V
DS2
, tenemos
V
DS2
< V
GS2
V
t2
= V
GS2
+1, por lo que para determinar los valores de v
i
para los cuales Q1
y Q2 estn en saturacin bastar imponer V
GS1
V
t1
= 1, V
DS1
V
GS1
V
t1
= V
GS1
+ 1
y V
GS2
V
y2
= 1. Por inspeccin, V
GS1
= v
i
v
o
y V
GS2
= v
o
5. Con Q1 y Q2 en
saturacin, tenemos
I
D1
= K
1
(V
GS1
V
t1
)
2
= K
1
(v
i
v
o
+ 1)
2
e
I
D2
= K
2
(V
GS2
V
t2
)
2
= K
2
(v
o
4)
2
.
Imponiendo I
D1
= I
D2
, obtenemos, usando K
1
= K
2
,
K
1
(v
i
v
o
+ 1)
2
= K
2
(v
o
4)
2
,
_
v
i
v
o
+ 1
v
o
4
_
2
= 1 ,
v
i
v
o
+ 1
v
o
4
= 1 .
Consideremos primero el signo +. Se tiene
v
i
v
o
+ 1 = v
o
4 ,
103
v
o
=
v
i
+ 5
2
.
Imponiendo V
GS1
1, se obtiene
v
i
v
o
1 ,
v
i
v
i
+ 5
2
1 ,
v
i
2

5
2
1 ,
v
i
3 .
Imponiendo V
DS1
V
GS1
+ 1, se obtiene, teniendo en cuenta V
DS1
= v
o
,
v
o
v
i
v
o
+ 1 ,
v
i
1 .
Por ltimo, imponiendo V
GS2
1, se obtiene
v
o
5 1 ,
v
i
+ 5
2
5 1 ,
v
i
2

5
2
1 ,
v
i
3 .
As pues, para 1 v
i
3, los dos MOSFETs estn en saturacin y v
o
= (v
i
+ 5)/2.
Captulo 4
Problemas de Anlisis de
Amplicadores de Pequea Seal
Problema 55: Analice el circuito de la gura y determine la ganancia de tensin A = v
o
/v
i
para frecuencias sucientemente grandes sabiendo que la del BJT vale = 200 y que las
resistencias del circuito valen R
S
= 10 k, R
1
= 10 k, R
C
= 500 , R
E
= 1 k y R
L
=
1 k. Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
=
0,2 V. Use V
T
= 25,9 mV.
R
1
+
v
o
R
C
R
L
C
2
C
3
5 V
R
E
v
i
R
S
C
1
R
1
Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin. Ello permitir vericar que el
BJT est en estado activo y permitir calcular la componente de polarizacin de la corriente de
colector, I
C
, que es necesaria para determinar el valor del parmetro r
del modelo de pequea

seal del BJT. El circuito de polarizacin es
10 k
5 V
500
1 k
10 k
106 4 Problemas de Anlisis de Amplicadores de Pequea Seal
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
5 V y las dos resistencias de valor 10 k que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se
obtiene
V
th
=
10
10 + 10
5 = 2,5 V,
R
th
= 10 10 =
10
2
= 5 k.
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, obtenemos el circuito
I
C
5 V
500
1 k
2,5 V
5 k
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos I
C
. Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
B C
E
200I
B
2,5 V
5 k 500
1 k
I
B I
C
0,7 V
5 V
201I
B
Hemos de vericar I
B
0 y V
CE
B
, aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,5 V, la resistencia de valor 5 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
2,5 = 5I
B
+ 0,7 + (1)(201I
B
) ,
1,8 = 206I
B
,
I
B
=
1,8
206
= 0,008738 ,
CE
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 500 , la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (0,5)(200I
B
) +V
CE
+ (1)(201I
B
) ,
5 = V
CE
+ 301I
B
,
107
V
CE
= 5 301I
B
= 5 (301)(0,008738) = 2,37 ,
que es 0,2. As pues, en el circuito de polarizacin, el BJT est en estado activo. La componente
de polarizacin de la corriente de colector vale
I
C
= 200I
B
= (200)(0,008738) = 1,748 mA,
y el parmetro r
del modelo de pequea seal del BJT vale

r
=
V
T
I
C
=
(200)(0,0259)
1,748
= 2,963 k.
El condensador de capacidad C
3
hace que la tensin en la salida del circuito v
o
tenga slo com-
ponente de pequea seal. La ganancia A = v
o
/v
i
puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias sucientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
B C
E
i
b
R
C
R
L
v
o
v
i
R
1
i
b
R
1
r
R
S
+
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R
1
y R
1
, por un lado, y R
C
y R
L
, por otro, obtenemos
R
1
R
1
=
R
1
2
=
10
2
= 5 k
y
R
C
R
L
=
R
C
R
L
R
C
+R
L
=
(0,5)(1)
0,5 + 1
= 0,3333 k,
y utilizndolos obtenemos el circuito de pequea seal
B C
E
v
o
i
b
200 i
b
v
i
5 k i
1
i
2
10 k
0,3333 k
2,963 k
+
Para determinar la ganancia A = v

o
/v
i
, calculemos v
i
y v
o
en funcin de i
b
. Obtenemos
v
b
= 2,963 i
b
,
i
1
=
v
b
5
=
2,963 i
b
5
= 0,5926 i
b
,
i
2
= i
1
+i
b
= 0,5926 i
b
+i
b
= 1,593 i
b
,
v
i
= 10i
2
+v
b
= (10)(1,593 i
b
) + 2,963 i
b
= 18,89 i
b
, (4.1)
v
o
= (0,3333)(200 i
b
) = 66,66 i
b
. (4.2)
Finalmente, combinando (4.1) y (4.2),
A =
v
o
v
i
=
66,66 i
b
18,89 i
b
= 3,529 .
o
/v
i
S
= 10 k, R
1
= 50 k, R
C
= 1 k, R
E
= 2 k y R
L
=
10 k. Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , V
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
=
0,2 V. Use V
T
= 25,9 mV.
R
E
5 V
C
1
C
2
C
3
R
L
R
S
v
i
v
o
R
C
R
1
R
1
+
Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando qoe el BJT est
en estado activo y calculando la componente de polarizacin de la corriente de colector, I
C
, y el
parmetro r
del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es

50 k
5 V
2 k
1 k
50 k
5 V y las dos resistencias de valor 50 k que tiene como salidas la base del BJT y masa.
V
th
=
50
50 + 50
5 = 2,5 V,
R
th
= 50 50 =
50
2
= 25 k.
109
5 V
I
C
2 k
1 k
25 k
2,5 V
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos I
C
. Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
I
B
5 V
2 k 201I
B
200I
B
0,7 V
25 k
2,5 V
I
C
1 k
E
B
C
Hemos de vericar I
B
0 y V
EC
B
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor 25 k y la fuente de tensin de valor 2,5 V,
obteniendo
5 = (2)(201I
B
) + 0,7 + 25I
B
+ 2,5 ,
1,8 = 427I
B
,
I
B
=
1,8
427
= 0,004215 ,
EC
cononociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (2)(201I
B
) +V
EC
+ (1)(200I
B
) ,
5 = V
EC
+ 602I
B
,
V
EC
= 5 602I
B
= 5 (602)(0,004215) = 2,463 ,
que es 0,2. As pues, en el circuito de polarizacin el BJT est en estado activo, la componente
de polarizacin de la corriente de colector vale
I
C
= 200I
B
= (200)(0,004215) = 0,843 mA,
y el parmetro r
del circuito de pequea seal del BJT vale

r
=
V
T
I
C
=
(200)(0,0259)
0,843
= 6,145 k.
3
o
tenga slo com-
o
/v
i
B C
E
R
S
i
b
R
C
R
L
v
o
v
i
R
1
i
b
R
1
r

1
y R
1
, por un lado, y R
C
y R
L
R
1
R
1
=
R
1
2
=
50
2
= 25 k
y
R
C
R
L
=
R
C
R
L
R
C
+R
L
=
(1)(10)
1 + 10
= 0,9091 k,
B C
E
0,9091 k
v
o
i
b
200 i
b
v
i
i
1
25 k
10 k
i
2
6,145 k
+
Para determinar la ganancia A = v

o
/v
i
, calculemos v
i
y v
o
en funcin de i
b
. Obtenemos
v
b
= 6,145 i
b
,
i
1
=
v
b
25
=
6,145 i
b
25
= 0,2458 i
b
,
i
2
= i
1
i
b
= 0,2458 i
b
i
b
= 1,246 i
b
,
v
i
= 10 i
2
+v
b
= (10)(1,246 i
b
) 6,145 i
b
= 18,61 i
b
, (4.3)
v
o
= (0,9091)(200 i
b
) = 181,8 i
b
. (4.4)
111
A =
v
o
v
i
=
181,8 i
b
18,61 i
b
= 9,769 .
o
/v
i
S
= 100 k, R
1
= 1 M, R
E
= 10 k y R
L
= 10 k. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , V
BE0
= 0,7 V y V
CE,sat
= 0,2 V. Use
V
T
= 25,9 mV.
R
E
R
L
C
2
v
o
C
1
10 V
v
i
R
1
R
1
R
S
+
Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el BJT est
C
, y el
parmetro r
del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es

10 k
10 V
1 M
1 M
10 V y las resistencias de valor 1 M que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se obtiene
V
th
=
1 M
1 M + 1 M
10 = 5 V,
R
th
= 1 M 1 M =
1 M
2
= 500 k.
I
C
5 V
500 k
10 k
10 V
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito
B C
E
100I
B
I
B
0,7 V
5 V
500 k
10 k
10 V
I
C
101I
B
Hemos de vericar I
B
0 y V
CE
B
5 = 500I
B
+ 0,7 + (10)(101I
B
) ,
4,3 = 1.510I
B
,
I
B
=
4,3
1.510
= 0,002848 ,
CE
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor 10 k, obteniendo
10 = V
CE
+ (10)(101I
B
) ,
10 = V
CE
+ 1.010I
B
,
V
CE
= 10 1.010I
B
= 10 (1.010)(0,002848) = 7,124 ,
que es 0,2. La componente de polarizacin de la corriente de colector vale
I
C
= 100I
B
= (100)(0,002848) = 0,2848 mA,
y el parmetro r

r
=
V
T
I
C
=
(100)(0,0259)
0,2848
= 9,094 k.
113
2
o
tenga slo com-
o
/v
i
B C
E
r
i
b
i
b
v
o
R
S
R
1
R
E
R
L
R
1
+
v
i
1
y R
1
, por un lado, y R
E
y R
L
R
1
R
1
=
R
1
2
=
1 M
2
= 500 k
y
R
E
R
L
=
R
E
R
L
R
E
+R
L
=
(10)(10)
10 + 10
= 5 k,
B C
E
101 i
b
i
b
v
o
100 i
b
i
1
i
2
+
500 k
v
i
100 k
5 k
9,094 k
Para calcular la ganancia A = v
o
/v
i
, calcularemos v
i
y v
o
en funcin de i
b
. Obtenemos
v
b
= 9,094 i
b
+ 5(101 i
b
) = 514,1 i
b
,
i
1
=
v
b
500
=
514,1 i
b
500
= 1,028 i
b
,
i
2
= i
1
+i
b
= 1,028 i
b
+i
b
= 2,028 i
b
,
v
i
= v
b
+ 100 i
2
= 514,1 i
b
+ (100)(2,028 i
b
) = 716,9 i
b
, (4.5)
v
o
= (5)(101 i
b
) = 505 i
b
. (4.6)
A =
v
o
v
i
=
505 i
b
716,9 i
b
= 0,7044 .
o
/v
i
S
= 200 k, R
B
= 500 k, R
E
= 10 k y R
L
= 20 k. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , V
EB0
= 0,7 V y V
EC,sat
= 0,2 V. Use
V
T
= 25,9 mV.
+
v
i
v
o
R
L
10 V
R
E
R
B
C
1
C
2
R
S
Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el BJT est
C
, y el
parmetro r
del modelo de peque seal del BJT. El circuito de polarizacin es

10 k
10 V
I
C
500 k
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito
0,7 V
10 V
10 k
100I
B
I
C I
B
500 k
B C
E
101I
B
115
Hemos de vericar I
B
0 y V
EC
B
10 = (10)(101I
B
) + 0,7 + 500I
B
,
1.510I
B
= 9,3 ,
I
B
=
9,3
1.510
= 0,006159 ,
EC
conociendo I
B
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
10 = (10)(101I
B
) +V
EC
,
10 = 1.010I
B
+V
EC
,
V
EC
= 10 1.010I
B
= 10 (1.010)(0,006159) = 3,779 ,
que es 0,2. El BJT est, pues, en estado activo, la componente de polarizacin de la corriente
de colector vale
I
C
= 100I
B
= (100)(0,006159) = 0,6159 mA,
y el parmetro r

r
=
V
T
I
C
=
(100)(0,0259)
0,6159
= 4,205 k.
2
o
tenga slo com-
o
/v
i
B C
E
R
B
i
b
v
o
R
S
R
E
R
L
+
v
i r
i
b
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores R
E
y R
L
, obtenemos
R
E
R
L
=
R
E
R
L
R
E
+R
L
=
(10)(20)
10 + 20
= 6,667 k,
y utilizndolo obtenemos el circuito de pequea seal
B C
E
100 i
b
i
b
v
o
i
1
i
2
+
200 k
v
i
101i
b 6,667 k
500 k
4,205 k
Para calcular la ganancia A = v
o
/v
i
, calcularemos v
i
y v
o
en funcin de i
b
. Obtenemos
v
b
= 4,205 i
b
(6,667)(101 i
b
) = 677,6 i
b
,
i
1
=
v
b
500
=
677,6 i
b
500
= 1,355 i
b
,
i
2
= i
1
i
b
= 1,355 i
b
i
b
= 2,355 i
b
,
v
i
= 200 i
2
+v
b
= (200)(2,355 i
b
) 677,6 i
b
= 1.149 i
b
, (4.7)
v
o
= (6,667)(101 i
b
) = 673,4 i
b
. (4.8)
A =
v
o
v
i
=
673,4 i
b
1.149 i
b
= 0,5856 .
Problema 59: Suponiendo que los BJTs trabajan en el estado activo y que las frecuencias de
las tensiones v
1
y v
2
son sucientemente grandes, analice el circuito de la gura y exprese v
o
en funcin de v
1
, v
2
, los parmetros r
y de los modelos de pequea seal de los BJTs y las

resistencias del circuito.
V
cc
R
C
R
1
R
1
C
1
C
1
C
2
C
2

R
S
R
E
R
S
R
L
C
3
R
E
R
1
R
1
v
2 v
1
+ +
v
o
Solucin: El condensador de capacidad C
3
hace que la tensin de salida v
o
tenga slo compo-
nente de pequea seal. Para frecuencias sucientemente grandes, las capacidades pueden ser
117
sustituidas por cortocircuitos y, con
R
C
= R
C
R
L
=
R
C
R
L
R
C
+R
L
, (4.9)
el circuito de pequea seal es
B1 C1
E1 E2
B2 C2
(i
b1
+ i
b2
)
v
1 v
2
i
1
i
b1
i
1
R
S
R
C
v
o
R
1
/2
i
b1 i
b2
r
R
S
R
1
/2
i
b2
+
Para analizar el circuito, empezaremos calculando i

b1
en funcin de v
1
. Para ello, lo ms fcil es
calcular v
1
en funcin de i
b1
e invertir la relacin.
v
b1
= r
i
b1
,
i
1
=
v
b1
R
1
/2
=
r
i
b1
R
1
/2
=
2r
R
1
i
b1
,
i
1
= i
1
+i
b1
=
2r
R
1
i
b1
+i
b1
=
_
1 +
2r
R
1
_
i
b1
=
R
1
+ 2r
R
1
i
b1
,
v
1
= R
S
i
1
+v
b1
= R
S
R
1
+ 2r
R
1
i
b1
+r
i
b1
=
_
R
1
+ 2r
R
1
R
S
+r
_
i
b1
,
i
b1
=
v
1
R
1
+ 2r
R
1
R
S
+r
. (4.10)
Por simetra,
i
b2
=
v
2
R
1
+ 2r
R
1
R
S
+r
. (4.11)
Finalmente,
v
o
= R
C
(i
b1
+i
b2
) ,
y, usando (4.9), (4.10) y (4.11),
v
o
=
R
C
R
L
R
C
+R
L
R
1
+ 2r
R
1
R
S
+r
(v
1
+v
2
) .
o
/v
i
para
frecuencias sucientemente grandes sabiendo que los parmetros V
t
y K del MOSFET valen
V
t
= 1 V y K = 50 mA/V
2
y que las resistencias del circuito valen R
I
= 10 k, R
1
= 300 k,
R
2
= 500 k, R
D
= 2 k, R
S
= 1 k y R
L
= 1 k.
v
i
v
o
10 V
R
2
R
1
R
D
R
S
R
L
C
1
C
2
R
I
+
Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

trabaja en la zona saturacin y calculando la componente de polarizacin de la corriente de
drenador, I
D
, lo cual permitir calcular el valor del parmetro g
m
del modelo de pequea seal
del MOSFET. El circuito de polarizacin es
I
D
10 V
2 k
1 k
500 k
300 k
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturacin. Se ha de vericar V
GS
V
t
= 1 y V
DS

V
GS
V
t
= V
GS
1. Teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del MOSFET es nula,
la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 500 k y la resistencia de valor 300 k
forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta, V
G
, resulta valer
V
G
=
300
300 + 500
10 = 3,75 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 300 k, el
MOSFET y la resistencia de valor 1 k, obtenemos
3,75 = V
GS
+ (1)I
D
= V
GS
+I
D
.
Por otro lado, con el MOSFET en saturacin,
I
D
= K(V
GS
V
t
)
2
= 50(V
GS
1)
2
, (4.12)
que, combinada con la ecuacin anterior, da la ecuacin de segundo grado en V
GS
3,75 = V
GS
+ 50(V
GS
1)
2
= 50V
2
GS
99V
GS
+ 50 ,
119
50V
2
GS
99V
GS
+ 46,25 = 0 ,
GS
= 1,225 y V
GS
= 0,7553. Slo la solucin V
GS
= 1,225 verica
V
GS
1. Retengmosla y veriquemos V
DS
V
GS
1 = 1,225 1 = 0,225. De (4.12),
I
D
= 50(1,225 1)
2
= 2,531 .
Calculemos la tensin de fuente, V
S
, y la tensin de drenador, V
D
:
V
S
= (1)I
D
= 2,531 ,
V
D
= 10 2I
D
= 10 (2)(2,531) = 4,938 .
Resulta
V
DS
= V
D
V
S
= 4,938 2,531 = 2,407 ,
que es 0,225. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e I
D
= 2,531 mA. El parmetro g
m
del modelo de pequea seal del MOSFET resulta valer
g
m
= 2
_
KI
D
= 2
_
(50)(2,531) = 22,5 mA/V.
2
hace que la tensin v
o
tenga slo componente de pequea se-
al. As pues, la ganancia A = v
o
/v
i
puede ser calculada analizando el circuito de pequea
seal. Para frecuencias sucientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por
cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
G D
S
v
i
v
o
R
1 R
2
R
S
R
D
R
L
g
m
v
gs
R
I
+
1
y R
2
, por un lado, y R
D
y R
L
R
1
R
2
=
R
1
R
2
R
1
+R
2
=
(300)(500)
300 + 500
= 187,5 k,
R
D
R
L
=
R
D
R
L
R
D
+R
L
=
(2)(1)
2 + 1
= 0,6667 k,
G D
S
v
i
187,5 k
v
o
1 k
22,5 v
gs
10 k
0,6667 k
+
Calculemos v
gs
en funcin de v
i
. Obtenemos
v
g
=
187,5
10 + 187,5
v
i
= 0,9494 v
i
,
v
s
= (1)(22,5 v
gs
) = 22,5 v
gs
,
v
gs
= v
g
v
s
= 0,9494 v
i
22,5 v
gs
,
23,5 v
gs
= 0,9494 v
i
,
v
gs
=
0,9494 v
i
23,5
= 0,0404 v
i
.
Finalmente,
v
o
= (0,6667)(22,5 v
gs
) = (0,6667)(22,5)(0,0404 v
i
) = 0,606 v
i
,
y
A =
v
o
v
i
= 0,606 .
o
/v
i
para
t
V
t
= 1 V y K = 1 mA/V
2
I
= 10 k, R
G
= 500 k,
R
S
= 20 k y R
L
= 1 k.
R
I
v
i
v
o
5 V
R
G
R
S
R
L
C
1
C
2
+

trabaja en la zona saturacin y calculando la componente de polarizacin de la corriente de drena-
121
dor, I
D
, y el parmetro g
m
del modelo de pequea seal del MOSFET. El circuito de polarizacin
es
500 k
20 k
5 V
I
D
GS
V
t
= 1 y V
DS

V
GS
V
t
= V
GS
1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de puerta
vale V
G
= 5. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = V
GS
+ 20I
D
,
por otro lado, con el MOSFET en saturacin,
I
D
= K(V
GS
V
t
)
2
= (V
GS
1)
2
. (4.13)
Combinndola con la anterior, obtenemos la ecuacin de segundo grado en V
GS
,
5 = V
GS
+ 20(V
GS
1)
2
= 20V
2
GS
39V
GS
+ 20 ,
20V
2
GS
39V
GS
+ 15 = 0 ,
GS
= 1,423 y V
GS
GS
= 1,423 verica
V
GS
DS
V
GS
1 = 1,423 1 = 0,423. De (4.13),
obtenemos
I
D
= (1,423 1)
2
= 0,179 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
5 = V
DS
+ 20 I
D
,
de donde,
V
DS
= 5 20 I
D
= 5 (20)(0,179) = 1,42 ,
D
= 0,179 mA. El parmetro g
m
del modelo de pequea seal del MOSFET vale
g
m
= 2
_
KI
D
= 2
_
(1)(0,179) = 0,846 mA/V.
2
o
o
/v
i
G D
S
v
i
R
I
R
G
R
S
R
L
v
o
g
m
v
gs
+
S
y R
L
, obtenemos
R
S
R
L
=
R
S
R
L
R
S
+R
L
=
(20)(1)
20 + 1
= 0,9524 k,
G D
S
0,9524 k
v
i
v
o
0,846 v
gs 500 k
10 k
+
Calculemos v
gs
en funcin de v
i
. Obtenemos
v
g
=
500
10 + 500
v
i
= 0,9804 v
i
,
v
s
= (0,9524)(0,846 v
gs
) = 0,8057 v
gs
,
v
gs
= v
g
v
s
= 0,9804 v
i
0,8057 v
gs
,
1,806 v
gs
= 0,9804 v
i
,
v
gs
=
0,9804 v
i
1,806
= 0,5429 v
i
.
Finalmente,
v
o
= v
s
= 0,8057 v
gs
= (0,8057)(0,5429 v
i
) = 0,4374 v
i
,
y
A =
v
o
v
i
= 0,4374 .
123
o
/v
i
para frecuencias sucientemente grandes sabiendo que los parmetros V
t
y K del MOSFET
valen V
t
= 1 V y K = 10 mA/V
2
I
= 100 k,
R
1
= 500 k, R
2
= 2 M, R
S
= 50 k y R
L
= 10 k.
v
i
v
o
5 V
R
S
R
L
C
1
C
2
R
1
R
2
R
I
+

dor, I
D
, y el parmetro g
m
es
500 k
5 V
I
D
50 k 2 M
5 V, la resistencia de valor 500 k y la resistencia de valor 2 M que tiene como salidas la puerta
del MOSFET y masa. Se obtiene
V
th
=
2.000
500 + 2.000
5 = 4 V
y
R
th
= 500 2.000 =
(500)(2.000)
500 + 2.000
= 400 k.
50 k
4 V
400 k
I
D
5 V
GS
V
t
= 1 y V
DS

V
GS
V
t
= V
GS
1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de puerta
vale V
G
= 4 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 4 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
4 = V
GS
+ 50I
D
,
I
D
= K(V
GS
V
t
)
2
= 10(V
GS
1)
2
. (4.14)
GS
,
4 = V
GS
+ 500(V
GS
1)
2
= 500V
2
GS
999V
GS
+ 500 ,
500V
2
GS
999V
GS
+ 496 = 0 ,
GS
= 1,076 y V
GS
GS
= 1,076 verica
V
GS
DS
V
GS
1 = 1,076 1 = 0,076. De (4.14),
obtenemos
I
D
= (10)(1,076 1)
2
= 0,05776 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
5 = V
DS
+ 50I
D
,
de donde,
V
DS
= 5 50I
D
= 5 (50)(0,05776) = 2,112 ,
D
= 0,05776 mA. El parmetro
g
m
g
m
= 2
_
KI
D
= 2
_
(10)(0,05776) = 1,52 mA/V.
2
o
o
/v
i
G D
S
+
R
S
R
L
v
o
g
m
v
gs
v
i
R
I
R
2 R
1
Calculando los equivalente de las resistencias en paralelo de valores R
1
y R
2
, por un lado, y R
S
y R
L
R
1
R
2
=
R
1
R
2
R
1
+R
2
=
(500)(2.000)
500 + 2.000
= 400 k,
125
R
S
R
L
=
R
S
R
L
R
S
+R
L
=
(50)(10)
50 + 10
= 8,333 k,
G D
S
8,333 k
v
i
v
o
100 k
400 k 1,52v
gs
+
Calculemos v
gs
en funcin de v
i
. Obtenemos
v
g
=
400
100 + 400
v
i
= 0,8 v
i
,
v
s
= (8,333)(1,52 v
gs
) = 12,67 v
gs
,
v
gs
= v
g
v
s
= 0,8 v
i
12,67 v
gs
,
13,67 v
gs
= 0,8 v
i
,
v
gs
=
0,8 v
i
13,67
= 0,05852 v
i
.
Finalmente,
v
o
= v
s
= 12,67 v
gs
= (12,67)(0,05852 v
i
) = 0,7414 v
i
,
y
A =
v
o
v
i
= 0,7414 .
o
/v
i
para
t
V
t
= 1 V y K = 5 mA/V
2
I
= 50 k, R
G
= 1 M,
R
S
= 20 k y R
L
= 10 k.
v
i
R
I
C
1
R
G
R
S
C
2
R
L
v
o
5 V
+

dor, I
D
, y el parmetro g
m
es
5 V
20 k
I
D
1 M
GS
V
t
= 1 y
V
DS
V
GS
V
t
= V
GS
+ 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de
puerta vale V
G
= 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = 20I
D
V
GS
,
I
D
= K(V
GS
V
t
)
2
= 5(V
GS
+ 1)
2
. (4.15)
GS
,
5 = 100(V
GS
+ 1)
2
V
GS
= 100V
2
GS
+ 199V
GS
+ 100 ,
100V
2
GS
+ 199V
GS
+ 95 = 0 ,
GS
= 0,7949 y V
GS
GS
= 1,195 verica
V
GS
DS
V
GS
+ 1 = 1,195 + 1 = 0,195. De (4.15),
obtenemos
I
D
= (5)(1,195 + 1)
2
= 0,1901 .
resistencia de valor 20 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 20I
D
V
DS
,
de donde,
V
DS
= 5 + 20 I
D
= 5 + (20)(0,1901) = 1,198 ,
D
= 0,1901 mA. El parmetro
g
m
g
m
= 2
_
KI
D
= 2
_
(5)(0,1901) = 1,95 mA/V.
2
o
o
/v
i
127
G D
S
v
i
R
I
R
G
R
S
R
L
v
o
g
m
v
gs
+
S
y R
L
, obtenemos
R
S
R
L
=
R
S
R
L
R
S
+R
L
=
(20)(10)
20 + 10
= 6,667 k,
G D
S
1,95 v
gs
v
i
v
o
50 k
1 M
6,667 k
+
Calculemos v
gs
en funcin de v
i
. Obtenemos
v
g
=
1.000
50 + 1.000
v
i
= 0,9524 v
i
,
v
s
= (6,667)(1,95 v
gs
) = 13 v
gs
,
v
gs
= v
g
v
s
= 0,9524 v
i
13 v
gs
,
14 v
gs
= 0,9524 v
i
,
v
gs
=
0,9524 v
i
14
= 0,06803 v
i
.
Finalmente,
v
o
= v
s
= 13 v
gs
= (13)(0,06803 v
i
) = 0,8844 v
i
,
y
A =
v
o
v
i
= 0,8844 .
Problema 64: Suponiendo que el MOSFET trabaja en la zona saturacin, analice el circuito
de la gura y, para frecuencias sucientemente grandes, exprese v
o
en funcin de v
1
, v
2
, el
parmetro g
m
del modelo de pequea seal del MOSFET y las resistencias del circuito.
+
v
1
R
I
C
1
R
I
C
1
v
2
R
1
R
2
R
S
R
L
C
2
C
3
v
o
R
D
V
DD
+
Solucin: El condensador de capacidad C

3
hace que la tensin de salida v
o
tenga slo compo-
nente de pequea seal, por lo que v
o
puede ser determinada analizando el circuito de pequea
seal. Para frecuencias sucientemente grandes, las capacidades pueden ser sustituidas por cor-
tocircuitos en el circuito de pequea seal y, con R
= R
1
R
2
y R
L
= R
D
R
L
, ste es
G D
S
R
I
v
1
R
I
R
g
m
v
gs
v
2
v
o
R
L
+
Aplicando el principio de superposicin, la tensin v

g
vale v
g
= v
g1
+ v
g2
, donde v
g1
es la
componente debida a v
1
y v
g2
es la componente debida a v
2
. Con R
= R
I
R
= R
I
R
1
R
2
,
v
g1
puede ser evaluada analizando el circuito
v
1
R
v
g1
R
I
+
Obtenemos
v
g1
=
R
R
I
+R
v
1
.
129
Por simetra,
v
g2
=
R
R
I
+R
v
2
,
y
v
g
=
R
R
I
+R
(v
1
+v
2
) .
Finalmente,
v
o
= R
L
g
m
v
gs
= R
L
g
m
v
g
= R
L
g
m
R
R
I
+R
(v
1
+v
2
) = R
L
g
m
1
1 +R
I
/R
(v
1
+v
2
) ,
y, usando
1
R
=
1
R
I
+
1
R
1
+
1
R
2
y
R
L
=
R
D
R
L
R
D
+R
L
,
v
o
=
R
D
R
L
R
D
+R
L
g
m
1
2 +R
I
/R
1
+R
I
/R
2
(v
1
+v
2
) .
Captulo 5
Amplicadores Operacionales
Problema 65: Sabiendo que el amplicador operacional tiene tensiones de saturacin 10 V y
10 V, determine la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
) del circuito de la gura para 5 V
v
i
5 V. A continuacin, suponiendo que v
i
es una tensin senoidal de amplitud 3 V, determine
la potencia media entregada a la resistencia de carga R
L
para R
L
= 2 k.
+
R
L
v
o
1 k 5 k
v
i
Solucin: El amplicador operacional est realimentado negativamente y, por tanto, suponiendo
10 v
o
10, el amplicador operacional trabajar en la zona lineal. El circuito es un ampli-
cador no inversor y, con el amplicador operacional trabajando en la zona lineal, se tendr
v
o
v
i
= 1 +
5
1
= 6 ,
v
o
= 6v
i
.
Imponiendo 10 v
o
10, obtenemos 10 6 v
i
10, 1,667 v
i
1,667. Para
v
i
> 1,67, el amplicador operacional estar saturado positivamente y v
o
= 10. Para compro-
barlo, hemos de vericar que v
+
> v
, donde v
+
es la tensin en la entrada no inversora del
amplicador operacional y v
es la tensin en la entrada inversora del amplicador operacio-

nal. Por inspeccin, v
+
= v
i
y, usando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del
amplicador operacional es nula, obtenemos
v
=
1
1 + 5
v
o
=
10
6
= 1,667 ,
132 5 Problemas de Anlisis de Circuitos con Amplicadores Operacionales
y v
+
> v
para v
i
> 1,667. Para v
i
< 1,667, el amplicador operacional estar saturado nega-
tivamente y v
o
= 10. Para comprobarlo, hemos de vericar que v
+
< v
. Por inspeccin, v
+
=
v
i
y, usando el hecho de que la corrientes por la entrada inversora del amplicador operacional
es nula, obtenemos
v
=
1
1 + 5
v
o
=
10
6
= 1,667 ,
y v
+
< v
para v
i
< 1,667. La siguiente gura muestra la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
)
1,667
10
10
v
i
v
o
1,667
La potencia media entregada a la carga vale
P =
V
2
o,ef
R
L
,
donde V
o,ef
es el valor ecaz de la tensin de salida v
o
. Siendo T el periodo de v
i
, se tiene
v
i
(t) = 3 sen
_
2
t
T
_
.
La tensin v
o
(t) tambin tendr periodo T. La siguiente gura representa v
i
(t) y v
o
(t) usando la
variable = 2t/T.
1,667
3
3
2
10
10
v
i
v
o
1,667
Determinemos :
1,667 = 3 sen() , 0 < < /2 ,
133
= arc sen
_
1,667
3
_
= arc sen(0,5557) = 0,5892 rad .
V
2
o,ef
vale
V
2
o,ef
=
1
T
_
T
0
v
2
o
(t) dt .
Dadas las simteras de v
2
o
(t), tenemos
V
2
o,ef
=
1
T/4
_
T/4
0
v
2
o
(t) dt . (5.1)
En el intervalo [0, T/4], v
o
(t) vale
v
o
(t) =
_
_
6 v
i
(t) = 18 sen
_
2
t
T
_
, 0 2
t
T

10 , 2
t
T

2
.
Haciendo el cambio de variable = 2t/T en (5.1), obtenemos
V
2
o,ef
=
1
/2
_
/2
0
v
2
o
() d =
1
/2
_
_

0
(18 sen )
2
d +
_
/2
10
2
d
_
=
1
/2
_
324
_

0
sen
2
d + 100
_
/2
d
_
=
1
/2
_
324
_
2

sen(2)
4
_
0
+ 100
_
2

_
_
=
1
/2
(62 81 sen(2) + 50) ,
y, usando = 0,5892 rad,
V
2
o,ef
= 75,61 V
2
,
obtenindose
P =
V
2
o,ef
R
L
=
75,61 V
2
2.000
=
75,61
2.000
W = 0,03781 W = 37,81 mW.
Problema 66: Suponiendo que v
o
est comprendida entre la tensiones de saturacin del ampli-
cador operacional, analice el circuito de la gura y determine v
o
en funcin de v
1
, v
2
y las
resistencias R
1
, R
2
, R y R
. Se escoge R = R
1
= 1 k. Qu valores debern tener R
2
y R
para que v
o
= 4v
1
+v
2
?
+
v
o
v
1
v
2
R
R
R
1
R
2
Solucin: Usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplicador
operacional es nula, es posible calcular la tensin de dicha entrada, v
+
, analizando el circuito
R
1 R
2
v
1 v
2
v
+
+
Aplicando el principio de superposicin, obtenemos

v
+
=
R
2
R
1
+R
2
v
1
+
R
1
R
1
+R
2
v
2
,
y, considerando que desde la entrada no inversora a la salida el circuito es un amplicador no
inversor,
v
o
=
_
1 +
R
R
_
v
+
=
_
1 +
R
R
_
R
2
R
1
+R
2
v
1
+
_
1 +
R
R
_
R
1
R
1
+R
2
v
2
.
Con R = R
1
= 1 k,
v
o
= (1 +R
)
R
2
R
2
+ 1
v
1
+ (1 +R
)
1
R
2
+ 1
v
2
.
Identicando coecientes, obtenemos el sistema de dos ecuaciones
(1 +R
)
R
2
R
2
+ 1
= 4
(1 +R
)
1
R
2
+ 1
= 1 .
Dividindolas, obtenemos R
2
= 4 k. Sustituyendo dicho valor en la segunda ecuacin, obtene-
mos
(1 +R
)
1
5
= 1 ,
1 +R
= 5 ,
R
= 4 k.
Problema 67: Analice el circuito de la gura y, suponiendo que las tensiones en las salidas de
los dos amplicadores operacionales estn comprendidas entre las tensiones de saturacin, de-
termine el valor de v
o
en funcin de v
i
. Suponga ahora que los dos amplicadores operacionales
tienen tensiones de saturacin V y V , donde V > 0. De qu valores habr que escoger R
2
/R
1
135
y R
4
/R
3
para que v
o
= 3v
i
para el mayor rango de valores posible para v
i
?
+
v
i
R
4
R
3
R
2
R
1
v
o
+
+
+
Solucin: Llamemos v
o1
a la tensin en la salida del amplicador operacional superior y v
o2
a
la tensin en la salida del amplicador operacional inferior. De v
i
a v
o1
tenemos un amplicador
inversor y de v
i
a v
o2
tenemos un amplicador no inversor. Entonces, suponiendo que v
o1
y
v
o2
estn comprendidas entre las tensiones de saturacin de los amplicadores operacionales
respectivos, tendremos
v
o1
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
i
,
v
o2
=
R
4
R
3
,
y
v
o
= v
o1
v
o2
=
_
1 +
R
2
R
1
+
R
4
R
3
_
v
i
.
Para que v
o
= 3v
i
, R
2
/R
1
y R
4
/R
3
debern satisfacer
1 +
R
2
R
1
+
R
4
R
3
= 3 ,
R
2
R
1
+
R
4
R
3
= 2 . (5.2)
Para que el amplicador operacional superior no se sature, v
i
deber satisfacer
_
1 +
R
2
R
1
_
|v
i
| V ,
|v
i
|
V
1 +R
2
/R
1
.
Para que el amplicador operacional inferior no se sature, v
i
deber satisfacer
R
4
R
3
|v
i
| V ,
|v
i
|
V
R
4
/R
3
.
Por tanto, para que v
o
= 3v
i
, v
i
deber satisfacer
|v
i
| mn
_
V
1 +R
2
/R
1
,
V
R
4
/R
3
_
= V mn
_
1
1 +R
2
/R
1
,
1
R
4
/R
3
_
,
y el rango de valores para v
i
para los cuales v
o
= 3v
i
ser [V
I
, V
I
], con
V
I
= V mn
_
1
1 +R
2
/R
1
,
1
R
4
/R
3
_
.
Dicho rango se maximiza maximizando V
I
. As pues, se trata de localizar el mximo de V
I
sujeto
a lad restricciones R
2
/R
1
0, R
4
/R
3
0 y (5.2). Con x = R
2
/R
1
, se trata de localizar el
mximo de
mn
_
1
1 +x
,
1
2 x
_
en el intervalo para x, [0, 2]. La funcin 1/(1 + x) es decreciente con x y vara en el intervalo
entre 1 y 1/3. La funcin 1/(2 x) es creciente con x y vara en el intervalo entre 1/2 e . El
mximo se encuentra pues en el x que verica
1
1 +x
=
1
2 x
,
2 x = 1 +x,
1 = 2x,
x =
1
2
.
As pues, el rango de valores de v
i
para los cuales v
o
= 3v
i
se maximiza para R
2
/R
1
= 1/2 y
R
4
/R
3
= 2 R
2
/R
1
= 2 1/2 = 3/2.
Problema 68: Analice el circuito de la gura suponiendo R > 0 y a) demuestre que la reali-
mentacin es negativa; b) suponiendo que el amplicador operacional trabaja en la zona lineal,
demuestre que i = v
i
/R; c) con R = 5 k y R
L
= 1 k, obtenga el intervalo para v
i
en el
cual i(mA) = v
i
(V)/5 sabiendo que las tensiones de saturacin del amplicador operacional
son 10 V y 10 V.
i
+
v
i
R
L
10 k 10 k
R R
Solucin: a) Sea v
o
la tensin en la salida del amplicador operacional. Utilizando el hecho
de que las corrientes por las entradas del amplicador operacional son nulas, obtenemos que la
137
tensin de la entrada inversora vale
v
=
10
10 + 10
v
o
=
v
o
2
y que la tensin de la entrada no inversora, v
+
, puede ser evaluada en funcin de v
i
y v
o
anali-
zando el circuito
R
L
v
+
R R
v
i v
o
+
Utilizando el principio de superposicin para analizar este ltimo circuito obtenemos, con R
=
R R
L
= RR
L
/(R +R
L
),
v
+
=
R
+R
v
i
+
R
+R
v
o
= v
i
+ v
o
,
=
R
+R
=
RR
L
R +R
L
RR
L
R +R
L
+R
=
RR
L
2RR
L
+R
2
<
1
2
.
Llamando Aa la ganancia diferencial del amplicador operacional, las ecuaciones obtenidas para
v
y v
+
en funcin de v
i
y v
o
conducen al diagrama de bloques
A
v
i
+
+
+
1/2
que puede ser reducido a
1/2
A v
i
+
Siendo < 1/2, 1/2 > 0, y la realimentacin es negativa.
b) Analizaremos el circuito usando el hecho de que las corrientes por las entradas del amplicador
operacional son nulas y usando el teorema del cortocircuito virtual. Sean i
1
e i
2
las corrientes y
sea v
o
la tensin indicadas en la gura
i
+
R
L
10 k 10 k
R R
i
2
i
1
v
i
v
o
Utilizando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del amplicador operacional es
nula, la tensin en dicha entrada vale
v
=
10
10 + 10
v
o
=
v
o
2
.
Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la entrada no inversora vale
v
+
= v
=
v
o
2
.
La corriente i
1
resulta, por tanto, valer
i
1
=
v
o
v
+
R
=
v
o
v
o
/2
R
=
v
o
2R
y la corriente i
2
i
2
=
v
+
v
i
R
=
v
o
/2 v
i
R
=
v
o
2R

v
i
R
.
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo donde se conectan las dos resisten-
cias R y la resistencia R
L
, teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del
amplicador operacional es nula,
i
1
= i
2
+i ,
i = i
1
i
2
=
v
i
R
.
c) Obtengamos una expresin para la tensin en la salida del amplicador operacional, v
o
, en
funcin de v
i
. Utilizando la ley de Ohm y la relacin entre i y v
i
,
v
+
= R
L
i =
R
L
R
v
i
.
Tal y como se ha visto en b),
v
+
=
v
o
2
.
Combinndolas obtenemos
v
o
= 2 v
+
= 2
R
L
R
v
i
.
139
Para R = 5 k y R
L
= 1 k,
v
o
=
2
5
v
i
= 0,4 v
i
.
La relacin entre i y v
i
se ha obtenido suponiendo que el amplicador trabajaba en la zona lineal.
Siendo la realimentacin negativa, la nica condicin a imponer es 10 v
o
10. Ello conduce
a 10 0,4 v
i
10 y a 25 v
i
25. As pues, el intervalo para v
i
es [25, 25].
Problema 69: Analice el circuito de la gura y, suponiendo que el amplicador operacional
trabaja en la zona lineal, demuestre que i = (R
2
/R
1
)(v
i
/R
L
). Suponga, a continuacin, R
1
=
1 k y R
2
= 5 k y que las tensiones de saturacin del amplicador operacional valen 5 V y
10 V. Entre qu valores podr variar v
i
de modo que i = 5v
i
/R
L
?
R
L
+
v
i
i
R
1
R
2
Solucin: De la entrada no inversora a la salida del amplicador operacional, el circuito es un

amplicador no inversor. As pues, llamando v
o
a la tensin de salida del amplicador operacio-
nal, se tendr
v
o
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
i
. (5.3)
Finalmente, aplicando la ley de Ohm,
i =
v
o
v
i
R
L
=
(1 +R
2
/R
1
)v
i
v
i
R
L
=
R
2
R
1
v
i
R
L
.
Con R
1
= 1 k y R
2
= 5 k, de (5.3), obtenemos v
o
= 6 v
i
. La realimentacin es negativa y la
nica condicin necesaria para que la relacin entre v
i
e i obtenida anteriormente sea vlida es
5 v
o
10. Imponindola, obtenemos 5 6 v
i
10, 0,8333 v
i
1,667. As pues, v
i
podr variar entre 0,8333 V y 1,667 V.
Problema 70: Suponiendo que el diodo es ideal y que las tensiones de saturacin positiva y
negativa del amplicador operacional son sucientemente grandes en valor absoluto, analice el
circuito de la gura y determine la funcin de transferencia v
o
= F(v
i
). Cunto valdr el valor
medio de la tensin v
o
cuando v
i
sea una tensin senoidal de amplitud 5 V?
+ v
i
v
o
R R
Solucin: Para v
i
0, el amplicador operacional trabaja en la zona lineal y el diodo est en
ON. En efecto, sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON, obtenemos
el circuito
A K
R
+ v
i
i
v
o
R
Dicho circuito es un amplicador no inversor y

v
o
=
_
1 +
R
R
_
v
i
= 2 v
i
.
nicamente se ha de vericar que la corriente directas por el diodo, i, es 0. Aplicando el
teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la entrada inversora, v
, vale v
= v
i
. Aplicando
la ley de Ohm,
i =
v
o
v
R
=
2v
i
v
i
R
=
v
i
R
,
y la condicin i 0 se cumple para v
i
0. Para v
i
< 0, el amplicador operacional est
saturado negativamente y el diodo est en OFF. En efecto, sustituyendo el diodo por el circuito
equivalente a su estado, obtenemos el circuito
A K
R
+ v
i
v
o
i
R
Siendo nula la corriente por la entrada inversora del amplicador operacional, la corriente i ser
nula y la tensin de la entrada inversora, v
, valdr v
= Ri = 0, que, para v
i
< 0, es > v
+
= v
i
,
vericando que el amplicador operacional est saturado negativamente. La tensin v
o
valdr
v
+Ri = 0 y la tensin nodo-ctodo del diodo ser negativa, vericando que el diodo est en
141
estado OFF. La funcin de transferencia v
o
= F(v
i
) resulta ser
v
i
v
o
v
o
= 2v
i
Sea T el periodo de la tensin senoidal v
i
(t). La tensin v
o
(t) tambin tendr periodo T y valdr
en [0, T]
v
o
(t) =
_
_
2 v
i
(t) = 10 sen
_
2
t
T
_
, 0 2
t
T

0, 2
t
T
2 .
El valor medio de la tensin v
o
(t) valdr
V
o
=
1
T
_
T
0
v
o
(t) dt =
1
T
_
T/2
0
10 sen
_
2
t
T
_
dt ,
y, haciendo el cambio de variable = 2(t/T),
V
o
=
1
2
_

0
10 sen d =
10
2
_

0
sen d =
10
2
[cos ]
0
=
10
2
(1 + 1) =
10
= 3,18 V.
Problema 71: Analice el circuito de la gura y a) demuestre que la realimentacin es negativa;
b) suponiendo que el amplicador trabaja en la zona lineal, determine v
o
/v
i
.
v
i
v
o
R R
R R R
R
+
Solucin: a) Calculemos la tensin de la entrada inversora del amplicador operacional, v
, en
funcin de v
i
y v
o
. Hay que analizar el circuito
R R R R
R R
v
o
v
v
i
+
Lo haremos aplicando el principio de superposicin. Tenemos v
= v
1
+ v
2
, donde v
1
es la
componente debida a v
i
y v
2
es la componente debida a v
o
. La tensin v
1
puede ser calculada
analizando el circuito
R
R R v
i
v
1
R R R
+
La resistencia vista a la derecha de v

1
vale
R
= R+R (R +R R) = R +R (R +R/2) = R +R 3R/2

= R+
3
2
R
2
R +
3
2
R
= R +
3
5
R =
8
5
R,
y
v
1
v
i
=
R
R +R
=
8
5
R
R +
8
5
R
=
8
13
,
obtenindose v
1
= (8/13)v
i
. Para calcular v
2
debemos analizar el circuito
R
R
v
o
R
i
1
v
3
v
4
i
3
i
4
i
5 i
2
v
2
R
R R
+
El anlisis se puede realizar fcilmente aplicando la ley de Ohm y la segunda ley de Kirchoff a
nodos apropiados
i
1
=
v
2
R
,
v
3
= 2Ri
1
= 2v
2
,
i
2
=
v
3
R
=
2v
2
R
,
143
i
3
= i
1
+i
2
=
v
2
R
+
2v
2
R
=
3v
2
R
,
v
4
= v
3
+Ri
3
= 2v
2
+ 3v
2
= 5v
2
,
i
4
=
v
4
R
=
5v
2
R
,
i
5
= i
3
+i
4
=
3v
2
R
+
5v
2
R
=
8v
2
R
,
v
o
= v
4
+Ri
5
= 5v
2
+ 8v
2
= 13 v
2
,
obtenindose v
2
= v
o
/13. La tensin v
vale, por tanto,

v
= v
1
+v
2
=
8
13
v
i
+
v
o
13
.
Llamando A a la ganancia diferencial del amplicador operacional, el circuito puede ser repre-
sentado por el diagrama de bloques
1/13
A
v
i 8/13
v
o
que puede ser transformado en
v
i A
v
o
1/13
+
8/13
demostrando que la realimentacin es negativa.
b) Usando el hecho de que la ganancia de un amplicador con ganancia innita realimentado
negativamente con ganancia es 1/, del ltimo diagrama de bloques obtenido en a), se deduce
v
o
v
i
=
_
8
13
_
13 = 8 .
Problema 72: Suponiendo que los dos amplicadores operacionales trabajan en la zona lineal,
analice el circuito de la gura y demuestre que i = v
i
/R. Suponga, a continuacin, que las
tensiones de saturacin de los amplicadores operacionales son 10 V y 10 V. Para qu valores
de v
i
se cumplir i = v
i
/R?
R
1
+ v
i
i
R
R
L
R
1
R
1
R
1
+
Solucin: El circuito formado por el amplicador operacional de la izquierda y las cuatro re-
sistencias R
1
es un amplicador diferencial bsico. Por tanto, siendo v
o
la tensin diferencial
indicada en la siguiente gura
R
1
+ v
i
i
R
1
R
1
R
R
L
v
o
i
1
R
1
+
+
+
se tendr v
o
= (R
1
/R
1
)v
i
= v
i
. Siendo i
1
la corriente indicada en la gura anterior y, aplicando
el teorema del cortocircuito virtual al amplicador operacional de la derecha y la ley de Ohm, se
tendr
i
1
=
v
o
R
=
v
i
R
.
Por ltimo, usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplicador
operacional de la derecha es nula, se tendr
i = i
1
=
v
i
R
.
Los dos amplicadores operacionales estn realimentados negativamente y el anlisis efectuado
anteriormente, que depende del trabajo de ambos amplicadores operacionales en la zona lineal,
ser vlido con las nicas condiciones de que las tensiones en las salidas de los amplicadores
operacionales estn comprendidas entre las tensiones de saturacin. Llamando v
o1
a la tensin
de la salida del amplicador operacional de la izquierda y llamando v
o2
a la tensin de la salida
145
del amplicador operacional de la derecha, se deber cumplir 10 v
o1
10 y 10 v
o2

10. Calculemos, pues, v
o1
y v
o2
en funcin de v
i
y los valores de las resistencias del circuito,
suponiendo que ambos amplicadores operacionales trabajan en la zona lineal. Aplicando el
teorema del cortocircuito virtual al amplicador operacional de la derecha, obtenemos que v
o2
es
igual a la tensin de la entrada no inversora de dicho amplicador operacional y
v
o2
= R
L
i =
R
L
R
v
i
.
Por otro lado tenemos
v
o1
= v
o2
+v
o
=
R
L
R
v
i
+v
i
=
_
1 +
R
L
R
_
v
i
.
Imponiendo 10 v
o1
10 y 10 v
o2
10, obtenemos
10
R
L
R
v
i
10 ,
10
_
1 +
R
L
R
_
v
i
10 ,
o, lo que es lo mismo,
10
R
R
L
v
i
10
R
R
L
,
10
R
R +R
L
v
i
10
R
R +R
L
.
As pues, los valores de v
i
para los cuales i = v
i
/R son los comprendidos en el intervalo
[10(R/(R +R
L
)), 10(R/(R +R
L
))].
Problema 73: Suponiendo que el amplicador operacional trabaja en la zona lineal, analice el
circuito de la gura y demuestre que v
o
= (v
P1
v
N1
) + (v
P2
v
N2
) + + (v
Pk
v
Nk
).
.
.
.
.
.
.
v
N1
v
N2
v
Nk
R
v
o
v
P1
v
P2
v
Pk
R
R
R
R
R
R
R
+
Solucin: Siendo el circuito lineal, la tensin de la salida v

o
ser funcin lineal de las ten-
siones v
N1
, v
N2
, . . . , v
Nk
, v
P1
, v
P2
, . . . , v
Pk
. Adems, por simetra, los coecientes asociados
a las tensiones v
N1
, v
N2
, . . . , v
Nk
sern iguales y los coecientes asociados a las tensiones
v
P1
, v
P2
, . . . , v
Pk
sern iguales. Tenemos, por tanto,
v
o
= A+B
N
v
N1
+B
N
v
N2
+ +B
N
v
Nk
+B
P
v
P1
+B
P
v
P2
+ +B
P
v
Pk
.
Para v
N1
= v
N2
= = v
Nk
= v
P1
= v
P2
= = v
Pk
= 0, las corrientes por las
resistencias conectadas a la entrada no inversora son nulas, la tensin de esa entrada es nula,
aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin de la entrada inversora es tambin nula,
las corrientes por las resistencias R conectadas a las tensiones v
N1
, v
N2
, . . . , v
Nk
son nulas, la
corriente por la resistencia R de realimentacin es nula, y v
o
= 0. Por tanto, A = 0 y
v
o
= B
N
v
N1
+B
N
v
N2
+ +B
N
v
Nk
+B
P
v
P1
+B
P
v
P2
+ +B
P
v
Pk
.
Para determinar B
N
, podemos analizar el circuito con v
N2
= = v
Nk
= v
P1
= v
P2
= =
v
Pk
= 0. Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, se obtiene el
circuito
+
i
v
o
R
k 1
v
N1
R
k + 1
R
R
Siendo nula la corriente por la entrada no inversora del amplicador operacional, la tensin de
dicha entrada valdr v
+
= 0. Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la en-
trada inversora valdr v
= 0. La corriente i ser nula, y el circuito es esencialmente equivalente

a un amplicador inversor, resultando v
o
= (R/R)v
N1
= v
N1
y B
N
= 1. Para determinar
B
P
, podemos analizar el circuito con v
N1
= v
N2
= = v
Nk
= v
P2
= = v
Pk
= 0.
Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, obtenemos el circuito
+
v
o
v
P1
R
k
R
k
R
R
Teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del amplicador operacional es
nula, la tensin de dicha entrada resulta valer
v
+
=
R/k
R +R/k
v
P1
=
v
P1
k + 1
.
147
De la entrada no inversora a la salida, el circuito es un amplicador no inversor, y
v
o
=
_
1 +
R
R/k
_
v
+
= (k + 1)v
+
= v
P1
,
resultando B
P
= 1.
Problema 74: Se trata de analizar el circuito de la gura, suponiendo que todas las resistencias
son > 0. 1) Demuestre que la realimentacin es negativa con una ganancia de realimentacin ,
0 < < 1. 2) Determine el valor de . Suponiendo que el amplicador operacional trabaja en
la zona lineal, 3) demuestre que v
o
= (v
1
v
2
), es decir, que el circuito es un amplicador
diferencial; 4) determine el valor de la ganancia diferencial ; 5) determine un diagrama de
bloques lo ms simple posible que tenga como entradas v
1
y v
2
y como salida v
o
y que reeje
la realimentacin negativa presente en el circuito; 6) compare el circuito con el amplicador
diferencial bsico y con el amplicador de instrumentacin.
R
G
+
v
2
v
1
v
o
R
1
R
2
R
2
R
2
R
1
R
2
Solucin: 1) Sea v
d
= v
+
v
la tensin diferencial que ve el amplicador operacional. Clara-

mente, v
d
es una funcin lineal de v
1
, v
2
y v
o
. Para demostrar que la realimentacin es negativa
con una ganancia de realimentacin , basta demostrar que la parte de v
d
proporcional a v
o
tiene
la forma v
o
. Dicha parte puede ser obtenida haciendo v
1
= v
2
= 0, y, por tanto, es la dada
por el circuito
+
R
2
R
1
v
R
2
R
1
v
o
R
2
R
2
v
+
R
G
+
+
Demostremos, sin calcular , que la parte de v

d
proporcional a v
o
es v
o
con 0 < < 1. Sean
las resistencias
R
= R
2
(R
1
+R
2
) ,
R
= R
G
+R
y
R
= R
(R
1
+R
2
) .
Tenemos
v
+
=
R
R
2
+R
R
G
+R
R
1
R
1
+R
2
v
o
y
v
=
R
R
2
+R
R
1
R
1
+R
2
v
o
.
De donde, obtenemos
v
d
= v
+
v
=
R
R
2
+R
R
1
R
1
+R
2
_
1
R
R
G
+R
_
v
o
=
R
R
2
+R
R
G
R
G
+R
R
1
R
1
+R
2
v
o
,
pero, en la expresin anterior, el valor absoluto del factor de v
o
es > 0 y < 1.
2) Podramos evaluar evaluando R
, R
y R
y utilizando la expresin obtenida en el apartado

anterior para v
d
cuando v
1
= v
2
= 0, pero la evaluacin de R
, R
y R
es farragosa. En su
lugar analizaremos directamente el circuito del apartado anterior. La siguiente gura lo muestra
de nuevo con las variables que usaremos para su anlisis.
i
2
+ i
3
R
2
R
1
v
R
2
R
1
v
o
R
2
R
2
v
+
R
G
i
1
i
2
i
3
v
i
1
+ i
2
+ i
3
+
+
+
Calculando v
por las dos ramas a masa e igualando los valores, obtenemos

R
2
i
3
= (R
1
+R
2
)i
2
,
i
3
=
_
1 +
R
1
R
2
_
i
2
, (5.4)
y
i
2
+i
3
=
_
2 +
R
1
R
2
_
i
2
. (5.5)
149
o
y
las tres resistencias superiores y usando (5.5), obtenemos
v
o
= R
2
(i
1
+i
2
+i
3
) + (R
1
+R
2
)i
1
= (R
1
+ 2R
2
)i
1
+R
2
(i
2
+i
3
)
= (R
1
+ 2R
2
)i
1
+ (R
1
+ 2R
2
)i
2
. (5.6)
Calculando v
por dos caminos a masa distintos apropiados e igualando los valores, obtenemos
(R
1
+R
2
)i
1
= R
G
(i
2
+i
3
) + (R
1
+R
2
)i
2
,
(R
1
+R
2
)i
1
= (R
1
+R
2
+R
G
)i
2
+R
G
i
3
,
y, usando (5.4),
(R
1
+R
2
)i
1
=
_
R
1
+R
2
+ 2R
G
+
R
1
R
G
R
2
_
i
2
,
i
2
=
R
1
+R
2
R
1
+R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
i
1
. (5.7)
Sustituyendo (5.7) en (5.6), obtenemos
v
o
= (R
1
+ 2R
2
)i
1
+
(R
1
+R
2
)(R
1
+ 2R
2
)
R
1
+R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
i
1
=
(R
1
+ 2R
2
)(2R
1
+ 2R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
R
1
+R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
i
1
=
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
R
1
+R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
i
1
,
e
i
1
=
R
1
+R
2
+ 2R
G
+R
1
R
G
/R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
v
o
. (5.8)
Utilizando (5.7), obtenemos
i
2
=
R
1
+R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
v
o
. (5.9)
La tensin v
+
resulta valer, usando (5.9),
v
+
= R
1
i
2
=
R
2
1
+R
1
R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
v
o
.
La tensin v
resulta valer, usando (5.8),

v
= R
1
i
1
=
R
2
1
+R
1
R
2
+ 2R
1
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
v
o
.
Finalmente,
v
d
= v
+
v
=
2R
1
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
v
o
,
dando
=
2R
1
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
.
3) Para demostrar que v
o
= (v
1
v
2
), basta demostrar que con v
1
= v
2
= v, v
o
= 0. Es
fcil comprobar que v
o
= 0 es consistente con v
1
= v
2
= v y con v
+
= v
. En efecto, con
v
o
= 0, el camino que incluye la resistencia de valor R
1
superior y las resistencia de valor R
2
superiores y el camino que incluye la resistencia de valor R
1
inferior y las resistencias de valor
R
2
inferiores son idnticos (la corriente por la resistencia de valor R
G
es 0 por ver los extremos
de dicha resistencia la misma tensin) y tenemos v
+
= v
.
4) Para calcular basta hacer v
2
= 0 y encontrar la relacin entre v
1
y v
o
, que debe ser de la
forma v
o
= v
1
. Con v
2
= 0, obtenemos el circuito, donde v
c
es la tensin comn a las dos
entradas del amplicador operacional
i
1
+ i
G
+
v
o
R
1
R
2
R
2
R
2
R
1
R
2
R
G
v
1
v
c
v
1
v
2
i
1
i
2
i
G
i
2
i
G
La ley de Ohm aplicada a las resistencias de valor R

1
da
i
1
=
v
1
v
c
R
1
(5.10)
y
i
2
=
v
c
R
1
. (5.11)
Calculemos v
1
en funcin de v
1
y v
c
:
v
1
= v
c
R
2
i
1
= v
c
R
2
R
1
v
1
+
R
2
R
1
v
c
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
c
R
2
R
1
v
1
. (5.12)
De modo similar,
v
2
= v
c
R
2
i
2
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
c
. (5.13)
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor R
G
, obtenemos
i
G
=
v
2
v
1
R
G
=
R
2
R
1
R
G
v
1
. (5.14)
151
Para determinar v
c
en funcin de v
1
, aplicamos la ley de Ohm a la resistencia de valor R
2
inferior
conectada a masa. Obtenemos, usando (5.10) y (5.14),
v
1
= R
2
(i
1
+i
G
) = R
2
i
1
+R
2
i
G
=
R
2
R
1
(v
1
v
c
) +
R
2
2
R
1
R
G
v
1
=
R
2
R
1
_
1 +
R
2
R
G
_
v
1
R
2
R
1
v
c
.
Igualando con la expresin para v
1
dada por (5.12), obtenemos
R
2
R
1
_
1 +
R
2
R
G
_
v
1
R
2
R
1
v
c
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
c
R
2
R
1
v
1
,
_
1 +
2R
2
R
1
_
v
c
=
R
2
R
1
_
2 +
R
2
R
G
_
v
1
,
v
c
=
(R
2
/R
1
)(2 +R
2
/R
G
)
1 + 2R
2
/R
1
v
1
. (5.15)
Utilizando dicho valor en (5.13), obtenemos
v
2
=
1 +R
2
/R
1
1 + 2R
2
/R
1
R
2
R
1
_
2 +
R
2
R
G
_
v
1
=
(R
1
+R
2
)R
2
(R
2
+ 2R
G
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
. (5.16)
Usando (5.15) en (5.11), obtenemos
i
2
=
(R
2
/R
1
)(2 +R
2
/R
G
)
R
1
(1 + 2R
2
/R
1
)
v
1
=
R
2
(R
2
+ 2R
G
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
. (5.17)
Finalmente, usando (5.14), (5.16) y (5.17),
v
o
= v
2
R
2
(i
2
i
G
)
=
(R
1
+R
2
)R
2
(R
2
+ 2R
G
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
+
R
2
2
(R
2
+ 2R
G
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
+
R
2
2
R
1
R
G
v
1
=
(R
1
+R
2
)R
2
(R
2
+ 2R
G
) +R
2
2
(R
2
+ 2R
G
) +R
2
2
(R
1
+ 2R
2
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
=
2R
1
R
2
2
+ 2R
1
R
2
R
G
+ 4R
3
2
+ 4R
2
2
R
G
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
=
(R
1
+ 2R
2
)(2R
2
2
+ 2R
2
R
G
)
R
1
(R
1
+ 2R
2
)R
G
v
1
=
2R
2
2
+ 2R
2
R
G
R
1
R
G
v
1
=
2R
2
(R
2
+R
G
)
R
1
R
G
v
1
= 2
R
2
R
1
_
1 +
R
2
R
G
_
v
1
,
de donde
= 2
R
2
R
1
_
1 +
R
2
R
G
_
.
5) El diagrama de bloques tiene la siguiente forma, donde Aes la ganancia de tensin diferencial
del amplicador operacional.
v
2
A
v
o
v
1
El valor de fue determinado en el apartado 2). Falta determinar el valor de . Es fcil. Basta
considerar que, de acuerdo con el diagrama de bloques, para A , v
o
= (/)(v
1
v
2
). Ello
da = / y
= = 2
2R
1
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
2R
2
1
+ 6R
1
R
2
+ 4R
1
R
G
+ 4R
2
2
+ 4R
2
R
G
+R
2
1
R
G
/R
2
R
2
R
1
_
1 +
R
2
R
G
_
=
(2R
2
1
R
G
+ 4R
1
R
2
R
G
)(R
2
+R
G
)
2R
3
1
R
G
+ 6R
2
1
R
2
R
G
+ 4R
2
1
R
2
G
+ 4R
1
R
2
2
R
G
+ 4R
1
R
2
R
2
G
+R
3
1
R
2
G
/R
2
=
2R
2
1
R
2
R
G
+ 2R
2
1
R
2
G
+ 4R
1
R
2
2
R
G
+ 4R
1
R
2
R
2
G
2R
3
1
R
G
+ 6R
2
1
R
2
R
G
+ 4R
2
1
R
2
G
+ 4R
1
R
2
2
R
G
+ 4R
1
R
2
R
2
G
+R
3
1
R
2
G
/R
2
.
6) Con respecto al amplicador diferencial bsico, el circuito analizado tiene la ventaja de que
la ganancia de tensin diferencial puede ser ajustada actuando solamente sobre una resistencia
(la de valor R
G
). Con respecto al amplicador de instrumentacin, el circuito analizado tiene el
inconveniente de que las corrientes por las entradas no son, en general, nulas. Dependiendo de
la aplicacin, ste ltimo inconveniente puede no ser grave. Por ejemplo, si v
1
y v
2
son las ten-
siones dadas por dos fuentes de seal con idntica resistencia de salida R
S
, el circuito analizado
amplicar la diferencia de las tensiones que proporcionaran las dos fuentes de seal en vaco
con una ganancia dada por la expresin para obtenida en el apartado 4), con R
1
sustituido por
R
1
+R
S
, es decir
2
R
2
R
1
+R
S
_
1 +
R
2
R
G
_
.
En ese caso, el circuito analizado es una alternativa atractiva, por su mayor sencillez, al ampli-
cador de instrumentacin.

Problemas de Diodos y Transistores BJT

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Problemas de Diodos y Transistores BJT

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Problemas Resueltos de

Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V V

= 10. Por otro lado, aplicando

0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k,

= 5,7 +I + 0,5 = 6,2 +I ,

= 3,8+0,5 = 4,3, que tambin es 0. As pues, los estados supuestos

= 3,8 + 0,5 = 4,3 V.

Solucin: 1) Hacemos un barrido de v

La condicin a imponer, correspondiente al diodo D2, es i 0, i 0. Evidentemente, v

Solucin: Supondremos que para v

Solucin: Intuitivamente, parece que para v

Solucin: Empezaremos encontrando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la

El de la izquierda es un divisor de tensin y, por tanto,

Parece claro que para v

la corriente por el interruptor del nodo conectado

ser la corriente por R

I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,

I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,

en ese caso. El circuito de la gura se denomina espejo de

es una rplica de la corriente I independiente del valor de R con

I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,

variar entre un valor mnimo

Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros V

Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros V

del modelo de pequea

del modelo de pequea seal del BJT vale

Para determinar la ganancia A = v

del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es

del circuito de pequea seal del BJT vale

Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R

Para determinar la ganancia A = v

del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es

del modelo de pequea seal del BJT vale

del modelo de peque seal del BJT. El circuito de polarizacin es

del modelo de pequea seal del BJT vale

y de los modelos de pequea seal de los BJTs y las

Para analizar el circuito, empezaremos calculando i

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

Solucin: El condensador de capacidad C

Aplicando el principio de superposicin, la tensin v

es la tensin en la entrada inversora del amplicador operacio-

Aplicando el principio de superposicin, obtenemos

Solucin: De la entrada no inversora a la salida del amplicador operacional, el circuito es un

Dicho circuito es un amplicador no inversor y

Lo haremos aplicando el principio de superposicin. Tenemos v

La resistencia vista a la derecha de v

= R+R (R +R R) = R +R (R +R/2) = R +R 3R/2

vale, por tanto,

Solucin: Siendo el circuito lineal, la tensin de la salida v

= 0. La corriente i ser nula, y el circuito es esencialmente equivalente

la tensin diferencial que ve el amplicador operacional. Clara-

Demostremos, sin calcular , que la parte de v

y utilizando la expresin obtenida en el apartado

por las dos ramas a masa e igualando los valores, obtenemos

resulta valer, usando (5.8),

La ley de Ohm aplicada a las resistencias de valor R

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