5.5.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp utilizeaz un singur tip de purttori de sarcin (electroni sau goluri) care circul printr-un canal semiconductor. Dac la tranzistoarele bipolare controlul conductivitii se realizeaz prin variaia unui curent ntre emitor i baz, la tranzistoarele cu efect de cmp controlul conductivitii se realizeaz prin variaia unei tensiuni aplicate unui electrod de comand numit gril sau poart (cu rol asemntor bazei TB). Funcionarea tranzistoarelor cu efect de cmp se bazeaz pe modificarea conductibilitii unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui cmp electric creat de tensiunea aplicat electrodului de comand (gril sau poart). Controlul curentului electric de ctre un cmp electric se numete efect de cmp. Tranzistoarele cu efect de cmp au urmtoarele avantaje fa de tranzistoarele bipolare : prezint impedan de intrare foarte mare (deoarece sunt comandate n tensiune) pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune liniaritate bun a circuitului zgomot redus gabarit redus (

Dup modul de realizare a canalului (n volum sau la suprafa), tranzistoarele cu efect de cmp se mpart n dou categorii: tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J) tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TEC-MOS) n funcie de tipul de dopare al canalului, tranzistoarele TEC-J se mpart n dou categorii: TEC cu gril jonciune cu canal n TEC cu gril jonciune cu canal p n funcie de modul de realizare al canalului, tranzistoarele TEC-MOS se mpart n dou categorii: TEC cu gril izolat cu canal iniial TEC cu gril izolat cu canal indus Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv electronic cu trei terminale (unele tipuri au 4 terminale) care se numesc Dren, Surs, Gril sau Poart, (Substrat). Sursa i drena sunt conectate la capetele canalului. Sursa furnizeaz purttorii de sarcin iar drena colecteaz purttorii de sarcin. Curentul care circul ntre surs i dren se numete curent de dren i se noteaz cu ID. Grila controleaz curentul de dren n funcie de tensiunea care se aplic ntre gril i surs VGS.

http://eprofu.ro/electronica

5.5.1 TRANZISTOARE CU GRIL JONCIUNE (TEC-J) Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril jonciune funcioneaz numai cu jonciunea gril-surs polarizat invers a. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC cu gril jonciune. G S
gril p

D (DREN) D

D
P N P

Canal de tip n substrat de tip p G (GRIL)

G S

S (SURS) Figura 5.5.1 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal N

G S
gril n

S (SURS) D

S
G (GRIL)

G
N P N

Canal de tip p substrat de tip n

D (DREN) Figura 5.5.2 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal P Elementele grafice ale simbolurilor au urmtoarele semnificaii: sgeata este ntotdeauna plasat pe gril sgeata este orientat ntotdeauna de la P spre N grila se plaseaz ntotdeauna n dreptul sursei TEC-J cu canal P sunt reprezentate inversat (cu sursa n sus) pentru ca sensul curentului de dren ID s fie reprezentat de sus n jos

http://eprofu.ro/electronica

b. ncapsularea i identificarea terminalelor dispozitivelor TEC cu gril jonciune.

D S G Figura 5.5.3 Dispunerea terminalelor la TEC-J

OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele tipuri de tranzistoare cu efect de cmp, terminalele pot fi dispuse altfel dect sunt prezentate n figura de mai sus chiar dac capsulele sunt identice. Pentru identificarea corect a terminalelor recomand utilizarea cataloagelor cu dispozitive TEC unde sunt prezentate dispunerea terminalelor. c. Principiul de funcionare al tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune. n figura 5.5.4 este prezentat modul de polarizare a unui TEC-J cu canal n. ID ID

VGS
+ G
P

D N

VGS
+ G D N
P

ID

VGG + +

+ + V - DD
a

N S

VGG + +

+ + V - DD

N S b

VGS < ID >

VGS > ID <

Figura 5.5.4 Polarizarea i funcionarea unui tranzistor TEC-J cu canal N VGG este tensiunea de comand cu care se polarizeaz invers jonciunea pn gril-surs. Polarizarea invers a jonciunii gril-surs cu tensiune negativ pe gril, genereaz n jurul jonciunii pn o regiune golit care se extinde n semiconductorul mai slab dopat, n zona canalului, mrindu-i rezistena prin ngustarea lui. Astfel, tranzistorul prezint ntre gril i surs o rezisten de intrare foarte mare. Din acest considerent curentul de gril este foarte mic (de ordinul zecilor de nanoamperi) Limea canalului, implicit rezistena lui, pot fi comandate prin modificarea tensiunii gril-surs. VDD este tensiunea dintre dren i surs care furnizeaz curentul de dren ID, care circul dinspre dren spre surs. Acest curent este comandat de tensiunea gril-surs. Cu ct tensiunea gril-surs UGG este mai mare cu att canalul se ngusteaz i valoarea curentului de dren ID scade (figura 5.5.4 b).

http://eprofu.ro/electronica

d. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune. Deoarece jonciunea gril-surs este polarizat invers, aceste tranzistoare nu au caracteristic de intrare. n cele ce urmeaz se vor prezenta caracteristica de ieire ID = f(VDS) i caracteristica de transfer ID = f(VGS) pentru tranzistorul BC264 care are urmtoarele date de catalog: tensiunea dren-surs VDS = 15V tensiunea de blocare gril-surs VGS(blocare) = 5V Tensiunea de blocare reprezint valoarea tensiunii VGS pentru care curentul ID 0 curentul de dren maxim IDSS = 12 mA
Caracteristica de transfer Caracteristica de ieire

IDSS

12 10 8 6

ID(mA)

VGS = 0V

7,68mA

VGS = - 1V

4,32mA

VGS = - 2V
4 2

1,92mA

VGS = - 3V VGS = - 4V
0
Regiune ohmic

-VGS -5 VGS(blocare)

0,48mA
-4 -3 -2 -1 5VP

Regiune de curent constant

10

15

VDS

Strpungere

Figura 5.5.5 Graficele caracteristicilor de transfer i ieire unui TEC-J cu canal N Pentru a trasa graficul caracteristicii de transfer trebuie determinate coordonatele ID n funcie de valorile VGS. Pentru determinarea lor se utilizeaz formula:

I D = I DSS (1
VGS = 1 I D = 12 (1 VGS = 3 I D = 12 (1
1 2 ) = 7, 68mA 5 3 2 ) = 1,92mA 5

VGS VGS (blocare )

)2
2 2 ) = 4,32mA 5 4 2 ) = 0, 48mA 5

VGS = 2 I D = 12 (1 VGS = 4 I D = 12 (1

Pe graficul de ieire ntlnim VP care se numete tensiune de strangulare. Aceasta reprezint valoarea tensiunii dren-surs de la care curentul de dren ncepe s fie constant. VP este ntotdeauna egal n modul cu VGS(blocare) i de semn opus cu aceasta. Pe graficul caracteristicii de ieire se pot observa regiunile n care lucreaz un TEC-J.

http://eprofu.ro/electronica

e. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune. Prin polarizarea TEC-J se urmrete obinerea unei tensiuni de comand VGS i a unui curent de dren ID de valoare dorit, deci un PSF adecvat. n cele ce urmeaz se va trata numai polarizarea TEC-J cu canal n, deoarece sunt cele mai utilizate n practic. e1. POLARIZAREA AUTOMAT La acest tip de polarizare jonciunea gril-surs nu se polarizeaz de la o surs de tensiune separat, ea va fi polarizat automat. Aceast polarizare se poate face cu configuraia din figura 5.5.6. Grila se conecteaz la masa montajului printr-un rezistor de valoare foarte mare
VDD 12V R2 2.2k

pentru a izola fa de mas semnalul de curent alternativ n ID = 2,573mA

-

circuitele de amplificare.
ID
+ A

2.573m

VGS = VG VS = 0 0,841 = - 0,841 PSF(-0,84V ; 2,57mA)

D G S
R1 10M

T BC264D
+

VGS
-0.841
V -

R3 330

Figura 5.5.6 Polarizarea automat a unui tranzistor TEC-J cu canal N e2. POLARIZAREA PRIN DIVIZOR DE TENSIUNE La acest tip de polarizare jonciunea gril-surs se polarizeaz invers prin intermediul unui divizor rezistiv de tensiune. Circuitul de polarizare este prezentat n figura 5.5.7
VDD 15V R1 6.8M R 3.3k ID
+ A -

ID = 1,15mA VGS = VG-VS = 1,91 - 3,09 = - 1,18V PSF(-1,18 ; 1,15)

1.148m

D G
Vg G
+

T BC264C

S
V

1.906
-

R2 1M

R3 2.7k

VS
+

3.096
-

Figura 5.5.7 Polarizarea prin divizor de tensiune a unui tranzistor TEC-J cu canal N

http://eprofu.ro/electronica

5.5.2 TRANZISTOARE CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS) Structura TEC-MOS difer de structura TEC-J prin faptul c poarta (grila) tranzistorului este izolat fa de canal printr-un stat subire de dioxid de siliciu (SiO2). Datorit izolaiei realizat de stratul de oxid, aceste tranzistoare au rezistena de intrare foarte mare (de ordinul 1015 ) i curentul de gril extrem de mic (de ordinul 10-15 A). n funcie de modul de funcionare sunt dou categorii de TEC-MOS: TEC-MOS cu canal iniial la acest tip de tranzistoare canalul este ntotdeauna prezent fiind realizat prin mijloace tehnologice TEC-MOS cu canal indus la acest tip de tranzistoare canalul apare n condiiile n care tranzistorul este polarizat corespunztor a. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-MOS. a1. TEC-MOS cu canal iniial.
S (SURS) G (GRIL) D (DREN) S (SURS) G (GRIL) D (DREN)

strat izolator - SiO2 N P canal N substrat a Figura 5.5.8 Structur TEC-MOS cu canal iniial
S (SURS) G (GRIL) D (DREN)

b a. canal n b. canal p
G (GRIL) D (DREN)

S (SURS)

strat izolator - SiO2 N N P substrat a Figura 5.5.9 Structur TEC-MOS cu canal indus b a. canal n b. canal p canal P N P

canal iniial de tip N

canal iniial de tip P

canal indus de tip N

canal indus de tip p

Figura 5.5.10 Simboluri grafice pentru TEC-MOS

http://eprofu.ro/electronica

b. Principiul de funcionare al dispozitivelor TEC-MOS. b1. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N Un TEC-MOS, n funcie de modul de polarizare al grilei, poate lucra n regim de srcire sau n regim de mbogire. Dac tensiunea aplicat pe gril este negativ tranzistorul lucreaz n regim de srcire (fig.5.5.11 a), iar dac tensiunea aplicat pe gril este pozitiv tranzistorul lucreaz n regim de mbogire (fig.5.5.11 b).

RD
D

ID

RD
+
D

ID

G -

VGG

+ + + + +
S

N
G

+ + + +

VDD

+ -

VGG

+ -

N P

VDD

+ -

Figura 5.5.11 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal iniial N Dac pe gril se aplic o tensiune negativ, sarcinile negative de pe gril ndeprteaz electronii de conducie din canalul n, care vor lsa n urma lor goluri. Deoarece canalul rmne srcit n electroni, conductivitatea lui scade, ceea ce duce la scderea intensitii curentului de dren ID. Cu ct crete tensiunea VGG cu att scade curentul ID, pn ce canalul se golete complet i curentul ID devine nul (figura 5.5.11 a). Dac pe gril se aplic o tensiune pozitiv, sarcinile pozitive de pe gril atrag electronii de conducie din canalul n. Deoarece canalul se mbogete n electroni, conductivitatea lui crete, ceea ce duce la creterea intensitii curentului de dren ID. Cu ct crete tensiunea VGG cu att crete curentul ID (figura 5.5.11 b). n cazul TEC-MOS cu canal iniial P, tranzistoarele funcioneaz n mod similar, cu excepia faptului c polaritile tensiunilor sunt inversate. n cele mai multe cazuri, aceste tranzistoare sunt utilizate n regim de srcire.

http://eprofu.ro/electronica

b2. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal indus La aceste tranzistoare canalul de conducie nu este realizat constructiv (figura 5.5.12 a). Canalul de conducie este indus dac tranzistorul este polarizat corect cu o tensiune grilsurs mai mare dect tensiunea de prag (figura 5.5.12 b). TEC-MOS cu canal indus lucreaz numai n regim de mbogire.

RD
canal indus
D

ID

N
G
Substrat

+ + + +

VGG

+ -

N P

VDD

+ -

N
S

Figura 5.5.12 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal indus N Dac pe grila tranzistorului se aplic o tensiune pozitiv mai mare dect tensiunea de prag, aceasta genereaz pe suprafaa substratului un strat subire de sarcini negative n regiunea de substrat din vecintatea grilei. Astfel se induce un canal ntre dren i surs a crui conductivitate crete odat cu creterea tensiunii gril-surs. Cu ct crete tensiunea VGG cu att crete curentul ID (figura 5.5.12 b). Un TEC-MOS obinuit are canalul de conducie ngust i lung ceea ce duce la o rezisten dren-surs mare. Acest lucru limiteaz utilizarea tranzistoarelor n circuite de cureni mici. Pentru utilizarea tranzistoarelor n circuite de putere trebuie modificate din construcie dimensiunile i forma canalului. Prin lrgirea i scurtarea canalului, rezistena lui scade, permind obinerea unor tensiuni i cureni mai mari. Precauii la manevrarea TEC-MOS Dispozitivele TEC-MOS se pot distruge foarte uor datorit descrcrilor electrostatice. Pentru a prevenii aceast situaie trebuie luate urmtoarele msuri de precauie: dispozitivele TEC-MOS trebuie pstrate n ambalaj din material antistatic cu terminalele scurtcircuitate cu staniol sau un conductor metalic subire scurtcircuitul dintre terminale se ndeprteaz numai dup ce tranzistorul a fost lipit nu este permis aplicarea unui semnal de intrare pe grila tranzistorului dac circuitul n care este acesta nu este alimentat n curent continuu.

http://eprofu.ro/electronica

c. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS. c1. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal iniial N

VDD 12V

RD 820 D G RG S

ID
+ A -

2.316m

Tranzistorul BF908WR are dou grile deoarece are un canal iniial i un canal indus.
V

T BF908WR

VDS
+

10.099
-

VDS = VDD RD I D

10M

Figura 5.5.13 Polarizare la zero a unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N c2. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal indus N VDD 24V R1 RD ID 100k 150 + A

Date de catalog 2N7000

VGS(prag) = 2 V ID(cond)=75mA la VGS= 4,5V ID(cond)=500mA la VGS=10V Valori obinute cu

0.064 VDS

D
VGS
+ -

G
V

T 2N7000

+ -

14.370

simulatorul MULTISIM:

3.130

R2 15k

VGS = 3,13 V ID = 64 mA VDS = 14,37 V

Figura 5.5.14 Polarizare prin divizor de tensiune a unui TEC-MOS cu canal indus N VDD
15V 3.3k R1 10M

RD

ID
+ A

3.787m

Valori

obinute

cu

simulatorul MULTISIM:

D G

VDS
T 2N7000
+

VGS = 2,27 V ID = 3,78 mA VDS = 2,50 V

VGS
+

2.502
-

2.274
-

Figura 5.5.15 Polarizare cu reacie n dren a unui TEC-MOS cu canal indus N

http://eprofu.ro/electronica