1.

3: AMPLIFICADORES CLASE B Y AB En este tipo de amplificador el punto de operacin se ubica en la zona de corte, tanto para el BJT como para el FET. La seal circula durante 180 de su perodo. Cuando esto sucede, se dice que el amplificador trabaja en clase B. Para amplificar la onda completa es necesario usar dos de estos amplificadores. Cuando el punto de operacin se ubica antes de la zona de corte, de manera que la seal circule ms de 180 y menos de 360 de su perodo, se dice que el amplificador trabaja en clase AB. Esto se hace para evitar la distorsin de cruce, que se ver ms adelante. Sin embargo, como el punto de operacin normalmente sigue cerca de la zona de corte, se le puede seguir tratando como un amplificador clase B A continuacin estudiaremos las configuraciones ms conocidas. 1.3.1: AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B, EN SIMETRIA COMPLEMENTARIA Este tipo de amplificador es uno de los ms utilizados y emplea dos transistores complementarios (uno NPN y otro PNP) de manera que uno amplifica el semiciclo positivo de la seal y el otro el semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA. Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched pair) a un par de transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancias, corrientes, tensiones, potencias, etc., son iguales o muy similares. 1.3.1-1: CIRCUITO BASICO
VCC

Q1

Q2 Vin

PARLANTE

V2 = VCC / 2 V1 = VCC / 2

Fig. 1.39: Circuito bsico de un amplificador de simetra complementaria. En la figura 1.39 vemos que la condicin que deben cumplir V 1 y V2 es que polaricen de tal modo a Q 1 y Q2 que stos trabajen simtricamente y en clase B (corrientes en reposo cero). V V Se hace V2 = CC con la finalidad que: VCEQ1 = VCEQ 2 = CC y los dos transistores 2 2 estn al corte simultneamente (clase B). De lo contrario, si V 1 es mayor que V2, entonces conducir Q1 y se cortar Q2 (ICQ1 > 0, ICQ2 = 0); y si V1 es menor que V2
1

entonces conducir Q2 y se cortar Q1 (ICQ2 > 0, ICQ1 = 0), lo cual no permite una operacin simtrica de los dos transistores. V La tensin continua en la unin de los emisores ser: VE = CC 2 Se puede ver con las condiciones anteriores que: I CQ1 = I CQ 2 = 0 VBE1 =VBE 2 = 0 e Podemos estudiar ahora qu ocurre cuando la tensin de seal V in toma valores positivos y negativos:

En el semiciclo positivo de Vin (figura 1.40a) la tensin en las bases se hace ms positiva que la tensin en los emisores:

VB VE

Lo cual hace que Q1 conduzca y Q2 permanezca en corte. El sentido de la corriente se indica en la figura. Ntese que I L1 = iE1 Para el semiciclo negativo:

VB VE

Lo cual corta a Q1 y hace conducir a Q2. El sentido de la corriente se muestra en la figura 1.40b, e IL2 = iE2. De este modo, la carga est alimentada medio ciclo de V in por Q1 y el otro medio ciclo por Q2 1.3.1-2: DISTORSION DE CRUCE: Debido a que las caractersticas de entrada base-emisor de los transistores reales (ver figura 1.41) es tal que para tensiones pequeas base-emisor, el transistor prcticamente no conduce. Recin ste comienza a hacerlo cuando se supera la tensin de codo o tensin umbral (V ), que es aproximadamente 0.2V para transistores de Germanio y de 0.6V para los de Silicio.

9 U R V A C A R A C T E R I S T I C A D E L A J U N T U R A B A S E E M I S O R x 1 0 C 5

4 . 5 I( a m p e r i o s ) 4 3 . 5 3 2 . 5 2 1 . 5 1 0 . 5 0 0

0 . 1

0 . 2

0 . 3

0 . 4 V ( v o l t i o s )

0 . 5

0 . 6

0 . 7

0 . 8

Fig. 1.41 La tensin de salida tiene la forma que se observa en la figura 1.42:
VL 6.300 V

6.100 V

5.900 V

5.700 V 0.000ms

1.000ms

2.000ms

3.000ms

4.000ms

5.000ms

Fig. 1.42 Se puede notar en esta figura, que existe cierta zona alrededor de los puntos Vb = 0, para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una distorsin en la forma de onda en la salida (proporcional a la seal i B1 iB2), llamada distorsin por cruce (o de cross over). Esta distorsin se evita polarizando directamente las junturas base-emisor de Q 1 y Q2 de modo que exista entre ellas una tensin igual a la tensin de codo (V). Una forma simple de lograr esto, es colocando una resistencia (de pequeo valor) entre las bases de Q1 y Q2 de modo que se ocasiona una cada de tensin en ella suficiente para tener polarizados ligeramente a los transistores (ver figura 1.43).

VDD

VCC

R4 R Q1 R1 Ca1 + Vin R2 Ird Q3 + Vrd RD E E Q2 Parlante C2 IL1

RL

Fig. 1.43
Vrd = I rd RD =VBE1 +VBE 2 Debe cumplirse: RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuacin y que: VBE1 =VBE 2 = 0.2V (para el Germanio) 0.6V (para el Silicio). La eleccin de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor de Q 1 y Q2, es un poco delicada, debido a que una pequea variacin de la tensin V BE provoca grandes cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor demasiado pequeo de VRD no se eliminar satisfactoriamente la distorsin de cruce. En cambio, si la tensin es demasiado grande, trae como consecuencia distorsin para niveles grandes de seal, ya que cada transistor conducir ms de medio ciclo, lo cual har que las corrientes de conduccin de un transistor se traslapen con las corrientes que conduce el otro transistor. Prcticamente, entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la corriente de colector, para evitar la distorsin de cruce, es tan pequea que se puede decir que su forma de trabajo es clase B. La polarizacin de las junturas base-emisor se hace para que cumpla dos funciones: a) Evitar la distorsin de cruce o cross-over. b) Estabilizar la polarizacin de Q1 y Q2 contra variaciones de temperatura. La forma ms simple de polarizar en clase AB es mediante una red resistiva. Este esquema no es satisfactorio debido a que si la polarizacin es poca, la distorsin de cruce sigue siendo severa y, si es mucha, la corriente de colector ser alta, los transistores disiparn ms potencia pudiendo destruirse o acortar drsticamente su tiempo de vida y la eficiencia disminuir. Este tipo de polarizacin es ms efectiva cuando la fuente de alimentacin es regulada pero no permite la compensacin por variacin de temperatura en las junturas base-emisor.

1.3.1-3: ESTABILIZACIN DE LA POLARIZACION CONTRA VARIACIONES DE TEMPERATURA Para obtener mejor regulacin y compensacin de temperatura con la red resistiva, se conecta uno o dos diodos entre las bases de ambos transistores.

Estos diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje necesaria. Pero, si esta polarizacin cambia con la edad del equipo, la polarizacin tambin sufrir cambios. En la figura 1.43 se puede notar que la tensin base-emisor de los transistores esta determinada por la cada de tensin en la resistencia de polarizacin R D, lo cual dar una cierta corriente de colector pequea a Q 1 y Q2 a fin de que eviten el cross over, el cual, como se mencion, debe tener un valor ptimo para evitar distorsin. Pero, si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento del transistor, etc.) la temperatura del transistor vara, esto causa una variacin de la tensin base-emisor (aproximadamente 2.5mV/C) como se ve en la figura 1.44, lo cual ocasionar una variacin de la corriente de colector que puede llevar a clase C al amplificador (para bajas temperaturas) o a clase A (para altas temperaturas) lo cual ocasionar gran distorsin y/o disipacin de potencia.
18 16 IE (amperios) T= 25grados 14 12 10 8 6 4 2 0 T = 50 grados C x 10
292

0.1

0.2

0.3

0.4 V (voltios)

0.5

0.6

0.7

0.8

Fig. 1.44 Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensin V RD vare de manera similar a la variacin de VBE con la temperatura, lo cual se logra colocando, en lugar de RD, un termistor NTC (Negative Temperature Coefficient) de similar coeficiente de temperatura que el diodo base-emisor. De esta forma la tensin en el termistor disminuir del mismo modo como V BE disminuye manteniendo siempre la corriente de colector (proporcional a la corriente de base) en un valor casi constante. La figura 1.45 muestra 4 formas tpicas de polarizacin. En la figura 1.45a se coloca una resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar el coeficiente de temperatura equivalente al del diodo base-emisor. Las figuras 1.45b y c muestran la polarizacin por diodo, estos trabajan polarizados en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el correspondiente a los diodos base-emisor de los transistores. En 1.45b, Rd ayuda a conseguir la necesaria polarizacin de base-emisor y en 1.45c, Rd1 y Rd2 sirven como divisores de tensin cuando V D es mayor que la necesaria, para polarizar las junturas base-emisor. Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura colocando resistores en los emisores de los transistores (figura 1.45d).
5

Las combinaciones de los casos a, b, c y d ofrecen una gran estabilidad de la corriente de colector de los transistores contra variaciones de temperatura (Pueden usarse varios de estos mtodos a la vez).
VCC VCC VCC VCC Q1

Q1

Rd NTC

+ Vd -

Q1 D

Rd2 + Vd Q1 Re

Rd Q2 Q2

Rd1 Re Q2 Q2

(a)

(b)

(c)

(e)

Figura 1.45 Los problemas anteriores son eliminados en forma ms efectiva cuando se emplea un transistor regulador. Dado que el punto de operacin, extremadamente crtico, es difcil de mantener, podemos usar un transistor regulador de voltaje y lograr controlar fcilmente al punto de operacin mediante un potencimetro. En la figura 1.46, Q1 y Q2 forman el amplificador de simetra complementaria. El transistor Q3 se encarga de controlar en forma precisa el punto de operacin de Q 1 y Q2, actuando como regulador. Tambin compensa automticamente contra variaciones de temperatura. El potencimetro permite ajustar el punto de operacin. La entrada es aplicada mediante dos condensadores de acoplo. El empleo de dos fuentes de alimentacin simtrica evita el uso del condensador de salida (C2 en la figura 1.43).
+ VCC R1 C Q1 Entrada C Q2 R2 - VCC

Q3 RL

Figura 1.46

1.3.1-4: PUNTOS DE OPERACIN Sea el circuito de la figura 1.47: Haremos las siguientes aproximaciones (justificadas en la prctica):

R E RL

Q1 complementario de Q2

1 = 2 1

Si las condiciones anteriores se cumplen, podemos afirmar que: RECTAS DE CARGA ESTATICA: V Como: VE = CC 2
VDD VCC

iC iE

R1 Q1

R3

R2 E

Re

Re RL

C1

Q2 Q3

Entrada R4

VCC =VCE1 +VE VE =VCE 2

Figura 1.47 (1.80) (1.81)

Adems los transistores estn polarizados al corte: I I CQ1 = I CQ 2 = 0 Entonces: Recta de carga DC para Q1:

De (1.80) ................. Recta de carga DC para Q2: De (1.81) ................. VCEQ 2 =

VCEQ1 =

VCC 2 (1.82)

VCC 2

(1.83)

Esta recta se ilustra en la figura 1.48. Dado que I CQ1 = I CQ 2 = 0 , el punto de operacin ya esta determinado.
IC

VCE = VCC / 2

VCE

Figura 1.48 RECTAS DE CARGA DINAMICA: En el circuito de la figura 1.47, para a.c: vce1 = ic1 Re ic1 RL = ic1 ( Re + RL ) (1.84) vce 2 = ic 2 ( Re + RL ) (1.85) Para poder graficar estas rectas en el plano Ic-Vce es necesario hacer el cambio de coordenadas con ayuda de las siguientes relaciones: iC = ic + ICQ (1.86) vCE = vce - VCEQ (1.87) Reemplazando (1.86) y (1.87) en (1.84): vce 1 VCEQ1 = - (ic1 + ICQ1)(Re+RL) Pero como: ICQ1 =0 y VCEQ1 = Vcc/2 Se tiene: vCE1 = (Vcc/2) ic1(Re+RL) (1.88) Y en forma anloga: vce2 = (Vcc/2) ic2(Re+RL) (1.89) En la practica se hace RL >> Re a fin de que no haya demasiada prdida de potencia en Re. Entonces (1.88) y (1.89) se convierten en: Recta de carga a.c. para Q1: vce1 = (Vcc/2) ic1RL (1.90) Recta de carga a.c. para Q2:
8

vce2 = (Vcc/2) ic2RL (1.91) Estas rectas de carga a.c. debern pasar por el punto Q, entonces bastar buscar el otro punto de la recta. Cuando: vce1 = 0 ic1 = Icm mx = Vcc/2RL (1.92) vce2 = 0 ic2 = Icm mx = Vcc/2RL (1.93) Y vemos que: Icm1 mx = Icm2 mx En la figura 1.49 se observan las dos rectas de carga para cada transistor:
iC1

VCC / 2RL AC

DC

Q VCE = VCC / 2

vCE1 VCC vEC2

AC VCC / 2RL DC

iC2

Figura 1.49 Se puede ver en la figura 1.49 que Q1 conduce medio ciclo de corriente y en este medio ciclo hay una tensin alterna entre Colector y Emisor de Q2 debida a la tensin alterna en la carga. En el semiciclo en el cual Q1 esta abierto (i c1 =0), aparece una tensin vCE1, debida a la tensin que hay en RL por la corriente que conduce Q2. La tensin pico que soporta el transistor llega a tener un valor cercano al de la fuente. Similar anlisis se hace para Q2: Cuando Q2 no conduce, v CE2 se debe a la tensin que cae a travs de RL por conduccin de Q1. El otro semiciclo en la carga se debe a la conduccin de Q1. 1.3.1-5: CLCULOS DE POTENCIA Como ya se vi, Q1 y Q2 trabajan en forma simtrica, de modo que en lo sucesivo designaremos a las variables sin subndices. 1.3.1-6: POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: PL La potencia mxima en la carga PLmx ocurre cuando Icm alcanza su mximo valor terico: Icm mx = Vcc/2RL Para onda sinusoidal:

PLmax = (Icm mx) 2 RL/2 = V2cc/8RL La potencia para cualquier valor de Icm es: PL = (iLeff)2RL = 0.5 (Icm/)2RL PL = (Icm)2RL/2 1.3.1-7: POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE: PCC VCC entrega corriente slo durante el semiciclo positivo de V in. iCC = corriente que entrega la fuente. Icc = Icm / valor medio de icc Luego: Pcc = VCCIcc = VccIcm/ La potencia mxima entregada por la fuente ocurre cuando: Icm mx = VCC/2RL Reemplazando en 1.96: PCCmx = V2CC/2RL (1.97)

(1.94)

(1.95)

(1.96)

1.3.1-8: POTENCIA DISIPADA EN COLECTOR: PC En la figura 1.47 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de ellos es cero. Podemos plantear lo siguiente: La potencia disipada en cada colector Pc es entonces: PC = 0.5 (VCCIcm/ (Icm)2RL/2) (1.98) Este mismo resultado se pudo haber obtenido aplicando sumatoria de potencia: PCC = 2PC + PL VALOR MXIMO DE PC Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo), PCmx no tiene porqu ocurrir para I cm mx. Hallamos entonces el valor Icmx para el cual ocurre la mxima disipacin de colector, derivando respecto a Icm e igualando a cero: (dPc/dIcm) = (Vcc/2) (IcmRL/2) = 0 Obtenemos: Icmx = Vcc/RL (1.99) Reemplazando en (1.98) obtenemos: PCmax = V2cc/42RL (1.100) 1.3.1-9: EFICIENCIA DEL CIRCUITO: = PL / Pcc = ((I2cmRL)/2)/ (VccIcm/ ) En condiciones mximas, cuando: Icm mx = Vcc/2RL: Reemplazando en (1.101) mx = /4 = 0.785 En porcentaje: mx = 78.5%
10

(1.101)

1.3.1-10: FIGURA DE MERITO: F F = PCmax / PLmax (1.102) (1.100) y (1.94) en (1.102) se tiene: F = 1/5 = 0.2 Estos valores de y F, son los mismos que se pueden lograr tericamente con los otros tipos de amplificadores clase B, para el caso ideal. PROBLEMA 1.12: En el circuito mostrado en la figura 1.50, considere: Q 1= AC127, Q2= AC128, germanio, VCE1sat = VEC2sat = 1 V Rc se ajusta de modo de obtener: VE = Vcc/2 = 6 V Determine: a) PLmx b) PCCmx c) PCmx d) La eficiencia e) La figura de mrito
VDD + 12V

RC Q1 AC127 Re 5.7 E

R2

Ca2

Re 5.7 RL 81

Ca1 Q2 AC128 Vin R3 Q3 R1

Figura 1.50 SOLUCION: a) Clculo de PLmx: Recta de carga d.c.: VCE = Vcc/2 para Q1 y Q2 Como: ICQ = 0 (en corte) el punto de operacin ser: VCEQ = Vcc /2 con: ICQ=0 Recta de carga a.c.: Se puede notar, que debido a VCEsat, iC slo podr excursionar hasta el valor Icm dado por: Icm = ((Vcc/2)- VCE,sat) / (RL+Re) Icm = (6-1) / 86.7 = 57.7 mA De la ecuacin 1.94, la mxima potencia obtenible en la carga esta dado por: PLmax = I2cm RL / 2 PLmax = (57.7)2 x 81 / 2
11

PLmax = 135mW Como se puede comprobar, este valor est por debajo de su mximo valor ideal que ocurre cuando Icm = 69.2mA (o sea, cuando VCE,sat = 0) PLmaxideal= (69.2) 2 x 81 / 2 = 194mW b) Clculo de PCCmx De la ecuacin 1.97, la mxima potencia entregada por Vcc es: PCCmax = VccIcm/ = 12V x 57.7mA/ = 220.3 mW El valor mximo ideal es: Pccideal = 12 x 69.2/ = 264.3 mW c) Clculo de PCmx: En la potencia disipada por cada transistor hay que distinguir entre dos cosas: 1. La potencia disipada en el colector no es mxima cuando la excursin en la salida es mxima, o sea cuando: Icm mx = 57.7mA. Adems: PRe = I2cm Re / 2 = (57.7)2 x 5.7 / 2 = 9.49 mW Pc = (Pcc PL PRe) /2 = (220-135- 9.49) / 2 = 37.76mw Observamos que la potencia disipada en Re se puede despreciar en comparacin con las otras cuando se cumple: Re << RL 2. La Potencia mxima disipada en colector, la cual como se demostr en 1.99, ocurre cuando: Icmx = Vcc /[ (RL + Re)] = 12 / [ x(81 + 5.7)] = 44.06 mA En el clculo anterior se incluye el efecto de Re, dado que no la estamos despreciando. Con este valor y reemplazando en (1.100) Pcmax = V2cc/[42 (R L + R e)] = 122 / [42(86.7)] = 42.1 mW d) Clculo de la eficiencia mxima: mx (en %) = (PLmax/PCCmax) x 100 = (135/220.3)x100 = 61.3% < ideal = 78.5% e) Clculo de la Figura de Mrito F = Pcmax / PLmax = 42.1/135 = 0.312 > Fideal = 0.2 La figura de mrito debe ser lo menor posible. PROBLEMA 1.13: En el circuito de la figura 1.51, Q1 y Q2 son un par machado con = 50 y VCE,sat = 0.5V. Determine: a) PLmx , b) PCmx , c) PCC mx , d) La eficiencia , e) Especifique los transistores

12

+ 12 V

R1

T1

Q1

Vin

Re = 0.5 R2 Ca2

R3

Re = 0.5 RL = 8 Q2

R4

Figura 1.51 SOLUCION: a) Clculo de PLmx: Recta de carga d.c.: VCEQ = Vcc /2 con: ICQ=0 Recta de carga a.c.: En este caso no despreciaremos Re para mostrar la forma de clculo cuando debe ser tomada en cuenta. Se puede notar, que debido a V CEsat, iC slo podr excursionar hasta el valor I cm mx dado por: Icm mx = ((Vcc/2)- VCE,sat) / (RL+Re) Icm mx = (6 - 0.5) / 8.5 = 647 mA De la ecuacin 1.94, la mxima potencia obtenible en la carga esta dado por: PLmax = I2cm mx RL / 2 PLmax = (0.647)2 x 8 / 2 = 1.67 W b) Clculo de PCmx: La Potencia mxima disipada en colector, la cual como se demostr en 1.99, ocurre cuando: Icmx = Vcc /[ (RL + Re)] = 12 /[ x 8.5] = 449.4 mA Con este valor y reemplazando en (1.100) Pcmax = V2cc / [42(RL + Re)]= 122/[42x8.5] = 429 mW. c) Clculo de PCCmx De la ecuacin 1.97, la mxima potencia entregada por Vcc es: Pccmax = VccIcm/ = 12 x 0.647 / = 2.47 W d) Clculo de la eficiencia mxima: mx (en %) = (PLmax/PCCmax) x 100 = (1.67/2.47)x100 = 67.6% e) Especificacin de los transistores:
13

La mxima tensin que soporta cada transistor es igual a la fuente de alimentacin. Entonces debe cumplirse: BVCEO > 12 V La mxima corriente que conduce cada transistor es: Icm mx = 0.647 A Entonces: iC mx > 0.647 A Se ha calculado que la mxima potencia que disipa el transistor en el circuito es: PC mx = 0.429W Elegiremos un transistor que cumpla con: PC > 0.429W a la temperatura de trabajo 1.3.1-11: ALGUNAS OBSERVACIONES IMPORTANTES SOBRE Q3: Se habrn uds. Preguntando: Porqu no es conectada la resistencia del colector de Q3 (Rc) directamente a Vcc en lugar de hacerlo a V DD? La razn es la siguiente: Refirindose al circuito de la figura 1.47, en las bases de Q1 y Q2 debe haber una excitacin (seal) de valor ligramente mayor que la tensin de los emisores (seal, que es la misma que hay en la carga), ya que son dos seguidores emisivos, como se ha visto anteriormente, la tensin de V CE de cada transistor excursiona desde vCE = 0V hasta vCE = Vcc (esta es la misma excursin en Rc), lo cual significa que Q3 debe ser capaz de desarrollar una tensin en colector que oscile entre 0V y Vcc. El lmite inferior es fcil de lograr, esto se consigue excursionando hasta casi la saturacin de Q3 (tensin VCE3 = 0V) el lmite superior no se alcanzar nunca si VDD = Vcc ya que en Rc habr una cada de tensin debida a la corriente de base (en seal) de Q1, lo cual har que el mximo valor de tensin de V CE3 sea menor que VCC. Esto har que Q3 no excite al mximo a Q1 y Q2 y por tanto no se podr lograr mxima excursin en la salida. Una forma de lograr una suficiente excitacin de Q1 y Q2 es conectando la resistencia de colector Q3 a una tensin V DD > Vcc, suficiente para compensar la cada en Rc. Debido a que no siempre es posible contar con dos fuentes diferentes, se utiliza un artificio que se ve en la figura 1.52 en la cual al condensador C se le conecta el terminal positivo de la fuente a travs de D1 y la resistencia del colector al extremo de la capacidad C, cuya tensin es igual a V E ms la tensin a la cual se ha cargado en DC el condensador. Como V E excursiona desde ms o menos 0 hasta VCC, cuando llega a Vcc, la tensin en el extremo superior de R C ser Vcc + tensin DC en el condensador = 3Vcc/2 lo cual suministra una tensin de refuerzo a Q3 de modo que ste pueda compensar suficientemente la cada en Rc. Otra forma de lograrlo es reemplazando D1 por un resistor; la tensin de refuerzo ser menor pero suficiente para permitir la mxima excursin. En el circuito de la figura 1.52, C suministra el efecto mencionado, con la ventaja de tener la carga conectada a tierra.

14

+ 12V D1

RC Q1 AC127 Re

R2

Ca2 E

Re

Ca1 RL Q2 AC128 Q3 Vin R3 R1

Figura 1.52 1.3.1-12: AUTOESTABILIZACION EN DC: Como se ha visto, es factor indispensable para evitar la distorsin y lograr la mxima excursin simtrica, que la tensin DC en los emisores sea siempre constante e igual a VCC/2 (funcionamiento simtrico de los transistores). Por tanto, hay que estabilizar est tensin por los efectos que pueda tener en VL: La variacin de la tensin de fuente VCC, cambio de transistores, temperatura, etc. Esto se logra por ejemplo, en el circuito de la figura 1.53 polarizando a Q3 con la tensin existente entre los emisores. Veamos ahora cmo se logra la auto estabilizacin: Suponiendo que V E tiende a disminuir por debajo de su valor ptimo VCC/2, esto har que la corriente de base y por lo tanto del colector de Q3 disminuya. La disminucin har que disminuya la cada de tensin en RC y por lo tanto la tensin en el colector aumenta llevando a la tensin VE a su valor original. Se puede ver que igual compensacin ocurre cuando V E tiende a aumentar. En los amplificadores comerciales se acostumbra emplear un amplificador diferencial (estudiado en el captulo 3) como etapa de entrada, el cual tambin se encarga de que se cumpla: VE = VCC / 2.
+ 12V D1 RC Q1

C3

Re Ca2 E

Re

Ca1 Q2 Q3 R3 R1 RL

Vin

R4 R2 C4

Figura 1.53 1.3.2: AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASE B

15

Este es otro tipo muy conocido de amplificador clase B. A pesar de haber sido superado por los amplificadores de simetra complementaria y cuasi complementaria (que se ver ms adelante) an es muy usado, por ejemplo, en amplificadores de perifoneo debido a que permite el acoplo de la carga y tambin elevar la tensin para reducir las prdidas en los conductores cuando los parlantes estn alejados (como sucede en los edificios y plantas industriales) 1.3.2-1: CIRCUITO BASICO En la figura 1.54 se muestra el circuito bsico con dos transistores NPN. Observamos que la seal de entrada se acopla por un transformador de entrada con una relacin tpica de 1:1; mientras que la carga es acoplada por el transformador de salida con una relacin n:1 Q1 y Q2 estn inicialmente en corte debido a que en las uniones base-emisor no hay polarizacin Los devanados secundarios de T1 son idnticos para evitar la distorsin de la seal de entrada. Los devanados primarios de T2 son idnticos para evitar la distorsin de la seal de salida. 1.3.2-2: PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Vemos que en los transformadores estn marcados los puntos de igual polaridad Cuando Vin es positiva, el terminal 2 del transformador de entrada tendr polaridad positiva respecto al terminal 11.
T1 2 1:1 8 5 7 6 1:1 Q2 6 n:1 11 Q1 8 VCC 5 7 RL Vin 11 T2 n:1 2

Figura 1.54 En los secundarios, el terminal 8 tendr polaridad positiva respecto al terminal 5 (polarizando directamente la unin base-emisor de Q1) y el terminal 7 tendr polaridad positiva respecto al terminal 6 (polarizando inversamente la unin baseemisor de Q2). Esto har que Q1 conduzca y Q2 permanezca cortado En el transformador de salida (T2) circular la corriente de colector de Q1 por el devanado primario superior, mientras que en el devanado inferior no habr corriente pero s habr tensin inducida por el flujo magntico originado por Q1 Cuando Vin es negativa, el terminal 2 del transformador de entrada tendr polaridad negativa respecto al terminal 11. En los secundarios, el terminal 8 tendr polaridad negativa respecto al terminal 5 (polarizando inversamente la unin base-emisor de Q1) y el terminal 7 tendr
16

polaridad negativa respecto al terminal 6 (polarizando directamente la unin baseemisor de Q2). Esto har que Q2 conduzca y Q1 quede cortado En el transformador de salida (T2) circular la corriente de colector de Q2 por el devanado primario inferior, mientras que en el devanado superior no habr corriente pero s habr tensin inducida por el flujo magntico originado por Q2 Podemos observar que en ambos casos la fuente VCC entrega corriente en el mismo sentido, ya sea al devanado superior como al inferior. Debido a que slo funciona un devanado primario a la vez, la impedancia reflejada ser Rp = n2 RL 1.3.2-3: PUNTOS DE OPERACIN RECTA DE CARGA ESTATICA: En continua no hay corriente de colector. Por lo tanto. VCE1 = VCC (1.103) VCE2 = VCC (1.104) RECTAS DE CARGA DINAMICA: En el circuito de la figura 1.53, para AC: vCE1 = VCC - iC1 n2 RL (1.105) vCE2 = VCC - iC2 n2 RL (1.106) Estas rectas de carga AC debern pasar por el punto Q; entonces, bastar buscar el otro punto de la recta. Cuando: vCE1 = 0 Icm1 mx = Vcc/ n2 RL (1.107) 2 vCE2 = 0 Icm2 mx = Vcc/ n RL (1.108) Y vemos que: Icm1 mx = Icm2 mx En la figura 1.55 se observan las dos rectas de carga para cada transistor:
IC1 e IC2

VCC / n2 RL AC

DC

Q VCC

vCE1 2 VCC vCE2

Figura 1.55 1.3.2-4: POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: PL La potencia mxima en la carga PLmx ocurre cuando Icm alcanza su mximo valor terico: Icm mx = Vcc/ n2 RL Para onda sinusoidal:
17

PLmax = (Icm mx) 2 n2 RL /2 = V2cc/2n2 RL La potencia para cualquier valor de Icm es: PL = (iLeff)2RL = (Icm/)2n2 RL/2 PL = (Icm)2 n2RL/2 1.3.2-5: POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE: PCC iCC = corriente que circula por la fuente. Icc = 2Icm / valor medio de icc Luego: Pcc = VccIcc = 2VccIcm/ (1.111) La potencia mxima entregada por la fuente ocurre cuando: Icm mx = Vcc/ n2RL Reemplazando en 1.96: PCCmx = 2V2cc / n2RL

(1.109)

(1.110)

(1.112)

1.3.2-6: POTENCIA DISIPADA EN COLECTOR: PC En la figura 1.54 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de ellos es cero. Podemos plantear lo siguiente: PCC = 2PC + PL (1.113) 2 2 PC = 0.5(PCC PL) = 0.5(2VccIcm/ - (Icm) n RL/2) (1.114) VALOR MXIMO DE PC Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo), PCmx no tiene porqu ocurrir para Icm mx. Hallamos entonces el valor Icmx para el cual ocurre la mxima disipacin de colector, derivando respecto a Icm e igualando a cero: (dPc/dIcm) = (2Vcc/) (Icm n2RL) = 0 Obtenemos: Icmx = 2Vcc / n2RL (1.115) Reemplazando en (1.114) obtenemos: PCmax = V2cc/2 n2RL (1.116) 1.3.2-7: EFICIENCIA DEL CIRCUITO: = PL / PCC = ((I2cm n2RL)/2) / (2VccIcm/ ) En condiciones mximas, cuando: Icm mx = Vcc/n 2RL Reemplazando en (1.101) mx = /4 = 0.785 En porcentaje: mx = 78.5% 1.3.2-8: FIGURA DE MERITO: F F = PCmax / PLmax (1.118)
18

(1.117)

(1.116) y (1.109) en (1.118) se tiene: F = 2 / 2 = 1/5 Estos valores de y F, son los mismos que se pueden lograr tericamente para el caso ideal, con los otros tipos de amplificadores clase B. 1.3.2-9: COMPARACIN ENTRE PUSH-PULL Y SIMETRA COMPLEMENTARIA. a) Una ventaja en el uso de los transformadores en push-pull es el poder acoplar impedancias fcilmente, pero tiene un gran nmero de desventajas como: Bajo rendimiento: Es muy difcil conseguir un transformador de potencia con eficiencia mayor de 80%. La rotacin de fase introducida por los transformadores dificulta el empleo de tcnicas de realimentacin negativa (para disminuir la distorsin) ya que corre el riesgo de aparicin de oscilaciones para algunas frecuencias. El peso de los ncleos utilizados aumenta considerablemente el peso total de los equipos. El tamao de los transformadores evita poder construir equipos compactos. b) Una de las ventajas del amplificador de simetra complementaria es que estando la etapa excitadora acoplada directamente, la respuesta en frecuencia mejora. c) Una dificultad del amplificador en simetra complementaria consiste en lograr obtener dos transistores apareados (machados) npn y pnp. Esto se hace ms difcil conforme aumenta la potencia requerida, de modo tal que prcticamente estos amplificadores en simetra complementaria slo se usan para potencias menores a 20W. Por arriba de estas potencias se utilizan los amplificadores cuasi complementarios, los cuales utilizan el mismo principio, pero evitan el empleo de un par machado en la etapa de salida. PROBLEMA 1.14: En el circuito de la figura 1.56, los transistores tienen las siguientes caractersticas: Q1 = Q2, silicio, VCE,sat = 1V, = 100, V = 0.6V Determine: a) R1 b) PLmx c) PCC d) PCmx e)
R1 Q1 2 Vi 4 1:1 1:1 C 6 7 9 10 R2 100 Q2 C es muy grande Re 1 Re 1 6 VCC 12V 10 2:1 7 9 4 2:1 2 RL 8

Figura 1.56 SOLUCION:

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a) Clculo de R1: El amplificador trabaja en clase AB para evitar la distorsin de cruce Debe cumplirse: VCC R2 / (R1 + R2) = V + IE Re Como se cumple prcticamente que: IE = 0 Podemos hallar R1: R1 = 1900 b) Clculo de PLmx: La impedancia reflejada al primario es: Rp = n 2RL = 32 Recta AC: vCE = VCC - iC (n2 RL + Re) = 12 - 33 iC Como debe considerarse la regin de saturacin, el mnimo valor de v CE es VCE,sat; en ese caso iC alcanza su valor mximo: Icm mx = (12 1) / 33 = 333 mA Asumiendo que el transformador es ideal, dado que no nos dan ms datos sobre l, la potencia mxima entregada a la carga es: PLmax = (Icm mx) 2 n2 RL /2 Reemplazando y efectuando: PLmx = 1.89 W c) Clculo de PCC: La mxima corriente promedio que entrega la fuente es: ICC = 2Icm mx/ = 212.2 mA Luego, de 1.111: Pcc = VccIcc = 2VccIcm mx / = 2.55 W d) Clculo de PCmx: Si no despreciamos la potencia disipada por Re, debemos plantear la siguiente ecuacin: PCC = PL + 2PC + Pe Donde Pe es la potencia disipada por los dos resistores del emisor Reemplazando las expresiones en funcin de Icm: 2Vcc Icm / =I2cm n2 RL /2 + 2PC + I2cm Re /2 Derivando PC respecto de Icm e igualando a cero hallamos el valor de Icmx: Icmx = 2Vcc / (n2RL + Re) = 231 mA Luego, PCmx = 0.437 W e) Clculo de : De la definicin de eficiencia: = PLmx / PCCmx = 74.1% PROBLEMA 1.15: En un circuito similar al de la figura 1.54 se tiene: Q1 = Q2, silicio, VCE,sat = 1V, = 100, V = 0.6V, ICQ = 0. Si cuando VCC = 15V el circuito entrega una potencia mxima a la carga de 6 W. Qu potencia mxima entregar a la carga si se hace VCC = 12V? SOLUCION: Tenemos: PLmax = (Icm mx) 2 n2 RL /2 = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL = 6 De donde: n2 RL = (15 1) 2 / 12 = 16.33 Cuando VCC disminuye a 12 V: PLmax = (12 - 1) 2/(2*16.33) = 3.7W PROBLEMA 1.16: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 10 W. Determine la potencia de salida mxima que puede obtenerse de un amplificador push pull clase B, como el de la figura 1.54, usando dos de estos transistores. Asuma que la excitacin es sinusoidal y que el amplificador tiene una eficiencia del 75%. SOLUCION:

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Tenemos: PLmax = (Icm mx) 2 n2 RL /2 = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL Adems: PCmax = VCC 2/2 n2RL = 10 Entonces: VCC 2 = 102 n2RL Como la eficiencia es dada por: = PLmx / PCCmx = ((Icm mx n2RL)/2) / (2Vcc/ ) = 0.75 Adems: Icm mx = (VCC VCE,sat)/n2RL Reemplazando: 0.75 = [(VCC VCE,sat)/2] / (2Vcc/ ) De donde: 3VCC / = (VCC VCE,sat) Reemplazando en PLmx: PLmax = 9(VCC 2)/2n2 RL 2 = 9(102 n2RL)/2n2 RL 2 = 9(102)/22 = 45W PROBLEMA 1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 10 , mediante un amplificador push-pull clase B, como el de la figura 1.54. Si se dispone de transistores que tienen BVCEO = 40V, silicio, VCE,sat = 2V, = 50, V = 0.6V; halle: a) El valor de la fuente VCC b) El mximo valor de n requerido c) PCmx de cada transistor SOLUCION: a) Clculo de VCC Como la tensin de ruptura es 40V y el transistor en el amplificador push pull soporta una tensin mxima igual 2 VCC, no se puede emplear una fuente mayor de 20 V Entonces, emplearemos: VCC = 20V b) Clculo del mximo valor de n requerido: Tenemos: PLmax = (VCC - VCE,sat) 2/2n2 RL = 10W Reemplazando valores: PLmax = (20 2)2/2n2 RL = 10W De donde: n2 RL = 16.2 Luego: n = 1.27 Dado que hemos calculado n con la mxima tensin posible, dicho valor es el mximo. c) Clculo de PCmx en cada transistor De la ecuacin 1.116: PCmax = V2cc/2 n2RL = 2.5W PROBLEMA 1.18: En un amplificador push-pull clase A se desea cambiar el transformador de entrada por un circuito que emplee un transistor. Cul sera la disipacin de este circuito? Explique su funcionamiento. SOLUCION: El circuito de entrada de un amplificador push pull debe ser capaz de entregar dos seales con la misma amplitud, pero desfasadas 180. Como el push pull trabaja en clase A, sus dos transistores deben estar polarizados en la zona activa. A continuacin se muestra, en la figura 1.57, un circuito que puede hacer dicha operacin:

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R R1 A Ca1 Q B R2 R 10V

Vg

Figura 1.57 Las resistencias de colector y emisor deben ser iguales para asegurar que los niveles de tensin tambin sean iguales. La seal en el colector est desfasada 180 respecto a la de emisor. En los nudos A y B adems de seal tambin hay tensin continua, la cual puede usarse para polarizar a la etapa de potencia. Esta etapa debe trabajar en clase A para que funcione en la forma requerida. En este caso, la mxima disipacin del circuito se producir en el punto de operacin, cuando no haya seal de entrada.

ESQUEMAS DE AMPLIFICADORES DE SIMETRA COMPLEMENTARIA Amplificador de audio para televisor Fapesa

+12Vdc 10 4K7 640uF 680 Q3 640uF 40uF 1 5 Ohm

3K3 18K Q1 100pF 12K 320uF 65 NTC 130 1

t
Q2

Q4

15

3K3

100

320uF

Figura 1.58

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Amplificador de audio para televisor Philips

Figura 1.59 1.3.2-10:PREGUNTAS RELATIVAS A AMPLIFICADORES PUSH-PULL 1) Dibuje una configuracin bsica de un amplificador push-pull para que funcione en clase A. Deduzca las rectas de carga y relaciones de potencia. 2) Indique las ventajas y desventajas comparativas entre las tres configuraciones bsicas en push-pull (operando en clase A, AB, B) 3) Para push-pull clase AB, se puede colocar un diodo zener para reducir el crossover? Porqu? Si se pudiese, como se hara? Sera prctico hacerlo? 4) En la polarizacin de entrada cmo y para qu: Empleara un termistor NTC? Empleara un termistor PTC? 5) En el desfasador de entrada, se puede emplear la disposicin de un transistor con salidas desfasadas en colector y emisor, para un push-pull clase B? Porqu? En general, cmo intervienen las impedancias de salida de dicho desfasador? 6) Si se emplean resistencias en emisores, para qu serviran? Se pueden desacoplar con condensadores? Porqu? Se puede emplear una sola resistencia para ambos emisores? Cmo? 7) Es importante o no, considerar la regulacin de fuente DC en operacin clase B? Porque? 8) El acoplamiento a la carga, se puede realizar con autotransformador? Cmo? Qu ventajas y desventajas habra con respecto al que emplea transformador? 9) Si en vez de polarizar al corte para trabajo en clase B, se polariza en saturacin, qu ocurrira? 10) Qu caractersticas deben tener los transformadores empleados en la entrada como en la salida de los amplificadores push-pull, clase A? y en clase B?. Es indiferente o no a la ubicacin de los puntos de igual polaridad?

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11) Del estudio del circuito bsico clase B, la tensin de seal en el primario (= nVL), Puede ser mayor que Vcc? Puede ser menor que Vcc? 12) En las relaciones deducidas, Interesa que el transformador sea ideal? Intervendran en un caso real los parmetros reactivos del transformador? 13) La recta de alterna puede cruzar la hiprbola de disipacin mxima del transistor? Si se pudiese, cun alejada de ella? Y si la operacin es con pulsos? 14) Para evitar o reducir la distorsin por cross over en transistores bipolares, es mejor excitar con tensin o con corriente? Por qu? Cmo se logra lo anterior? 15) La inductancia de dispersin del transformador de salida tendr influencia apreciable en clase B? 16) Las capacidades e inductancias del transformador Podran reducir la distorsin por cross-over? Cmo? 17) La fuente DC de un Push Pull necesita de un mayor o menor filtrado que las etapas simples en clase A? 18) Qu ocurre con la distorsin armnica en los Push Pull? Qu tipos de distorsin pueden presentarse y debido a qu? 19) Si se tiene un amplificador Push Pull clase B funcionando a todo volumen y se desconecta el parlante, Qu ocurre respecto al Push Pull clase A? Al simple clase A con choke en colector? Y al acoplado por transformador? 20) Es indiferente, siempre, que la carga sea flotante o que est puesta a tierra?

DIVERSOS ESQUEMAS DE AMPLIFICADORES EN PUSH-PULL 1. En la figura 1.60 se tiene un amplificador, con driver, clase A acoplado por transformador, que puede entregar una potencia de 400mW con 10% de distorsin y 50 mW con 3% de distorsin; respuesta en frecuencia: 100Hz 5.5KHz

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Figura 1.60 2.Clase B con salida en serie, sin transformador serie, con de salida y con 2 fuentes de alimentacin. sin 3. Clase B con salida en 1 fuente de alimentacin, transformador de salida.

Figura 1.61 4. En la figura 1.62 se tiene un Amplificador que puede entregar 600 mW (mnimo). Empleado como amplificador previo y salida de un tcasete.

Figura 1.62 5.- Etapa de audio de televisor CROWN (modelo CTV-12)

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-11V

R5 1k2 2 C1 10uF R1 15k R2 68k Q1 2SB117 R3 1k 2500 Ohm 11 T1 8 5 7 6 R8 3k3 R7 1k2 R6 3k3

R10 R

Q2 2SB77 10uF

C3

R11 2.2

PARLANTE

C2 50uF

Q3 2SB77

60 Ohm

R4 10 +10.6V

Figura 1.63 6.- Etapa push pull con salida acoplada directamente:
-4.5V R5 2k7 8 5 7 11 Q1 OC71 10uF R2 10k R3 1k C2 100uF 6 2500 Ohm R6 100 Q2 2SB77 R9 5

T1 2

PARLANTE

R1 62k C1

R7

100 36 Ohm Q3 2SB77 R10 5

R8 2k7

R4 10 +4.5V

Figura 1.64

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AMPLIFICADORES CUASI COMPLEMENTARIOS El inconveniente principal del amplificador de simetra complementaria es la necesidad de dos transistores complementarios (NPN y PNP). Estos transistores deben tener caractersticas elctricas idnticas. Esto hace difcil conseguir transistores que cumplan dichos requisitos (par machado o matched pair) para potencias de salida mayores de 30W. Los amplificadores de simetra cuasi-complementaria resuelven este problema al permitir que los transistores de potencia sean del mismo tipo. Estas etapas se denominan as por el hecho de estar constituidas por un par pnp o npn de salida, excitados por otro par del tipo complementario pnp o npn, como podemos ver en el siguiente circuito. (Figura 1.65)
VCC

Q1 Q3 RL

Vin

Q2 Q4 V2 = VCC/2

V1 = VCC/2

Figura 1.65 Q3 y Q4 son los transistores de potencia encargados de alimentar a la carga, RL . Q1 y Q2 son transistores drivers de menor potencia. Q1 y Q3 forman una configuracin Darlington. Q2 y Q4 forman una configuracin PNP simulado.

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En el esquema bsico de la figura 1.61, los transistores encerrados con la lnea segmentada forman un excitador de simetra complementaria que proporciona la excitacin y la fase necesaria. Bsicamente un amplificador casi complementario consiste en considerar el resultado de conectar un transistor pnp a un transistor de salida npn para alta potencia como vemos en la figura 1.65. La corriente del transistor pnp se convierte en la corriente de base del transistor npn. El transistor npn que funciona como seguidor de emisor proporciona ganancia adicional de corriente sin inversin. Si se considera al emisor del transistor npn como colector efectivo del circuito compuesto, resulta evidente que el circuito equivale a un transistor pnp de alta ganancia y alta potencia (figura 1.66).
ie equiv. Q2 Q4

Qequiv. ic equiv.

Figura 1.66 Consideremos que los transistores Q2 y Q4 tienen una relacin de corriente de transferencia directa pulsada esttica hFE2 y hFE4 respectivamente: icequiv. = ie4 ieequiv= ic4 + ie2 ic2 = ib4 ie4 = (hFE4 +1)ib4 ic2 = hFE2 ib2 hFEequiv = icequiv/ibequiv = ie4/ib2 = (hFE4 +1)ib4/ib2 = (hFE4 + 1)ic2/ib2 hFEequiv = (hFE2 + 1)ic2/ib2 = (hFE4 +1)hFE2 ib1/ib1 = hFE2 (hFE4 + 1) hFEequiv = hFE2 ( hFE4 + 1) si: hFE4>>1 hFEequiv = hFE2 hFE4 La otra seccin es simplemente un Darlington compuesto de dos transistores npn, (Figura 1.67) a continuacin hallaremos la ganancia equivalente, suponiendo que los transistores son apareados (matched). Tomemos hFE1 para Q1 y hFE3 para Q3:
ic equiv. Q1 Q3 ie equiv.

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Figura 1.67 icequiv = ic1 + ic3 ieequiv = ie3 ibequiv = ib1 ie1 = ib3 ic1 = hFE1ib1 ic3 = hFE3ib3 ie3 = (hFE3+1)ib3 hFEequiv = icequiv/ibequiv = (ic1+ic3)/ib1 = (hFE1ib1 + hFE3ib3)/ib1 hFEequiv = (hFE1ib1 + hFE3ie1 = (hFE1ib1 + hFE3(hFE1 + 1)ib1)/ib1 hFEequiv = hFE1 + hFE3 + hFE1hFE3 si: hFE1>>1, hFE3>>1 hFEequiv hFE1hFE3 La preferencia a usar el par final del tipo npn se debe a los siguientes motivos: 1. A niveles de potencia superiores en los circuitos de simetra complementaria se requiere un transistor excitador en clase A que pueda disipar considerable calor, con la inconveniencia del uso de un disipador trmico relativamente grande. Adems, el drenaje de corriente en reposo de la fuente de alimentacin llega a ser importante y se requieren capacitores de filtro excesivamente grandes para mantener bajo el nivel de zumbido. Por estas razones la potencia de salida mxima prctica para un verdadero amplificador de simetra complementaria se considera alrededor de 20W, por lo que para potencias mayores usamos el amplificador de simetra cuasicomplementaria. 2. El transistor pnp de potencia en el par complementario de salida es an ms caro que el npn y en general tiene regmenes de seguridad ms reducidos que su compaero npn, como el control de la difusin de base es ms difcil en los dispositivos pnp el costo de estos transistores es generalmente 25% mayor que el de los npn correspondientes. Los transistores de salida pnp de potencia para circuitos complementarios generalmente son de germanio y se utilizan para potencias inferiores a los 30watts. En general un circuito cuasi complementario es menos estable que uno de simetra complementaria, pero con transistores de silicio no presenta problemas. Los resistores de drenaje (Rd) de la figura 1.68 proveen las siguientes ventajas:

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Q1 Q3 Rd

Re

Q2 Q4

Rd

Re

Figura 1.68 1. Mejora de la respuesta en alta frecuencia 2. Mejora de la estabilidad del transistor de salida ya que se provee de una derivacin para la corriente de fuga ICBO. 3. Se aumenta el BVCEO poniendo al transistor en el modo VCER, que en los transistores de silicio de potencia para una Rd igual a 100 ohmios en general produce un aumento de 10V. En el circuito de la figura 1.68, se observan tambin los resistores puestos en emisor de los transistores de salida (Re) que sirven para estabilizar el punto de operacin con respecto a la temperatura, en algunos circuitos se pone un diodo para evitar las prdidas producidas en Rd y proveer mayor estabilidad, ya que este diodo est acoplado mecnicamente al mismo disipador del transistor de salida, mejorando as la estabilidad por realimentacin trmica. Como se indica en la figura 1.69, los circuitos de salida en serie puede emplearse con fuentes positivas y negativas separadas; en este caso no se necesita capacitor de salida en serie. La eliminacin de este capacitor puede resultar una ventaja econmica aun cuando se utilice una fuente de alimentacin adicional debido a que este capacitor de salida necesario cuando se usa una sola fuente de alimentacin, debe tener un alto valor para obtener un buen comportamiento a bajas frecuencias (por ejemplo se requiere un capacitor de 2000 F para proporcionar un punto de 3 db. 20Hz. para una impedancia de carga de 4). Sin embargo, las fuentes de alimentacin divididas plantean ciertos problemas que no existen en el caso de una fuente: La salida del amplificador debe mantenerse a potencial cero como en condiciones de reposo para todas las condiciones ambientales y variaciones de los parmetros del dispositivo. Asimismo, la referencia de masa de entrada ya no puede estar en el mismo punto A, porque este punto est al potencial negativo de la fuente en un sistema de fuente dividida.

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R6 + VCC R7 C3 Q3 D1 Q5

D2 R4 R5

R9

R11

C2 C1 Q1 Q2 R1 R2 R3 C4

D3 Q4 Q6

RL

R8

R10

R12 - VCC

Figura 1.69 Si la referencia del punto a masa para la seal de entrada fuera un punto comn entre las fuentes divididas, cualquier ondulacin residual presente en la fuente negativa excitara efectivamente al amplificador a travs del transistor Q5, con el resultado de que esta etapa funcionara como amplificador de base comn con su base conectada a masa a travs de la impedancia efectiva de la fuente de seal de entrada. Para evitar esta condicin, el amplificador debe incluir un transistor adicional pnp como se ve en la figura 1.69 Este transistor (Q6) reduce los efectos de excitacin de la ondulacin residual de la fuente negativa debido a la alta impedancia de colector (1M o ms) que presenta a la base del transistor Q1. En la prctica, puede ser reemplazado por un par Darlington para reducir los efectos de la carga en el pre-excitador pnp. Se aplica realimentacin negativa de cc desde la etapa de salida a la entrada a travs de R1, R2 y C1 de manera de mantener la salida a un potencial aproximadamente cero. En realidad, la salida se mantiene aproximadamente a la tensin base-emisor de polarizacin directa del transistor Q6, lo que puede causar inconvenientes en

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algunos pocos casos, pero ello puede eliminarse. El capacitor C1 deriva la fuente de alimentacin negativa de cc a todas las frecuencias de la seal.

PROTECCIN CONTRA CORTO CIRCUITOS Un aspecto importante en el diseo de los amplificadores de alta potencia es la aptitud del circuito para soportar condiciones de corto circuito. Un primer mtodo consiste en el indicado en la figura 1.70 R es un sensor de corriente, si se produce cualquier condicin que haga conducir corriente de carga superior a la normal, los diodos D1 y D2 conducen en semiciclos alternados proporcionando una realimentacin muy negativa que reduce eficazmente la excitacin de los amplificadores. Esta realimentacin no debe exceder el margen de estabilidad del amplificador. Esta tcnica no afecta de ninguna manera al normal funcionamiento del amplificador.
+ VCC

RL

CR1 CR2

Figura 1.70 Un segundo mtodo para limitar la corriente est representado en la figura 1.71. En este circuito se usa una red de polarizacin de diodos para establecer un lmite de corriente fijo a los transistores de excitacin y de salida. En condiciones sostenidas de corto circuito, sin embargo, los transistores de salida deben tolerar este lmite de corriente y un semiciclo de la tensin de alimentacin de CC.

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+ VCC R3

R4 Re D1 D3 R1

Re D2 D4 R

R2 Rs

Figura 1.71 En la figura 1.72 se ilustra la tcnica de limitacin de disipacin que proporciona proteccin positiva para todas las condiciones de carga la accin limitadora de este circuito aparece en la figura 1.73. Esta tcnica limitadora de rea segura permite el uso de transistores de excitacin y salida de baja disipacin y disipadores trmicos ms pequeos en las etapas de salida. El uso de los disipadores ms reducidos es posible porque la disipacin para el peor de los casos es un funcionamiento normal a 4 en lugar de las condiciones de corto circuito. Gracias a esta tcnica, las cargas muy inductivas o capacitivas ya no constituyen un problema y son innecesarios los interruptores trmicos; adems la tcnica es poco costosa.

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+ VCC R1 Q3 Q4 Q1 R6

R5

R9

D2 R2 R7

D1

Q2 Q5 Q7 R2 R3 R4

R8

R10 RL

Q6

Figura 1.72
Ic

LIMITE

Vce

Figura 1.73 Otro tipo de proteccin usada es con diodo zener como lo indica en la figura 1.74.

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+ VCC R3 Q2 D1 R6 D2 R1 R4 D4 R9 D3 Q3 Q1 R7 R2 R5 Q5 RL Q4

R8

Figura 1.74 En la figura 1.75 se muestra la disposicin bsica de un circuito de simetra casi complementaria, por lo general estos poseen transistores de salida npn de silicio de tipo homotaxil (o difusin nica) que se caracterizan por su solidez y altas corrientes. Estos transistores y los transistores excitadores para el amplificador complementario funcionan en clase AB en una disposicin que asegura un pequeo drenaje de corriente con seal cero. Otras caractersticas del circuito son las etapas pre amplificadoras y pre excitadora acopladas directamente y la proteccin contra corto circuitos o limitacin de rea segura. La etapa preamplificadora se compone de un circuito puente balanceado Q1 y Q2 que mantiene una tensin de reposo de CC cero en la salida. La realimentacin se acopla a travs del resistor R6 y se provee referencia de masa a travs del resistor R2 y del capacitor C2. Los emisores comunes son retornados a la fuente positiva a travs del resistor R3 y el diodo D1 y el resistor R5. El diodo D1 y el capacitor C4 reducen al mnimo los transistores de apagado y proporcionan desacoplamientos de la fuente de alimentacin. El circuito puente est acoplado directamente a una etapa pre excitadora clase A (Q3), la que se acopla a los excitadores complementarios (Q4 y Q5) a travs de R12. El circuito de proteccin para limitacin de disipacin esta tambin conectado a este punto. El propsito de este circuito es, como ya se mencion, impedir que la etapa de salida comience a conducir si se produce una disipacin anormalmente alta. El circuito limitador de disipacin proporciona una derivacin para la corriente de excitacin desde el excitador asociado y los dispositivos de salida. El resistor R12 proporciona cierta limitacin de corriente que el transistor Q9 debe soportar durante la sobrecarga. El capacitor C9 puentea a R12 para mejorar la respuesta a transitorios. Los diodos D2, D3, D4 y el resistor R11 suministran una polarizacin directa controlada a los excitadores y a los dispositivos de salida, de manera que se mantiene el funcionamiento en clase AB.
35

D1

R5 + VCC C14

C4

R8 Q4 R10 R11 D5 C11 Q6 D10

R3 C6 D4 Q8 R13 R14 D6 C10 C1 R1 Q1 Entrada de audio R7 C2 R2 C5 D2 D8 R12 R18 Q5 Q7 C9 Q3 R4 R13 - VCC C8 C16 R20 D11 C12 C15 C7 Q9 D9 Q2 R9 D3 R16 R17 R22 R25 R6 R15 D7 R24 Al parlante R21 R23 L1 10 uH

Figura 1.75 El capacitor bootstrap C6 suministra el refuerzo de tensin adicional necesaria para saturar el par de salida superior (Q4 y Q6) a travs de los resistores R8 y R10. El capacitor C7 proporciona una oscilacin de tensin controlada a travs de R9 y R13 para superar las prdidas normalmente introducidas por el resistor R12. El resistor R13 y el capacitor C8 proporcionan desacoplamiento a altas frecuencias para la lnea de alimentacin negativa de CC. Los resistores R20 y R21, junto con R22 y R23 permiten la necesaria estabilizacin para los transistores de salida Q6 y Q7. La corriente pasa a travs del resistor R23 para detectar los ciclos positivos y se acopla al transistor Q8 a travs del resistor R17. El resistor R14 y el diodo D6 proporciona la deteccin simultanea de tensin. La corriente es detectada a travs del resistor R22 para la limitacin de los ciclos negativos, acoplndose al transistor Q9 a travs del resistor R18. La deteccin de tensin mediante los resistores R15 y R16 y el diodo D7 produce una variacin en la pendiente de la curva de limitacin. Los resistores R24 y R25, los capacitores C13 y C15 y el inductor L1 proporcionan la reduccin de altas frecuencias, de manera que es posible mantener un buen margen de estabilidad en cualquier condicin de carga C10, C11 y C12 proveen estabilidad adicional durante la limitacin. Los diodos D5 y D8 impiden la polarizacin directa de las junturas colector-base de los transistores Q8 y Q7 durante los semiciclos alternados de la seal. Los capacitores C14 y C16 se encargan de la supresin de parsitos. El diodo D9 y el resistor R18 aseguran la adaptacin de transconductancias entre los pares Darlington superior e inferior para reducir al mnimo la distorsin a bajo nivel.

36

Los diodos D10 y D11 protegen los transistores de salida de los potenciales inversos que se producen durante la conmutacin en el caso que se use una carga acoplada por transformador. AMPLIFICADORES DE AUDIO CON CIRCUITO DISCRETO
D1 C3 47uF 1N4004 R6 +32Vdc 180 2.2K R4 15K C6 47uF R9 R10 2.7K R12 47 Q4 C9 C1 R1 1.8K R2 18K C2 180pF Q1 Q2 R5 560 R7 18K R11 270 D2 1N4004 Q5 R13 4.7K 50nF R12 1K R15 D7 1N4004 D8 1N4004 R16 68 C11 D6 1N4004 D9 50nF 1N4004 68 Q9 R21 100 -32Vdc Q6 D5 1N4004 50nF Q8 R18 100 D9 1N4004 L1 68 R19 0.39 R20 0.39 10uH R22 22 R23 22 Parlante C12 50nF

C10

4.7uF

C4 47uF

C13 20nF

8 / 20W

C7 47uF C5

D3 1N4004

D4 20nF 1N4004 Q7 Q3 R8 390 R14 C8 20nF 100

R17

R3 680

37

Figura 1.76
AMPLFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO CON SIMETRIA CUASI COMPLEMENTARIA POTENCIA DE SALIDA: 200W EN 4 OHMIOS

+45Vdc R6 5K6 R12 270 R19 2K2 R20 1K5 C9 10 /50 R21 12

R4 18K

R8 2K2

D1 1N40 4 C3 C5 10 /50 R13 2K2

R16 4K3 C8

Q6 D1046 R22 47/1

Q8 2N37 3 R24 0.22/5

Q10 2N3773 R26 0.22/5

Q12 2N37 3 R28 0.2 /5

D4 1N5395

R3 2M2

C2 470K

R7 10/50 Q2 BC549 R9 15K R10 2K2

D2 1N4004 R18 1M D3 C10 10 pF 1N4004 Q7 D816

200pF Q3 B649 Q4 B649 R15 270

R1 22K

C1 Q1 BC549

0.2

2.2/50

R17 220K

RL 4 OHM

D5 Q9 2N37 3 Q11 2N3773 R27 0.22/5 Q13 2N37 3 R29 0.2 /5 -45Vdc 1N5395

R2 47K

R5 270

C4 3 0pF

R11 22K

C6 47K

R14 680

C7 10 /50

Q5 D386 R23 47/1

R25 0.22/5

Figura 1.77 AMPLIFICADORES EN CIRCUITO INTEGRADO En la actualidad existen mdulos hbridos (porque combinan parte integrada y parte discreta en el mismo mdulo), con los que pueden construirse amplificadores de audio de diferentes potencias con muy buena respuesta en frecuencia. 1) A continuacin mostramos un modelo de baja potencia acoplado por transformador, que emplea el integrado CA3007:

38

9Vdc 4.7uF 9 1 4.7uF CA3007 12 1N4148 10K 2N2102 18 5 6 1K8 8 18 4 16 OHM 1

8 10

3 2 6

11

1N4148

4.7 uF 4K7 4.7uF

2N2102

Figura 1.78 2) STK084: AMPLIFICADOR HBRIDO DE 50W PARA AUDIOFRECUENCIA. Caractersticas mximas (temperatura ambiente de 25 C) Mxima tensin de alimentacin: 50Vdc Mxima corriente de colector: 7 A Resistencia trmica (jc): 1.7 C/W (para Tc = 25 C) Temperatura mxima de carcasa (Tc): 85 C Condiciones de operacin recomendadas: Tensin de alimentacin: 35 Vdc Resistencia de carga (RL): 8 Caractersticas de operacin (Ta = 25 C , Vcc = 35 Vdc , RL = 8) Corriente de polarizacin: Icco = 100 mA Potencia de salida: Po = 50W mnimo (con THD = 0.2% y 20Hz f 20 KHz) Respuesta en frecuencia: 10 Hz 100 KHz (para: Po = 1W y 0 1db) Resistencia de entrada: 52 K (para: Po = 1W y f = 1 KHz) Diagrama del circuito y aplicacin tpica:

39

10 D1 Z1 R8

+35Vdc 100 8 10uF/50V 9

220uF/50V

R1

Q1

D2

R5 Q4 Q7 Q9

1K

1uF/63V

R3 1 56K Q2 Q3 R4

D3

D4

470pF R6 Q5 R7 C1 2 C R2 R9 Q6 Q8

R10 7

D5

47nF

RL Q10 47 8

5 2pF

R11

56K 6 -35Vdc

2K7 47uF/16V 220uuF/50V

100

10uF/50V

Figura 1.79 3) TBA820M (de THOMSON) Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las siguientes caractersticas principales: Tensin de alimentacin de 3 16 V Baja corriente de polarizacin: 4 mA (tpica), 12 mA (mxima) Alta eficiencia (que lo hace aplicable a equipos porttiles con batera) Potencia de salida hasta 2 W (tpica), sin disipador externo (medida con RL = 8, Rf = 120 , f = 1 KHz y distorsin total de 10%) Alta impedancia de entrada Baja corriente de polarizacin de entrada: 0.1 uA ( tpica) Alto rechazo al rizado No tiene inestabilidad trmica No tiene distorsin de cruce Requiere pocos componentes externos Encapsulado DIL de 8 pines Corriente pico de salida: 1.5 A (mxima) Temperatura de almacenamiento: -40 +150C Temperatura de juntura: 150C Resistencia trmica: 80 C/W Sensitividad de entrada: 60 mV (tpica, medida con VCC = 9V, PL = 1.2W, RL = 8, Rf = 120 y f = 1 KHz) Resistencia de entrada: 5 M (tpica)

40

 Respuesta en frecuencia ( 3db): 25 20,000 Hz (medida con VCC = 9V, RL = 8, Rf = 120 y CB = 220pF) Ganancia de tensin sin realimentacin: 75 db (tpica, medida con VCC = 9V, RL = 8 y f = 1 KHz) Ganancia de tensin con realimentacin: 34 db (tpica, medida con VCC = 9V, RL = 8, Rf = 120 y f = 1 KHz) Voltaje de ruido de entrada: 3 Vrms (tpico, medido con VCC = 9V y ancho de banda (3 db) de 25Hz 20KHz) Corriente de ruido de entrada: 0.4 nA (tpico, medido con VCC = 9V y ancho de banda (3 db) de 25Hz 20KHz) Relacin seal a ruido: 70db (tpica, medida con VCC = 9V, RL = 8, Rf = 120 , R1 = 100K, PL = 1.2W y ancho de banda (3 db) de 25Hz 20KHz) Rechazo a la fuente de alimentacin (PSRR): 42db (tpica, medida con VCC = 9V, RL = 8, Rf = 120 , C6 = 50F y frecuencia de rizado de 100 Hz) CIRCUITO INTERNO EQUIVALENTE: Podemos observar que Q2 y Q5 forman un amplificador diferencial de entrada Q1 y Q2 forman una etapa Darlington de entrada que permite elevar la resistencia de entrada y disminuir la corriente de polarizacin de base Q3 y Q4 forman un espejo de corriente. Al actuar Q3 como fuente de corriente constante, puede presentar una alta impedancia para seal al colector de Q2 y ello permite que dicho transistor logre mxima ganancia de tensin. Q6 es una fuente de corriente (forma parte de un espejo de corriente mltiple integrado adems por Q7, Q12 y Q16) y se encarga de polarizar al amplificador diferencial asegurando un alto rechazo al modo comn.
7 6

Q6

Q7

Q12

Q16 Q17

R2 5.9K

D1 R5 R6 2K D9 Q14

Q18

R1 3 2K Q1

Q2

Q5 6K R3 6K D2

5 D6

Q13 Q8 Q9 Q3 Q4 R4 2K 4 Q10 Q11 Q15

Figura 1.80 Q8, Q9 y Q10 se encargan de polarizar al espejo de corriente mltiple y ajustar la polarizacin de Q5.

41

Q5 est conectado en DC y AC directamente a la salida para asegurar que el voltaje DC de salida est exactamente a la mitad de la fuente de alimentacin e introducir realimentacin negativa para ampliar el ancho de banda y reducir la distorsin. Adicionalmente, se tiene acceso al lazo de realimentacin mediante el pin 2 para poder ajustar la respuesta en frecuencia. Adicionalmente, a travs del pin 1 hay acceso al circuito de entrada para introducir compensacin y evitar posibles oscilaciones. Al pin 8 se conecta una capacidad de filtro (C6) que permite mejorar el factor de rechazo a la fuente. De esta manera el amplificador se hace menos sensible a las variaciones del voltaje de la fuente, impidiendo que ello genere oscilaciones de baja frecuencia. Al terminal 7 se conecta otro condensador de filtro para alimentar al circuito de entrada con una tensin constante y ligeramente ms alta que la fuente para poder lograr la mxima excursin simtrica. Este efecto se logra conjuntamente con un resistor que se coloca entre los pines 6 y 7. Q11 es un amplificador clase A que se usa como driver de la etapa de potencia. El transistor Q12 le permite actuar con su mxima ganancia permitiendo que el circuito logre la ganancia de tensin final. Los diodos D1, D2, D3 y D4 permiten la compensacin trmica y estabilidad del punto de operacin de la etapa de potencia. La etapa de salida formada por Q13, Q14, Q15, Q17 y Q18 forman un amplificador de simetra cuasi complementaria, que es el encargado de dar prcticamente la ganancia de corriente total del circuito. CIRCUITOS DE APLICACION: a) Amplificador con carga conectada a la fuente:
+VCC C2 100uF 50uF C6 C4 0.1uF RL

6 3

8 7 1 5

CB C5

Vi

R1 10K

TBA820M 2 Rf C1 100uF 4

500uF R2 1 C3 0.22uF

Figura 1.81 b) Amplificador con carga conectada a tierra:

42

+VCC C2 100uF R3 56 C4 0.1uF

6 3

7 1 5 8

CB C7 100uF

Vi

R1 10K

TBA820M 2 Rf C1 100uF 4

R2 1 C3 0.22uF

RL

50uF

C6

Figura 1.82 4) TDA2030 (de THOMSON) Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las siguientes caractersticas principales: Tensin de alimentacin mxima simtrica de +/- 6V +/- 18V y puede alimentarse con una sola fuente de + 36V (mxima). Corriente de polarizacin: 40 mA (tpica), 60 mA (mxima) Baja corriente de polarizacin de entrada: 0.2 uA ( tpica), 2 uA (mxima) Alta corriente de salida (hasta 3 A), con proteccin contra cortocircuito. Potencia de salida: 18 W (tpica, medida con RL = 4, Av = 30db, f = 1 KHz, TC = 90C y distorsin armnica total de 10%) Incluye un sistema de proteccin trmica Alta impedancia de entrada: 5 M (tpica) Voltaje offset de entrada: +/- 20 mV (mximo) Corriente offset de entrada: +/-200 nA (mxima) Voltaje offset de salida: +/- 22 mV (mximo) Muy baja distorsin de cruce Temperatura de almacenamiento: -40 +150C Temperatura de juntura: -40 +150C Resistencia trmica: 3 C/W Sensitividad de entrada: 215 mV (tpica, medida con Av = 30db, PL = 12W, RL = 4 y f = 1 KHz) Respuesta en frecuencia ( 3db): 10Hz 140KHz (medida con Av = 30db, RL = 4, PL = 12W) Ganancia de tensin sin realimentacin: 90db (tpica, medida con f = 1 KHz) Ganancia de tensin con realimentacin: 30 db (tpica, medida con f = 1 KHz) Voltaje de ruido de entrada: 10 Vrms (mximo, medido con RL = 4 y ancho de banda (3 db) de 10Hz 25KHz)

43

 Corriente de ruido de entrada: 200 pA (mximo, medido con RL = 4 y ancho de banda (3 db) de 10Hz 25KHz) Temperatura de cpsula: 110C (mnima, para activar la proteccin trmica) Rechazo a la fuente de alimentacin (PSRR): 50db (tpica, medida con RL = 4, Av = 30db, RG = 22 K, Vrizado = 0.5 Vrms y frecuencia de rizado de 100 Hz) CIRCUITO INTERNO EQUIVALENTE:
5 D2 Q3 Q11 PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITO Y CORTE TERMICO R5 Q14 Q15 D7

R1 Q2

R2 Q4 Q5

D3

Q1

D4

R6

Q7 Q8 Q12 Q6 D1 Z1 R4 R3

D5

D6

Q13 Q16 Q17 Q9 Q10 PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITO Y CORTE TERMICO

R7

R8 3

Figura 1.83 Podemos Observar que se trata de un amplificador de simetra cuasi complementaria, donde Q14 y Q15 forman la etapa de salida NPN Darlington y Q13, Q16 y Q17 forman la etapa de salida PNP simulado. Q1, Q2, Q4 y Q5 forman un amplificador diferencial con etapas Darlington, lo cual permite elevar la impedancia de entrada y minimizar la corriente de polarizacin de base. R1 y R2 introducen realimentacin negativa en el amplificador diferencial a la vez que contribuyen a elevar ms la impedancia de entrada. Q3 y Q11 forman un espejo de corriente polarizado por medio de la tensin en D2 y los transistores Q7 y Q8. La corriente es suministrada por Q8, el que acta como fuente de corriente constante. El Mosfet Q7 acta tambin como fuente de corriente constante y polariza al zener Z1, el cual est encargado de mantener constante la corriente de Q8. D3, D4 y D5 polarizan la etapa de potencia y dan estabilidad trmica al punto de operacin

44

Q6 acta tambin como fuente de corriente presenta una alta impedancia de salida, para seal, al transistor Q4, permitindole una mxima ganancia de tensin. Q12 forma la etapa amplificadora clase A, que es el driver para el amplificador de potencia y logra mxima ganancia de tensin debido a Q11 que acta como fuente de corriente y le ofrece alta impedancia para seal

CIRCUITOS DE APLICACION: A continuacin veremos algunas aplicaciones tpicas, en la que se incluye un amplificador tipo puente que es una configuracin que permite cuadruplicar la potencia de salida para la misma resistencia de carga. a) Amplificador con fuentes de alimentacin simtricas:
+VCC C3 0.1uF C5 100uF D1 1N4004 C1 1 TDA2030 Vi R3 22K R2 680 C2 R5 2 3 5

1uF

4 R1 22K

D2 1N4004 R4 1 C7 0.22uF

C8

RL

22uF

-VCC C3 0.1uF C5 100uF

Emplear: R5 = 3R2 y C8 = 100 pF para ancho de banda de 20 KHz y Av = 38db Figura 1.84 b) Amplificador con una sola fuente de alimentacin: Para asegurar que la salida est a la mitad de la fuente y tener mxima excursin simtrica, debe polarizarse el terminal 1, por medio de resistores, a la mitad de VCC c) Amplificador tipo puente con fuentes de alimentacin simtricas:

45

+VCC C3 0.1uF C5 100uF 1N4001 5 1 1uF TDA2030 Vi 22K 680 1 22uF R2 680 2 3 22K 1N4001 1 4 RL 8 4 D2 1N4001 22K 22K 3 TDA2030 2 D1 1N4001 5 1 22K

22uF

C2

0.22uF

0.22uF

-VCC C3 0.1uF C5 100uF

Figura 1.85 La seal de entrada es recibida por el amplificador de la izquierda. Su salida est desfasada 180 respecto de la entrada. Esta seal es atenuada para luego ser ingresada al amplificador de la derecha. La salida de este ltimo est en fase con la entrada. Esto hace que si la salida es del amplificador es VL, la tensin en la carga es 2VL. Como la potencia de salida es proporcional al cuadrado del voltaje, entonces dicha potencia es cuatro veces la que puede dar uno solo de los amplificadores. La resistencia de carga efectiva que ve cada amplificador es 4

46

PROBLEMAS PROPUESTOS PROBLEMA P1.13: En un amplificador de simetra complementaria, como el mostrado, explique por que el voltaje pico positivo, de salida, no puede llegar a ser igual al voltaje pico negativo
+VCC

RL

-VCC

Figura 1.86 PROBLEMA P1.14: Se desea entregar 15W a una carga de 8, mediante un amplificador push-pull clase B. Si se disponen de transistores que tienen BVCEO = 100 V con = 50 y VCE,sat = 2 V. Halle: a) El valor de la fuente DC (VCC). b) El mnimo valor de la relacin de transformacin (n) requerido. c) La potencia mxima que disipar cada transistor. PROBLEMA P1.15: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 40 W. Determine la potencia de salida mxima que puede obtenerse de un amplificador push pull usando dos de estos transistores cuando son operados en clase B. Asuma que la excitacin es sinusoidal y la eficiencia del amplificador es de 65% PROBLEMA P1.16: Explique por qu de las siguientes afirmaciones: a) La resistencia trmica limita la disipacin de calor en un transistor de potencia. b) La mxima disipacin de potencia de un transistor depende de la temperatura. c) La zona de saturacin recorta el pico negativo de la seal de salida. d) En un amplificador de potencia clase B, la impedancia de entrada es no lineal. e) La mxima disipacin de potencia en un transistor est representada por una hiprbola en el plano Ic vs. Vce. f) Los transistores de potencia en un amplificador push pull deben ser idnticos. g) Los transistores de potencia del amplificador de simetra complementaria deben tener las mismas caractersticas elctricas. h) En clase B se produce la distorsin de cruce. PROBLEMA P1.17: Se desea entregar 10 W a una carga de 8, mediante un amplificador Push Pull clase AB. Si se dispone de transistores con BVCEO = 80 V, = 50 y VCE,sat = 2V. Asuma que los transformadores son ideales, el de entrada con n = 1 y el de salida con n = 3. Halle: a) El valor de la fuente DC (VCC).

47

b) La potencia entregada por la fuente. PROBLEMA P1.18: Disee un amplificador clase B de simetra complementaria para obtener una potencia de salida de 10W en una carga de 8. Especifique: a) Las caractersticas de los transistores. b) La tensin de alimentacin. c) La potencia entregada por la fuente. PROBLEMA P1.19: En el circuito mostrado, determine: a) Las corrientes de polarizacin de todos los transistores b) PLmx c) PCCmx d) PCmx e) La eficiencia total f) Para qu sirve Q1? Asuma: Que todos los transistores son de silicio con = 50, VCE,sat = 0.5V, C1 y C3 son muy grandes
+ 9 Vdc R1 68K D1 R6 1K D2 R2 68K Q2 R3 180K R5 R4 33 15K Q4 R9 1.5K RL 40 Q1 Q3

R7 22

C3

R8 22

C1

Vg

C2 100uF

Figura 1.87 PROBLEMA P1.21: En el circuito mostrado, halle las caractersticas de cada transistor y determine: a) PCC b) PLmx c) PCmx d) La eficiencia total
+ 45Vdc R6 5K6 R12 270 R19 2K2 R20 1K5 C9 100/50 R21 12

R4 18K

R8 2K2

D1 1N4004 C3 C5 100/50 R13 2K2

R16 4K3 C8

Q6 D1046 R22 47/1

Q8 2N3773 R24 0.22/5

Q10 2N3773 R26 0.22/5

Q12 2N3773 R28 0.22/5

D4 1N5395

R3 2M2

C2 470K Q1 BC549 0.2

R7 10/50 Q2 BC549 R9 15K R10 2K2

D2 1N4004 R18 1M D3 C10 100pF 1N4004 Q7 D816

200pF Q3 B649 Q4 B649 R15 270

R1 22K

C1

2.2/50

R17 220K

RL 4 OHM D5 Q9 2N3773 R23 47/1 R25 0.22/5 Q11 2N3773 R27 0.22/5 Q13 2N3773 R29 0.22/5 - 45Vdc 1N5395

R2 47K

R5 270

C4 330pF

R11 22K

C6 47K

R14 680

C7 100/50

Q5 D386

Figura 1.88

48

PROBLEMA P1.20: En el circuito mostrado es un amplificador push pull clase A, determine expresiones para: a) PCC b) PLmx c) PCmx d) La eficiencia total e) La figura de mrito
2 Ig 1:1 8 5 7 6 1:1 Ideal R14 VBB Q1 VCC 8 5 7 6 11 T2 2

RL

11

Q2

Figura 1.89 PROBLEMA P1.21: Analice el circuito mostrado y determine la mxima potencia de salida y la mxima potencia que disipa cada transistor.

49

BIBLIOGRAFIA 1).- CIRCUITOS MICROELECTRONICOS: ANLISIS Y DISEO Muhammad Rashid Editorial: International Thomson Editores 2).- MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS Mark N. Horenstein Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A. 3) MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS Sedra Smith Editorial: Oxford 4).- CIRCUITOS ELECTRONICOS II M. A. Martino, M. Leureyros Copias del curso UNI 1980 5) ELECTRONIC CIRCUITS: DISCRETE AND INTEGRATED Schilling, Donald L. Belove, Charles Editorial: Mc Graw-Hill Kogakusha, Ltd. 6) DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRNICOS Millman, Jacob Halkias, Cristos C. Editorial: Mc Graw-Hill Book Company 7).- ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS INTEGRADOS Paul E. Gray Robert Meyer Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A. 8).- COMMUNICATION CIRCUITS: ANALYSIS AND DESIGN Clarke, Kenneth Hess T. Donald Editorial: Addison-Wesley Publishing Company 9).- MANUAL RCA SC15 10).- MANUAL DE AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA TRANSISTORIZADOS Francisco Ruiz Vasallo Editorial: Ediciones CEAC Barcelona 2da. Edicin 1979 11).- MANUAL DE BAFFLES Y ALTAVOCES Francisco Ruiz Vassallo Editorial: Ediciones CEAC Barcelona 3da. Edicin 1981

50