,--' ,= --,-' ,- =' , ,+-=' Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire -'' -=-' ''' ,'-' Ministre de l'enseignement suprieur

et de la recherche scientifique '=,- - -,-= -'= - -'-' Universit de HASSIBA BEN BOUALI CHLEF ',---' ,'' ,' Facult de technologie Dpartement de lectrotechnique

En vue de lobtention dun diplme licence LMD Option : commande lectrique

Prsent par : Encadrs par : MEKRELOUF Ali BENYAMINA Abderrahmen Jury: Mr: BENYAMINA MAAMAR Mr. SAIDI HAMZA

Promotion 2011 UHBCH Page 2

UHBCH Page 3 Je ddie ce modeste travail ceux qui sont la source de mon inspiration et mon courage. A ma trs cher mre, qui ma donne toujours lespoir de vivre et qui na jamais cess de prier pour moi. A mon trs cher pre, pour ses encouragements et son soutien, Et surtout pour son sacrifice afin que rien nentrave le droulement de mes tudes. A mes chers frres A mes surs A tous mes amis

Ali & Abderrahmen UHBCH Page 4

Nous tenons remercier en premier lieu ALLAH, le tout puissant, qui nous a donn le courage et la volont pour bien mener ce modeste travail.

Ainsi, nous remercions notre encadreur monsieur SAIDI HAMZA pour leur soin exceptionnel et conseils judicieux. Nous remercions Tous les enseignants du dpartement ELT, qui ont assurs notre formation durant tout cycle dtude. Enfin, nous remercions tous ceux qui nous ont aid accomplir notre travail, de prs comme de loin.

Ali & Abderra hmen

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UHBCH Page 6 Sommaire Introduction gnrale Chapitre I : le rayonnement solaire ............................................ ......................... 01 I.1/- Introduction ........................................................ ....................................... 01 I.2- Mouvement du Globe terrestre ....................................... ....................... 01 I.3- La sphre cleste ...................................................... ................................ 02

I.4- Les coordonnes clestes ................................................ .......................... 02 I.4.1- Les coordonnes gographiques ............................... 02 I.4.1.1- Longitude ............................. ...................................... 02 I.4.1.2- Latitude ............................... ........................................ 03 I.4.2- Les coordonnes horaires ................................ .......................... 03 I.4.2.1- La dclinaison solaire ................... ............................. 03 I.4.2.2- Angle horaire .......................... ................................... 04 I.4.3- Les coordonnes horizontales ........................... ....................... 05 I.4.3.1- Hauteur angulaire du soleil ........... .......................... 05 I.4.3.2- Azimut ................................ ....................................... 05 I.4.4- Temps solaires ....................................... .................................... 05 I.4.4.1- Temps solaire vrai .................................................... 05 I.4.4.2- Temps solaire moyen ............................................... 06 I.4.5- Angle horaire de coucher du soleil ....................... 06 ...................

I.5Le rayonnement solaire ......................................................................... 06 I.5.1- Types de rayonnements ............................................................. 06 I.5.1.1- Rayonnement direct .................................................. 06 I.5.1.2- Rayonnement diffus ................................................. 06 I.5.1.3- Rayonnement global .................... ............................. 07 I.6Rayonnement en Algrie .............................................. .......................... 07 UHBCH Page 7 I.7- Conclusion ......................................................... ....................................... 08 Chapitre II : La conversion photovoltaque ....................................... ..................... 09 II.1- Introduction ............................................................ ................................. 09 II.2- Leffet photovoltaque ...................................................... ........................ 09 II.2.1- effet photolectrique interne ........................................... ......... 09 II. 3- la jonction PN ......................................................... .................................. 10

II.3.1- La polarisation directe .............................................. .............. 12 II.3.2- La polarisation inverse .............................................. .............. 12 II.3.3- Lclairement a deux effets sur le fonctionnement ................ 13 II. 4- Les cellules solaires .................................................. ................................ 14 II.4.1- Les principaux types de cellule ....................................... ......... 14 II.4.1.1- Cellule en silicium amorphe .................................... 14 II.4.1.2- Cellule en silicium monocristallin .......................... 14 II.4.1.3- Cellule en silicium poly cristallin ............................ 15 II.4.2- Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque .......... 16 II.4.3- Caractristiques lectriques des photopiles ........................... 18 II.4.3.1- Caractristique Courant- Tension ........................ 18 II.5- Linfluence de l'clairement solaire et de la temprature .................. 2 0 II.5.1- Linfluence de l'clairement solaire ....................................... .. 21 II.5.2- Linfluence de la temprature ............................................. .... 21 II.6- Regroupement des cellules ............................................... ....................... 22 II.6.1- Association en srie ..................................................... ............... 23 II.6.2- Association en parallle ................................................ ............ 24 II.6.3- Association mixte ...................................................... ............. 25 II.6.4- Les diodes de by-pass (protection) .................................... .. 26 II.7- Les modules photovoltaques .............................................. ............... 27 II.7.1- Caractristiques nominales des modules PV .................... 27 II.8- Conclusion ............................................................. ................................... 28 UHBCH Page 8 Chapitre III :Systme de poursuite du soleil .................................... ...................... 29 III.1- Introduction .......................................................... .................... 29 III.2- Position du soleil par rapport un observateur ......................... ...... 29 III.2.1- Angle de znith ....................................................... ................ 29 III.2.2- Angle dazimut ......................................................... ............... 29 III.2.3- Angle extrieur dazimut .................................................. ....... 30 III.2.4- Angle dincidence ....................................................... .............. 30 III.3- Orientation de la surface ............................................ ......................... 31 III.3.1- Rotation suivant un axe ............................................. ............ 31 III.3.1.1- Axe vertical et inclinaison fixe de la surface ..... 31 III.3.1.2- Axe horizontal, surface parallle l'axe .......... 31 III.3.2- Rotation suivant deux axes

................................................... 32 III.4- Diffrents types de montures ............................................................... 33 III.4.1- Monture altazimutale ............................................... ............ 33 III.4.2- Monture quatoriale .............................................................. 34 III.5- Comparaison entre un systme PV fixe et un systme mobile ........... 35 III.6- Conclusion ............................................................................... ............ 35 CHAP IV : Realisation ...................................................... ..................................... 36 IV.1- Introduction ................................................... ......................................... 36 IV.2- Schma Synoptique ......................................................... ........................ 36 IV. 3- ralisation du suiveur ................................................... ......................... 37 IV. 3.1-Partie mcanique ......................................................... ............. 37 IV. 3.1.1-Description de la structure .................................. 38 IV. 3.1.2-Orientation laxe horizon (lvation) ............... 39 IV. 3.1.3-Orientation laxe vertical (lazimute) ............... 40 IV. 3.1.4-Chois demplacement du capteur ......................... 40 IV. 3.1.5-Chois du moteur lectrique ................................... 41 UHBCH Page 9 IV. 3.1.6-les vrins lectriques ............................................ 41 IV. 3.1.7-Le moteur courant continue ............................. 41 IV. 3.2-Partie lectronique ..................................................... ............. 42 IV. 3.2.1-Le bloc dalimentation ......................................... 42 IV. 3.1.2-chois du capteur de lumire ................................. 42 IV. 3.2.2.1-La photorsistance .................................. 42 IV. 3.2.3-Carte de puissance ................................................ 44 IV. 3.2.3.1-Constutiants .............................................. 45 IV. 3.2.4-Carte de traitement ................................................ 4 7 IV. 3.2.5- pic16f877A .......................................................... .... 49 IV. 3.2.5.1- Choix du microcontrleur .................... 51 IV. 3.2.6- Loscillateur ...................................................... .. 52 IV. 3.2.7- Le module de conversion A/N .......................... 53 IV. 3.2.8- La programmation du pic ................................. 53 IV. 3.2.8.1- organigramme ........................................ 57 IV. 3.2.8.2- programme sous logiciel microC .......... 58 IV. 3.2.8.3- simulation en Isis .................................... 58 IV. 4. Test et Problmes rencontrs ............................................. ................. 59 IV. 5. Conclusion

............................................................................... ............. 59 Conclusion gnrale ............................................................... ................................... 60 Bibliographies ............................................................... ............................................ 61 Annexes ..................................................................... ........................................... 62

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UHBCH Page 11 Introduction gnrale

Les nergies renouvelables sont des nergies qui se renouvlent assez rapidement pour tre considres comme inpuisable lchelle humaine du temps. Face aux prvisio dpuisement invitable des ressources mondiales en nergie fossile (ptrole, gaz, charbon ...), en nergie dorigine thermonuclaire (uranium, plutonium...), face aux multipl es crises ptrolires, conomiques, aux changements climatiques dus leffet de serre, la science se st tout naturellement intresse aux ressources dites " renouvelables " et notamment ve rs la plus ancienne, le soleil, qui dverse chaque jour lquivalent de 100 000 milliards de TEP (tonnes quivalent ptrole). Cette valeur est comparer aux 9,58 milliards de TEP que reprsente la consommation annuelle mondiale en nergie primaire (1998). Considr dans lAntiquit comme un dieu, le soleil est aujourdhui rduit au st atut dnergie, une nergie quil nous faut la capter, la transformer, la stocker.

... Capter cette nergie et la transformer directement en lectricit par effet photovoltaque, provient de la conversion de la lumire du soleil en lectricit au sein de matriaux semiconducteurs comme le silicium ou ceux qui sont recouvert dune mince couche mtallique. Ces matri aux photosensibles ont la proprit de librer leurs lectrons sous linfluence dune nergie extrieure. Cest leffet photovoltaque. Lnergie est apporte par les photons, ( omposants de la lumire) qui heurtent les lectrons et les librent, induisant un co urant lectrique. Ce courant continu de micro puissance calcul en watt crte (Wc) peut tre transform en co urant alternatif. Dans ce contexte, notre motivation dans ce travail dvelopp en chapitres est doptimiser lnergie fournie par les panneaux photovoltaques dans le but de maximiser la quantit dclairement absorb par les panneaux photovoltaques en suivant le mouvement du soleil pendant la journe. Notre mmoire est organis de la manire suivante : - Le premier chapitre concerne ltat de lart du rayonnement solaire - le second chapitre porte sur la conversion photovoltaque mobile. - Le troisime chapitre prsente les diffrents systmes de poursuite du soleil - Quatrime chapitre concerne la ralisation du suiveur de soleil a deux axes et la programmation du PIC UHBCH Page 12

Le rayonnement solaire

UHBCH Page 13 I.1- Introduction

La ressource de base la plus importante pour tous les potentiels nergti ques renouvelables est l'nergie solaire, cest le rayonnement mis dans toutes l es directions par le soleil, et que la terre reoit raison d'une puissance moyenne de 1,4 kW/m, pour un e surface perpendiculaire la direction terre-soleil. Ce flux solaire est attnu lor s de la traverse de l'atmosphre par absorption ou diffusion, suivant les conditions mtorologiques et la latitude du lieu au niveau du sol. Afin dexploiter au mieux cette ressource nergtique et pour un bon dimensionn ement des installations solaires, il est ncessaire de connatre la quantit de lnergie solair e disponible un endroit spcifique chaque instant de la journe et de lanne. Pour cet te raison, on a jug ncessaire de prsenter dans ce chapitre une notion gnrale sur les coordonnes clest s ainsi que le rayonnement solaire. I.2- Mouvement du Globe terrestre :[1] La terre dcrit autour du soleil une orbite elliptique quasi circulaire a vec une priode de 365,25 jours. Le plan de cette orbite est appel plan de lcliptique. Cest au solst ice dhiver (21dcembre) que la terre est la plus proche du soleil, et au solstice dt (22juin) quelle en est la plus loigne. La terre tourne sur elle-mme avec une priode de 24h. Son axe de rotation (laxe des ples) a une orientation fixe dans lespace. Il fait un angle 2327 avec la normale au plan de lcliptique. Figure I.1- Variation saisonnire du rayonnement solaire

UHBCH Page 14 I.3- La sphre cleste :

La sphre cleste est une sphre imaginaire dun diamtre immense, avec la ter re au centre. On considre que tous les objets visibles dans le ciel se trou vent sur la surface de la sphre cleste. On peut rsumer les diffrentes caractristiques sur la sphre elle mme comm est reprsent sur la figure (I-2) Figure I.2- La sphre cleste

La direction des objets peut tre quantifie de faon prcise laide dun syst de coordonnes clestes. I.4- Les coordonnes clestes : I.4.1- Les coordonnes gographiques : Ce sont les coordonnes angulaires qui permettent le reprage dun point sur la terre I.4.1.1- Longitude : La longitude dun lieu correspond lange que fait le plan mridien passant par ce lie u avec un plan mridien retenu comme origine. On a choisi pour mridien (o rigine 0) le plan passant par lobservatoire de Greenwich. Par convention on affecte du signe (+) l es mridiens situs lest de ce mridien, et du signe (-) les mridiens situs louest.

UHBCH I.4.1.2- Latitude : La latitude dun lieu joignant le centre de la terre gale 0, le pole nord par convention de signe affecte le tous les lieux de lhmisphre Figur I.4.2- Les coordonnes horai I.4.2.1- La dclinaison solair Cest lange form pa tout au long de lanne, entr sannue aux quinoxes de prin = 23.45sin (360 n : numro du jour dans lanne correspond lange avec le plan quatoria ce lieu. Lquateur terrestre est donc caract r la latitude +90 et le pole sud par la la

signe (+) tous les lieux de lhmisphre no sud. Chlef : =36.10 0 N re I.3- Les coordonnes gographiques aires re : ar la direction du soleil et le plan quatorial re deux valeurs extrmes (-2327et +23 ntemps et dautomne, sa valeur peut tre calcu 23.45sin (360 (284 + n) /365) e Page 15 al, que fait le rayon ris par une latitude atitude -90. Cette ord et le signe () terrestre. Elle varie 27environ) et elle ule par la formule: .1) UHBCH Page 16

(I

Figure I.4- La dclinaison du soleil en fonction des jours I.4.2.2- Angle horaire (w) : Lange horaire du soleil est lange form par le plan mridien du lieu et celui qui passe par la direction du soleil si lon prend comme origine le mridien de Gree nwich, lange horaire est compris entre 0 et 360 degr s La valeur de lange horair e est nulle midi solaire, ngative le matin, positive dans l'aprs midi et augmente de 15 par heure, L'angle horaire et est obtenu de la faon suivante : w= 180 x (TSV / 12 - 1) (I .2) ou encore : w = 360 x (TSV - 12)/ 24 w :en degrs (I .3)

Figure I. 5- les coordonnes horaires UHBCH I.4.3- Les coordonnes h Le reprage du soleil se I.4.3.1- Hauteur angulaire d Cest lange form pa soleil. Cette hauteur durant le h = Arc Sin (Sin () x Sin (

I.4.3.2- Azimut(a): Cest lange compris en La connaissance de lazimut du rayons sur une surface non hor Figu I.4.4- Temps solaires : I.4.4.1- Temps solaire vrai : On appelle " Temps Solaire Vrai lange horaire du Soleil en ce lieu et cet instant mouvement de rotation de la Terre sur elle introduction est naturelle, car i est indiqu sur les cadrans solaires. Remarque importante : La dfinition de TSV donne ci prend, par commodit, TSV = 12h pour la v Cest cette dernire dfinition que nous utiliserons par la suite. horizontales : e fait par lintermiaire de deux angles : du soleil (h) : ar le plan horizontal au lieu dobservation jour peut varier de 0 (soleil lhorizon) 90 ) x Sin () + Cos () x Cos () x Cos (w)) ntre le mridien du lieu et le plan vertical p ut du soleil est indispensable pour le calcul de lan rizontae ure I.6- Les coordonnes horizontales : Temps Solaire Vrai " (en abrg TSV) en un lieu et un instant donn, lange horaire du Soleil en ce lieu et cet instant .Cest une notion qui traduit la fois le mouvement de rotation de la Terre sur elle-mme et son mouvement autour du Soleil. Son introduction est naturelle, car il est li laternance des jours et des nuits. Cest le TSV qui est indiqu sur les cadrans solaires. La dfinition de TSV donne ci-dessus est la dfinition en Astronomie. En physique, on prend, par commodit, TSV = 12h pour la valeur nulle de lange horaire (cest Cest cette dernire dfinition que nous utiliserons par la suite. TSV = 12 + ( Page 17 n et la direction du 90 (soleil au znith) (I .4) passant par le soleil. ngle dincience des TSV) en un lieu et un instant donn, .Cest une notion qui traduit la fois le mme et son mouvement autour du Soleil. Son l est li laternance des jours et des nuits. Cest le TSV qui dessus est la dfinition en Astronomie. En physique, on aleur nulle de lange horaire (cest--ire midi). TSV = 12 + (w/15) en heures. UHBCH Page 18 I.4.4.2- Temps solaire moyen : La vitesse de la Terre sur son orbite nest pas constante au cours de lanne. Pour av oir

un temps qui " scoue " vitesse constante (celui mesur par les horloges), on dfinit donc un temps solaire moyen. Historiquement, la journe solaire moyenne a t utilise pour dfinir les units de temps. On a encore avec une bonne prcision 1 jour = 24h 00m 00s. Lcart entre TSV et TSM varie selon la date, mais est nul en moyenne, par dfinition. Lexpression de cet cart porte le nom de " Equation du temps ". I.4.5- Angle horaire de coucher du soleil : Lange horaire du soleil est le dplacement angulaire du soleil autour de laxe polai re. Dans sa course dest en ouest, par rapport au mridien local. Il est donn par lquation Suivante : Ws= arcos (- tan ( ) tan ( )) (I .5)

: Dclinaison solaire. : latitude. I.5- Le rayonnement solaire : Le rayonnement solaire est un rayonnement thermique qui se propage sou s la forme dones lectromagntiques. En dehors de latmosphre terrestre, il donne un clai rement nergtique peu prs constant et gale 1367w/m2, appel de ce fait constante solaire. I.5.1- Types de rayonnements : :[1] I.5.1.1- Rayonnement direct : Le rayonnement solaire direct se dfinit comme tant le rayonnement proven ant du seul disque solaire. Il est donc nul lorsque le soleil est occult par les nuages. I.5.1.2 - Rayonnement diffus : Dans sa traverse de latmosphre, le rayonnement solaire est diffus par les molcules de lair et les particules en suspension. Le rayonnement solaire diffu s nest donc nul que la nuit. I.5.1.3- Rayonnement global : UHBCH Page 19 Cest la somme des deux types de rayonnements direct et diffus.

Figure I.7- Composantes du rayonnement global sur une surface incline I.6- Rayonnement en Algrie :[2] LAgrie possdant un gisement solaire important, de part son climat, la p uissance solaire maximale en tout point de notre pays est denviron 1Kw/m2. Lnergi e journalire maximale moyenne (ciel clair, mois de juillet) dpasse les 6Kw/m2 et lner gie annuelle maximale en Algrie est de l'ordre de 2500 Kw/m2 La carte ci-dessous r eprsente les diffrentes zones nergtiques de lAgrie. UHBCH Page 20 Figure I.8les diffrentes zones nergtiques dans lAgrie

I.7- Conclusion : Ltue du rayonnement solaire s'avre ncessaire pour le choix du meilleur site en vue d'une installation d'un systme de captation solaire. Le rayonnement reu par un capteur solaire dpend galement du niveau densoeiement du site considr et de son orientation par rapport au soleil. Un capteur solaire fixe reoit le maximum dnergie lors qui est orient vers le sud et est inclin selon un angle pratiquement gal la latitude du lieu . Pour que le rayonnement solaire soit perpendiculaire au panneau solaire , et afin d'optimiser tout le systme de captation, il est ncessaire de recourir la techniq ue de poursuite du soleil.

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La conversion photovoltaque

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II.1- Introduction : Le dveloppement de lexpoitation des nergies renouvelables a connu une fo rte croissance ces dernires annes. La production dectricit par des sources dner ie renouvelables offre une plus grande sret dapprovisionnement des consommateu rs tout en respectant les normes cologiques de lnergie. Nous rappelons brivement le principe d e la conversion de lnergie solaire en nergie lectrique reposant sur leffet photol ectrique, cest dire sur la capacit des photons crer des porteurs de charge (lect rons et trous) dans un matriau. Le domaine Gnie lectrique tant notre spcialit, nous nous sommes attachs utiliser des modles lectriques simplifis pour dcrire le comportemen t des diffrentes cellules rencontres tout au long de ce chapitre. II.2- Leffet photovoltaque: Leffet photovoltaque a t dcouvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839. Il est obtenu par absorption des photons dans un matriau semi-conducteur, lequel gnre alors une tension lectrique. Les cellules photovoltaques produisent du courant continu p artir du rayonnement solaire qui peut tre utilis pour alimenter un appareil ou recharger un e batterie. II.2.1- effet photolectrique interne :[2] Le rayonnement solaire est constitu de photons dont lnergie est dcrite pa r la

relation suivante : E [J]=h=h.c/ (II.1) h : constante de Planck. : longueur dode [m]. c : clrit de la lumire dans le vide : frquence [Hz]. Quand un photon heurte la cellule, il transmet son nergie aux lectrons des semiconducteurs. Si lergie absorbe est suffisante pour permettre le passage de la bande interdite (hv > Egap = Econcuction - Evalence), ces lectrons quittent leur bande de valence et entrent dans la bande dite de conduction. Cette mission d'lectrons et d es trous correspondants (on parle de paires lectron-trou) due l'action de la lumire est app ele effet photolectrique interne (car les lectrons ne sont pas jects en dehors de la tome). Les proprits physiques du matriau sont alors modifies et celui-ci devient cond ucteur UHBCH (photoconductivit). Si liverse lergie du photon nest pas suffisante, matriau sans transmettre dergie. Figure Ainsi, un matriau semi-conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 est un matriau dit photovoltaque du spectre solaire. Le dfi est de rcuprer la paire lectron suffisamment rapidement il y a recombinaison entre lectro et le trou. Pour pouvoir valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de pote une jonction pn. II. 3- la jonction PN : Une cellule solaire est compose due matriau de type n et la couche infrieure de un traitement de surface pour dposer un semi du matriau de type p. (photoconductivit). Si liverse lergie du photon nest pas suffisante, matriau sans transmettre dergie. Figure II.1- effet photolectrique interne conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 est un matriau dit photovoltaque du spectre solaire. de rcuprer la paire lectron-trou ainsi gnr, car si celle-ci nest pas rcupre suffisamment rapidement il y a recombinaison entre lectro et le trou. Pour pouvoir valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de pote Une cellule solaire est compose due jonction p-n, la couche suprieure tan t un matriau de type n et la couche infrieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue un traitement de surface pour dposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe Page 23 (photoconductivit). Si liverse lergie du photon nest pas suffisante, il traverse le

conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 eV ci nest pas rcupre suffisamment rapidement il y a recombinaison entre lectro et le trou. Pour pouvoir valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de potent iel induite par , la couche suprieure tant un Pour fabriquer ces jonctions, on effectue conducteur de type n sur la surface externe UHBCH La mise en contact de ces matriaux champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par recombinaison du surplus de trous et dectros schma suivant reprsente les niveaux dergie au voisinag Figure II.3-les niveaux dergie au voisinage de la jonction Si la temprature due telle jonction augmente, les lectrons rempliront progressivement tous les tats dergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la jonction p-n. Une telle jonction prsente un comportement bien caractristi que selon quee soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inver se. Figure II.2-- la jonction PN La mise en contact de ces matriaux gnre une barrire de potentiel la bas e du champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par recombinaison du surplus de trous et dectros des zones p et n remis en contact. Le schma suivant reprsente les niveaux dergie au voisinage de la jonction : les niveaux dergie au voisinage de la jonction temprature due telle jonction augmente, les lectrons rempliront progressivement tous les tats dergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon que e soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inver se. Page 24 potentiel la base du champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, par des zones p et n remis en contact. Le e de la jonction : les niveaux dergie au voisinage de la jonction temprature due telle jonction augmente, les lectrons rempliront progressivement tous les tats dergie, annulant la bande interdite l, leffet de la Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon e soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens se. UHBCH II.3.1- La polarisation directe est forme

et par que inver

De la jonction (en respectant les bornes) potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires. Figure II.4 II.3.2-La polarisation inverse Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de Figure II.5 Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectron ique qui ne permet le passage de courant que dans un sens. polarisation directe :[2] De la jonction (en respectant les bornes) provoque un abaissement de la barrire de potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires. 4- caractristique de la polarisation directe polarisation inverse : Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de 5- caractristique de la polarisation inverse Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectron ique qui ne permet le passage de courant que dans un sens. Page 25 provoque un abaissement de la barrire de potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires. polarisation directe Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de la t ension. polarisation inverse Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectron ique qui UHBCH Ce schma montre la relation composant : Figure II.6- relation typique entre le courant et le potentiel v Pour crer un courant utilisable dans cette Soit abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est alors rceptrice (diodes de redressement). Soit fournir une nergie supplmentaire (dorigie lumineuse, thermique) aux bande de valence. La jonction est alors gnratrice. Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison. L'effet du rayonnement lorsqui fournit assez d'nergie (si celle

largeur de la bande interdite) fait apparatre des paires supplmentaires dectro tro u porteur (apparition simultane d'un porteur n Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n vers le matriau n, renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs pa r le rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (di sparition simultane d'un porteur n et d'un porteur p). II.3.3- Lcairemet a deux effets sur le Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec lcairemet, cest la photorsistance. Si le systme fonctionne en mode circuit" est proportionnel lcairemet et la tension vide est celle de la diode en polarisation directe. Cest la cellule photovoltaq que sont bases les caractristiques des cellules schma montre la relation typique entre litesit du courant et le poten tiel du tel relation typique entre le courant et le potentiel v Pour crer un courant utilisable dans cette jonction p-n, deux moyens sont possibl es abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jo nction est alors rceptrice (diodes de redressement). fournir une nergie supplmentaire (dorigie lumineuse, thermique) aux bande de valence. La jonction est alors gnratrice. Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison. L'effet du rayonnement lorsqui fournit assez d'nergie (si celle-ci est suprieure l a terdite) fait apparatre des paires supplmentaires dectro trou porteur porteur n et d'un porteur p) dans la jonction. Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n , renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (di sparition simultane d'un porteur n et d'un porteur p). Lcairemet a deux effets sur le fonctionnement : Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec photorsistance. Si le systme fonctionne en mode gnrateur (quadrant IV) : est proportionnel lcairemet et la tension vide est celle de la diod e en polarisation directe. Cest la cellule photovoltaque jonction PN. Cest sur ce quadrant IV caractristiques des cellules. Page 26 typique entre litesit du courant et le potentiel du tel relation typique entre le courant et le potentiel v n, deux moyens sont possibles : abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jo nction est alors fournir une nergie supplmentaire (dorigie lumineuse, thermique) aux porteurs de la ci est suprieure la

terdite) fait apparatre Les porteurs p ainsi porteurs n , renforant la barrire rayonnement sera elle sparition Si le systme fonctionne

des paires supplmentaires dectro trou porteur crs ont tendance migrer vers le matriau p et les de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (di en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec

gnrateur (quadrant IV) : le courant "courtest proportionnel lcairemet et la tension vide est celle de la diod e en ue jonction PN. Cest sur ce quadrant IV UHBCH

Figure II. II. 4- Les cellules solaires Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes op tolectrique qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des matriaux semi-conducteurs. Le matriau de base est dans la plupart des le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, s ous forme amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utili sables de Gallium (AsGa), Tellurure de Cadium (CdTe II.4.1-Les principaux types de cellule II.4.1.1-Cellule en silicium amorphe Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feuille de verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et de "solaires". Avantages: elles fonctionnent avec un clairement faible. elles sont moins chres que les autres. Inconvnients : Leur rendement (6%) est moins bon que les autres en plein soleil. Leurs performances diminuent sensiblement avec II.4.1.2-Cellule en silicium monocristallin On sarrage, lors du refroidissement du silicium fondu pour qui se solidifie en n e formant quu seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront qui les cellules. Ces cellules sont en gnral du bleu uniforme. Figure II.7- leffet de Lcairemet

Les cellules solaires : Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes op tolectrique qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des conducteurs. Le matriau de base est dans la plupart des cas le silicium. Selon le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, s ous forme amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utili sables

de Gallium (AsGa), Tellurure de Cadium (CdTe). Les principaux types de cellule : Cellule en silicium amorphe : Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feu ille de verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et de elles fonctionnent avec un clairement faible. elles sont moins chres que les autres. Leur rendement (6%) est moins bon que les autres en plein soleil. Leurs performances diminuent sensiblement avec le temps. Cellule en silicium monocristallin : On sarrage, lors du refroidissement du silicium fondu pour qui se solidifie en n e formant quu seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront ules. Ces cellules sont en gnral du bleu uniforme. Page 27 Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes op tolectrique qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des cas le silicium. Selon le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, s ous forme amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utili sables : Arsniure Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feu ille de verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et des montres dites On sarrage, lors du refroidissement du silicium fondu pour qui se solidifie en n e formant quu seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront UHBCH Page 28 Avantages : bon rendement (17%). Inconvnients : les cellules sont chres. fonctionnement trs mdiocre sous un faible clairement. II.4.1.3-Cellule en silicium poly cristallin : Pendant le refroidissement du silicium, il se forme plusieurs cristaux .ce genre de cellule est galement bleu, mais pas uniforme, on distingue des motifs cres par les diffrents cristaux. Avantages : bon rendement (13%), mais cependant moins bon que le monocristallin. moins chre que le monocristallin. Inconvnients : les mmes que le cristallin. Ce sont les cellules les plus utilises pour la production lectrique (me illeur rapport qualit prix). Il existe dautres types de cellule, certains tant en cours dtude. Leur utilisation est pratiquement ngligeable actuellement. Figure II.8- Diffrents types de cellules

. II.4.2- Modlisation lectrique due cellule photovoltaque : Les cellules monocristallines Les cellules poly cristallines Les cellules amorphes UHBCH Page 29

Lorsquue jonction PN ralise partir de matriaux sensibles la lumire est claire, elle prsente la particularit de pouvoir fonctionner en gnrateur de e. Ce comportement en statique peut tre dcrit par lquatio lectrique dfinissant le comportement due diode classique. Ainsi, le rgime lectrique statique du e cellule photovoltaque constitue due jonction PN en silicium peut tre dcrit via lquatio suivante : I ccII = I cc -I sut jcxp [ v ccll +(I ccll R scric ) nv T -1[ v ccll +(I ccll R scric ) R shunt (II.2) O I 1 = K1 c reprsente le potentiel thermodynamique. I sat :le courant de saturation de la jonction. K.la constante de Boltzman (1.381 10 -23 Joules/Kelvin). T : la temprature de la

cellule en Kelvin. e : la charge du lectron. n. le facteur de non ida lit de la jonction. I ell :le courant fourni par la cellule. V ell : la tension aux bornes de la cellule. I : le courant produit par la cellule lorsquee est mise en court-circuit. R shunt : la rsistance modlisant les courants de fuites de la jonction. et finalement, R serte : la rsistance srie caractrisant les diverses rsistances de contacts et de connexions. La Fi gure II.8 reprsente avec des composants lectriques, le comportement lectrique quivalent dduit de lquat io prcdente. Figure II.9-Schma lectrique quivalent due cellule en silicium cristallin La courbe prsente en Figure II.10 (a) reprsente la caractristique couranttension normalise note I(V) due cellule solaire en silicium multi-cristallin ayant un rend ement de 19.8%. La densit de courant dlivre par la cellule, ici note J, est exprime en am pre par unit de surface (cm). La tension prsente aux bornes de la cellule est exprime en vol t et ne dpend pas de la surface de la cellule. Le courant de court-circuit de la cellule est de 38.1mA/cm (not dans les notices constructeurs Icc ou alors Isc pour la terminologie anglaise signifiant Short-Circuit current) et la tension de circuit ouvert sve 654mV (Voc, pour Open Circuit Voltage). UHBCH Page 30 Figure II.10- Caractristique courant-tension due cellule en silicium multi-crista llin. (a) Courbe relle mesure par le constructeur, (b) Courbe simule. Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I (V) pour qualifier la qualit due cellule ou du gnrateur PV : cest le facteur de remplissage o u fil factor (FF). Il est illustr sur la Figure II.11. Ce coefficient reprs ente le rapport entre la puissance maximale que peut dlivrer la cellule note Pmax et la puissa nce forme par le rectangle Icc*Voc. Plus la valeur de ce facteur sera grande, plus la puissance exploitable le sera galement. Les meilleures cellules auront donc fait lobjet de compromis techno logiques pour atteindre le plus possible les caractristiques idales. Figure II.11- Notion de facteur de forme FF pour une cellule photolectrique. Vco Le modle lectrique de la Figure II.8est facilement adaptable tout logic

iel de type circuit. Nous lavos utilis pour modliser par exemple la caractristique du e cellule en silicium multi-cristallin laide du logiciel de simulation lectrique PSIM. Nous retrouvons en Figure II.11, les lments du schma lectrique quivalent prsent prcdemment rsistance non-linaire nous a servi reproduire la caractristique relle due diode jonction PN. UHBCH Figure II.12. Schma lectrique Figure II.12. Schma lectrique quivalent due cellule solaire en silicium s ous PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques due cellule photovoltaque donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du modle pour avoir les bonnes caractristiques. II.4.3-Caractristiques lectriques des photopiles II.4.3.1-Caractristique Courant Figure II.13- Caractristique Courant Avec, Icc [A] : courant de court Vco : tension en circuit ouvert. Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les reli e par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoque ront des effets . Schma lectrique quivalent due cellule solaire en silicium sous PSIM. . Schma lectrique quivalent due cellule solaire en silicium sous PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques due cellule photovoltaque soumise un ensoleillement et une temprature c onstante donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du modle pour avoir les bonnes caractristiques. Caractristiques lectriques des photopiles : Caractristique Courant- Tension : Caractristique Courant- Tension de photopile : courant de court-circuit d lcairemet E : tension en circuit ouvert. Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les reli e par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoque ront des effets Page 31 quivalent due cellule solaire en silicium sous PSIM. . Schma lectrique quivalent due cellule solaire en silicium sous PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques soumise un ensoleillement et une temprature constante donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du

de photopile Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les reli e par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoque ront des effets UHBCH rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellul comportement thorique. Figure II.14- Caractristiques lectriques des cellules et modules Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une courbe courant-tension reprsentant l'ensemble des prendre la cellule. Trois grandeurs physiques dfinissent cette courbe: Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par une cellule claire non raccorde. Son courant court-circuit: Icc. Cett cellule claire raccorde elle Son point de puissance maximal: MPP ( une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp) . Figure II.1 rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellul Caractristiques lectriques des cellules et modules Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une tension reprsentant l'ensemble des configurations lectriques que peut prendre la cellule. Trois grandeurs physiques dfinissent cette courbe: Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par u ne cellule circuit: Icc. Cette valeur reprsenterait le courant gnr par une cellule claire raccorde elle-mme. Son point de puissance maximal: MPP (en anglais : maximal power point) une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp) . Figure II.15- Caractristiques courant-tension Page 32 rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellule s de ce Caractristiques lectriques des cellules et modules Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une configurations lectriques que peut Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par u ne cellule e valeur reprsenterait le courant gnr par une : maximal power point) obtenu pour une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp) . UHBCH Remarque : Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC

Conditions). Ces conditions sont : mission lumineuse de 1 conditions spectrales Air Mass 1.5 lorsqui traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle dicidece de 41.8 par rapport lhorizotae). Actueemet, les cellules prsentent des valeurs de lordre de 0.5V II.5- Lifuece de lcairemet et de la temprature sur le fonctionnement due cellule PV : Dans le cas dappicatio solaire de cellules PV, les caractri stiques standard des cellules PV (puissance crte, I standard en laboratoire (STC) cest dire une rpartition du rayo AM = 1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W temprature de cellule + 25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la cellule - environ 2 m / s - nest pas prcise car e de la cellule. II.5.1/- Lifuece de l'clairement solaire sur le fonctionnement due cellule PV La luminosit influence considrablement les performances des cellules. Figure II.16- Lifuece de l'clairement : Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC sont : mission lumineuse de 1 000 W/m, temprature de 25 conditions spectrales Air Mass 1.5 (composition du spectre identique a u spectre solaire lorsqui traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle par rapport lhorizotae). Actuellement, les cellules prsentent des valeurs de lordre de 0.5V-3.5A-2.1 Lifuece de lcairemet et de la temprature sur le fonctionnement due Dans le cas dappicatio solaire de cellules PV, les caractristiques sta ndard des cellules PV (puissance crte, I cc , V co ) sont indiques dans le cas de tests de fonctionnement standard en laboratoire (STC) cest dire une rpartition du rayonnement d e type solaire 1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W 25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la nest pas prcise car elle est prise en compte dans la temprature Lifuece de l'clairement solaire sur le fonctionnement due cellule PV La luminosit influence considrablement les performances des cellules. Lifuece de l'clairement solaire sur la cellule PV Page 33 : Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC = Stan dard Test W/m, temprature de 25 C, (composition du spectre identique au spectre solaire lorsqui traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle 2.1 Wc. Lifuece de lcairemet et de la temprature sur le fonctionnement due

Dans le cas dappicatio solaire de cellules PV, les caractristiques sta ndard des ) sont indiques dans le cas de tests de fonctionnement nnement de type solaire 1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W / m, et une 25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la lle est prise en compte dans la temprature Lifuece de l'clairement solaire sur le fonctionnement due cellule PV : La luminosit influence considrablement les performances des cellules. solaire sur la cellule PV UHBCH Comme le montre ce graphique, le courant de court proportionnellement avec lcairemet, alors que la tension vide (Vco) va rie trs peu (environ 0,5 V). Ainsi, au plus la courant gnr est faible. II.5.2/- Lifuece de la temprature sur le fonctionnement due cellule PV La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et don c su rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la te nsion gnre (et une trs lgre augmentation du courant). Suivant les modles, ce comportement induit, rapport au rendement maximum de la cellule. On comprendra donc tout li trt due ventilation correcte larrire des panneaux Figure II.17- Lifuece de La perte de tension du module ou due cellule p suivante : U(T) = U(25C) Avec : T : augmentation de temp a : coefficient de temprature II.6- Regroupement des cellules Comme le montre ce graphique, le courant de courtproportionnellement avec lcairemet, alors que la tension vide (Vco) va rie trs peu V). Ainsi, au plus la couverture nuageuse est importante, au plus lit esit du Lifuece de la temprature sur le fonctionnement due cellule PV La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et don c su rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la te nsion gnre (et une trs lgre augmentation du courant). ce comportement induit, par degr, une perte de 0.5 % du rendement par ent maximum de la cellule. On comprendra donc tout litrt due cte larrire des panneaux . Lifuece de temprature solaire sur la cellule PV perte de tension du module ou due cellule peut tre estime par la formule = U(25C) + (T*a) T : augmentation de temprature par rapport aux conditions STC

a : coefficient de temprature Voc [mV/K], valeur fournie par le fabriquant Regroupement des cellules: Page 34 -circuit (Icc) crot proportionnellement avec lcairemet, alors que la tension vide (Vco) va rie trs peu couverture nuageuse est importante, au plus litesit du Lifuece de la temprature sur le fonctionnement due cellule PV : La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et don c sur son rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la te nsion gnre % du rendement par ent maximum de la cellule. On comprendra donc tout litrt due temprature solaire sur la cellule PV eut tre estime par la formule (II.3) rature par rapport aux conditions STC (25C) Voc [mV/K], valeur fournie par le fabriquant UHBCH Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour un e cellule Si (silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applicatio ns lectriques courantes. Les modules sont donc raliss par association, en srie et/ou e n par cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant al ors que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension iden tique. Pour que l'lectricit gnre ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement prsents sous forme de panneaux) sont constitus du certain nombre de cell ules lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sorti Ces modules sont ensuite associs en rseau (srie tensions/courants dsirs. II.6.1- Association en srie: Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses pa r le mme courant et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune d es cellules Figure II.1 Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quu trs faible cou rant en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la di ode conduit et

dvie le courant dlivr par les autres modules ( Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour un e cellule Si (silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applicatio ns lectriques sont donc raliss par association, en srie et/ou en par cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant al ors que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension iden tique. Pour que l'lectricit gnre soit utilisable pour nos applications lectr ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement prsents sous forme de panneaux) sont constitus du certain nombre de cell ules lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sorti Ces modules sont ensuite associs en rseau (srie-parallle) de faon obtenir les Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses pa r le mme et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune des Figure II.18: Association en srie de N s cellules solaires Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quu trs faible cou rant en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la di ode conduit et dvie le courant dlivr par les autres modules (Figure II.19). Page 35 Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour un e cellule Si (silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applicatio ns lectriques sont donc raliss par association, en srie et/ou en parallle, de cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant al ors que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension iden tique. soit utilisable pour nos applications lectriques, il est donc ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement prsents sous forme de panneaux) sont constitus du certain nombre de cell ules lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sortie utilisable . parallle) de faon obtenir les Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses pa

r le mme et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune des cellules solaires Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des diodes de protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quu trs faible cou rant en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la di ode conduit et UHBCH Figure II.19: Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie II.6.2- Association en parallle Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert et des courants de court circuit qui peuvent tre somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module ( II.18). Figure II.20: Association en parallle de N Dans Le cas ou un module autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour re mdier ce problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inve rse et on ajoute une diode anti retour en srie avec la branche des modules : Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie Association en parallle : Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert e t des courants de court circuit qui peuvent tre diffrent .on aura donc u n courant gal la somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module ( : Association en parallle de N p cellules identiques Dans Le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane paral lle, les autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour re mdier ce problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inve rse et on ajoute tour en srie avec la branche des modules parallles (figure19 Page 36 : Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert e t diffrent .on aura donc un courant gal la somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module (Figure cellules identiques

dfectueux existe au niveau de la chane parallle, les autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour re mdier ce problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inve rse et on ajoute parallles (figure19). UHBCH Page 37 Figure II.21- Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, ca s en parallle. II.6.3- Association mixte : Si pour une application donne il est ncessaire de faire augmen ter le courant et la tension dlivre par les cellules solaires, on ralise un groupement mixte ou groupeme nt srie parallle. On parlera dans ce cas de module et de panneaux solaires. U n panneau solaire est par dfinition un ensemble de modules regroups selon un montage mixte, le module tan t son tour compos du ensemble de cellules monts gnralement en srie. Il est possible dutiiser un montage de N C cellules identiques en srie sur un module, N SP nombre de branche (places en parallle) et N MS nombre de modules par branche La courbe de fonctionnement de cette association est une courbe semblable celle de la cellule de base, obtenue en modifiant les chelles sur les deux axes. La puissance P M du module sexprime en watt-crte et cest par dfinition la puissance fournie par le module sa charge optimale sous un clairement de 1KW/m et une temprature de 28C. La puissance totale disponible Pt, dans ces conditions, est gale : P T = N MS N SP P M (II.4) La rsistance optimale est donne par : R opt = (N MS /N SP ) R optm

(II.5) O R optm est la rsistance optimale du module dans les mmes conditions. UHBCH Figure II.22- Association mixte de N

II.6.4- Les diodes de by-pass (protection) Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module ne prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuv ent tre multiples : varit invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dcair t ou de temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,). Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter com me une cellule rceptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle dtruite si la contrainte ou la temp Pour viter ce phnomne, on place des diodes de by inverses). Celles-ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en par allle et en parallle lorsque les cellules sont Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des di odes de protection situes en parallle des diffrents strings qui le composent. Figure II. Association mixte de N SP branches et de N MS module composs de N cellules identiques. pass (protection) : Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module ne prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuv ent invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dcairemet ou de temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,). Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter com me une cellule eptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle temprature devient trop importante. Pour viter ce phnomne, on place des diodes de by-pass (empchant tout courant ou tens ion ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en parallle et en sont connectes en srie. Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des diodes de situes en parallle des diffrents strings qui le composent. Figure II.23- Les diodes de protection Page 38 module composs de N C Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module

ne prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuv ent invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dcairemet ou de temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,). Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter com me une cellule eptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle-ci peut mme tre pass (empchant tout courant ou tension ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en parallle et en Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des diodes de UHBCH Lutiisatio de ces by caractristique, modifiant le point de puissance maximal du Figure II. Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces dio des de by-pass soient utilises et places en cohrence avec les du module. II.7-Les modules photovoltaques : Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes ent re elles pour obtenir le courant et la tension souhaits. Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des applications en 12 V, a gnralement une tension vide suprieure 20 V et le point opti mal de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellule s sont rduites. On compte en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules d e 36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la charge due batterie. II.7.1-Caractristiques nominales des modules PV Lutiisatio de ces by-pass induit nanmoins des perturbations de la cour be caractristique, modifiant le point de puissance maximal du module : Figure II.241-effet de diodes de protection Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces dio des de pass soient utilises et places en cohrence avec les ombres gnres par leviroemet Les modules photovoltaques : Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes entre elles pou r obtenir le courant et la tension souhaits. Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des nralement une tension vide suprieure 20 V et le point optimal de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous

rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellule s sont rduites. en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules de 36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la Caractristiques nominales des modules PV : Page 39 pass induit nanmoins des perturbations de la courbe Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces dio des de gnres par leviroemet Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes entre elles pou r Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des nralement une tension vide suprieure 20 V et le point optimal de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellule s sont rduites. en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules de 36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la UHBCH Page 40 La tension de circuit ouvert mesure aux bornes de la cellule PV aux conditions de fonctionnement standard, V CO (V) Volt. Litesit de court-circuit mesure aux bornes de la cellule PV aux conditions de fonctionnement standard, I CC (A) Ampre. Notes : Le rendement du module est le rendement due cellule diminu pa r les pertes dues aux connexions des cellules entre elles, la transparence des matriaux decapsuatio, et ventuellement la chute de tension dans la diode anti-retour lorsqui fa ut protger la batterie due ventuelle dcharge nocturne. II.8-Conclusion : Ce chapitre nous a permis dexporer le principe de la conversion photovoltaque et de voir la raction des pv vis--vis la variation des paramtres.

UHBCH Page 41

Systme de poursuite du soleil

UHBCH Page 42 III.1- Introduction : Lorietatio des capteurs est un problme important dans lutiisatio des ca pteurs rayonnement concentr. En effet, le principe mme de la concentration supp ose que le rayonnement parvienne la surface rflchissante dans une direction dtermine.

Puisque la position apparente du soleil par rapport un point de capt ation est constamment variable lchee due journe, nous serons donc obligs de modif ier constamment la position du concentrateur afin de suivre celle du soleil en utilisant un systme de poursuite automatique. III.2- Position du soleil par rapport un observateur : Lergie solaire que reoit une surface est rgie uniquement par des lois astronomiques et gomtriques. Ces dernires faisant intervenir la latitude d e lieu, la dclinaison solaire, lheure du jour et enfin lorietatio de la surface rce ptrice. La position du soleil dpend du temps solaire, du numro du jour et de lae, elle est exprime par diffrents angles : III.2.1- Angle de znith : Cest lage entre la verticale due surface est un rayon du soleil, il est donn par lquatio suivante : 0 z = cos -1 ( sin sin +cos cos cos w ) (III.1) : dclinaison solaire. : latitude du lieu. w : angle horaire. III.2.2- Angle dazimut :[1] Cest lage sur le plan horizontal mesur partir du sud avec la project ion horizontale des rayons directs du soleil. Il est galement donn comme angle entre l e mridien local et la projection de la ligne de la vue du soleil dans le pla n horizontal, dfini par lquatio suivante: y s = o cw o ns y so +[ 1-y cw y ns 2 o s 18u 0 (III.2) y so = sin -1

[ sInwcos sIn0 z o cw = ] 1 si |w| w cw -1 outrcmcnt UHBCH Page 43 o ns = ] 1 si ( - ) u -1 outrcmcnt (III.5) o w = ] 1 si w u -1 outrcmcnt

(III.3)

(III.4)

(III. 6) w cw = cos -1 (cos tan) (III.7) III.2.3- Angle extrieur dazimut (g Cest lage mesur partir du sud le de la normale sur la surface, il est l et la projection horizontale de la normale III.2.4- Angle dicidece [1] Cest lage entre le rayon solaire plan, il est donn par lquatio suivante 0 = cos -1 |cos 0 z +sin0 z sin cos(y s -)] 0 z : Angle de znith. : inclinaison du surface. ) : sur le plan horizontal avec la projection horizonta galement donn comme angle entrele mridien loca avec la surface. direct et la normale extrieure du la surface du :

(III.8)

 : angle dazimut. y s : Angle extrieur dazimut. Figure III.1- Position du soleil par rapport une surface incline UHBCH Page 44 III.3- Orientation de la surface : La position du soleil dans le ciel change tout au long du jour et de lan ne. Pour une surface : Suivre le mouvement apparent du soleil quivaut orienter ce tte surface par la rotation de ses axes. III.3.1- Rotation suivant un axe : Certains types de collecteur concentration fonctionnent avec la rotation autour dun seul axe, il existe deux modes : III.3.1.1- Axe vertical et inclinaison fixe de la surface :[1] Ce mode utilise une surface orientable avec une pente extrieure fixe et lanle extrieur dazimut variable tournant autour d'un axe vertical comme montr sur la Figure II.2. Pour ce cas, le rayonnement solaire est maximum quand = y s .

Figure III.2- Orientation dune surface (axe vertical) III.3.1.2- Axe horizontal, surface parallle l'axe :[1] Pour ce deuxime mode, la surface tourne autour d'un axe simple qui es t toujours parallle la surface. Pour un axe horizontal, linclinaison extrieure de la surface est donne par : = tan -1 (tan0 z cos( -y s )) (III.9) o l'angle extrieur d'azimut est donn par : = i +9u 0 si y s - i u (III.10)

 = i +9u 0 si s - i < u

(III.11)

Si la surface tournant autour d'un axe simple qui est toujours paralll e la surface mais n'est pas vertical ou horizontal, lanle extrieur dazimut et la pente de la surface change avec le temps. = i +tan -1 j sIn0 z sIn (y-y | ) sIn0 sIn [ (III.12) UHBCH Page 45 = tan -1 _ tan cos(- ) _ (III.13)

Figure III.3- Orientation dune surface (axe horizontal) III.3.2- Rotation suivant deux axes : Le collecteur tournant autour de deux axes (bi-axiales), dans ce cas louverture du collecteur sera toujours normale au soleil, par consquent l'angle d'inci dence est zro tout le long de la journe (cos = 1). Ceci est dfini par : = y s (III.14) et = 0 z

(III.15) Cette rotation est toujours exige pour des collecteurs qui suivent le dplacement du soleil tout moment de la journe. Cela signifie que le collecteur devr a tre plac sur une monture permettant de suivre le mouvement du soleil. UHBCH Page 46 III.4- Diffrents types de montures : III.4.1- Monture altazimutale : La monture altazimutale est mobile autour de deux axes perpendiculaires, lun ver tical, lautre horizontal. Le panneau solaire tourne autour dun axe horizontal port par une monture qui elle mme tourne autour dun axe vertical. Ce systme est couramment u tilis pour les radars, les cinthodolites, les canons anti-ariens. La rotation autour de laxe horizontal assure la poursuite en hauteur (de haut en bas), en dautres termes la normale du capteur solaire suit la hauteur angulaire du soleil. Alors que lautre axe assure le dplacement en azimut (de gauche vers la droite). Ce tte disposition trs simple ne pose pas de problmes mcaniques particuliers. Les mouvements en hauteur et en azimut sont difficiles coordonner et le cot du systme est exorbitant cause de l'apport de deux moteurs, donc dune consommati on en nergie beaucoup plus importante. Figure III.4- Monture altazimutale

UHBCH Page 47 III.4.2- Monture quatoriale La monture quatoriale est la monture idale pour assurer un suivi sidral. Elle emploie une rotation autour dun axe parallle laxe polaire du globe terre stre (mouvement en angle horaire) et un axe orthogonal au prcdent (mouvement en dclinais on).Cette solution est plus dlicate sur le plan mcanique, mais le mouvement autour de laxe polaire est pratiquement uniforme au cours de la journe. Donc la poursuite du soleil es t grandement facile.

Figure III.5- Monture quatoriale

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III.5-comparaison entre un systme pv fixe et un systme mobile : Au cours dune journe compltement ensoleille, un systme de 1 kWp bien orient produit 5,5 kWh dnerie, alors que le mme systme avec suiveur dans les mmes conditions densoleillement produit 11 kWh dnerie.

Figure III.6- diagramme de comparaison entre la production avec suiveur et la production avec systme fixe III.6- Conclusion Le rle de notre systme de poursuite consiste contrler le mouvement du suiveur de soleil et le commander par un programme informatique base de microco ntrleur. Le s ui veur va tre orient pour suivre automatiquement le soleil suivant u ne trajectoire bien dtermine. Limportance de ce systme est de capter le maximum de rayonnement solaire. Le systme avec suiveur de soleil donne des rsultats amliors par rapport un systme avec structure fixe

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Realisation

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IV.1-Introduction : Apres avoir tudi les la conversion photovoltaque et les diffrentes structu res mcaniques possibles nous avons opt pour la structure altazimutale que nous allons raliser et programmer sa commande en utilisant le microcontrleur programm avec l e langage microC IV.2-Schma Synoptique : Figure IV.1- Schma synoptique dun suiveur solaire Capteur structure mecanique moteur d'elevation moteur d'azimut carte de puissance Isolation galvanique cate de traitement UHBCH Page 51 IV. 3-ralisation du suiveur solaire : Notre ralisation peut tre dcompose en deux parties : Partie mcanique Partie lectronique IV. 3.1-Partie mcanique : Pour que la production photovoltaque soit maximale, les rayons provenant directement du soleil doivent avoir un angle dincidence gal 90. Le pointage du pan neau est donc optimal lorsque la normale au plan du panneau, en son centr e, est dirige vers le soleil Figure IV.2-schma de fonctionnement du suiveur UHBCH IV. 3.1.1-Description de la structure Figure IV.3 Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur la dhorizon pour la variation dlvation du panneau par rapport au soleil et laxe verticale pour la variation Description de la structure : Figure IV.3- structure mcanique ralise Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur la dlvation du panneau par rapport au soleil et laxe verticale pour la variation dazimut du panneau. Page 52 Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur laxe dlvation du panneau par rapport au soleil et lautre partie sur UHBCH Page 53 IV. 3.1.2-Orientation laxe horizon (lvation) : La variation dlvation est base sur un vrin lectrique

Figure IV.4- vrin du contrle dlvation Llvation minimale du soleil est obtenue son lever et son coucher et ga le 0 (Horizon). Llvation maximale du soleil est fonction de la latitude du lieu dinstalla tion. En fait, dans la configuration doriine, les fins de course du vrin dlvat ion sont rgles par rapport llvation max et min du soleil. lvation min du panneau = latitude du lieu (CHLEF=36.10) lorsque la tige du vrin est compltement rentre. lvation max du panneau = 90) lorsque la tige du vrin est compltement sortie. UHBCH Page 54 IV. 3.1.3-Orientation laxe vertical (lazimute) : Figure IV.5- moteur de contrle dazimut Le mouvement en axe dazimut est en une angle de 180. Au matin de -90 0 et aprs midi de 0 90.Il faut orienter le milieu de lanle de mouvement su r laxe vertical vert le sud o lazimut=0. Lemplacement de la fin de course est au -90 et +90 du point milieu. IV. 3.1.4-Chois demplacement du capteur : Il faut que les capteurs sont poss sur le mme plan du panneau solaire pour que le lclairement soit le mme sur les deux.

Figure IV.6-positionnement du capteur UHBCH Page 55 IV.3.1.5-Chois du moteur lectrique : Nous avons choisi un vrin lectrique base du moteur DC pour laxe horizo ntal cause du poids du panneau et en axe vertical un moteur DC rducteur avec une chain e cause de sa commande trs simple. IV.3.1.6-les vrins lectriques : Les vrins lectriques utilisent le principe de la transformation dun mouve ment de rotation cr par un moteur lectrique en un mouvement de translation grce un systme mcanique de transformation de mouvement. La vitesse linaire de la tige du vrin dpend donc de la vitesse de rotation du moteur et du pas du systme de tra nsformation de

mouvement. La force de entre et sortie de la tige et trs grande. IV. 3.1.7-Le moteur courant continue : Nous avons choisi un moteur DC aimant avec un rducteur parce quil est disponible au march. IV. 3.1.7.1- GENERALITES : Les moteurs courant continu excitation spare sont encore utiliss assez largement pour l'entranement vitesse variable des machines. Trs facile miniaturiser, ils s'i mposent dans les trs faibles puissances. Ils se prtent galement fort bien la variation de v itesse avec des technologies lectroniques simples pour des performances leves et jusqu ' des puissances importantes. Leurs caractristiques permettent galement une rgulation prci se du couple, en moteur ou en gnrateur. Leur vitesse de rotation nominale est adaptable aisment par construction toutes les applications, car elle n'est pas lie la frquence du rseau. Ils sont en revanche moins robustes que les moteurs asynchrones et ncessite nt un entretien rgulier du collecteur et des balais. IV. 3.1.7.2- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT : L'application par excellence de la loi de Laplace est le moteur courant continu. Cette loi affirme que l'action d'un champ magntique sur un conducteur travers par un courant, produit une force, cette force engendre un couple qui fait tourner le moteur. UHBCH Page 56 IV. 3.1.7.3- BILAN DE PUISSANCE : Figure IV.7-schma du bilan de puissance du moteur DC IV. 3.2-Partie lectronique : Aprs que nous avons dcri le principe et la construction de systme mcanique, nous allons maintenant entamer la partie lectronique qui va traiter tout le systme. Commenons tout daord par une description thorique des diffrents composants quon a utiliss pour pouvoir raliser notre carte de traitement. IV. 3.2.1-Le bloc dalimentation : Des transformateurs nous fourni des tensions de 6v et de 12v qui est redresse par le pont de diodes et filtre par les condensateurs. Cette tension est ensu ite rgule 5v par rgulateur 78L05 et 12v par rgulateur 78L12, On obtient : la sortie du rgulateur une tension de 5 v assez stable pour ne pas perturber le circuit de commande. la sortie du rgulateur une tension de 12 v assez stable pour le relais. IV. 3.2.2-Chois du capteur de lumire : Nous avons utilis un capteur base de la photorsistance pour rduire le prix de revient, et simplifier le fonctionnement. Le principe que nous avons a dopt est classique, il consiste contrler l'galit d'clairement de 4 dtecteurs rpartis dans les 4 uadrants deux

capteur du laxe horizontal et les deux autres sur laxe vertical. IV. 3.2.2.1- La photorsistance: IV. 3.2.2.1.1- Dfinition : Les capteurs de lumire sont des composants qui ralisent la conversion d'un signal lumineux en signal lectrique. UHBCH Page 57 Figure IV.8-: Schma dun capteur de lumire IV. 3.2.2.1.2-Fonctionnement : Une photorsistance est un composant lectronique dont la rsistivit varie (s ouvent une diminution) en fonction de l'augmentation de lumire qui l'atteint. On peut galement le nommer rsistance photo-dpendante (light-dpendent rsistor (LDR)) ou photoconducteur. Une photorsistance est compose d'un semi-conducteur haute rsistivit. Si la lumire incidente est de frquence suffisamment leve, les photons absorbs par le semiconducteur donneront aux lectrons lis assez d'nergie pour sauter dans la bande de conduction, les lectrons libres (avec leurs trous d'lectron) ainsi produi ts abaissant la rsistance de l'ensemble. IV. 3.2.2.1.3-Ralisation du capteur : Le montage est bas sur un deviseur de tension : Figure IV.9-Branchement de rsistance LDR en diviseur de tension I out = 10000 10000+R LDR I n (IV.1) UHBCH I n : Tension dalimentation du capteur (5v) R LR : Rsistance du LDR I out : Tension de la sortie du capteur (dpend de la lumire) Les 4 capteurs sont poss sur le mme plan IV. 3.2.3.-Carte de puissance Figure IV.10 Figure IV.1 dalimentation du capteur (5v) : Tension de la sortie du capteur (dpend de la lumire) Les 4 capteurs sont poss sur le mme plan Carte de puissance : 10-schma de carte de puissance en logiciel isis

Figure IV.11-circuit imprim de la carte de puissance Page 58 isis circuit imprim de la carte de puissance UHBCH Page 59 Figure IV.12- La carte de puissance Maintenant tudions de plus prs les diffrents composants qui constitues no tre carte lectronique. IV. 3.2.3.1-Les Constituants de la carte de puissance : IV. 3.2.3.1.1-Les optocoupleur pc123 : Figure IV.13-L optocoupleur Le pc123 est un optocoupleur qui permet le transfert d'informations entre Deu x parties lectroniques isoles l'une de l'autre d'un point de vue lectrique. La Pre mire partie est un metteur, et la seconde partie est un rcepteur. L'metteur Produit donc de la lumire, et le rcepteur, qui est sensible la lumire mise par l'metteur, ragit plus ou moins en fonct ion de la quantit de lumire reue. Ce composant isole lectriquement deux parties lectroniques ou lectriques Entre elles, il sait dune isolation galvanique. En effet les tensions mises en jeux ne Son pas compatibles de part et d'autre, il y a une partie commande qui est aliment En 5V et un circuit puissance aliment en 12V. IV. 3.2.3.1.2-ULN2803A : UHBCH Page 60 ULN 2803A est composant lectronique a base du transistor, elle est com pos du transistor bipolaire en montage Darlington avec un metteur commun et de s diode de roue libre pour les charges inductives. Figure IV.14- LULN 2803A IV. 3.2.3.1.3-Relai lectromagntique : IV. 3.2.3.1.3.1- Dfinition Comme son nom lindique, il sert faire une transition entre un courant faible et un courant fort. Mais il sert galement commander plusieurs organes simultanment grce s es multiples contacts synchroniss. Il permet galement la transition entre de ux sources diffrentes en isolant ces dernires. IV. 3.2.3.1.3.2- Constitution Un relais " standard " est constitu dune bobine ou solnode qui lorsquelle est sous tension attire par un phnomne lectromagntique une armature ferromagntique qui dplace des contacts, voir figure ci-dessous. Figure IV.15- relais lectromagntique

IV. 3.2.3.1.3.3- Caractristiques : Un relais est caractris par : UHBCH Page 61 La tension de sa bobine de commande, 12V. Le pouvoir de coupure de ses contacts, qui est gnralement exprim en Ampre, 15A max. Son emplacement, circuit imprim, visser, embrochable, souder. Le type de courant de sa bobine, en gnral du continu. IV. 3.2.3.1.3.4- Contacts : On appelle contact, les parties mtalliques qui transmettent ou interrompent le co urant en fonction de la commande de la bobine. Comme nous lavons vu ci-dessus, il existe diffrentes sortes de contacts. Contact inverseurs, cest dire quils peuvent partir dun point commun C, tablir un contact R lorsque le relais est au repos, qui deviendra T lorsque le relais sera aliment Un contact tabli sans action est appel contact Normalement Ferm : NF. Un contact tabli avec action est appel contact Normalement Ouvert : NO. IV. 3.2.4-Carte de traitement : Figure IV.16- schma de carte de traitement sous logiciel Isis UHBCH Page 62

Figure IV.17- circuit imprim de la carte de traitement

Figure IV. 18 - carte de traitement UHBCH Page 63 IV. 3.2.5-pic16f877A : Figure IV.19- LE PIC 16F876/877 IV. 3.2.5.1-Dfinition: Une PIC nest rien dautre quun microcontrleur, cest dire une unit de traitement de linformation de type microprocesseur laquelle on a ajout des priphriqu es internes permettant de raliser des montages sans ncessiter lajout de composants externes. La dnomination PIC est sous copyright de Micros hip, donc les autres fabricants o nt t dans limpossiilit dutiliser ce terme pour leurs propres microcontrleurs. Les PICs sont des composants dits RISC (Rduc Instructions Construction Set), ou encore composant jeu dinstructions rduit. Sachons que plus quen rduit le nombre dinstructions, plus facile et plus rapide quen est le dcodage, et plus vite le composant

fonctionne. Lhorloe fournie la PIC est pr divis par 4 au niveau de celle-ci. Cest cette base d e temps qui donne le temps dun cycle. Si on utilise par exemple un quartz de 4MHz, on obtient donc 100000 0 de cycles/seconde, or, comme la PIC excute pratiquement une instruction par cycle, h ormis les sauts, cela donne une puissance de lordre de 1MIPS (1 Million dInstructions Par Se conde). UHBCH Page 64

IV. 3.2.5.2-Les diffrentes familles des PICs : Il y en a trois grandes familles de PICs : -La famille Base Line, qui utilise des mots dinstructions de 12 bits. -La famille Mid-Range, qui utilise des mots de 14 bits (et don t font partie la 16F84 et 16F877). -La famille High-End, qui utilise des mots de 16 bits. Toutes les PICs Mid-Range ont un jeu de 35 instructions, stockent chaque instr uction dans un seul mot de programme, et excutent chaque instruction (sauf les sauts) en un cycle. On atteint donc des trs grandes vitesses, et les instructions sont de plus trs rapidement assimiles. IV. 3.2.5.3-Les avantages du microcontrleur : Lutilisation des microcontrleurs pour les circuits programmables plusieurs points forts et bien rels. Il suffit pour sen persuader, dexaminer la spectaculaire voluti on de loffre des fabricants de circuits intgrs en ce domaine depuis quelques annes. Nous allons voir que le nombre dentre eux dcoule du simple sens. -Tout daord, un microcontrleur intgre dans un seul et mme botier c e qui, avant ncessitait une dizaine dlments spars. Il rsulte donc une diminution vidente e lencomrement de matriel et de circuit imprim -Cette intgration a aussi comme consquence immdiate de simplifier le trac du circuit imprim puisquil nest plus ncessaire de vhiculer des bus dadresses et de do nne dun composant un autre. -Laumentation de la fiabilit du systme puisque, le nombre des com posants diminuant, le nombre des connexions composants/supports ou composants/cir cuits imprimer diminue. -Le microcontrleur contribue rduire les cots plusieurs niveaux -Moins cher que les autres composants quil remplace. -Diminuer les cots de main duvre. -Ralisation des applications non ralisables avec dautres composants. IV. 3.2.5.4-Structure d'un PIC : Les PIC, au mme titre que les microprocesseurs, sont composs essentielle ment de registres ayant chacun une fonction bien dfinie. Les lments essentiels du PIC 16F877A sont : Une mmoire programme de type flash de 8K mots de 14 bits, Une RAM donne de 368 octets,

UHBCH Page 65 Une mmoire EEPROM de 256 octets. Trois ports d'entre sortie, A (6 bits), B (8 bits), C (8 bits),D(8 bits), E(3 b its). Convertisseur Analogiques numriques 10 bits 8 canaux. USART, Port srie universel, mode asynchrone (RS232) et mode synchrone . SSP, Port srie synchrone supportant I2C. Trois TIMERS avec leurs Prescalers, TMR0, TMR1, TMR2. Deux modules de comparaison et Capture CCP1 et CCP2. Un chien de garde. 1 sources d'interruption. Gnrateur d'horloge, quartz (jusqu 20 MHz) ou Oscillateur RC. Protection de code . Fonctionnement en mode sleep pour rduction de la consommation. Programmation par mode ICSP (In Circuit Serial Programming) 12V ou 5V. Possibilit aux applications utilisateur daccder la mmoire programme. Tension de fonctionnement de 2 5V. Jeux de 35 instructions. Figure IV.20- Architecture interne du PIC 16F877A IV. 3.2.5.5-Choix du microcontrleur : Ce PIC dispose de 35 instructions de base et de 4 sources dinterruptions : Interruption externe commune avec la broche RB0. Interruption due au TIMER. UHBCH Page 66 Interruption sur changement dtat des broches de port RB0 RB1. Interruption de fin dcriture en EEPROM. Le choix dun microcontrleur est important car cest de lui que dpendent en grande partie les performances, la taille, la facilit dutilisation et le prix du montage. Le PIC 16F877, possde plus de ports que les PICs (16F876 et 16F84), ce qui augmente dautant le nombre dentres/sorties disponibles, il dispose de 33 lignes dentres/sorties repartie s en cinq ports : Un port A de 6 bits (RA0 RA5). Un port B de 8 bits (RB0 RB7). Un port C de 8 bits (RC0 RC7). Un port D de 8 bits (RD0 RD7). Un port E de 3 bits (RE0 RE2). IV. 3.2.6- loscillateur : Lhorloe est un systme qui peut tre ralise soit avec un QUARTZ(a), soit avec une horloge extrieur(b), soit avec un circuit RC(c), dans ce dernier la stabilit du montage est limite. La frquence maximale dutilisation va dpendre de Microcontrleur utilis. Le suffixe indiqu sur le botier donne la nature de lhorloe utiliser et sa frquence maximale. Figure IV.21- loscillateur UHBCH Page 67 IV. 3.2.7Le module de conversion A/N :

Figure IV.22-le module de CNA

Ce module est constitu d'un convertisseur Analogique Numrique 10 bits do nt l'entre analogique peut tre connecte sur l'une des 8 entres analogiques e xternes. On dit qu'on a un CAN 8 canaux. Les entres analogiques doivent tre configures en entre l'aide des registres TRISA et/ou TRISE. Lchantillonneur bloqueur est intgr, il est constitu dun interrupteur dchantillonnae et dune capacit de blocage de 120 pF. Les tensions de rfrences permettant de fixer la dynamique du convertisseur. Elles peuvent tre choisies parmi Vdd, Vss, Vr+ ou VrIV. 3.2.7.1-Configuration du registre dadcon : Le control du module se fait par les deux registres ADCON0 et ADCON1 ADCON0 Tableau IV.1-Registre ADCON0 ADCS1:ADCS0 : Choix de l'horloge de conversion donc du temps de conversion 00 : Fosc/2 01 : Fosc/8 10 : Fosc/32 11 : Oscillateur RC ddi au CAN CHS2:CHS0 : choix de l'entre analogique 000 = chaine 0, (RA0) 001 = chaine 1, (RA1) UHBCH Page 68 010 = chaine 2, (RA2) 011 = chaine 3, (RA3) 100 = chaine 4, (RA5) 101 = chaine 5, (RE0) 110 = chaine 6, (RE1) 111 = chaine 7, (RE2) GO/DONE : Une conversion dmarre quand on place ce bit 1. A la fin de la conversion, il est remis automatiquement zro. Ce bit peut aussi tre po sitionn automatiquement par le module CCP2. ADON : Ce bit permet de mettre le module AN en service ADCON1 Tableau IV.2- Registre ADCON1 ADFM : justification droite ou gauche du rsultat dans les registre ADRESH et ADRE SL ADRESH ADRESL 1 : justifi droite 000000XX XXXXXXXX 0 : justifi gauche XXXXXX XX XX000000 PCFG3:PCFG0 : configuration des E/S et des tensions de rfrences. Les 5 broches de PORTA et les 3 de PORTE peuvent tre configurs soit en E/S digitales, soit en entres analogiques RA2. Et RA3 peuvent aussi tre configures en entre de rfrence. Tableau IV.3-configuration des entries analogique IV. 3.2.7.2-Droulement dune Conversion : Le PIC dispose dun chantillonneur bloqueur intgr constitu d'un interrupteur S, d'une capacit de maintien C=20 pF et dun convertisseur Analogique numriqu e 10 bits. Pendant la conversion, la tension Ve l'entre du convertisseur A/N doit

tre maintenue UHBCH Page 69 constante. Au dpart il faut commencer par faire lacquisition du signal en fermant linterrupteur S, ceci se fait laide du registre ADCON0, soit au moment de la valid ation du module par le bit ADON soit aprs un changement de canal si ADON est dj positionn. Aprs la fin de lacquisition, on peut dmarrer une conversion en positio nnant le bit GO_DONE, l'interrupteur S souvre pour assurer le blocage de la tension. La conversion commence, elle est ralise en 12 TAD, la fin, le bit GO_DONE repasse 0, le drapeau ADIF passe 1 et le rsultat est charg dans les registres ADRESL et ADRESH. Le modul e met 2 TAD supplmentaires pour fermer l'interrupteur S ce qui dmarre une nouvell e phase dacquisition pendant laquelle la tension Ve rejoint la tension analogi que d'entre Va. Le temps d'acquisition dpend de la constante de temps RC, R tant la som me des rsistances entre le module de conversion et la source de la tension analog ique. Aprs la fin de lacquisition, on peut dmarrer une nouvelle conversion et ainsi de suite. Figure IV.23-conversion analogique numirique IV. 3.2.7.3-Temps de conversion : Le temps de conversion est gal 12 TAD TAD est le temps de conversion d'un bit, i l dpend de la frquence du quartz et du prdiviseur (div) choisi : TAD = div x 1/fosc. Le choix de div doit tre ajust pour que TAD soit 1,6 s Tableau IV.4-Temps de conversion d'un bit TAD (les cases grises sont hors plage dutilisation) Avec un quartz de 4 MHz, il faut choisir div=8 ce qui donne TAD = 2 s Soit un temps de conversion : TCONV = 24 s UHBCH Page 70 IV. 3.2.7.4-Temps d'acquisition : Temps d'acquisition = TACQ = Tc + CT +2 s (IV.2) Tc : temps de charge du condenseur = (Ric+Rss+Rs) C Ln(2047) Ric = Rsistance dinterconnexions, elle est infrieure 1k Rss = Rsistance du linterrupteur S (Sampling switch), elle dpend de la tension dalimentation Vdd. Elle est gale 7k pour Vdd=5V Rs : Rsistance interne de la source du signal analogique. Micro chip recommande d e ne pas Dpasser 10 k C : Capacit de blocage = 20 pF CT : Coefficient de temprature = (Tp -25C) 0.05 s/C (IV.3) Tp = Temprature Processeur, voisine de 45C en temps normal IV. 3.2.7.5-Frquence d'chantillonnage Si on veut chantillonner un signal variable, La priode d'chantillonnage Te doit tre

suprieur ou gale Temin = TCONV + 2 Tad + TACQ Avec lexemple prcits, on aura la priode dchantillonnae min Temin = 24 + 2 + 12 = 38 s La frquence dchantillonnae max est donc fe max = 1/Temin = 25 kHz Si on tient compte de la rgle de Shannon (fe > 2 fmax), on cons tate que lon peut chantillonner des signaux dont la frquence ne dpasse pas 12 KHz. Quelle est la relation entre la tension analogique convertie et le no mbre N recueilli dans le registre ADRES ? Si on note : Q = pas de quantification = (Vref+ - Vref-)/1024 (IV.4) Va = tension analogique convertir N = valeur numrique obtenue, N = valeur entire de (Va Vref-) / Q (IV.5) Avec Vref- = masse, on obtient N = int (Va / Q) (IV.6) IV. 3.2.7.6-Etape du lecture une antrie analogique : 1) Si des entre de PORTE sont utilises, le configurer en mode normal l'aide du bit PSPMODE 2) Configurer les E/S en Analogique/Numrique/Rfrence (ADCON1) 3) Configurer les entres analogiques en entres (TRISA, TRISE) 4) Dfinir l'horloge de conversion l'aide du diviseur DIV dans ADCON0 5) Choisir le canal convertir et valider le module (ADCON0) 6) Attendre le temps dacquisition (12 s ) UHBCH Page 71 7) Lancer la conversion, GO = 1 (ADCON0) 8) Attendre fin de conversion, GO = 0 ou drapeau ADIF=1 9) Traiter le rsultat 10) Si l'on dsire prendre d'autres mesures, recommencer au point 7 en faisant attention aux Timings IV. 3.2.8-Programmation du pic : IV. 3.2.8.1-organigramme : Figure IV.24- logigramme de programme du pic IV. 3.2.8.2-programme du pic en MicroC : Le programme du pic est ecrit et compil par le logiciel microC lire analogique A0 lire analogique A1 lire analogique A2 lire analogique A3 Delai 10Mn Debut Corection des donne si A0=/=A1 ou A2=/=A3 si A0=/=A1 si A2=/=A3 si A0>A1 si A2>A3 portd.f0=0 portd.f1=1 portd.f2=0 portd.f3=1 portd.f0=1 portd.f1=0

portd.f2=1 portd.f3=0 si portc.f1=0 si portc.f0=0 si portc.f3=0 si portc.f2=0 portd.f0=1 portd.f1=0 stop portd.f0=0 portd.f1=0 stop portd.f0=1 portd.f1=0 stop portd.f0=1 portd.f1=0 stop oui oui non non nonn non oui oui oui non non oui non oui non oui Fin portD=0 aretez les 2 moteur non UHBCH Page 72 Figure IV.25-programme crit sous logiciel microC IV. 3.2.8.3-Simulation en isis : Figure IV.26- simulation en logiciel Isis La simulation en Isis indique que notre montage sa marche sans problme. Maintenant aprs la simulation nous allons tester notre suiveur en labo. IV. 4.Test et Problmes rencontrs : UHBCH Page 73 Nous avons teste notre suiveur laide dune lampe et nous avons renco ntr un problme de perturbation sur les capteurs, mais on a rgl se problme dans la partie d u carte de traitement. Apres le rglage du problme le suiveur fonctionne normalement. IV. 5.Conclusion : La ralisation du suiveur de soleil ncessite un bon chois du composants lectronique utilise pour ne pas compliqu le principe de commande et pour rduire la consommat ion de lnerie consomm par le suiveur

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UHBCH Page 75 Conclusion : Les travaux prsents dans ce rapport ont port sur la conception et la ralisation dun systme de poursuite de soleil laide des composants lectroniques program mable, en utilisant: un microcontrleur de la famille PIC cest le 16F877A. Le but de ce projet rside au niveau de la mise en uvre dune solution technique permettant de transformer un panneau photovoltaque fixe en un suiveur d e soleil afin damliorer son rendement. Pendant ce projet, un systme de commande a t simuler par le logiciel Proteus SIM et les signaux de commande gnrer ont t simul laide du logiciel ISIS. Avant que nous avons tests le fonctionnement de notre structure, nous avons trou ves plusieurs problmes en premier le chois entre une carte analogique a base de compa rateur ou une carte numrique a base du microcontrleur, aprs se problme on un autre problme de chois de capteur et son emplacement. Nous avons toujours un problme de chois des composants. Notre grand problme est dans les premiers tests, cest le problme du capteur, mme que les deux capteurs sont dans le mme clairement mais ses sorties sont dfirent. A cause de se problme la pression de notre suiveur est trs mauvais, n ous avons rgls se problme a laise des rsistances et au programme du microcontrleur. Apres la calibration des capteurs, le suiveur fonctionne mais avec une certain e rreur de position. Nous esprons au future que notre travail soit complt pour amlior la prcision. C'est--dire faire une correction de position a laide dun microordinateur, comparer les positions donner par les capteurs avec les positions calcules et faire la cor rection.

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Bibliographie Mmoire [ ] 1 : Etude et Ralisation dun Concentrateur Solaire parabolique ZEGHIB ILHEM UNIVERSITE MENTOURI CONSTANTINE Site Internet [2] :http://www.energieplus-lesite.be http://fr.wikipedia.org/wiki/panneau_solair http://www.datasheecatlog.com http://www.datasheet .com http://www.microship.com

par

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UHBCH Page 79 1. Le PIC 16F877A :

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2. LOptocoupleur SHARP PC123 : UHBCH Page 82

3. Luln 2803A : UHBCH Page 83

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