I

Introduccin a los Sistemas de comunicaciones pticas

1. Los sistemas de comunicacin transmiten informacin de
un lugar a otro, separados por distancias variables de unos
cuantos a cientos o miles de Kilmetros.
2. La informacin es portada por las ondas Electromagnticas
cuyas frecuencias van de unos cuantos Kilo, Mega hasta los
Tera Hertz..
3. Las OEM portadoras de la informacin tienen frecuencias
pertenecientes al espectro ptico, estn ubicadas en los
cientos de Tera (~10
14
) Hertz. Esto es desde el infrarrojo
hasta el visible .(10
12
,,,,10
15
) Hertz.
4. Estos sistemas se denominan sistemas pticos para
diferenciarlos de los otros sistemas de comunicacin como
los sistemas de Microondas, cuya frecuencia portadora esta
en el orden de los 10
9
Hz. Cinco ordenes de magnitud menor
que las pticas.
5. Los sistemas de comunicacin pticos son Sistemas pticos
que utilizan la fibra ptica como su medio de propagacin.
6. Estos sistemas estn siendo usados como medios de
comunicacin eficiente desde los aos 80 y han
revolucionado las comunicaciones.








Historia

!" El uso de la luz en las comunicaciones tiene un origen
difuso en los albores de la humanidad.
!"
!" En muchas civilizaciones se indicaba la victoria en batallas
mediante el envi de seales visuales, luz o humo.
!" Desde siglos antes de cristo se utilizaban seales luminosas
para comunicarse entre posiciones separadas por distancias
considerables dentro de la visual, de la que despus derivaran los
cdigos marinos de banderas y semforos de comunicacin y los
cdigos Morse.
!" En 1792 Claude Chappe transmite por medio del Telgrafo
ptico mensajes codificados mecnicamente sobre distancias del
orden de 100 Km. Utilizando repetidores convenientemente
esparcidos en ese intervalo.
!" Uno de las desventajas de estos sistemas es su baja
velocidad de transmisin.
!" En la terminologa o lxico moderno decimos que la
velocidad de transmisin efectiva era menor de 1 Bit/s
(B <1 Bit/s)






















Da
ta
p
tic
a
Ra
ta
(b/
s)
Sistemas de Comunicacin Fibra ptica)
Perspectiva Histrica
Seales Manuales
Seales de Humo
Fotfono (Bell @1880)
Lmparas (barco - barco,
seales de banderas)
Tim 200 199 198 197 196 5000
1
1
1
8
1
6
1
4
1
2
Coax


La necesidad de los sistemas de comunicaciones
pticos

!"El invento de la telegrafa en 1890 reemplaza el uso de la
luz por la comunicaciones elctricas, comenzando as una
nueva etapa de las comunicaciones.
!"La rapidez efectiva de transmisin pasa a ser de B>10 b/s
esto con el uso de una nueva tcnica de codificacin: el
codigo Morse de comunicaciones.
!"En la nueva tecnologa telegrfica se pudieron establecer
comunicaciones entre poblaciones que distaban unas de
otras en miles de kilmetros. Esto haciendo uso de
estaciones repetidoras.
!"Los primeros cables trasatlnticos entran en funcionamiento
en 1886.
!"La importancia de la aparicin de la telegrafa, es el uso de
pulsos elctricos de diferente duracin. (Cdigo Morse).
!"En 1876,A. Bell inventa el telfono, que agrega las seales
analgicas que contienen la informacin a una corriente
continua.
!"Las tcnicas de comunicaciones analgicas permanecieron
durante buena parte del siglo XX.


El Cable Coaxial

!"La necesidad de comunicarse por parte de los individuos de
las diferentes comunidades, hicieron que fueran estas de
vital importancia poltica, militar, social y econmica para
que se invirtieran cuantiosos recursos, de todo tipo, en la
bsqueda de nuevos sistemas de comunicacin, los avances
en las comunicaciones en el siglo XX fueron
transcendentales en ese lapso de tiempo y aun estamos en
etapas evolutivas de las mismas.
!"Uno de esos avances lo represento el advenimiento del cable
coaxial, como sustituto del par de cables de cobre, que
permiti el aumento del ancho de banda aprovechable por el
suscriptor
!"En 1940 se pone en funcionamiento el primer cable coaxial
con un ancho de banda de 3 MHz. para 300 canales de voz y
1 de televisin. El ancho de banda del cable coaxial esta
limitado por las perdidas dependientes de la frecuencia de
las ondas en el cable. Estas perdidas aumentan
considerablemente en las frecuencias cercanas a los 40
MHz.


Los sistemas de Microondas

!"La frecuencia de corte en el cable coaxial de los ~40 MHz
hizo que se buscaran otras alternativas en la necesidad del
aumento del ancho de banda. Esto dio como resultado la
aparicin de las comunicaciones por Microondas, donde la
portadora EM esta en rango de frecuencias de los GHz.(1 a
10 GHz).
!"El primer sistema de Microondas entro en uso en 1948.
!"La transmisin de bits se aumento de ~100 MB/s hasta 300
MB/s.
!"Estos sistemas de microondas necesitan estaciones
repetidoras a distancias de 10 a 30 Km. Y en la lnea de
visin. Esto trae por consiguiente un elevado aumento del s
coste de la infraestructura y despus del mantenimiento.
!"El ancho de banda en las microondas esta limitado por la
distancia entre repetidoras y aqu definimos el producto
B.L = al producto de la rata de bits/s B y la distancia L
!"Esta definicin de B.L es una referencia a la calidad y
rendimiento de un sistema de comunicaciones.


!"La necesidad de aumentar el ancho de banda como
consecuencia de la incorporacin masiva de la poblacin a
los diferentes medios de comunicacin hizo posible la
inversin de cuantiosos recursos econmicos en la
investigacin para el desarrollo de estas nuevas tecnologas
que, hoy soy vistas ya aceptadas como uno de los negocios
mayor rendimiento para sus propietarios. Es por esto que la
posibilidad de aumentar ese ancho de banda provena de ir a
mayores frecuencias de la portadora, lo cual permita mayor
cantidad de canales simultneos de comunicacin. Todo
esto comenz en la segunda mitad del siglo XX y podemos
decir que tuvieron su aplicacin definitiva en los ltimos
veinte aos.






















El Laser

Sistemas de Comunicaciones
Transmitir Informacin a grandes distancias
Portadoras electromagnticas
Megahertz Gigahertz Terahertz
RF Microondas Infrarojo
Sistemas de
Microondas
Sistemas
pticos
Guas de Ondas
Fibra ptica
1
2
RESEA HISTRICA
Uso inicial en la Antiguedad
fuego humo lmparas banderas semforos
En 1792: El Telgrafo ptico
Claude Chappe
Mensajes codificados mecnicamente
Uso de repetidoras para alcanzar 100 Km.
Sistemas de comunicacin MUY LENTOS
B=rata efectiva de transmisin de bits.
B<1b/s
3
TELEGRAFA. 1830
TELFONO. 1876
REDES TELEFNICAS
CABLE COAXIAL. 1940
SISTEMAS DE MICROONDAS
EL LASER. 1960
LA FIBRA PTICA. 1970
SISTEMAS DE COMUNICACIONES PTICAS
Inicio de las telecomunicaciones elctricas
Se modula analgicamente una C.C. Con la seal
Necesidad de transmitir un enorme nmero de canales
Se incrementa el ancho de banda.
B<10b/s L=1000Km
B de 100Mb/s a 270Mbs
Fuente de luz coherente
Prdidas de 20dB/Km a 1m
B=100Mb/s a 900Tb/s
4
EL PRODUCTO DE LA RATA DE BI TS-DI STANCI A
RENDIMIENTO DEL SISTEMA DE COMUNICACIONES
BL
B=rata efectiva de transmisin de bits
L=distancia de repeticin
15
10
12
10
9
10
6
10
3
10
1
1850 1900 1950 2000
telegrafa
telfono
Cable coaxial
Microondas
LASER
Ondas pticas
Amplificadorea pticos
SOLITON
Km
s
b
BL







5
CI NCO GENERACI ONES DE
SI STEMAS PTI COS
PRI MERA GENERACI N
SEGUNDA GENERACI N
1980. =0.8m. B=45Mb/s L=10Km
En cables coaxiales L=1Km.
Disminuyen costos de
mantenimiento e instalacin.
Prdidas de 1dB/Km.
1982-1985. =1.3m. B=100Mb/s
L=50-70Km
Fibra ptica monomodo.
=1.3m. B=1,7Gb/s L=50-70Km
Regin de =1.3m, prdidas de
0,5dB/Km.
6
TERCERA GENERACI N
CUARTA GENERACI N
=1.55m. Prdidas de 0.2 dB/Km
1985. B=4Gb/s. L=100Km.
Fibra ptica con cambio de dispersin.
LASER monomodo.
Desventaja: uso de regeneradores
electrnicos cada 70Km.
Sistemas pticos coherentes.
Amplificador ptico dopados con
erbium.
Multiplexin por divisin de longitud de
onda. WDM.
1991. B=5Gb/s. L=14300Km.
Sistemas de fibra ptica transocenicas
7
QUI NTA GENERACI N
Bsqueda de la solucin al problema de la dispersin.
Uso de amplificadores pticos dopado con erbium,
disminuye las prdidas.
El SOLI TON compensa la dispersin.
LA DI SPERSI N ESTI MULADA DE RAMAN
compensa las prdidas.
Multiplexacin WDM.
1996. B=70Gb/s con transmisin de Soliton.
L=35000Km/s
15
10
12
10
9
10
6
10
3
10
1
1975 1985 1995 2000
Km
s
b
BL







1
2
3
4
5
6
1. MULTIMODO DE 0,8 m.
2. MONOMODO DE 1,3 m.
3. LASER MONOMODO DE 1,55 m.
4. DETECCIN COHERENTE.
5. SOLITON PTICO.
6. AMPLIFICADORES PTICOS.
8
EL SI STEMA DE COMUNI CACI ONES PTI CO
Diagrama bsico
entrada
Transmisor
ptico
Canal de
Comunicacin
ptico.
Receptor
ptico.
salida
Sistema de Microondas: portadoras de 1 a 10Ghz
Sistema ptico: portadoras de 100Thz
Incremento de la capacidad de informacin
En el factor 10.000
1% del ancho de banda: 1Thz.
Clasificacin de los sistemas pticos:
Sistema de ondas guiadas:
Sistema de ondas no guiadas:
El haz luminoso se transporta dentro de la fibra.
Propagacin de la luz en el espacio libre
9
El sistema de comunicacin de Fibra ptica
Uso de los sistemas no guiados
Clasificacin por aplicacin:
Tramos largos: entre ciudades. Transocenicas.
Tramos cortos: interno en las ciudades.
Red digital de servicios integrados
de banda ancha ISDN
Nuevas generaciones de Fibra pticas.
Alcance de largas distancias.
Con elevado B
Distancias<10Km. Bajo B
Necesita sistemas de alta capacidad.
Tecnologa ATM
10
LOS COMPONENTES DEL SISTEMA PTICO
entrada
Transmisor
ptico
La fibra ptica
Como canal
De comunicacin
Receptor
ptico
salida
La Fibra ptica
El canal de comunicacin.
Funcin del canal: transmisin sin
distorsin.
Muy baja potencia de prdidas de la Fibra.
La dispersin genera ensanchamiento del
impulso ptico.
En las Fibras multimodo el ensanchamiento
es mayor,
En las Fibras monomodo el
ensanchamiento es menor.
La dispersin del material es el ltimo
lmite de la transmisin B.
11
El transmisor ptico.
Entrada elctrica
Fuente
ptica
Modulador
Acoplador de
canal
Salida
ptica
Conversin de la seal elctrica en ptica.
Fuente ptica
Diodos emisores de luz. (LED)
LASER
Modulador: genera la seal ptica.
El acoplador ptico de canal:
Microlente.
Enfocar la seal sobre la Fibra.
Potencia de alimentacin en dBm.
Potencia(dBm)=10log(potencia/1mW)
1mW es 0dBm y 1W es 30dBm
Potencia del LED: -10dBm. Tienen limitaciones.
Potencia del LASER: 10dBm. Aplicacin en
Sistemas pticos.
Limitaciones:
Los circuitos electrnicos limitan el rendimiento LASER.
El transmisor ptico opera con un B=20Gb/s
12
El receptor ptico
electrnica Entrada
ptica
Acoplador
del canal
Foto
detector
demodulador
Salida
elctrica
El acoplador del canal:
Enfoca la seal de transmisin
Foto detector:
Foto diodo semiconductor.
Demodulador:
Receptores coherentes: FSK, PSK.
Demudalacin HETERODINA y
HOMODINA.
Deteccin coherente.
Modulacin de Intensidad: IM
Transmisin de pulsos pticos 1 y 0
Deteccin directa DD
13
BER: EL RENDIMIENTO DEL SISTEMA PTICO DIGITAL
SENSIBILIDAD DEL RECEPTOR PTICO
LA CAPACIDAD DEL CANAL: C
Rata de error de bits
Nmero de errores de bits
Identificacin incorrecta de bits. BER= a
9
10
14
10

Mnima potencia promedio recibida para un BER=
9
10

La sensibilidad depende del SNR
Fuentes de ruido: Ruido cuntico, Ruido trmico.
Amplificacin del ruido, emisin espontnea,
dispersin cromtica.
Es la rata de transmisin de bits mxima.
Bajo la presencia de ruido:
( ( ) ) N / S 1 log f C
2 c
+ + = =
c
f
=Ancho de banda del canal.
S=Potencia promedio de la seal.
N=Potencia promedio del ruido.
Capacidad del canal mxima:
e log
N
S
C C
2
0
max
= =
EL ANCHO DE BANDA DEL CANAL PTICO
MEJORA EN EL FACTOR 10.000 RESPECTO A LOS
DE MICROONDAS.
14
LA FIBRA PTICA
FENMENO: LA REFLEXIN TOTAL INTERNA
1960: ATENUACION: 1000dB/Km.
1970: ATENUACION: 20dB/Km
1979: ATENUACIN: 0,2dB/Km. regin de 1,55m
ERA DE LAS TELECOMUNICACIONES
PTICAS.
DESCRIPCIN DE LA PTICA GEOMTRICA
NCLEO
REVESTIMIENTO
1
n
1
n
2
n
< <
2
n
a
> > a
FIBRA PTICA ESCALONADA
FIBRA PTICA GRADUAL
15
a
b
a
b
1
n
2
n
0
n
1
n
2
n
0
n
LA FIBRA PTICA ESCALONADA
16
PRINCIPIO DE LA REFLEXIN TOTAL

i

r

1
n
2
n
0
n
refraccin
Reflexin
total
ncleo
revestimiento
aire
r 1 i 0
sen n sen n
REFRACCIN:
1
2
n
n
sen < <
REFREXIN TOTAL:
c
sen sen > >
NGULO CRTICO DE
INCIDENCIA:
;
n
n
sen
1
2
c

( ( ) )
2
1
2
2
2
1
c
2
n
n n
cos


17
LA APERTURA NUMRICA: NA
i 0
sen n NA
2 1
n n
( ( ) )
1
2 1
2
1
1
n
n n
con 2 n NA


CAMBIO FRACCIONAL DEL NDICE DE REFRACCIN
EN LA INTERFASE NCLEO-REVESTIMIENTO.


MXIMO ACOPLAMIENTO EN LA FIBRA PARA:
GRANDE.
SE GENERA ALTA DISPERSIN.
DISPERSIN MULTITRAYECTORIAS:
GENERA UN ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO PTICO.
EL TIEMPO DE RETRASO:
T
TRAYECTORIAS MS CORTAS, PARA:
TRAYECTORIAS MS LARGAS, PARA:
0
i

( ( ) )
c
2
1
2
2
2
1 i 0
sen
L
con n n sen n


L=longitud total de la fibra

, ,
_ _






2
2
1
c
1
n
n
C
L
L
sen
L
C
n
T
C=velocidad de la luz. v=velocidad de propagacin.
1
n C v
18
LIMITACIN DE LA FIBRA PTICA ESCALONADA
CAPACIDAD DE TRANSPORTE DE INFORMACIN.

< < < < << <<
C
n
n
BL ; 1 T . B ; T
B
1
T
2
1
2
B
CASO DE FIBRA PTICA ESCALONADA PARA LAS
TELECOMUNICACIONES.
Km )
s
Mb
( 4 , 0 BL obtiene se 1 n y 5 , 1 n con
2 1
< <
( ( ) ) Km s / Mb 100 BL obtiene se 10 . 2 para
3


LA FIBRA PTICA GRADUAL:
REDUCE LA DISPERSIN MULTITRAYECTORIAS.
LA FIBRA PTICA MONOMODO:
ELIMINA LA DISPERSIN MULTITRAYECTORIAS.
19
LA FIBRA PTICA GRADUAL

2
n
1
n
a
( ( ) ) n
[ [ ] ] a para n 1 n
a para
a
1 n
2 1
1

< <
1 1
] ]
1 1




, ,
_ _






= EL PERFIL DE LA FIBRA.
a= RADIO DEL NCLEO.
VARIACIN DE LA VELOCIDAD DE PROPAGACIN:
1
n
C
v
ONDAS A LO LARGO DEL EJE
ONDAS OBLICULAS
TRAYECTORIAS MS CORTAS.
MENOR VELOCIDAD DE PROPAGACIN.
MS ALTO.
1
n
TRAYECTORIAS MS LARGAS.
MAYOR VELOCIDAD DE PROPAGACIN.
MS BAJO.
1
n
20
DESCRIPCIN CON LA PTICA GEOMTRICA
PROPAGACIN DE UN PULSO NO DISPERSIVO



d
dn
n
1
dz
d
2
2
ECUACIN DE UN OSCILADOR ARMNICO PARA <a con =2
( ( ) ) ( ( ) ) pz sen
p
pz cos
0
0


+ +
2
1
2
a
2
p

, ,
_ _





0



0
POSICIN DE LA ONDA PTICA
DIRECCIN DE LA ONDA PTICA
POSICIN Y DIRECCIN INICIAL PARA:
p
m 2
Z


m=ENTERO
PARA =2 LA FIBRA PTICA NO PRESENTA
DISPERSIN DE TRAYECTORIAS
LA SEAL DE ENTRADA SE RESTAURA COMPLTAMENTE
SIN TIEMPO DE RETRASO.
21
2
10

1
10

0
10
1
10
2
10
1 2 3 4 5
100
10
1
0,1
0,01
Km ns
dispersion
( ( ) ) Km s Gb
BL

PARMETRO DE PERFIL
01 , 0
5 , 1 n
1


L
T
PARA UNA FIBRA GRADUAL
MNIMO DE DISPERSIN PARA:
C 8
n
L
T
2
1



CAPACIDAD DE TRANSPORTE DE INFORMACIN
2
1
n
C 8
BL ; B 1 T

< < < <
CARCTERSTICAS DE LA FIBRA PTICA GRADUAL:
B=100Mb/s PARA L=100Km.
BL MEJORA EN RESPECTO A LA FIBRA ESCALONADA
3
10
22
LA FIBRA PTICA GRADUAL DE
PLSTICO:
APLICACIN A CORTA
DISTANCIA <1Km.
NCLEO GRANDE DE APROX.
1mm.
ALTA APERTURA NUMRICA
NA.
ELEVADA EFICIENCIA DE
ACOPLAMIENTO.
ALTA ATENUACIN DE 50dB/Km.
BL=2(Gb/s)-Km.
SOLUCIN PARA TRANSMITIR
DATOS ENTRE COMPUTADORES
REDES DE REA LOCAL.
22
PROPAGACIN DE LAS ONDAS PTICAS EN LA FIBRA
PTICA ESCALONADA.
DESCRIPCIN CON LAS ECUACIONES DE MAXWELL.
0 B ; 0 D ;
t
D
H ;
t
B
E











ECUACIONES
MATERIALES:

+ + + + M H B ; P E D
0 0
M=POLARIZACIN MAGNTICA.
P=POLARIZACIN ELCTRICA.
EN EL SLICE M=0. NO MAGNTICO.
EVALUACIN FSICA DE P
CERCA DE LA RESONANCIA DEL MEDIO.
CONSIDERACIONES MECNICO-CUNTICAS
LEJOS DE LA RESONANCIA DEL MEDIO. EN LA
REGIN DE BAJA ATENUACIN DE 0,5 A 2m.
LA RELACIN ENTRE P Y E ES NO LINEAL.
RELACIN ENTRE PY E



, ,
_ _





, ,
_ _






, ,
_ _







t d t , r E t t , r t , r P
0
TENSOR. SUSCEPTIBILIDAD LINEAL.
ESCALAR EN UN MEDIO HOMOGNEO.
23
LA ECUACIN DE ONDA EN EL DOMINIO DE LA FRECUENCIA
LA ECUACIN DE ONDA CON LAS ECUACIONES DE MAXWELL:
;
t
P
t
E
C
1
E
2
2
0
2
2
2








0 0
1
C


LA TRANSFORMADA DE FOURIER:










, ,
_ _





, ,
_ _





, ,
_ _





, ,
_ _





dt e t , r P , r P ; dt e t , r E , r E
t j t j




, ,
_ _



E
C
, r E
2
2
LA CONSTANTE DIELCTRICA DEPENDIENTE DE LA FRECUENCIA


, ,
_ _





, ,
_ _



+ +

, ,
_ _






, r
, r 1 , r

, ,
_ _





t , r
TRANSFORMADA DE FOURIER DE

, ,
_ _





, r
LA CONSTANTE DIELCTRICA ES COMPLEJA.

) )


' '



, ,
_ _






, ,
_ _




) )


' '

+ +

, ,
_ _





+ +

, ,
_ _





Im
nC
; R 1 n ;
2
C
j n , r
2
1
e
2
n=PARTE REAL DE . NDICE DE REFRACCIN
=COEFICIENTE DE ABSORCIN.
24
SOLUCIN DE LA ECUACIN DE ONDA EN EL DOMINIO DE LA
FRECUENCIA.
SIMPLIFICACIONES:
1. PARA FIBRA PTICA CON MUY BAJA ATENUACIN ES REAL.
2. EN LA FIBRA ESCALONADA ES INDEPENDIENTE DE

, ,
_ _





, r n

r


E E
2
PARA VARIACIONES DE n ALEJADAS DE LA LONGITUD DE ONDA
( ( ) ) 0 E k n E
2
0
2 2
+ +


Ko ES EL VECTOR DE ONDA DEL ESPACIO LIBRE.





2
C
k
0

LONGITUD DE ONDA PTICA, OSCILANDO A LA
FRECUENCIA
LA ECUACIN DE ONDA EN EL DOMINIO DE LA FRECUENCIA.
25
EL MODO DE TRANSMISIN PTICO
RELACIONADA CON UNA SOLUCIN ESPECFICA DE LA
ECUACIN DE ONDA PTICA.
PARA CADA MODO SE CUMPLE CONDICIONES DE
FRONTERA ESPECFICAS.
LA DISTRIBUCIN ESPACIAL DEL CAMPO PTICO, NO
VARA CON LA PROPAGACIN.
CLASIFICACIN DE LOS MODOS DE TRANSMISIN
GUIADOS, DE ESCAPE, DE RADIACIN
z , ,
SOLUCIN DE LA ECUACIN DE ONDA EN COORDENADAS
CILNDRICAS


z
0 E k n
z
E E 1 E 1 E
z
2
0
2
2
z
2
2
z
2
2
z
2
z
2
+ +


+ +



+ +



+ +


LAS COMPONENTES DE CAMPO DE LA ONDA PTICA
. H , E , H , E , H , E
Z Z
LA COMPONENTE DEL CAMPO ELCTRICO:
SEPARACIN DE VARIABLES:
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) z Z F z , , E
z

26
z , ,
SOLUCIN DE LA ECUACIN DE ONDA EN COORDENADAS CILNDRICAS
SOLUCIN PARA z:
SOLUCIN PARA :
SOLUCIN PARA :
( ( ) )
( ( ) ) ( ( ) )

+ +
z j 2
2
2
e z Z 0 z Z
dz
z Z d
CONSTANTE DE PROPAGACIN
( ( ) )
( ( ) ) ( ( ) )

+ +



m
e 0 m
d
d
jm 2
2
2
VALOR ENTERO
EL CAMPO ES PERIDICO EN CON UN PERIDO DE 2 .
LA ECUACIN DIFERENCIAL DE LAS FUNCIONES DE BESSEL
SOLUCIN GENERAL EN EL NCLEO:
SOLUCIN GENERAL EN EL REVESTIMIENTO:
0 F
m
k n
d
dF 1
d
F d
2
2
2 2
0
2
2
2

, ,
_ _




+ +

+ +

( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) a para Y A AJ F
m m


+ +
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) a para I C CK F
m m
> >

+ +


C , C , A , A
CONSTANTES
27
FUNCIONES DE BESSEL
DE PRIMERA CLASE Y ORDEN m.
DE SEGUNDA CLASE Y ORDEN m.
MODIFICADAS DE PRIMERA CLASE Y ORDEN m.
MODIFICADAS DE SEGUNDA CLASE Y ORDEN m.
m
J
m
Y
m
I
m
K
m
J
m
Y
m
I
m
K
( ( ) ) x Y
0
( ( ) ) x Y
1
( ( ) ) x I
0
( ( ) ) x I
1
( ( ) ) x K
1
( ( ) ) x K
0
x
x
x
x
0 m
1 m
2 m
3 m
28
LOS PARMETROS y SE DEFINE:
2
0
2
2
2 2 2 2
0
2
1
2
k n ; k n
SIMPLIFICACIN CONSIDERANDO LAS CONDICIONES DE
FRONTERA PARA UN MODO GUIADO:
1. EL CAMPO PTICO DE UN MODO GUIADO ES FINITO
PARA =0
2. EL CAMPO PTICO DE UN MODO GUIADO TIENDE A
CERO PARA

LA SOLUCIN GENERAL DE LA ECUACIN DE ONDA
EN EL NCLEO:
EN EL REVESTIMIENTO:
( ( ) ) a para e e AJ E
z j jm
m z


( ( ) ) a para e e CK E
z j jm
m z
> >

POR UN MTODO SIMILAR:
LA INTENSIDAD DE CAMPO MAGNTICO:
EN EL NCLEO:
EN EL REVESTIMIENTO:
( ( ) ) a para e e BJ H
z j jm
m z


( ( ) ) a para e e DK H
z j jm
m z
> >

29
LAS COMPONENTES:
EN FUNCIN DE
.
H , H , E , E


z z
H y , E
EN EL NCLEO:
EN EL REVESTIMIENTO:
;
E
n
H j
H ;
E
n
H j
H
;
H E j
E ;
H E j
E
z
2
0
z
2
z
2
0
z
2
z
0
z
2
z
0
z
2

, ,
_ _





+ +






, ,
_ _














, ,
_ _












, ,
_ _







+ +







;
E
n
H j
H ;
E
n
H j
H
;
H E j
E ;
H E j
E
z
2
0
z
2
z
2
0
z
2
z
0
z
2
z
0
z
2

, ,
_ _





+ +






, ,
_ _














, ,
_ _












, ,
_ _







+ +







LA CONDICIN DE FRONTERA DE LA CONTINUIDAD DE LAS
COMPONENTES TANGENCIALES DE E y HEN LA INTERFASE
=a
SE DETERMINAN LAS CONSTANTES A, B, C, D
ECUACIN DE VALORES EIGEN PARA LOS PARMETROS:
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
: K , J
a
n n m 2
a K
a K
n
n
a J
a J
a K
a K
a J
a J
m m
2
2 2
2 1
m
m
2
1
2
2
m
m
m
m
m
m

1 1
] ]
1 1




+ +

1 1
] ]
1 1





+ +


1 1
] ]
1 1





+ +


PRIMERAS DERIVADAS
2 1 0
n y n , a , k
SE SOLUCIONA NUMRICAMENTE PARA
DETERMINAR LA CONSTANTE DE PROPAGACIN
30
MODOS DE PROPAGACIN DE LA FIBRA PTICA
SOLUCIONES MLTIPLES PARA CADA m.
mn
PARA CADA mENTERO: n=1,2,3,4,5,....
ES UN MODO DE PROPAGACIN
LA DISTRIBUCIN EN EL ESPACIO DEL MODO SE OBTIENE DE LAS
SOLUCIONES

H , E , H , E , H , E
z z
NO VARA CON LA PROPAGACIN.
EL MODO DE PROPAGACIN HBRIDA
EN LAS ONDAS PTICAS Ez y Hz SON DIFERENTE DE CERO
Hz DOMINANTE: HEmn. Ez DOMINANTE: EHmn.
MODOS TRANSVERSALES
ELCTRICO Hz>Ez; m=0 y Ez=0: TEon
MAGNTICO Ez>Hz; m=0 y Hz=0: TMon.
NDICE MODAL O NDICE EFECTIVO

n PARA CADA MODO DE PROPAGACIN
2 1
0
n n n ;
k
n > > > >



EL MODO SE PROPAGA:
EL MODO NO SE PROPAGA:
CORTE DEL MODO:
ATENUACIN EXPONENCIAL:
SIN ATENUACIN EXPONENCIAL:
2
n n

2
n n

2
n n

31
LA FRECUENCIA NORMADA O PARMETRO V
CONDICIN DE CORTE DEL MODO DE PROPAGACIN.
( ( ) )
= =



= =
V Con . ncleo del radio a
2 n . a
2
n n a . k V
1
2
1
2
2
2
1 0
LA CONSTANTE DE PROPAGACIN NORMADA b
( ( ) )
2 1
2
2 1
2 0
n n
n n
n n
n k
b


= =


= =

( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
2
2 2
2 1
m
m
2
1
2
2
m
m
m
m
m
m
a
n n m 2
a K
a K
n
n
a J
a J
a K
a K
a J
a J







+ +
= =








+ +










+ +


CURVAS DE LA CONSTANTE DE PROPAGACIN bEN
FUNCIN DE LA FRECUENCIA NORMADA V
RESOLVIENDO LA ECUACIN DE VALORES EIGEN.
0 1 2 3 4 5 6 V
b
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
Constante
De
Propagacin
normada
Frecuencia Normada V
MODO FUNDAMENTAL
HE11
TE01
HE21
TM01 EH11
HE31
HE12
EH21
HE31
TE02
TM02
HE22
2
n
1
n

n
32
CODICIONES DE PROPAGACIN DE LOS MODOS
VALOR GRANDE DE V
MAYOR CANTIDAD DE MODOS DE PROPAPAFGACIN
NMEROS DE MODOS EN UNA FIBRA MULTIMODOS
2
V
2
= =
NMEROS DE MODOS
EJEMPLO: FIBRA MULTIMODOS CON:
a=25 m, =0.005 tiene un V=18 para =1,3 m soporta 162 modos
REDUCCIN RPIDA DEL NMERO DE MODOS
VDISMINUYE
EJEMPLO: CON V=5
SE PROPAGAN 7 MODOS:
HE11, TE01, TM01, HE21, EH11, HE31, HE12
CONDICIN DE CORTE
PARA V<2,405
SE PROPAGA SOLO EL MODO FUNDAMENTAL HE11
FIBRAS PTICAS MONOMODOS
33
LA FIBRA PTICA MONOMODO
SOPORTA SLO EL MODO FUNDAMENTAL: HE11
TODOS LOS MODOS SUPERIORES ALCANZAN EL CORTE
HE11 NO TIENE CORTE
LA CONDICIN DE PROPAGACIN DE LA FIBRA MONOMODO
VALOR DE V:
TE01 Y TM01 ALCANZAN EL CORTE
ECUACIN DE VALORES EIGEN PARA LOS MODOS TRANSVERSALES
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) )
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) 0 a K a J n a K a J n : TM para
0 a K a J a K a J : TE para
0 m
0 0
2
1 0 0
2
2 01
0 0 0 0 01
= =

+ +


= =

+ +


= =
CONDICIN DE CORTE DE LOS MODOS TRANVERSALES:
( ( ) )
405 , 2 V : es V de valor menor
0 V J 0 para V a
0
= =
= = = = = =
EL RADIO DEL NCLEO a
CONDICIN DE CORTE:



2 n . a
2
V
1
FIBRAS PTICAS MONOMODO OPERAN: m 6 , 1 a 3 , 1 = =
SE DISEAN PARA:
m 2 , 1 > >
EJEMPLO:
m 2 , 3 a para 405 , 2 V : obtiene se
, 10 . 5 y 45 , 1 n , m 2 , 1
3
1
< < < <
= = = = = =

m 4 a 10 . 3 Si
3


34
EL NDICE MODAL:

n
CON LA CONSTANTE DE PROPAGACIN b
( ( ) ) ( ( ) ) + + + + = =

b 1 n n n b n n
2 2 2
MODELO ANALTICO DE LA CURVA b(V)
( ( ) ) ( ( ) )
2
V / 996 , 0 1428 , 1 V b
DISTRIBUCIN DEL CAMPO FUNDAMENTAL HE11
CON LAS SOLUCIONES Ez, Hz, E, H, E, H
CONDICIONES:
01 z z
LP ; 0 H ; 0 E ; 1 << <<
EL MODO POLARIZADO LINEALMENTE
ANULANDO UNA COMPONENTE TRANSVERSAL: 0 E
y
= =
EN EL NCLEO:
EN EL REVESTIMIENTO
( ( ) ) ( ( ) ) [ [ ] ] a para e a J / J E E
z j
0 0 0 x
= =

( ( ) ) ( ( ) ) [ [ ] ] a para e a K / K E E
z j
0 0 0 x
> > = =

Eo=CONSTANTE DETERMINADA POR LA POTENCIA DEL MODO
EL MODO DOMINANTE MAGNTICO
( ( ) )
x
2
1
0 0 2 y
E . / n H = =
MODO POLARIZADO LINEALMENTE EN X
LA FIBRA MONOMODO SOPORTA DOS MODOS ORTOGONALES
POLARIZADOS LINEALMENTE
MODOS DEGENERADOS
TIENEN EL MISMO NDICE MODAL:

n
35
DOBLE REFRACCIN
FIBRA IDEAL: NCLEO CILNDRICO PERFECTO
FIBRA REAL: VARIACIN DEL DIMETRO DEL NCLEO
LA TENSIN SOBRE LA FIBRA: ROMPE LA SIMETRA DE LA FIBRA
LOS MODOS NO ESTN DEGENERADOS
LA FIBRA ADQUIERE DOBLE REFRACCIN
CONDICIONES DE ASIMETRA Y NO UNIFORMIDAD DEL NCLEO
EL GRADO DE LA DOBLE REFRACCIN
y x
d
n n B

= =
= =

x n = =

y
n
NDICE MODAL EN x NDICE MODAL EN y
SE GENERA UN INTERCAMBIO DE POTENCIA ENTRE
LOS MODOS EN x Y EN y
LONGITUD DE PULSACIN
PERODO DEL INTERCAMBIO DE POTENCIA
d
B
B
L

= =
VALORES TIPICOS:
m 1 para m 10 L y 10 B
B
7
d


Bd=grado de la doble refraccin
PUNTO DE VISTA FSICO:
POLARIZACIN LINEAL A LO LARGO DE UN EJE PRINCIPAL
LA FIBRA REAL CAMBIA CADA LB DE LINEAL-ELPTICA-LINEAL
36
ESTADOS DE POLARIZACIN EN UNA FIBRA DE DOBLE REFRACCIN
EJE RPIDO: NDICE MODAL PEQUEO. RPIDA PROPAGACIN.
EJE LENTO: NDICE MODAL GRANDE. PROPAGACIN LENTA.
FIGURA: CAMBIO PERIDICO DE LOS ESTADOS DE POLARIZACIN
MODO
LENTO
MODO
RPIDO
L
O
N
G
I
T
U
D

D
E

P
U
L
S
A
C
I

N

L
B
ESTADO DE POLARIZACIN ARBITRARIA:
Bd NO ES CONSTANTE A LO LARGO DE LA FIBRA:
FLUCTUACIONES EN LA FORMA DEL NCLEO.
LA TENSIN NO UNIFORME VARA EL DIMETRO DEL NCLEO.
SISTEMAS CON MODULACIN DE INTENSIDAD DIRECTA
SON INSENSIBLES AL ESTADO DE LA POLARIZACIN.
RECEPTORES COHERENTES
37
FIBRAS PTICAS CON CONSERVACIN DE LA POLARIZACIN
DISEO: LA FORMA Y LAS DIMENSIONES DEL NCLEO NO
AFECTA EL ESTADO DE LA POLARIZACIN.
Bd=GRANDE.
PEQUEAS FLUCTUACIONES DE Bd NO AFECTA LA POLARIZACIN
VALOR TPICO:
4
d
10 B


DIMENSIN ACTIVA w:
EL USO DE Ex DE HE11 SE DIFICULTA.
SE APROXIMA A UNA DISTRIBUCIN GAUSSIANA:
z j
w
x
e . Ae E
2
2



= =
w ES EL RADIO DEL CAMPO. SE TOMA COMO REFERENCIA.
SE DETERMINA AJUSTANDO LA DISTRIBUCIN DE GAUSS
Dependencia de la dimensin activa
normada w/a en funcin de V
Calidad del ajuste para V=2,4
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0 1 2 3 4 5 6 7 V
a
w
0 1 2 3 4
1,8
1,6
1,2
0,8
0,4
0,0
AMPLITUD
a

------ACTUAL
____ GAUSSIANA
LA CALIDAD DEL AJUSTE
ES MUY BUENA PARA:
2 V
38
DETERMINACIN DE LA DIMENSIN ACTIVA w/a
APROXIMACIN ANALTICA C0N 1% DE EXACTITUD PARA 1,2<V<2,4
6
2
3
V 879 , 2 V 619 , 1 65 , 0
2
w


+ + + +
FACTOR DE POTENCIA CONTENIDA EN EL NCLEO
FRACCIN DE POTENCIA TRANSPORTADA EN EL NCLEO
2
2
w
a 2
0
2
x
a
0
2
x
total
ncleo
e 1
d E
d E
P
P


= =


= = = =


EJEMPLO:
PARA V=2 EL 75% DE LA POTENCIA CONTENIDA EN EL NCLEO.
PARA V=1 EL 20% DE LA POTENCIA CONTENIDA EN EL NCLEO.
RANGO DE OPERACIN DE LAS FIBRAS MONOMODO
OPERAN EN EL RANGO: 2<V<2,4
LA DISPERSIN EN LA FIBRA PTICA
MONOMODO
GENERA UN ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO PTICO DE 10ns/Km
Debido a diferentes trayectorias de las componentes espectrales
FUENTES DE LA DISPERSIN
DISPERSIN DE LA VELOCIDAD DE GRUPO.
DISPERSIN MATERIAL
DISPERSIN DE GUA DE ONDA.
DISPERSIN DE RDENES SUPERIORES.
DISPERSIN DEL MODO DE POLARIZACIN
39
DISPERSIN DE LA VELOCIDAD DE GRUPO
DISPERSIN INTERMODAL O DISPERSIN DE LA FIBRA
CAUSAS:
LA DISPERSIJN MATERIAL
LA DISPERSIN DE GUA DE ONDA
EL NDICE DE REFRACCIN DE GRUPO:
g
n


+ +


d
n d
n n
g
PRESENTA UNA DEPENDENCIA DE LA FRECUENCIA
LAS COMPONENTES ESPECTRALES SE DISPERSAN.
NO ALCANZAN LA SALIDA SIMULTNEAMENTE.
EL IMPULSO PTICO SE ENSANCHA.
ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO EN EL TIEMPO
2
2
2 2
d
d
con L T



2=Parmetro de la dispersin de grupo.
ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO EN LA FRECUENCIA
DETERMINADO POR EL RANGO DE LONGITUD DE ONDA
D=PARMETRO DE DISPERSIN
2
2
2
C 2
D con . L . D T
C 2






ESTIMACIN DEL EFECTO DE DISPERSIN
EL CRITERIO:
< < DL T con 1 T . B
CONDICIN: 1 . D . L . B < <
ESTIMADO DEL PRODUCTO BLDE LA FIBRA MONOMODO
PARA FIBRAS DE SLICE STANDART
( ( ) ) m 3 , 1 para nm Km / ps 1 D
40
LASER SEMICONDUCTOR MULTIMODO:
=2,4nm
EL LASER opera en varios modos longitudinales.
EL PRODUCTO:
Km
s
Gb
100 BL

, ,
_ _



> >
LASER SEMICONDUCTOR MONOMODO:
<1nm
OPERAN EN 1,3m con B=2Gb/s
EL PRODUCTO:
Km
s
Tb
1 BL

, ,
_ _



> >
DEPENDENCIA DEL PARMETRO DE DISPERSIN D DE
Controlada por la dependencia del ndice modal de la frecuencia

n


, ,
_ _





+ +




2
2
2
d
n d
d
n d 2
D
SE SUSTITUYE POR EL GRADO DE DOBLE REFRACCIN:

n
( ( ) ) ( ( ) )
1 1
] ]
1 1




+ +








+ +


dV
Vb d
d
dn
dV
Vb Vd
n
n
2
D
;
d
dn
C
1
d
dn
2
D
D D D n n B
g 2
2
2
2
2
g 2
2 W
g 2 g 2
2 M
W M
y x
d
ndice de refraccin de grupo del material de revestimiento

g 2
n
DISPERSIN DIFERENCIAL DEL MATERIAL
0
d
d





+ + + +
d
d
D D D
W M
EN LA PRCTICA:
0
d
d



41
DISPERSIN MATERIAL
n DEL SLICE CAMBIA CON LA FRECUENCIA
LA ECUACIN DE SELLMEIR. LEJOS DE LA RESONANCIA DEL MEDIO
( ( ) ) ;
B
1 n
M
1 j
2 2
j
2
j j 2




+ +

j

j
B
FRECUENCIA DE RESONANCIA
EFICIENCIA DEL OSCILADOR
1
n n
2
n n
DISPERSIN EN EL NCLEO DISPERSIN EN EL REVESTIMIENTO
SUMATORIA SOBRE TODAS LAS RESONANCIAS MATERIALES
PARA LA FIBRA PTICA
DETERMINACIN EMPRICA DE LAS CURVAS DE DISPERSIN PARA: ( ( ) )
2
n
3 M para , B
j j

B1=0,6961663; B2=0,4079426; B3=0,8974794; 1=0,0684043 m; 2=0,1162414 m;
3=9,896161 m

+ +





d
n d
n n 3 ... 1 j con
C 2
g
j
j
n y ng para el slice en el rango 0,5 a 1,6 m
0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
1,49
1,48
1,47
1,46
1,45
1,44
INDICE
DE
REFRACCIN
LONGITUD DE ONDA m
g
n
n
42
LA LONGITUD DE ONDA DE DISPERSIN CERO ZD
LA DISPERSIN MATERIAL DM DEPENDE DE LA PENDIENTE DE ng




d
dn
con 276 , 1 para
d
dn
C
1
D
g
ZD
g
M
ZD M ZD M ZD M
si 0 D ; si 0 D ; si 0 D > > > > < < < <
APROXIMACIN EN EL RANGO 1,25 A 1,65 m
( ( ) )
ZD m
1 122 D
ZD PARA EL SLICE PURO
m 276 , 1
ZD

NCLEO Y REVESTIMIENTO ESTN DOPADOS PARA
VARIAR EL NDICE DE REFRACCIN.
LA LONGITUD DE ONDA DE DISPERSIN CERO DE LA
FIBRA PTICA DEPENDE:
DEL RADIO a
DEL CAMBIO FRACCIONAL DEL NDICE
A TRAVS DE LA DISPERSIN DE GUA DE ONDA.
( ( ) )
1 2 1
n n n
43
DISPERSIN DE GUA DE ONDA
APORTE A LA DISPERSIN TOTAL
( ( ) ) ( ( ) )
1 1
] ]
1 1




+ +




dV
Vb d
d
dn
dV
Vb Vd
n
n
2
D
g 2
2
2
2
2
g 2
2 W
FIGURA: VARIACIN DE b Y DE LAS DERIVADAS EN DW
FIGURA: MUESTRA DM, DWY D=DM+DW PARA UNA FIBRA MONOMODO
1,2
1,0
0,8
0,6
0.4
0.2
0,0
0 1 2 3
( ( ) )
2
2
dV
Vb d
. V
( ( ) )
dV
Vb d
b
V
MAGNITUD
FRECUENCIA NORMADA
30
20
10
0
-10
-20
-30
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8
LONGITUD DE ONDA EN m
DISPERSIN
ps/(Km-nm)
ZD

M
D
D
W
D
44
DW ES NEGATIVO EN EL RANGO DE 0 A 1,6m
DM ES NEGATIVO POR DEBAJO DE ZD
DM ES POSITIVO POR ARRIBA DE ZD
EFECTO DE LA DISPERSIN DE GUA DE ONDA
CAMBIA ZD DE 30 A 40nm
LA DISPERSIN ES CERO PARA: ZD=1,31m
SE REDUCE LA DISPERSIN MATERIAL EN EL RANGO 1,3 A 1,6m
RANGO DE LONGITUDES DE ONDAS IMPORTANTE EN LAS
TELECOMUNICACIONES PTICAS
REGIN CERCANA A LOS 1,55 m
DISPERSIN D EN EL RANGO: 15 A 18 ps/(Km-nm)
LAS PRDIDAS DE LA FIBRA PRESENTAN UN MNIMO.
LA FIBRA PTICA CON DISPERSIN CAMBIADA
SE CAMBIA CERCA DE 1,55 m
ZD

LA DISPERSIN DE GUA DE ONDA DEPENDE DE:
w
D , a
LA FIBRA PTICA CON DISPERSIN APLANADA
SE AJUSTA LA DISPERSIN DE GUA DE ONDA
w
D
SE HACE LA DISPERSIN TOTAL PEQUEA
D
RANGO: 1,3 A 1,6 m
FIBRAS PTICAS DE DISPERSIN DECRECIENTE
TIENEN APLICACIN EN LA TRANSMISIN DE SOLITONS
VARIACIN AXIAL DEL RADIO DEL NCLEO
SE PRODUCE UNA DISMINUCIN DE LA
DISPERSIN DE LA VELOCIDAD DE GRUPO
45
20
10
0.0
-10
-20
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7
STANDART
DISPERSIN
CAMBIADA
DISPERSIN
PLANA
DISPERSIN
nm Km
ps

Longitud de onda m
Caractersticas de fibras comerciales
0,072 1,555 8,0 0,90 0,17
LITESPEC
DSM-15
0,095 1,530 8,4 0,75 0,16
AT&T
TRUE WAVE
0,075 1,550 8,1 0,90 0,17
CORNING
SMF-DS
0,087 1,312 9,3 0,33 0,12
LITESPEC
GSM-13
0,088 1,312 9,3 0,33 0,12
AT&T
MATCHED
CLAD
0,090 1,312 9,3 0,36 0,13
CORNING
SMF-28
PENDIENTE S
DE LA
DISPERSIN
LONGITUD DE
ONDA CERO
zd
2 / m
NDICE DE
REFRACCIN
DIFERENCIAL
/%
APERTURA
NUMRICA
NA
TIPO DE
FIBRA
OPTICA
S=parmetro de dispersin diferencial de segundo orden.
2
nm Km
ps

46
DISPERSIN DE ORDENES SUPERIORES
APARNTEMENTE PARA: 1 D BL < <
EL RENDIMIENTO DEL SISTEMA PTICO SE PODRA
INCREMENTAR INDEFINIDMENTE BL
PARA LA FIBRA PTICA MONOMODO OPERANDO A:
ZD

EFECTOS DISPERSIVOS DE RDENES SUPERIORES
PARA NO DESAPARECEN LOS EFECTOS DISPERSIVOS
ZD

SE GENERA UN ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO PTICO
CARACTERSTICAS
EL IMPULSO PTICO TIENE UN ESPECTRO ANCHO
CENTRADO EN
ZD

DNO ES CERO PARA TODAS LAS COMPONENTES ESPECTRALES
DDEPENDE DE
S PENDIENTE DE DISPERSIN
DESCRIBE LOS EFECTOS DE DISPERSIN NO LINEAL


d
dD
S
3
3
2
3 2
3
3
2
2
3
g
d
d
d
d
con
C 4 C 2
S
C 2
v
1
d
d
D







, ,
_ _





+ +

, ,
_ _












47
SE OBSERVA LA CONDICIN: 0 ,
2 ZD

UNA FUENTE ESPECTRAL DE ANCHURA
TIENE UN VALOR EFECTIVO DEL PARMETRO DE DISPERSIN
. S D
EL LMITE DE LA VELOCIDAD DE BITS
POR LA DISTANCIA
( ( ) ) 1 S BL
2
< <
EJEMPLO:
PARA UN LASER SEMICONDUCTOR MULTIMODO
nm 2
CON UNA FIBRA PTICA DE DISPERSIN CAMBIADA, CON:
2
nm Km
ps
05 , 0 S


SE OBTIENE UN:
s
Tb
5 BL
MEJORAMIENTO DE BL CON:
LASER SEMICONDUCTOR MONOMODO
48
DISPERSIN DEL MODO DE POLARIZACIN
VARIACIN DE LA SIMETRA CILNDRICA
PRODUCE DOBLE REFRACCIN
DIFERENTES NDICES MODALES DE LAS COMPONENTES DEL
MODO FUNDAMENTAL
FUENTE DEL ENSANCHAMIENTO
LAS DOS COMPONENTES SE DISPERSA, DEBIDO A LAS
DIFERENTES VELOCIDADES DE GRUPO
ESTIMACIN DEL ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO
EL TIEMPO DE RETRASO
ENTRE LAS DOS COMPONENTES DE POLARIZACIN
1 y 1 x 1
gy gx
L L
v
L
v
L
T
CANTIDAD DE DISPERSIN DE MODO DE POLARIZACIN
L
T
FIBRAS PTICAS CON CONSERVACIN DE LA POLARIZACIN
T/L SE HACE CERO ALIMENTANDO LUZ EN EL EJE PRINCIPAL
ACOPLAMIENTO ALEATORIO DE LOS MODOS DE POLARIZACIN
SE INDUCE UNA PERTURBACIN ALEATORIA DE LA DOBLE REFRACCIN
SE PUEDE IGUALAR LOS TIEMPOS DE PROPAGACIN DE LAS DOS COMPONENTES
EL VALOR DE LA RAIZ CUADRADA DE T
CARACTERIZA LA DISPERSIN DEL MODO DE POLARIZACIN
m 10 a 1 h con e 1
h
L 2
h
2
1
) T (
h
L 2
2 2
1
2 2
T

1 1
] ]
1 1



+ +

FIBRAS CON CONSERVACIN DE LA POLARIZACIN
Km
ps
1 a 1 , 0 D con L D hL 1 h
p p 1 T
<< <<
Dp=PARMETRO DE LA DISPERSIN DE MODO DE POLARIZACIN
49
PRDIDAS EN LA FIBRA PTICA
REDUCE EL PROMEDIO DE POTENCIA EN EL RECEPTOR
MECANISMOS DE PRDIDAS
IMPERFECCIONES EN LA GUA DE ONDA
ABSORCIN ULTRAVIOLETA
DISPERSIN DE RAYLEIGH
ABSORCIN INFRAROJA
EL COEFICIENTE DE ATENUACIN
ptica Potencia P con P
dz
dP

LA POTENCIA DE SALIDA Po
( ( ) )
L
i 0
e P t P


Pi=POTENCIA DE ENTRADA
L=LONGITUD DE LA FIBRA
( ( ) )


, ,
_ _





i
0
P
P
log
L
10
Km dB /
PERFILES DE PRDIDAS DE UNA FIBRA MONOMODO
0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
100
50
10
5
1
0,5
0,1
0,05
0.01
ATENUACIN
( ( ) )
Km
dB

LONGITUDES DE ONDA ( m)
IMPERFECCIONES EN LA GUA DE ONDA
ABSORCIN ULTRAVIOLETA
DISPERSIN DE
RAYLEIGH
DISPERSIN TOTAL
ABSORCIN
INFRAROJA
50
ABSORCIN MATERIAL
ABSORCIN INTRNSECA DEL MATERIAL
RESONANCIA ELECTRNICA DEL SLICE: U.V.
RESONACIA VIBRATORIA: I.R
m 4 , 0
m 7 > >
<<0,1dB/KmEN EL RANGO 0,8 1,6 m
<<0,03dB/KmEN EL RANGO 1,3 1,6 m
ABSORCIN EXTRNSECA DEL MATERIAL
GENERADA POR IMPUREZAS
IMPUREZAS DE METALES EN TRANSICIN
Fe, Cu, Co, Ni, Mn, Cr. RANGO: 0,6-1,6 m
ATENUACIN: 1dB/Km
VAPOR DE AGUA EN EL SLICE
RESONANCIA VIBRATORIA DEL ION OH EN 2,73 m
ABSORCIN POR ARMNICOS Y COMBINACIN EN
1,39 m A 1,24 m Y 0,95 m
LOS PICOS ESPECTRALES SON PRUEBA DE LA
PRESENCIA DE VAPOR DE AGUA.
EN EL RANGO DE 1,39 m SE GENERA PRDIDAS DE
50dB/Km.
PRDIDAS OCASIONADAS POR DOPANTES
GeO2, P2O3 Y B2O3
USADOS DURANTE LA FABRICACIN PARA
PRODUCIR EL NDICE ESCALONADO REQUERIDO
INTRODUCE PRDIDAS ADICIONALES.
51
LA DISPERSIN DE RAYLEIGH
FLUCTUACIONES DE LA DENSIDAD MICROSCPICA
LOCAL
PRODUCE FLUCTUACIONES ALEATORIAS DEL NDICE
DE REFRACCIN.
A UNA ESCALA MENOR QUE LA LONGITUD DE
ONDA PTICA
SECCIN TRANSVERSAL DE DISPERSIN:
4

PRDIDAS INTRNSECA:
4
R
R
C


R
C
CONSTANTE EN EL RANGO:
m 55 , 1 para
Km
dB
16 , 0 ... 12 , 0 m
Km
dB
9 , 0 a 7 , 0
R
4

DISMINUCIN DE LA DISPERSIN DE RAYLEIGH
m 3 para
Km
dB
01 , 0
R
> > << <<
POR ARRIBA DE 1,6m AUMENTA LA DISPERSIN I.R.
NUEVOS MATERIALES PARA REDUCIR LA DISPERSIN DE
RAYLEIGH
DISMINUCIN DEL POR ENCIMA DE:
R

m 55 , 2
FIBRAS PTICAS DE FLUOROZIRCANATE:
4 r
F Z
m 55 , 2 para Km / dB 01 , 0
R
< <
FIBRAS CALCGENIDAS Y POLICRISTALINAS
m 10 para Km / dB 001 , 0
R
< <
52
IMPERFECCIONES DE LA GUA DE ONDA
MECANISMOS DE PRDIDAS INDEPENDIENTE DE LA POTENCIA
IMPERFECCIONES EN LA INTERFASE NCLEO-REVESTIMIENTO
VARIACIN ALEATORIA DEL RADIO DEL NCLEO
DISPERSIN MIE
PRESENCIA DE UN NDICE DE REFRACCIN NO HOMOGNEO EN
UNA ESCALA MAYOR QUE LA LONGITUD DE ONDA PTICA
CUIDADOS EN LA PRODUCCIN DE LA FIBRA
LA VARIACIN DEL RADIO DEL NCLEO DEBE MANTENERSE POR
DEBAJO DE 1%. PARA PRDIDAS DE 0,03 dB/Km
DOBLEZ EN LA FIBRA PTICA
DISTORSIN LONGITUDINAL ALEATORIA
PRDIDAS POR MICRODOBLEZ
OTRAS FUENTES DE PRDIDAS
NGULO DE INCIDENCIA MAYOR QUE EL NGULO CRTICO
PARTE DE LA ENERGA SE DISPERSA EN EL REVESTIMIENTO
2
2
2
1
C
R
R
n n
a
R e
C



R=RADIO DE LA CURVATURA DEL DOBLEZ
PRESIONES SOBRE LA SUPERFICIE DEL CABLE PTICO
LAS PRDIDAS PUEDEN INCREMENTARSE HASTA 100dB/Km
ESTAS PRDIDAS PUEDE DISMINUIRSE PARA VEN EL CORTE, EN 2,405
PRDIDAS GENERADA POR EMPALMES Y CONECTORES
53
EFECTOS PTICOS NO LINEALES
MATERIALES DIELCTRICOS
TIENEN UNA RESPUESTA NO LINEAL
ANTE CAMPOS ELECTROMAGNTICOS INTENSOS
SLICE
NO MUESTRA UN COMPORTAMIENTO FUERTE NO LINEAL
SE GENERA EFECTOS NO LINEALES POR TRANSMITIRSE LA ENERGA
PTICA POR UN ESTRECHO NCLEO SOBRE EXTENSAS DISTANCIAS.
DISPERSIN ESTIMULADA DE LA LUZ
LA DISPERSIN ELSTICA
LA FRECUENCIA Y LA ENERGA DEL FOTN NO VARA. EJMPLO:
LA DISPERSIN DE RAYLEIGH
LA DISPERSIN INELSTICA
LA FRECUENCIA DE LA LUZ QUE SE DISPERSA DISMINUYE
DISPERSIN DE RAMAN
DISPERSIN DE BRILLOUIN
ESTE PROCESO:
LA DI SPERSI N DE UN FOTN HACI A UN
FOTN DE MS BAJ A ENERG A DE TAL
FORMA QUE LA ENERG A DE LA
DI FERENCI A, APARECE EN FORMA DE UN
FONN.
FONONES PTICAS: INTERVIENEN EN LA DISPERSIN DE
RAMAN
FONONES ACSTICOS: INTERVIENEN EN LA DISPERSIN DE
BRILLOUIN
MECANISMOS DE PRDIDAS DE POTENCIA
54
NIVELES DE BAJA POTENCIA
NIVELES DE ALTA POTENCIA
SE DESPRECIAN LAS PRDIDAS
GRANDES PRDIDAS POR EFECTOS NO LINEALES
EN LA SRS Y SBS LA DISPERSIN DE LA INTENSIDAD DE LA
LUZ SE INCREMENTA EXPONENCIALMENTE
COMPARACIN ENTRE LA DISPERSIN DE RAMAN Y DE BRILLOUIN
SE GENERA EN FORMA SIMILAR
SE DIFERENCIA EN:
FONN PTICO EN LA DISPERSIN DE RAMAN
FONN ACSTICO EN LA DISPERSIN DE BRILLOUIN.
EN UNA FIBRA MONOMODO:
DISPERSIN DE BRILLOUIN EN LA PROPAGACIN REFLEJADA
DISPERSIN DE RAMAN EN LA PROPAGACIN INCIDENTE.
EL NIVEL DE POTENCIA UMBRAL Pth DE LA DISPERSIN
ESTIMULADA DE RAMAN
DEFINICIN: ES LA POTENCIA INCIDENTE A PARTIR DE LA CUAL LA
MITAD DE LA POTENCIA SE PIERDE EN LA DISPERSIN DE RAMAN A LA
SALIDA DE LA FIBRA PTICA DE LONGITUD L
16 A / L P g
eff eff th R

=VALOR PICO DE LA GANANCIA DE RAMAN
=AREA TRANSVERSAL DEL MODO EFECTIVO. (DEL NCLEO)
=LONGITUD EFECTIVA DE INTERACCIN
=PRDIDAS DE LA FIBRA PTICA
R
g
eff
A
eff
L

LA POTENCIA UMBRAL
( ( ) )
m 55 , 1 con mWatt 570 P Watt / m 10 x 1 g
g / w 16 P w A
1
L
th
13
R
R
2
th
2
eff eff
= =
= =

= =

LA DISPERSIN ESTIMULADA DE RAMAN NO CONTRIBUYE A
INCREMENTAR LAS PRDIDAS DE LA FIBRA PTICA
55
LA POTENCIA UMBRAL Pth PARA LA DISPERSIN ESTIMULADA DE
BRILLOUIN
SIMILAR AL ANTERIOR:
21 A / L P g
eff eff th B

=EL COEFICIENTE DE GANANCIA DE BRILLOUIN
B
g
( ( ) )
m 55 , 1 para mWatt 1 P g g
Watt / m 10 . 5 g : Slice de Fibras
g / w 21 P w A ;
1
L
th R B
11
B
B
2
th
2
eff eff
= = >> >>

= =

= =

EL SBS PUEDE LIMITAR CONSIDERBLEMENTE LA POTENCIA
ALIMENTADA DEBIDO AL BAJO UMBRAL DE POTENCIA Pth
SE DESPRECIA LOS EFECTOS DE DISPERSIN SOBRE EL ANCHO DE
BANDA
LA GANANCIA DE BRILLOUIN DEL SLICE TIENE UN ESPECTRO MUY
ESTRECHO <100Mhz
LA POTENCIA DE UMBRAL SE INCREMENTA Pth=10mW.
INCREMENTANDO EL ANCHO DE BANDA DE LA GANANCIA CON
MODULACIN DE FASE
APLICACIN DE LA SRS Y LA SBS
LA SRS Y LA SBS PUEDEN AMPLIFICAR UN CAMPO PTICO
TRANSFIRIENDO ENERGA BOMBEADA DESDE UN CAMPO
CON UNA LONGITUD DE ONDA ADECUADA.
SE APLICA ESPECIALMENTE LA SRS POR SU ANCHO DE BANDA
DE 10THz DE LA GANANCIA DE RAMAN DEL SLICE
EL SBS SE USA PARA FABRICAR AMPLIFICADORES DE
BRILLOUIN
56
REFRACCIN NO LINEAL
NIVELES DE BAJA POTENCIA
n ES INDEPENDIENTE DE LA POTENCIA
NIVELES DE ALTA POTENCIA
n TIENE UNA DEPENDENCIA NO LINEAL CON LA POTENCIA
( ( ) ) 2 , 1 j con A P 2
j j
eff
n n n
= =

+ + = =

=NDICE DE REFRACCIN NO LINEAL. PARA FIBRAS DE SLICE
2 n

Watt
m
10 . 3 n
2
20
2


= =
EFECTO NO LINEAL SOBRE EL NDICE DE REFRACCIN TOTAL
7
10

< <
LA CONSTANTE DE PROPAGACIN TIENE UNA DEPENDENCIA
DE LA POTENCIA


eff
2 0
A
n k
con P


= = + + = =
LA FASE PTICA DEL MODO DE PROPAGACIN DE LA FIBRA
LA REFRACCIN NO LINEAL GENERA UN CAMBIO DE FASE NO LINEAL
( ( ) ) ( ( ) )
( ( ) ) ( ( ) ) = = = =
= = = =

= =



/ e 1 L y e . P z P
L P dz z P dz
L
eff
z
in
eff in
L
0
L
0
NL
=PRDIDAS EN LA FIBRA. =CONSTANTE
=LONGITUD DE INTERACCIN EFECTIVA
( ( ) ) z P
in
P
eff
L
DEPENDENCIA DEL TIEMPO DE Pin
VARIACIN TEMPORAL DE LA FASE PTICA NO LINEAL
NL

GENERACIN DE UN RUIDO DE GORJEO DE FRECUENCIA.
CAUSA DISTORSIN DE LA VELOCIDAD DE GRUPO
57
DISMINUCIN DEL EFECTO DE NO LINEALIDAD DEL
COEFICIENTE DE REFLEXIN
CONDICIN PARA LA FASE PTICA NO LINEAL:
1
NL
<< <<
CONDICIN PARA FIBRAS PTICAS DE GRAN LONGITUD CON:



<< <<

= =
in eff
P
1
L
VALORES TPICOS: Km / dB 2 , 0 ; Km . Watt 2
1
= =


LA POTENCIA DE ENTRADA EST LIMITADA: mWatt 22 P
i
< <
AUTO MODULACIN DE FASE (SPM)
EL CAMBIO DE FASE NO LINEAL NL ES AUTOINDUCIDO POR EL
CAMPO PTICO
GENERADO POR LA DEPENDENCIA DE POTENCIA DEL
NIDCE DE REFRACCIN.
LA SPM PERMITE UN ENSANCHAMIENTO ESPECTRAL.
LA MODULACIN CRUZADA DE FASE (XPM)
DEPENDENCIA QUE PRESENTA EL NDICE DE REFRACCIN DE LA
INTENSIDAD LUMINOSA
DOS O MS CANALES SE TRANSMITEN SIMULTNEAMENTE POR
MEDIO DE PORTADORAS DIFERENTES DENTRO DE LA FIBRA PTICA
EL CAMBIO DE FASE DEL CANAL J ES:








+ + = =


M
j m
m j eff
NL
j
P 2 P L
M=TOTAL DE CANALES.
PJ=POTENCIA DEL CANAL
J=1.........J=M
EL FACTOR 2 INDICA QUE LA XPMES EL DOBLE DE EFECTIVA QUE LA
SPM, PARA LA MISMA CANTIDAD DE POTENCIA
58
EL CAMBIO DE FASE TOTAL
DEPENDE DE LA POTENCIA EN TODOS LOS CANALES.
VARA DEL PATRN DE BITS DE CANALES VECINOS.
EL CAMBIO DE FASE EN EL MEJOR DE LOS CASOS
TODOS LOS CANALES TIENEN LA MISMA POTENCIA.
TODOS LOS CANALES TRANSPORTAN SIMULTNEAMENTE 1 BIT.
EST DADA POR:
( ( ) )
j
NL
j
P 1 M 2


= =

VALORES TPICOS: M=10, Y PARA=1,55m.
POTENCIA DE LOS CANALES=1mW. SE MANTIENE:
1
NL
j
<< <<
EN SISTEMAS PTICOS MULTICANALES. XPMREPRESENTA
UN FACTOR DE LIMITACIN DE POTENCIA.
PARA IMPULSOS PTICOS RELATVAMENTE ANCHOS:
SPM Y XPM NO TIENEN UN EFECTO SIGNIFICATIVO EN LA DISPERSIN.
PARA IMPULSOS PTICOS CORTOS:
EFECTOS DISPERSIVOS Y NO LINEAL ACTUAN SIMULTNEAMENTE
SOBRE EL IMPULSO PTICO GENERANDO NUEVAS CARACTERSTICAS.
EL ENSANCHAMIENTO DEL IMPULSO PTICO INDUCIDO POR LA
DISPERSIN SE REDUCE CONSIDERBLEMENTE EN PRESENCIA DE SPM
Y GVD.
PROPAGACIN DEL IMPULSO PTICO SIN DISTORCIN.
SELECCIONANDO EL PICO DE POTENCIA DEL IMPULSO QUE
CORRESPONDA AL SOLITN FUNDAMENTAL.
MEZCLADOR DE CUATRO ONDAS (FWM)
ORIGEN EN LA SUSCEPTIBILIDAD NO LINEAL DE TERCER ORDEN
1, 2, 3 FRECUENCIAS DE PORTADORAS
SE GENERA UN CUARTO CAMPO PTICO:
EL FWM OCURRE SI LOS DOS FOTONES INICIALES SE
DEGENERA DE TAL MANERA QUE:
PRDIDA DEL RENDIMIENTO DEL SISTEMA A TRAVS DE LA FWM POR:
PRDIDA DE POTENCIA DE CANALES ESPECFICOS.
INTERFERENCIA CRUZADA ENTRE CANALES.
APLICACIN DE LA FWM EN SISTEMAS PTICOS.
EN LA DEMULTIPLEXIN POR TDM
SE GENERA UN ESPECTRO INVERTIDO. SE COMPENSA DISPERSIN
( ( ) ) 3

3 2 1 4
= =
2 1
= = h h
3 1 4
2 = =
59
EL TRANSMISOR PTICO
CONVERSIN DE LA SEAL DE ENTRADA ELCTRICA EN
SEAL PTICA.
FUENTES PTICAS SEMICONDUCTORAS:
LED: DIODOS EMISORES DE LUZ.
EL LASER:
VENTAJAS DE LAS FUENTES PTICAS SEMICONDUCTORAS
DIMENSIONES COMPACTAS.
ELEVADA DE EFICIENCIA.
BUENA CONFIABILIDAD.
RANGO DE LONGITUD DE ONDA ADECUADA.
REA DE EMISIN ESTRECHA COMPATIBLE CON LAS
DIMENSIONES DEL NCLEO DE LA FIBRA.
POSIBILIDAD DE LA MODULACIN DIRECTA PARA RELATIVAS
ALTAS FRECUENCIAS.
SE ELIMINA LA NECESIDAD DE UN MODULADOR EXTERNO
EXTERNO.
CONCEPTOS BSICOS
PROCESOS FUNDAMENTALES
h
h
h h h
EMISIN
ESPONTANEA
EMISIN
ESTIMULADA
ABSORCIN
E2
E1
E1 E1
E2 E2
E1=ESTADO FUNDAMENTAL DE ENERGA
E2=ESTADO EXCITADO DE ENERGA
60
ABSORCIN
EL FOTN ES ABSORBIDO POR EL TOMO.
ENERGA h ES IGUAL A Eg=E2-E1
LA LUZ INCIDENTE SE ATENA COMO CONSECUENCIA DE
NUMEROSOS EVENTOS DE ABSORCIN SIMILARES QUE OCURREN EN
EL MEDIO MATERIAL.
EMISIN
LOS TOMOS EXCITADOS EVENTUALMENTE RETORNAN A SU ESTADO
ENERGTICO FUNDAMENTAL NORMAL EMITIENDO LUZ DURANTE
ESTE PROCESO.
PROCESOS DE EMISIN:
EMISIN ESPONTNEA: SE EMITE FOTONES EN DIRECCIONES
ALEATORIAS SIN NINGUNA RELACIN DE FASE ENTRE SI.
EL LED EMITE LUZ A TRAVS DE PROCESOS
INCOHERENTES DE EMISIN ESPONTANEA.
EMISIN ESTIMULADA: LA EMISIN SE INICIA CON FOTONES,
CUYAS CARACTERSTICAS FSICAS SON CONOCIDAS.
SE EMITE LUZ COHERENTE.
LOS FOTONES EMITIDOS ESTN RELACIONADOS CON EL
FOTN INICIAL EN SUS PARMETROS DE ENERGA,
FRECUENCIA Y DIRECCIN DE PROPAGACIN.
TODOS LOS LASERS SEMICONDUCTORES EMITEN A
TRAVS DE PROCESOS DE EMISIN ESTIMULADA Y POR LO
TANTO GENERAN LUZ COHERENTE.
VELOCIDADES DE EMISIN Y ABSORCIN
VELOCIDAD DE EMISIN ESPONTNEA: Rspon=A.N2
VELOCIDAD DE EMISIN ESTIMULADA: Rstim=B.N2. ph
VELOCIDAD DE ABSORCIN: Rabs=BN1 ph
ph=ES LA DENSIDAD ESPECTRAL.
SISTEMA ATMICO DE DOS NIVELES.
N1=DENSIDAD ATMICA EN EL NIVEL FUNDAMENTAL.
N2=DENSIDAD ATMICA EN EL ESTADO EXCITADO.
A, B, B SON CONSTANTES.
61
DISTRIBUCIN DE LAS DENSIDADES ATMICAS
DISTRIBUIDAS DE ACUERDO A LA ESTADSTICA DE BOLTZMANN
T K
h
T K
E
1 2
B B
g
e e N / N


= = = =
KB=CONSTANTE DE BOLTZMANN
T=TEMPERATURA ABSOLUTA
VELOCIDAD DE TRANSICIN DE LOS PROCESOS
ASCENDENTES (DE E1 A E2) Y DESCENDENTES (DE E2 A E1)
EMISIN=ABSORCIN. Rspon+Rstim=Rabs
ph 1 ph 2 2
N B BN AN

= = + +
SE OBTIENE LA DENSIDAD ESPECTRAL:
1 e
B
B
B / A
T K
h ph
B


= =

COMPARACIN CON LA FRMULA DE
PLANCK: PARA LA DENSIDAD ESPECTRAL DE
LA RADIACIN DE UN CUERPO NEGRO
1 e
C h 8
T K
h
3 3
ph
B


= =

RESULTAN LOS COEFICIENTES DE
EINSTEIN: ( ( ) ) B B y B . C / h 8 A
3 3
= =

= =
CONCLUSIONES
PARA KBT>h LA VELOCIDAD DE EMISIN ESPONTNEA Rspon
PUEDE SUPERAR CONSIDERBLEMENTE TANTO A LA:
VELOCIDAD DE EMISIN ESTIMULADA Rstim.
VELOCIDAD DE ABSORCIN Rabs.
LAS FUENTES TRMICAS OPERAN EN ESTE RGIMEN.
EN EQUILIBRIO TRMICO A TEMPERATURA AMBIENTE KBT=25meV.
PARA LA REGIN VISIBLE CERCANA A LA INFRAROJA (h =1eV)
LA EMISIN ESPONTNEA ES DOMINANTE SOBRE LA
EMISIN ESTIMULADA. DONDE:
spon stim
T K
h
spon
stim
R R 1
e
1
R
R
B
<< << << << = =

POR ESTA RAZN TODOS LOS LASERS DEBEN OPERAR LEJOS
DEL EQUILIBRIO TRMICO
SE LOGRA BOMBEANDO EL LASER CON UNA FUENTE DE
ENERGA EXTERNA.
62
CONDICIN DE INVERSIN DE LA VECINDAD DE DENSIDADES ATMICAS
EN UN SISTEMA ATMICO BOMBEADO EXTRNAMENTE:
LA EMISIN ESTIMULADA NO ES EL PROCESO DOMINANTE:
SE TIENE QUE VENCER LA ABSORCIN:
CONDICIN:
NO SE ALCANZA EN SISTEMAS EN EQUILIBRIO TRMICO
PARA QUE EL LASER OPERE DEBE CUMPLIRSE ESTA CONDICIN
UNA FUENTE DE ENERGA ARRANCA LA VECINDAD DE DENSIDADES
ATMICAS DEL ESTADO FUNDAMENTAL, EXCITNDOLO EN UN
ESTADO SITUADO POR ARRIBA.
1 2 abs stim
N N si R R > > > >
ESQUEMA DEL PROCESO DE EMISIN
E
k
VECTOR DE ONDA
ENERGA
BANDA DE
CONDUCCIN
Efc
ELECTRONES
HUECOS
Efv
Ec
Ev
Eg
LOS ELECTRONES EN LA BANDA DE CONDUCCIN Y HUECOS EN LA
BANDA DE VALENCIA, PUEDEN RECOMBINARSE
EMITEN UN FOTN A TRAVS:
EMISIN ESPONTNEA
EMISIN ESTIMULADA
LAS VELOCIDADES DE EMISIN Y ABSORCIN DEPENDE DE:
LAS BANDAS DE ENERGA ASOCIADA CON EL
SEMICONDUCTOR
63
LA EMISIN ESPONTANEA: OCURRE SI EL ESTADO DE ENERGA E2
ES OCUPADO POR UN ELECTRN Y EL ESTADO DE ENEGA E1
ESTVACO (OCUPADO POR UN HUECO).
LA FUNCIN DE DISTRIBUCIN DE FERMI: PROBABILIDAD DE
OCUPACIN DE ESTADOS POR ELECTRONES EN LA BANDA DE
CONDUCCIN:
( ( ) )
T K
E E 2 c
B
fc 2
e 1
1
E f

+ +
= =
PROBABILIDAD DE OCUPACIN DE ESTADOS POR ELECTRONES EN
LA BANDA DE VALENCIA:
( ( ) )
T K
E E 1 v
B
fv 1
e 1
1
E f

+ +
= =
LA VELOCIDAD TOTAL DE EMISIN ESPONTANEA PARA LA
FRECUENCIA Rspon( ): SE OBTIENE DE LA SUMATORIA SOBRE
TODAS LAS TRANSICIONES POSIBLES ENTRE LAS DOS BANDAS:
SI Eph ES LA ENERGA EMITIDA POR EL FOTN:
CON LA DENSIDAD DE ESTADOS DE LA UNIN: cv. NMERO
DE ESTADOS POR UNIDAD DE VOLUMEN Y POR UNIDAD DE
RANGO DE ENERGA.

= = = =
= = = =
2
h
y 2 con
E E E
1 2 ph
h
h
[ [ ] ]
v c
v c
r
2
1
g 3 2
2
3
r
cv 2 cv 1 2 c
E
2 1 spon
m m
m m
m
; ) E (
2
) m 2 (
; dE ) E ( f 1 ) E ( f ) E , E ( A R
c
+ +
= =


= = = =



h
h
mr ES LA MASA REDUCIDA
A(E1,E2) ES EL ELMENTO MATRICIAL DEL IMPULSO
LAS VELOCIDADES DE EMISIN Y ABSORCIN ESTIMULADA
[ [ ] ]
[ [ ] ]




= =
= =
c
c
E
1 ph cv 2 c 1 v 2 1 abs
E
2 ph cv 1 v 2 c 2 1 stim
dE ) E ( f 1 ) E ( f ) E , E ( B ) ( R
dE ) E ( f 1 ) E ( f ) E , E ( B ) ( R
ph ES LA DENSIDAD ESPECTRAL DEL FOTN, SE OBTIENE SIMILAR A cv
64
LA CONDICIN DE INVERSIN DE LA VECINDAD DE DENSIDADES
ATMICAS
) E ( f ) E ( f R R
1 v 2 c abs stim
> > > >
( ( ) )
T K
E E 2 c
B
fc 2
e 1
1
E f

+ +
= = ( ( ) )
T K
E E 1 v
B
fv 1
e 1
1
E f

+ +
= =
CON LAS FUNCIONES DE DISTRIBUCIN DE FERMI
fv fc 1 2
fv 1 fc 2
E E E E
E E E E
< <
< <
g 1 2 fv fc
E E E E E > > > >
CONDICIONES PARA LA GENERACIN DE LA INVERSIN DE LA
VECINDAD DE DENSIDADES ATMICAS
LOS NIVELES DE FERMI DEBEN SER MAYORES QUE LA BANDA
PROHIBIDA.
EL VALOR MNIMO E2-E1 ES Eg
EN EQUILIBRIO TRMICO, LOS DOS NIVELES DE FERMI COINCIDEN:
Efc=Efv.
SE SEPARA BOMBEANDO ENERGA EN EL SEMICONDUCTOR
DESDE UNA FUENTE DE ENERGA EXTERNA.
POR MEDIO DE UNA UNIN PN POLARIZADA DIRCTAMENTE SE
BOMBEA ENERGA EN EL SEMICONDUCTOR.
LA UNIN PN
NCLEO PRINCIPAL DE LA FUENTE PTICA SEMICONDUCTORA
SEMICONDUCTOR TIPO n. EXCESO DE UN ELECTRN DE VALENCIA
SEMICONDUCTOR TIPO p. CARENCIA DE UN ELECTRN DE VALENCIA
PARA EL TIPO n: LOS ELECTRONES EN EXCESO OCUPAN ESTADOS
EN LA BANDA DE CONDUCCIN
LA DISTRIBUCIN DE FERMI DIRAC: DA LA PROBABILIDAD DE
OCUPACIN
UBICACIN DEL NIVEL DE FERMI
SEMICONDUCTOR INTRNSECO: EN EL MEDIO DE LA BANDA PROHIBIDA
SEMICONDUCTOR DEGENERADO, ALTAMENTE DOPADO:
TIPO n EN LA BANDA DE CONDUCCIN.
TIPO p EN LA BANDA DE VALENCIA
65
DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGA DE LA HOMOUNIN PN EN
EQUILIBRIO TRMICO
SE USA EL MISMO MATERIAL A AMBOS LADOS DE LA UNIN.
++++++++++++++++
- - - - - - - - - - - -
TIPO p
TIPO n
fv
E
fc
E
v
E
c
E
DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGA DE LA UNIN PN
POLARIZADA DIRCTAMENTE
LA CORRIENTE I SE INCREMENTA EXPONENCILMENTE CON V.
EN LA REGIN DE VACIMENTO CERCANA A LA UNIN PN
POLARIZADA DIRCTAMENTE:
ELECTRONES Y HUECOS APARECEN SIMULTNEAMENTE.
PUEDEN RECOMBINARSE POR EMISIN ESPONTNEA O
ESTIMULADA Y GENERAR LUZ EN UNA FUENTE PTICA
SEMICONDUCTORA.
LA RECOMBINACIN DE ELECTRONES Y HUECOS OCURRE EN UNA
REGIN RELATVAMENTE ANCHA (1 A 10m).
NO ES POSIBLE ENCERRAR A LOS PORTADORES DE CARGA EN
UNA REGIN CERCANA A LA UNIN. NO SE LOGRA UNA ALTA
CONCENTRACIN CERCA DE LA UNIN
++++++++++++++++
- - - - - - - - - - - -
fc
E
fv
E
c
E
v
E
TIPO n
TIPO p
66
LA HETEROUNIN DOBLE
SOLUCIN PARA EL PROBLEMA DE ENCIERRO DE PORTADORES
SE INTRODUCE ENTRE LAS DOS CAPAS TIPO-p Y TIPO-n OTRA
CAPA MUY DELGADA
LA BANDA PROHIBIDA DE LA CAPA DELGADA INTERMEDIA ES
MS ANGOSTA QUE LA ANCHURA DE BANDA PROHIBIDA DE
LAS OTRAS DOS CAPAS TIPO p Y n VECINAS.
LA CAPA INTERMEDIA PUED ESTAR O NO DOPADA.
LA CAPA INTERMEDIA CUMPLE LA FUNCIN DE
ENCERRAR LOS PORTADORES DE CARGA INYECTADOS EN
LA UNIN BAJO POLARIZACIN DIRECTA.
EL ENCIERRO DE LOS PORTADORES DE CARGA SE GENERA
DEBIDO A LA DISCONTINUIDAD DE LA BANDA PROHIBIDA.
SEMICONDUCTORES QUE FORMAN HETEROUNIONES:
TIENEN LA MISMA ESTRUCTURA CRISTALINA O LA MISMA CONSTANTE
DE RED.
TIENEN DIFRENTES ANCHURA DE BANDAS PROHIBIDAS.
DIAGRAMA DE BANDA DE ENERGA DE UNA UNIN PN CON
HETEROESTRUCTURA DOBLE EN EQUILIBRIO TRMICO
+++++++++++
- - - - - - - -
TIPO p
TIPO n
fv
E
c
E
v
E
fc
E
ACTIVA
DIAGRAMA DE BANDA DE ENERGA DE UNA UNIN PN CON
HETEROESTRUCTURA DOBLE POLARIZADA DIRCTAMENTE
++++++++++++ +++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - - -
TIPO p
TIPO n
fv
E
c
E
v
E
fc
E
ACTIVA
67
ANCHURA DE LA CAPA INTERMEDIA
ES POSIBLE LOGRAR UNA ALTA DENSIDAD DE PORTADORES DE
CARGA PARA UNA DETERMINADA CORRIENTE DE INYECCIN
CONTROLANDO EXTRNAMENTE LA DELGADA ANCHURA DE LA
CAPA INTERMEDIA.
ANCHURA TPICA: 0,1 m
VENTAJA DE LA GEOMETRA DE HETEROESTRUCTURA COMO
FUENTE PTICA SEMICONDUCTORA
LA DIFERENCIA EN LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA
ENCIERRA LOS PORTADORES EN LA ZONA ACTIVA, SU
RECOMBINACIN GENERA EMISIN DE LUZ.
EL NDICE DE REFRACCIN DE LA ZONA ACTIVA ES MAYOR QUE
EN LAS ZONAS p Y n. LA ZONA ACTIVA SE COMPORTA COMO UNA
GUA DE ONDA DIELCTRICA.
LA CAPA ACTIVA SOPORTA MODOS PTICOS. EL NMERO DE
MODOS SE CONTROLA CON LA VARIACIN DE LA ANCHURA DE
LA ZONA ACTIVA.
ENCIERRO SIMULTANEO DE PORTADORES DE CARGA Y LUZ GENERADA
LA CAPA INTERMEDIA TIENE UNA BANDA PROHIBIDA MS
ANGOSTA Y UN NDICE DE REFRACCIN MS ALTO QUE EN LA
REGIONES p Y n.
TIPO n TIPO p
CAPA
ACTIVA
ENERGA
NDICE DE
REFRACCIN
LUZ
BANDA
PROHIBIDA
BANDA DE CONDUCCIN
BANDA DE VALENCIA
n=n1-n2
- - - - - -
++++++++++
ELECTRONES
HUECOS
DISTANCIA
68
RECOMBINACIN NO RADIACTIVA
LA MAYORA DE LOS ELECTRONES Y HUECOS RECOMBINAN
GENERANDO LUZ.
ALGUNOS ELCTRONES Y HUECOS RECOMBINAN SIN EMISIN DE
LUZ: MECANISMOS:
POR DEFECTO
SUPERFICIAL
DE AUGER
EL PROCESO DE LA RECOMBINACIN DE AUGER
LA ENERGA LIBERADA DURANTE LA RECOMBINACIN DEL PAR
ELECTRN-HUECO ES ENTREGADA A OTRO ELECTRN O HUECO EN
FORMA DE ENERGA CINTICA, LOS CUALES GENERAN LUZ UN
TIEMPO DESPUS.
ESTOS PROCESOS REDUCEN EL NMERO DE
PARES ELECTRN-HUECO QUE EMITEN LUZ.
LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA
CONSIDERA EL EFECTO DE LA RECOMBINACIN NO RADIACTIVA
nr rr
rr
int
tot
rr
nr rr
rr
int
;
R
R
R R
R
+ +

= = = =
+ +
= =
Rrr=RECOMBINACIN RADIACTIVA.
Rnr=RECOMBINACIN NO
RADIACTIVA
nr, rr=TIEMPOS DE
RECOMBINACIN.
N=DENSIDAD DE PORTADORES
SEMICONDUCTOR DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA
EL MNIMO DE LA BANDA DE CONDUCCIN Y EL MXIMO DE LA
BANDA DE VALENCIA APARECEN PARA EL MISMO VALOR DEL VECTOR
DE ONDA DEL ELECTRN
LA PROBABILIDAD DE RECOMBINACIN RADIACTIVA ES GRANDE EN
LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA.
DURANTE LA RECOMBINACIN ELECTRN-HUECO SE
CONSERVA LA ENERGA Y EL IMPULSO
COMO GaAs Y InP
CUANDO DOMINA LA EMISIN ESTIMULADA:
5 , 0
int

1
int

69
SEMICONDUCTOR DE BANDA PROHIBIDA INDIRECTA
INTERVIENE UN FONN PARA PODER CONSERVAR EL IMPULSO
SE REDUCE LA RECOMBINACIN RADIACTIVA
LA EFICIENCIA CUNTICA SE HACE MENOR QUE 1.
VALORES TPICOS PARA EL Si, G.
EL Si, Y EL G, NO ENCUENTRAN APLICACIN COMO FUENTES
PTICAS
nr rr
> >
1
int
<< <<
5
int
10


LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIN RADIACTIVA
stim spon rr
R R R + + = =
LED LASER SEMICONDUCTOR
SUPERPOSICIN DE EMISIN ESPONTANEA Y ESTIMULADA
% 50
R 2
R
R R R R
int
spon
spon
int
spon nr stim spon
= = = =
>> >>
% 100
R
R
R R R R
int
stim
stim
int
nr stim stim rr
= =
>> >>
EL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR DE CARGA c
TIEMPO DE RECOMBINACIN TOTAL DE LOS PORTADORES DE CARGA
EN AUSENCIA DE LA RECOMBINACIN ESTIMULADA.
N=DENSIDAD DE LOS PORTADORES
C
nr spon
N
R R

= = + +
c ES CONSTANTE, SI Rspon Y Rnr VARAN LINEALMENTE CON N
EN LA PRCTICA Rspon Y Rnr VARAN NO LINEAL CON N
3 2
nr nr spon
CN BN N A R R + + + + = = + +
Anr=COEFICIENTE NO RADIACTIVO
B=COEFICIENTE DE RECOMBINACIN ESPONTANEA RADIACTIVA
C=COEFICIENTE DE AUGER
DEPENDENCIA DEL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR DE CARGA c
DE LA DENSIDAD DE PORTADORES N.
2
nr
1
CN BN A + + + + = =

70
SEMICONDUCTORES CON BANDA PROHIBIDA DIRECTA
EN LOS DISPOSITIVOS DE HETEROESTRUCTURA EL RENDIMIENTO
DEPENDE DE LA CALIDAD DE LA INTERFASE INTERMEDIA
SI LAS CONSTANTES DE RED SON IGUALES EN UNA PROPORCIN MEJOR
QUE EL 0,1%. DISMINUYE LA FORMACIN DE DEFECTOS EN LA
ESTRUCTURA CRISTALINA.
SEMICONDUCTORES COMPUESTOS TERNARIOS Y CUATERNARIOS
SE FABRICAN ARTIFICIALMENTE SEMICONDUCTORES DIFERENTES
CON LA MISMA CONSTANTE DE RED.
UNA FRACCIN DEL SITIO DE LA RED DE UN SEMICONDUCTOR
BINARIO COMO GaAs SE REEMPLAZA POR OTRO ELEMENTO.
COMPUESTO TERNARIO: UNA FRACCIN x DE TOMOS DE
Ga POR TOMOS DE Al
COMPUESTO CUATERNARIO:
EL NUEVO SEMICONDUCTOR TIENE:
LA MISMA CONSTANTE DE RED
SE INCREMENTA LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA.
DEPENDE DEx. SE APROXIMA:
As Ga Al
x 1 x
y 1 y x x 1
P As Ga In

45 , 0 x 0 con
x 247 , 1 424 , 1 ) x ( Eg
< < < <
+ + = =
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
6,6
6,4
6,2
6,0
5,8
5,6
5,4
.
.
.
.
.
.
InSb
GaSb
AlSb
InP
AlAs
AlP
GaP
InAs
Constante
De
Red
A
Energa de la banda prohibida (e.v)
Longitud de onda
de la Banda
Prohibida m
10 2 1,5 1 0,9 0,8 0,6 0,5
71
LOS COMPUESTOS TERNARIOS Y CUATERNARIOS SE FORMAN
USANDO SEMICONDUCTORES BINARIOS DE LOS GRUPOS III Y V
LA REGIN SOMBREADA: SON LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS
CON UNA BANDA PROHIBIDA DIRECTA, DE LOS ELEMENTOS In, Ga,
As, P.
LA LINEA HORIZONTAL QUE PASA A TRAVS DEL InP MUESTRA
LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS DEL InP.
LA LINEA HORIZONTAL QUE UNE GaAs CON EL AlAs DE LOS
COMPUESTOS TERNARIOS
LA BANDA PROHIBIDA DE ESTOS COMPUESTOS ES DIRECTA
PARA VALORES DE x DE APROX. 0,45
LOS PUNTOS REPRESENTAN LOS SEMICONDUCTORES BINARIOS.
LAS LINEAS QUE UNEN LOS PUNTOS SON LOS COMPUESTOS
TERNARIOS.
LOS TRAMOS DE LAS LNEAS PUNTEADAS: EL COMPUESTO
TERNARIO TIENE UNA BANDA PROHIBIDA INDIRECTA.
EL REA DE UN POLGONO CERRADO CORRESPONDE A UN
COMPUESTO CUATERNARIO.
LA BANDA PROHIBIDA DE LOS COMPUESTOS
CUATERNARIOS NO SON NECESARIAMENTE DIRECTOS.
y 1 y x x 1
P As Ga In

As Ga Al
x x 1
x 247 , 1 424 , 1 ) x ( Eg + + = =
LA CAPA ACTIVA Y LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO SE DISEAN
PARA QUE x SEA MAYOR EN LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO
COMPARADO CON EL VALOR DE x PARA LA CAPA ACTIVA.
LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ EMITIDA
SE DETERMINA DE LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA SIENDO
LA ENERGA DEL FOTN APROXIMDAMENTE IGUAL A LA ANCHURA
DE LA BANDA PROHIBIDA.
LA CAPA ACTIVA DE GaAs
LA ENERGA DE LA BANDA PROHIBIDA:
LA LONGITUD DE ONDA SE REDUCE A
USANDO UNA CAPA ACTIVA DE:
m 87 , 0
hC
h E eV 424 , 1 E
g g


= = = =
m 87 , 0
1 , 0 x
72
FUENTES PTICAS BASADAS EN GaAs
OPERAN EN EL RANGO: 0,81-0,87 m
SE USARON EN LA PRIMERA GENERACIN DE FIBRA PTICA.
LA DISPERSIN SE REDUCE EN EL RANGO 1,3-1,6 m
FUENTES PTICAS DE InP
OPERAN EN EL RANGO: 1,3-1,6 m
LA BANDA PROHIBIDA DEL InP SE REDUCE FORMANDO EL
COMPUESTO CUATERNARIO
RELACIN ENTRE LOS VALORES x Y y x/y=0,45
CON ESTA RELACIN SE IGUALA LAS CONSTANTES DE RED
y 1 y x x 1
P As Ga In

LA BANDA PROHIBIDA DE LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS
SE PUEDE EXPRESAR EN TRMINOS x Y y
LA BANDA PROHIBIDA MAS ANGOSTA SE OBTIENE PARA: y=1
1 y 0 con y 12 , 0 y 72 , 0 35 , 1 ) y ( Eg
2
+ + = =
EJEMPLO DE UN COMPUESTO TERNARIO
EMITE LUZ PARA =1,65 mPARA Eg=0,75eV
RANGO DE OPERACIN: =1,0 A 1,65 mINCLUYE =1,3 A 1,6 m
As Ga In
45 , 0 55 , 0
TCNICAS DE FABRICACIN DE LAS FUENTES PTICAS
SEMICONDUCTORAS
TCNICAS DE MLTIPLE CRECIMIENTO EPITAXIAL SOBRE UN
SUSTRATO BASE DE GaAs O InP
LA ANCHURA Y LA COMPOSICIN DE CADA CAPA SE CONTROLA CON
ALTA PRECISIN.
SE APLICAN TCNICAS DE MLTIPLE CRECIMEINTO EPITAXIAL.
TCNICAS PRIMARIAS:
CRECIMIENTO EPITAXIAL DE FASE LQUIDA.
CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE AL VAPOR.
CRECIMIENTO EPITAXIAL POR RADIACIN.
DEPENDIENDO SI LOS CONSTITUYENTES ESTN EN FORMA
LQUIDA, EN VAPOR OSE APLICAN POR RADIACIN
73
LASERS CON MULTIPOZOS CUNTICOS
PARA INCREMENTAR EL RENDIMIENTO DEL LASER.
SE FABRICAN DISPOSITIVOS CON CAPAS ACTIVAS MLTIPLES
DE 5 A 10nm DE ANCHURA.
SEPARADAS POR BARRERAS TRANSPARENTES DE
APROXIMDAMENTE 10nm DE ANCHO.
LASER DE MULTIPOZOS CUNTICOS DEFORMADOS
UNA DEFORMACIN INTENCIONAL CONTROLADA DE LA CAPA
ACTIVA MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER MULTIPOZOS.
EL USO DE CAPAS ACTIVAS FINAS PERMITE QUE LAS
CONSTANTES DE RED SE EMPAREJEN CON UN DEFECTO DBIL.
LA DEFORMACIN RESULTANTE CAMBIA LA ESTRUCTURA DE
BANDAS Y MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER.
CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE AL VAPOR: DEPOSITACIN
QUMICA AL VAPOR.
DEPOSITACIN QUMICA METLICA Y ORGNICA AL
VAPOR: METALES ALCALINOS SE USAN COMO UNA MEZCLA
COMPUESTA.
CONTROLAN LA ANCHURA DE LA CAPA ACTIVA
HASTA 1nm
NORMLMENTE SE USAN CAPAS ACTIVAS DE 10nm
PARA ESTOS LASER
LOS PORTADORES ESTN ENCERRADOS EN
UN POZO CANTICO.
SE MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER. SE
DENOMINAN:
LASERS DE POZOS CUNTICOS.
74
EL DIODO EMISOR DE LUZ LED
UNA UNIN PN POLARIZADA DIRECTAMENTE EMITE LUZ A TRAVS
DE EMISIN ESPONTNEA ESTE FENMENO SE DENOMINA
ELECTROLUMINICENCIA.
UN LED ES EN FORMA SENCILLA UNA HOMOUNIN PN POLARIZADA
DIRCTAMENTE.
LA LUZ SE GENERA DEBIDO A LA RECOMBINACIN
RADIACTIVA DE PARES ELECTRN-HUECO EN LA REGIN DE
VACIAMIENTO-
PARTE DE LA LUZ SE ESCAPA DEL DISPOSITIVO Y SE
ACOPLA A LA FIBRA.
LA LUZ EMITIDA ES INCOHERENTE CON UNA ANCHURA
ESPECTRAL RELATVAMENTE GRANDE DE 30 A 60nm Y UN
ENSANCHAMIENTO ANGULAR RELATVAMENTE GRANDE.
LA CARACTERSTICA LUZ-CORRIENTE
LA VELOCIDAD DE INYECCIN DE PORTADORES ES: I/q
LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA int.
CANTIDAD DE PARES ELECTRN-HUECO QUE RECOMBINAN POR
EMISIN ESPONTNEA.
LA VELOCIDAD DE GENERACIN DE FOTONES ES: int(I/q)
LA POTENCIA PTICA INTERNA ES:
ES LA ENERGA DEL FOTN
LA POTENCIA EMITIDA:
ext ES LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA. ES LA
CANTIDAD DE FOTONES QUE SE ESCAPA DEL DISPOSITIVO
I )
q
( P
int int

= =
h
h
I )
q
( P
int ext e

= =
h
REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA CARA DE SALIDA DE UN LED
REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA CARA DE SALIDA DE UN LED. SLO LA LUZ
EMITIDA EN EL CONO QUE FORMA UN NGULO c SE TRANSMITE. c ES EL
NGULO CRTICO DE LA INTERFASE SEMICONDUCTOR-AIRE.
c
TIPO-n
TIPO-p
AIRE
75
DETERMINACIN DE LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA
SE TOMA EN CUENTA LA ABSORCIN INTERNA Y LA REFLEXIN
EN LA INTERFASE AIRE-SEMICONDUCTOR.
SE CONSIDERA TAMBIEN LA REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA
INTERFASE.
ext

CONDICIN PARA LA LUZ QUE SE ESCAPA DE LA SUPERFICIE DEL LED
SE EMITE LUZ QUE INCIDE SOBRE LA INTERFASE DENTRO DE UN
CONO DE NGULO c DENOMINADO NGULO CRTICO.
n=NDICE DE REFRACCIN DEL MATERIAL
LA ABSORCIN INTERNA PUEDE EVITARSE:
USANDO LEDS DE HETEROESTRUCTURA, DONDE LAS CAPAS
DE REVESTIMIENTO ALREDEDOR DE LA CAPA ACTIVA SON
TRANSPARENTES A LA RADIACIN GENERADA.
SE OBTIENE PARA LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA:
SE ASUME QUE LA RADIACIN SE EMITE UNIFRMEMENTE EN
TODAS LAS DIRECCINES EN UN NGULO ESPACIAL DE 4
Tf=FACTOR DE TRANSMISIN DE FRESNEL. DEPENDE DEL
NGULO DE INCIDENCIA :
PARA INCIDENCIA NORMAL: =0.
LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA PARA
INCIDENCIA NORMAL:
)
n
1
( sen
1
C

= =


= =


d ) ( sen 2 ) ( T
4
1
C
0
f ext
2 f
) 1 n (
n 4
T
+ +
= =
2 1
ext
) 1 n ( n

+ + = =
LA POTENCIA EMITIDA
PARA UN VALOR TPICO DEL NDICE DE REFRACCIN DEL
SEMICONDUCTOR n=3,5 SE OBTIENE: ext=1,4%
SOLO UNA PEQUEA PARTE DE LA POTENCIA INTERNA APORTA
A LA POTENCIA DE SALIDA TIL.
OTRA FUENTE DE PRDIDA DE LA POTENCIA TIL DE SALIDA
OCURRE DURANTE EL ACOPLAMIENTO DE LA LUZ EN LA
SUPERFICIE DE LA FIBRA.
76
EL LED COMO UNA FUENTE DE LAMBERTIAN
ES UNA FUENTE PTICA DE LUZ CON NATURALEZA INCOHERENTE.
CON UN NGULO DE DISTRIBUCIN:
So ES LA INTENSIDAD EN LA DIRECCIN =0.
LA EFICIENCIA DEL ACOPLAMIENTO ES:
NA ES LA APERTURA NUMRICA DE LA FIBRA PTICA.
VALORES TPICOS: NA=0,1-0,3
SOLO UN PEQUEO PORCENTAJE DE LA
POTENCIA EMITIDA SE LOGRA ACOPLAR A LA
FIBRA PTICA
= = cos S ) ( S
0
2
c
) NA ( = =
POTENCIA DE ALIMENTACIN DEL LED
<100 W
LA POTENCIA INTERNA DEL LED PUEDE EXCEDER LOS: >10mW
LA EFICIENCIA CUNTICA TOTAL tot
DESCRIBE EL RENDIMIENTO TOTAL DEL LED.
DEFINICIN DE tot
ES LA RELACIN ENTRE:
Pe: LA POTENCIA PTICA EMITIDA Y
Pelec=VoI: LA POTENCIA ELCTRICA APLICADA.
Vo ES LA CAIDA DE TENSIN EN EL
DISPOSITIVO.
int ext tot 0
0
int ext tot
qV
qV









= = h
h
LA RESPUESTA PTICA R
ES OTRA MAGNITUD QUE SE USA PARA CARACTERIZAR EL
RENDIMIENTO DEL LED:
RSE MANTIENE CONSTANTE SI LA RELACIN Pe/I ES CONSTANTE.
ESTE TIPO DE RELACIN SLO SE MANTIENE SOBRE UN RANGO
DE CORRIENTE LIMITADA.
A / W 01 , 0 R tpico valor
V R
q
R
I
P
R
0 tot int ext
e

= =





= = = =
h
77
CURVAS LUZ-CORRIENTE L-I PARA VARIAS TEMPERATURAS DE
UN LED TPICO EN 1,3 m
0 50 100 150
CORRIENTE/mA
4
3
2
1
0
POTENCIA DE
SALIDA/ mW
C 0
0
C 70
0
C 25
0
LA RESPUESTA PTICA RDEL DISPOSITIVO DISMINUYE PARA ALTAS
CORRIENTES SOBRE 80mA DEBIDO AL DOBLAMIENTO DE LA CURVA
L-I.
UNA CAUSA DE LA DISMINUCIN DE RES EL INCREMENTO DE LA
TEMPERATURA EN LA REGIN ACTIVA.
LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA int DEPENDE NORMLMENTE
DE LA TEMPERATURA. DEBIDO AL INCREMENTO DE LA VELOCIDAD
DE RECOMBINACIN PARA ALTAS TEMPERATURAS.
DISTRIBUCIN ESPECTRAL
LA DISTRIBUCIN ESPECTRAL DE LA FUENTE DE LUZ AFECTA EL
RENDIMIENTO DEL SISTEMA DE COMUNICACIONES PTICO A
TRAVS DE LA DISPERSIN DE LA FIBRA.
LA DISTRIBUCIN ESPECTRAL EST CONTROLADA POR EL
ESPECTRO DE LA EMISIN ESPONTNEA:
[ [ ] ]
2 cv 1 c 2 c
E
2 1 spon
dE ) E ( f 1 ) E ( f ) E , E ( A ) ( R
c
= =


SE CALCULA NUMRICAMENTE Y DEPENDE DE DIFERENTES
PARMETROS MATERIALES.
78
APROXIMACIN DEL ESPECTRO DE EMISIN ESPONTNEA:
CONDICIONES:
A(E1,E2)ES DIFERENTE DE CERO SOLO SOBRE UN RANGO DE
ENERGA ESTRECHO, CERCANO A LA ENERGA DEL FOTN.
LAS FUNCIONES DE FERMI SE APROXIMAN A SUS EXPRESIONES
EXPONENCIALES, ASUMIENDO UN PROCESO DE INYECCIN
DBIL. SE OBTIENE:
T K
E
2
1
g 0 spon
B
g
e ) E ( A R


= =
h
h
Ao=CONSTANTE
Eg=ENERGA DE LA BANDA PROHIBIDA
PARA DETERMINAR
LA CURVA
TERICA
EL MXIMO DE Rspon
SE DEDUCE PARA:
ANCHURA TOTAL DE UN MXIMO MEDIO:
PARA TEMPERATURA AMBIENTE ES:
EN LA PRCTICA LA ANCHURA ESPECTRAL SE EXPRESA EN
NANMETROS, USANDO:
ES MAYOR EN EL LED DE InGaAsP IRRADIANDO EN 1,3 mEN EL
FACTOR 1,7, COMPARADO CON EL LED DE GaAs
2
T
K E
B g
+ + = = h
h
T K
8 , 1
B

THz 11 K 300 T
0










2
C
SALIDA ESPECTRAL DE UN LED TPICO EN 1,3 m, COMPARADA
CON LA CURVA TERICA DE:
T K
E
2
1
g 0 spon
B
g
e ) E ( A R


= =
h
h
1,35 1,30 1,25 1,20
0,90 0,95 1,00 1,05
ENERGA/eV
m /
InGaAsP
T=280k
p=1,3 m
ESPECTRO
TERICO
POTENCIA
LIMITACIONES DEL LED EN APLICACIONES EN SISTEMAS DE
COMUNICACIONES:
LA DISPERSIN LIMITA EL BL
APLICACIN EN CORTAS DISTANCIAS Y B=10-100Mb/s
79
RESPUESTA A LA MODULACIN DEL LED
DEPENDE DE LA DINMICA DE LOS PORTADORES DE CARGA.
LIMITADA POR EL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR
C

C
nr spon
N
R R

= = + +
SE DETERMINA DE LA ECUACIN DE LA VELOCIDAD DE
VARIACIN TEMPORAL DE LAS DENSIDADES DE PORTADORES DE
CARGA N.
CONSIDERA TODOS LOS MECANISMOS A TRAVS DE LOS
CUALES APARECEN Y DESAPARECEN ELECTRONES DENTRO DE
LA REGIN ACTIVA. PARA LOS LEDS, DESPRECIANDO LA
EMISIN ESTIMULADA, SE OBTIENE:
C

C
N
V . q
I
dt
dN

= =
N/ c CONSIDERA LOS PROCESOS DE RECOMBINACIN RADIACTIVA Y
NO RADIACTIVA
MODULACIN SENOIDAL
LA CORRIENTE INYECTADA ES MODULADA SENOSOIDLMENTE.
Ib=CORRIENTE DE POLARIZACIN.
Im=CORRIENTE DE MODULACIN.
m=FRECUENCIA DE MODULACIN
t j
m b
m
e I I ) t ( I

+ + = =
SOLUCIN GENERAL DE LA ECUACIN DE LA VELOCIDAD DE
VARIACIN DE N
C m
ol
m
C
m
ol
b C
b
t j
m b
j 1
)
V . q
I
(
) ( N ;
V . q
I
N con ; e N N ) t ( N
m
+ +

= =

= = + + = =

LA POTENCIA MODULADA Pm EST DESCRITA LINEALMENTE POR |Nm|
80
LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA DEL LED H( m)
C m m
m m
m
j 1
1
) 0 ( N
) ( N
) ( H
+ +
= =

= =
EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN DE 3dB
1
C dB 3
) 2 ( 3 f

= =
EL VALOR TPICO PARA InGaAsP-LEDs c=2 a 5nS
EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN DEL LED: 50-140MHz
EL ANCHO DE BANDA ELCTRICO:
SE DETERMINA DE LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA H( ),
CONSIDERANDO LA FRECUENCIA A PARTIR DE LA CUAL
SE REDUCE EN 3dB Y EST DADO POR:
2
) ( H
1
C
) 2 (


CLASIFICACIN DE LOS LEDs
EL LED EMISOR SUPERFICIAL
LUZ
Metal Metal
Fibra
ptica
resina
rea de emisin primaria de Luz
n-AlGaAs
p-GaAs
p-AlGaAs
p+ GaAs
SiO2
Ag
Metal
50 m
EL LED EMITE LUZ DE UNA SUPERFICIE QUE ES PARALELA AL
PLANO DE LA UNIN
81
EL LED EMISOR SUPERFICIAL
EL REA DE EMISIN DEL DISPOSITIVO ES UNA REGIN
ESTRECHA DE DIMENSIN COMPARABLE CON EL DIMETRO
DEL NCLEO DE LA FIBRA.
EL USO DE UNA CAPA DE ORO EVITA PRDIDAS DE POTENCIA
POR LA SUPERFICIE POSTERIOR.
LA EFICIENCIA DEL ACOPLAMIENTO SE MEJORA PERFORANDO
UN POZO Y ACERCANDO LA FIBRA AL REA DE ENISIN.
LA POTENCIA ACOPLADA EN LA FIBRA, DEPENDE DE
DIVERSOS PARMETROS:
DE LA APERTURA NUMRICA DE LA FIBRA.
DE LA DISTANCIA ENTRE FIBRA Y LED.
AL AGREGAR UNA RESINA EN EL POZO PERFORADO, SE
INCREMENTA LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA DADO
QUE SE REDUCE EL NDICE DE REFRACCIN.
VARIACIONES DEL DISEO BSICO:
UN MICROLENTE ESFRICO TRUNCADO SE FABRICA
DENTRO DEL POZO PERFORADO PARA ACOPLAR LA LUZ
EN LA FIBRA PTICA.
EN OTRA VARIACIN, LA PUNTA FINAL DE LA FIBRA SE LE
DA LA FORMA DE LENTE ESFRICO.
CON UN DISEO APROPIADO EL LED EMISOR SUPERFICIAL
PUEDE ACOPLAR EN LA FIBRA HASTA 1% DE LA POTENCIA
INTERNA GENERADA.
EL LED DE EMISIN SUPERFICIAL OPERA COMO UNA FUENTE
DE LAMBERTIAN PRESENTANDO UNA DISTRIBUCIN
ANGULAR Se( ) EN AMBAS DIRECCIONES, CON:
LA DIVERGENCIA DEL HAZ DE LUZ TIENE UNA ANCHURA
TOTAL TIENE UNA ANCHURA TOTAL MXIMA MEDIO DE 120.
BAJO ANCHO DE BANDA.
BAJA POTENCIA DE SALIDA
= = con S ) ( S
0 e
82
EL LED EMISOR DE BORDE
contacto
SiO2 SiO2
p+GaAs
p-AlGaAs
n-AlGaAs
n+ GaAs
(sustrato)
Luz
LED CON UNA GEOMETRA DE UNA HETEROESTRUCTURA
DOBLE. EMITE LUZ DESDE EL BORDE DE LA ZONA DE LA UNIN.
LA REGIN ACTIVA EST RODEADA POR CAPAS DE
REVESTIMIENTO TIPO p Y n.
EL DISEO DE HETEROESTRUCTURA: PERMITE UN
RENDIMIENTO MAYOR:
PROVEE UN CONTROL SOBRE EL REA DE EMISIN.
ELIMINA LA ABSORCIN INTERNA DEBIDO A LAS CAPAS
DE REVESTIMIENTO TRANSPARENTE.
UN BAO DE ALTA REFLEXIN SE USA FRECUNTEMENTE EN UNA
CARA PARA REDUCIR LA EMISIN DE POTENCIA DE ESTA CARA.
LA DIVERGENCIA EL HAZ DE LUZ DEL LED EMISOR DE BORDE,
DIFIERE DEL LED EMISOR SUPERFICIAL DEBIDO A LA
PROPAGACIN DE ONDA GUIADA EN EL PLANO PERPENDICULAR A
LA UNIN.
EN EL LED DE EMISIN DE BORDE LA DIVERGENCIA ALCANZA 30
EN LA DIRECCIN PERPENDICULAR AL PLANO DE LA UNIN.
EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN: DEL LED EMISOR DE
BORDE ES DE 200MHz.
APLICACIN DEL LED
SISTEMAS DE BAJO COSTO.
VELOCIDADES DE TRANSMISIN DE UNOS 100Mb/s
TRANSMISIN DE POCOS KILOMTROS DE DISTANCIA.
83
LED CON INCREMENTO DE LA CAVIDAD RESONANTE
SE IMPLEMENTAN DOS ESPEJOS METLICOS
ALREDEDOR DE LAS CAPAS CRECIDAS EPITAXILMENTE.
EL DISPOSITIVO SE UNE A UN SUSTRATO DE SILICIO.
OTRA VARIANTE DE ESTE LED:
EL ESPEJO POSTERIOR SE FABRICA A TRAVS DE UN
PROCESO EPITAXIAL USANDO UN CMULO DE CAPAS
ALTERNADAS DE DOS SEMICONDUCTORES
DIFERENTES.
EL ESPEJO SUPERIOR CONSISTE EN UNA MEMBRANA
DEFORMABLE SUSPENDIDA POR UNA SEPARACIN
DE AIRE.
LA LONGITUD DE ONDA DE OPERACIN DE ESTOS
LEDS SE PUEDE SINTONIZAR SOBRE LOS 40nm,
AJUSTANDO LA ANCHURA DE SEPARACIN DE AIRE.
OTRO TIPO DE ESTRUCTURA LED
VARIOS POZOS CUNTICOS DE DIFERENTES COMPOSICIN
Y BANDAS PROHIBIDAS SE HACEN CRECER PARA FORMAR
UNA ESTRUCTURA DE POZOS MULTICUNTICOS.
CADA POZO CUNTICO EMITE LUZ A UNA LONGITUD
DE ONDA DIFERENTE.
ESTE TIPO DE LED PUEDE TENER UN ESPECTRO
EXTREMDAMENTE ANCHO QUE SE EXTIENDE
SOBRE UN RANGO DE LONGITUD DE ONDA DE
500nm.
ENCUENTRA APLICACIN EN REDES DE
REA LOCAL CON MULTIPLEXIN DE
LONGITUD DE ONDA.
84
EL LASER SEMICONDUCTOR
EMITE LUZ A TRAVS DE PROCESOS DE EMISIN ESTIMULADA.
LA DIFERENCIA ENTRE EMISIN ESPONTNEA Y ESTIMULADA
EST EN LA CAPACIDAD DE IRRADIAR ALTAS POTENCIAS DE
APROX. 100mW.
EMISIN DE LUZ DE NATURALEZA COHERENTE.
ALTA EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO DE UN 50% EN LA
FIBRA MONOMODO.
PEQUEO ENSANCHAMIENTO ANGULAR DEL HAZ DE
LUZ COMPARADO CON EL LED.
PERMITE OPERAR CON ALTAS VELOCIDADES DE TRANSMISIN DE
APROX. 10Gb/s
RELATIVA BAJA DISPERSIN. DEBIDO A LA PEQUEA ANCHURA
ESPECTRAL DE LA LUZ IRRADIADA.
SE PUEDE MODULAR DIRCTAMENTE A ALTAS FRECUENCIAS SOBRE
LOS 25GHz. DEBIDO AL CORTO TIEMPO DE RECOMBINACIN
ASOCIADA CON LA EMISIN ESTIMULADA.
RENDIMIENTO SUPERIOR COMPARADO CON LOS LEDs.
CARACTERSTICAS DE SALIDA DEL LASER SEMICONDUCTOR
LA GANANCIA PTICA:
LA EMISIN ESTIMULADA ES DOMINANTE SI SE SATISFACE LA
CONDICIN DE INVERSIN DE LA VECINDAD DE LAS
DENSIDADES ATMICAS.
SE LOGRA CON ALTO DOPAJE DE LAS CAPAS DE
REVESTIMIENTO TIPO-P Y TIPO-N. EL NIVEL DE FERMI
SUPERA LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA. PARA
UNA UNIN PN POLARIZADA DIRCTAMENTE.
GANANCIA PTICA EN LA REGIN ACTIVA
SE DEBE GENERAR INVERSIN DE LA VECINDAD DE DENSIDADES
ATMICAS.
PROPAGACIN DE UNA SEAL DENTRO DE LA CAPA ACTIVA
LA SEAL DE ENTRADA SE AMPLIFICA EN:
g ES EL COEFICIENTE DE GANANCIA. SE DETERMINA
NUMRICAMENTE DE:
gz
e
abs stim
R R g
85
FIGURA: LA GANANCIA CALCULADA PARA InGaAsP EN 1,3 m
COMO CAPA ACTIVA. CON DIFERENTES VALORES DE LA DENSIDAD
DE PORTADORES INYECTADOS N.
250
200
150
100
50
0.0
-50
-100
-150
0,90 0,92 0,94 0,96 0,98
GANANCIA
PTICA
1
cm

ENERGA DEL FOTN (Ev)
18
10 x 8 , 1 N = =
18
10 x 6 , 1
18
10 x 4 , 1
18
10 x 2 , 1
18
10 x 0 , 1
AL INCREMENTARSE N, g SE HACE POSITIVA SOBRE UN RANGO
ESPECTRAL QUE SE INCREMENTA CON N.
EL VALOR PICO DE LA GANANCIA gp SE INCREMENTA CON N.
ACOMPAADO DE UNA VARIACIN DE LA MXIMA ENERGA DEL
FOTN.
GANANCIA
PTICA
1
cm

300
200
100
0
1.0 1,5 2,0
DENSIDAD DE PORTADORES/
3 18
cm 10

InGaAsP
m 3 , 1 = =
FIGURA: VARIACIN DE LA
GANANCIA PICO gp CON N.
LA LNEA PUNTEADA MUESTRA
QUE gp PUEDE CONSIDERARSE
LINEAL AL VARIAR N EN LA
REGIN DE ALTA GANANCIA.
86
LA GANANCIA PTICA DE LOS SEMICONDUCTORES SE
INCREMENTA RPIDAMENTE INMEDITAMENTE DESPUS DE
GENERARSE LA INVERSIN DE LA VECINDAD DE LAS
DENSIDADES DE PORTADORES.
FABRICANDO LASERS SEMICONDUCTORES DE DIMENSIONES
MENORES QUE 1mm SE LOGRA ALTAS GANANCIAS.
APROXIMACIN DE LA GANANCIA PICO:
LA DEPENDENCIA LINEAL CERCANA DE gp EN FUNCIN DE
N SE PUEDE APROXIMAR:
NT=VALOR DE TRANSPARENCIA DE LA DENSIDAD DE
PORTADORES.
g=GANANCIA DE REA. GANANCIA DIFERENCIAL.
VALORES TPICOS PARA InGaAsP:
) N N ( ) N ( g
T g p
= =
2 16
g
3 18
T
cm 10 3 a 2 ; cm 10 5 , 1 a 0 , 1 N


EN LA REGIN DE ALTA GANANCIA DONDE gp EXCEDE LOS
ES VLIDA LA APROX .
LA MAYORA DE LOS LASERS SEMICONDUCTORES
OPERAN EN ESTA REGIN.
EL USO DE ESTA ECUACIN SIMPLIFICA LOS CLCULOS
POR NO CONSIDERARSE LOS DETALLES DE LA
ESTRUCTURA DE BANDAS
LOS PARMETROS gp Y NT PUEDEN DETERMINARSE
NUMRICAMENTE O MEDIRSE EXPERIMENTLMENTE.
1
cm 100

) N N ( ) N ( g
T g p
= =
LASERS SEMICONDUCTORES CON UN VALOR GRANDE DE g,
TIENEN UN MAYOR RENDIMIENTO
SE PUEDE GENERAR LA MISMA GANANCIA
CON UNA BAJA DENSIDAD DE PORTADORES
O CON UNA BAJA INYECCIN DE CORRIENTE.
LASERS SEMICONDUCTORES DE POZOS CUNTICOS MEJORAN EL
g EN 100% COMPARADO CON LOS DISEOS STANDART
APROXIMACIN PARA LA GANANCIA PICO EN LASERS DE POZOS
CUNTICOS:
T p
T 0 0 0 p
N N para 0 g
eN N ; N N para g g
= = = =
= = = = = =
87
RETROALIMENTACIN Y UMBRAL LASER
NO SLO LA GANANCIA PTICA ES SUFICIENTE PARA LA OPERACIN
DEL LASER.
LA RETROALIMENTACIN PTICA ES OTRA CONDICIN NECESARIA
PARA LA OPERACIN DEL LASER.
CONVIERTE UN AMPLIFICADOR EN UN OSCILADOR.
GENERACIN DE LA RETROALIMENTACIN LASER
SE UBICA EL MEDIO GENERADOR DE LA GANANCIA DENTRO DE
UNA CAVIDAD PTICA FORMADA POR DOS ESPEJOS
SE DENOMINA: CAVIDAD DE FABRY-PEROT.
LOS SEMICONDUCTORES LASERS
NO REQUIEREN ESPEJOS EXTERNOS
LAS DOS CARAS QUE DIVIDEN AL LASER ACTAN COMO
ESPEJOS CON LA REFLECTIVIDAD:
n=NDICE DE REFRACCIN DEL MEDIO GENERADOR DE
GANANCIA.
VALORES TPICOS: n=3,5 RESULTANTE DE 30% DE
REFLECTIVIDAD DE LA CARA.
2
m
)
1 n
1 n
( R
+ +

= =
LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT (FP)
FORMADA POR DOS CARAS QUE DIVIDEN AL LASER.
LA GANACIA ES SUFICINTEMENTE ALTA
PUEDE TOLERAR PRDIDAS ELEVADAS.
L
REGIN ACTIVA
CARAS DIVISORIAS
INYECCIN DE
CORRIENTE
ESPEJOS
MEDIO
GENERADOR DE
GANANCIA
R1 R2
Z=0 Z=L
FIGURA: ESTRUCTURA BSICA DE
UN LASER SEMICONDUCTOR Y DE
UNA CAVIDAD FABRY-PEROT.
LAS CARAS DIVISORIAS
ACTAN COMO ESPEJOS
REFLECTORES
88
EL CONCEPTO DEL UMBRAL LASER
UNA DETERMINADA CANTIDAD DE FOTONES GENERADOS POR
EMISIN ESTIMULADA, SE PIERDE.
DEBIDO A LAS PRDIDAS EN LA CAVIDAD.
ESTA CANTIDAD DE FOTONES TIENE QUE SER REESTABLECIDOS
EN FORMA CONTINUA.
SI LA GANANCIA PTICA NO ES LO SUFICINTEMENTE GRANDE
PARA COMPENSAR LAS PRDIDAS DE LA CAVIDAD, LA VECINDAD
DE FOTONES NO PUEDE FORMARSE.
DADO QUE UNA CANTIDAD MNIMA DE GANANCIA ES NECESARIA
PARA LA OPERACIN LASER.
ESTA CANTIDAD MNIMA SLO PUEDE GENERARSE:
SI EL LASER ES BOMBEADO POR ENCIMA DE UN NIVEL
UMBRAL.
LA CORRIENTE NECESARIA PARA LOGRAR EL NIVEL
UMBRAL SE DENOMINA: CORRIENTE UMBRAL.
DETERMINACIN DE LA CONDICIN UMBRAL.
MTODO SENCILLO:
ESTUDIAR COMO CAMBIA LA AMPLITUD DE UNA ONDA
PLANA DURANTE UNA PROPAGACIN DE IDA Y VUELTA.
CONSIDERANDO UNA ONDA PLANA CON: Eo=AMPLITUD,
=FRECUENCIA, k=n /c=NMERO DE ONDA.
LA PROPAGACIN DE IDA Y VUELTA.
LA AMPLITUD SE INCREMENTA EN:
DEBIDO A LA GANANCIA DE POTENCIA g
LA FASE CAMBIA EN 2kL.
L ES LA LONGITUD DE LA CAVIDAD LASER.
LA AMPLITUD CAMBIA EN:
DEBIDO A:
LA REFLEXIN EN LAS CARAS DEL LASER.
A LA PRDIDA INTERNA int QUE CONSIDERA: PORTADORES
LIBRES, ABSORCIN, DISPERSIN Y OTROS MECANISMOS DE
PRDIDAS POSIBLES.
R1 Y R2 SON LAS REFLECTIVIDADES DE CADA UNA DE LAS
CARAS.
EN LA MAYORA DE LOS CASOS: R1 = R2
ESTAS DOS REFLECTIVIDADES PUEDEN SER DIFERENTES, SI CADA
CARA DEL LASER RECIBE UN REVESTIMIENTO PARA CAMBIAR SU
REFLECTIVIDAD NATURAL
L 2 ) 2 / g (
e
L
2 1
int
e R R

89
EN ESTADO ESTACIONARIO LA ONDA PLANA SE MANTIENE SIN
CAMBIOS, DESPUS DEL PRIMER VIAJE DE IDA Y VUELTA:
0
L
2 1
gL
0
E e R R e E
int
= =

IGUALANDO LA AMPLITUD Y LA FASE EN LAS DOS CARAS, SE
OBTIENE:
cav mir int
2 1
int
R R
1
ln
L 2
1
g = = + + = =








+ + = =

mir
=PRDIDAS EN LOS ESPEJOS

cav
=PRDIDA TOTAL DE LA CAVIDAD
LA ECUACIN ANTERIOR PARA g MUESTRA QUE LA GANANCIA
A PARTIR DEL NIVEL UMBRAL SE IGUALA A LAS PRDIDAS
TOTALES DE LA CAVIDAD
cav
LA FRECUENCIA LASER TIENE QUE EMPAREJARSE CON UNA
DE LAS FRECUENCIAS DEL JUEGO DE FRECUENCIAS
m
,
DONDE m ES UN NMERO ENTERO.
ESTAS FRECUENCIAS
m
SON LOS MODOS LONGITUDINALES Y
SE DETERMINAN POR LAS LONGITUDES PTICAS n
L
DESPRECIANDO LA DEPENDENCIA DE n DE LA FRECUENCIA, EL
ESPACIO
L
ENTRE LOS MODOS LONGITUDINALES ES
CONSTANTE.
CONSIDERANDO LA DISPERSIN MATERIAL EST DADA POR:
n
g
=NDICE DE REFRACCIN DE GRUPO CON :
VALORES TPICOS PARA LA SEPARACIN ENTRE MODOS
LONGITUDINALES:

L
=100-200GHz
L=200-400 m
entero m y C / n 2 k
nL 2 / mC , m 2 kL 2
m
= = = =
= = = = = =
90
LASER DE FABRY-PEROT
EMITE LUZ EN VARIOS MODOS LONGITUDINALES DE LA CAVIDAD.
FIGURA: GANANCIA Y PERFILES DE PRDIDAS EN LASERS
SEMICONDUCTORES.
GANANCIA
MODO LASER
MODOS LONGITUDINALES
FRECUENCIA
PRDIDA
LAS LINEAS VERTICALES MUESTRAN LA LOCALIZACIN DE LOS
MODOS LONGITUDINALES.
EL NIVEL UMBRAL LASER SE ALCANZA AL IGUALARSE LA
GANANCIA PICO CON LAS PRDIDAS.
COMO SE OBSERVA EN LA FIGURA:
EL ESPECTRO DE GANACIA g( ) DEL LASER
SEMICONDUCTORES ES SUFICINTEMENTE ANCHO DE UNOS:
10THz
ESTO HACE QUE ALGUNOS MODOS LONGITUDINALES DE
LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT, SIMULTNEAMENTE
EXPERIMENTAN GANANCIA.
EL MODO DOMINANTE: ES EL MODO CERCANO AL PICO
DE GANANCIA.
LOS OTROS MODOS: BAJO CONDICIONES IDEALES:
NO ALCANZAN EL NIVEL UMBRAL DEL LASER
DADO QUE LA GANANCIA DE ESTOS MODOS SE
MANTIENE MENOR QUE EL MODO PRINCIPAL.
LASER MULTIMODOS
EN LA PRCTICA: LA DIFERENCIA ENTRE EL MODO PRINCIPAL Y ALGUNOS
MODOS VECINOS ES ESTRECHA, DE: 0,1cm
-1
.
UNO O DOS MODOS VECINOS A AMBOS LADOS DEL MODO PRINCIPAL,
TRANSPORTAN UN PORCENTAJE APRECIABLE DE LA POTENCIA LASER JUNTO
CON EL MODO PRINCIPAL.
91
SISTEMAS PTICOS DE 1,55 m
EL PRODUCTO BL MUESTRA LIMITACIONES PARA VALORES POR
DEBAJO DE: 10Gb/s.
DEBIDO A LA NATURALEZA MULTIMODO DEL LASER.
CADA MODO SE PROPAGA A UNA VELOCIDAD
LVEMENTE DIFERENTE GENERANDO UNA DISPERSIN
DE VELOCIDAD DE GRUPO.
EL PRODUCTO BL SE PUEDE INCREMENTAR, DISEANDO
LASERS QUE OSCILAN EN UN MODO NICO
LONGITUDINAL.
ESTRUCTURAS LASER
CONSISTE DE UNA CAPA ACTIVA MUY DELGADA DE ESPESOR
APROX.: 0,1 m UBICADA ENTRE DOS CAPAS DE REVESTIMIENTO
TIPO-P Y TIPO-N DE OTRO SEMICONDUCTOR CON UNA ANCHURA
DE BANDA PROHIBIDA MAYOR QUE EN LA REGIN ACTIVA.
LA HETEROUNIN PN SE POLARIZA DIRCTAMENTE A TRAVS DE
CONTACTOS METLICOS.
TALES LASER SE DENOMINAN: LASER SEMICONDUCTORES DE
REA TRANSVERSAL ANCHA.
DADA QUE LA CORRIENTE SE INYECTA A TRAVS DE UN REA
TRANSVERSAL RELATVAMENTE ANCHA CUBRIENDO LA ANCHURA
TOTAL DEL CHIP LASER. DE APROX. UNOS 100 m.
FIGURA: LA CAPA ACTIVA SE ENCUENTRA ENTRE LAS CAPAS DE
REVESTIMIENTO DE MATERIAL DE BANDA PROHIBIDA MAYOR QUE LA
DE LA CAPA ACTIVA
TIPO-P
TIPO-N
300 m
2
0
0


m
100 m
CARA
DIVISORA
CAPA ACTIVA
CONTACTO METLICO
92
LA LUZ LASER ES EMITIDA DESDE LAS DOS CARAS DIVISORAS EN
FORMA DE UN FOCO ELPTICO DE DIMENSIONES APROX. DE 1x100 m
2
LA DIMENSIN DEL FOCO ELPTICO, EN LA DIRECCIN
PERPENDICULAR AL PLANO DE LA UNIN ES DE 1 m
DEBIDO AL DISEO DE LA HETEROESTRUCTURA DEL LASER.
LA REGIN ACTIVA ACTA COMO GUA DE ONDA PLANA DIELCTRICA.
ESTO ES RESULTADO DEL NDICE DE REFRACCIN EN LA REGIN
ACTIVA, EL CUAL ES MAYOR QUE EN LAS REGIONES DE
REVESTIMIENTO CIRCUNDANTES. n=0,3
DE MANERA SIMILAR AL CASO DE LA FIBRA PTICA, LA CAPA ACTIVA
SOPORTA CIERTO NMERO DE MODOS TRANSVERSALES.
EN LA PRCTICA: LA REGIN ACTIVA ES LO SUFICINTEMENTE
DELGADA DE APROX. 0,1 m
LA GUA DE ONDA DIELCTRICA PLANA SOPORTA UN MODO
NICO TRANSVERSAL.
DIRECCIN LATERAL PARALELA AL PLANO DE LA UNIN
NO EXISTE UN MECANISMO SIMILAR DE ENCIERRO DE LA LUZ.
COMO CONSECUENCIA LA LUZ GENERADA SE ENSANCHA A LO
LARGO DE TODA LA ANCHURA DEL LASER.
SEMICONDUCTORES LASER DE REA TRANSVERSAL ANCHA:
PRESENTAN DEFICIENCIAS.
SE USAN CON POCA FRECUENCIA EN SISTEMAS DE
COMUNICACIONES PTICOS.
DESVENTAJAS:
CORRIENTE UMBRAL RELATVAMENTE ALTA.
PATRN ESPACIAL LTAMENTE ELPTICO.
ESTE PATRN VARA DE FORMA INCONTROLABLE CON LA
CORRIENTE.
SOLUCIN A ESTE PROBLEMA:
SE INTRODUCE UN MECANISMO PARA ENCERRAR LA LUZ EN LA
DIRECCIN LATERAL.
SE DIFERENCIAN DOS LASER SEMICONDUCTORES:
DE GANANCIA GUADA
DE NDICE DE REFRACCIN GUADO.
93
LASERS SEMICONDUCTORES DE GANANCIA GUADA
LIMITANDO LA CORRIENTE DE INYECCIN A TRAVS DE UNA
BANDA PELICULAR MUY DELGADA.
ES POSIBLE RESOLVER EL ENCIERRO DE LA LUZ.
LASER SEMICONDUCTOR CON GEOMETRA DE BANDA PELICULAR
CON BANDA PELICULAR DE XIDO.
P-InP
n-InP
n
+
-InP (SUSTRATO)
InGaAsP
P-InGaAsP
DIELCTRICO SiO
2
P-InP
n-InP
n
+
-InP (SUSTRATO)
InGaAsP
n-InGaAsP
REGIN TIPO P. Zn-DIFUSIN
CON BANDA PELICULAR TIPO UNIN.
UNA CAPA DE DIELCTRICO
Si0
2
SE DEPOSITA SOBRE LA
CAPA P.
CON UNA ABERTURA A
TRAVS DE LA CUAL SE
INYECTA LA CORRIENTE.
UNA CAPA DE MATERIAL
TIPO-n SE DEPOSITA SOBRE
LA CAPA TIPO P.
DIFUSIN DE Zn
CONVIERTE LA REGIN
CENTRAL n EN TIPO-P.
LA CORRIENTE FLUYE
SLO A TRAVS DE LA
REGIN CENTRAL.
ES BLOQUEADA POR LA
POLARIZACIN INVERSA DE
LA UNIN pn.
94
OTROS DISEOS LASERS
EN TODOS LOS DISEOS LA CORRIENTE INYECTADA A TRAVS
DE LA BANDA PELICULAR DELGADA CENTRAL DE UNOS 5m DE
ANCHURA:
PERMITE UNA VARIACIN ESPACIAL DE LA DISTRIBUCIN
DE DENSIDADES DE PORTADORES DE CARGA EN LA
DIRECCIN LATERAL.
ESTA VARIACIN DE PORTADORES ES CONTROLADA
POR LA CORRIENTE DE DIFUSIN.
LA GANANCIA PTICA: ALCANZA UN PICO MXIMO EN EL
CENTRO DE LA BANDA PELICULAR.
DADO QUE LA REGIN ACTIVA PRESENTA ALTAS
PRDIDAS POR ABSORCIN EN LA REGIN FUERA DE LA
BANDA PELICULAR CENTRAL.
POR LO TANTO:
LA LUZ ES ENCERRADA EN LA REGIN DE LA
BANDA PELICULAR.
LASER SEMICONDUCTORES DE GANANCIA GUIADA
ESTOS LASERS TOMAN ESTA DENOMINACIN DADO A QUE LA
GANANCIA AYUDA A ENCERRAR LA LUZ..
LA CORRIENTE UMBRAL TPICA DE ESTOS LASERS, EST EN EL
ORDEN DE 50-100mA
LA LUZ ES EMITIDA EN FORMA DE UN FOCO ELPTICO DE
DIMENSIONES: 1x5 m
2
LA PRINCIPAL DESVENTAJA:
LA DIMENSIN DEL FOCO ELPTICO NO ES ESTABLE AL
INCREMENTARSE LA POTENCIA DEL LASER.
ESTOS LASERS ENCUENTRAN POCA APLICACIN EN LOS
SISTEMAS DE COMUNICACIONES PTICOS .
DEBIDO A LOS PROBLEMAS DE INESTABILIDAD DE LOS
MODOS
95
LASER SEMICONDUCTOR GUIADO POR EL NDICE DE REFRACCIN
SOLUCIN DEL PROBLEMA DE ENCERRAR LA LUZ
FORMACIN DE UNA GUA DE ONDA
POR UN MTODO SIMILAR AL USADO PARA FORMAR LA GUA
DE ONDA EN LA DIRECCIN TRANSVERSAL EN EL DISEO DE
HETEROESTRUCTURA.
SE LOGRA: INTRODUCCIENDO EN LA DIRECCIN LATERAL
UN PASO DE NDICE DE REFRACCIN n
L
.
CLASIFICACIN DE LOS LASERS DEPENDIENDO DE LA MAGNITUD
DE n
L
.
LASER SEMICODUCTOR GUIADO DBILMENTE POR EL NDICE DE
REFRACCIN.
LASER SEMICODUCTOR GUIADO FURTEMENTE POR EL NDICE
DE REFRACCIN.
LASER CON GUA DE ONDA DE CRESTA GUIADO DBILMENTE
UNA CRESTA SE FORMA GRABANDO FOTOLITOGRFICAMENTE
PARTES DE LA CAPA P.
UNA CAPA DE S
i
O
2
SE DEPOSITA PARA BLOQUEAR EL FLUJO DE
CORRIENTE Y PARA INDUCIR UN NDICE DE REFRACCIN
DBILMENTE GUADO:
EL NDICE DE REFRACCIN DEL S
i
O
2
ES CONSIDERBLEMENTE
MS BAJO QUE EN LA REGIN CENTRAL P.
EL NDICE DE REFRACCIN EFECTIVO DEL MODO TRANSVERSAL,
ES DIFERENTE EN LAS DOS REGIONES.
RESULTANDO UN NDICE ESCALONADO CON UN PASO:
n
L
=0,01
ANTE LA PRESENCIA DE ESTE PASO DEL NDICE DE
REFRACCIN ESCALONADO:
LA LUZ GENERADA SE MANTIENE ENCERRADA
EN LA REGIN DE LA CRESTA TIPO P.
LA MAGNITUD DE LA VARIACIN DEL PASO DEL
NDICE DE REFRACCIN ES SENSIBLE A VARIOS
DETALLES DEL PROCESO DE FABRICACIN:
COMO LA ANCHURA DE LA CRESTA
Y DE LA CERCANA DE LA CAPA DE
S
i
O
2
A LA CAPA ACTIVA.
96
LASER CON GUA DE ONDA DE CRESTA
CONTACTO CRESTA
S
i
O
2
S
i
O
2
InGaAsP (ZONA ACTIVA)
InP-n
+
(SUSTRATO)
InP-p
LASER SEMICONDUCTOR GUIADO
POR EL NDICE DE REFRACCIN.
LASER SEMICONDUCTOR
DBILMENTE GUIADO
ENCUENTRA APLICACIN POR SU
SIMPLICIDAD Y BAJO COSTO.
LASER CON HETEROESTRUCTURA ENCUBIERTA FURTEMENTE
GUIADOS (BH)
LA REGIN ACTIVA DE DIMENSIN APROX. DE 0,1x1m
2
. EST
ENCUBIERTA POR TODOS LOS LADOS POR VARIAS CAPAS DE
BAJO NDICE DE REFRACCIN.
TIPOS:
DE GRABADO FOTOLITOGRFICO.
PLANO
PLANO DE DOBLE CANAL
ENCUBIERTO EN V.
DE SUSTRATO ENCANALADO.
ESTOS LASERS BH PRESENTAN UNA VARIACIN DEL
PASO ESCALONADO DEL NDICE DE REFRACCIN
GRANDE EN LA DIRECCIN LATERAL.
PERMITEN UN MODO FUERTE DE ENCIERRO
PARA LA LUZ.
LA DISTRIBUCIN ESPACIAL DE LA LUZ EMITIDA:
DEBIDO A LA ALTA VARIACIN EN EL PASO DEL
NDICE DE REFRACCIN OBTENIDO EN LA
FABRICACIN:
ESTE LASER SE DISEA PARA SOPORTAR UN
MODO NICO ESPACIAL.
InGaAsP
(ZONA ACTIVA)
InP-n
+
(SUSTRATO)
InP-p
InP-n InP-n
InP-p InP-p
CONTACTO MESA
LA DISTRIBUCIN ESPACIAL DE
LA LUZ ES ESTABLE.
MUCHOS SISTEMAS DE
COMUNICACIONES PTICOS
EMPLEAN LASERS
SEMICONDUCTORES DE NDICE DE
REFRACCIN FURTEMENTE
GUIADOS.
97
LOS MODOS ESPACIALES DE UN LASER CON HETEROESTRUCTURAS
ENCUBIERTAS (BH)
CONDICIN:
EL LASER BH SOPORTA UN MODO ESPACIAL NICO
EN LAS DIRECCIONES LATERALES Y TRANSVERSALES SE MUESTRA:
UN FOCO DE LUZ CON NGULO DE DIVERGENCIA.
LA CARACTERSTICA ESPACIAL DE LA LUZ EMITIDA:
ES INDEPENDIENTE DE LA CORRIENTE INYECTADA AL LASER BH.
PROPIEDAD QUE LOS HACE ATRACTIVO PARA
APLICACIONES EN SISTEMAS PTICOS.
LA ECUACIN DE ONDA ES EL PUNTO DE PARTIDA:


= =

= = = = + +

2
C
k con 0 E k n E
0
2
0
2 2
n=NDICE DE REFRACCIN
n=n
1
EN LA ZONA ACTIVA
n=n
2
FUERA DE LA ZONA ACTIVA
DIFERENCIA PRINCIPAL CON LOS MODOS DE LA FIBRA PTICA:
LO REPRESENTA LAS CONDICIONES DE FRONTERA.
LA REGIN ACTIVA PRESENTA UN REA TRANSVERSAL
RECTANGULAR.
SE NECESITA RESOLVER UN PROBLEMA DE GUA DE ONDA
BIDIMENSIONAL.
SE SIMPLIFICA LA GEOMETRA CILNDRICA.
SIMPLIFICACIN DEL PROBLEMA
CONSIDERANDO UNA APROXIMACIN DEL NDICE DE REFRACCIN
EFECTIVO
ES EQUIVALENTE A RESOLVER: DOS PROBLEMAS DE GUA DE
ONDA UNIDIMENSIONALES.
ESTA APROXIMACIN SE JUSTIFICA EN LASERS BH CON LAS
SIGUIENTES DIMENSIONES TPICAS:
<0,2m EN LA DIRECCIN TRANSVERSAL y.
>1 m EN LA DIRECCIN LATERAL x.
EL PROBLEMA DE GUA DE ONDA SE RESUELVE PRIMERO EN
PARA CADA x CONSTANTE.
LUEGO SE RESUELVE EN x PARA y CONSTANTE
98
SE ASUME EL CAMPO ELCTRICO EN LA FORMA:
( ( ) ) ( ( ) )
z j
e x x , y e E


= =
= =
= =

e
VECTOR UNITARIO DE POLARIZACIN
CONSTANTE DE PROPAGACIN
LOS MODOS LASERS PARA LA LUZ POLARIZADA A LO LARGO DEL:
EJE X ES EL MODO TE
EJE Y ES EL MODO TM
SUSTITUYENDO LA RELACIN DEL CAMPO ELCTRICO ANTERIOR
EN LA ECUACIN DE ONDA Y HACIENDO USO DEL MTODO DE
SEPARACIN DE VARIABLES, SE OBTIENE:
( ( ) ) ( ( ) ) [ [ ] ]
( ( ) ) [ [ ] ] 0 x
dx
d
0 x k y , x n
y
2 2
eff 2
2
2
eff
2
0
2
2
2
= = + +

= = + +


0
eff
eff
k
) x (
) x ( n

= =
NDICE DE REFRACCIN EFECTIVO DEPENDIENTE DE x
PARA EL CASO DEL LASER BH
CON UNA REGIN ACTIVA DE:
ANCHURA W
ESPESOR d
EL PROBLEMA SE CONVIERTE EN UN PROBLEMA PLANO DE GUA DE
ONDA:
2
1
n n donde
2
d
y para y
n n donde
2
w
x para
= =
= =
LA SOLUCIN GENERAL SE OBTIENE CON:
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) )
( ( ) )
2
d
y para e A x , y
2
d
y para y sen B y cos A x , y
2
d
y
2
1 1
> > = =
+ + = =







EN FORMA ANLOGA AL CASO DE LA FIBRA PTICA, TENEMOS:
2
0
2
2
2
eff
2 2
eff
2
0
2
1
2
k n y k n = = = =
SE PUEDE CONSIDERAR EN FORMA SEPARADA:
MODOS PARES: SI (y,x) ES UNA FUNCIN PAR DE y
MODOS IMPARES: SI (y,x) ES UNA FUNCIN IMPAR DE y
B
1
=0 PARA MODOS PARES.
A
1
=0 PARA MODOS IMPARES.
99
PARA EL CASO DE MODOS PARES TE
CONSIDERANDO LA EXIGENCIA DE CONTINUIDAD DE LA
COMPONENTE TANGENCIAL DE EN LA SUPERFICIE
LO QUE SIGNIFICA HACER CONTINUA A LO LARGO DE
LA SUPERFICIE:
SE OBTIENE UN SISTEMA DE DOS ECUACIONES HOMOGNEAS
PARA A
1
y A
2
.
SE DETERMINA SOLUCIONES PARA ESTE SISTEMA PARA
VALORES DETERMINADOS POR LA ECUACIN DE
VALORES EIGEN.
EL PROCEDIMIENTO ES SIMILAR AL CASO DE LA FIBRA
PTICA, PERO MS SIMPLE.

H y E
2 d y = =
y
y



2 d y = =
eff








= =
2
d
tan
PARA EL CASO DE MODOS IMPARES TE
SE TRATA DE FORMA SIMILAR AL MODO PAR.
LOS MODOS IMPARES TE ESTN GOBERNADOS POR LA ECUACIN
DE VALORES EIGEN
SOLUCIONES MLTIPLES DE LAS ECUACIONES DE VALORES EIGEN
ANTERIORES:
CORRESPONDEN A MODOS TE DIFERENTES.
UN PROCEDIMIENTO SIMILAR SE APLICA A LOS MODOS TM.







= =
2
d
cot
CONDICIN BAJO LA CUAL LA GUA DE ONDA SOPORTA UN MODO
NICO
SE DEFINE D EQUIVALENTE AL PARMETRO V DE LA FIBRA:
VALORES TPICOS:
n
1
=3,55, n
2
=3,2, d=0,1 m y D< SE SATISFACE CON FACILIDAD EN
EL RANGO DE LONGITUDES DE ONDA ENTRE 0,8 A 1,6 m.
< < = =
2
2
2
1 0
n n d k D
100
DETERMINACIN DE LOS MODOS LATERALES
SE OBTIENE EN FORMA SIMILAR. RESOLVIENDO:
LA SOLUCIN TOMA UNA FORMA IDNTICA HACIENDO:
n
1
=n
eff
y
eff
= EN LAS ECUACIONES SIGUIENTES:
( ( ) ) [ [ ] ] 0 x
dx
d
2
eff
2
2
= = + +

DONDE
( ( ) )
( ( ) )
2
x para k n x
2
x para k n x
0 2 eff
0 eff eff

> > = =

= =
2
0
2
2
2
eff
2 2
eff
2
0
2
1
2
k n y k n = = = =
CONDICIN PARA SOPORTAR UN MODO NICO
SIMILAR A D:
W=ES LA ANCHURA NORMADA
EL NDICE DE REFRACCIN EFECTIVO n
eff
SE OBTIENE DE:
n
eff
DEPENDE DEL ESPESOR d.
VALORES TPICOS:
OPERACIN EN ALTAS FRECUENCIAS:
EN ESTE CASO LOS MODOS LATERALES NO SATISFACEN LA
CONDICIN MONOMODO.
ALGUNOS LASERS BH PUEDEN EMITIR LUZ EN MODOS
LATERALES DE RDENES SUPERIORES.
( ( ) ) < < = =
2
1
2
2
2
eff 0
n n w k W
2
0
2
2
2 2 2 2
0
2 2
k n con
2
d
tan y k n
eff
= =







= = = =
m 2 w 2 , 3 n 4 , 3 n
2 eff
< < = = = =
EL FACTOR DE CONFINAMIENTO DEL MODO
LOS PARMETROS MS IMPORTANTES DEL LASER SE PUEDE EXPRESAR EN
FUNCIN DE LOS PARMETROS SIN DIMENSIONES D y W
EL NDICE DE REFRACCIN MODAL: SE PUEDE APROXIMAR:

L
=FACTOR DE CONFINAMIENTO DEL MODO EN LA DIRECCIN LATERAL

T
= FACTOR DE CONFINAMIENTO DEL MODO EN LA DIRECCIN TRANSVERSAL
EXPRESIONES APROXIMADAS:
EL FACTOR TOTAL DE CONFINAMIENTO:
REPRESENTA EL PORCENTAJE DE LA ENERGA DEL MODO
CONTENIDA DENTRO DE LA REGIN ACTIVA.
VALORES TPICOS:
0
k
n

= =

( ( ) ) ( ( ) )
2
2
2
1 T
2
2
2
eff
2
2
2
eff L
2
2
2
n n n n ; n n n
n
+ + = = + + = =

( ( ) ) ( ( ) )
2
2
T 2
2
L
D 2
D
W 2
W
+ +
= =
+ +
= =
T L
= =
3 , 0 a 2 , 0 y 1 D 3 W
101
LA DISTRIBUCIN DEL CAMPO DEL MODO FUNDAMENTAL
EL CAMPO CERCANO Y EL CAMPO LEJANO SE DETERMINA DE LAS
RELACIONES:
( ( ) )
( ( ) ) 2 d y para e A x , y
2 d y para y sen B y cos A x , y
2
d
y
2
1 1
> > = =
+ + = =







( ( ) ) 2 d tan
k n
k n
2
0
2
2
2
eff
2
2
eff
2
0
2
1
2
= =
= =
= =
Con:
PERFIL GAUSSIANO PARA LA DISTRIBUCIN DEL CAMPO CERCANO
SIMILAR AL CASO DE LA FIBRA PTICA.
CARACTERSTICAS DEL CAMPO CERCANO:
LA ANCHURA TOTAL DEL MXIMO MEDIO DEL PERFIL DE
DISTRIBUCIN GAUSSIANO EN LA DIRECCIN LATERAL Y
TRANSVERSA:
ESTAS RELACIONES MUESTRAN EXACTITUD PARA VALORES
TPICOS DE:
VALORES TPICOS: DEPENDIENDO DE LAS DIMENSIONES DE
LA REGIN ACTIVA DEL LASER BH






+ + + + = =






+ + + + = =




6
2
3
2 n T
6
2
3
2 n L
D 4 D 1 , 2 321 , 0 L 2 d w
W 4 W 1 , 2 321 , 0 L 2 w w
6 a 8 , 1 D y W
m 1 a 5 , 0 W y m 2 a 1 W
T L
= = = =
LA DISTRIBUCIN DEL CAMPO LEJANO
REPRESENTA UNA MEDIDA PARA LA DIVERGENCIA ANGULAR DE LA
LUZ EMITIDA.
SE DETERMINA A TRAVS DE LA TRANSFORMADA DE FOURIER DEL
CAMPO CERCANO
LA DISTRIBUCIN ANGULAR EN LA DIRECCIN LATERAL, SE OBTIENE.
UNA RELACIN SIMILAR DETERMINA LA DISTRIBUCIN ANGULAR EN
LA DIRECCIN TRANSVERSAL.
( ( ) ) ( ( ) ) ( ( ) )
2
sen jk
L
2
L
FF
L
dx . e x cos S
L ox




= =
102
FIGURA: EXPLORACIN DEL CAMPO LEJANO EN UN PLANO
PARALELO Y PERPENDICULAR A LA UNIN PARA UN LASE BH
OPERANDO PARA VARIOS NIVELES DE CORRIENTE:
80
O
40
O
0
O
40
O
80
O
40
O
20
O
0
O
20
O
40
O
70mA
I=80mA
56mA
64mA
70mA
I=80mA
60mA
64mA
56mA
CAMPO LEJANO
NORMAL A LA
UNIN
CAMPO LEJANO
A LO LARGO
DE LA UNIN
CARACTERIZACIN DEL CAMPO LEJANO
EL CAMPO LEJANO SE CARACTERIZA CON LAS ANCHURA ANGULARES

l
Y
T
REPRESENTA:
LA ANCHURA TOTAL DEL MXIMO MEDIO DE LA
CORRESPONDIENTE DISTRIBUCIN ANGULAR:
RANGOS USUALES: PARA LASERS BH:
l
=30
O
A 40
O
Y
T
=40
O
A 50
O
DESVENTAJAS DE LASERS SEMICONDUCTORES
AUNQUE LAS ANCHURAS ANGULARES DE DIVERGENCIA
l
Y
T
SON
CONSIDERBLEMENTE ANGOSTAS COMPARADA CON LOS LEDs.
LA DIVERGENCIA ANGULAR DE LOS LASERS SEMICONDUCTORES
ES MUY GRANDE COMPARADA CON OTROS TIPOS DE LASERS.
SE DIFICULTA EL ACOPLAMIENTO DE LA LUZ EN LA FIBRA PTICA,
DEBIDO A:
EFICIENCIA DE ACOPLANIENTO TPICA: ESTN EN EL RANGO
DE: 30% A 50% PARA LA MAYORA DE LOS TRANSMISORES
PTICOS.
103
OPERACIN MONOMODO LONGITUDINAL
LOS LASER SEMICONDUCTORES BH SE DISEAN PARA EMITIR LUZ
EN UN MODO ESPACIAL NICO.
CONTROLANDO LA ANCHURA Y EL ESPESOR DE LA REGIN
ACTIVA.
ESTOS LASERS OCCILAN EN VARIOS MODOS LONGITUDINALES
SIMULTNEAMENTE
DEBIDO A LA DIFERENCIA DE LA GANANCIA,
RELATVAMENTE PEQUEA DE UNOS: 0,1 cm
-1
ENTRE MODOS
VECINOS DE LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT.
LA ANCHURA ESPECTRAL RESULTANTE DE 2 A 4nm.
ES ACEPTABLE PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES PTICOS
OPERENDO CERCA DE 1,3 m PARA UNA VELOCIDAD DE
TRANSMISIN DE BITS SUPERIOR A LOS 2,5Gb/s.
ESTOS LASERS MULTIMODOS NO PUEDEN SER USADOS EN
SISTEMAS PTICOS DISEADOS PARA OPERAR CERCA DE 1,55 m
CON FIBRAS PTICAS ESTANDART.
FIBRAS PTICAS CON CAMBIO DE DISPERSIN
OFRECEN UNA SOLUCIN, POR PRESENTAR:
PRDIDAS MNIMAS
MNIMA DISPERSIN.
UNA SOLUCIN ALTERNATIVA ES EL DISEO DE LASERS
SEMICONDUCTORES, QUE IRRADIAN LUZ PREDOMINNTEMENTE DE
MONOMODO LONGITUDINAL.
EL LASER SEMICONDUCTOR MONOMODO LONGITUDINAL
SE DISEA EN COMPARACIN CON EL LASER DE FABRY PEROT:
DE TAL FORMA QUE LAS PRDIDAS DE LA CAVIDAD SON DIFERENTES PARA
DIFERENTES MODOS LONGITUDINALES DE LA CAVIDAD.
EN EL LASER DE FABRY PEROT LAS PRDIDAS SON INDEPENDIENTES DE LOS
MODOS.
EL MODO LONGITUDINAL CON LA CAVIDAD DE PRDIDAS MENOR:
ALCANZA PRIMERO EL NIVEL UMBRAL Y PASA A SER EL MODO
DOMINANTE.
OTROS MODOS VECINOS SON DISCERNIDOS POR LAS ELEVADAS
PRDIDAS.
LA EMISIN ESPONTNEA EVITA EL INCREMENTO DE ESTOS MODOS.
LA POTENCIA DE LOS MODOS VECINOS ES MNIMA DE UNOS 1% DE LA
POTENCIA TOTAL
104
FIGURA: PERFILES DE GANANCIA Y PRDIDAS DE UN LASER
SEMICONDUCTOR OCCILANDO PREDOMINNTEMENTE COMO
MONOMODO LONGITUDINAL.
MODO
LONGITUDINAL
MODO
LASER
PERFIL DE PRDIDAS
GANANCIA

RELACIN DE SUPRESIN DE MODO (MSR)
CARACTERIZA EL RENDIMIENTO DEL LASER MONOMODO
LONGITUDINAL. DEFINIDO:
P
mn
=POTENCIA DEL MODO PRINCIPAL.
P
sm
=POTENCIA DE LOS MODOS LATERALES MS DOMINANTES.
EN UN BUEN LASER MONOMODO LONGITUDINAL EL:
MSR>1000
MSR>30dB
sm
mn
SR
P
P
M = =
LASER SEMICONDUCTORES CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA
LA RETROALIMENTACIN EN UN LASER CON
RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA, NO SE LOCALIZA POR LAS
CARAS LATERALES.
SE DISTRIBUYE A LO LARGO DE TODA LA CAVIDAD.
ESTO SE LOGRA DE UN EFECTO DE ENREJADO INTERNO GENERANDO
UNA VARIACIN PERODICA DEL NDICE DE REFRACCIN DEL MODO.
EL FENMENO DE RETROALIMENTACIN:
SE APROVECHA EL FENMENO DE DIFRACCIN DE BRAGG.
ACOPLA LAS ONDAS QUE SE PROPAGAN EN LAS
DIRECCIONES DE IDA Y VUELTA.
LA CONDICIN DE BRAGG:
ES EL MECANISMO DE SELECTIVIDAD DEL MODO DEL LASER CON
RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA.
105
ACOPLAMIENTO SOLO ES POSIBLE PARA LONGITUDES DE ONDA,
QUE SATISFACEN:
=PERODO DEL ENREJADO
=PROMEDIO DEL NDICE DE REFRACCIN DEL MODO
m=NMERO ENTERO. REPRESENTA EL ORDEN DE LA DIFRACCIN
DE BRAGG.
UN ACOPLAMIENTO FUERTE ENTRE LAS ONDAS DE IDA Y LAS DE
VUELTA ES POSIBLE PARA UNA DIFRACCIN DE BRAGG DE PRIMER
ORDEN, CON: m=1.
VALORES TPICOS:
LASER CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA OPERANDO
EN:






= =

n 2 m
B

n
3 , 3 n y 1 m nm 235 , m 55 , 1
B
= = = = = = = =

CLASIFICACIN DE LOS LASERS SEMICONDUCTORES CON
RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA
DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA OPERACIN DEL DISPOSITIVO.
SE CLASIFICAN EN DOS CATEGORAS:
EL LASER CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA. DFB
EL LASER CON REFLECTOR DE BRAGG DISTRIBUIDO. DBR
FIGURA:
LASER CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA:
LASER CON REFLECTOR DE BRAGG DISTRIBUIDO
TIPO-P
TIPO-N
ENREJADO
REGIN
ACTIVA
TIPO-P
TIPO-N
REGIN DE
BOMBEO
REFLECTOR DE
BRAGG
DISTRIBUIDO
REFLECTOR DE
BRAGG
DISTRIBUIDO
106
EN EL LASER CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA LA
RETROALIMENTACIN OCURRE A LO LARGO DE TODA LA CAVIDAD
EN EL LASER CON REFLECTOR DE BRAGG DISTRIBUIDO LA
RETROALIMENTACIN NO OCUPA ESPACIO DENTRO DE LA REGIN
ACTIVA.
LAS REGIONES TERMINALES DEL LASER CON REFLECTOR DE
BRAGG DISTRIBUIDO, ACTUAN COMO ESPEJOS.
LAS REFLECTIVIDADES DE LAS REGIONES TERMINALES
ES MXIMA PARA UNA LONGITUD DE ONDA
B
QUE
SATISFACE LA ECUACIN:






= =

n 2 / m
B
LAS PRDIDAS DE LA CAVIDAD
SON MNIMAS PARA MODOS LONGITUDINALES CERCANOS A
B.
SE INCREMENTAN NOTBLEMENTE PARA OTROS MODOS
LONGITUDINALES.
LA RELACIN DE SUPRESIN DE MODO MSR.
EST DETERMINADO POR EL MARGEN DE GANANCIA:
DEFINIDO COMO LA GANANCIA EN EXCESO REQUERIDO
POR LOS MODOS LATERALES MAS DOMINANTES PARA
ALCANZAR EL NIVEL UMBRAL.
PARA EL LASER DE RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA DFB.
OPERANDO CONTINUAMENTE:
ES SUFICIENTE UN MARGEN DE GANANCIA DE 3 A 5cm
-1
PARA LOGRAR UN MSR>30dB.
PARA EL LASER DFB MODULADOS DIRCTAMENTE:
SE NECESITA UN MAYOR MARGEN DE GANANCIA >10cm
-1
EL LASER DFB CON ACOPLAMIENTO DE GANANCIA:
MEJORA EL RENDIMIENTO DEL DISPOSITIVO.
EN ESTE TIPO DE LASER, LA GANANCIA PTICA Y EL NDICE DE
REFRACCIN MODAL VARA PERIDICAMENTE A LO LARGO DE
LA CAVIDAD.
LA FABRICACIN DE LASERS SEMICONDUCTORES DFB REQUIERE
TECNOLOGA AVANZADA CON CRECIMIENTOS EPITAXIALES
MLTIPLES.
107
LA DIFERENCIA PRINCIPAL CON LOS LASERS FP (FABRY-PEROT) ES:
QUE UNA REJILLA SE GRABA DENTRO DE LA CAPA DE
REVESTIMIENTO QUE RODEA LA REGIN ACTIVA.
FORMACIN DE LA REJILLA:
UNA CAPA MUY DELGADA TIPO-N QUE ACTA COMO GUA
DE ONDA, CON NDICE DE REFRACCIN INTERMEDIO ENTRE
VALORES DE n EN LA ZONA ACTIVA Y n EN EL SUSTRATO
CUMPLE LA FUNCIN DE REJILLA.
LA VARIACIN PERIDICA DEL ESPESOR DE LA CAPA QUE
HACE DE GUA DE ONDA:
GENERA COMO CONSECUENCIA UNA VARIACIN
PERIDICA DEL NDICE DE REFRACCIN MODAL
A LO LARGO DE LA CAVIDAD.
LO QUE PERMITE UN ACOPLAMIENTO ENTRE
LA ONDA INCIDENTE Y REFLEJADA QUE SE
PROPAGA POR DIFRACCIN DE BRAGG.

n
UNA TCNICA HOLOGRFICA ES USADA CON FRECUENCIA PARA
FORMAR UNA REJILLA CON UNA PERIODICIDAD DE UNOS 0,2 m.
OPERA FORMADO A TRAVS DE LA INTERFERENCIA DE DOS
HACES DE LUZ, UNA FRANJA DE PATRN SOBRE UNA
FOTORESISTENCIA.
TCNICA LITOGRFICA DEL HAZ ELECTRNICO
EN ESTA TCNICA UN HAZ ELECTRNICO QUEMA EL PATRN
DESEADO SOBRE UNA RESISTENCIA SENSIBLE AL HAZ ELECTRNICO.
AMBOS MTODOS USAN TCNICAS DE GRABADO QUMICO PARA
FORMAR LA CORRUGACIN, TOMANDO LAS RESISTENCIAS COMO
MSCARAS PATRONES.
DESPUS DE GRABAR LA REJILLA SOBRE EL SUSTRATO, SE HACEN
CRECER CAPAS MLTIPLES POR MEDIO DE UNA TCNICA DE
CRECIMIENTO EPITAXIAL.
A PESAR DE LA COMPLEJIDAD TECNOLGICA LASER DFB (LASER CON
RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA) SE PRODUCE COMERCILMENTE
DE MANERA RUTINARIA.
SE USAN PARA OPERAR EN SISTEMAS DE COMUNICACIONES
PTICOS EN LA REGIN CERCANA A LOS 1,55 m PARA UNA
VELOCIDAD DE TRANSMISIN DE UNOS 2,5Gb/s O MAS.
SISTEMAS PTICOS TRANSOCENICAS HAN SIDO DISEADOS
PARA OPERAR HACIENDO USO DE LASERS DFB.
108
LASER SEMICONDUCTOR CON ACOPLAMIENTO POR CAVIDAD
OPERACIN SLM (MONOMODO LONGITUDINAL)
LA OPERACIN SLMSE REALIZA ACOPLANDO LA LUZ EN UNA
CAVIDAD EXTERNA.
FIGURA: SELECTIVIDAD DEL MODO LONGITUDINAL EN UN
LASER CON ACOPLAMIENTO POR CAVIDAD.
LA DEPENDENCIA QUE MUESTRA LA REFELECTIVIDAD
EFECTIVA DEL ESPEJO R( ) DE LA LONGITUD DE ONDA.
GENERA UN CAMBIO DE FASE EN LA CAVIDAD
EXTERNA.
COMO CONSECUENCIA SE PRODUCE EN LA CAVIDAD
LASER:
UN PERFIL PERIDICO DE PRDIDAS.
CAVIDAD DEL
LASER
CAVIDAD DEL
LASER
CAVIDAD
EXTERNA
ESPEJO
REFLECTIVIDAD EFECTIVA
DEL ESPEJO R( )
PERFIL DE
PRDIDAS
GANANCIA
MODO PRINCIPAL
MODOS
LATERALES
UNA PARTE DE LA LUZ REFLEJADA SE RETROALIMENTA EN LA
CAVIDAD DEL LASER.
NOES NECESARIO QUE LA RETROALIMENTACIN DESDE LA
CAVIDAD EXTERNA SE ENCUENTRE EN FASE CON EL CAMPO PTICO
DENTRO DE LA CAVIDAD DEL LASER.
DADO QUE EL CAMBIO DE FASE OCURRE EN LA CAVIDAD
EXTERNA.
109
LA RETROALIMENTACIN DE LA FASE DE ENTRADA.
OCURRE SOLO PARA LOS MODOS LASER:
CUYA LONGITUD DE ONDA COINCIDA APROXIMDAMENTE:
CON LA LONGITUD DE ONDA DE UNO DE LOS MODOS
LONGITUDINALES DE LA CAVIDAD EXTERNA.
LA REFLECTIVIDAD EFECTIVA DE LA CARA DEL LASER QUE
RECUBRE LA CAVIDAD EXTERNA PRESENTA UNA DEPENDENCIA DE
LA LONGITUD DE ONDA Y SE PRODUCE UN PERFIL PERIDICO DE
PRDIDAS.
EL MODO DOMINANTE:
ES EL MODO LONGITUDINAL MS CERCANO A LA
GANANCIA PICO Y CON LA MENOR PRDIDA DE CAVIDAD.
FIGURA: ESTRUCTURAS LASERS ACOPLADAS POR CAVIDAD.
LASER ACOPLADO POR CAVIDAD EXTERNA
LASER C
3
O ACOPLADO POR HENDIDURA
LASER MULTISECCIONES DBR (CON REFLECTOR DE BRAGG
DISTRIBUIDO)
I
I
1
I
2
I
2
I
1
I
3
HAN SIDO DESARROLLADOS VARIOS TIPOS DE ARREGLOS
ESTRUCTURALES DE CAVIDADES DE ACOPLAMIENTO. COMO
LOS DE LA FIGURA.
110
EL LASER ACOPLADO POR CAVIDAD EXTERNA.
ES UN ARREGLO SENCILLO PARA FABRICAR LASER SLM O DE
MODO NICO LONGITUDINAL , QUE ACOPLEN LUZ DESDE EL LASER
SEMICONDUCTOR A UNA REJILLA EXTERNA.
LA CARA CORRUGADA DE LA REJILLA SE REVISTE DE UNA CAPA
DE ANTI-REFLEXIN.
PARA REDUCIR SU REFLECTIVIDAD NATURAL.
PARA PROPORCIONAR UN FUERTE ACOPLAMIENTO .
ESTE TIPO DE LASER ES IMPORTANTE POR LA CAPACIDAD DE SINTONIZACIN
QUE PRESENTA.
GIRANDO SMPLEMENTE LA REJILLA, ES POSIBLE SINTONIZAR SOBRE UN
RANGO ANCHO DE UNOS 50nm LA LONGITUD DE ONDA DEL SLM.
HACIENDO USO DEL MECANISMO DE LA CAVIDAD DE ACOPLAMIENTO.
LA SINTONIZACIN DE LA LONGITUD DE ONDA
ES UNA DE LAS CARACTERSTICAS EXIGIDA A LOS LASERS USADOS EN:
SISTEMAS MULTICANALES Y EN
SISTEMAS DE COMUNICACIONES COHERENTES.
DESVENTAJA:
TIENE UN TIPO DE ESTRUCTURA NO MONOLTICA, LO QUE DIFICULTA
LOGRAR LA ESTABILIDAD MECNICA GENERAL REQUERIDA POR EL
TRANSMISOR PTICO.
EL LASER C
3
O ACOPLADO POR HENDIDURA.
ESTE LASER OFRECE UN DISEO MONOLTICO PARA LASERS ACOPLADOS POR
CAVIDAD.
SE FABRICA DIVIDIENDO EN EL MEDIO UN LASER SEMICONDUCTOR
MULTIMODO CONVENCIONAL.
EL LASER SE DIVIDE EN DOS PARTES.
CADA PARTE CON APROXIMDAMENTE LA MISMA LONGITUD.
SEPARADA POR UN ESPACIO DE AIRE MUY DELGADA DE ANCHURA DE
UNOS 1 m.
LA REFLECTIVIDAD EN LAS CARAS DE LA HENDIDURA DE
APROXIMDAMENTE 30%.
PERMITE SUFICIENTE ACOPLAMIENTO ENTRE LAS DOS SECCIONES.
MIENTRAS LA SEPARACIN ENTRE LAS PARTES NO SEA TAN
GRANDE.
VARIANDO LA CORRIENTE INYECTADA EN UNA DE LAS SECCIONES DE LA
CAVIDAD, QUE ACTA COMO CONTROL DE MODO.
ES POSIBLE SINTONIZAR LA LONGITUD DE ONDA DEL LASER C
3
SOBRE UN
RANGO DE UNOS 20nm.
SIN EMBARGO, LA SINTONIZACIN NO ES CONTINUA.
DADO QUE CORRESPONDE A SUCESIVOS SALTOS MODALES DE
APROXIMDAMENTE 2nm
111
EL LASER SEMICONDUCTOR SINTONIZABLE
LA MAYORA DE LOS SISTEMAS PTICOS REQUIEREN DE UN LASER
ESTABLE CON UNA ESTRECHA ANCHURA DE LINEAS ESPECTRALES.
CUYA LONGITUD DE ONDA PUEDA SER SINTONIZADA SOBRE UN
RANGO AMPLIO.
LASER MULTISECCIONES DBR (CON REFLECTOR BRAGG DISTRIBUIDO)
HAN SIDO DESARROLLADOS PARA SATISFACER LOS RQUERIMIENTOS
DE:
ESTABILIDAD Y SINTONIZACIN.
CONSISTE EN TRES PARTES:
LA SECCIN ACTIVA
LA SECCIN DE CONTROL DE FASE.
LA SECCIN DE BRAGG.
CADA SECCIN PUEDE POLARIZARSE INDEPENDINTEMENTE,
INYECTANDO DIFERENTES CANTIDADES DE CORRIENTE.
LA CORRIENTE INYECTADA EN LA SECCIN DE BRAGG:
SE USA PARA CAMBIAR LA LONGITUD DE ONDA DE BRAGG.

B
=2n
CON =m(
B
/2 ) PERODO DE ENREJADO
A TRAVS DE CAMBIOS INDUCIDOS DE PORTADORES
EN EL NDICE DE REFRACCIN n.
LA CORRIENTE INYECTADA EN LA SECCIN DE CONTROL DE FASE:
SE USA PARA CAMBIAR LA FASE DE LA RETROALEIMENTACIN
DEL LASER DBR.
A TRAVS DE CAMBIOS INDUCIDOS DE PORTADORES DE n
EN ESTA SECCIN.
LA LONGITUD DE ONDA DEL LASER SE PUEDE SINTONIZAR EN FORMA
CONTINUA SOBRE UN RANGO DE 5 A 7nm CONTROLANDO LA
CORRIENTE EN LAS TRES SECCIONES.
EL LASER OPERA ESTABLE:
DEBIDO A QUE LA LONGITUD DE ONDA EST DETERMINADA POR
LA REJILLA INTERNA SITUADA EN LA REGIN DE BRAGG.

n
112
OTROS DISEOS DE LASERS DFB SINTONIZABLES
(CON RETROALIMENTACIN DISTRIBUIDA)
EN UN TIPO DE ARREGLO SE VARA LA REJILLA INTERNA DE
FORMA NO UNIFORME.
ESTO SE LOGRA AJUSTANDO EL PERIDO DE LA REJILLA O
EL NDICE DE REFRACCIN MODAL A LO LARGO DE LA
CAVIDAD.
COMO SE OBSERVA EN LA ECUACIN:
LA LONGITUD DE ONDA DE BRAGG EXPERIMENTA UNA AUTO
VARIACIN A LO LARGO DE LA CAVIDAD.
LA NO UNIFORMIDAD DE LA REJILLA DETERMINAQUE ESTE
TIPO DE LASER SEA SINTONIZABLE SOBRE UN RANGO DE
LONGITUDES DE ONDA, DADO QUE LA LONGITUD DE ONDA
DEL LASER DEPENDE DE LA LONGITUD DE ONDA DE BRAGG.

n
IMPLEMENTACIN SIMPLIFICADA DE UNA IDEA BSICA
EL PERIODO DE LA REJILLA SE MANTIENE UNIFORME.
SE DOBLA LA GUA DE ONDA PARA CAMBIAR EL MODO DE
REFRACCIN EFECTIVO
ESTE TIPO DE LASER MULTISECCIONES DFB PUEDE SINTONOZARSE
SOBRE 5 A 6nm.
MIENTRAS UN MODO NICO LONGITUDINAL CON ELEVADA
SUPRESIN DE MODOS LATERALES.

n
LASER MULTISECCIONES CON ARREGLOS DE REJILLA CON SUPER
ESTRUCTURA EN LA SECCIN DBR (DEL LASER)
UNA REJILLA CON SUPER ESTRUCTURA CONSISTE EN UN ARREGLO DE
REJILLAS UNIFORMES O NO UNIFORMES, SEPARADAS POR UNA
DISTANCIA CONSTANTE.
COMO RESULTADO SE INCREMENTA LA REFLECTIVIDAD DEL
LASER PARA MLTIPLES LONGITUDES DE ONDAS.
EL RANGO DE SEPARACIN DE ESTAS LONGITUDES DE
ONDA QUEDA DETERMINADA POR EL ESPACIO ENTRE CADA
REJILLA INDIVIDUAL QUE FORMAN EL ARREGLO.
ESTE TPO DE LASER MULTISECCIONES DBR PUEDE SINTONIZARSE EN FORMA
DISCRETA SOBRE UN RANGO DE LONGITUDES DE ONDA POR ENCIMA DE 100nm.
CONTROLANDO LA CORRIENTE EN LA SECCIN DE CONTROL DE FASE, SE PUEDE
REALIZAR UNA SINTONIZACIN CONTINUA SOBRE UN RANGO DE 40nm CON UNA
REJILLA DE SUPER ESTRUCTURA
ESTE TIPO DE LASER DBR DE SINTONIZACIN ANCHA ENCUENTRA APLICACIN
EN LOS SISTEMAS PTICOS.
113
LASER DE EMISIN SUPEFICIAL CON CAVIDAD VERTICAL VCSEL
LASER PARA OPERACIN MONOMODO LONGITUDINAL.
PRESENTA LS VENTAJA DE POSEER UNA LONGITUD DE CAVIDAD,
EXTREMDAMENTE CORTA DE APROX. 1 m
PARA LA CUAL LA SEPARACIN ENTRE LOS MODOS EXCEDE
LA GANANCIA DE ANCHO DE BANDA.
ESTOS LASERS EMITEN LUZ EN LA DIRECCIN NORMAL AL PLANO DE
LA ZONA ACTIVA.
DE MANERA SIMILAR A COMO LO HACE EL LED DE EMISIN
SUPERFICIAL.
SE HACE CRECER EPTAXILMENTE A AMBOS LADOS DE LA REGIN ACTIVA,
DOS ESPEJOS DBR DE REFLECTIVIDAD MAYOR AL 99%, FORMANDO UNA
MICROCAVIDAD. (VER FIGURA DEL LED DE EMISIN SUPERFICIAL)
REDUCIENDO EL DIMETRO DEL VCSEL A 2-3 mSE LOGRA UNA
OPERACIN MONOMODO TRANSVERSAL.
DEBIDO A SU BAJO COSTO, VCSEL-LASERS ENCUENTRAN APLICACIN EN
REDES DE REA LOCAL, A PESAR DE PRESENTAR UNA POTENCIA DE
SALIDA Y UN ANCHO DE BANDA MS BAJO QUE LOS LASERS DFB DE
EMISIN DE BORDE.
ARREGLOS CON LASERS VCSEL, DONDE CADA LASER OPERA A
DIFERENTES LONGITUDES DE ONDA SON IDEALES PARA SISTEMAS PTICOS
MULTICANALES.
EL LED EMISOR SUPERFICIAL
LUZ
Metal Metal
Fibra
ptica
resina
rea de emisin primaria de Luz
n-AlGaAs
p-GaAs
p-AlGaAs
p+ GaAs
SiO2
Ag
Metal
50 m
114
LA CURVA CARACTERSTICA LUZ-CORRIENTE
DESCRITA POR LAS ECUACIONES DE VELOCIDADES DE VARIACIN.
CONTROLAN LA INTERACCIN DE FOTONES Y ELECTRONES
DENTRO DE LA REGIN ACTIVA.
DETERMINACIN EXACTA PARTEN DE LAS ECUACIONES DE
MAXWELL, JUNTO CON UNA APROXIMACIN MECNICA
CUNTICA PARA LA POLARIZACIN INDUCIDA.
LAS ECUACIONES DE VELOCIDADES DE VARIACIN SE PUEDEN
DETERMINAR CONSIDERANDO EL FENMENO FSICO, A TRAVS
DEL CUAL:
EL NMERO DE FOTONES P Y EL NMERO DE
ELECTRONES N VARAN TEMPORLMENTE DENTRO
DE LA REGIN ACTIVA.
ECUACIONES DE VELOCIDAD DE VARIACIN PARA UN LASER MONOMODO.
G= LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN ESTIMULADA DE LA RED.
R
SP
=LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN ESPONTNEA
EN MODO LASER.
P
sp
P
R GP
dt
dP

+ + = =
R
SP
ES MUCHO MENOR QUE LA VELOCIDAD DE DE VARIACIN DE LA
EMISIN ESPONTNEA TOTAL.
ESTO SE EXPLICA TOMANDO EN CUENTA QUE LA EMISIN
ESPONTNEA SE GENERA EN TODAS LAS DIRECCIONES SOBRE
UN RANGO ESPECTRAL ANCHO DE 30 A 40nm.
SOLO UNA PEQUEA PORCIN DE ESTA EMISIN SE
PROPAGA A LO LARGO DEL EJE DE LA CAVIDAD.
IRRADIANDO LUZ A LA FRECUENCIA LASER.
CONTRIBUYENDO EN LA ECUACIN DE LA
VELOCIDAD DE VARIACIN TEMPORAL DE FOTONES:
) N N ( G g . v G
GP
N
q
I
dt
dN P
R GP
dt
dP
0 N g
C P
sp
= = = =


= =

+ + = =
RELACIN ENTRE R
SP
Y G
n
sp
=FACTOR DE EMISIN ESPONTANEA.
PARA SEMICONDUCTORES LASERS: n
sp
=2.
N=NMERO DE ELECTRONES. NO REPRESENTA LA DENSIDAD DE
PORTADORES.
G n R
SP SP
= =
v
g
=VELOCIDAD DE GRUPO
=FACTOR DE CONFINAMIENTO.
g=GANANCIA PTICA PARA LA FRECUENCIA MODAL
115
G VARA LINELMENTE CON N
CONSIDERANDO LA RELACIN DE LA GANANCIA PICO: ) N N ( ) N ( g
T P
= =
volumen V con V N N y
V
v
G
T 0
g g
N
= = = =

= =
P/
P
=CONSIDERA LAS PRDIDAS DE LOS FOTONES DENTRO DE LA CAVIDAD.

P
=TIEMPO DE VIDA DEL FOTN. RELACIONADAS CON LA
PRDIDA DE LA CAVIDAD, DESCRITA EN EL VALOR UMBRAL DE
LA GANANCIA PTICA:
) ( v v
int mir g cav g
1
p
+ + = = = =

CONSIDERANDO LA ECUACIN DE LA VELOCIDAD DE VARIACIN
TEMPORAL DE LOS ELECTRONES:
REPRESENTA LA VELOCIDAD TEMPORAL CON LA CUAL
ELECTRONES DENTRO DE LA REGIN ACTIVA SE CREAN Y SE
DESTRUYEN:
ESTA ECUACIN ES SIMILAR A LA ECUACIN DE LA
VARIACIN TEMPORAL DE LAS DENSIDADES DE
PORTADORES N PARA EL LED.

c
=TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES .
LA DIFERENCIA EST REPRESENTADA EN EL TRMINO: GP
EL CUAL GOBIERNA LA VELOCIDAD DE
RECOMBINACIN DE PARES ELECTRN HUECO A
TRAVS DE EMISIN ESTIMULADA.
EL TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES
c
INCLUYE LAS PRDIDAS DE LOS ELECTRONES DE:
LA RECOMBINACIN ESPONTANEA
Y DE LA RECOMBINACIN NO RADIACTIVA,
COMO INDICA:
GP
N
q
I
dt
dN
C


= =
C
N
qV
I
dt
N d


= =

C
nr spon
N
R R

= = + +
116
FIGURA: CURVAS CARACTERSTICAS LUZ-CORRIENTE. PARA VARIAS
TEMPERATURAS PARA UN LASER BH CON HETEROESTRUCTURAS
ENCUBIERTA EN EL RANGO DE LONGITUDES DE ONDA DE 1,3 m.
0 50 100 150 200
10
8
6
4
2
0
10
20 30 40
50
60 70 80
90
100
110
120
130
0
C
m 3 , 1 = =
LUZ
POR CARA
mW
CORRIENTE (mA)
SE TRATA DE UN LASER InGaAsP PARA TEMPERATURAS ENTRE 10
0
C A 130
0
C
RESPUESTA DEL LASER A TEMPERATURA AMBIENTE
EL NIVEL UMBRAL SE ALCANZA PARA CORRIENTES DE
APROXIMDAMENTE 20mA.
PARA CORRIENTES DE 1OOmA EL LASER EMITE UNOS 6mW DE
POTENCIA DE SALIDA POR CADA CARA.
EL RENDIMIENTO DEL LASER DISMINUYE PARA ALTAS TEMPERATURAS.
LA CORRIENTE UMBRAL SE INCREMENTA EXPONENCILMENTE PARA
ALTAS TEMPERATURAS:
I
0
ES CONSTANTE
T
0
ES LA TEMPERATURA CARACTERSTICA.
T
0
SE USA CON FRECUENCIA PARA EXPRESAR LA SENSIBILIDAD DE
LA TEMPERATURA A LA CORRIENTE UMBRAL.
RANGO TPICO:
LASER InGaAsP T
0
=50 A 70
0
K. DISIPADOR TERMO ELCTRICO
NO IRRADIA LUZ SOBRE LOS 100
0
C.
LASER GaAs T
0
>120
0
K
0
T
T
0 tn
e I ) T ( I = =
117
CARACTERSTICA DE LAS CURVAS LUZ-CORRIENTE
ESTN DESCRITAS POR LAS ECUACIONES DE LA VELOCIDAD DE
VARIACIN.
CASO DE OPERACIN CON ONDA CONTINUA CW. PARA UNA
CORRIENTE CONSTANTE I.
EL TIEMPO DETERMINADO DE LAS ECUACIONES DE
VELOCIDADES, SE HACE CERO.
LA SOLUCIN:
SE SIMPLIFICA, DESPRECIANDO LA EMISIN
ESPONTNEA CON:
R
sp
=0 PARA CORRIENTES DONDE:
q
I
N , 0 P , 1 G
C P
= = = = < <
EL NIVEL UMBRAL DE CORRIENTE:
SE ALCANZA PARA CORRIENTES: G =1
EL VALOR UMBRAL DE INVERSIN DE LA VECINDAD DE PORTADORES
SE FIJA EN:
PARA LA CORRIENTE UMBRAL, SE OBTIENE:
EL NMERO DE FOTONES P
SE INCREMENTA LINEALMENTE PARA:
LA POTENCIA DE RADIACIN: P
e
QUEDA DESCRITA POR EL NMERO DE FOTONES P CON
LA RELACIN:
v
g

mir
=ES LA VELOCIDAD A PARTIR DE LA CUL, LA ENERGA h
ESCAPA DE LAS CARAS DEL LASER.
=HACE QUE LA POTENCIA RADIADA P
e
EN CADA CARA, SEAN IGUALES.
SI EN LASERS FP LAS REFLECTIVIDADES DE LAS CARAS
SON IGUALES.
LA ECUACIN ANTERIOR PARA P
e
SE MODIFICA ADECUDAMENTE PARA:
LASER CON REVESTIMIENTOS EN LAS CARAS.
O PARA LASERS DFB
1
P N 0 th
) G ( N N

+ + = =
)
G
1
N (
q qN
I
P N
0
C C
th
th

+ +

= =

= =
( ( ) )
th
P
th
I I
q
P con I I





= = > >
P ) v (
2
1
P
mir g e
= = h
118
LA POTENCIA EMITIDA
( ( ) ) P v
2
1
P en ) ( v con
mir g e int mir g
1
P
= = + + = =

h
( ( ) )
th
int mir
mir int
e
I I
) ( q 2
P
+ +

= =
h

int
=LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA. REPRESENTA LA
CANTIDAD DE ELECTRONES INYECTADOS.
LA EFICIENCIA DE LA PENDIENTE:
int mir
mir int
d d
e
con
q 2 dI
dP
+ +

= =

= =
h

d
=ES LA EFICIENCIA CUNTICA DIFERENCIAL.
ES UNA MEDIDA DE LA EFICIENCIA CON LA CUAL LA LUZ DE
SALIDA SE INCREMENTA CON UN INCREMENTO DE LA CORRIENTE
INYECTADA.

ext
=LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA.













= = = =
I
P q 2
electrones de inyeccin de velocidad
Fotones de emisin de velocidad
e
ext
h
d ext
th
d ext
con
I
I
1 < <






= =

tot
=LA EFICIENCIA CUNTICA TOTAL. COMO EN EL LED:
ext tot ext
0
g
ext
0
tot
0
e
tot
con
qV
E
qV I V
P 2
< <

= = = =
h
INCREMENTO EXPONENCIAL DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA
TEMPERATURA.









+ +

= =

= =
P N
0
C C
th
th
G
1
N
q qN
I
119
LA RESPUESTA A LA MODULACIN DE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES
DETERMINAR UNA SOLUCIN A LAS ECUACIONES DE LA
VELOCIDAD DE VARIACIN.
PARA UNA CORRIENTE DEPENDIENTE DEL TIEMPO DE LA
FORMA:
=CORRIENTE DE POLARIZACIN
=CORRIENTE
=FORMA DEL IMPULSO DE CORRIENTE.
GP
N
q
I
dt
dN
,
P
R GP
dt
dP
C P
sp





) t ( f I I ) t ( I
p m b
+ +
b
I
m
I
) t ( f
P
PRIMER CAMBIO PARA DETERMINAR LA DESCRIPCIN REAL.
PARA G=LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN
ESTIMULADA DE LA RED.
SE MODIFICA DE LA FORMA:
=PARMETRO DE GANANCIA NO LINEAL.
PERMITE UNA REDUCCIN INSIGNIFICANTE DE G CON
INCREMENTO DE P.
FENMENOS FSICOS QUE EXPLICAN ESTA REDUCCIN:
RECALENTAMIENTO ESPACIAL Y ESPECTRAL DE LOS
HUECOS, RECALENTAMIENTO DE PORTADORES,
ABSORCIN DE FOTONES.
VALOR TPICO:
) N N ( G g . v G
0 N g

) P 1 )( N N ( G G
NL 0 N

NL

7
NL
10


SIMPLIFICACIN:
LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN ESTIMULADA G
P
S
=ES UN PARMETRO DEL MATERIAL.
SI LA POTENCIA >10mW
OCURRE UN RECALENTAMIENTO ESPECTRAL DE HUECOS:
b SE PUEDE VARIAR EN EL RANGO DE 0,2 A 1,0
DEBIDO AL EFECTO DE RECALENTAMIENTO DE
PORTADORES.
1 P con
P
P
1 ) N N ( G G
NL
b
S
0 N
<< <<


, ,
_ _




+ +

2
1
b
120
SEGUNDO CAMBIO PARA DETERMINAR LA DESCRIPCIN REAL
REPRESENTA UNA PROPIEDAD IMPORTANTE DE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES.
UN CAMBIO DEL NDICE DE REFRACCIN SE PRODUCE:
SIEMPRE QUE LA GANANCIA PTICA CAMBIE
COMO RESULTADO DE CAMBIOS EN LA
VECINDAD DE PORTADORES N.
PUNTO DE VISTA FSICO:
EN LOS LASERS SEMICONDUCTORES LA
MODULACIN DE AMPLITUD EST SIEMPRE
ACOMPADA POR MODULACIN DE FASE.
ESTO ES CONSECUENCIA A CAMBIOS INDUCIDOS
DE PORTADORES DE CARGA EN EL NDICE DE
REFRACCIN MODAL.
MODULACIN DE FASE SE PUEDE INCLUIR POR MEDIO DE
LA ECUACIN:
=PARMETRO DE ACOPLAMIENTO AMPLITUD-FASE
(FACTOR DE INCREMENTO DE LA ANCHURA DE LNEA)
PERMITE UN INCREMENTO DE LA ANCHURA
ESPECTRAL ASOCIADA CON EL MODO NICO
LONGITUDINAL.
VALORES TPICOS PARA EN LASERS DE InGaAsP EN
EL RANGO DE 4 A 8.
DEPENDE DE LA LONGITUD DE ONDA DE
OPERACIN.
EN LASERS MQW(CON MULTIPOZOS CUNTICOS)
SE OBTIENE BAJOS VALORES DE
C

C

C

C



, ,
_ _







p
0 N C
1
) N N ( G
2
1
dt
d
121
MODULACIN CON PEQUEA SEAL
LA NATURALEZA NO LINEAL DE LAS ECUACIONES DE VELOCIDAD
DE VARIACIN:
HACE NECESARIO DETERMINAR UNA SOLUCIN NUMRICA.
CONDICIONES PARA PEQUEA SEAL
SE DETERMINA UNA SOLUCIN ANALTICA.
EL LASER SE POLARIZA POR ENCIMA DEL NIVEL UMBRAL:
SE MODULA DE TAL FORMA QUE CUMPLA:
EN ESTE CASO SE PUEDE LINEALIZAR LAS ECUACIONES DE
VELOCIDAD DE VARIACIN.
SE RESUELVEN ANALTICAMENTE POR MEDIO DE LA TCNICA
DE LAS TRANSFORMADAS DE FOURIER; PARA UNA FORMA
ARBITRARIA DE :
GP
N
q
I
dt
dN
;
P
R GP
dt
dP
C P
SP




+ +
th b
I I > >
th b m
I I I << <<
) t ( f
p
EL ANCHO DE BANDA DE LA MODULACIN PARA PEQUEA SEAL
SE DETERMINA CONSIDERANDO LA RESPUESTA DE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES A LA MODULACIN SENOIDAL.
PARA LA FRECUENCIA:
CON UNA SEAL:
LA SALIDA DEL LASER SE MODULA SENOIDLMENTE.
m

) t ( sen ) t ( f
m P

SOLUCIONES GENERALES PARA LAS ECUACIONES DE VELOCIDAD
DE VARIACIN.
P=NMERO DE FOTONES. N=NMERO DE ELECTRONES
P
b
Y N
b
=VALORES EN EL ESTADO ESTACIONARIO. PARA LA
CORRIENTE DE POLARIZACIN I
b
.
=CAMBIOS PEQUEOS GENERADOS POR LA MODULACIN
DE CORRIENTE.
=CONTROLAN LA POSICIN DE LA FASE ASOCIADA CON LA
MODULACIN DE PEQUEA SEAL.
) t ( sen n N ) t ( N
) t ( sen p P ) t ( P
m m m b
m m m b
+ + + +
+ + + +
m m
n y p
m m
y
122
RESPONDE COMO:
m
p
( ( ) )( ( ) )
R m R R m R
m
N b
m m
j
m m
j j
q
I
G P
) ( p ; e p p
m
+ + + +


[ [ ] ]
2
1
2
N P b N R
4 / ) ( P GG donde
b N
1
C N N P R b NL b sp P
P G ; 2 / ) ( ; GP P / R + + + + + +

p =FRECUENCIA DE LA OSCILACIN DE RELAJACIN.
N =VELOCIDAD DE AMORTIGUACIN DE LA OSCILACIN DE
RELAJACIN.
ESTOS DOS PARMETROS JUEGAN UN PAPEL IMPORTANTE
EN EL CONTROL DE LA RESPUESTA DINMICA DEL LASER
SEMICONDUCTOR.
LA EFICIENCIA DISMINUYE SI LA FRECUENCIA DE
MODULACIN EXCEDE A LA FRECUENCIA R EN UNA
CANTIDAD MUY GRANDE.
LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA
SE INTRODUCE SIMILAR AL CASO DEL LED, COMO:
( ( ) )( ( ) )
R m R R m R
2
R
2
R
m
m m
m
j j ) 0 ( p
) ( p
) ( H
+ + + +
+ +



LA RESPUESTA A LA MODULACIN
PLANA:
MUESTRA UN PICO MXIMO:
MUESTRA UNA CAIDA ABRUPTA: PARA
ESTAS CARACTERSTICAS SE OBSERVAN EN TODOS LOS LASERS
SEMICONDUCTORES
EL ANCHO DE BANDA DE 3dB (f
3dB
)
SE DEFINE COMO LA FRECUENCIA A PARTIR DE LA
CUAL SE REDUCE EN 3dB O EN EL FACTOR 2
COMPARADO CON SU VALOR d.c. DE CORRIENTE
DIRECTA.
R m m
frecuencia para 1 ) ( H << <<
R m

R m
>> >>
) ( H
m

123
LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA H(
m
) PARA 3 d.B. (f
3dB
)
( ( ) )
2
1
2
1
4
R
2
R
2
R
4
R
2
R
2
R dB 3
2
2
1
f
1 1
] ]
1 1



+ + + + + + + +


SIMPLIFICACIN: PARA LA MAYORA DE LOS LASERS, ES VLIDO:
( ( ) )
2
1
th b 2
N
2
1
p
2
b N R
dB 3
dB 3 R R
I I
q 4
G 3
4
P G 3
2
3
f
: a aproxima se f
1 1
] ]
1 1








, ,
_ _









<< <<
f
3dB
SE INCREMENTA CON UN AUMENTO EN EL NIVEL DE LA
POLARIZACIN DE ACUERDO A:
P
b
=NMERO DE FOTONES EN ESTADO ESTACIONARIO PARA LA
CORRIENTE DE POLARIZACIN I
b
.
SE OBSERVA UNA DEPENDENCIA DE LA RAIZ CUADRADA
VERIFICADA EN MUCHOS LASERS SEMICONDUCTORES.
( ( ) )
th b b
I I o P
FIGURA: RESPUESTA A LA MODULACIN DE PEQUEA SEAL
MEDIDA EN UN LASER DFB PARA 1,3 m, EN FUNCIN DE LA
FRECUENCIA DE MODULACIN PARA VARIOS NIVELES DE
POLARIZACIN:
12
6
0
- 6
-12
0 5 10 15 20
FRECUENCIA (GHz)
RESPUESTA
(dB)
I
b
/I
th
=1,62
3,08
4,58
6,15
7,69
124
MODULACIN CON SEAL GRANDE
ANLISIS DE PEQUEA SEAL.
NO SE APLICA EN SISTEMAS DONDE EL LASER SE POLARIZA CERCA
DEL NIVEL UMBRAL.
SE MODULA CON NIVELES POR ENCIMA DEL NIVEL UMBRAL
SOLUCIN DE LAS ECUACIONES DE LA VELOCIDAD DE VARIACIN
EN EL CASO DEL LASER CON SEAL GRANDE SE RESUELVE
NUMRICAMENTE
GP
N
q
I
dt
dN
;
P
R GP
dt
dP
C P
sp


= =

= =
FIGURA: RESPUESTA A LA MODULACIN PARA SEAL GRANDE
CALCULADA EN UN LASER SEMICONDUCTOR PARA UN IMPULSO
RECTANGULAR DE 500ps. LACURVA DE TRAZO SLIDO MUESTRA LA
FORMA DEL IMPULSO PTICO EMITIDO. LA CURVA PUNTEADA
MUESTRA EL QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA QUE AFECTA AL
IMPULSO DEBIDO A LOS CAMBIOS DEL NDICE DE INDUCCIN DE
PORTADORA ( c=5)
0 0.5 1.0 1.5
4
3
2
1
0
POTENCIA
mw
TIEMPO
ns
40
30
20
10
0
QUIEBRE
AGUDO
DE
FRECUENCIA
GHZ
Ib=1,1Ith
Im=Ith
B=2Gb/s
125
LA FIGURA: MUESTRA COMO EJEMPLO :
LA FORMA DEL IMPULSO PTICO IRRADIADO PARA UN
LASER POLARIZADO EN Y MODULADO EN
POR MEDIO DE IMPULSOS DE CORRIENTE RECTANGULARES DE
DURACIN 500ps Y AMPLITUD Im=Ith.
EL IMPULSO PTICO NO MUESTRA:
BORDES DELANTEROS Y POSTERIORES ABRUPTOS.
DEBIDO AL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN
LIMITADA.
TIEMPO DE SUBIDA DE UNOS 100ps.
TIEMPO DE CAIDA DE UNOS 300ps.
EL SOBRE NIVEL INICIAL CERCANO AL BORDE
DELANTERO ES DEBIDO A LA PRESENCIA DE
OSCILACIONES DE RELAJACIN.
POR ESTA RAZN EL IMPULSO PTICO NO ES UNA RPLICA
EXACTA DEL IMPULSO ELCTRICO APLICADO.
LAS DESVIACIONES DEL IMPUSO PTICO SON
SUFICINTEMENTE PEQUEAS PARA QUE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES PUEDAN USARSE EN TRANSMISIN DE BITS
POR ENCIMA DE LOS 10Gb/s.
th b
I 1 , 1 I = = s / Gb 2
LA MODULACIN DE AMPLITUD EN LOS LASERS
SEMICONDUCTORES EST ACOMPAADA DE MODULACIN EN
FASE, CONTROLADA POR LA RELACIN:









= =

P
0 N C
1
) N N ( G
2
1
dt
d
UNA FASE VARIABLE EN EL TIEMPO ES EQUIVALENTE AL CAMBIO
TRANSITORIO EN LA FRECUENCIA DEL MODO DE SU ESTADO
ESTACIONARIO DE VALOR
ESTE TIPO DE IMPULSO SE DENOMINA IMPULSO CON
QUIEBRE AGUDO.
EL QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA SE DETERMINA
POR MEDIO DE LA RELACIN:
0

) t (













= =


= =

P
0 N C
1
) N N ( G
4
1
dt
d
2
1
) t (
126
LA CURVA PUNTEADA EN LA FIGURA MUESTRA EL QUIEBRE
AGUDO DE FRECUENCIA A LO LARGO DEL IMPULSO PTICO.
LA FRECUENCIA MODAL CAMBIA:
HACIA LA REGIN ESPECTRAL DEL AZUL EN EL BORDE
DELANTERO DEL IMPULSO PTICO.
HACIA LA REGIN ESPECTRAL DEL ROJO EN EL BORDE
POSTERIOR DEL IMPULSO PTICO.
ESTE CAMBIO DE FRECUENCIA IMPLICA QUE:
EL IMPULSO ESPECTRAL ES CONSIDERBLEMENTE
MS ANCHO QUE EL ESPERADO EN AUSENCIA DEL
QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA.
EL QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA LIMITA EL RENDIMIENTO
DE LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES PTICOS.
ESPECILMENTE, CUANDO:
=PARMETRO DE DISPERSIN.
C=PARMETRO DE QUIEBRE AGUDO.
) t (


0 C
2
> >
2

SISTEMAS PTICOS EN 1,55 m PARA DISTANCIAS DE TRANSMISIN
DE 80 A 100km:
PRESENTAN UN LMITE DE VELOCIDAD DE TRANSMISIN DE
BITS POR DEBAJO DE: 2Gb/s.
DEBIDO A LA FRECUENCIA DE QUIEBRE AGUDO, USANDO
FIBRA PTICA CONVENCIONAL CON:
SE LOGRA UNA ALTA VELOCIDAD DE TRANSMISIN DE BITS SOLO
OPERANDO EL SISTEMA CERCA DE LA LONGITUD DE ONDA DE
DISPERSIN CERO.
EN ESTA REGIN SE LOGRA DISMINUIR EL EFECTO DEL
QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA.
Km / ps 20
2
2

MTODOS PARA REDUCIR EL EFECTO DEL QUIEBRE AGUDO DE
FRECUENCIA
DADO QUE ESTE EFECTO ES UNA LIMITANTE DE OPERACIN EN LA
REGIN DE 1,55 m PARA LOS SISTEMAS PTICOS.
MTODO 1
ADAPTACIN CUIDADOSA DE LA FORMA DE LA CORRIENTE DE
IMPULSO APLICADA.
127
MTODO 2
A TRAVS DE UN CONTROL DE INYECCIN.
MTODO 3
POR MEDIO DE LASERS CON CAVIDADES ACOPLADAS.
MTODO 4
LASER C
3
REDUCEN EL QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA EN EL
FACTOR 2.
MTODO 5
ACOPLANDO UN LASER SEMICONDUCTOR A UN REFLECTOR BRAGG
EXTERNO. SE LOGRA UNA ELEVADA REDUCCIN DEL QUIEBRE
AGUDO DE FRECUENCIA.
MTODO 6
DISEANDO UN LASER SEMICONDUCTOR CON PEQUEO VALOR DE

C
(FACTOR DE INCREMENTO DE LA ANCHURA DE LNEA).
USANDO UN DISEO DE MULTIPOZOS CUNTICOS SE LOGRA
REDUCIR
C
CERCA DEL FACTOR 2.
CON LASERS DE MULTIPOZOS CUNTICOS CON DEFORMACIN
CONTROLADA SE LOGRA UNA MAYOR REDUCCIN DE
C
=1
ESTOS LASERS MUESTRAN UN BAJO QUIEBRE DE
FRECUENCIA BAJO MODULACIN DIRECTA
MTODO 7
EL QUIEBRE AGUDO DE FRECUENCIA RESULTANTE DE LA
MODULACIN DE CORRIENTE SE PUEDE EVITAR SI:
SE MANTIENE AL LASER EN OPERACIN CONTINUA.
UN MODULADOR EXTERNO SE USA, PARA MODULAR LA
SALIDA DEL LASER.
LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES DE SOLITON
REQUIEREN LASERS QUE GENEREN UN IMPULSO PTICO CORTO:
ANCHURA=10ps
PARA UNA VELOCIDAD DE REPETICIN IGUAL A LA VELOCIDAD
DE TRANSMISIN DE BITS.
UN MODULADOR EXTERNO O INTEGRADO CONVIERTE EL
TREN DE PULSOS PERIDICO EN UNA SEAL DE
FORMATO RZ.
TCNICAS PARA GENERAR UN IMPULSO PTICO EN EL LASER
INTERRUPCIN DE GANANCIA.
CONTROL DE MODO
USAR LASER PARA FIBRA DE CONTRO DE MODO.
128
EL RECEPTOR PTICO
FUNCIN:
CONVIERTE LA SEAL PTICA EN LA SEAL ORIGINAL
ELCTRICA.
RECUPERA LOS DATGOS TRANSMITIDOS A TRAVS DEL SISTEMA
DE COMUNICACIONES PTICOS.
EL FOTODETECTOR:
ES EL COMPONENTE PRINCIPAL. CONVIERTE LA LUZ EN
ELECTRICIDAD A TRAVS DEL EFECTO FOTOELCTRICO.
CARACTERSTICAS DE UN FOTODETECTOR:
ALTA SENSIBILIDAD
RESPUESTA RPIDA
BAJO RUIDO.
BAJO COSTO.
ALTA SEGURIDAD.
DIMENSIONES COMPATIBLES CON LA FIBRA PTICA.
CONCEPTOS BSICOS
LA ABSORCIN PTICA:
ES EL MECANISMO SOBRE EL CUAL EST BASADO EL PROCESO
DE FOTODETECCIN.
S
E
M
IC
O
N
D
U
C
T
O
R
CONTACTO HMICO
W
LUZ INCIDENTE
EN UNA PIEZA SEMICONDUCTORA
SI LA ENERGA DE FOTN INCIDENTE ES MAYOR QUE LA
ENERGA DE LA BANDA PROHIBIDA.
SE GENERA UN PAR ELECTRN HUECO CADA VEZ QUE UN
FOTN ES ABSORBIDO POR EL SEMICONDUCTOR.
UNA TENSIN APLICADA GENERA UN CAMPO ELCTRICO
ELECTRONES Y HUECOS SON ARRASTRADOS A TRAVS DEL
SEMICONDUCTOR.
SE PRODUCE UN FLUJO DE CORRIENTE ELCTRICA.
h
129
LA CORRIENTE ELCTRICA I
P

ES DIRCTAMENTE PROPORCIONAL A LA POTENCIA PTICA

INCIDENTE P
in
, DONDE:
R=FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD DEL DETECTOR (unidades A/W)
EFICIENCIA CUNTICA SE DEFINE:
in P
RP I = =

R
q
h
h
P
q
I
in
P
INCIDENTES FOTONES
DE VELOCIDAD
ELECTRONES DE
GENERACIN DE VELOCIDAD

= =

= = = =
EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD R AUMENTA CON LA
LONGITUD DE ONDA
S MICRMETRO EN CON
C
24 , 1 h
q
R

= =




= =
DEPENDENCIA QUE MUESTRA DE
EST RELACIONADA CON EL COEFICIENTE DE ABSORCIN:
SI LAS CARAS DE LA MUESTRA SEMICONDUCTORA, ESTN
RECUBIERTAS POR UNA CAPA ANTIREFLECTORA:
LA POTENCIA TRANSMITIDA ATRAVS DE LA PIEZA DE
ANCHURA W ES:
LA POTENCIA ABSORBIDA ES:
LA EFICIENCIA CUNTICA:
DADO QUE CADA FOTN ABSORBIDO CREA UN PAR
ELECTRN HUECO, SE OBTIENE:



W
in tr
e P P

= =
) e 1 ( P P P P
W
in tr in abs

= = = =

1 0 0 0 e 1
P
P
PARA PARA
W
in
abs
>> >> = = = = = = = = = =

130
FIGURA: DEPENDENCIA QUE MUESTRA LA LONGITUD DE ONDA
DEL COEFICIENTE DE ABSORCIN PARA DIFERENTES
MATERIALES SEMICONDUCTORES:

10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
Si
GaAs
Ge
I
n
0
,
7
G
a
0
,
3
A
s
0
,
6
4
P
0
,
3
6
I
n
0
,
5
3
G
a
0
,
4
7
A
s
COEFICIENTE
DE
ABSORCIN
(cm
-1
)
PROFUNDIDAD
DE
PENETRACIN
) m (
LONGITUD DE ONDA EN
) m (

LOS MATERIALES DE LA FIGURA SE USAN COMNMENTE COMO
FOTODETECTORES EN SISTEMAS DE FIBRA PTICA.
LA LONGITUD DE ONDA DE CORTE
ES LA LONGITUD DE ONDA A PARTIR DE LA CUAL SE HACE
CERO
PARA EL FOTODETECTOR:
EL MATERIAL PUEDE USARSE SLO PARA:
SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA INDIRECTA:
TALE S COMO EL Y EL SE USAN COMO
FOTODETECTORES:
EL BORDE DE ABSORCIN NO ES MUY ABRUPTO.
SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA:
MUESTRA UN BORDE DE ABSORCIN MUY
ABRUPTO.
EL TIEMPO DE ASCENSO
LA CORRIENTE SE INCREMENTA DEL 10% AL 90%.
=TIEMPO DE TRNSITO.
=CONSTANTE DE TIEMPO DE UN CIRCUITO RC EQUIVALENTE.
C

C
< <
i
S
e
G
r
T
) )( 9 ln( T
RC tr r
+ + = =
tr

RC

131
EL TIEMPO MXIMO DE AGRUPAMIENTO DE PORTADORES
TIEMPO QUE TOMA UN ELECTRN PARA ATRAVESAR LA REGIN DE
ABSORCIN.
LA EFICIENCIA CUNTICA
POR ESTA RAZN SE APRECIA UN INTERCAMBIO ENTRE ANCHO DE
BANDA Y RESPUESTA DEL FOTODETECTOR. (VELOCIDAD CONTRA
SENSIBILIDAD).
EL ANCHO DE BANDA
LA CORRIENTE DE OSCURIDAD
ES LA CORRIENTE GENERADA EN UN FOTODETECTOR EN AUSENCIA
DE SEAL PTICA.
CAUSA: FUGAS DE LUZ, PARES ELECTRN HUECO GENERADOS
TRMICAMENTE. ES DESPRECIABLE:

3 W e 1
P
P
PARA DECRECE
W
in
abs
< < = = = =

1
RC tr
)) ( 2 ( f

+ + = =
d
I
nA 10 I
d
< <
EL DISEO DEL FOTODETECTOR
CLASIFICACIN: DETECTORES FOTOCONDUCTOR Y FOTOVOLTICO.
EL DETECTOR FOTOCONDUCTOR
UNA PIEZA SEMICONDUCTORA HOMOGNEA CON CONTACTO HMICO
ACTA COMO UN TIPO SIMPLIFICADO DE DETECTOR FOTOCONDUCTOR.
SIN INCIDENCIA DE LUZ
FLUYE UNA PEQUEA CORRIENTE, DEBIDO A LA BAJA
CONDUCTIVIDAD DEL SEMICONDUCTOR.
CON INCIDENCIA DE LUZ
SE INCREMENTA LA CONDUCTIVIDAD. DEBIDO A LA
GENERACIN DE PARES ELECTRN HUECO. LA CORRIENTE
SE INCREMENTA PROPORCIONAL A LA POTENCIA PTICA
INCIDENTE.
EL DETECTOR FOTOVOLTICO
(LAS CELDAS SOLARES)
GENERAN VOLTAJE EN PRESENCIA DE LA LUZ.
UNIONES PN POLARIZADAS INVRSAMENTE PERTENECEN A ESTA
CATEGORA Y SE USAN COMNMENTE EN SISTEMAS PTICOS.
132
FOTODIODOS PN
UNA UNIN PN POLARIZADA INVRSAMENTE, CONSISTE EN UNA
REGIN DENOMINADA REGIN DE VACIAMIENTO, LA CUL EST
ESENCILMENTE DESPROVISTA DE PORTADORES DE CARGA
LIBRES.
EN ESTA REGIN UN CAMPO ELCTRICO INTERNO SE OPONE
AL FLUJO DE ELECTRONES DE LA REGIN N A LA REGIN P Y
DE HUECOS DE LA P A LA N.
SI SOBRE LA REGIN P DE LA UNIN PN, INCIDE LUZ.
SE GENERA PARES ELECTRN HUECO DEBIDO A LA ABSORCIN.
POR EFECTO DEL INTENSO CAMPO ELCTRICO INTERNO, LOS
ELECTRONES Y HUECOS GENERADOS DENTRO DELA REGIN DE
VACIAMIENTO SE ACELERAN EN DIRECCIN OPUESTA, SIENDO
ARRASTRADOS HACIA LAS REGIONES P Y N RESPECTVAMENTE.
EL FLUJO DE CORRIENTE RESULTANTE ES PROPORCIONAL A
LA POTENCIA PTICA INCIDENTE.
PORLO TANTO, UNA UNIN PN POLARIZADA INVRSAMENTE
FUNCIONA COMO UN FOTODETECTOR Y SE DENOMINA
FOTODIODO PN.
FOTODIODO PN POLARIZADO INVRSAMENTE
POTENCIA PTICA EN EL FOTODIODO
DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGA
W
Vo
TIPO P TIPO N
REGIN DE VACIAMIENTO
LUZ
POTENCIA
PTICA
Z
Ec
Ev
+
+
+
DIFUSIN
ARRASTRE
133
LA LUZ INCIDENTE ES ABSORBIDA
DENTRO DE LA REGIN DE VACIAMIENTO
LOS PARES ELECTRN HUECO GENERADOS SON ARRASTRADOS
RPIDAMENTE HACIA LAS REGIONES P Y N BAJO LA INFLUENCIA DEL
INTENSO CAMPO ELCTRICO.
EL FLUJO DE CORRIENTE RESULTANTE CONSTITUYENTE LA
RESPUESTA DEL FOTODIODO A LA POTENCIA PTICA INCIDENTE, DE
ACUERDO CON:
Ip=FOTOCORRIENTE
Pin=POTENCIA PTICA INCIDENTE
R=FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD.
EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD ES BASTANTE ALTO,
DEBIDO A LA ELEVADA EFICIENCIA CUNTICA:
in P
RP I = =
W
A
1 R
EL ANCHO DE BANDA DEL FOTODIODO PN
EST LIMITADO POR EL TIEMPO DE TRNSITO:
=CONSTANTE DE TIEMPO DE UN CIRCUITO EQUIVALENTE RC.
tr

RC

( ( ) ) [ [ ] ]
1
RC tr
2 f

+ + = =
DETERMINACIN DEL TIEMPO DE TRNSITO
W=ANCHURA DE LA REGIN DE VACIAMIENTO.
v
d
=VELOCIDAD DE ARRASTRE.
VALORES TPICOS:
W y v
d
SE PUEDE OPTIMIZAR PARA MINIMIZAR
d
tr
v
W
= =
ps 100
s
m
10 v m; 10 W
tr
5
d

tr

LA ANCHURA DE LA CAPA DE VACIAMIENTO
DEPENDE DE LA CONCENTRTACIN DE ACEPTORES Y DADORES.
ESTAS CONCENTRACIONES PUEDEN CONTROLAR ESTA
ANCHURA.
LA VELOCIDAD DE ARRASTRE v
d
DEPENDE DEL VOLTAJE APLICADO.
ES LA VELOCIDAD DE SATURACIN. MXIMO VALOR DE
v
d
ALCANZADO
= =
max d
v
s
m
10 v
5
d

134
LA CONSTANTE DE TIEMPO RC
SE EXPRESA:
=RESISTENCIA DE CARGA EXTERNA.
=RESISTENCIA SERIE INTERNA.
=CAPACITANCIA PARSITA.
VALOR TPICO:
CON UN DISEO ADECUADO, SE LOGRAN VALORES MS BAJOS.
ESTE VALOR TPICO ES SUFICINTEMENTE PEQUEO PARA QUE
FOTODIODOS PN ESTN EN CAPACIDAD DE OPERAR PARA
VELOCIDADES DE TRANSMISIN DE APROXIMDAMENTE 1Gb/s.
( ( ) )
P S L RC
C R R + + = =
L
R
S
R
P
C
ps 100
RC

FACTOR LIMITANTE DEL ANCHO DE BANDA DEL
FOTODIODO PN.
LA PRESENCIA DE CORRIENTES DE DIFUSIN COMO
UNA COMPONENTE DE LA FOTOCORRIENTE TOTAL.
ORIGEN FSICO: LA ABSORCIN DE LA LUZ
INCIDENTE FUERA DE LA REGIN DE
VACIAMIENTO.
ELECTRONES GENERADOS EN LA REGIN P TIENEN
QUE DIFUNDIR A TRAVS DEL BORDE DE LA
REGIN DE VACIAMIENTO, ANTES DE SER
ARRASTRADOS POR EL CAMPO INTERNO HACIA LA
REGIN N.
HUECOS GENERADOS EN LA REGIN N TIENEN QUE
DIFUNDIR A TRAVS DEL BORDE DE LA REGIN DE
VACIAMIENTO.
LA DIFUSIN ES UN PROCESO LENTO:
LOS PORTADORES NECESITAN 1ns O MS PARA
DIFUNDIR SOBRE DISTANCIAS DE
APROXIMDAMENTE 1 m.
135
FIGURA: RESPUESTA DEL FOTODIODO PN AL IMPULSO PTICO
RECTANGULAR. LAS CORRIENTES DE ARRASTRE Y DE DIFUSIN
SON COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL DETECTOR.
POTENCIA
PTICA
CORRIENTE
DEL
DETECTOR
IMPULSO
PTICO
IMPULSO
ELCTRICO
DIFUSIN ARRASTRE
TIEMPO
TIEMPO
LAS CORRIENTES DE DIFUSIN
DISTORSIONA LA RESPUESTA TEMPORAL DEL FOTODIODO.
EL EFECTO DE DIFUSIN DEPENDE DE LA VELOCIDAD DE
TRANSMISIN.
ES DESPRECIABLE, SI EL IMPULSO PTICO ES MUCHO MS
CORTO QUE EL TIEMPO DE DIFUSIN.
SE REDUCE:
DISMINUYENDO LA ANCHURA DE LAS REGIONES P Y N.
INCREMENTANDO LA ANCHURA DE LA REGIN DE
VACIAMIENTO. PARA ABSORBER EN ESTA ZONA LA
MAYOR PARTE DE LA POTENCIA INCIDENTE. (FOTODIODO
PIN)
136
EL FOTODIO PIN
EL FOTODIODO PIN CON SU DISTRIBUCIN DE CAMPO ELCTRICO
POLARIZADO INVRSAMENTE.
P i N
W
DISTANCIA
CAMPO
ELCTRICO
DISEO DE UN FOTODODO PIN InGaAs
4 m
i
InGaAs
TIPO-N InP
TIPO P. InP
Au/Au-Sn
N
+
-InP
(SUSTRATO)
MTODO PARA INCREMENTAR LA ANCHURA DE LA REGIN DE
VACIAMIENTO.
INSERTAR UNA CAPA DE MATERIAL INTRNSECO O DBILMENTE
DOPADO ENTRE LA UNIN PN.
ESTA ZONA INTRNSECA DEL DISPOSITIVO DA EL NOMBRE DE
DIODO PIN.
137
CARACTERSTICA DE LA CAPA INTERMEDIA
PRESENTA UNA ELEVADA RESISTIVIDAD.
SE PRODUCE UNA ELEVADA CAIDA DE TENSIN.
EL CAMPO ELCTRICO INTERNO ES MUY INTENSO.
LA ZONA DE VACIAMIENTO SE EXTIENDE FUERA DE LA REGIN
INTRNSECA Y TIENE UNA ANCHURA W.
LA ANCHURA W SE PUEDE CONTROLAR CAMBIANDO EL
ESPESOR DE LA REGIN.
DIFERENCIA CON EL FOTODIODO PN.
EN EL FOTODIODO PIN, LA COMPONENTE DE LA FOTOCORRIENTE
DE ARRASTRE ES MS INTENSA QUE LA COMPONENTE DE
DIFUSIN.
DEBIDO A QUE GRAN PARTE DE LA POTENCIA INCIDENTE ES
ABSORBIDA EN LA REGIN i DEL FOTODIODO PIN.
LA ANCHURA DE VACIAMIENTO W
EL VALOR PTIMO DE W DEPENDE DEL COMPROMISO ENTRE:
VELOCIDAD
SENSIBILIDAD
LA RESPUESTA PUEDE INCREMENTARSE, AUMENTANDO W.
LA EFICIENCIA CUNTICA SE APROXIMA AL 100%.
W
in
ab
e 1
P
P

= = = =
INCREMENTO DEL TIEMPO DE RESPUESTA.
EL TIEMPO DE RESPUESTA AUMENTA PARA LOS PORTADORES
ARRASTRADOS A TRAVS DE LA REGIN DE VACIAMIENTO.
VALORES TPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA
PROHIBIDA INDIRECTA COMO EL Ge, Si.
OSCILAN EN EL RANGO:
PARA ASEGURAR UNA EFICIENCIA CUNTICA RAZONABLE.
m 50 a 20 W
138
EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE
BANDA PROHIBIDA INDIRECTA
EST LIMITADO POR UN TIEMPO DE TRNSITO MUY GRANDE:
ps 200
tr
> >
VALORES TPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA
PROHIBIDA DIRECTA:
EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA
PROHIBIDA DIRECTA
EL TIEMPO DE TRNSITO EST EN EL RANGO:
LA VELOCIDAD DE ARRASTRE DE SATURACIN ES:
SE OBTIENE UN ANCHO DE BANDA DE:
m 5 a 3 W
ps 50 a 30
tr
= =
s
m
10 x 1 v
5
max d
= =
5GHz a 3 f = =
EL RENDIMIENTO DEL FOTODIODO PIN
MEJORA EN DISEO DE HETEROESTRUCTURAS DOBLES.
EN FORMA SIMILAR AL CASO DEL LASER SEMICONDUCTOR,
DONDE SE INTERPONE UNA CAPA i ENTRE LAS CAPAS P Y N
DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DIFERENTE, CUYAS
BANDAS PROHIBIDAS SE SELECCIONAN PARA QUE LA LUZ
SEA SLO ABSORBIDA EN LA REGIN INTRNSECA i
INTERMEDIA.
LA COMPONENTE DE DIFUSIN DEL FOTODIODO DE
HETEROESTRUCTURA.
LA COMPONENTE DE DIFUSIN SE ELIMINA TOTALMENTE.
CONSECUENCIA DE QUE LOS FOTONES SON ABSORBIDOS SLO
DENTRO DE LA ZONA DE VACIAMIENTO.
DISMINUCIN DE LA REFLEXIN
UNA CAPA DIELCTRICA EN LA CARA FRONTAL DISMINUYE LOS
EFECTOS DE LA REFLEXIN.
LA EFICIENCIA CUNTICA
SE PUEDE ELEVAR A: USANDO UNA CAPA DE
InGaAs

% 100 = =
139
CARACTERSTICAS DE OPERACIN DE LOS FOTODIODOS:
UNIDAD PARMETRO SMBOLO InGaAs Si Ge
LONGITUD DE ONDA
FACTOR DE
FOTOSENSIBILIDAD
EFICIENCIA CUNTICA
CORRIENTE DE
OSCURIDAD
TIEMPO DE
ASCENSO
ANCHO DE BANDA
VOLTAJE DE
POLARIZACIN
1,7 - 1,0 1,8 - 0,8 1,1 - 0,4 m
0,9 - 0,6 0,7 - 0,5 0,6 - 0,4 W A R
70 - 60 55 - 50 90 - 75 %
20 - 1 500 - 50 10 - 1 A n I
d
0,5 - 0,05 0,5 - 0,1 1 - 0,5 s n
r

5 - 1 3 - 0,5 0,6 - 0,3 Hz G f
6 - 5 10 - 6 100 - 50 V V
b
TCNICAS PARA MEJORAR LA EFICIENCIA DE FOTODIODOS DE
ALTA VELOCIDAD
FORMACIN DE UNA CAVIDAD FABRY-PEROT ALREDEDOR DE LA
ESTRUCTURA PIN
SE INCREMENTA EL RENDIMIENTO CUNTICO.
SE OBTIENE UNA ESTRUCTURA SIMILAR AL LASER.
UNA CAVIDAD FABRY-PEROT TIENE UNA SERIE DE MODOS
LONGITUDINALES.
PARA ESTOS MODOS EL CAMPO PTICO INTERNO ES
AMPLIFICADO POR RFRCTOS DE RESONANCIAS A TRAVS
DE INTERFERENCIAS CONSTRUCTIVAS.
COMO RESULTADO SE ELEVA LA SENSIBILIDAD, SI
LA LONGITUD DE ONDA INCIDENTE ES CERCANA A
LA DEL MODO LONGITUDINAL.
EN APLICACIONES WDMSE NECESITA ESTE TIPO DE
SELECTIVIDAD DE LONGITUD DE ONDA.
SE FORMA UN ESPEJO DE CAPAS DE AlGaAs-AlAs, EN UNA
CAVIDAD FABRY-PEROT.
SE GENERA UN EFECTO DE REFLECTIVIDAD DE BRAGG.
ES POSIBLE INCREMENTAR LA EFICIENCIA A 100%.
140
EN LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT CON ESPEJO, SE INSERTA UNA
CAPA DE ABSORCIN DE InGaAs
ESPESOR DE LA CAPA 90nm.
SE TRATA DE UNA MICROCAVIDAD COMPUESTA POR:
UN ESPEJO DE BRAGG.
UN ESPEJO DIELCTRICO DE GaAs-AlAs.
EFICIENCIA CUNTICA:
RANGO DE LONGITUD DE ONDA :
ANCHO DE BANDA:
% 100 a 94
nm 14
GHz 100 > >
GUA DE ONDAS PTICAS CON ACOPLAMIENTO DE LA SEAL POR
EL BORDE
TCNICA PARA LOGRAR FOTODIODOS DE ALTA VELOCIDAD.
SE ASEMEJA A UN LASER SEMICONDUCTOR EN AUSENCIA DEL
BOMBEO DE PORTADORES.
CON LA DIFERENCIA DE OPTIMIZAR DE MANERA
DIFERENTE VARIAS CAPAS EPITAXIALES.
SOPORTAN MLTIPLES MODOS LASERS TRANSVERSALES.
MEJORANDO LA EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO.
USO DE UNA CAPA DE ABSORCIN ULTRA FINA:
SE ELEVA LA EFICIENCIA CUNTICA A: 100%.
DEBIDO A QUE LOS PROCESOS DE ABSORCIN OCURREN A
TODO LO LARGO DE LA GUA DE ONDA.
EL ANCHO DE BANDA: EST LIMITADO POR
PUEDE DISMINUIR CONTROLANDO EL REA
TRANSVERSAL DE LA GUA DE ONDA.
SE LOGRA ANCHOS DE BANDA DE 50GHz, SE PUEDE
INCREMENTAR HASTA LOS 110GHz, CON LA ESTRUCTURA
TIPO MESA DE HONGO.
LA ANCHURA DE LA REGION-i SE REDUCE A:
ANCHURA DE LAS REGIONES P Y N:
SE REDUCE LA CAPACITANCIA PARSITA.
SE REDUCE LA RESISTENCIA SERIE INTERNA.
.
ALTO FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD R.
ANCHO DE BANDA DE 50GHz.
EFICIENCIA CUNTICA:
RC

RC

m 5 , 1
m 6
ps 1
RC

% 90 > >
141
FOTODIODO DE GUA DE ONDA PTICA TIPO MESA DE HONGO
Si-InP
N
+
-InGaAsP
P
+
-InGaAsP
i
+
-InGaAsP
P
+
-InP
POLIMERO
ELECTRODO P
m 5 , 1
m 6
MEDICIN DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA
0 20 40 60 80 100 120
FRECUENCIA (GHz)
10
5
0
-5
-10
-15
-20
RESPUESTA
RELATIVA
(dB)
110GHz
EL FOTODIODO DE GUA DE ONDA CON ESTRUCTURA DE ELECTRODO
MEJORA EL RENDIMIENTO.
SE EVITA REFLEXIONES. SE PROPAGAN ONDAS CON LAS MISMAS
IMPEDANCIAS DE ONDA.
ANCHO DE BANDA: 172 GHz.
EFICIENCIA 45%
ANCHURA DE GUA DEONDA:
IMPEDANCIA CARACTERSTICA:
m 1
50
142
EL FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
PARA UNA OPERACIN CONFIABLE, TODOS LOS DETECTORES
REQUIEREN DE CIERTA CORRIENTE MNIMA:
LA EXIGENCIA DE NECESIDAD DE UNA CORRIENTE MNIMA,
SE CONVIERTE EN UNA EXIGENCIA DE NECESIDAD DE
POTENCIA MNIMA, DADA POR:
SE PREFIERE EL USO DE DETECTORES CON UN ELEVADO FACTOR DE
FOTOSENSIBILIDAD R.
DEBIDO A QUE REQUIEREN MENOR POTENCIA PTICA.
EN LOS FOTODIODOS PIN EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD EST
LIMITADO POR:
ALCANZA UN VALOR MXIMO PARA:
EL FOTODIODO DE AVALANCHA PRESENTA UN ALTO VALOR DE R.
ESTN DISEADOS PARA GENERAR UNA GANANCIA INTERNA
DE CORRIENTE.
LOS FOTODIODOS DE AVALANCHA SE USAN SI LA POTENCIA
RESERVADA PARA EL RECEPTOR EST LIMITADA.
R
I
P
p
in
= =


= =
h
q
R

= = = =
h
q
R con 1
IONIZACIN IMPACT
ES EL FENMENO FSICO EN EL QUE SE FUNDAMENTA LA GANANCIA
DE CORRIENTE INTERNA.
BAJO DETERMINADAS CONDICIONES, UN ELECTRN
ACELERADO ADQUIERE SUFICIENTE ENERGA PARA GENERAR
UN NUEVO PAR ELECTRN-HUECO.
EN EL MODELO DE BANDAS, EL ELECTRN ENERGIZADO ENTREGA
UNA PARTE DE SU ENERGA CINTICA A OTRO ELECTRN EN LA BANDA
DE VALENCIA, EL CUL APARECE EN LA BANDA DE CONDUCCIN
DEJANDO UN HUECO EN LA BANDA DE VALENCIA.
143
EL RESULTADO NETO DE LA IONIZACIN IMPACT
UN ELECTRN PRIMARIO SLO, GENERADO POR MEDIO DE LA
ABSORCIN DE UN FOTN GENERA MUCHOS ELECTRONES Y HUECOS
SECUNDARIOS.
LOS CUALES CONTRIBUYEN EN SU TOTALIDAD A INTENSIFICAR
LA CORRIENTE DEL FOTODIODO.
DE LA MISMA MANERA UN HUECO PRIMARIO PUEDE GENERAR
TAMBIN PARES ELECTRN-HUECO SECUNDARIOS, QUE
CONTRIBUYEN CON LA CORRIENTE DEL FOTODIODO.
LA VELOCIDAD DE GENERACIN
EST CONTROLADA POR DOS PARMETROS DENOMINADOS:
COEFICIENTES DE IONIZACIN IMPACT:
LOS VALORES DE Y DEPENDE DE:
DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR.
DEL CAMPO ELCTRICO QUE ACELERA A
ELECTRONES Y HUECOS.
huecos. los para
electrones los para
h
e
= =
= =
h

e

1,5 2 3 4 5 6 7
CAMPO ELCTRICO (10
5
V/cm)
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
COEFICIENTE
DE
IONIZACIN
IMPACT
(cm
-1
)
300
O
K
1
2
3
4
1. In
0,53
Ga
0,47
As-InP. 2. GaAs 3. In
0,14
Ga
0,86
As- GaAs 4. InP
144
DIFERENCIA ENTRE EL DIODO DE AVALANCHA Y EL FOTODIODO
PIN
SE AGREGA UNA CAPA ADICIONAL
EN ESTA CAPA SE GENERA LOS PARES ELECTRN-HUECO
SECUNDARIOS POR EFECTO DE LA IONIZACIN IMPACT.
ESTRUCTURA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA
FOTODIODO DE AVALANCHA DE SILICIO
P
+
P
N
+
i
P
+
N
+
i P
Regin de absorcin
Regin de
ganancia
d
DISTANCIA
CAMPO
ELCTRICO
145
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA
EN LA CAPA INTERMEDIA TIPO P SITUADAS ENTRE LAS REGIONES
TIPO i Y TIPO N
+
EXISTE UN CAMPO ELCTRICO MUY INTENSO.
ESTA CAPA INTERMEDIA SE DENOMINA: REGIN DE GANANCIA
O CAPA DE MULTIPLICACIN, DONDE SE GENERA PARES
ELECTRN-HUECO A TRAVS DE LA IONIZACIN IMPACT.
LA REGIN i ACTUA COMO ZONA VACIAMIENTO.
AQU SON ABSORBIDOS LA MAYOR PARTE DE LOS
FOTONES INCIDENTES GENERANDO PARES ELECTRON-
HUECOS PRIMARIOS.
GENERANDO PARES ELECTRN-HUECO
SECUNDARIOS.
SE PRODUCE UNA GANANCIA DE CORRIENTE
CLCULO DE LA GANANCIA DE CORRIENTE PARA FOTODIODOS DE
AVALANCHA.
SE PARTE DE DOS ECUACIONES QUE CONTROLAN EL FLUJO DE
CORRIENTE DENTRO DE LA REGIN DE MULTIPLICACIN.
=CORRIENTE DE ELECTRONES.
=CORRIENTE DE HUECOS.
EL SIGNO NEGATIVO SIGNIFICA QUE LAS CORRIENTES DE
HUECOS TIENEN UNA DIRECCIN OPUESTA A LAS CORRIENTES
DE ELECTRONES.
LA CORRIENTE TOTAL
SE MANTIENE CONSTANTE EN CADA PUNTO DENTRO DE LA REGIN DE
MULTIPLICACIN:
SUSTITUYENDO POR , SE OBTIENE:
PARA UN CAMPO ELCTRICO NO UNIFORME EN LA REGIN DE
GANANCIA:
SE HACEN DEPENDIENTES DE x.
h h e e
h
h h e e
e
i i
dx
di
- ; i i
dx
di
+ + = = + + = =
e
i
h
i
) x ( i ) x ( i I
h e
+ + = =
h
i
e
i I
( ( ) ) I i
dx
di
h e h e
e
+ + = =
h e
y
146
ANLISIS PARA EL CAMPO ELCTRICO UNIFORME
CONDICIONES:
SE SIMPLIFICA EL CLCULO.
SE TRATAN COMO CONSTANTES.
SE ASUME COMO VLIDO:
EL PROCESO DE LA AVALANCHA:
SE INICIA CON LOS ELECTRONES QUE PENETRAN EN LA REGIN
DE GANANCIA DE:
ESPESOR d.
PARA x=0.
CONDICIN: SE CONSIDERA QUE SLO ELECTRONES ATRAVIESAN LA
SUPERFICIE DE FRONTERA PARA ENTRAR EN LA REGIN N
+
:
POR LO TANTO:
LA CONDICIN DE FRONTERA PARA x=d.
EL FACTOR DE MULTIPLICACIN M
SE DEFINE COMO:
h e
y
h e
> >
0 ) d ( i
h
= =
I ) d ( i
e
= =
( ( ) )
( ( ) )
( ( ) )
e
h
A
A
d k - 1 -
A
e
e
k con
k e
k - 1
M : por dada
0 i
d i
M
e A


= =

= = = =

LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA
DEPENDE DIRCTAMENTE DE LA RELACIN: DE LOS
COEFICIENTES DE IONIZACIN.
SI
SIGNIFICA QUE SLO ELECTRONES INTERVIENEN EN EL
PROCESO DE AVALANCHA.
LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA SE
INCREMENTA EXPONENCILMENTE:
A
k
0 k 0
e
h
A h
= =


= = = =
d
e
e M

= =
LA RUPTURA POR AVALANCHA
PARA LA CONDICIN:
LA GANANCIA SE HACE INFINITA PARA:
ESTA ES LA CONDICIN DE RUPTURA POR AVALANCHA.
ed
A e h
- 1
1
M y 1 k

= = = = = =
1 d
e
= =
147
EL RENDIMIENTO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA
UNA ELEVADA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA. SE
LOGRA:
CON UNA REGIN DE GANANCIA MUY DELGADA:
SI SE APROXIMAN:
EL RENDIMIENTO MEJORA PARA FOTODIODOS DE AVALANCHA
DONDE:
CON LO CUL EL PROCESO DE AVALANCHA ES
DOMINANTE SLO UN TIPO DE PORTADOR DE
CARGA.
CON ESTA TCNICA MEJORA LA RELACIN SEAL-
RUIDO DEL RECEPTOR.
0 d
h e
y
h e

e h h e
o >> >> >> >>
EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD DL FOTODIODO DE
AVALANCHA (APD)
EL PROCESO DE AVALANCHA EN EL FOTODIODO DE AVALANCHA
ES DE NATURALEZA RUIDOSO Y ALEATORIO.
POR LO QUE EL FACTOR DE GANANCIA FLUCTUA
ALREDEDOR DE UN VALOR PROMEDIO.
EL VALOR M EN LA ECUACIN ANTERIOR SE REFIERE AL
VALOR PROMEDIO.
EL ANCHO DE BANDA INTRNSECO DEL FOTODIODO DE
AVALANCHA.
DEPENDE DEL FACTOR DE MULTIPLICACIN M.
EL TIEMPO DE TRNSITO EN FOTODIODOS DE AVALANCHA NO
EST DETERMINADO POR:
=ANCHURA DE VACIAMIENTO
=VELOCIDAD DE ARRASTRE.
EL TIEMPO DE TRNSITO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA SE
INCREMENTA CONSIDERBLEMENTE.
DADO QUE LA GENERACIN Y ACUMULACIN DE PARES
ELECTRN-HUECO SECUNDARIOS TOMA UN TIEMPO
ADICIONAL.
;
v
W
d
tr
= =
W
d
v
148
LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA PARA ALTAS
FRECUENCIAS.
LA GANANCIA DECRECE PARA ALTAS FRECUENCIAS.
DEBIDO AL INCREMENTO DEL TIEMPO DE TRNSITO.
POR LO TANTO EL INCREMENTO DE LIMITA EL ANCHO
DE BANDA.
POR LO TANTO, EL INCREMENTO DE LIMITA EL ANCHO
DE BANDA.
LA DISMINUCIN EST DADA POR:
=GANANCIA EN BAJA FRECUENCIA.
=TIEMPO DE TRNSITO EFECTIVO.
DEPENDE DE LA RELACIN DE LOS
COEFICIENTES DE IONIZACIN.
tr

tr

( ( ) ) M
( ( ) ) ( ( ) ) [ [ ] ]
2
1
2
0 e 0
M 1 M M

+ + = =
) 0 ( M M
0
= =
e

e

VALORES TPICOS
EL ANCHO DE BANDA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA EST DADO
POR:
ESTA RELACIN MUESTRA EL INTERCAMBIO ENTRE LA GANANCIA
DEL APD M Y EL ANCHO DE BANDA (VELOCIDAD CONTRA
DENSIBILIDAD).
ESTO MUESTRA LA VENTAJA DEL USO DE MATERIALES
SEMICONDUCTORES PARA LOS CUALES:
e RC asumiendo A tr A A e e h
; 1 C ; k C y << << = = < <
0 e
M 2
1
f

= =
f
1 k
A
<< <<
149
LA TABLA COMPARA LAS CARACTERSTICAS DE OPERACIN
DEL Si, Ge e InGaAs EN FOTODIODOS DE AVALANCHA (APD)
PARMETRO SMBOLO UNIDAD Si Ge InGaAs
LONGITUD DE ONDA
FACTOR DE
FOTOSENSIBILIDAD
GANANCIA APD
FACTOR K
CORRIENTE DE
OSCURIDAD
TIEMPO DE
ASCENSO
ANCHO DE BANDA
TENSIN DE
POLARIZACIN.
1,7 - 1,0 1,8 - 0,8 1,1 - 0,4 m
20 - 5 30 - 3 130 - 80 A/W R
APD
40 - 10 200 - 50 500 - 100 M
0,7 - 0,5 1,0 - 0,7 0,05 - 0,02 k
A

5 - 1 500 - 50 1 - 0,1 A n I
d
0,5 - 0,1 0,8 - 0,5 2 - 0,1 s n T
r
3 - 1 0,7 - 0,4 1,0 - 0,2 Hz G f
30 - 20 40 - 20 250 - 200 V V
b