DB 3, DB 4 Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)

Breakover voltage Durchbruchsspannung Peak pulse current Max. Triggerimpuls Glass case Glasgehuse Weight approx. Gewicht ca.
Dimensions / Mae in mm

28 ... 45 V 2A DO-35 SOD-27 0.13 g see page 16 siehe Seite 16

Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings Power dissipation Verlustleistung Peak pulse current (120 pulse repetition rate) Max. Triggerstrom (120 Impulse) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Storage temperature Lagerungstemperatur TA = 50 /C tP # 10 :s Ptot IPM Tj TS

Grenzwerte 150 mW 1) 2 A 1) 40+100/C 40+150/C Kennwerte dV/dt = 10V/:s DB 3 DB 4 V = 98 % VBO

*V(BO)F - V(BO)R*

Characteristics Breakover voltage Durchbruchspannung VBO VBO IBO

)VBO )VF/R

28 ... 36 V 35 ... 45 V < 200 :A < 3.8 V >5V < 60 K/W 1)

Breakover current Durchbruchstrom Asymmetry of breakover voltage Unsymmetrie der Durchbruchspannug Foldback voltage Spannungs-Rcksprung )I = IBO to/auf IF = 10 mA Thermal resistance junction to ambient air Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft

dV/dt = 10V/:s

RthA

) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 420 01.10.2002

DB 3, DB 4

Typical characteristic of a DIAC Typische DIAC-Kennlinie

Test circuit for a thyristor trigger Meschaltung fr Thyristor-Zndschaltung

01.10.2002

421