79 RESPUESTA A LA MODULACIN DEL LED DEPENDE DE LA DINMICA DE LOS PORTADORES DE CARGA.

LIMITADA POR EL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR C

R spon + R nr = N
NO RADIACTIVA

N/c CONSIDERA LOS PROCESOS DE RECOMBINACIN RADIACTIVA Y

C SE DETERMINA DE LA ECUACIN DE LA VELOCIDAD DE VARIACIN TEMPORAL DE LAS DENSIDADES DE PORTADORES DE CARGA N. CONSIDERA TODOS LOS MECANISMOS A TRAVS DE LOS CUALES APARECEN Y DESAPARECEN ELECTRONES DENTRO DE LA REGIN ACTIVA. PARA LOS LEDS, DESPRECIANDO LA EMISIN ESTIMULADA, SE OBTIENE:

dN I N = dt q.V C
MODULACIN SENOIDAL LA CORRIENTE INYECTADA ES MODULADA SENOSOIDLMENTE. Ib=CORRIENTE DE POLARIZACIN. Im=CORRIENTE DE MODULACIN. m=FRECUENCIA DE MODULACIN SOLUCIN GENERAL DE LA ECUACIN DE LA VELOCIDAD DE VARIACIN DE N Im

I(t ) = I b + I me jm t

) C ( I q . V ol N( t ) = Nb + N me jm t ; con N b = C b ; N m () = 1 + jm C q.Vol

LA POTENCIA MODULADA Pm EST DESCRITA LINEALMENTE POR |Nm|

80 LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA DEL LED H( m)

H( m ) =

N m (m ) 1 = N m ( 0) 1 + jm C

EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN DE 3dB EL VALOR TPICO PARA InGaAsP-LEDs c=2 a 5nS EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN DEL LED: 50-140MHz EL ANCHO DE BANDA ELCTRICO: SE DETERMINA DE LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA H(), CONSIDERANDO LA FRECUENCIA A PARTIR DE LA CUAL H() 2 1 SE REDUCE EN 3dB Y EST DADO POR: ( 2C ) CLASIFICACIN DE LOS LEDs EL LED EMISOR SUPERFICIAL LUZ Fibra ptica

f3dB = 3 (2C )1

Metal
n-AlGaAs p-GaAs

resina

Metal

50m

p-AlGaAs p+ GaAs SiO2 Metal

Ag

rea de emisin primaria de Luz

EL LED EMITE LUZ DE UNA SUPERFICIE QUE ES PARALELA AL PLANO DE LA UNIN

81

EL LED EMISOR SUPERFICIAL EL REA DE EMISIN DEL DISPOSITIVO ES UNA REGIN ESTRECHA DE DIMENSIN COMPARABLE CON EL DIMETRO DEL NCLEO DE LA FIBRA. EL USO DE UNA CAPA DE ORO EVITA PRDIDAS DE POTENCIA POR LA SUPERFICIE POSTERIOR. LA EFICIENCIA DEL ACOPLAMIENTO SE MEJORA PERFORANDO UN POZO Y ACERCANDO LA FIBRA AL REA DE ENISIN. LA POTENCIA ACOPLADA EN LA FIBRA, DEPENDE DE DIVERSOS PARMETROS: DE LA APERTURA NUMRICA DE LA FIBRA. DE LA DISTANCIA ENTRE FIBRA Y LED. AL AGREGAR UNA RESINA EN EL POZO PERFORADO, SE INCREMENTA LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA DADO QUE SE REDUCE EL NDICE DE REFRACCIN. VARIACIONES DEL DISEO BSICO: UN MICROLENTE ESFRICO TRUNCADO SE FABRICA DENTRO DEL POZO PERFORADO PARA ACOPLAR LA LUZ EN LA FIBRA PTICA. EN OTRA VARIACIN, LA PUNTA FINAL DE LA FIBRA SE LE DA LA FORMA DE LENTE ESFRICO. CON UN DISEO APROPIADO EL LED EMISOR SUPERFICIAL PUEDE ACOPLAR EN LA FIBRA HASTA 1% DE LA POTENCIA INTERNA GENERADA. EL LED DE EMISIN SUPERFICIAL OPERA COMO UNA FUENTE DE LAMBERTIAN PRESENTANDO UNA DISTRIBUCIN ANGULAR Se( ) EN AMBAS DIRECCIONES, CON: S e ( ) = S 0con LA DIVERGENCIA DEL HAZ DE LUZ TIENE UNA ANCHURA TOTAL TIENE UNA ANCHURA TOTAL MXIMA MEDIO DE 120. BAJO ANCHO DE BANDA. BAJA POTENCIA DE SALIDA

82 EL LED EMISOR DE BORDE contacto SiO2 p+GaAs p-AlGaAs n-AlGaAs Luz SiO2

n+ GaAs (sustrato)

LED CON UNA GEOMETRA DE UNA HETEROESTRUCTURA DOBLE. EMITE LUZ DESDE EL BORDE DE LA ZONA DE LA UNIN. LA REGIN ACTIVA EST RODEADA POR CAPAS DE REVESTIMIENTO TIPO p Y n. EL DISEO DE HETEROESTRUCTURA: PERMITE UN RENDIMIENTO MAYOR: PROVEE UN CONTROL SOBRE EL REA DE EMISIN. ELIMINA LA ABSORCIN INTERNA DEBIDO A LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO TRANSPARENTE. UN BAO DE ALTA REFLEXIN SE USA FRECUNTEMENTE EN UNA CARA PARA REDUCIR LA EMISIN DE POTENCIA DE ESTA CARA. LA DIVERGENCIA EL HAZ DE LUZ DEL LED EMISOR DE BORDE, DIFIERE DEL LED EMISOR SUPERFICIAL DEBIDO A LA PROPAGACIN DE ONDA GUIADA EN EL PLANO PERPENDICULAR A LA UNIN. EN EL LED DE EMISIN DE BORDE LA DIVERGENCIA ALCANZA 30 EN LA DIRECCIN PERPENDICULAR AL PLANO DE LA UNIN. EL ANCHO DE BANDA DE MODULACIN: DEL LED EMISOR DE BORDE ES DE 200MHz. APLICACIN DEL LED SISTEMAS DE BAJO COSTO. VELOCIDADES DE TRANSMISIN DE UNOS 100Mb/s TRANSMISIN DE POCOS KILOMTROS DE DISTANCIA.

83

LED CON INCREMENTO DE LA CAVIDAD RESONANTE SE IMPLEMENTAN DOS ESPEJOS METLICOS ALREDEDOR DE LAS CAPAS CRECIDAS EPITAXILMENTE. EL DISPOSITIVO SE UNE A UN SUSTRATO DE SILICIO. OTRA VARIANTE DE ESTE LED: EL ESPEJO POSTERIOR SE FABRICA A TRAVS DE UN PROCESO EPITAXIAL USANDO UN CMULO DE CAPAS ALTERNADAS DE DOS SEMICONDUCTORES DIFERENTES. EL ESPEJO SUPERIOR CONSISTE EN UNA MEMBRANA DEFORMABLE SUSPENDIDA POR UNA SEPARACIN DE AIRE. LA LONGITUD DE ONDA DE OPERACIN DE ESTOS LEDS SE PUEDE SINTONIZAR SOBRE LOS 40nm, AJUSTANDO LA ANCHURA DE SEPARACIN DE AIRE.

OTRO TIPO DE ESTRUCTURA LED VARIOS POZOS CUNTICOS DE DIFERENTES COMPOSICIN Y BANDAS PROHIBIDAS SE HACEN CRECER PARA FORMAR UNA ESTRUCTURA DE POZOS MULTICUNTICOS. CADA POZO CUNTICO EMITE LUZ A UNA LONGITUD DE ONDA DIFERENTE. ESTE TIPO DE LED PUEDE TENER UN ESPECTRO EXTREMDAMENTE ANCHO QUE SE EXTIENDE SOBRE UN RANGO DE LONGITUD DE ONDA DE 500nm. ENCUENTRA APLICACIN EN REDES DE REA LOCAL CON MULTIPLEXIN DE LONGITUD DE ONDA.