119

LA RESPUESTA A LA MODULACIN DE LOS LASERS

SEMICONDUCTORES
DETERMINAR UNA SOLUCIN A LAS ECUACIONES DE LA
VELOCIDAD DE VARIACIN.
PARA UNA CORRIENTE DEPENDIENTE DEL TIEMPO DE LA
FORMA:
=CORRIENTE DE POLARIZACIN
=CORRIENTE
=FORMA DEL IMPULSO DE CORRIENTE.
GP
N
q
I
dt
dN
,
P
R GP
dt
dP
C P
sp





) t ( f I I ) t ( I
p m b
+ +
b
I
m
I
) t ( f
P
PRIMER CAMBIO PARA DETERMINAR LA DESCRIPCIN REAL.
PARA G=LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN
ESTIMULADA DE LA RED.
SE MODIFICA DE LA FORMA:
=PARMETRO DE GANANCIA NO LINEAL.
PERMITE UNA REDUCCIN INSIGNIFICANTE DE G CON
INCREMENTO DE P.
FENMENOS FSICOS QUE EXPLICAN ESTA REDUCCIN:
RECALENTAMIENTO ESPACIAL Y ESPECTRAL DE LOS
HUECOS, RECALENTAMIENTO DE PORTADORES,
ABSORCIN DE FOTONES.
VALOR TPICO:
) N N ( G g . v G
0 N g

) P 1 )( N N ( G G
NL 0 N

NL

7
NL
10


SIMPLIFICACIN:
LA VELOCIDAD DE LA VARIACIN DE LA EMISIN ESTIMULADA G
P
S
=ES UN PARMETRO DEL MATERIAL.
SI LA POTENCIA >10mW
OCURRE UN RECALENTAMIENTO ESPECTRAL DE HUECOS:
b SE PUEDE VARIAR EN EL RANGO DE 0,2 A 1,0
DEBIDO AL EFECTO DE RECALENTAMIENTO DE
PORTADORES.
1 P con
P
P
1 ) N N ( G G
NL
b
S
0 N
<< <<


, ,
_ _




+ +

2
1
b
120
SEGUNDO CAMBIO PARA DETERMINAR LA DESCRIPCIN REAL
REPRESENTA UNA PROPIEDAD IMPORTANTE DE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES.
UN CAMBIO DEL NDICE DE REFRACCIN SE PRODUCE:
SIEMPRE QUE LA GANANCIA PTICA CAMBIE
COMO RESULTADO DE CAMBIOS EN LA
VECINDAD DE PORTADORES N.
PUNTO DE VISTA FSICO:
EN LOS LASERS SEMICONDUCTORES LA
MODULACIN DE AMPLITUD EST SIEMPRE
ACOMPADA POR MODULACIN DE FASE.
ESTO ES CONSECUENCIA A CAMBIOS INDUCIDOS
DE PORTADORES DE CARGA EN EL NDICE DE
REFRACCIN MODAL.
MODULACIN DE FASE SE PUEDE INCLUIR POR MEDIO DE
LA ECUACIN:
=PARMETRO DE ACOPLAMIENTO AMPLITUD-FASE
(FACTOR DE INCREMENTO DE LA ANCHURA DE LNEA)
PERMITE UN INCREMENTO DE LA ANCHURA
ESPECTRAL ASOCIADA CON EL MODO NICO
LONGITUDINAL.
VALORES TPICOS PARA EN LASERS DE InGaAsP EN
EL RANGO DE 4 A 8.
DEPENDE DE LA LONGITUD DE ONDA DE
OPERACIN.
EN LASERS MQW(CON MULTIPOZOS CUNTICOS)
SE OBTIENE BAJOS VALORES DE
C

C

C

C



, ,
_ _







p
0 N C
1
) N N ( G
2
1
dt
d
121
MODULACIN CON PEQUEA SEAL
LA NATURALEZA NO LINEAL DE LAS ECUACIONES DE VELOCIDAD
DE VARIACIN:
HACE NECESARIO DETERMINAR UNA SOLUCIN NUMRICA.
CONDICIONES PARA PEQUEA SEAL
SE DETERMINA UNA SOLUCIN ANALTICA.
EL LASER SE POLARIZA POR ENCIMA DEL NIVEL UMBRAL:
SE MODULA DE TAL FORMA QUE CUMPLA:
EN ESTE CASO SE PUEDE LINEALIZAR LAS ECUACIONES DE
VELOCIDAD DE VARIACIN.
SE RESUELVEN ANALTICAMENTE POR MEDIO DE LA TCNICA
DE LAS TRANSFORMADAS DE FOURIER; PARA UNA FORMA
ARBITRARIA DE :
GP
N
q
I
dt
dN
;
P
R GP
dt
dP
C P
SP




+ +
th b
I I > >
th b m
I I I << <<
) t ( f
p
EL ANCHO DE BANDA DE LA MODULACIN PARA PEQUEA SEAL
SE DETERMINA CONSIDERANDO LA RESPUESTA DE LOS LASERS
SEMICONDUCTORES A LA MODULACIN SENOIDAL.
PARA LA FRECUENCIA:
CON UNA SEAL:
LA SALIDA DEL LASER SE MODULA SENOIDLMENTE.
m

) t ( sen ) t ( f
m P

SOLUCIONES GENERALES PARA LAS ECUACIONES DE VELOCIDAD
DE VARIACIN.
P=NMERO DE FOTONES. N=NMERO DE ELECTRONES
P
b
Y N
b
=VALORES EN EL ESTADO ESTACIONARIO. PARA LA
CORRIENTE DE POLARIZACIN I
b
.
=CAMBIOS PEQUEOS GENERADOS POR LA MODULACIN
DE CORRIENTE.
=CONTROLAN LA POSICIN DE LA FASE ASOCIADA CON LA
MODULACIN DE PEQUEA SEAL.
) t ( sen n N ) t ( N
) t ( sen p P ) t ( P
m m m b
m m m b
+ + + +
+ + + +
m m
n y p
m m
y
122
RESPONDE COMO:
m
p
( ( ) )( ( ) )
R m R R m R
m
N b
m m
j
m m
j j
q
I
G P
) ( p ; e p p
m
+ + + +


[ [ ] ]
2
1
2
N P b N R
4 / ) ( P GG donde
b N
1
C N N P R b NL b sp P
P G ; 2 / ) ( ; GP P / R + + + + + +

p =FRECUENCIA DE LA OSCILACIN DE RELAJACIN.
N =VELOCIDAD DE AMORTIGUACIN DE LA OSCILACIN DE
RELAJACIN.
ESTOS DOS PARMETROS JUEGAN UN PAPEL IMPORTANTE
EN EL CONTROL DE LA RESPUESTA DINMICA DEL LASER
SEMICONDUCTOR.
LA EFICIENCIA DISMINUYE SI LA FRECUENCIA DE
MODULACIN EXCEDE A LA FRECUENCIA R EN UNA
CANTIDAD MUY GRANDE.
LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA
SE INTRODUCE SIMILAR AL CASO DEL LED, COMO:
( ( ) )( ( ) )
R m R R m R
2
R
2
R
m
m m
m
j j ) 0 ( p
) ( p
) ( H
+ + + +
+ +



LA RESPUESTA A LA MODULACIN
PLANA:
MUESTRA UN PICO MXIMO:
MUESTRA UNA CAIDA ABRUPTA: PARA
ESTAS CARACTERSTICAS SE OBSERVAN EN TODOS LOS LASERS
SEMICONDUCTORES
EL ANCHO DE BANDA DE 3dB (f
3dB
)
SE DEFINE COMO LA FRECUENCIA A PARTIR DE LA
CUAL SE REDUCE EN 3dB O EN EL FACTOR 2
COMPARADO CON SU VALOR d.c. DE CORRIENTE
DIRECTA.
R m m
frecuencia para 1 ) ( H << <<
R m

R m
>> >>
) ( H
m

123
LA FUNCIN DE TRANSFERENCIA H(
m
) PARA 3 d.B. (f
3dB
)
( ( ) )
2
1
2
1
4
R
2
R
2
R
4
R
2
R
2
R dB 3
2
2
1
f
1 1
] ]
1 1



+ + + + + + + +


SIMPLIFICACIN: PARA LA MAYORA DE LOS LASERS, ES VLIDO:
( ( ) )
2
1
th b 2
N
2
1
p
2
b N R
dB 3
dB 3 R R
I I
q 4
G 3
4
P G 3
2
3
f
: a aproxima se f
1 1
] ]
1 1








, ,
_ _









<< <<
f
3dB
SE INCREMENTA CON UN AUMENTO EN EL NIVEL DE LA
POLARIZACIN DE ACUERDO A:
P
b
=NMERO DE FOTONES EN ESTADO ESTACIONARIO PARA LA
CORRIENTE DE POLARIZACIN I
b
.
SE OBSERVA UNA DEPENDENCIA DE LA RAIZ CUADRADA
VERIFICADA EN MUCHOS LASERS SEMICONDUCTORES.
( ( ) )
th b b
I I o P
FIGURA: RESPUESTA A LA MODULACIN DE PEQUEA SEAL
MEDIDA EN UN LASER DFB PARA 1,3 m, EN FUNCIN DE LA
FRECUENCIA DE MODULACIN PARA VARIOS NIVELES DE
POLARIZACIN:
12
6
0
- 6
-12
0 5 10 15 20
FRECUENCIA (GHz)
RESPUESTA
(dB)
I
b
/I
th
=1,62
3,08
4,58
6,15
7,69