SEMICONDUCTORES

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Realiza una presentacin en Power Point sobre los semiconductores intrnsecos y los semiconductores dopados, como mximo 16 diapositivas. publica tu presentacin en: www.slideshare.net

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Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de informacin de donde has obtenido las imgenes. Esto demostrar que has realizado una buena investigacin.

 QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo elctrico o magntico , la presin ,la radicacin que le incide ,o la temperatura del ambiente en el que se encuentre .los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre .la caractersticas comn a todos ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuracin electrnica s2 p2.

Semiconductores de la tabla peridica qumica

IIIA B IIB Zn Cd Hg AI Ga In Ti Semiconductores C Si Ge Sn Pb

IVA N P As Sb Bi

VA

Qu es un semiconductor intrnseco? Cuando se encuentra en estado ,puro sea , que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura . En ese caso , la calidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida sea igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conclusin

Semiconductores intrnsecos :

Como se puede observar en la induracin , en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho mas estrecho en comparacin con los materiales aislantes . La energa de salto de banda (Eg)requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1eV aproximadamente .en los semiconductores de silicio (SI),la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio(Ge)es de 0,785eV.

Semiconductor intrnsecos:

Estructura cristalina de u semiconductor intrnseco compuesta solamente por tomos de silicio (si) que forman una celosa ,como se puede observar en la ilustracin ,los tomos de silicio (que solo poseen cuatro electrones en la ultima orbita o banda de valencia ), se unen formando enlaces covalentes para completar 8 electrones y crear as un cuerpo solido semiconductor .en esos condiciones el cristal de silicio se comportara igual que si fuera un cuerpo aislante

Semiconductores dopados:

El numero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea cuando se agregan un pequeo numero de tomos )entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas tomos (en el orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado .este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de tipo P. Tipo N: se llama material tipo N que posee tomos de impureza que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos .los tomos de este tipo se llaman donantes ya que donan o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsnico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la neutralidad elctrica ya que el tomo introducido al semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo que los primeros sern los portadores mayoritarias y los ltimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios ser funciones directa de la calidad de tomos de impureza introducidos.

Semiconductores dopado:

Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo (dopaje N). En el caso del fosfor ,se dona un electrn

Semiconductores dopados :
Tipo P:

Se llama as al material que tiene tomos de impureza que permiten formacin de huecos sin que aparescan electrones asociados a los mismos , como ocurre al romperse una ligadura . Los tomos de este tipo se llaman aceptores , ya que aceptan o toman un electrn . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el tomo introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la neutralidad elctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a parecer una ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de los tomos prximos ,generando finalmente mas huecos que electrones , por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios

Dopantes :
Tipo P: Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso del boro le falta un electrn y ; por tanto .es donado un hueco de electrn.

INFORMACION:

http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp. http://es .wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductoresntr.C3.Adnsecos http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29

GRACIAS.