LE TRANSISTOR

1) Structure Le transistor se compose de deux semi-conducteurs d'un certain type spars par une trs fine lamelle de semi-conducteur de type oppos. On obtient donc soit un transistor PNP, soit un transistor NPN (figure 1). 2) Prsentation a) Le transistor alli (figure 2) Obtenu par fusion rapide de 2 billes d'indium sur un semi-conducteur dop N. La fusion est mal contrle. Employ en grand public. Bon march. (Abandonn). b) A jonction tire Obtenu par tirage d'un monocristal avec agent dopant introduit en temps utile en surface du bain. Drive: la structure Msa. c) Structure planar (figure 3) Cette structure s'obtient par diffusion l'aide d'un systme de masques. La diffusion est bien contrle. On obtient des semi-conducteurs professionnels reproductibles sans trop de dispersion. d) Le transistor pointes Totalement abandonn (figure 4). 3) Fonctionnement Le transistor se prsente comme 2 diodes en opposition. Chaque diode polarise en direct conduira normalement. Chaque diode polarise en inverse s'opposera au passage du courant. Fig. 4 Si on laisse en l'air le point milieu des 2 diodes (la base), et que l'on applique une tension entre les 2 connexions extrmes (dites collecteur et metteur), il ne passera aucun courant puisque l'une des deux diodes sera polarise en inverse. Nota: Le transistor NPN tant le plus rpandu, nous raisonnerons toujours sur ce type, sachant que pour un PNP, il suffira d'inverser tous les sens des tensions et des courants. Si l'on polarise la jonction base-metteur dans le sens passant, elle sera traverse par un courant IB (courant de base). Mais on s'aperoit qu'il passe un courant collecteur infiniment plus grand que le courant de base. C'est ce que l'on appelle l'effet transistor. Fig. 5 Explication : Dans la figure 6, mettons initialement le curseur du potentiomtre P au potentiel d'metteur: la jonction base-metteur ne conduit pas (except le courant de fuite). Lorsque l'on augmente progressivement la tension de base, on voit apparatre un courant IB lorsque la tension base-metteur est de l'ordre de 0,5 V. A ce moment apparat un courant de collecteur. Ceci s'explique par le fait que la base est trs peu paisse et trs peu dope. Elle est envahie par des Fig. 3 Fig. 1

Fig. 2

lectrons qui ont beaucoup de difficults se dplacer vers l'alimentation de base. Les lectrons sautent la barrire de potentiel de la diode base-metteur polarise en inverse et produisent un courant collecteur qui peut tre 10 500 fois suprieur au courant de base. ( notion de gain en courant : IC = ) I B La jonction base-metteur se comporte toujours en diode ; autrement dit, si le courant de base augmente dans de fortes proportions, la tension de base n'augmente pratiquement pas. Fig. 6 Il est noter que si l'on ralise le montage de la figure 7 (qui correspond la structure du transistor) avec des diodes spares, il sera strictement impossible d'obtenir un courant travers la diode D2.

4) Symboles L'metteur est distingu par une flche indiquant le sens conventionnel du courant (Figure 8)

Fig. 7

Fig. 8 5) Courbes caractristiques Le montage de la figure 9 permet le relev des caractristiques dun transistor. La figure 10 regroupe, sur un seul graphique, les caractristiques [VCE, lC], [lC, IB] et [IB, VBE On constate que, ds que VCE dpasse quelques volts, le courant reste presque constant quelle que soit la valeur de VCE (rsistance interne trs leve ; le transistor se comporte comme un gnrateur de courant ; similitude de caractristiques avec la pentode). On constate aussi que la tension base-metteur reste Fig. 9 pratiquement constante quelle que soit la valeur de IB. On constate enfin que la caractristique lC, IB est presque linaire pour les faibles courants. Vers les forts courants, IC augmente proportionnellement moins vite que IB. Le rapport = IC I B exprime le gain en courant statique du transistor command par sa base.

Fig. 10

6) Caractristiques limites Elles limitent les conditions d'emploi des transistors. 6-1) La temprature - Temprature de stockage (Ts ou s) infrieure et suprieure. - Temprature de fonctionnement (Tj ou j) : temprature limite que peut supporter la jonction lors de l'utilisation. Nota : - La temprature maximale de jonction ne doit pas tre dpass lors des oprations de soudure. - Les tempratures infrieures les plus courantes indiques par les constructeurs sont : 0C, - 25C, - 40C, - 55C, - 65C. - Les tempratures suprieures les plus courantes indiques par les constructeurs sont : + 90C, + 125C, + 175C, + 200C. 6-2) La puissance La puissance dissipe dans le transistor est ICVCE. Les conditions sont dfinies par le constructeur : - avec ou sans radiateur. - en fonction de la temprature ambiante. - en rgime continu ou impulsionnel. Les limites de puissance peuvent tre reportes sur les caractristiques (cf. figure 8) (de 100 mW 250 W suivant les types). 6-3) Le courant a) de collecteur : ICM, valeur crte de courant collecteur ne pas dpasser. b) de base : IBM, courant maximal de base (VBE polaris normalement). 6-4) Les tensions (BV = breakdown voltage = tension de claquage) a) de collecteur : dfinie par BVCE ou V(BR)CE par le constructeur. BVCE = Breakdown voltage collector-emitter. BVCEO = V(BR)CEO = Breakdown voltage collector-emitter Open base (base ouverte) (employ pour le fonctionnement en amplificateur). BVCES = V(BR)CES = Breakdown voltage collector-emitter Short base (base la masse). BVCER = V(BR)CER = Breakdown voltage collector-emitter pour base runie l'metteur par une rsistance R indique (employ pour le fonctionnement en commutation). BVCEX = V(BR)CEX = Breakdown voltage collector-emitter avec base polarise sous X volts inverse. On aura toujours: BVCEO < BVCER < BVCES < BVCEX Ces tensions peuvent varier de 15 700 V. b) de base : (dfinie par la tension de claquage zener de la jonction B-E). 6-5) Autres limites - Humidit: Problme d'tanchit: botier bless, perles de verre des sorties fles. - Chocs, vibrations qui brisent les raccordements aux sorties. Danger de certains nettoyages aux ultrasons. - Chocs thermiques: Refroidissement brutal, soudures, causent des tensions mcaniques. - Lumire ou autres rayonnements. Danger en particulier pour les phototransistors sous lumire trop vive. - Erreurs de branchement: Tensions inacceptables, inversion des polarits d'alimentation. - Ne jamais raccorder sous tension (certains problmes de commutation). - Electricit statique (destruction possible).

7) Fonctionnement du transistor . Droite de charge. Construction de la droite de charge. Supposons Rc = 100 . a) Lorsque le transistor ne conduit pas, IC = 0; VRC = 0. VCE = + Valimcntation Point ( A ) (figure 11). b) Lorsque l'on court-circuite (virtuellement) le collecteur la masse, VRC = + Va1irn et VCE = 0. On a alors:
12 V IC = VCR = = 120 mA RC 100

Point (B- Fig.12)

Nota: Lorsque le point ( B ) sort des limites des caractristiques, on procde de la faon suivante: On suppose une certaine chute de tension dans RC (par exemple 6 V). Il passe alors:
Fig. 11 IC = 6V 6V = = 60 mA RC 100

Fig. 12

Le potentiel de collecteur est alors + Va1im - VRC soit ici 12 - 6 = 6 V. Pour cette tension VCE de 6 V, on a 60 mA de courant collecteur, ce qui dfinit le point ( C ) Nous allons choisir ce point ( C ) comme point de fonctionnement. Les caractristiques indiquent que le courant de base de repos sera 600 A. Si le courant de base varie de 400 800 A, le courant collecteur variera de 40 78 mA et la tension collecteur variera de 8 V 4,2 V (lgre non linarit due au point de fonctionnement mal choisi). La tension de base aura vari de 0,5 V 0,52 V, soit 20 mV.

Le gain en courant sera:

78 40 38 = = 95 0 ,8 0 ,4 0 ,4 8 4 ,2 3 ,8 = = 190 0,52 0,5 0,02

Le gain en tension sera:

Le gain en puissance est le produit des 2 gains prcdents, soit 18050. Nota 1 : En examinant la figure 11, on constatera que si l'on change uniquement la tension dalimentation, la droite de charge se dplace paralllement elle-mme (Position (1) pour 12 Valimentation, position (2) pour 9 V et position (3) pour 6 V). Le gain reste constant tant que l'on reste dans les zones de linarit. Nota 2: Dans la zone linaire, la variation de tension collecteur (pour un mme IB) est proportionnelle la rsistance de collecteur (figure 13). Fig.13 8) Observations sur l'emploi des caractristiques. En pratique, les courbes caractristiques sont peu employes. En effet: - Les constructeurs ne fournissent pas toujours les rseaux de caractristiques. - La dispersion de fabrication est telle que les courbes ne peuvent tre qu'une approximation. Dans la ralit, on peut se trouver assez loign du point de fonctionnement dsir. Exemple: ( variant entre 120 et 750 ! !). - Les variations de temprature ambiante peuvent compltement changer le fonctionnement d'un tage. Pratiquement, il faut stabiliser thermiquement le transistor. 9) Quelques caractristiques intressantes signaler Vbe(sat) : Tension de saturation base-metteur (pour laquelle le courant collecteur ne peut plus augmenter). (Conditions de fonctionnement prcises par le constructeur). Vce(sat) : Tension de saturation collecteur-metteur, correspondant CEB, CCE, CCB : Capacits parasites internes. Respectivement metteur-base, collecteur-metteur et collecteur-base (Fig. 14). Rappellons que CCB est la plus influente (effet Miller). Cob: Capacitance de sortie en base commune pour metteur ouvert (Fig.14). fhfb = f : Frquence de coupure en base commune ( baisse de 2 soit 0,707 ou 3 dB). fhfe = f : Frquence de coupure en metteur commun ( baisse de 2 soit 0,707 ou 3 dB). FT : Frquence maximale d'oscillation (pour gain = 1) : Produit gain-bande.

Fig. 14

Caractristiques en commutation (figure 15) td : delay time : temps de retard la mise en conduction. tr : rise time : temps de monte (entre 10 % et 90 %). ts : storage time : temps de stockage (de dsaturation de base). tf : fall time : temps de chute (entre 10 % et 90 %). ton : turn-on time : td + tr toff : turn-off time : ts + tf Caractristiques thermiques: - j ou Tj : Temprature de jonction. - Rth : Rsistance thermique (s'exprime en C/W) : RthA: rsistance thermique entre jonction et ambiante. RthC: rsistance thermique entre jonction etcase (botier). Quelques exemples pour Rth : Botier plastique (T092) : 200 500C/W. T018 : 200 500C/W de RthA, 80C/W de RthC. T05 : 200C/W de RthA, 40 60C/W de RthC' T0202 : 100C/W de RthA, 5C/W de RthC T03: 1,5C/W de RthC' Drives: Fig. 15 - ICBO : Courant de fuite collecteur-base avec metteur ouvert (non raccord). Il double tous les 10C pour le germanium (10 A 25C). Il double tous les 7C pour le silicium (10 nA 25C). - lCEO : Courant de fuite collecteur-metteur avec base ouverte. - VBE : Qui drive de 2 mV/C (caractristique trs linaire, souvent exploite en utilisant un transistor en sonde de temprature. Le transistor s'utilise en diode: base et collecteur runis). 10) Le transistor en commutation Si l'on trace la droite de charge sur les caractristiques, on trouvera deux points particuliers. a) Le point B pour lequel IB = 0 (Fig. 16). Il ne passe aucun courant dans le transistor (except lCEO). Lorsque IB = 0, on dit que le transistor est bloqu. b) Le point S dit point de saturation (Fig. 16). Il correspond l'intersection de la droite de charge avec la partie coude des caractristiques. Si l'on essaie d'augmenter le courant de base, la tension collecteur ne pourra plus baisser. Elle restera une valeur VCE = VCEsat (comprise entre 0,1 et 1 V suivant le type de transistor). Le transistor sera satur si IB > IBmin de saturation. Fig. 16

Au blocage, le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert (figure 17a). A la saturation, il se comporte comme un interrupteur ferm (figure 17b). Nota: Si le constructeur n'indique pas les caractristiques de saturation d'un transistor, on peut les dterminer de faon approche. On aura : ICEsat =

V+ VCEsat ; RC V+ ; RC

ou en approch : ICEsat =

et : IBmindesaturationI CEsat = ICEsat min

Fig. 17

11) Transistors, les montages fondamentaux

ON5HQ

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