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Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14


Kapitel 5
Diode
LS Intelligente Mikrosysteme:
2
Bauelement: Diode
Schaltzeichen:
Anode + - Kathode
I
F
U
F
n - HL p - HL
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
3
Kennlinie der realen Diode

ideal
------- real
thermische Generation in RLZ
ideal, schwache Injektion
starke Injektion, d.h. auch
Majorittstrgerdichte ist
spannungsabhngig
1 e ~ I
T
F
U
U

T
F
U 2
U
e ~ I

Resistiver Bereich
F
I
R
F
U
'
F
U
'
F F F
'
F F
U I R I R U U >> + =
U ~ I
S
F
I
I
log
F
U
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Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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Temperaturabhngigkeit der Gleichstromkennlinie
1) Diode in Sperrbetrieb:
SP
U
SP
I
SP F
U U =
2 2
~
i i
A n
n
D p
p
S SP
n n
N
L
N
L
q A I I I
|
|
.
|

\
|

= =

kT
E
i
G
e T n

2
2 3
~
0
3 1
2
> + =
kT
E
T I dT
dI
G
S
S
( ) ( )
)
`

=
dx
dy
y
x y
dx
d 1
ln
Zahlenbeispiel:
( )
1
1 , 0 01 , 0 : 300

+ =

K
dT I
dI
K Ge@
S
S
( )
1
16 , 0 01 , 0 : 300

+ =

K
dT I
dI
K Si@
S
S
, also Verdopplung alle 10 Grad
, also Verdopplung alle 6 Grad!
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2) Diode mit angelegter Flussspannung:
F
U
I
T
F
T
F
U
U
S
U
U
S
e I e I I
|
|
.
|

\
|
= 1
T
F
T
F
U
U
T
F
S
U
U
S
const U
e
T U
U
I e
dT
dI
dT
dI

+ =
=
1
0
3 1 1
2 2
>

+ =

=
kT
U q E
T kT
U q
I dT
dI
I dT
dI
F G F
S
S
Etwas kleiner als bei Sperrstrom, dennoch starker Anstieg mit T
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3) Diode mit konstantem Flussstrom:
. , const I I I
S
= >>
S
T F
I
I
U U ln
K
mV
K
mV
T
U
q
E
dT
dU
F
G
const I
F
5 , 2 ... 5 , 1
+
=
=
F
U
I
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Arbeitspunkt und Kleinsignalaussteuerung
Konzept: Betrachte Strme und Spannungen als berlagerung von
statischem Arbeitspunkt und
vernderlicher Kleinsignalaussteuerung
( ) ( ) ( ) t f U t u U t U + =

( ) ( ) ( ) t f I t i I t I + =

mit ( ) ( )

<< << I t i U t u
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Wenn AP bekannt:
Ersetze BE Gleichung durch
Tangente an Kurve
lineare Nherung
Kleinsignal - ESB
AP
( ) t U
U
( ) t i ( ) t I
I t
( ) t u
t t
t

I
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Kleinsignal ESB Dioden
F
I
F
U

I
AP

=
=
U U
F
F
0
dU
dI
g T
F
T
F
U
U
S
U
U
S F
e I e I I
|
|
.
|

\
|
= 1
T
F
T
U
U
S
F
F
U
I
U
e I
dU
dI
T
F
= =
1
Diode stellt im Flussbetrieb den Leitwert dar:
( ) t u
0
g ( ) t i
( )
( )
T
U
I
g
t u
t i

= =
0
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Diffusionsadmittanz
- Minorittstrgerinjektion ist spannungsabhngig
- Minorittstrger-Ladungen haben relativ lange Lebensdauer
kapazitiver Effekt
p , n
( ) u u p
n
~
+
HL - n

p
L
( ) u p
n
n0
p
n
x -
( ) u
~
u n
p
+
HL - p

n
L
( ) u n
p
p0
n
n
x -
RLZ
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Ansatz:
t j
F
t j
F
e I I I e U U U

+ = + =
~ ~
gesucht: Diffusionsadmittanz
D
Y
U
I
=
~
~
( )
|
|
.
|

\
|
+
= =
=
+
t j
T
U
U
n
U
e U
U
U
n
U
e U U
n
U
U
n n n
e
U
U
e p
e e p e p
e p x p
T
T
t j
T T
t j
T
F


~
1
0
~
0
~
0
0
{benutzte Nherung: e
x
1+x fr x << 1}
( )
T
n n
p
t j
T
U
U
n
p
U
U
n n n
U
U
p p e
U
U
e p e p x p
n
T
n
T
~
~
~
~
0 0
= + =

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Fr Stromdichte (Wechselanteil) gilt:
dx
p d
D q S
n
p p
' ~
~
= Diffusionsstrom
Setze Kontinuittsgleichung an (nicht stationr)
dt
p d p
dx
S d
q
n
p
n
p
' ' ~ ~
~
1
= +

'
' '
2
' 2
~
~ ~ ~
n
n
p
n n
p
p j
dt
p d p
dx
p d
D = =

DGL:
p p
p
n
n
D
j
p
dx
p d

+
=
1
~
~
'
2
' 2
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Lsung:
( ) ( )

+
=
p
p
n n n
L
j
x x p x p
1
exp
~ ~ ' '
wegen p p p
D L =
p
p
p t j
n p
j
L
D q
e p S

= 1
~
~
'
T
U
U
n
T
n n
U
U
e p
U
U
p p
T
~ ~
~
0
'
= =
( )
n p
S S A I
~ ~ ~
+ = Strom
|
|
.
|

\
|
+

+ +

=
n
n
p n
p
p
n p
j
L
n D
q j
L
p D
q U A I 1 1
~ ~
0 0
T
D
U
I
g j g
U
I
Y = + = =
0 0
1
~
~
mit
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)
`

+ + + + ...
8
1
2
1
1 1
2 2
j j : Nherung
|
.
|

\
|
+ +
2 8
1
1
2 2
0

j g Y
D
DIFF
G
DIFF
C
:
D
Y
T
DIFF
T
DIFF
U
I
g C
U
I
g g G

= =
=
|
.
|

\
|
+ =
2 2
8
1
1
0
0
2 2
0


Diffusionskapazitt
Diffusionsleitwert
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Zahlenbeispiel:
3 16
10

= cm N
D
3 18
10

= cm N
A
s 1
V U
F
65 , 0 =

=

=
5 , 2
1
1
40
0
2
2
0
g mm
cm A
g
F C mm
cm
F
A
C
DIFF
DIFF

2 , 0 1
20
2
2
= =
vgl. Sperrschichtkapazitt:
pF C mm
cm
nF
A
C
Sp
Sp
700 1
70
2
2
= =
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Kleinsignal ESB:
DIFF
C
Sp
C
0
g
Sperrbereich:
Flussbereich:
0 ,
0
>> g C C
DIFF Sp
T
Sp DIFF
U
I
g C C >>
0
,
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Schaltverhalten der pn Diode
A
Spannungssteuerung:
Sp
U
F
U
D
U
D
I
Einschaltvorgang
( ) x p
n
n0
p
0 t <
1
t
2
t
t
x
n
x
D
U
t
Sp
U -
F
U +
D
I
t
F
I
S
I -
t=0
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Abschaltvorgang
( ) x p
n
n0
p
0 t <
1
t
2
t
t
x
n
x
3
t
t
t
D
U
Sp
U -
F
U +
D
I
F
I +
S
I -
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Einschaltvorgang
- Spannungssprung erhht sofort die Randkonzentration
- bis exponentielles Diffusionsprofil aufgebaut ist, wird der Strom nur durch
parasitre Bahnwiderstnde begrenzt
Aufbau von Minorittstrgerladung
F Sp D
U U U + =
Zusteuervorgang
- Umschalten auf Sperrspannung verringert sofort die Randkonzentration
- bis Minorittstrgerladung abgebaut ist, fliet ein sehr hoher Rckstrom
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B
Stromsteuerung:
Einschaltvorgang
( ) x p
n
n0
p
0 t <
1
t
2
t
t
x
n
x
D
U
t
Sp
U -
F
U +
D
I
t
F
I +
S
I -
D
U
Sp
I
D
I
F
I
R
I
Sp
>I
S
!
daher R fr berschssigen Strom
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Abschaltvorgang
( ) x p
n
n0
p
0 t <
1
t
2
t
t
x
n
x
3
t
t
t
D
U
Sp
U -
F
U +
D
I
F
I +
S
I -
R
I -
S
t

t
t

: bergangszeit, RC Zeitkonstante fr Umladung der Sperrschichtkapazitt
t
S
: Sperrverzugszeit
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Abschaltvorgang
- Rckstrom rumt whrend t
S
(ns ... 10s) die gespeicherte
Minorittstrgerladung Q
S
aus (Sperrverzugszeit, Sperrverzugsladung)
- Falls (keine Zeit fr Rekombination)
( ) ! -I I
S R
>>
Einschaltvorgang
- eingeprgter Strom I
F
gibt Gradienten des Minorittstrger -
Diffusionsprofils vor
- es kann zu berschwingern kommen, da die Diode hochohmig ist
- Minorittstrgerladung wird durch Konstantstrom aufgebaut
F R
I I >>
|
|
.
|

\
|
+ =
R
F
S
I
I
t 1 ln
R
I
R
F
S
I
Q
I
I
t =
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Zener Effekt
Clarence Melvin Zener (* 1. Dezember 1905 in Indianapolis, Indiana, USA, 15. J uli 1993), Physiker und Elektrotechniker
Bei hoher Dotierung und angelegter Sperrspannung besitzen die
Elektronen im Valenzband des p HL und Leitungsband des n HL die
gleiche Energie:
E E
G
E
G
E
RLZ
HL - p
HL - n
0 0
Sp D
U U +
Sp
U e
ohne Sperrspannung
0 U=
mit Sperrspannung
Tunnelstrom durch dnne RLZ setzt ein!
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Resultierende Kennlinie:
Durchbruchspannung (Zener Spannung) U
Z
Temperaturabhngigkeit
3 18 17
10 ... 10 , , 5

cm N N V U
D A Z
0 <
Z
U
TK

Z G
U E T
Z
U
F
I
F
U
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Lawinen Effekt (Avalanche Durchbruch)
p - HL n - HL
RLZ
U
Sp
Ladungstrger nehmen aus dem elektrischen Feld so hohe Energie auf,
dass durch Sto neue Elektron Loch Paare erzeugt werden
Lawinen - Multiplikation
( ) V V V BU
L
200 ... 5 5 >
7 ... 5 , 1
1
1
=
|
|
.
|

\
|

= n
BU
U
I I
n
L
Sp
S
mit
D
L
N
BU
1
~
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praktisch: - sehr hoher Stromanstieg
- Zerstrung, falls Strom (Leistung) nicht limitiert
Temperaturabhngigkeit BU
L
:
Zenerdioden mit beruhen auf Lawineneffekt.
0 >
L
BU
TK
U E v T
kin Drift

V 5 U
Z
>
0
4
2
-2
K
mV
dT
dU
z
V
U
Z
6 4 2
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Punch Through
Falls die angelegte Sperrspannung nicht mehr vollstndig in RLZ abgebaut
werden kann, knnen RLZ bis zu den Kontakten (Metall o..) reichen.
V
BU
1000
1
10
100
10
15
10
18
10
16
10
17
N
D
D PT
N BU ~
D
r
D
PT
U
N q w
BU


=

0
2
2
2
0
2
1
c
D
r
L
E
N q
BU



D PT
N ~ BU
D
L
N
~ BU
1
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Fotodioden, Solarzellen
Licht ausreichender Energie generiert Elektron Loch Paare
RLZ
Sp D
U U +
F Sp
U U =
n HL
p HL
h
Sp
U
Sp
I
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Fotostrom I
PH
erhht den Sperrstrom:
q PH
A q I =
0
: Lichtstrom
0

: Quantenwirkungsgrad
q

PH
U
U
S F Sp
I e I I I
T
F

|
|
.
|

\
|
= = 1

F
U
0
0
=
01 0
=
02 0
=
F
I
R
L
: Lastgerade
Bei Leerlauf ( )
L
R
S
PH
T
S
PH
T PH
I
I
U
I
I
U U
ln
1 ln

|
|
.
|

\
|
+ =
Generatorbetrieb im 4. Quadranten
(

2
1
m s
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