SEMICONDUCTORES

PRESENTACION.

PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES
1.1 Diodo rectificador de onda completa
1.2 Puente rectificador de onda completa


PRACTICA 2 OTRAS APLICACIONES DEL DIODO
2.1 Doblador de voltaje
2.2 Circuito recortador
2.3 Fijador de nivel


PRACTICA 3 POLARIZACION
3.1 Polarizacin del transistor


PRACTICA 4 AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT
4.1 Amplificador de voltaje con ganancia de 10


PRACTICA 5 AMPLIFICADOR CON J-FET
5.1 Amplificador de voltaje con ganancia de 10



PROYECTO FINAL AMPLIFICADOR MULTI-ETAPAS
- AMPLIFICADOR DE 4 ETAPAS


EXPOSICIN
- DOS CIRCUITOS QUE CONTIENEN
TRANSISTORES.







2










PRESENTACIN



































3

INTRODUCCIN



El presente reporte ha sido elaborada con el propsito de
mostrar lo realizado durante el curso, posteriormente los conocimientos adquiridos
sern aplicados en las distintas reas de Electrnica.


La informacin recopilada en este reporte corresponde al mismo
orden del desarrollo temtico del programa



PRACTICA 1

DIODOS RECTIFICADORES





El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:

En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua,
tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando
se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se
alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento
drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo.

Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores,
limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc.




Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante):


1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no
(V
RRR mx.
o V
R mx.
, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de
tres veces) que la mxima que este va a soportar.
4

2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al
componente, repetitiva o no (I
FRM mx.
e I
F mx.
respectivamente), he de ser
mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.

3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha
de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar



Parmetros caractersticos de un rectificador

Corriente media directa: Es la mxima intensidad media que puede
circular en sentido directo.
Corriente de pico directa: Mxima intensidad de pico que puede
circular en sentido directo en forma de impulsos peridicos.
Mximo impulso de corriente: Es la mxima intensidad que puede
circular en sentido directo en forma de impulsos no peridicos.
Tensin inversa de pico: Mxima tensin de polarizacin inversa que
puede ser aplicada a la unin PN de los diodos.


FILTRADO

La salida de cualquiera de los rectificadores anteriormente expuestos debe ser
modificada para que se aproxime lo ms posible a una corriente continua pura.
Para ello se utiliza un filtro (tipo paso bajo) para as aplanar los impulsos
rectificados.

Factor de rizado
La seal obtenida en la salida de un sistema de alimentacin no es totalmente
constante como sera de esperar, ya que los filtros no consiguen aplanar
totalmente la seal de salida. Esta seal podemos considerarla como el resultado
de superponer una corriente alterna a una corriente continua.





A la componente alterna de la seal rectificada se le denomina rizado. La cantidad
de rizado que aparece a la salida de un filtro se expresa por un coeficiente que
recibe el nombre de factor de rizado, el cual es igual a la relacin existente entre el
valor eficaz de la tensin de rizado y la tensin continua de salida (Vs media). Se
suele expresar en tanto por ciento, y podemos considerar ptima (siempre
5
dependiendo de las aplicaciones) una seal de salida con un factor de rizado
menor del 10%.

Por tanto, el factor de rizado responde a la frmula

(%) Fr =100xVr/Vs media

La tensin de rizado Vr depender del tipo de rectificador utilizado, media o doble
onda, y del filtro empleado.


1.1 DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

El rectificador de doble onda, tambin denominado onda completa, est formado
por dos rectificadores de media onda que funciona durante alternancias opuestas
de la tensin de entrada
El secundario del transformador tiene en su punto intermedio una toma conectada
a masa, obtenindose as dos tensiones iguales y desfasadas 180 grados que se
aplican alternativamente a los nodos de cada diodo.
Cuando llega el semiciclo positivo a un diodo, al otro le llega el semiciclo negativo,
con lo cual uno conduce y el otro no, y viceversa. Consecuentemente siempre
habr un diodo conduciendo, obtenindose en la salida nicamente semiciclos
positivos
En este circuito tenemos
Vs = Vmx / 1,41
Vs media =2Vmx / PI

Aplicaciones. Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin,
teniendo un gran rendimiento y posibilidad de proporcionar una gran gama de
tensiones con corrientes moderadas. Se utilizan mucho para la carga de bateras
porque as se evita el peligro de la saturacin del ncleo del transformador.




Filtro a condensador en el rectificador de doble onda


En este caso, el efecto producido por el condensador es el mismo, pero el tiempo
de descarga se reduce a la mitad y consecuentemente la magnitud de los
impulsos de corriente disminuye.

6
La tensin de salida del circuito y la corriente sern idnticas a las obtenidas en el
rectificador de media onda; ahora bien, al ser el doble la frecuencia de los
semiciclos que llegan al condensador, la tensin de rizado ser menor y se
obtendr una tensin ms constante.






Armar el circuito de rectificador de onda completa y medir lo
siguiente:

1. Medir voltaje AC en el primario y secundario del transformador rectificador.

2. V CD en primario y secundario del transformador.

3. Voltaje de corriente alterna en cada uno de los diodos.

4. Voltaje de corriente directa en los extremos de los diodos.

5. Voltaje de DC en la carga.

6. Voltaje de AC en la carga.

7. Medir voltaje pico con osciloscopio.




8. Dibujar forma de onda de voltaje en la carga.



7





9. Medir voltaje de DC y AC con un filtro de 100f.

10. Medir voltaje de P.P de rizo con osciloscopio.

11. Medir voltaje de DC y AC con filtro de 1000f. (en la carga)

12. Medir voltaje de P.P de rizado con el osciloscopio.



Forma de onda de rizado en el osciloscopio.













Valores Medidos
con el Multmetro
Valores Medidos con
el Osciloscopio
Valores
Calculados
y/o Nominales
Punto 1 Primario: Primario: Primario:
8
Voltaje de ca en el
primario y
secundario del
transformador
122.8Vca
Secundario:
11.7Vca
163.30Vp
Secundario:
32.15Vp
110V
Secundario:
24V
Punto 2
Voltaje de cd en el
primario y
secundario del
transformador
Primario:
0V
Secundario:
0V
Primario:
0V
Secundario:
0V
Primario:
0V
Secundario:
0V
Punto 3
Voltaje de ca en
los diodos

Vd1: 6.75V ca
Vd2: 6.75V ca


Vd1: 15.66Vp
Vd2: 15.63Vp


Vd1: 12V
Vd2: 12V

Punto 4
Voltaje de cd en
los extremos de
los diodos

Vd1: 7.54V dc
Vd2: 7.61V dc


Vd1: 9.5Vp
Vd2: 9.5Vp


Vd1: 10V
Vd2: 10V

Punto 5
Voltaje de cd en la
carga

9.15V cd

12.58Vp

10.82V
Punto 6
Voltaje de ca en la
carga

4.97V ca

6.67Vp

6V
Punto 7
Voltaje pico con
osciloscopio

9.12 V

8.75Vp






Punto 9
Voltaje de cd y ca
con filtro de 100f

12.15Vcd
2.15V ca.

16.3Vp cd
1.25Vp ca


15.491V
Punto 10
Voltaje de p.p de
rizo con
osciloscopio.




8Vp cd


16.291V
Punto 11
Voltaje de cd y ca
con filtro de
1000f en la
carga.

14.32V cd.
.33V ca.

Punto 12
Voltaje p.p de
rizado con el
osciloscopio.

13.26 Vpp

7.43 V
9



1.2 PUENTE RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Son cuatro rectificadores de media onda conectados en la forma indicada en el
circuito.

En este rectificador las frmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el
anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser 0,6 voltios
inferior pues al haber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser ahora de
0,6+0,6. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el transformador no necesita
toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en cada
semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior






Armar el circuito de rectificador de onda completa y medir lo siguiente:


1. Medir voltaje AC en el primario y secundario del transformador rectificador.

2. Voltaje de DC en primario y secundario del trasformador.

3. Medir voltaje de AC en cada uno de los diodos.

4. Medir voltaje de CD en los extremos de los diodos.

5. Medir el voltaje de DC en la carga

6. Medir el voltaje de AC en la carga

7. Medir voltaje pico con el osciloscopio.

8. Dibujar forma de onda de voltaje en la carga.
10














9. Medir voltaje de AC y DC con un filtro de 100f (con Multmetro).

10. Medir voltaje de P.P de rizo con osciloscopio.

11. Medir voltaje de CA y DC con filtro de 1000f.

12. Medir voltaje de P.P de rizado con el osciloscopio.




Forma de onda de rizado.

11


Punto 9
Medir ca y cd con
filtro de 100F

12.15Vcd
2.15Vca


12.52V
1.95V ca


Punto 10
Voltaje de p.p de
rizo con
osciloscopio.

7.95V


8.00V p.p


8.26V
Punto 11
Voltaje de ca y cd
con filtro de
1000f

14.32V cd
.33V a

14.35V
.35V

Punto 12
Voltaje pico a pico
de rizado con el
osciloscopio.

.132V p.p

.215 V
Valores Medidos
con el Multmetro
Valores Medidos con
el Osciloscopio
Valores
Calculados
y/o Nominales
Punto 1
Voltaje de ca en el
primario y
secundario del
transformador
Primario:
122.8V
Secundario:
11.7V
Primario:
124.17Vp
Secundario:
12.14Vp
Primario:
127V
Secundario:
12V
Punto 2
Voltaje de cd en el
primario y
secundario del
transformador
Primario:
0V
Secundario:
0V
Primario:
0V
Secundario:
0V
Primario:
0V
Secundario:
0V
Punto 3
Voltaje de ca en
los diodos
Vd1: 6.75V
Vd2: 6.75V
Vd3: 6.22V
Vd4: 6.22V
Vd1: 6.20Vp
Vd2: 6.21Vp
Vd3: 6.20Vp
Vd4: 6.22Vp
Vd1: 12V
Vd2: 12V
Vd3: 12V
Vd4: 12V
Punto 4
Voltaje de cd en
los extremos de
los diodos
Vd1: 4.54V
Vd2: 4.61V
Vd3: 4.61V
Vd4: 4.57V
Vd1: 5.78Vp
Vd2: 5.69Vp
Vd3: 5.45Vp
Vd4: 5.84Vp
Vd1: 10V
Vd2: 10V
Vd3: 10V
Vd4: 10V
Punto 5
Voltaje de cd en la
carga

9.15V

10.58Vp

10.82V
Punto 6
Voltaje de ca en la
carga

4.97V

5.23Vp

6V
Punto 7
Voltaje pico con el
osciloscopio.



8.75V p

8.92V
12



PRACTICA 2

OTRAS APLICACIONES

2.1 DOBLADOR DE VOLTAJE

Un circuito multiplicador de tensin est formado por diversos rectificadores de
media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin
mltiplo de la recibida en su entrada.

En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la
tensin mxima de la seal de entrada

Cuando llega el semiciclo negativo, el primer diodo conduce pues queda
polarizado directamente y se carga el primer condensador a la tensin mxima de
entrada; durante este tiempo no conduce el segundo diodo.

En el semiciclo positivo no conducir el primer diodo, pues queda polarizado
inversamente y se comportar como un circuito abierto, siendo el segundo diodo el
que permitir la conduccin ya que est polarizado directamente y
consecuentemente se cargar el segundo condensador (que es donde se toma la
tensin de salida). Esta tensin de carga ser la suma de la tensin en la entrada
ms la del primer condensador, siendo as la tensin total en la salida el doble de
la seal mxima de entrada.

Vsalida=2xVentrada mxima

Si seguimos disponiendo diodos y condensadores iremos haciendo que la tensin
de salida sea el triple, cudruplo, etc. de la seal alterna de entrada.






13



CIRCUITO RECORTADOR O LIMITADORES

Limitadores de tensin o recortadores son circuitos que emplean como elemento
fundamental el diodo. Su misin es recortar la seal de entrada en un cierto
sentido segn se disponga el diodo y una tensin continua auxiliar. Podemos
distinguir dos tipos de recortadores: Recortadores a un nivel y recortadores a dos
niveles.


Limitadores a un nivel

Ejemplo 1





14



Semiciclo positivo de la tensin de entrada:

Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la batera, el diodo
queda polarizado inversamente (circuito abierto), con lo cual la tensin de salida
es igual a la tensin de entrada (Vs=Ve).

Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin de la batera, el diodo
queda polarizado directamente (cortocircuito), siendo ahora la tensin de salida
igual a la de la batera (Vs=5v).

Semiciclo negativo de la tensin de entrada:
Tanto si la tensin de entrada es mayor o menor que la tensin de la batera, el
diodo se encontrar polarizado inversamente (circuito abierto) y la tensin en la
salida ser igual a la de la entrada (Vs=Ve).



REALIZAR EL CIRCUITO RECORTADOR A DOS NIVELES










15

Semiciclo positivo de la tensin de entrada:
Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de las bateras, los diodos
quedan polarizados inversamente y la tensin de salida es igual a la tensin de
entrada (Vs=Ve).


Cuando la tensin de entrada sea mayor que la de las bateras, el diodo 1 se
polariza inversamente y el diodo 2 directamente, as que la tensin en la salida
ser la de la batera 2 (Vs=5v).

Semiciclo negativo de la tensin de entrada:

Si la tensin de entrada es menor que las de las bateras, los diodos 1 y 2
quedarn polarizados inversamente y la tensin en la salida ser la de entrada
(Vs=Ve).

En el caso de que la tensin de entrada sea mayor, el diodo 1 queda polarizado
directamente y el diodo 2 inversamente; la tensin en la salida ser la de la batera
1 (Vs=5v).


2.3 FIJ ADOR DE NIVEL

Lo que hace el circuito fijador de nivel es agregar una componente de corriente
continua a la seal a la forma de la seal original que ha sido respetada y lo que
ha sucedido es un desplazamiento vertical de dicha seal.


El primer semiciclo negativo del voltaje de entrada el diodo se enciende. El
capacitor de carga a Vp con la polaridad que se muestra en la figura. Ligeramente
despus del pico negativo el diodo se apaga. La constante de tiempo RLC se
hace deliberadamente mucho mayor que el periodo T de la seal de entrada. Por
esta razn el capacitor permanece casi completamente cargado durante el tiempo
de apagado del diodo. En primera aproximacin el capacitor acta como una
batera.



16















































17
PRACTICA 3

POLARIZACION

3.1 POLARIZACION DE UN TRANSISTOR

Introduccin

El transistor unipolar es un elemento cuya resistencia interna puede variar en
funcin de la seal de entrada aplicada; esta variacin provocada hace que sea
capaz de regular la corriente que circula por el circuito en el que se encuentra
conectado.

Est formado por la unin de tres pastillas semiconductoras (N o P) unidas entre
s, siendo la central diferente a las de los extremos; de este modo, podemos
encontrar transistores NPN o PNP. La pastilla central es la base y es la ms
pequea de todas, y las de los extremos son el emisor y el colector (mayor que la
del emisor).

El emisor est fuertemente dopado de portadores, y su misin es inyectarlos en la
base. La base est ligeramente impurificada (menos dopada), y es por aqu por
donde pasan los portadores que proceden del emisor camino del colector; de esta
manera se crea una corriente. El colector est ms dopado que la base, pero
menos que el emisor, siendo ste quien recoge los portadores que vienen del
emisor y no ha recogido la base.




En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo
siguiente:

Vcb +Vbe =Vce Ic +Ib =Ie






18
Adems, como un parmetro muy importante, tenemos que:

B (beta o hfe) =Ic/Ib

Y es la ganancia de corriente colector-base cuando la resistencia de carga
es nula.


Polarizacin

Consiste en conseguir las tensiones adecuadas en cada punto del circuito, las
corrientes deseadas y el punto de reposo (o trabajo) Q. Todo lo anterior implica
conectar los transistores a ciertas resistencias que, por medio de las cadas de
tensin producidas en ellas, lograrn establecer los valores pretendidos, as como
su estabilidad. Todo esto se har a partir de tensiones continuas.

Recta de carga esttica

Ser una recta situada en el primer cuadrante que cortar a las curvas Ic = f (Vce)
--corriente de colector funcin de la tensin colector-emisor--.

Para obtener los dos puntos que definen la recta, plantearemos la ecuacin de la
malla de colector en el circuito que estemos analizando, haremos Ic = 0 y
obtendremos Vce (punto de corte con el eje horizontal y mxima tensin que se
puede aplicar). A continuacin hacemos Vce = 0 y obtendremos Ic (punto de corte
con el eje vertical y mxima corriente que nos puede proporcionar).

Punto de trabajo

Siempre est situado en la recta de carga y dentro de alguna curva, especificando
una cierta corriente de colector Ic y una determinada tensin colector-emisor Vce.

Para obtener el punto de trabajo Q plantearemos tres ecuaciones: La de la malla
de base, la de la malla de colector y por ltimo la ecuacin del transistor Ic = B x
Ib.

Posteriormente veremos aplicaciones de lo anterior en diversos circuitos de
aplicacin.









19
Zonas de trabajo

Dependiendo de la posicin del punto de trabajo, podemos distinguir tres zonas:
Zona de corte, zona activa y zona de saturacin.


Zona de corte

En esta zona siempre tendremos Ib = 0, Ic = 0, Vce = Vcc. El transistor se
comporta prcticamente como un circuito abierto.

* Zona activa

Aqu es donde el transistor suele trabajar, siendo la zona en donde el transistor
amplifica, cumplindose Ic = B Ib, Vce = 0,6v (0,2v para el caso de transistores de
germanio).

* Zona de saturacin

El transistor se comporta aproximadamente como un cortocircuito. Vce = 0,2v,
Ibsat > Ib, Icsat = B Ibsat, Ic = Icsat

Configuraciones bsicas

Son las siguientes:
- Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector.
- Base comn: Entrada por emisor y salida por colector.
- Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.







20
Polarizacin por divisor de tensin en base (auto polarizacin)




El mecanismo elctrico de este circuito es muy eficaz y se desarrolla del siguiente
modo: Si suponemos un aumento de Ic, la cada de tensin en Re aumenta y
contrarresta el aumento de la corriente Ic porque se produce un descenso en la
tensin de polarizacin de base Vbe.
R1 y R2 son las resistencias que hacen variar el punto de trabajo Q y
consecuentemente la zona de trabajo.

Obtencin del punto Q:

Ecuacin de corrientes: Ie =Ic+Ib
Malla de colector: Vcc-Vce =IcRc+(Ic+Ib)Re
Ecuacin de tensin en base: Vbb =Vcc R2/(R1+R2)
Rb =R1R2/(R1+R2)
Malla de base: Vbb-Vbe =IbRb+(Ic+Ib)Re
Ecuacin del transistor: Ic =BIb (suponemos B = 110)



Se pueden realizar circuitos de polarizacin en los que las posibles desviaciones
de los parmetros de los transistores tengan menor importancia. Todos ellos se
basan en la presencia de realimentaciones de continua y el mejor ejemplo es el
circuito de la figura 4 que es, por otra parte, el ms utilizado en circuitos con
transistores discretos.
Las resistencias R
1
y R
2
se conocen como resistencias de polarizacin, R
E
es la
resistencia de emisor y la resistencia R
L
es la resistencia de carga. Dado que la
potencia de la batera se distribuye entre el transistor y la carga en el circuito de la
figura 2, es evidente que existe una prdida de potencia al incluir una resistencia
en el emisor en el circuito de la figura 4.





21
Ahora la potencia de la batera ha de distribuirse entre la carga R
L
(R
L
I
C
2
), el
transistor (V
CE
I
C
) y la resistencia de emisor (R
E
I
E
2
), por lo que el valor de esta ha
de ser pequeo.




El circuito se analiza mejor si se substituye R
1
y R
2
por su equivalente Thevenin,
como se refleja en la figura 5. Ahora R
B
= R
1
//R
2
y V
BB
= V
CC
x R
2
/(R
1
+R
2
). Las
ecuaciones de las mallas sern:





Estas ecuaciones en conjunto con las ecuaciones (3) resuelven tanto el problema
directo como el inverso. Habr de considerarse tambin que I
E
= I
C
+ I
B
. En el caso
del problema inverso se puede obtener una solucin aproximada si se desprecia el
efecto Early y se supone V
BE
= 0.7V. En este caso:

En el caso del problema directo existen infinitas soluciones para cada punto de
operacin y hacen falta ms criterios para definir unvocamente los valores de las
resistencias. Para obtener esos criterios hace falta conocer las expresiones de las
impedancias de entrada y de salida del circuito, puesto que son factores
determinantes del funcionamiento del amplificador y adems muy dependientes de
la eleccin de las resistencias. Veremos estas expresiones ms adelante. Otro
factor determinante en las resistencias de polarizacin es la estabilidad del
circuito.
Tenemos en principio la estabilidad trmica, que se consigue haciendo la
resistencia de emisor grande y R
B
(paralelo de R
1
y R
2
) lo ms pequea posible,
an cuando estos dos factores estropearn de forma importante las caractersticas
del amplificador.


22
Otra cuestin es la estabilidad del circuito frente a un posible cambio del
transistor. Nos interesa que la corriente de colector I
C
sea lo ms independiente
posible de IS y de BF, de forma que las dispersiones de estos parmetros tengan
el mnimo efecto en el punto de operacin.

La primera ecuacin de (5) puede escribirse de la forma:



Donde se ha supuesto que por estar en zona activa I
B
<<I
C
y por lo tanto I
C
I
E
. Est
claro que si queremos un valor de I
C
determinado nicamente por los parmetros
externos y no por el transistor deberamos conseguir que los trminos R
B
I
B
y V
BE

sean despreciables frente a R
E
I
C
. Para ello necesitamos un valor grande del
primer trmino de la ecuacin (7) y consecuentemente de R
E
. Es decir R
2
>R
1
, R
B

pequeo y R
E
grande.

Por las razones de prdida de eficiencia en potencia del amplificador no se puede
hacer R
E
demasiado grande frente a R
L
. Tpicamente se escoge un valor para R
E

del orden del 10% de R
L
. La determinacin exacta de R
B
vendr casi siempre
elegida por la impedancia de entrada.

De acuerdo a lo visto anteriormente:

Material y equipo utilizado:
-Una fuente de 12V
-Generador de funciones
-Osciloscopio
-Transistor BC547
-4 Resistencias de:
-670 ohms
-120 ohms
-22k
-160k










23

DESARROLLO:
CALCULOS NOMINAL REAL
Beta B = 200 B = 247
Vcc=Vce + ic (Rc+Re)
12= 8 + 5mA (Rc+Re)
12-8/5mA = Rc + Re
Rc + Re = 800 ohms








Rc = 670 ohms Rc = 670 ohms
Re = 120 ohms Re = 120 ohms
Rb = Rc(B+1)/10
Rb =670(248)/10 = 16.616K






VBB = Vbe + Ie Re
VBB = 0.7 + 5mA (120)
VBB = 1.3 V








R1 = Rb/1-(VBB/Vcc)
R1 =16.6/1-(1.3/12) =
18.63K


R1 = 22Kohm

R2 = Vcc/VBB (Rb)
R2 = 12/1.3 (16.6K) =
153.37K




R2 = 160Kohm


R1 = Rb/1-(VBB/Vcc)
R1 =16.6/1-(1.3/12) =
18.63K


R1 = 22Kohm

R2 = Vcc/VBB (Rb)
R2 = 12/1.3 (16.6K) =
153.37K




R2 = 160Kohm
















24
PRACTICA 4

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT


El principal problema que nos encontramos es la falta de valores de los elementos
pasivos de polarizacin, por lo tanto carecemos de un punto de partida a partir del
cual podamos ir calculando los dems valores significativos del circuito. Por lo
tanto lo que se har es seguir el mtodo clsico de anlisis de circuitos
transistorizados que trabajan como amplificadores por tanto supondremos que
estn trabajando en su zona activa para as realizar su misin, de esta forma
despejaremos los valores mas significativos para nosotros (ganancia, resistencia
de entrada) y los dejaremos en funcin de los parmetros del circuito, de esta
forma podremos ver como se relacionan unos con otros y as ver cual puede ser la
solucin mas ptima.

Hay que hacer una observacin, el valor de la fuente de alterna es de 20 mV y
este valor de tensin es el que cae en la conexin base emisor del transistor por lo
tanto siempre estaremos violando la condicin de pequea seal que establece
que VBE (MAX) no debe de sobrepasar los 10 milivoltios para que el transistor
trabaje en una zona cuasi lineal de forma que no haya distorsin.

Luego partimos de la base de que con esta configuracin siempre vamos a tener
una distorsin ms o menos significativa debido al elevado valor de pico de la
fuente de alterna.

Hechas estas consideraciones pasaremos a realizar el anlisis clsico de este
amplificador.

La configuracin amplificadora ms usada del transistor bipolar es la de emisor
comn. Se denomina as porque la seal de entrada se introduce entre base y
emisor y la seal de salida se obtiene entre colector y emisor, de modo que el
emisor es el punto comn de referencia para ambas seales.



En la siguiente figura se muestra la red de polarizacin del transistor en una etapa
de emisor comn tal como se estudi en el apartado terico de esta prctica.

25





Recuerde que las resistencias R
1
, R
2
, R
C
y R
E
fijan el punto de operacin del
transistor. La fuente V
s
introduce la seal que va a ser amplificada y el
condensador C
1
acta como un condensador de acoplo que impide que la
introduccin de la fuente de pequea seal (V
s
) altere el punto de polarizacin
determinado mediante las resistencias (a efectos de la tensin de continua este
condensador es un circuito abierto).

El condensador C
2
tiene la finalidad de ocultar la resistencia R
E
a efectos de la
amplificacin de la seal, es decir, que a la frecuencia de la seal prcticamente
est cortocircuitando a R
E
con el objetivo de aumentar la ganancia, mientras que
en continua es como si fuera un circuito abierto y por tanto la resistencia R
E
acta
mejorando la estabilidad del punto de operacin y por tanto de la ganancia frente a
variaciones de los parmetros del transistor.

Anlisis en continua
Procederemos ahora a realizar el anlisis en continua de la malla de salida del
amplificador para obtener la recta de carga, y visualizar su dependencia con los
elementos pasivos cuyo valor desconocemos
Aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes tenemos:
IC = -( Vcc - Vce )/Rc. Donde desconocemos el valor de la resistencia de
emisor.




26

a. b.
c:




Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal
alterna y sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.

En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de
salida. La aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de
amplificacin: bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente
de colector sea proporcional a la corriente de base.

Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una
seal al circuito y veremos cmo vara el punto Q


En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de seal
y cmo vara con la aplicacin de una seal de entrada.


27





Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si
queremos que el transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un
punto Q cercano a la zona de saturacin, corremos el riesgo de que cuando le
aplicamos una seal de entrada, Q se desplace hacia la zona de saturacin,
dejando la zona activa. Para evitar este problema conviene analizar siempre antes
la variacin de Q en nuestro transistor y verificar que no salga de la regin donde
queremos que trabaje.


Anlisis de Corriente Alterna

Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos
tradicionales de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen
del estudio de las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores.

Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, l
ms popular es el modelo en parmetros h.

Para realizar el estudio en alterna, cortocircuitaremos las fuentes de tensin de
voltaje continuo, consideraremos los condensadores cortocircuitos, (gran
capacidad), y utilizaremos el modelo de pequea seal del transistor. Esto se
muestra en el esquema de la figura:



28






De nuevo aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes en la malla de salida
obtenemos la ecuacin de la recta de carga en alterna. Esta recta de carga debe
de pasar por el punto de trabajo (Icq, Vceq) por tanto la ecuacin que nos queda
es:
(RcRL/ (Rc+RL))(Vce-Vceq)=Ic-Iceq
Operando y simplificando podemos comparar el valor absoluto de las dos
pendientes.

29
Llamaremos Mac a la pendiente en alterna y Mdc a la de continua obteniendo los
siguientes resultados Mac= 1+1/RC Y Mdc=1/RC, de esta comparacin podemos
inferir que la pendiente de alterna siempre va a ser mayor que la de continua
para cualquier valor de la resistencia de colector.
Esto nos lleva a pensar que por el lado derecho del punto de trabajo Vceq la que
nos va a limitar antes es la pendiente AC.
Procederemos a calcular los parmetros de pequea seal, es decir, la
impedancia de entrada y de salida, la ganancia en tensin, y la resistencia de base
del transistor.
El valor de la impedancia de entrada del amplificador es Zin= (R1//R2//rpi),
(rpi=hie) la impedancia de salida vale Zout=RC, la ganancia es un parmetro
laborioso de calcular que depende de la de las resistencias de colector y de carga
de beta y de rpi su ecuacin es:

GV=-(Bib (RC//RL))/rpi de esta expresin se deduce que la ganancia se hace mas
grande cuando RC se hace pequea.

Optimizacin del diseo

Una vez halladas las expresiones de los parmetros en pequea seal nuestro
prximo paso ser el de obtener la mxima excursin de la seal sin distorsin
para ello debemos de recurrir a las rectas de carga en alterna del circuito que son
las que nos caracterizan el comportamiento del transistor






Las dos rectas las representaremos en la figura:
30




En esta grfica los puntos ms significativos para nosotros son el voltaje colector
emisor de polarizacin VceQ, el valor Vce2 en el que Ic=0, es decir el valor de
tensin C-E en que el transistor se corta debido a la tensin de alterna y continua.
Por ltimo nos interesa el tercer valor que limita la excursin de la seal, es decir,
el valor de tensin C-E en que el transistor entra en saturacin, esto se produce
cuando la corriente de colector tiene un valor de IC=VCC/RC llamemos a este
valor VCE1 que est situado a la izquierda del punto de trabajo.

Por lo tanto con estos datos sustituimos en la ecuacin de la recta de carga en
alterna y despejamos Vce1 y Vce2 quedando las siguientes expresiones en donde
hemos sustituido RL=1K.

VCE1=VCEQ (VCEQ/ (1+RC))
VCE2=-(VCEQ+VCC)/ (1+RC) + VCEQ

Bien, de momento tenemos los puntos que limitan la excursin de la seal, sin
embargo, no conocemos su valor ya que dependen del valor de la resistencia de
colector y del punto de polarizacin que los desconocemos. De todo esto se puede
deducir que existen un valor de RC y VCEQ que hacen que la anchura de este
margen sea mximo por lo cual tendremos que estudiar la expresin |VCE2-VCE1|
Cuyo valor es: |VCE2-VCE1|=VCC/ (1+RC)


31
De este resultado debemos resaltar dos cosas:
A) La excursin ya no depende de VCEQ.
B) Se logra una mayor excursin disminuyendo RC. Por lo que el valor de RC solo
queda limitado por la potencia mxima que puede disipar el transistor. Por lo tanto
recurriendo a la expresin de la potencia calcularemos la RC mnima a la cual el
transistor no se quema.

Sabiendo que VCEQ=VCE1 + (|VCE1-VCE2|)/2 =VCC/2
Para que el transistor no se queme cogeremos la potencia de trabajo como la
mitad de la potencia mxima siendo sta en nuestro transistor real de 0.5 Watt
La expresin de la potencia es la siguiente:
P (MAX)/2=VCEQICEQ
De esta ecuacin podemos despejar RC sin problemas y su valor exacto es de
144 ohm, una vez que tenemos el valor de la resistencia podemos calcular la
intensidad de colector cuyo valor es de IC=41.6 miliamperios.
Con este dato podemos saber tambin la intensidad de base ya que estn
relacionados con beta, que en nuestro caso es de 190 teniendo por tanto una
IB=0.215 miliamperios.
Los valores de las resistencias R1 y R2 calculan fcilmente fijando una de ellas
pongamos por ejemplo R1=10K se calcula el equivalente Thevenin y se aplica la
L.K.V. como se muestra en la figura:
La ecuacin que se obtiene es:
VCCR2/ (R1+R2)= IBR1R2/ (R1+R2) + 0.7
Obtenemos aqu que R2=0.764K
Para terminar el clculo terico solo nos queda hallar los valores de los
parmetros de pequea seal, que se obtienen sustituyendo en las expresiones
de los apartados anteriores.
GV=210, rpi=116.27ohm, ZIN=99ohm, ZOUT=144ohm.


32
Los condensadores tendrn una capacidad suficiente para que la frecuencia de
corte inferior est muy alejada de la frecuencia de funcionamiento, por tanto una
capacidad de 10 microfaradios para cada uno se considera ms que suficiente
AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON GANANCIA DE 10














33
PRACTICA 5

AMPLIFICADOR CON UN J-FET







TRANSISTOR FET (JFET).


En este reporte estudiamos aplicaciones del JFET, del MOSFET en modo de
empobrecimiento y el MOSFET en modo de enriquecimiento. Las aplicaciones
principales de un JFET son como fuente seguidora (anloga al emisor seguidor) y
conmutador analgico (un circuito que transmite y bloquea seales de CA).
MOSFET en modo de empobrecimiento es muy til como amplificador de muy alta
frecuencia (VHF). El MOSFET en modo de enriquecimiento se usa inicialmente
como conmutador digital, la espina dorsal de las computadoras. En este reporte se
estudian algunas de las ideas bsicas que se requieren para entender como esos
dispositivos FET se usan en la mayora de las aplicaciones prcticas.


Consideraciones tericas:

Los transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de
voltaje, adems de presentar la caracterstica de alta impedancia de entrada.
Tambin, se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen
rango de potencia y de tamao y peso mnimos.

Los dispositivos JFET y MOSFET de decremento pueden utilizarse para disear
amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el circuito
con MOSFET decrementa tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una
configuracin JFET similar.

Mientras que un dispositivo BJT controla una gran cantidad de corriente de salida
(colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequea, el
dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeo
voltaje de entrada (voltaje en la compuerta).





34
Por lo tanto, el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el
FET es un dispositivo controlado por voltaje, pero en ambos casos se observa que
la corriente de salida es la variable controlada.

Debido a la caracterstica de gran impedancia de entrada de los FET, el modelo
equivalente de a. c. es ms sencillo que el utilizado para el BJT. As que mientras
el BJT tuvo un factor de amplificacin | (beta), el FET tiene un factor de
transconductancia, g
m
.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital
en los circuitos lgicos. De hecho, el MOSFET incremental es muy popular en los
circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS que requieren un
consumo muy bajo de potencia. Los dispositivos FET tambin se utilizan en las
aplicaciones de altas frecuencias y e las aplicaciones de acoplamiento (interfases).

Aunque la configuracin de fuente comn es la ms popular al proporcionar una
seal invertida y amplificada, tambin existen circuitos de drenaje comn (fuente
seguidor), aunque menos utilizados que proporcionan ganancia unitaria sin
inversin, as como circuitos de compuerta comn que proporcionan ganancia sin
inversin. Al igual que con los amplificadores BJT, las caractersticas importantes
del circuito como la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia
de salida. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de entrada por
lo general se supone de cero y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida.
Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor
que la obtenida al utilizar un amplificador BJT, el amplificador FET proporciona
una impedancia de entrada mucho mayor que la de configuracin de un BJT. Los
valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BJT
como para los FET.

Las redes de amplificadores FET tambin pueden analizarse mediante del empleo
de programas de computadora.

MODELO DE PEQUEA SEAL DE FET.

El anlisis en AC de una configuracin FET requiere que se desarrolle un modelo
de pequea seal. Un componente muy importante del modelo har evidente que
un voltaje de AC aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente
controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente.

El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente
(canal) de un FET.






35
Un voltaje de DC en la compuerta a la fuente controlaba el nivel de corriente de
drenaje mediante una relacin conocida como la ecuacin de Shockley:

I
D
= I
DSS
(1-V
GS
/V
p
)
2


El cambio en la corriente del colector que se obtendr de un cambio en el voltaje
de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de
transductancia g
m
de la siguiente manera:

AI
D
= g
m
AV
GS


El prefijo trans que se aplica a g
m
en la terminologa indica que se establece una
relacin entre las cantidades de salida y de entrada. El trmino conductancia es
debido a que g
m
se determina por la relacin del voltaje a la corriente, similar a la
relacin que define la conductancia de una resistor G = 1/R = I/V.


Al despejar g
m
de la ecuacin:

g
m
= AI
D
/ AV
GS

Si ahora examinamos las caractersticas de transferencia de la figura siguiente, se
encuentra que g
m
es en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto de
operacin. Esto es:

g
m
= m = Ay/Ax = AI
D
/AV
GS


Al seguir la curvatura de las caractersticas de transferencia, resulta bastante claro
que la pendiente y por lo tanto g
m
, se incrementa cuando se pasa desde V
p
a I
DSS
.
O, dicho en otras palabras, cuando V
GS
se acerca a cero voltios, se incrementa la
magnitud de g
m
.



Anlisis de pequea seal de FET.

I
D

I
DSS


g
m
= AI
D
/AV
GS

(pendiente en el punto Q)




V
p
V
GS

36

Definicin de g
m
utilizando las caractersticas de transferencia.

La ecuacin de g
m
indica que g
m
puede determinarse en cualquier punto Q sobre
las caractersticas de transferencia con solo seleccionar un incremento finito en
V
GS
(o en I
D
) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en I
D

(o V
GS
respectivamente). Los cambios que se obtienen en cada cantidad se
sustituyen despus en la ecuacin de g
m
para calcularlo.

DEFINICIN MATEMTICA DE g
m
.

El procedimiento grfico descrito est limitado por la exactitud de la grfica de
transferencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada
cantidad. Otro mtodo alternativo establece que, la derivada de la funcin en un
punto es igual a la pendiente de la lnea tangente dibujada en dicho punto.

Si se toma la derivada de ID respecto a VGS (clculo diferencial) utilizando la
ecuacin de Shockley, es posible derivar una ecuacin para g
m
de la siguiente
manera:

g
m
= AI
D
/AV
GS
|
punto Q
= dI
D
/dV
GS
|
punto Q
= d/dV
GS
[I
DSS
(1-V
GS
/V
p
)
2
]

g
m
= 2I
DSS
[1 V
GS
/V
p
] / |V
p
|

Donde |Vp| denota la magnitud, solo con el objeto de asegurar un valor positivo de
g
m
. Como la pendiente de la curva de transferencia es un mximo cuando V
GS
=
0V. Sustituyendo este valor en la ecuacin anterior, se obtiene lo siguiente:

g
m
= 2I
DSS
/ |V
p
| [1-0/V
p
]
g
m0
= 2I
DSS
/ |V
p
|

Donde el subndice 0 que se aadi recuerda que se trata del valor de g
m
cuando
V
GS
= 0V. Entonces la ecuacin se convierte en:
g
m
= g
m0
[1-V
GS
/V
p
]

GRFICA DE g
m
EN FUNCIN DE V
GS
.

Debido a que el factor [1-V
GS
/V
p
] de la ecuacin anterior es menor que 1 para
cualquier valor de V
GS
diferente de cero voltios, la magnitud de g
m
se reducir
mientras V
GS
se aproxime a V
p
y la relacin V
GS
/V
p
se incrementa en magnitud.




Cuando V
GS
= V
p
, g
m
= g
m0
(1-1) = 0. La ecuacin de arriba define una lnea recta
con un valor mnimo de cero y mximo de g
m
como se muestra en la siguiente
grfica. g
m
(s)
37
g
m
0



g
m
0/2





V
p
V
p
/2 0 V
GS
(V)



Grfica de g
m
en funcin de V
GS
.






Esta figura tambin indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de
estrechamiento, g
m
tendr nicamente la mitad del valor mximo.

EFECTO DE I
D
SOBRE g
m
.

Puede derivarse una expresin matemtica entre g
m
y la corriente de polarizacin
ID al observar que la ecuacin de Shockley puede escribirse de la siguiente
manera:

1 V
GS
= I
D
/ I
DSS



Al sustituir la ecuacin anterior en la expresin de g
m
.

g
m
= g
m0
[1-V
GS
/V
p
] = g
m0
I
D
/I
DSS



Al emplear esta ltima ecuacin para determinar g
m
para algunos valores
especficos de I
D
, los resultados son:






38
Si I
D
= I
DSS
:

g
m
= g
m0
I
DSS
/I
DSS
= g
m0


Si I
D
= I
DSS
/2:

g
m
= g
m0
I
DSS
/2 / I
DSS
= 0.707 g
m0


Si I
D
= I
DSS
/4:

g
m
= g
m0
I
DSS
/4 / I
DSS
= g
m0
/2 = 0.5g
m0




IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DE FET.

La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo
suficientemente grande para suponer que las terminales de entrada son similares
a un circuito abierto. En forma de ecuacin:

Zi (FET) = O

As, como para un JFET un valor prctico es de 10
9
O es un valor caracterstico,
un valor entre 10
12
y 10
15
O es tpico de los MOSFET.

IMPEDANCIA DE SALIDA Zo DE FET.

La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BJT
convencionales. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de
salida aparecer normalmente como y
os
con las unidades de S. El parmetro y
os

es un componente de un circuito equivalente de admitancia y el subndice o
significa un parmetro de salida de la red y s la terminal fuente a la cual est
asignada en el modelo. En forma de ecuacin:
Zo (FET) = r
d
= 1/ y
os







Donde:
r
d
= AV
DS
/ AI
D
|
VGS = constante
.




39





CIRCUITO EQUIVALENTE EN CA DEL FET.

El control de Id mediante V
gs
se encuentra incluido como una fuente de corriente
g
m
V
gs
conectada desde el drenaje a la fuente, tal como se muestra en la siguiente
figura. La fuente de corriente est dirigida desde el drenaje hasta la fuente, esto
con la finalidad de establecer un cambio de fase de 180 entre los voltajes de
salida y de entrada como sucede en la operacin real.



Circuito equivalente de CA del FET.

La impedancia de entrada est representada por el circuito abierto en las
terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor r
d
desde el
drenaje hacia la fuente. El voltaje de la fuente se representa por V
gs
. La corriente
es comn tanto para los circuitos de entrada y salida, mientras que las terminales
de la compuerta y el drenaje solo estn en contacto mediante la fuente de
corriente controlada g
m
V
gs
.

Tambin existen situaciones en las que r
d
se ignora, ya que se supone que es
demasiado grande respecto a los dems elementos, as que se aproxima a un
circuito abierto, esto se puede emplear para acoplar circuitos amplificadores
multietapas con transistores en cascada.








40
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJ A PARA EL FET.


El mtodo que se sigue para especificar las configuraciones del FET es similar al
del BJT, adems de los parmetros importantes Zi, Zo y Av. para cada
configuracin.

La configuracin de polarizacin fija del FET incluye los capacitores de
acoplamiento C1 y C2 que tienen como objetivo eliminar los niveles de CD de la
seal, como se muestra en el siguiente circuito.

Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarizacin de la
hoja de especificaciones, o de las caractersticas, el modelo equivalente en CA se
puede sustituir entre las terminales adecuadas. Ambos capacitores se comportan
como corto circuitos debido a la reactancia Xc = 1/(2tfC) es muy pequea
comparada con los otros niveles de impedancia de la red y las fuentes V
GG
y V
DD

se hacen cero mediante un corto circuito equivalente.

Despus se redibuja como sigue y se observa la polaridad definida mediante Vgs,
la cual define la direccin de g
m
V
gs
. Cuando V
gs
es negativo, la direccin de la
fuente de corriente se invierte. La seal aplicada se representa mediante Vi y la
seal de salida a travs de R
D
se representa mediante Vo.

Zi: esta figura revela con claridad que:



Zi = R
G


Debido a la equivalencia del circuito abierto en las terminales del FET.

41
Zo: Al hacer Vi = 0 como se requiere debido a la definicin de ZoVgs se har cero
volts tambin. El resultado es gmVgs = 0 mA y la fuente de corriente puede
reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente, la impedancia de salida es:

Zo = R
D
|| r
d


Si la resistencia rd es suficientemente grande (por lo menos 10 veces) comparada
con RD con frecuencia se aplica la aproximacin r
d
|| R
D
~ R
D
.


Av: la ganancia de voltaje se obtiene resolviendo para Vo en la figura anterior,
como:

Vo = -g
m
V
gs
(rd || RD)

Pero V
gs
= Vi

Y adems Vo = -g
m
Vi (r
d
||R
D
)

De manera que:
Av = Vo/Vi = -g
m
(r
d
|| R
D
)

El signo negativo indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de entrada y
salida.



CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN DEL FET.

La configuracin de polarizacin fija tiene la desventaja de utilizar dos fuentes de
voltaje CD. La configuracin de auto polarizacin de la siguiente figura requiere
solo una fuente para establecer el punto de operacin deseado.

El capacitor Cs a travs de la resistencia de la fuente es un corto equivalente para
CD lo cual permite que Rs defina el punto de operacin. Bajo condiciones de CA el
capacitor se comporta como corto en los efectos de Rs. Si se deja en CA, se
reducir la ganancia.
Redibujando la red:
Debido a que la configuracin obtenida es la misma, las relaciones de Zi, Zo y Av
son las mismas.




42

CONFIGURACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL FET.


































43
La configuracin de divisor de voltaje para los BJT tambin se aplica para el FET:


Configuracin de FET mediante divisor de voltaje:

Al sustituir el modelo equivalente de CA para el FET se obtiene la configuracin de
la siguiente figura:






Reemplazando la fuente V
DD
por un corto circuito equivalente a tierra una terminal
de R
1
y R
D
. Debido a que cada red tiene una tierra comn, R
1
queda en paralelo
con R
2
, como se muestra en la siguiente figura que representa el modelo hbrido
para seal dbil del FET.





44



Donde:

Zi: R
1
y R
2
estn en paralelo con el cual se obtiene el equivalente del circuito
abierto del FET.
Zi = R
1
|| R
2


Zo: Al hacer Vi = 0 V se fijarn los valores V
gs
y g
m
V
gs
a cero y:

Zo = r
d
|| R
D


Av: V
gs
= Vi
Vo = -g
m
V
gs
(r
d
|| R
D
)
Av = Vo/Vi = -g
m
V
gs
(r
d
|| R
D
) / V
gs
.


De modo que: Av = Vo/Vi = -g
m
(r
d
|| R
D
)


Vale mencionar que las ecuaciones para Zo y Av en este tipo de configuracin son
las mismas que las obtenidas para las configuraciones de polarizacin fija y
autopolarizacin. La nica diferencia radica en la ecuacin para Zi que se volvi el
paralelo de R
1
y R
2
para esta configuracin.

Desarrollo:


Con las consideraciones tericas anteriores se procedi a realizar el calculo
de la polarizacin del FET para que nos diera una ganancia de 10 o cercana a
esta.



45
Utilizando la autopolarizacin del FET que es la ms segura como se aclaro
anteriormente.


AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON GANANCIA DE 10








CALCULOS


Idss= 2ma Vp= -6

Id= Idss (1- (Vgs/Vp))

Idq= 2mA (1-(-3/6))= .5mA






46
Rd= 3/.5 ma = 3.3 K ohms

V
RD
= (.5ma)(3.33 K ohms) = 1.66 V

Rs= 4.88/.5ma = 9.760 k ohms

R2 =100 K

Vg= R2 Vdd/ (R1+R2) =

R1= R2 Vdd/Vg R2 = (100 K) (12)/1.8= 566 K ohms



Observaciones:

En esta prctica pudimos observar que la polarizacin para FET ms estable
es la auto polarizacin pues con esta polarizacin ya no se depende tanto del
transistor.



Conclusiones:

Podemos llegar a la conclusin de que con los FETs se puede lograr un buen
amplificador debido a la estabilidad que proveen y debido a esto la aplicacin de
estos componentes es cada vez mayor en la electrnica. Y que con los clculos
adecuados se puede llegar a obtener la ganancia deseada para las diferentes
aplicaciones que pudisemos llegar a ocupar.


















47




PROYECTO FINAL


REALIZACIN DE UN AMPLIFICADOR DE CUATRO ETAPAS

Objetivo:

Disear y proyectar un amplificador de cuatro etapas, la primera de ellas
debe ser un FET o MOSFET en configuracin de surtidor comn con ganancia Av
= 10; la segunda un transistor BJT en configuracin de emisor comn con
ganancia de 5; y la tercera tambin debe ser un emisor comn con ganancia de 5;
y la cuarta etapa un transistor en configuracin de colector comn (seguidor
emisor) con ganancia de 1; con un voltaje Vcc de 12 V y una resistencia de carga
de 1 Kohms.


Consideraciones tericas:
Un amplificador puede estar constituido por una nica etapa, sencilla o
complicada, o puede utilizar una interconexin de varias etapas. Diversas
alternativas de diseo, polarizacin, acople y realimentacin, lo cual determina la
topologa del amplificador.

En un amplificador multietapa, las etapas individuales pueden ser esencialmente
idnticas o radicalmente distintas. Las tcnicas de realimentacin se pueden
emplear tanto a nivel individual como a nivel funcional, o en ambos, y con la
finalidad de obtener estabilizacin de la polarizacin o de la ganancia, reduccin
de la impedancia de salida, etc.

Los amplificadores prcticos de transistores constan por lo general de cierto
nmero de etapas conectadas en cascada. Adems de que proporcionan
ganancia, la primera etapa o de entrada usualmente se requiere para que
proporcione una alta resistencia de con el fin de evitar prdida del nivel de seal
cuando el amplificador se alimenta con una fuente de alta resistencia. En un
amplificador diferencial la etapa de entrada debe tambin proporcionar un gran
rechazo en modo comn. La funcin de las etapas intermedias de la cascada de
un amplificador es proporcionar el grueso de la ganancia de voltaje. En adicin, las
etapas intermedias proveen tales otras funciones como la conversin de la seal
del modo diferencial al modo asimtrico (de un solo extremo) y el corrimiento del
nivel de CD de la seal.



48
Finalmente, la funcin principal de la ltima etapa o de salida de un
amplificador es proporcionar una baja resistencia de salida con el fin de evitar
prdida de ganancia cuando al amplificador se conecta una resistencia de carga
de bajo valor. Tambin, la etapa de salida debe sercapaz de suministrar la
corriente que requiere la carga de manera eficiente, esto es, sin disipar en forzad
indebida una gran cantidad de potencia en los transistores de salida.

La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo
amplificador. No es necesario que las diferentes etapas tengan las mismas
ganancias de tensin y de corriente. En la prctica, las etapas iniciales suelen ser
amplificadores de tensin y la ltima o las dos ltimas con amplificadores de
corriente.

La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se
gobierna por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Por tanto cuando se
disean o analizan amplificadores multietapa, se inicia en la salida y se contina
hacia la entrada.
Acoplamiento a Resistencia y Capacitancia
Este acoplamiento permite generalmente cierta economa y reduccin en el
tamao, pero importa algn sacrificio de la ganancia. Este mtodo de
acoplamiento es particularmente preferido para etapas amplificadoras de audio de
bajo nivel y bajo ruido, a efectos de reducir al mnimo la captacin de zumbido por
campos magnticos parsitos.
En los equipos alimentados a batera, la aplicacin del acoplamiento a resistencia
y capacitancia (RC) se limita de ordinario al funcionamiento en baja potencia. La
respuesta de frecuencias de una etapa con acoplamiento RC normalmente es
superior a la que puede obtenerse de las acopladas con transformador.
La fig. 2 muestra un circuito de dos etapas con acoplamiento RC, que emplea
transistores NPN en la configuracin de emisor comn. El mtodo de polarizacin
es similar al usado en el circuito de la figura 1.
Los componentes adicionales de mayor importancia son las resistencias de carga
de colector, RL1 y RL2, y el capacitor de acoplamiento Cc. El valor de Cc debe
ser bastante grande, en el orden de 2 a 10 uF, en razn de lo reducido que
resultan las resistencias de entrada y de carga. Debe sealarse que el
acoplamiento en los circuitos de audio a transistores se verifica normalmente con
capacitores electrolticos; ha de observarse, por lo tanto, la polaridad para
asegurar el funcionamiento correcto.
49


Ocasionalmente, las excesivas corrientes de fuga a travs del capacitor
electroltico de acoplamiento pueden afectar adversamente las corrientes del
transistor.
El acoplamiento a impedancia es una forma modificada del acoplamiento a
resistencia y capacitancia, sque se vale de inductancias para reemplazar los
resistores de carga.
Este tipo de acoplamiento se utiliza raramente, excepto en aplicaciones
especiales donde las tensiones de alimentacin son bajas y el costo carece de
importancia.
Acoplamiento directo
El acoplamiento directo se usa principalmente cuando el costo es factor
importante. Debe hacerse notar que los amplificadores con acoplamiento directo
no son necesariamente amplificadores de CC, es decir, no siempre pueden
amplificar seales de CC. La respuesta de baja frecuencia est limitada de
ordinario por factores distintos de los relacionados con la red de acoplamiento.
En el amplificador de acoplamiento directo, fig. 3, R3 sirve a la vez de resistor de
carga de colector para la primera etapa y de polarizacin para la segunda. Los
resistores R1 y R2 introducen estabilidad en el circuito, puesto que la tensin de
emisor correspondiente al transistor Q2 difiere slo unas dcimas de volt de la
tensin de la tensin de colector del transistor Q1.
50


En razn de que se requieren muy pocos componentes en el circuito del
amplificador con acoplamiento directo, se logra mxima economa. No obstante, el
nmero de etapas que pueden acoplarse directamente es limitado. Las
variaciones por temperatura de la corriente de polarizacin en una etapa son
amplificadas por todas las dems y pueden producirse severas condiciones de
inestabil
Acoplamiento a Resistencia y Capacitancia
Este acoplamiento permite generalmente cierta economa y reduccin en el
tamao, pero importa algn sacrificio de la ganancia. Este mtodo de
acoplamiento es particularmente preferido para etapas amplificadoras de audio de
bajo nivel y bajo ruido, a efectos de reducir al mnimo la captacin de zumbido por
campos magnticos parsitos.
En los equipos alimentados a batera, la aplicacin del acoplamiento a resistencia
y capacitancia (RC) se limita de ordinario al funcionamiento en baja potencia. La
respuesta de frecuencias de una etapa con acoplamiento RC normalmente es
superior a la que puede obtenerse de las acopladas con transformador.
La fig. 2 muestra un circuito de dos etapas con acoplamiento RC, que emplea
transistores NPN en la configuracin de emisor comn. El mtodo de polarizacin
es similar al usado en el circuito de la figura 1.




51
Los componentes adicionales de mayor importancia son las resistencias de carga
de colector, RL1 y RL2, y el capacitor de acoplamiento Cc. El valor de Cc debe
ser bastante grande, en el orden de 2 a 10 uF, en razn de lo reducido que
resultan las resistencias de entrada y de carga. Debe sealarse que el
acoplamiento en los circuitos de audio a transistores se verifica normalmente con
capacitores electrolticos; ha de observarse, por lo tanto, la polaridad para
asegurar el funcionamiento correcto.



Ocasionalmente, las excesivas corrientes de fuga a travs del capacitor
electroltico de acoplamiento pueden afectar adversamente las corrientes del
transistor.
El acoplamiento a impedancia es una forma modificada del acoplamiento a
resistencia y capacitancia, sque se vale de inductancias para reemplazar los
resistores de carga.
Este tipo de acoplamiento se utiliza raramente, excepto en aplicaciones
especiales donde las tensiones de alimentacin son bajas y el costo carece de
importancia.
Acoplamiento directo
El acoplamiento directo se usa principalmente cuando el costo es factor
importante. Debe hacerse notar que los amplificadores con acoplamiento directo
no son necesariamente amplificadores de CC, es decir, no siempre pueden
amplificar seales de CC. La respuesta de baja frecuencia est limitada de
ordinario por factores distintos de los relacionados con la red de acoplamiento.
En el amplificador de acoplamiento directo, fig. 3, R3 sirve a la vez de resistor de
carga de colector para la primera etapa y de polarizacin para la segunda. Los
resistores R1 y R2 introducen estabilidad en el circuito, puesto que la tensin de
emisor correspondiente al transistor Q2 difiere slo unas dcimas de volt de la
tensin de la tensin de colector del transistor Q1.
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En razn de que se requieren muy pocos componentes en el circuito del
amplificador con acoplamiento directo, se logra mxima economa. No obstante, el
nmero de etapas que pueden acoplarse directamente es limitado. Las
variaciones por temperatura de la corriente de polarizacin en una etapa son
amplificadas por todas las dems y pueden producirse severas condiciones de
inestabil

AMPLIFICADOR EN CASCADA BJT

Un amplificador en cascada con acoplamiento RC construido utilizando BJT se
ilustra en la figura 7.3. Como antes, la ventaja de las etapas en cascada es la
mayor ganancia total de voltaje.
53



Figura 7.3 Amplificador BJT en cascada (acoplamiento RC).


La impedancia de entrada del amplificador es la de la etapa 1,
Zi = R
1
|| R
2
|| hie


y la impedancia de salida del amplificador es la de la etapa 2,
Zo = RC || ro|R
C



El siguiente ejemplo muestra el anlisis de un amplificador BJT en cascada
exhibiendo la gran ganancia de voltaje conseguida.












54
EJEMPLO 2

Calcule la ganancia de voltaje, voltaje de salida, impedancia de entrada e
impedancia de salida para el amplificador BJT en cascada de la figura 7.4. Calcule
el voltaje de salida resultante si una carga de 10 kO



Figura 7.4. Amplificador BJT con acoplamiento RC.




Solucin:
El anlisis de polarizacin de cd resulta en
VB = 4.8 V, VE = 4.1 V, VC = 11 V, IC = 4.1 mA

En el punto de polarizacin,

O = = = 3 . 6
1 . 4
26 26
C
I
re




La ganancia de voltaje de la etapa 1 es por consiguiente

55
104
3 . 6
6 . 654
3 . 6
) 3 . 6 )( 200 ( 7 . 4 15 2 . 2
1
1
2 1
1
=
O
O
=
|
|
.
|

\
|
O
O O O O
=
|
|
.
|

\
|

=
Av
k k k
Av
re
hie R R R
Av
C


Mientras que la ganancia de voltaje de la etapa 2 es


349
3 . 6
2 . 2
2
=
O
O
=

=
k
re
Rc
Av



Para una ganancia de voltaje total de
Av = Av1 Av2 = (-104) (-349) = 36 296

El voltaje de salida es entonces
Vo = Av Vi = (36 296) (25

La impedancia de entrada del amplificador es
Zi = R1||R2|||re = 4.7 k (200) (6.3|) = 932
Mientras que la impedancia de salida del amplificador es
Zo = Rc = 2.2 k

Si se conecta una carga de 10 k taje
resultante a travs de la carga es

V V
k k
k
V
R Z
R
V
O
L O
L
L
07 ) 9 . 0 (
10 2 . 2
10
=
O + O
O
=
+
=


Una combinacin de etapas BJT y FET tambin puede utilizarse para
proporcionar una alta ganancia de voltaje y una alta impedancia de entrada.













56
COMENTARIOS.


Todas las practicas para su desarrollo fue necesario el aporte de los
conocimientos tericos en el aula acompaados del estudio, de la puesta en
practica en el laboratorio, donde se encuentra uno diferentes problemas, como
son las puntas de3 generador y osciloscopio que meten ruido, o que simplemente
estn fallando etc., la tablilla de prueba tiene falsos internos por ciertos motivos
ajenos a nuestra practica, muchas de las ocasiones el realizar cuidadosamente y
probar cada instrumento de trabajo se obteniendo en buenos resultados y
concluyendo con el resultado bueno de la practica.


Por medio de realizaciones de prctica se disuelve diversas inquietudes que
quedan en el aula, y es por ello la importancia de realizarlas ya que en el
momento de desarrollarlas se encuentra uno con una serie de dudas que
resultan y que a la vez son benficas en el proceso de nuestra formacin y
estudio.





























57





EXPOSICION


Este circuito produce el sonido de una sirena tpica con slo 4 transistores. Se
puede variar la cadencia del sonido cambiando los dos condensadores de 15 F.
por otros de valor diferente.

Los transistores T1 y T2 conforman un biestable (un circuito que tiene dos
estados estables). Este circuito biestable oscila entre estos dos estados, alto y
bajo, que se pueden medir en el colector del transistor T2.
Estos dos niveles son entregados al grupo de elementos conformados por las
resistencias de 10 KW, 27 KW y el condensador de 4.7 F que dan la cadencia del
sonido conforme se carga y descarga el T3 y T4 que conforman un oscilador que
hace sonar el parlante de 8 ohmios.







58















- Este circuito encender un bulbo o lmpara de baja potencia en forma
intermitente.
1. Cuando el bulbo est apagado, T2 est en corte (no conduce). Como T1
controla a T2, vemos que tambin est en corte.
2. El divisor de tensin que forman la resistencia de 5.6K y el potencimetro
(resistencia variable) de 100K, dan la suficiente tensin de base en T1 para
ponerlo a conducir, T1 a su vez hace conducir a T2 y se enciende el bulbo.
3. A partir de este momento el condensador C1 empieza a cargarse a
traves de T2 y la resistencia de 5.6K hasta que est suficientemente
cargado para poner en corte a T1 y el bulbo se apaga.
4. Cuando el bulbo se apaga, C1 mantiene encendido a T1 en corte
mientras este (C1) se descarga a travs de la resistencia de 5.6K y el
bulbo.
5. Cuando C1 est totalmente descargado, y se repite el el ciclo en el punto


Lista de componentes
Transistores 2 PNP BC559 o equivalente
1 NPN BC547 o equivalente
1 PNP BC636 o equivalente
Resistencias 2 de 15 KW
2 de 3.3 KW
1 de 10 KW
1 de 27 KW
Condensadores 2 de 15 F (electrolticos)
1 de 4.7 F (electroltico)
1 de 0.1 F
Otros 1 parlante comn de 8 W
59



















Lista de componentes
Transistores 1 NPN 2N2222 (T1)
1 PNP 2N2907 (T2)
Resistencias 1 de 100 KW,
1 de 1.2 KW,
1 de 5.6 KW (KW = Kilohmios)
Condensadores 1 de 20 F, electroltico ( F = microfaradios)
Otros 1 bulbo 6 voltios
1 batera 9 voltios de uso general como Vcc
60


Este circuito es muy simple y tambin muy interesante. Cuntas veces nos
hemos encontrado con el carro que no arranca por que la batera del carro est
descargada?
Bueno, pues aqu encontrarn un circuito que necesita slo 3 transistores y unos
elementos adicionales para avisarnos del estado de la batera.

Como se puede ver en el diagrama, el circuito tiene 2 LEDS, uno es verde y nos
indicar cuando la carga de la batera este bien y el otro es rojo y nos dir cuando
el circuito est con una carga menor a la deseada.
Cuando el voltaje en la flecha del potencimetro R1 supera el voltaje que es la
suma de el voltaje base-emisor de Q1 + Voltaje de D1 (diodo zener) + caida de
voltaje en R2, el transistor Q1 se activa causando que pase una corriente por R3 y
que se encienda el LED verde, indicando que la carga de la batera esta bien
El segundo LED se enciende en el caso opuesto, slo cuando el voltaje que es la
suma del voltaje base-emisor de Q2 + voltaje de D2 (diodo zener) + caida de
voltaje en R5 no sea superior al voltaje suministrado por la flecha del
potencimetro R4, indicando que la batera est con carga menor a la deseada.
En este caso el transistor Q2 se utiliza como inversor *
Como regulo a que voltaje se enciende y se apaga cada LED? muy simple:
Alimento el circuito con una fuente variable (para simular los diferentes voltajes en
la batera) y regulo los potencimetros (R1 y R4) para que el diodo verde se
encienda, por ejemplo, slo cuando el voltaje sea superior a 13 voltios y que el
diodo rojo se encienda cuando el voltaje sea menor a 12 voltios.








61










NOTA: Inversor es cuando a la salida del circuito o elemento obtenemos lo
opuesto que a la entrada. Si a la entrada del transistor tenemos una seal alta a la
salida tendremos una seal baja y viceversa














Lista de componentes
Transistores 3 NPN 2N2222
Resistencias 2 de 390W / 0.5 W
2 de 33 KW
1 de 39 KW (KW = Kilohmio
Potencimetros 2 de 10 KW

Otros
2 diodos zener de 6 a 8 voltios
2 diodos LED (1 verde y 1 rojo).
62
BIBLIOGRAFA


CIRCUITOS ELECTRNICOS
DISCRETOS E INTEGRADOS
AUTOR: DONALD L. SHILLING
ED. ALFAOMEGA



PRACTICAS DE ELECTRONICA
AUTOR: BAEZ MORLAN
ED. MARCOMBO


ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS
AUTOR: ROBERT L. BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY
ED: PRENTICE may.
63