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Notas de aula verso 2.

0
NOTAS DE AULA, REV 2 . 0 UVA 2 0 1 3 . 2 FLVI O ALENCAR DO RGO BARROS
Eletrnica Bsica - Eletrnica 1
Transistores
Flvio Alencar do Rego Barros
Universidade Veiga de Almeida
E-mail: falencar@predialnet.com.br

Captulo
2
UVA 2013 Eletrnica 1
Notas de aula verso 2.0

Estas notas de aulas se destinam a reduzir o trabalho de cpia do aluno durante
as aulas, mas tambm oferecer material de apoio na forma de exerccios propostos
(sempre em anexo ao final de cada captulo teremos a lista de exerccios) e referncias
onde o aluno poder complementar seu estudo. importante perceber que este material
NO esgota o que o aluno deve ler durante o curso, nem mesmo substitui a participao
em sala de aula, devendo ser encarado apenas como material de apoio. Neste sentido,
fortemente indicado que cada aluno mantenha sua cpia em papel do assunto que se
abordar em cada aula.

Neste Captulo 2 o Anexo B a lista de exerccios.
A estas notas de aula se somam os guias de laboratrio, estes ltimos fornecidos
em arquivos parte.
UVA 2013 Eletrnica 1

ndice do captulo 2:
2.1. Anlise DC .............................................................................................................. 38
2.1.1 Caractersticas de Sada e de Entrada ................................................................ 39
Caracterstica de Sada............................................................................................ 39
Caracterstica de Entrada ........................................................................................ 39
2.1.2 Reta de Carga DC e Ponto P .............................................................................. 41
Sensibilidade a R
C
do Ponto P ................................................................................ 44
Regio de Trabalho e Bons Pontos P ..................................................................... 46
2.2 Transistor como Chave ............................................................................................. 47
2.3 Circuitos de Polarizao ........................................................................................... 49
Polarizao Fixa (Autopolarizao ou de Base) ..................................................... 49
Polarizao por Realimentao do Emissor ........................................................... 50
Polarizao por Realimentao do Coletor ............................................................ 51
Polarizao por Divisor de Tenso ......................................................................... 52
2.3.1 Praxes de Projeto ............................................................................................... 54
2.3.2 PNP e Outras Montagens ................................................................................... 54
2.4 Fonte Regulada de Tenso ........................................................................................ 56
2.4.1 Projeto Completo da Fonte Regulada ............................................................... 57
Transformador ........................................................................................................ 57
Diodos ..................................................................................................................... 58
Zener ....................................................................................................................... 58
Transistor ................................................................................................................ 59
Resistor ................................................................................................................... 60
2.4.2 Fonte de Corrente .............................................................................................. 61
Anexo B - 2
a
. LISTA ......................................................................................................... i



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1
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Cap.2 Transistores
2.1. Anlise DC
O transistor se apresenta em duas verses (npn e pnp), como ilustrado abaixo:








Figura 69: Smbolos de transistor
B
I
C
I
E
I + = (1) valores tpicos:
mA
C
I
mA
C
I
mA
C
I
01 . 0
00 . 1
99 . 0
~
~
~


Em primeira aproximao:
B
I
C
I | = ou
C E
I I = o
Portanto, em (1):
1
1
1
+
=
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
o
| o
C
C
I
I


Tambm:
o
o
|

=
1


Assim, podemos esperar valores de | altos (de 30 a

500) e de o baixos, logo
abaixo de 1.

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2.1.1 Caractersticas de Sada e de Entrada
Caracterstica de Sada
1

o principal grfico de uso em transistores e envolve as duas variveis de sada
i
C
e v
CE
:

Em termos de projeto e
anlise de circuitos
transistorizados, uma alternativa ao
conhecimento deste grfico
(caracterstica de sada) o
conhecimento do valor de |.

Figura 70: BJT caracterstica de sada

Esta famlia de curvas parametrizada pelo valor de entrada (I
B
) e definem as
trs regies de uso do transistor: corte, ativa e saturao.

Caracterstica de Entrada










Figura 71: BJT caracterstica de entrada

1
Existem trs montagens de circuitos transistorizados: EC (montagem emissor comum), BC (base
comum) e CC (coletor comum), conforme se tenha o respectivo pino tanto na entrada quanto na sada. Por
ser largamente mais utilizada estaremos aqui sempre nos referindo montagem EC.
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Diferentemente da caracterstica de sada, a caracterstica de entrada varia muito pouco
como parmetro de sada (V
CE
), como sugere a figura acima da esquerda.
Portanto, comum considerar-se na regio ativa (e saturao) a caracterstica de entrada
mostrada na figura da direita, semelhante ao modelo ideal do diodo.

Podemos resumidamente caracterizar assim as trs regies do transistor:

ATIVA SATURAO CORTE
I
C
= | I
B
(*) I
C
< | I
B
(*) I
C
~ 0
V
CE
mdio
(0 << V
CE
<< V
CC
)
V
CE
~ 0.2 v (Si) V
CE
~ V
CC

V
BE
~ 0.7 v (Si) V
BE
~ 0.7 v (Si) V
BE
s 0

Analisemos porque se afirma (*). As curvas de sada do transistor apresentam na
regio ativa um aspecto aproximadamente linear, diferente da regio de saturao.













Figura 72: BJT regio linear

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Suponha que se passa do ponto de polarizao A para o ponto B. Ora, isto
acontece mediante
2 1
B
I
B
I
B
i = A ocasionando a respectiva
C
i A . Naturalmente
B
i
C
i
A
A
= | . Esta relao seria preservada se fizssemos o experimento em qualquer
ponto da regio ativa (supondo que nesta regio as curvas so lineares e paralelas)!
O mesmo no acontece na regio de saturao, onde caso se faa o mesmo
2 1
B
I
B
I
B
i = A , obtm-se
C
i A sempre menor que na regio ativa, como ilustrado na
figura abaixo:

Observe que
1 2
C
i
C
i A < A ,
da, se pode afirmar aquelas
relaes das regies ativa e
saturao, respectivamente
B
i
C
i e
B
i
C
i | | < = .

Figura 73: BJT linear X saturao

2.1.2 Reta de Carga DC e Ponto P
Vamos lembrar o conceito de reta de carga, agora olhando sob o prisma do
transistor. Um circuito de sada do transistor apresenta tipicamente o seguinte aspecto:

V
cc
= R
C
i
C
+ v
CE
, ou ainda:
C
R
cc
V
CE
v
C
R
C
i + =
1

que uma reta, chamada Reta de Carga DC.
coeficiente linear
C
R
cc
V

coeficiente angular
C
R
1

Figura 74: BJT Equao de sada
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O ponto P (ou ponto de operao) vai surgir da confluncia da reta de carga de
carga DC (depende apenas do circuito envolvente) com a caracterstica do transistor
(dado do fabricante, depende apenas do elemento eletrnico). Como ilustrado na figura
a seguir, para determinar o ponto P na caracterstica de sada deve-se preliminarmente
determinar o valor de I
B
no circuito de entrada.








Figura 75: Ponto P

Exemplo: Dado o circuito, ache o ponto P. | = 100.

Figura 76: Clculo do Ponto P
R:
a) No circuito de entrada determinamos I
B
:

Figura 77: Corrente de base

=
B
I K 100 7 . 0 10

mA
B
I 093 . 0
100
3 . 9
= =
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D
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b) Supondo na Ativa, mapeia-se para a sada:

mA
B
I
C
I 3 . 9 093 . 0 100 = = = | (1)

c) Circuito de sada:


CE
v
C
I + = 10
Como sabemos o valor de I
C
:
v
CE
V
CE
v 7 . 0 3 . 9 10 = + =
Figura 78: Sada BJT

d) Portanto o ponto P dado por (0.7 v; 9.3 mA)



Perceba que o ponto P est muito prximo da saturao.




Figura 79: Transistor saturado



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Exemplo:
O transistor apresenta | = 100 e v
BE
=0.7 v quando
i
C
= 1 mA. Projete o circuito de modo que uma
corrente de 2 mA circule pelo coletor quando a
tenso do coletor for +5v.


R: Em sala de aula.
Figura 80: Calculando Ponto P

Exemplo:
As medies no circuito indicam V
B
=+1.0 v e V
E
= 1.7 v.
a) Quais so os valores de | e o?
b) Qual o valor de V
C
?
R: Em sala de aula.



Figura 81: Exemplo PNP

Sensibilidade a R
C
do Ponto P
Mostraremos como o ponto P pode flutuar conforme R
C
varie. Faremos isto via
um exemplo.
Exemplo:

Para o circuito dado (| = 100 e v
BE
=0.7 v) ache o
ponto P e trace a reta de carga DC se R
C
vale:
a) 1 K O
b) 2 K O
c) 100 O
Figura 82: Sensibilidade a Rc
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R:
Sada:
CE
v
C
i
C
R + = 15
Entrada: mA
C
I
C
I
5 . 7
100
200
15 = =
para qualquer R
C
!

a) R
C
= 1 KO: v
CE
V
CE
V x 5 . 7 5 . 7 1 15 = + = ponto P1,
no meio da reta de carga.
b) R
C
= 2 KO: v
CE
V
CE
V x 0 5 . 7 2 15 = + = ponto P2,
na saturao.

c) R
C
= 100 O: v
CE
V
CE
V x 25 . 14 5 . 7 1 . 0 15 = + = ponto P3,
perto do corte.
Grficos:








Figura 83: Flutuao do Ponto P

Concluso: O ponto P muito dependente de R
C
. Por ora, podemos afirmar que quanto
mais perto o ponto P estiver do meio da reta de carga, um circuito
amplificador melhor, porque permite mxima excurso de sinal. Veremos
detalhes disto mais frente. Veremos tambm que haver outro vilo
para um bom ponto P: a temperatura, pois o valor de | varia bastante com
ela.
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Regio de Trabalho e Bons Pontos P

No qualquer ponto P do transistor que podemos (ou devemos) trabalhar.
Existem limites. O fabricante do transistor informa a maior corrente que ele pode
trabalhar (
MAX
C
I ),bem como a maior tenso (
MAX
CE
V ). Existe ainda o limite
hiperblico da potncia (
MAX
P ). O que sobra a regio til ilustrada na Figura 84.
Perceba que o ponto A no est na regio til, enquanto B, C e D esto, com alguns em
lugares mais apropriados que outros.












Figura 84: Transistor regio de trabalho


Vejamos agora o que um bom e o que um mau ponto de polarizao.

Mencionamos que variaes na temperatura modificam o valor de |, e, por
conseqncia, afetam o ponto P. Alguns circuitos de polarizao que apresentaremos
agora foram projetados justamente para dar conta deste problema.

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T
r
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r

c
o
m
o

C
h
a
v
e

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Preliminarmente, vamos analisar as conseqncias do ponto P variar muito em
torno de seu valor ideal (que no meio da reta de carga, pois permitir mxima
excurso de sinal).
Na Figura 85 mostrado como seria o sinal de sada (v
CE
) caso o ponto P esteja
no meio da reta de carga (P1).

Figura 85: Qualidade de Ponto P


Perceba que a senide estar sempre
na regio ativa, linear, para no
distorcer (caso 1). Suponha agora que
o ponto P se desloque para perto da
saturao (P2) ou do corte
(P3).Observe que se, em ambos os
casos, mantivermos a amplitude da
senide, ela vai distorcer ou por baixo
(saturao, caso 2) ou por cima (corte,
caso 3).
Evidentemente que estas situaes numa amplificao (distores) so
indesejveis. Via de regra, o que se quer aqui a amplificao, no a modificao da
natureza do sinal amplificado! De forma geral, quando se projeta um circuito de
polarizao a transistor busca-se faz-lo de modo a obter mxima excurso de sinal na
sada, ou seja, na medida do possvel, projeta-se o circuito para manter o ponto P no
meio da reta de carga.

2.2 Transistor como Chave

Assim como diodo, o transistor tambm pode ser usado como chave liga-desliga.
Ele vai funcionar no CORTE (chave aberta, desligada) ou na SATURAO (chave
fechada, ligada). Mais ainda, esta caracterstica far do transistor o elemento central na
produo de lgica digital, portanto, de computadores!
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c
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m
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C
h
a
v
e

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Exemplo:

O circuito dado um comando de LED que se
acende quando passa alta corrente por ele. Se
0 =
SAT
CE
V , e se existe uma queda de 2 v no LED
quando ele est acionado, calcule a corrente de
funcionamento do LED.


Figura 86: Transistor como chave

R: i) Quando V
i
= 5 v: a base est fortemente polarizada e o transistor satura, Na
sada:
mA
C
I
SAT
CE C
xI
SAT SAT
V 13 2
0
1 15 = + + =

ii) Quando V
i
= 0, V
BE
= 0 e o transistor est cortado: No passa corrente no LED,
ele no est acionado.


No exemplo anterior, se supusssemos que para V
i
= 5 v o transistor estivesse na
REGIO ATIVA:

mA
B
I 43 . 1
3
7 . 0 5
=

=
Figura 87: Entrada hipteses de regio ativa

a) Se | = 100: 2 143 1 15 143 = = = x
C
i
C
R
cc
V
CE
V mA
C
I
v
CE
V 120 = HIPTESE ABSURDA!
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z
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b) Se | = 5: 2 15 . 7 1 15 15 . 7 = = x
CE
V mA
C
I
v
CE
V 85 . 5 = hiptese perfeitamente possvel.
Porm, VALORES DE | NO SO TO BAIXOS ASSIM!

c) Se | = 35 (menor | vivel): 2 50 1 15 50 = x mA
C
I
v
CE
V 37 = HIPTESE ABSURDA!

2.3 Circuitos de Polarizao
Polarizao Fixa (Autopolarizao ou de Base)
o circuito de polarizao mais simples (e barato), mas o de pior desempenho.

Exemplo:

Analise o circuito quanto sensibilidade do ponto P
temperatura. Considere V
BE
= 0, R
B
= 500 KO,
R
C
= 1 KO, Vcc = 10 v.



Figura 88: Autopolarizao
R:
CE
v
C
i + = 10 (sada)
|
|
02 . 0 500 10 = =
C
i
C
i
(entrada)

a) | = 100 i
C
= 2 mA
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b) | = 300 i
C
= 6 mA
Concluso:
| 1:3
I
C
1:3

ou seja, toda flutuao de | (devido temperatura) transferida para o ponto P.
Significa que este circuito no tem qualquer proteo s variaes de temperatura.

Polarizao por Realimentao do Emissor
Exemplo:
Idem. Faa a anlise.
a) Qualitativa
b) Quantitativa





Figura 89: Polarizao por realimentao no emissor

R:
a) Circuito de entrada: Se | + + |
B
V
R
v
C
I
B
|
|
Circuito de sada: Se
+ + + | | | | |
C
I
B
I
R
v
B
V
E
V
C
I
B
I
B
| |
Concluso: o circuito tende a compensar a variao da temperatura!

b) Entrada:
1 . 0
500
10
10
+
= + =
|
|
C
I
C
I
E
R
C
I
B
R
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96 . 1
1 . 5
10
1 . 0
100
500
10
: 100 = =
+
= =
C
I |
65 . 5
77 . 1
10
1 . 0
300
500
10
: 300 = =
+
= =
C
I |

Concluso:
| 1:3
I
C
1:2,88

ou seja, para o circuito de polarizao com realimentao no emissor parte da flutuao
de | absorvida pelo circuito produzindo o efeito mola. Significa que este circuito
tem certa proteo s variaes de temperatura.

Polarizao por Realimentao do Coletor
Exemplo:
Idem. Faa a anlise. V
BE
= 0, R
B
= 500 KO, R
C
= 1 KO, Vcc = 10 v.
c) Qualitativa
d) Quantitativa





Figura 90: Polarizao por realimentao do coletor

R:
a) Se + + + | |
C
I
B
I
C
V
C
I | , ou seja, o circuito
compensa as variaes de |.

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b)
1
500
10
10
+
= + =
|
|
C
I
C
I
B
R
C
I
C
R
67 . 1
6
10
1
100
500
10
: 100 = =
+
= =
C
I |
75 , 3
67 . 2
10
1
300
500
10
: 300 = =
+
= =
C
I |
Concluso:
| 1:3
I
C
1:2,25

ou seja, para o circuito de polarizao com realimentao no coletor tambm parte da
flutuao de | absorvida pelo circuito produzindo o efeito mola. Significa que este
circuito tambm tem certa proteo s variaes de temperatura. Ele tambm mais
barato.

Polarizao por Divisor de Tenso
o circuito mais popular, mesmo que no seja o mais barato.

Se fizermos uma anlise ideal (I
B
= 0):
cc
V
R R
R
B
V
2 1
2
+
= , como V
BE
= 0.7 v = constante:
7 . 0
2 1
2

+
=
cc
V
R R
R
E
V , que um valor constante.
Como
E
R
E
V
C
I = , ento I
C
constante e NO DEPENDE
DE |! Ou seja, este circuito tende a ser imune s variaes
de temperatura!
Figura 91: Polarizao por divisor de tenso

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a

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claro que a hiptese inicial (I
B
= 0) no totalmente verdadeira. Faamos,
pois, uma anlise mais realstica.

Exemplo: Se V
BE
= 0, analise o circuito quanto sensibilidade a |.
R:
Thevenin na base do transistor:
v
cc
V
R R
R
BB
V 5
2 1
2
=
+
=
O =
+
= = K
R R
R R
R R
BB
R 250
2 1
2 1
2
//
1




Figura 92: Polarizao por divisor de tenso completa

1
250
5
250 5
+
= + =
|
|
C
I
C
I
C
I

43 . 1
5 . 3
5
1
100
250
10
: 100 = =
+
= =
C
I |
78 . 2
8 . 1
5
1
300
250
5
: 300 = =
+
= =
C
I |
Concluso:
| 1:3
I
C
1:1,94

ou seja, de novo parte da flutuao de | absorvida pelo circuito (teoricamente at mais
que os outros circuitos concorrentes) produzindo o efeito mola.

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2.3.1 Praxes de Projeto

Quando em presena de resistncia no emissor, costuma-se adotar o padro V
E
~
10% V
CC
. Como vimos, o objetivo polarizar o transistor no meio da reta de carga
(50% V
CC
), portanto, em cima de R
C
teremos 40% V
CC
.
No projeto de polarizao por divisor de tenso, se fizermos o projeto quase
ideal,
E
R R | 01 . 0
2
s , onde | considerado corresponde ao menor possvel. Se fizermos
o projeto firme :
E
R R | 1 . 0
2
s .

Exemplo: Projete um circuito polarizador por divisor de tenso para: V
CC
= 20 v, I
C
=
perto de 5 mA, | entre 80 e 400. Utilize valores comerciais.
R: Em sala de aula.

Neste ponto, com o conhecimento de diodos, zeners e transistores (anlise DC),
estamos aptos a entrar em aplicaes importantes: fonte regulada e amplificadores
transistorizados. So assuntos que veremos a partir da prxima seo.

2.3.2 PNP e Outras Montagens
Como vimos ao incio deste
captulo o transistor pode ser
encontrado tambm na modalidade
PNP. Todas as caractersticas que
vimos ficam mantidas, apenas tenses
e correntes apresentaro valores
negativos relativos ao que vimos, como
ilustra a figura abaixo.




Aps Boylestad
Figura 93: Configurao PNP

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2
.
3

C
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a
r
i
z
a

o

55

Outro aspecto no qual todos aqueles conceitos que vimos para transistores ficam
preservados diz respeito montagem do transistor no circuito. Vimos at aqui apenas a
montagem Emissor Comum (EC), a mais popular. Porm, poderamos ter ainda as
montagens Base Comum (BC) e Coletor Comum (CC), a primeira delas exemplificada
na figura a seguir com sua caracterstica de entrada e de sada. Perceba que os perfis das
curvas so do mesmo tipo do que j estudamos, portanto, na prtica, no precisamos
voltar a fazer a anlise. Estas outras montagens tero importncia em algumas
aplicaes especiais que veremos a seguir.














Aps Boylestad
Figura 94: Montagem BC
UVA 2013 Cap.2 verso 2 Eletrnica 1 56


2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

56


2.4 Fonte Regulada de Tenso
Vimos que a ponte de diodos a melhor soluo onde se retifica a tenso AC e o
capacitor filtra a tenso retificada. Porm, o valor da carga afeta o ripple, e, portanto,
afeta V
cc
. Em suma, se R
L
cai, ento t cai, portanto sobe o tempo de queda e assim
aumenta o V
ripple
, portanto V
cc
cai. Ora se V
cc
cai, pode faz-lo a ponto de no servir
para a alimentao projetada! O que precisamos ento um circuito como o da Figura
95 para manter regulao:










Figura 95: Fonte regulada de tenso

Este circuito chamado regulador srie, pois a corrente na carga a que passa
no transistor. Fontes DC prticas apresentam no mnimo estas qualidades, pois assim se
garante as requisies de cliente, aqui representado pela carga R
L
.
No transistor temos as limitaes a serem atendidas:
V
CE
> 1 v para no sair da regio ativa
V
CE
baixo para no esquentar

Considere ainda como praxe de projeto C
1
= 1000 F ou 2200 F.

A seguir examinaremos passo a passo o que se faz para projetar uma fonte DC
regulada.

UVA 2013 Cap.2 verso 2 Eletrnica 1 57


2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

57


2.4.1 Projeto Completo da Fonte Regulada
Faremos esta etapa atravs de um exemplo. Seja projetar um regulador de tenso
srie para V
L
= 9 v; I
L
= 1 A. O critrio de escolha de cada componente o preo mais
barato, desde que atenda s especificaes.

Transformador







Figura 96: Projeto do transformador

Pela Figura 95:

V
s
= 2V
D
+ V
CE
+V
L

= 1.4 + V
CE
+ 9 = 10.4 +V
CE


Os valores comerciais de transformadores so:
110/3 110/6 110/9 110/12
110/15 110/18 110/22,
onde o valor eficaz de sada 2 V .

Portanto, se escolhermos V
S
= 12v:
v
CE
V v
S
V
eficaz
6 . 6 17 2 12 = = = ............ alto

Se escolhermos V
S
= 9v:

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2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

58


v
CE
V v
S
V
eficaz
6 . 2 13 2 9 = = = ............ bom

Se escolhermos V
S
= 6v:
0 5 . 8 2 6 < = =
CE
V v
S
V
eficaz
............ fora

Portanto, escolhemos o transformador: 110/9v

Diodos
A compra de diodo especificada por:
Tenso mxima no diodo: no caso: I
D
> 1 A
Tenso de pico inversa: no caso: v
pico
T
inv
13 >

Escolhemos, por exemplo
2
: 1N4001

Zener






Figura 97: Projeto do zener

V
Z
= 9 + V
BE
V
Z
= 9.7 v

Escolho V
Z
= 10 v, 400 mW

Alternativas prximas: 9 v e 12.7 v, todos com 400 mW.

2
Especificao de diodos pode ser encontrada em www.datasheet.catalog.com. 1N4001 apresenta as
especificaes [1 A , 50 V].
UVA 2013 Cap.2 verso 2 Eletrnica 1 59


2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

59



Como escolhi um zener de 400mW/10 v:
mA
Z
I
MAX
40 = , a regio de trabalho :




mA
Z
I
Z
I
MAX MIN
4 % 10 = = da a necessidade de R
1
!



mA
Z
I
MAX
40 =
Figura 98: Zener e regio de regulao

Na extremidade inferior da Regio til (I
ZMIN
) o zener no mantm seu
comportamento de fonte de tenso, portanto no regula a tenso. Na extremidade
superior (I
ZMAX
) temos a curva de potncia mxima, ou seja, o zener queima.

Transistor
Potncia: P
T
= V
CE
. I
C
= 2.6 x 1 = 2.6 W

Escolho BD135: P
T
= 8W ou 12 W (que mais caro!)
| = 39

Assim, mA
B
I
E
I
B
I
MAX MAX
25
1 39
1
1
=
+
=
+
=
|

portanto, dentro da regio til do zener.
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2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

60


Resistor

B
I
Z
I
R
I + =
1

Piores casos:
i)
MAX MIN
B
I
Z
I
R
I + =
1

= 4 + 25 = 29 mA
ii) + =
MIN MAX
B
I
Z
I
R
I
1

0
mA mA
Z
I
MAX
40 29 < = (OK!)
+ =
Z
V
R
V
C
V
1

Z
V
C
V
R
V =
1
= 11.6 10 = 1.6 v, ento:
2.6 +9

O = = 2 . 55
1
29
6 . 1
1
R R Comercial: R
1
=56 O

( )
56
2
6 . 1
1
=
R
P = 45.7 mW escolho R
1
= 56 O, W
8
1
(125 mW)
UVA 2013 Cap.2 verso 2 Eletrnica 1 61


2
.
4

F
o
n
t
e

R
e
g
u
l
a
d
a

d
e

T
e
n
s

o

61


2.4.2 Fonte de Corrente
Transistores bipolares podem ser usados com simplicidade para obter uma fonte
de corrente constante. Por exemplo, no circuito abaixo:









Figura 99: Fonte de corrente

( ) 7 . 0
2 1
1
=
+
=
B
V
E
V e
EE
V
R R
R
B
V (transistor ON)
Portanto:
( )
C
I
E
R
EE
V
E
V
E
I ~

=
Observe que como todos os termos da equao de cima so constantes, I
C
uma
corrente constante!
Uma soluo melhor ainda seria:







Figura 100: Fonte de corrente melhor
onde
E
R
BE
V
Z
V
E
I I

= ~ , melhor ainda, pois o zener garante tenso constante!


UVA 2013 Eletrnica 1 i


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

i


Anexo B - 2
a
. LISTA
(Assunto: Transistores e Fonte Regulada de Tenso)

2.1 (a) O circuito abaixo o comando de um LED que se acende quando passa alta
corrente por ele. Supondo V
CES
=0v, queda de 2V no LED quando ele est acionado,
calcule a corrente de funcionamento do LED.
(b) Se Vi =5v, mostre que o transistor no poder estar na regio ativa.
















2.2 (a) Dado o circuito onde | =100, e tambm a caracterstica de sada mostrada na
figura, determine o ponto de operao analiticamente.
(b) Trace a reta de carga DC e ache o ponto P graficamente. Considere | =100,
V
CES
=0,2v, V
BE
=0,7v.


















3K
+15 v
1 K
LED
Vi
0v
15v

100 KO
1 KO
R
C
R
B
V
BB
5,2 v
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
i
C
(mA)
v
CE
(volts)
55 A
50 A
45 A
40 A
35 A
V
CC
10 v

UVA 2013 Eletrnica 1 ii


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

ii


2.3 (a) Calcule a corrente de saturao do coletor
(b) I
C
=? ; | =100
(c) I
C
=? ; | =300


















35. (a) Polarize no meio da reta de carga.
| =200. Desprezar V
BE
.
(b) I
C
=? ; | =100
(c) I
C
=? ; | =300
(d) Qual a concluso que voc tira?
















2.4 Projete um circuito polarizador por diviso de tenso para: V
CC
=20v; I
C
=5 mA, |
entre 80 e 400. Utilize valores comerciais. Calcule os extremos de utilizao.
R
B
Vcc = +15 v
R
C
1 K

+15 v
0,91 K
0,1 K
430 K

UVA 2013 Eletrnica 1 iii


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

iii


2.5. (a) Ache o ponto Q. Suponha divisor de tenso quase ideal.
(b) Repita para: V
CC
=20v; R
1
=6,2 KO , R
2
=1 KO , R
C
=1,6 KO , R
E
=390
O , | =100.





















2.6 (a) Suponha um divisor de tenso ideal, ache a corrente no LED.
V
EB
=0,7v.
















(b) Verifique que o circuito a zener a seguir produz, aproximadamente, o mesmo
resultado, com a vantagem de termos uma fonte de corrente estabilizada.



Vcc = +30 v
R
C
3 K
6,8 K
R
2
1 K
R
E
0,75 K
R
1

Vcc = +12 v
R
C
0,2 K
0,68 K
R
2
0,62 K
R
1
LED

UVA 2013 Eletrnica 1 iv


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

iv



















2.7 O circuito a seguir um amplificador diferencial (que voc aprender melhor
futuramente) com cauda de corrente. Prove que a cauda de corrente funciona como uma
fonte de corrente segura, ou seja, independente da temperatura. Suponha que a
temperatura afeta igualmente as junes, e, portanto, V
BE
e V.






















Vcc = +12 v
R
C
0,2 K
R
2
0,62 K
LED
+
6,2 v 6,2 v
-

-VEE
Q
1
Q
2
Q
R
C
VCC
+
Vi
-
R
C
R
E
R
1
R
2
Cauda Cauda
de de
Corrente Corrente

UVA 2013 Eletrnica 1 v


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

v


2.8 Calcule R
B
para que o circuito sature. Utilize valores comerciais.

















2.9 (P3-Uerj-Eletrnica 1 2002.2)
Dispe-se de todos os resistores com tolerncia 10% e transistor com | variando assim
com a temperatura:
C |
-40 50
0 80
27 100
40 150

(a) Dimensione o R
B
melhor possvel para o circuito funcionar com mxima
excurso de sinal no Saara, de dia.
(b) Se voc testar o circuito na Uerj, num dia ameno de outono, qual a mxima
excurso na sada que voc pode obter sem distoro?
(c) Se voc um consultor de Eletrnica,
trabalhando em montanhas no norte da
frica (muito quente de dia, muito frio de
noite), que sugesto de outro circuito de
polarizao voc daria? Por qu?







R
B
Vcc = 10 v
R
C
2 K

1 KO
R
C
R
B
V
BB
+3 v
V
cc
+12 v

UVA 2013 Eletrnica 1 vi


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

vi

2.10 (PROVO 98)
Um inversor lgico de uma placa de circuitos digitais, com tecnologia TTL, deve
acionar o rel mostrado na figura abaixo.
Deseja-se especificar um transistor para fazer a conexo entre o inversor e o rel. Para
isso, determine:
a) o valor da resistncia R
B
e o valor mnimo do ganho de corrente |
seja acionado quando o TTL estiver no nvel lgico "1"; (valor: 5,0 pontos)
b) o valor da resistncia R
C
para que o limite de corrente da bobina do rel no seja
lor
mnimo especificado. (valor: 5,0 pontos)



Dados/Informaes Tcnicas:
- Resistncia eltrica da bobina: 20 O.
- Corrente mnima para acionar o rel: 40 mA.
- Mxima corrente suportada pela bobina do rel: 100 mA.
- Quando no estado "1", o inversor lgico TTL fornece corrente de 400 A para uma
tenso de sada de 2,4 volts.
- O transistor, quando conduzindo, tem uma tenso de 0,7 volts entre a base e o emissor.
- A tenso mnima de saturao entre o coletor e o emissor 0,2 volts.
UVA 2013 Eletrnica 1 vii


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

vii

2.11 (PROVO 99)
Um aparelho de TV com controle remoto infravermelho parou de responder aos
comandos remotos.
Analisando o circuito de recepo infravermelho desse aparelho, voc concluiu que o
fototransistor XYZ 333 estava "queimado". Foi ento utilizado para substituir o
componente danificado o fototransistor ABC 222, o nico encontrado no comrcio
local. Agora, porm, a TV s responde quando os comandos remotos so gerados a uma
curta distncia do aparelho. No conseguindo solucionar completamente o defeito, voc
decidiu fazer uma anlise mais cuidadosa do circuito. A partir do exposto:
a) explique, utilizando o conceito de reta de carga, por que, aps a substituio do
fototransistor, a TV s responde se os comandos forem enviados de uma pequena
distncia;
b)viabilize a recepo de forma a obedecer s especificaes tcnicas do manual, uma
vez que s foi possvel conseguir o fototransistor ABC 222.
Dados/Informaes Tcnicas:

O manual tcnico especifica que:
- o fototransistor XYZ 333 trabalha na saturao ou no corte, de acordo com a
presena ou a ausncia de luz infravermelha;
- o controle remoto tem alcance de 6m, e nessa situao a potncia luminosa recebida
pelo fototransistor 20 mW/cm
2
.


2.12 (PROVO 2000)
Considere os seguintes experimentos realizados em um laboratrio.
Experimento 1: O objetivo caracterizar transistores (NPN ou PNP) e verificar suas
condies, empregando um multmetro.
Alguns multmetros dispem de uma opo para teste de diodo, quando, ento,
fornecem uma tenso suficientemente grande para polarizar diretamente uma juno
PN. Com base nas medidas presentes na tabela, e considerando que o multmetro
empregado fornece 3 V, responda s perguntas abaixo.
UVA 2013 Eletrnica 1 viii


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

vii
i


a) O responsvel pelo experimento afirmou que os transistores Q1 e Q2 so PNP.
Baseado nas medidas presentes na tabela analise e comente essa afirmativa. (valor:
2,0 pontos)
b) Qual(is) transistor(es) apresenta(m) a juno BE em curto-circuito? (valor: 1,0
ponto)
c) Qual(is) transistor(es) apresenta(m) a juno BC em circuito aberto? (valor: 1,0
ponto)
Experimento 2: O objetivo determinar a corrente em um diodo de germnio, em
pontos de sua curva caracterstica. Para tanto, foi empregado o esquema mostrado na
Figura 1, que permitiu levantar a curva caracterstica indicada na Figura 2.
Determine, ento, o valor da corrente no ponto P da curva caracterstica. (valor: 6,0
pontos)

Dados / Informaes Tcnicas
A escala horizontal 10 mV/cm.
A escala vertical 10 mV/cm .
UVA 2013 Eletrnica 1 ix


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

ix

As pontas de prova empregadas so divisoras por 10.

2.13 (Provo) Um aparelho de TV com controle remoto infravermelho parou de
responder aos comandos remotos. Analisando o circuito de recepo infravermelho
desse aparelho, voc concluiu que o fototransistor XYZ 333 estava "queimado". Foi
ento utilizado, para substituir o componente danificado, o fototransistor ABC 222, o
nico encontrado no comrcio local. Agora, porm, a TV s responde quando os
comandos remotos so gerados a uma curta distncia do aparelho. No conseguindo
solucionar completamente o defeito, voc decidiu fazer uma anlise mais cuidadosa do
circuito.

Dados/Informaes Tcnicas:


O manual tcnico especifica que:
- o fototransistor XYZ 333 trabalha na saturao ou no corte, de acordo com a presena
ou a ausncia de luz infravermelha;
- o controle remoto tem alcance de 6m, e nessa situao a potncia luminosa recebida
pelo fototransistor 20 mW/cm
2
.

A partir do exposto:
a) explique, utilizando o conceito de reta de carga, por que, aps a substituio do
fototransistor, a TV s responde se os comandos forem enviados de uma
pequena distncia;
b) viabilize a recepo de forma a obedecer s especificaes tcnicas do manual, uma
vez que s foi possvel conseguir o fototransistor ABC 222.

2.14 Pesquise datasheets para os valores de diodos, zener, transistor, resistor,
encontrados para o exemplo deste captulo.

2.15 Projete uma fonte regulada tenso srie considerando que o cliente desta fonte
especifica uma corrente de 1 A e uma tenso de 12 v. Use valores comerciais e
UVA 2013 Eletrnica 1 x


A
n
e
x
o

B

-

2
a
.

L
I
S
T
A

x

considere que s se dispe dos resistores 12O, 68O e 82O. Caso o resistor comercial
projetado esteja em situao de queimar ou no regular, utilize associao de resistores.

2.16 Calcule a fonte de corrente I abaixo

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