UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NIEVO LEON

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA DIVISION DE ESTUDIOS DE POSTGRADO

UBICACION OPTIMA D E BANCOS D E CAPACITORES EN SISTEMAS D E POTENCIA

TESIS
EN OPCION A L G R A D O D E M A E S T R O EN CIENCIAS D E LA INGENIERIA ELECTRICA CON ESPECIALIDAD EN POTENCIA

PRESENTA:

SERGIO ARRIETA TAMEZ

SAN NICOLAS DE LOS GARZA, N. L,

FEBRERO, 2002

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UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEON

P A C U L T A D DE I N G E N I E R I A M E C A N I C A Y ELECTRICA DIVISION DE ESTUDIOS DE P O S T G R A D O

UBICACION OPTIMA DE BANCOS DE CAPACITORES EN SISTEMAS DE POTENCIA

T E S I S

EN OPCION AL GRADO DE MAESTRO EN CIENCIAS DE LA INGENIERIA ELECTRICA CON ESPECIALIDAD EN POTENCIA

PRESENTA:

SERGIO ARRIETA TAMEZ

: vN N I C O L A S DE LOS G A R Z A , N. L. FEBRERO, 2002

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE NUEVO LEN

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA Y DIVISIN DE ESTUDIOS DE ELCTRICA POSTGRADO

UBICACIN PTIMA DE BANCOS DE CAPACITORES EN SISTEMAS DE POTENCIA

TESIS
EN OPCIN A L GRADO DE MAESTRO EN DE L A INGENIERA ELCTRICA ESPECIALIDAD EN CIENCIAS

CON

POTENCIA

PRESENTA SERGIO ARRIETA TAMEZ

SAN N I C O L A S DE L O S G A R Z A , N. L.

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FONDO TESIS

UNIVERSIDAD AUTNOMA DE NUEVO LEN

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA Y DIVISIN DE ESTUDIOS DE ELCTRICA POSTGRADO

UBICACIN PTIMA DE BANCOS DE CAPACITORES EN SISTEMAS DE POTENCIA

TESIS
EN OPCIN A L GRADO DE MAESTRO EN DE L A INGENIERA ELCTRICA ESPECIALIDAD EN CIENCIAS

CON

POTENCIA

PRESENTA SERGIO ARRIETA TAMEZ

SAN N I C O L S DE L O S G A R Z A , N. L.

F E B R E R O , 2002

Universidad Autnoma de Nuevo Len Facultad de Ingeniera Mecnica y Elctrica Subdireccin de Estudios de Postgrado

Los miembros PTIMA DE

de comit de tesis recomendamos DE CAPACITORES EN

que la tesis DE

UBICACION POTENCIA,

BANCOS

SISTEMAS

realizada por el alumno Sergio Arrieta Tamez, matricula 0448954 sea aceptada para su defensa como opcin al grado de Maestro en Ciencias de la Ingeniera Elctrica con especialidad en Potencia.

El Comit de Tesis

y V o . Bo. M. C. Roberto Villarreal Garza Divisin de Estudios de Postgrado

A MI ESPOSA

Bertha Rosa Meza de Arrieta Por su paciencia, gran apoyo y fuente de superacin

A MIS HIJOS

Sergio Alfredo Vanessa Por tenerlos siempre mi pensamiento

UBICACIN PTIMA DE BANCOS DE CAPACITORES EN SISTEMAS DE POTENCIA

Sergio Arrieta Tamez, Ing. Profesor Asesor: Salvador Acha Daza, Ph. D.

RESUMEN

Tanto en sistemas de potencia como de distribucin, se vuelve muy importante la seleccin adecuada y la correcta ubicacin de la potencia reactiva necesaria, ya sea para corregir el factor de potencia de la carga o para reducir las prdidas por efecto Joule en las lneas de transporte de la energa elctrica.

Debido a lo anterior, se hace necesaria la realizacin de estudios de Ingeniera Elctrica para encontrar una solucin acertada y precisa que conduzca a la localizacin ptima de los equipos ya mencionados, evitando as problemas graves como son la resonancia y los sobrevoltajes en ciertos puntos del sistema elctrico. Un factor determinante para llevar a cabo stos estudios es la modelacin de todos los elementos del sistema, habiendo establecido con anterioridad el alcance de los estudios a efectuar. Una modelacin adecuada

deber incluir el comportamiento elctrico de equipos y elementos, como son los generadores, las lneas de transmisin, los transformadores, los reactores y los bancos de capacitores.

Una vez obtenidos los modelos anteriores, se efectan estudios de resonancia y sobretensin, as como la aplicacin de mtodos o procedimientos que indiquen el mejor lugar para la ubicacin del banco o bancos de capacitores.

En caso de tener compensacin serie, con capacitores en las lneas de transmisin, se analizan sus efectos sobre la regulacin, as como su impacto en la resonancia del sistema elctrico. Para el anlisis se deben usar mtodos que faciliten el desarrollo de los estudios, con el apoyo de tcnicas computacionales que agilicen la obtencin de la solucin al problema. El modelo involucra una

serie de ecuaciones cuyo nmero y complejidad dependern del tamao y elementos de la red elctrica estudiada.

Es importante enfatizar que los estudios mencionados tienen como objetivo primordial el conocer la localizacin ptima de los bancos de

capacitores, para as poder obtener el mximo beneficio posible derivado ste de la instalacin apropiada y cumpliendo con las restricciones operativas del sistema elctrico que se est analizando.

El trabajo de investigacin reporta la experiencia lograda al analizar la problemtica de colocar ptimamente capacitores en redes de distribucin y redes de subtransmisin, presentando ejemplos de porciones de la red de la Divisin Golfo Norte de la CFE.

NDICE
1.Introduccin 1.1.- Antecedentes del problema 1.2.- Importancia del tema 1.3.- Investigaciones relevantes realizadas con anterioridad 1.4.- Efectos provocados por la aplicacin inadecuada de bancos de capacitores 1.5.-Resumen 9 10 1 1 2 4

2.-

Anlisis de resonancia y sobretensin por efecto de capacitores shunt 2.1.- Resonancia debida a bancos de capacitores shunt 2.2 - Determinacin del voltaje esperado al conectar bancos de capacitores shunt 2.3.- Determinacin de la primer frecuencia de resonancia en bancos de capacitores shunt 2.4 -Resumen 16 19 12 11 11

3.-

Efectos provocados por bancos de capacitores serie 3.1.- Efecto sobre la regulacin de voltaje 3.2.- Efecto sobre la potencia transmitida 3.3 - Efecto sobre las frecuencias de resonancia del sistema 3.4.- Resumen

20 20 22 25 29

4.-

Estudio del barrido de frecuencia en sistemas de potencia 4.1.- Alcance del modelado del sistema 4.2.- Modelado del generador

30 30 30

4.3.- Modelado de la lnea de transmisin 4.4.- Modelado del transformador 4.5.- Modelado de bancos de capacitores en derivacin 4.6 - Modelado de bancos de capacitores serie 4.7 - Mtodos simplificados para el barrido de frecuencia 4.8.- Resumen

31 32 34 34 35 38

5.-

Modelos incremntales para la ubicacin ptima de bancos de capacitores 5.1.- Planteamiento del modelo 5.2.- Ecuaciones de flujo de potencia real y reactiva 5.3 - Modelo incremental para bancos de capacitores shunt 5.4.- Modelo incremental para bancos de capacitores serie 5.5.-Aplicacin de los modelos incrementales de potencia en sistemas elctricos 5.6.- Resumen 62 69 40 40 41 42 52

6.-

Conclusiones y recomendaciones

70

Referencias

72

Indice de Figuras

74

Apndice A: Catlogo de estructuras utilizadas en lneas

76

Apndice B: Incremento de voltaje y orden de resonancia al conectar bancos de capacitores shunt 79

Apndice C: Nomenclatura

82

CAPITULO 1

INTRODUCCIN

1.1.-ANTECEDENTES DEL PROBLEMA.

La compensacin reactiva utilizando bancos de capacitores es una prctica comn en los sistemas elctricos de potencia, estableciendo su problemtica principal la determinacin del sitio ptimo para su localizacin, as como el valor en trminos de la potencia reactiva, para considerar el beneficio tcnico-econmico. posteriormente

Este problema ha sido estudiado desde dcadas pasadas, efectuando ciertas consideraciones idealizadas, como es el caso de la regla de los 2/3 [7] aplicable a sistemas radiales con el objetivo de minimizar prdidas y que

considera una carga uniformemente distribuida y un calibre de conductor constante a lo largo de la red. Las consideraciones anteriores dan como resultado una localizacin ptima del banco de capacitores situada a 2/3 partes de la distancia total de la red contada a partir de la fuente. Sin embargo, si sta regla es aplicada en la prctica, se puede observar un error de hasta un 90% en distancia para ciertos casos extremos y de un 10% para otros casos ms cercanos a las consideraciones hechas en el estudio. Esta regla fue mejorada posteriormente por Grainger y Salama [1], desarrollando equivalentes

normalizados en los cuales consideraban secciones con diferentes calibres de conductor, pero manteniendo la segunda consideracin de carga uniformemente distribuida a lo largo de la red. Pese a esto, continu arrojando errores cercanos a los mencionados anteriormente.

Un planteamiento ms complejo del problema es para aqullos sistemas de potencia anillados o enlazados con otros, en los cules ya no es posible aplicar la regla mencionada en el prrafo anterior y que requiere de una serie de estudios especializados para la determinacin de la localizacin ptima del compensador de potencia reactiva, considerando la regulacin, el problema de resonancia y la minimizacin de prdidas en el sistema elctrico.

1.2.-IMPORTANCIA DEL TEMA.

Diversos estudios han indicado que de un 2% a un 4% de la potencia real total generada en los sistemas elctricos de potencia es consumida como prdidas l 2 R debido al efecto Joule. Las corrientes debidas al flujo de potencia reactiva contribuyen considerablemente con ste efecto, sin embargo; las prdidas producidas por las corrientes reactivas pueden ser reducidas por la instalacin de capacitores shunt o en derivacin. En adicin a la reduccin de

prdidas, una instalacin efectiva de bancos de capacitores libera capacidad adicional de potencia aparente en los elementos del sistema adems de proveer un mejor perfil de voltaje.

Alrededor del 90% de las prdidas totales de los sistemas elctricos es generada a travs de las lneas de transporte de la energa elctrica, y aproximadamente un 40% del 90% mencionado es causado por el flujo de potencia reactiva. La Figura 1.1 muestra la variacin de las prdidas debidas al flujo de reactivos a travs de las lneas como una funcin del voltaje en el nodo de recepcin y del desfasamiento angular entre los nodos de envo y de recepcin; considerando que el voltaje en el nodo de envo es igual a 1p.u., 3 fases de conductor 795 ACSR y 1 hilo de guarda AG-5/16".

Si se conocen los resultados del estudio de flujos de potencia, se est en posibilidad de estimar las prdidas por efecto del flujo de reactivos utilizando la

grfica correspondiente a las caractersticas de la lnea de transmisin bajo estudio.

Fig. 1.1 Variacin de las Prdidas debidas a las Corrientes Reactivas

Se puede tomar como ejemplo los siguientes resultados:

KV1=114.7 ang(-2) KV2=110.1 ang(-5)

Voltaje en el nodo de envo Voltaje en el nodo de recepcin

Prdidas totales en la lnea= 0.65 MW Lnea de Subtransmisin 115KV 3Fases 795ACSR 1 Hilo de Guarda AG-5/16"

Para hacer uso de la grfica, se deben cambiar las referencias de ngulos y voltajes tomando como base los valores correspondientes al nodo de envo:

KV1 = 1 p.u. ang(0) KV2 = (110.1/114.7) p.u. ang[-5-(-2 0 )] = 0.9598 p.u. ang(-3)

Entrando a la grfica de la Figura 1.1 con KV2 = 0.9598 p.u. y 02 = 3 o

% Prdidas debido al flujo de potencia reactiva = 24%

Por lo tanto, las prdidas producidas por el flujo de la potencia reactiva a travs de la lnea es de:

(0.24)(0.65) = 0.156 MW

La diferencia de (0.65-0.156) = 0.494 MW son prdidas producidas por el flujo de potencia activa a travs de la lnea.

1.3.-INVESTIGACIONES RELEVANTES REALIZADAS CON ANTERIORIDAD.

La literatura publicada describiendo algoritmos para la localizacin de capacitores es abundante. El Subcomit de Capacitores del Comit de

Transmisin y Distribucin del IEEE ha publicado 10 bibliografas en capacitores de potencia de 1950 a 1980. Por otro lado, el grupo de trabajo encargado de la administracin de VARs del Subcomit del IEEE de Control del Sistema ha publicado otras bibliografas de Potencia Reactiva y Control de Voltaje en Sistemas de Potencia. El nmero total de publicaciones obtenido de la lista de stas bibliografas es alrededor de 400, y muchos de stos documentos tratan especficamente sobre el problema de la localizacin ptima de capacitores.

Por lo tanto, el estudio detallado de toda la literatura sobre localizacin de capacitores se convierte en un problema de grandes dimensiones.

En ste trabajo de tesis se listan las tcnicas de solucin para el problema de la localizacin de capacitores [1], las cuales han sido clasificadas en cuatro categoras: analticas, de programacin numrica, heursticas, y las basadas en inteligencia artificial.

Categora I: Mtodos Analticos

Los mtodos analticos involucran el uso de clculos para determinar el mximo beneficio de la localizacin de un capacitor. puede ser encontrada como: La funcin de beneficio

S= KEAE + KPAP - K c C

( 1 -1)

donde

KEAE

KPAP

expresan respectivamente el ahorro de energa y la

reduccin de prdidas para una determinada localizacin del capacitor, y KcC representa el costo de instalacin del capacitor. Segn [1] los pioneros de la

localizacin ptima de capacitores, Neagle y Samson en 1956, Cook en 1959, Schmill en 1965, Chang en 1969, y Bae en 1978, todos usaron mtodos analticos para maximizar el beneficio de la funcin de costo mencionada arriba. A pesar de que se obtenan resultados con formas de solucin cortas, sos mtodos se basaban en consideraciones irreales de alimentadores con calibre de conductor constante y carga uniformemente distribuida. Esto dio paso a que la famosa regla de los "dos tercios" fuera establecida. La regla de los "dos tercios" para una mxima reduccin de prdidas, establece que un capacitor con rango de 2/3 del pico de carga reactiva debe instalarse a una posicin de 2/3 de la distancia total a lo largo del alimentador.

Esos mtodos analticos son relativamente sencillos de estudiar e implementar. A pesar de las consideraciones irreales hechas en la regla de los "dos tercios", algunas compaas hoy en da tienen implementados diversos programas para la localizacin de capacitores basados en sta regla, y algunos fabricantes de capacitores mencionan sta regla en sus guas de aplicacin.

Con el fin de obtener resultados ms exactos, el modelo del alimentador fue modificado. Grainger en el ao 1981 y Salama en 1985 desarrollaron modelos equivalentes de alimentadores normalizados en los cuales

consideraban secciones con diferentes calibres de conductor y un modelo de la carga que no estaba uniformemente distribuida. Grainger incluy tambin en publicaciones posteriores algoritmos que consideraban la conexin/desconexin de capacitores, proporcionando un modelo ms realista de alimentadores radiales en el cual se consideraba la variacin de carga en el sistema.

Grainger demostr la importancia del modelo apropiado para el sistema y de la consideracin de variacin de carga, indicando cmo la regla de los "dos tercios" poda ser altamente inexacta y dando como respuesta, en ciertas ocasiones, resultados adversos.

Los mtodos analticos ms recientes son ms exactos que los primeros mtodos utilizados, pero requieren de mayor informacin del sistema elctrico, as como de un mayor tiempo de estudio e implementacin.

Categora II: Mtodos de Programacin Numrica.

A medida que la capacidad de cmputo se ha incrementado para el ingeniero de planeacin y de anlisis, los mtodos de programacin numrica son formulados para resolver problemas de optimizacin. Los mtodos de

programacin numrica generalmente utilizan tcnicas iterativas para maximizar

o minimizar una funcin objetivo que contempla distintas variables de decisin. Los valores de las variables de desicin deben satisfacer, adems; una serie de restricciones. Para la localizacin ptima de capacitores, la funcin de ahorro

puede ser la funcin objetivo, y las localizaciones, capacidades, nmero de capacitores, voltajes en las barras, y las corrientes seran las variables de desicin; las cuales deben cumplir con ciertas restricciones operativas. Usando

mtodos de programacin numrica, el problema de localizacin de capacitores pude ser formulado como sigue:

MAX S= K L A L - K C C

(1.2)

Sujeto a AV < AV MAX

donde

KLAL

es el ahorro total que incluye ahorro de energa, reduccin de

prdidas y capacidad liberada, KcC es el costo de instalacin de los capacitores, y AV es el cambio en el voltaje al conectar el capacitor que no debe exceder un mximo de AVMAX.

Duran [1], en el ao 1968, fue el primero en usar una aproximacin de la tcnica de programacin dinmica para el problema de localizacin de

capacitores. La formulacin es simple y slo considera la reduccin de prdidas de energa y listados de capacitores para los tamaos factibles. En 1983, Fawzi [1], continu el trabajo de Duran, incluyendo la liberacin de capacidad en KVA en la funcin de ahorro. En se mismo ao, Ponnavaikko y Rao [1], usaron un mtodo numrico llamado "Mtodo de Variaciones Locales", que expandi el problema a incluir los efectos de crecimiento de carga, y capacitores switchables para la variacin de la misma. El nivel de sofisticacin y la complejidad de los modelos se increment en orden cronolgico con base al desarrollo de la capacidad computacional. Hoy en da, el poder computacional es relativamente

barato

muchos

paquetes

de

programacin

numrica

permiten

la

implementacin de algoritmos como los mencionados anteriormente.

Categora III: Mtodos Heursticos. Los mtodos heursticos son desarrolladas por medio de intuicin y experiencia. Las reglas heursticas proporcionan estrategias rpidas y prcticas que reducen el exhaustivo espacio de bsqueda que puede requerir un mtodo analtico de optimizacin, permitiendo llegar a una solucin muy cercana a la ptima obtenida con un mtodo ms sofisticado. En 1994, Abdel-Salam [1],

propuso una tcnica heurstica que consista en identificar secciones del sistema que tuvieran las prdidas ms altas debido a las corrientes de carga reactiva y despus identificar los nodos ms sensibles, en los cuales debera tenerse el efecto ms grande de reduccin de prdidas del sistema. Los tamaos de los capacitores instalados en los nodos ms sensibles eran determinados

maximizando la reduccin de prdidas de potencia utilizando compensacin reactiva con capacitores. En 1997, M. Chis [1], mejor el mtodo de Abdel-

Salam determinando los nodos ms sensibles directamente, considerando la configuracin completa de todo el sistema, y optimizando los tamaos de los capacitores con base en la maximizacin del ahorro neto consistente en ahorro de energa y la reduccin de prdidas. Adems, Chis tambin incluy en sus

estudios la variacin de carga del sistema elctrico.

A pesar de que los mtodos heursticos son fciles de estudiar y simples para ser implementados, en comparacin con los mtodos analticos y de programacin numrica, los resultados obtenidos no garantizan que sean la solucin ptima al problema.

Categora IV: Mtodos Basados en Inteligencia Artificial.

La reciente popularidad en el uso de tcnicas de inteligencia artificial ha proporcionado recursos para investigar su uso y aplicaciones a la ingeniera de potencia. Algunas otras aplicaciones son por medio de los algoritmos genticos, los sistemas expertos y las redes neuronales artificiales, entre otras. En 1993, Boone y Chiang [1], desarrollaron un mtodo basado en un algoritmo gentico para determinar la localizacin ptima y el tamao ptimo de los capacitores. En 1995, Salama [1], desarroll un sistema experto para el control de potencia reactiva que incluye la localizacin de capacitores basado en sus mtodos analticos desarrollados en 1985. En 1990, Santoso y Tan [1], usaron una red neuronal artificial para el control ptimo de capacitores switcheables. En dicho trabajo se usaron dos redes neuronales, una para pronosticar el perfil de carga con base en una serie de valores de carga medidos previamente en varias barras, y la segunda red era usada para seleccionar la posicin ptima de los taps de los bancos de capacitores basada en el perfil de carga predecido por la primera red neuronal. Cualquiera de los mtodos anteriores de inteligencia

artificial pueden implementarse utilizando herramientas ya desarrolladas y que se encuentran disponibles comercialmente.

1.4.-EFECTOS PROVOCADOS POR BANCOS DE CAPACITORES.

LA APLICACIN INADECUADA DE

Antes de instalar un capacitor en un sistema elctrico es necesario determinar su tamao y localizacin ptimos, ya que de no hacerlo se podran producir efectos graves que pueden llegar a daar tanto al banco de capacitores como a equipos cercanos a l. Los efectos que pueden producirse debido a lo mencionado en el prrafo anterior son: la resonancia con el sistema elctrico, las sobretensiones arriba del

mximo permisible, resonancia con frecuencias de corrientes armnicas que estn siendo inyectadas al sistema, incremento de prdidas "Joule" con beneficios contrarios para el ahorro de energa. Para que la instalacin del

capacitor sea ptima y adecuada, debe preverse que no se presenten los efectos mencionados garantizando as que su operacin ser eficiente y

confiable. As mismo, es necesaria la revisin de las condiciones operativas de los capacitores instalados en el sistema cada vez que se realicen cambios en la topologa de la red y en el tipo de carga, ya que stos cambios pueden producir condiciones de operacin indeseables sobre capacitores que en un principio fueron instalados ptimamente.

El anlisis de los efectos producidos por la seleccin y aplicacin inadecuada de capacitores requiere de una serie de estudios elaborados y sistematizados, los cules son el objeto de sta tesis y se presentan

detalladamente en captulos posteriores.

1.5.-RESUMEN.

En ste captulo se ha presentado de manera suscinta la importancia que representa la compensacin reactiva con base a bancos de capacitores en los sistemas elctricos de potencia. Se han repasado metodologas desarrolladas a travs de las ltimas cuatro dcadas y se ha analizado la problemtica que se puede presentar debido a la instalacin, con base a procedimientos intuitivos, de capacitores sin un respaldo terico que indique el punto ptimo para su localizacin.

Tambin se enfatiza el beneficio obtenido en los ltimos aos a raz del crecimiento del poder computacional a un menor costo, lo cual ha permitido contar con importantes herramientas para el desarrollo en el campo de la ingeniera elctrica de potencia.

CAPITULO 2

ANLISIS DE RESONANCIA Y SOBRETENSIN POR EFECTO DE CAPACITORES SHUNT

2.1.-RESONANCIA DEBIDA A BANCOS DE CAPACITORES SHUNT.

En los sistemas elctricos de potencia se utilizan bancos de capacitores para efectuar la compensacin reactiva y mejorar el perfil de voltaje en determinados nodos de la red, sin embargo; la conexin en derivacin de stos equipos puede dar lugar a condiciones de resonancia en serie o en paralelo lo que eventualmente amplifica los problemas de armnicas presentes en el sistema.

La resonancia en paralelo [9] se manifiesta como una impedancia grande al flujo de armnicas y ocurre cuando la reactancia inductiva del sistema equivalente, en el punto de conexin del capacitor, es igual a la reactancia del propio capacitor para un valor de frecuencia determinado. Si la combinacin del capacitor y la impedancia equivalente del sistema da como resultado una condicin de resonancia en paralelo a una frecuencia cercana o igual a alguna armnica inyectada a la red, sta corriente armnica excitar el circuito "tanque" dando origen a una corriente oscilatoria amplificada, reflejo del intercambio de la energa almacenada en la inductancia y la energa almacenada en el capacitor. Esta alta corriente oscilatoria puede causar la distorsin del voltaje en algunos puntos del sistema elctrico, as como provocar interferencia telefnica cuando las lneas de transmisin estn prximas a circuitos de telecomunicaciones.

La resonancia en serie [9] es el resultado de la combinacin serie del capacitor y la inductancia de alguna lnea o de algn transformador. Esta

caracterstica de resonancia presenta una trayectoria de baja impedancia a las corrientes armnicas y tiende a "atrapar" algunas corrientes armnicas con las cuales est sintonizado el circuito LC resultante. La resonancia serie puede

ocasionar niveles altos de distorsin del voltaje en el sistema, sin embargo, ste tipo de resonancia es menos comn que la resonancia paralelo y cuando se presenta est mas relacionada con el problema de ferroresonancia o con el de resonancia subsncrona.

En

la

Figura

2.1

se

muestran

los

diagramas

de

impedancias

correspondientes a los dos tipos de resonancia descritos.

XL=XC

jXx

Resonancia Paralelo

Resonancia Serie

Fig. 2.1 Circuitos para anlisis de resonancia

2.2.-DETERMINACION DEL VOLTAJE ESPERADO AL CONECTAR BANCOS DE CAPACITORES SHUNT.

En el Captulo 1 se analiz la reduccin de prdidas por efecto Joule como resultado de la compensacin reactiva en un sistema elctrico. Esta

reduccin de prdidas en las lneas de transmisin hace que el perfil de voltaje en los distintos puntos del sistema elctrico se incremente, sobre el valor inicial que se tena antes de conectar el capacitor. Se alcanza la mxima elevacin de tensin en el punto de conexin del capacitor mismo. Debido a lo anterior, es importante estudiar ste fenmeno para asegurar de que no se sobrepasa el lmite mximo de elevacin de tensin permitido en el sistema, una vez conectado el capacitor. Para esto es necesario obtener una expresin que

ayude a determinar, en forma rpida y sencilla, el mximo voltaje que se presentar en la red; el cual corresponder, como ya se mencion, al punto donde se conectar el capacitor. Si se supone el equivalente Thvenin, de la

Figura 2.2, en el punto de conexin del capacitor:

jXs

punto de conexin

QL

K V S ang(0) KV1 ang(aprox. 0o)

I S = l Q ang(aprox. -90) Fig. 2.2 Equivalente de Thvenin en el punto de conexin del capacitor

KVs= Voltaje de la fuente de lnea a tierra en kilovolts KV1= Voltaje de lnea a tierra en el punto de conexin, antes de conectar el capacitor expresado en kilovolts. jXs= Reactancia del sistema equivalente de Thvenin en el punto de conexin

Del diagrama unifilar se puede obtener; KV1=KVs - (-jls jXs/1000) = KVs - (Is/1000)(KVLL2/MVAcc3f) (2.1)

Donde: KVLL= Voltaje de lnea a lnea del sistema en kilovolts

Una vez conectado el capacitor se tiene lo siguiente: jXs punto de conexin

IC ang(aprox. 90)

- K V S ang(0) KV2 ang(aprox. 0o)

Is-Ic ang(aprox. -90)

Fig. 2.3 Circuito equivalente con capacitor conectado

Se considera que la reactancia equivalente del sistema, al conectar el capacitor, no cambia significativamente respecto a la que se tiene sin el capacitor, ya que la reactancia del banco es mucho ms grande que la del sistema equivalente de Thvenin.

Tambin se podr observar en el siguiente desarrollo, que slo se analiza el flujo de la corriente reactiva por ser la que afecta significativamente el voltaje. Se obtiene, por lo tanto, una ecuacin que en la prctica arroja resultados muy cercanos a los reales, pero en forma rpida y sencilla y con un grado de error mnimo.

KV2=KVs - (-jls + jIc)(jXs/1000) KV2=KVs - (Is)(Xs/1000)+(Ic)(Xs/1000) Sustituyendo (2.1) en (2.2) KV2=KV1+(IC)(Xs/1000) KV2=KV1+(1/1000)[(MVAcap x 1000)/(1.732 x KVLL)](KVLL2/MVAcc3f) KV2=KV1+ (KVLL/ 1.732)(MVAcap/MVAcc3f) (2.3) (2.2)

En la ecuacin (2.3) se observa que al voltaje KV1 el cual se tiene antes de conectar el capacitor se le suma otro voltaje, el cual es representado como un porcentaje del voltaje de lnea a tierra del sistema. Este porcentaje del voltaje est dado por la relacin que resulta de dividir la potencia trifsica del capacitor, entre la potencia de corto circuito trifsico del sistema equivalente de Thvenin en el punto de conexin.

Por lo tanto, si se desea saber el porciento de incremento de voltaje mximo en el sistema elctrico al conectar un banco de capacitores, se puede utilizar la expresin (2.4).

% AV = (MVAcap/MVAcc3f)x 100 donde: MVAcap= Potencia trifsica del banco de capacitores en MVA. MVAcc3f= Potencia de corto-circuito trifsico en el punto de conexin del banco de capacitores expresada en MVA.

(2.4)

2.3.-DETERMINACION D E L A PRIMER FRECUENCIA DE RESONANCIA EN BANCOS DE CAPACITORES SHUNT.

Cuando un capacitor shunt es conectado a un punto de un sistema elctrico se puede producir una condicin de resonancia para distintos valores de frecuencia [8], dependiendo stas del contenido armnico del propio sistema, as como de los parmetros de impedancia tanto del sistema como del capacitor.

Como ya se mencion en la Seccin 2.1, la resonancia paralelo presenta un camino de alta impedancia al paso de las corrientes armnicas del sistema. Este comportamiento producir mltiples incrementos de impedancia, en el punto de conexin del capacitor, para distintos valores de frecuencia de las corrientes armnicas manejadas por la red elctrica; tal como lo muestra la Figura 2.4. Sin embargo, el principal inters del anlisis es sobre los

incrementos de impedancia a frecuencias cercanas a la fundamental, debido a los efectos indeseables que se producen sobre el sistema elctrico.

0.4

r
(

LLI

O LLI Q Q O
LLI Z LLI .C

0.2

R LU O Q =) H Z O

0.05

)
0 5 10

l
15 20 25 30 35 ORDEN DE LA ARMONICA "H" 40 45 50

Fig. 2.4 Magnitud de impedancia equivalente en el nodo de conexin

Si se desea conocer la frecuencia correspondiente al primer pico de impedancia, se parte del concepto de que para una condicin resonante la reactancia inductiva equivalente de Thvenin del sistema debe ser igual a la reactancia del capacitor [13].

XLr = Xc r corL=1/corC C0r2=1/LC

C0R=/17LC

(2.5)

En la ecuacin (2.5) se puede observar que se tienen dos races, pero se toma la de signo positivo para las condiciones reales de operacin del sistema elctrico.

cor = V17C rad/seg

(2.6)

Como

cor= 2n fr

f r = ( VT7C )(1/2TI) HZ

(2.7)

Si lo que se desea conocer es la frecuencia de resonancia como un mltiplo de la frecuencia fundamental " f l a ecuacin (2.7) queda como:

h r = ( VT/LC )(V2nf) p.u.

(2.8)

Como

L= (XL)/(27rf)

C=1/(27tfXc)

h r = VXc/XL p.u.

(2.9)

donde: Xc= reactancia del banco de capacitores a frecuencia fundamental XL=reactancia equivalente de Thvenin a frecuencia fundamental en el punto de conexin del banco de capacitores Las reactancias Xc y XL pueden estar representadas en valores

reales(Q), o en p.u. referidos a la misma base de impedancia.

Adems, como Xc=(KVLL) 2 /MVAcap

XL=(KVLL) 2 /MVAcc3f

h r = V(MVAcc3f / MVAcap)

p.u.

(2.10)

donde: MVAcap= Potencia trifsica del banco de capacitores en MVA. MVAcc3f= Potencia de corto-circuito trifsico en el punto de conexin del banco de capacitores expresada en MVA.

2.4.-RESUMEN.

En las Secciones 2.1 a 2.3 de ste captulo se analizaron los efectos de resonancia y sobretensin que se producen en un sistema elctrico tras la instalacin de bancos de capacitores shunt o en derivacin. Tambin se desarrollaron expresiones analticas que permiten, en una forma sencilla y rpida, conocer valores indicadores de la magnitud de dichos efectos, con lo cual se facilita mayormente la toma de decisiones para efectuar medidas preventivas y/o correctivas dentro de la operacin y el control del sistema elctrico analizado.

CAPITULO 3

EFECTOS PROVOCADOS POR BANCOS DE CAPACITORES SERIE

3.1.-EFECTO SOBRE LA REGULACIN DE VOLTAJE.

Los capacitores serie se han utilizado durante aos en una cantidad limitada de circuitos de subtransmisin y de distribucin, ya que requieren de un diseo ms especializado que los capacitores en derivacin y adems su rango de aplicacin es ms restringido.

Un capacitor serie compensa la reactancia inductiva de la lnea en donde est insertado, provocando que la lnea aparente ser ms corta desde el punto de vista elctrico. Este efecto del capacitor serie reduce la cada de tensin

provocada por la reactancia inductiva de la lnea al circular un flujo de potencia a travs de ella.

Para ciertas aplicaciones, es mejor idealizar al capacitor serie como un regulador de voltaje que presenta una elevacin de tensin proporcional a la magnitud y al factor de potencia de la corriente que maneja en un instante determinado. Esta es la diferencia fundamental entre los efectos de un capacitor serie y un capacitor shunt.

El efecto de un capacitor serie de reducir la cada de tensin [7] se muestra en las Figuras 3.1 y 3.2. La cada de tensin a travs de una lnea

simplificada, Figura 3.1, se puede encontraren forma aproximada como: V*( I )(R) Cos(tp) + ( I )(XL) Sen((p) (3.1)

donde: I = magnitud de la corriente a travs de la lnea R = resistencia de la lnea XL = reactancia inductiva de la lnea < p = ngulo del factor de potencia de la corriente

Con un capacitor serie de reactancia Xc insertado en la lnea, Figura 3.2, la ecuacin (3.1) se modifica de la siguiente manera: (3.2)

V * ( I )(R) Cos(<p) + ( I )(XL - Xc) Sen(cp)

O simplemente

I R Cos(<p)

para el caso en que la reactancia capacitiva

Xc sea igual a la reactancia inductiva XL , aunque en la mayora de las aplicaciones Xc representa un porcentaje de XL. R
jXL

referencia

ES

-I -IR

XL

te
IRCOSOP)

Fig. 3.1 Circuito de transmisin y diagrama fasorial

jXL

-jXC

7
ER
referencia

ES

lXCSen{(p)

iXLSen(cp)

'lRCos(<p)

Fig. 3.2 Esquema de compensacin serie y diagrama fasoroial

3.2.-EFECTO SOBRE LA POTENCIA TRANSMITIDA.

Los capacitores serie adems de producir una reduccin del porciento de regulacin de voltaje en las lneas, tambin pueden ser usados para cambiar la divisin de la carga entre lneas que se encuentran trabajando en paralelo.

El flujo de potencia que transportan dos lneas trabajando en paralelo se puede obtener mediante la siguiente expresin, con base en la Figura 3.3.

SI = Stotal

Z2

Z1 + Z 2 , S2 = Stotal Z1 Z1 + Z2

(3.3)

Bus de Salida

Z1=r1+jX1
Sl=Pl+jQl

Bus de Llegada

Stotal=S1+S2
S2=P2+jQ2

Z2=r2+jX2

Fig. 3.3 Esquema de dos lineas trabajando en paralelo

Si se tiene una lnea, con un conductor cuyo calibre es relativamente grande, trabajando en paralelo con otra que posee un conductor de calibre menor que la primera, resulta imposible cargar la segunda lnea sin haber sobrecargado antes la lnea con conductor mas grueso. En una situacin como la anterior existen dos posibles soluciones, utilizar un transformador desfasador para regular la divisin del flujo de potencia real o tambin puede utilizarse un capacitor serie para compensar en un cierto valor la reactancia inductiva de la lnea con conductor mas delgado; reduciendo as su reactancia inductiva. Este efecto tiende a igualar los flujos de potencia tanto real como reactiva en ambas lneas, dependiendo sto ltimo del porciento de compensacin serie que se aplique en el esquema.

El porcentaje de compensacin serie es un indicativo del porciento de reactancia inductiva de la lnea que est siendo compensada mediante la aplicacin del capacitor serie y cuyo valor se puede obtener como:

Xr
FC(%)=
XL

xlOO

(3.4)

Despejando para Stotal de las ecuaciones en (3.3) e igualndolas entre s se tiene la expresin (3.5):

SI

ZI + Z 2 ^ Z2

= S2

ZI + Z2 X

(3.5)

ZI

Arreglando la ecuacin (3.5) en forma adecuada se tiene que:

51 =

72

(3.6)

52

Z1

Si consideramos que las resistencias de los conductores de ambas lneas tienen valores pequeos como para ser despreciados, la ecuacin (3.6) queda:

51 52

X2 XI

(3.7)

Si se conoce la relacin de distribucin de flujo deseada S1/S2 a travs de las dos lneas, se conoce tambin la realcin de reactancias X2/X1

necesaria para lograr la distribucin de flujo en una proporcin S1/S2. Una vez que se tiene la relacin de reactancias necesaria, se puede obtener la reactancia correspondiente a la lnea con mayor reactancia inductiva y si se resta el valor obtenido al de la reactancia original de la misma lnea se obtiene la reduccin en reactancia de la lnea. Si sta reduccin de reactancia se divide entre la reactancia original de la lnea, se tiene el factor de compensacin serie necesario para lograr la distribucin de flujo deseada. Este caso se puede ilustrar para los siguientes datos de la Figura 3.4. Bus de Salida

X1=2 p.u.
SI = 1/3 p.u.

Bus de Llegada S1/S2=0.5

S2=2/3 p.u.

X2=1 p.u.

Fig. 3.4 Datos para ejemplo

Por ejemplo, si la distribucin deseada de flujo tiene una relacin de = 0.9, se tiene que: 52 X2 = 0 9 XI relacin necesaria de reactancias

Despejando: Y9 Xl= 0.9 = i 0.9 =1.11 lp.u

De aqu se puede obtener el factor de compensacin serie necesario en la lnea 1:

f c =

(2

l.lll) 2

= 0 4 4 4 5 = 44450/o

3.3.-EFECTO SOBRE LAS FRECUENCIAS DE RESONANCIA DEL SISTEMA.

Un capacitor que es conectado en serie en una lnea de transporte de energa y que forma parte de un sistema elctrico, modificando en mayor o menor grado la reactancia inductiva de la lnea, dependiendo del factor de compensacin aplicado, dando como resultado que la magnitud de la

impedancia serie de la lnea tambin se vea modificada en una cantidad determinada. El circuito equivalente de la lnea de transmisin una vez

conectado el capacitor serie y que representa la variacin de la impedancia en funcin de las frecuencias manejadas por la misma se muestra en la Figura 3.5. Se observa cmo la reactancia inductiva de la lnea es directamente

proporcional a su valor a frecuencia fundamental multiplicado por el orden de la frecuencia utilizada. En cambio, la reactancia capacitiva es directamente

proporcional al valor a frecuencia fundamental e inversamente proporcional al orden de la frecuencia utilizada.

jhXLi

M / ^ - m Y U - i

Fig. 3.5 Circuito equivalente de la lnea de transmisin con capacitor serie y variacin de la impedancia en funcin de las frecuencias.

La impedancia serie equivalente de la lnea compensada, para cualquier valor de frecuencia se puede expresar como:

. Xci Zn = R + j h X L i - j

Ordenando la ecuacin se obtiene: Zh = R + jh X L I Xci h2 (3.8)

Cuando Xc=0, la ecuacin (3.8) queda expresada nicamente por el valor de la resistencia "R", sumado al valor inductivo "jhXL". Se aprecia claramente en (3.8) un comportamiento no lineal de la impedancia de la lnea a medida que se modifica el orden de la frecuencia "h", debido a la variacin no lineal de la reactancia total de la lnea. En la Figura 3.6 se muestra el comportamiento de

la reactancia para una lnea compensada en serie como una funcin del orden de la frecuencia.

Fig. 3.6 Caracterstica de reactancia en lnea de transmisin compensada

De la Figura 3.6 se observa como la reactancia de la lnea compensada tiene un comportamiento no lineal, el cual desaparece a un cierto orden de frecuencia, despus del cual la reactancia de la lnea toma un comportamiento tal como si sta no tuviera compensacin comportamiento se vuelve lineal. serie, de tal forma que su

Para conocer el orden de la frecuencia en el cual el comportamiento no lineal de la reactancia desaparece, es necesario obtener una ecuacin que se deduce igualando la reactancia de la lnea sin compensar con la reactancia de la lnea con compensacin serie, considerando que cuando la reactancia de la lnea no compensada es 2% mayor que la de la lnea compensada el efecto no lineal es despreciable.

jhXLi = 1.02jh XLi

Xci

Despejando el orden de la armnica "h" se obtiene: hs = 7 < Xci ^

v XLy

Sabiendo de antemano que como:

FC =

Xli

, la ecuacin anterior se puede escribir

h& = 7[ FC j

(3.9)

Donde: hs= Frecuencia serie de la lnea FC= Factor de compensacin serie aplicado a la lnea

El valor de la frecuencia serie puede llegar a tomar un valor mximo de siete, el cual se presenta cuando la reactancia inductiva de la lnea es compensada al 100%, o lo que es lo mismo, cuando el factor de compensacin es igual a uno.

Si se toma como base los factores de compensacin aplicados en sistemas de potencia y que corresponden a compensaciones de 20% a 50% [7], los valores de la frecuencia serie estarn dentro del rango de 3 a 5. Por lo

anterior la conexin de capacitores serie en los sistemas de potencia no afecta la caracterstica de barrido de frecuencia en los nodos, ya que por lo general los picos de impedancia tienen un orden de frecuencia ms arriba de 5. Sin

embargo, si se sabe de la existencia de picos de impedancia con frecuencias por

abajo bajo del orden 5, el efecto de los capacitores serie deber ser tomado en cuenta.

3.4.-RESUMEN.

En ste captulo se analizan los efectos que se producen en los sistemas elctricos de potencia cuando son conectados bancos de capacitores como compensacin serie en las lneas de transporte de la energa elctrica. Se

presentaron ecuaciones importantes que permiten conocer la distribucin de flujo de potencia en enlaces elctricos de manera rpida, as como el calcular la cada de tensin en las lneas de transmisin. Cabe mencionar que en redes de baja y mediana tensin la estabilidad angular se ve rebasada por los problemas de capacidad trmica y de cada de tensin, mientras que en redes elctricas de extra alta tensin los problemas de estabilidad angular y de cada de tensin son dominantes. As mismo, la impedancia equivalente de Thvenin representa la Idealmente, una barra infinita es

robustez del nodo en el cual es calculada.

representada por una impedancia equivalente de Thvenin igual a cero, pero para el caso real ser un valor que representa la capacidad de corto circuito y la cada de tensin ser mayor. El valor de la impedancia equivalente de Thvenin es importante en sistemas dbiles, y debe incluirse para obtener resultados correctos en el comportamiento del voltaje de la compensacin serie.

Tambin se analiz el efecto de los capacitores serie sobre caractersticas del barrido de frecuencia en los nodos.

las

Los procedimientos

descritos proporcionan una herramienta que permite saber cundo debe ser considerado el efecto de los capacitores serie en los problemas de resonancia. Bsicamente, ste captulo permite ver las diferencias de efectos y aplicacin entre los bancos de capacitores tipo serie y en derivacin.

CAPITULO 4

ESTUDIO DEL BARRIDO DE FRECUENCIA EN SISTEMAS DE POTENCIA

4.1.-ALCANCE DEL MODELADO DEL SISTEMA.

Es muy importante realizar estudios de barrido de frecuencia en todos los nodos de un sistema elctrico antes de la instalacin de elementos de compensacin de reactivos, para poder visualizar su efecto y prevenir problemas futuros sobre el sistema elctrico. Para sto es necesario determinar

primeramente cuales sern los elementos del sistema elctrico que debern ser modelados con base a las necesidades de informacin requerida como resultado del estudio.

Debido a lo mencionado en el prrafo anterior, se requiere especificar los modelos que se utilizan para cada uno de los elementos del sistema de potencia, facilitando as la realizacin de los estudios en forma sistemtica y rpida. En las siguientes secciones de ste captulo se presenta un resumen de los modelos utilizados para los elementos tpicos que forman parte de un sistema elctrico de potencia.

4.2.-MODELADO DEL GENERADOR.

Una planta de generacin que es conectada a un bus de un sistema elctrico se puede representar como una rama a tierra formada por una admitancia, cuyos valores dependern de las caractersticas operativas y de diseo de la propia mquina a frecuencia fundamental. Tambin interviene el

orden de la frecuencia "h" [15], como se muestra en la Figura 4.1 la cual representa el circuito equivalente para e! modelo del generador que ser usado en ste trabajo.

1 (Rg + jhXgi)

Fig. 4.1 Circuito equivalente para el modelo armnico del generador

4.3.-MODELADO DE LA LINEA DE TRANSMISION.

El modelo utilizado para la lnea de transmisin es el circuito equivalente ' V [10], el cual es ms conveniente para el anlisis, ya que por ejemplo, si se utiliza el circuito equivalente " T " sera necesario utilizar un nodo adicional por cada lnea modelada. Este modelo incluye la rama conectada entre los nodos de envo y de recepcin, la cual est formada por la impedancia serie de la lnea, as como el efecto capacitivo de la propia lnea representado por dos ramas conectadas a tierra, una en el nodo de envo y la otra en el nodo de recepcin, y cuyos valores son igual a la mitad de la susceptancia capacitiva total de la lnea. En la Figura 4.2 se representa el circuito equivalente para el modelo de la lnea de transmisin en funcin de sus parmetros a frecuencia fundamental y del orden de la frecuencia "h".

(RL + jhXu)

jh IYoil/2

jh IYCI/2

Fig. 4.2 Modelo de la lnea de transmisin en funcin de sus parmetros a frecuencia fundamental y del orden de la frecuencia "h".

4.4.-MODELADO DEL TRANSFORMADOR.

Para incluir los transformadores en los estudios de barrido de frecuencia se usar un modelo complejo del tap [14], el cual es representado por un circuito equivalente cuyas ramas de conexin dependern de la posicin del cambiador de derivaciones. Se toma como referencia el tap nominal. Utilizando ste

modelo y suponiendo que el lado primario del transformador se representa con el nmero 1 y el lado secundario con el nmero 2, los valores de las admitancias del circuito equivalente, en funcin de la impedancia del transformador a frecuencia fundamental y del orden de la frecuencia "h", se obtienen de la siguiente manera:

RT + jhXn

YL2 = -

(0
RT + j h X n W RT + jhXn

Y21 = -

Y22 =

1
RT + jhXTi

(4.1)

Donde " t "

es igual al voltaje en el lado secundario expresado en p.u.

para una posicin determinada del cambiador, referenciado al voltaje nominal en el mismo lado secundario del transformador. El modelo se puede representar

como circuito siempre y cuando el tap no sea complejo, es decir, que no posea parte imaginaria. El circuito equivalente del modelo del transformador obtenido a partir de los valores calculados en (4.1) se muestra en la Figura 4.3. Para un tap complejo se tendr el sistema de ecuaciones para calcular el comportamiento elctrico del modelo, pero no se podr representar su circuito equivalente.

Y3

i:
Yi

Y11=Y1+Y3 Y22=Y2+Y3 Y12=-Y3 Y21=-Y3

I
Y2

Fig. 4.3 Circuito equivalente para el modelo del transformador

4.5.-MODELADO DE BANCOS DE CAPACITORES EN DERIVACION.

Un banco de capacitores en derivacin que es conectado a una barra de un sistema elctrico se representa como una rama a tierra, formada por el valor de susceptancia del banco de capacitores, y cuyo valor depender de los valores de diseo del propio banco [15]. Si se conoce el valor de la reactancia capacitiva del equipo, la rama en derivacin puede representarse en funcin de la reactancia del banco a frecuencia fundamental, as como del orden de la frecuencia. En la Figura 4.4 se representa el circuito equivalente para un banco de capacitores conectado en derivacin a una barra de un sistema elctrico.

Fig. 4.4 Circuito equivalente para banco de capacitores conectado en derivacin

4.6.-MODELADO DE BANCOS DE CAPACITORES SERIE.

Tal como se estudi en la Seccin 3.3, para el modelado de un banco de capacitores serie es necesario que su efecto, en funcin del orden de la frecuencia, sea incluido dentro de la rama serie de la lnea de transmisin en la cual se encuentra insertado. Por lo tanto, el modelo de la lnea mostrado en la Figura 4.2 se transforma en un nuevo circuito equivalente que contiene el

comportamiento de la propia lnea, as como del banco de capacitores serie. La Figura 4.5 muestra el circuito equivalente, el cual incluye el efecto de un capacitor serie en funcin de los parmetros caractersticos de la lnea a frecuencia fundamental, del orden de frecuencia "h" y de los parmetros de diseo del capacitor serie tambin a frecuencia fundamental.

RL + jh XL 1

IXc^

jh IYCil/2

jhlYcil/2

Fig. 4.5 Circuito equivalente de un capacitor serie en funcin de los parmetros de la lnea a frecuencia fundamental y del orden de frecuencia "h".

4.7.-METODOS SIMPLIFICADOS PARA EL BARRIDO DE FRECUENCIA.

Para poder realizar un barrido de frecuencia en los nodos, es necesario formar la matriz de admitancias nodal del sistema elctrico para cada una de las frecuencias dentro del barrido. El punto de partida es tomar cada uno de los

modelos para los elementos presentados en las Secciones 4.2 a 4.6 de ste captulo y que participan en el sistema a estudiar. Una vez construida la matriz

de admitancias nodal para un determinado valor de frecuencia, se invierte para conocer los valores de impedancia de los equivalentes de Thvenin en cada nodo y correspondiendo puede a la frecuencia utilizada. Sin embargo, lento para ste

procedimiento

volverse

computacionalmente

sistemas

elctricos de potencia de gran escala, por lo que se hace necesario utilizar procedimientos ms sencillos que involucren una menor cantidad de clculos y por consiguiente, menor tiempo computacional para su desarrollo.

Un procedimiento sencillo y rpido que puede utilizarse es el desarrollado por el Profesor G.T. Heydt de la Universidad de Arizona [8], y presentado en su libro "ELECTRIC POWER QUALITY" en el ao de 1991. Este procedimiento se basa en el desacoplamiento de la matriz de admitancias nodal a la frecuencia fundamental, dando como resultado la suma de dos submatrices, de las cuales una est formada por admitancias y la otra por susceptancias capacitivas.

Ynodal ( i,=Yz ( i)+ Bc(i)

(4.2)

Donde: Yz (1) es la matriz de admitancias nodal sin incluir capacitancias y calculada a frecuencia fundamental. Bc(i) es una matriz diagonal formada solamente por susceptancias capacitivas sin incluir efectos resistivos e inductivos y calculada a frecuencia fundamental. Si se invierte la matriz Yz ( i), se obtiene la matriz de impedancias nodal del sistema elctrico a frecuencia fundamental sin considerar capacitancias del sistema, y la ecuacin (4.2) se puede escribir como:

Ynodal ( i) =[Znodal(i)]"1 + Bc ( i,

(4.3)

Como la matriz Znodal 0 ) se compone de elementos resistivos sumados a elementos inductivos, la expresin (4.3) se convierte en:

Ynodal(I) =[Rnodal+Xnodal ( I)]" 1 + BC<D

(4.4)

Si se requiere obtener la matriz de admitancias nodal a una frecuencia determinada, la ecuacin (4.4) se transforma en:

Ynodal(h) =[Rnodal+hXnodal ( i)]" 1 + hBc ( i)

(4.5)

Donde: Rnodal es la matriz de resistencias nodal del sistema elctrico. Xnodal ( i) es la matriz de reactancias inductivas nodal a frecuencia fundamental que incluye su representacin imaginaria "j". Bc (1) es la matriz de susceptancias capacitivas a frecuencia fundamental que incluye su representacin imaginaria "j". h representa el orden de la frecuencia con respecto a la frecuencia

fundamental.

Se puede observar que para grandes valores en la frecuencia, el trmino Rnodal se puede despreciar y la ecuacin (4.5) queda como:

Ynodal(h) =[hXnodal,i)]-1 + hBc 0 )

(4.6)

Si se invierte la matriz Ynodal (h ) de la ecuacin (4.5), se puede conocer la matriz Znodal (h , y por consiguiente efectuar el barrido de frecuencias en cada uno de los nodos del sistema elctrico para distintos valores de frecuencia.

Znodal(h) ={[Rnodal+hXnodal ( i)r 1 + hBc(i)}"1

(4.7)

Se puede ver que el algoritmo descrito por (4.7) es rpido y sencillo, y solamente basta con aplicarlo para los distintos valores de frecuencia "h".

Si se desea considerar el efecto de capacitores serie en el barrido de frecuencia, es necesario conocer el orden de la mxima frecuencia serie que se presentar en el sistema elctrico. La mxima frecuencia se puede estimar

aplicando la ecuacin (3.9) de la Seccin 3.3, donde el valor de "FC" ser el mximo factor de compensacin de todos los que estn siendo aplicados al sistema de potencia; con lo cual se asegura el incluir los efectos de la totalidad de capacitores serie insertados en el sistema.

hSmax

=7(-.FC max )

(4.8)

Una vez conocido el orden de la mxima frecuencia serie, se puede efectuar en forma separada el barrido para cada orden de frecuencia menor o igual que hSmax, a partir de los modelos estudiados en las Secciones 4.2 a 4.6. Posteriormente se aplica la ecuacin (4.7) para todos los valores de frecuencia mayores al orden de hsmax. Sin embargo, como se explic en la Seccin 3.3, si en las caractersticas de barrido de frecuencia sin capacitores serie no se observan picos de impedancia a frecuencias menores al orden 5, el efecto de los capacitores serie puede despreciarse y se aplicara directamente el

procedimiento de Heydt [8] a travs de la ecuacin (4.7).

4.8.-RESUMEN.

El anlisis y el estudio de los temas tratados en ste captulo, son de suma importancia para poder realizar estudios de barrido de frecuencia en un sistema elctrico determinado. Se presentaron los modelos requeridos para

cada uno de los elementos que intervienen en el sistema de potencia, facilitando as la construccin de la matriz de admitancias nodal correspondiente.

Tambin se present una deduccin del procedimiento de Heydt para estudios de barrido de frecuencia, as como la forma de adaptarlo a estudios en los cuales es necesario incluir los efectos de bancos de capacitores serie. Los capacitores serie son instalados en los sistemas elctricos para compensar la reactancia inductiva en lineas de transporte de energa elctrica y se requiere conocer su efecto sobre las frecuencias de resonancia del sistema.

CAPITULO 5

MODELOS INCREMENTALES PARA LA UBICACIN PTIMA DE BANCOS DE CAPACITORES

5.1.-PLANTEAMIENTO DEL MODELO.

Para el planteamiento de un modelo que indique la localizacin del punto ptimo de un sistema elctrico para la instalacin de un banco de capacitores, se deben considerar ciertas restricciones relacionadas con los efectos sobre la resonancia, el voltaje y las prdidas del sistema elctrico bajo estudio. Para

tomar en cuenta el efecto sobre la resonancia no se tiene gran problema, ya que slo basta con aplicar los procedimientos estudiados en las Secciones 2.3 y 3.3, as como lo visto en el Captulo 4.

Sin embargo, el problema se complica un poco al tratar de incluir los efectos sobre el voltaje y las prdidas del sistema, ya que al conectar un banco de capacitores, las variables nodales se ven modificadas unas en mayor y otras en menor grado. Debido a esto, en las siguientes secciones se desarrolla un las alteraciones de las variables

modelo matemtico que puede evaluar

involucradas, al provocar un cambio en la topologa de la red elctrica debido a la insercin de bancos de capacitores. El mtodo est basado en una

formulacin incremental de potencia a partir de los coeficientes de la serie de Taylor y despreciando trminos de orden superior. Esto proporciona matrices de sensitividad que indican cmo se alteran las distintas variables nodales al perturbar, por medio de inyecciones de potencia, los nodos del sistema elctrico.

5.2.-ECUACIONES DE FLUJO DE POTENCIA REAL Y REACTIVA.

Para el desarrollo del modelo, se parte de la ecuacin de flujo de potencia a travs de una linea de transmisin de energa [11].

gsr + jbsr

\
vszes

Isr

Is

W\a=^/yyyy

. Bsh j

Ish

i J

B s h

VrZGr

/O

Fig. 5.1 Modelo de lnea de transmisin para flujos de potencia

/ .BshN + Ysr(Vs-Vr) Isr = Ish + Is = Vs i v' 2 ,

Ssr = Vslsr

=Vs Ysr(Vs-Vr)+Vs

'.Bshv v 2 ,

Ssr = Vs (gsr + jbsrXVs - Vr)+ j

Vs

Ssr = Vs ( g s r - j b s r ) ( v s * - V r * ) - j B h V s *

Ssr = VsZ0s-|(gsr- j b s r ) [ V s z ( - 0 s ) - V r z ( - G r ) ] - j B h V s z ( - 8 s )

Ssr = (gsr - j b s r ) ( v s - Vs V r Z 0 s r/) - J j B s h Vs2

2

Ssr

- jbsr)[vs2 - Vs Vr (Cos 0sr + jSen Gsr) - iJ

2

.Bsh.. 2 Vs 2

Ssr = (gsr - j b s r ) ( v s - Vs Vr Cos Gsr - j Vs Vr Sen Gsr)- j B s h Vs 2 Ssr = gsrlVs Bsh +J - Vs V r C o s G s r ) - b s r ( V s VrSenGsr)

Vs 2 - bsrl Vs 2 - Vs Vr Cos Gsr - gsr( Vs Vr Sen 0sr)

Como: s=p+jq

psr = gsr^Vs qsr =

- Vs V r C o s 9 s r ) - b s r ( V s VrSen9sr)

(5.1) (5.2)

Bsh w _ 2 , L 2 Vs - b s r ( V s - Vs Vr Cos e s r ) - g s r ( V s VrSenGsr)

Las ecuaciones (5.1) y (5.2) se utilizan para el desarrollo de los modelos incrementales, los cuales a su vez permitirn la localizacin ptima de bancos de capacitores.

5.3.-MODELO INCREMENTAL PARA BANCOS DE CAPACITORES SHUNT.

Como se sabe, un capacitor en derivacin que es conectado a una barra de un sistema elctrico de potencia modifica el flujo de potencia reactiva a travs de las lneas de transmisin, provocando que los voltajes en los nodos se vean afectados en mayor o menor grado respecto al voltaje que se tena antes de la conexin del capacitor. Debido a lo anterior, la ecuacin a utilizar ser la (5.2), que est relacionada con el flujo de potencia reactiva a travs de lneas de transmisin.

qsr

Bsh , , 2 Vs 2 - bsr(vs 2 - Vs Vr Cos 9 s r ) - gsr(Vs Vr Sen Gsr)

Aplicando la forma incremental a la ecuacin anterior se tiene: . aqsr... aqsr... aqsr.. aqsr A . A q s r = ^ A Vs + A V r + H A0s+ M A9r avs avr a9s aer 5.3)

Donde:
5qSr

avs
5qSr

= - B s h V s - 2 b s r V s + b s r V r C o s 9 s r - g s r VrSenGsr

5 Vr
5qSr

= bsr Vs Cos 9sr - gsr Vs Sen 9sr

9s
aqsr

= -gsr Vs Vr Cos Gsr - bsr Vs Vr Sen Gsr y = gsr Vs Vr Cos 9sr + bsr Vs Vr Sen Gsr

a9r

Aplicando

las

aproximaciones

Vs^Vr^lp.u.,

CosGsr^l

Sen Gsr % 0 se tiene:

aqSr

avs
5C

= -Bsh Vs - bsr Vs

LSR

/ =U bsr V Vs

avr aqsr a9s aqsr a9r = -g srVs a = gsrVs

44 Sustituyendo las expresiones anteriores en la ecuacin (5.3): Aqsr = ( - B s h - b s r ) V s A Vs +bsr Vs A Vr - g s r Vs A 0 s + gsrVs A8r (5.4)

Como el cambio de los ngulos de los voltajes en los nodos es despreciable al variar las inyecciones de reactivos, se considera que A9s=A0r%O, por lo que la ecuacin (5.4) queda como:

Aqsr = ( - Bsh - bsr) Vs A Vs + bsr Vs A Vr

Aqsr

Vs

= -BshA Vs - bsrA Vs - A V r1 ) v

Igualando

cero

la

expresin

anterior,

se

obtiene

la

ecuacin

caracterstica del modelo de potencia reactiva de la lnea de transmisin:

AqSr

Vs

+ (bsr + Bsh) A Vs - bsr A Vr = 0

(5.5)

En la Figura 5.2 se representa un sistema elctrico de potencia, el cual se toma como referencia para la construccin del modelo incremental de la potencia reactiva.

Aplicando la ecuacin (5.5), se escribe las ecuaciones de las ramas serie:

(1)

Aq12

+ (b12 + Bsh1)AV1 - ( b 1 2 ) A V 2 - 0

(2)

Aq23

+ (b23 + Bsh2)A V2 - (b23)A V3 - 0

1 SLACK

Aq12 V1 _

gsr1+jbsr1

(YYY
AQ2 V2 V1

AQ1

Aq23 gsr2+jbsr2 V2

(TYY\
AQ3 V3

ie
1/2Bsh2

1/2Bsh1

1/2Bsh1

1/2Bsh2

Fig. 5.2 Sistema elctrico de potencia, para la construccin del modelo ncremental de potencia reactiva

Ahora las ecuaciones de nodos:

1.-

AQ1 V1

Aq12 V1

fBsh1 x

AV1

2.-

AQ2 _ Aq23 _ Aq12 V2 "" V2 AQ3 V3 Aq23 V2 V1 Bsh2^i

Bsh1

Bsh2

AV2

3.-

AV3

Las ecuaciones en forma matricial :

1 0 1 1 0

0 1 0 1 -1

b12 + Bsh1 0 Bsh1 2 0 0

-b12 b23 + Bsh2 0 Bsh1 Bsh2 2 2 0

0 -b23 0 0 -Bsh2

Aq12 V1 Aq23 V2 A V1 A V2 A V3

0 0 AQ1 V1 AQ2 V2 AQ3 V3

1 M2 0 1 -1 0

0 1 b23 0 1 -1

Bsh1 1+ b12 0 Bsh1 2 0 0

-1 Bsh2 1+ b23 0 Bsh1 Bsh2 2 " 2 0

0 -1 0 0 - Bsh2 2

Aq12 V1 Aq23 V2 A V1 A V2 A V3

0 0 AQ1 V1 AQ2 V2 AQ3 V3

Como

jb =

1 jX

, entonces

1 b

= -X

y sustituyendo en la matriz:

X12 0 1 -1 0

0 -X23 0 1 -1

1+

Bsh1 b12 0

-1 1 + Bsh2 b23 0 Bsh1 Bsh2 2 ~ 2 0

0 -1 0 0 -Bsh2

Bsh1 2 0 0

Aq12 V1 Aq23 V2 A V1 A V2 A V3

0 0 AQ1
-

V1 AQ2 V2 AQ3 V3

Se observa que la matriz tiene la estructura siguiente:

elem elem -Xelem

nodos A+M

nodos

A1

-Be

(5.6)

Donde:

A =Matriz de conectividad del sistema elctrico. A1 =Transpuesta de la matriz de conectividad. Xelem =Matriz de impedancias primitiva de los elementos multiplicada por (1/j). Be =Matriz de susceptancias capacitivas conectadas a los nodos y multiplicada por (1/j) existentes. M =Matriz que guarda las relaciones (Bsh/b) de cada elemento y cuyos valores son muy cercanos a cero. y que deber incluir bancos de capacitores ya

Si se considera despreciable la matriz M por ser cercana a cero, la expresin (5.6) queda como:

elem elem -Xelem

nodos A Aq/IVI

nodos

A*

-Be

AlVI

(5.7)

Desarrollando las ecuaciones de (5.7):

(-Xelemj^

(A)A V = 0

[Xelem]"1 (A)AV AQ V

(5.8)

+ ( - Bc)A V =

(A1

Aq
VV

AO U v +(Bc)AV

(5.9)

Sustituyendo (5.8) en (5.9): (A l ][Xelem]- 1 (A)A V =

AQ

+(Bc)A V

A t )(YelemXA)A V -

+ (Bc)A V

Considerando que

B l = (A l )(YelemXA) , se tiene que:

(Bl-BC)AV = ^

(5.10)

Desarrollando la expresin

(Bl-Bc)

se puede demostrar que el

resultado que se obtiene es equivalente a j(Bnodal) [12], donde Bnodal es la parte imaginaria de la matriz de admitancias nodal del sistema y que deber contener tambin su respectiva unidad imaginaria "j" para cada uno de sus elementos, por lo que (5.10) se puede escribir de la siguiente forma:

j(Bnodal)AV = ^

(5.11)

Se puede calcular los incrementos de voltaje las inyecciones de reactivos en los nodos AQ :

AV

como una funcin de

AV =0(Bnodal )]" 1 AQ ^
V y

(5.12)

En la ecuacin (5.12) se observa que el trmino [j(Bnodal)] -1 representa una matriz de coeficientes de sensitividad, que multiplicada por las inyecciones de reactivos en los nodos proporciona los incrementos de voltaje en cada uno de los nodos del sistema elctrico.

Una vez deducida

la expresin

(5.12), se desarrollar el

modelo

incremental para las prdidas en los elementos, partiendo de la siguiente ecuacin (5.13) de prdidas en las ramas de un sistema de potencia [11].

PL = Psr + Prs = gsr(\/s 2 + V r 2 ) - 2 g s r V s VrCosGsr

(5.13)

Donde: Psr = g s r ( v s 2 - Vs V r C o s 6 s r ) - b s r ( V s V r S e n 9sr) Prs = g s r ( v r 2 - Vs Vr Cos 6sr)+ bsr(Vs Vr Sen 9sr) Aplicando la forma incremental a la ecuacin (5.13) se tiene:

APL = Donde:
3PL

d?L

<3Vs

A Vs +

...

dPl

<9Vr

A Vr +

. ..

3PLAQ

dQs

A0s+

3PLA_

30r

A0r

(5.14)

avs
5PL

= 2gsr Vs - 2gsr Vr Cos 9sr

5Vr api 59s

r>Pl

= 2gsrVr - 2 g s r V s C o s 9 s r

= 2gsr Vs VrSen9sr y = -2gsr Vs VrSenGsr y

dQr

Haciendo las aproximaciones

dPl

Cos Gsr = 1 y

Sen 0sr

se tiene:

avs
aPL

= 2gsr(Vs - V r )

5 Vr dPl aes dPL dQr

= 2gsr(Vr - V s )

= 0

= 0

Sustituyendo las expresiones anteriores en la ecuacin ( 5 . 1 4 ) :

APL

= 2gsr(Vs - V r ) A V s + 2gsr(Vr - V s ) A V r

(5.15)

Aplicando la expresin ( 5 . 1 5 ) a los elementos del sistema de la Figura 5 . 2 se obtienen las siguientes ecuaciones:

APu2 = 2gi2(V1 - V 2 ) A V 1 + 2 G I 2 ( V 2 - V L ) A V 2
APL23 - 2 g 2 3 ( V 2 - V 3 ) A V 2 + 2 G 2 3 ( V 3 V2)AV3

Escribiendo las ecuaciones anteriores en forma matricial se tiene lo siguiente:

2gi2(vi - V2) 2 g i 2 ( V 2 - V l )

AV1

2g23(V2 - V 3 ) 2g2s(V3 - V 2 )

AV2

AV3

Acomodando los elementos de la matriz:

2gi2

(V1 - V 2 )

-1

V1

APL12

2g23

(V2-V3)

-1

AV2

APL23

V3

De sta ltima matriz se puede obtener una ecuacin general que tiene la siguiente estructura:

APl_elem

= 2[(gsr)elem][(Vs - Vr )elemlA][(A V

)nodos]

(5.16)

Sustituyendo

(5.12)

en la ecuacin

(5.16)

se obtiene:

APLelem

= 2[(gsr)eiem][(Vs - Vr )elemjA][j(Bnodal)]" 1

AQ V

(5.17)

Donde: [(gsr)eiem]=Matiiz diagonal con los valores de conductancias de cada una de las lneas y de dimensin (elementos x elementos). [(Vs - Vr)eiem]=Matriz diagonal con los valores de la diferencia de las magnitudes de los voltajes de envo y recepcin de cada una de las lneas y con dimensin (elementosxelementos). [A]=Matriz de conectividad del sistema elctrico que tiene una dimensin (elementos x nodos).

147514

[Bnodal]=Parte imaginaria de la matriz de admitancias nodal del sistema y que deber contener tambin su respectiva unidad imaginaria "j" para cada uno de sus elementos. Su dimensin es (nodos x nodos).

AG

=Vector que contendr las inyecciones de potencia reactiva en

los nodos del sistema. Su dimensin es (nodos x 1). De (5.17) se puede ver que la matriz de sensitividad para prdidas en los elementos tiene la forma siguiente:

[s]= 2[(gsr)eiem][(Vs - Vr)eiemlA]0(Bnodal)]"1

(5.18)

Esta matriz de sensitividad tiene una dimensin que depender de la topologa del sistema, ya que estar dada como (elementos x nodos). Los

coeficientes de cada una de las columnas de la matriz de sensitividad indicarn cul de todos los nodos es el ms sensitivo a la reduccin o incremento de prdidas del sistema, mientras que cada uno de los elementos de una determinada fila la cual corresponde a una lnea de transmisin en particular, indicar el grado de reduccin o incremento de prdidas en la lnea al inyectar reactivos en los nodos.

5.4.-MODELO INCREMENTAL PARA BANCOS DE CAPACITORES SERIE.

Cuando es insertado un capacitor serie en una lnea de transmisin para compensar la reactancia inductiva de la lnea, la distribucin de flujos en todo el sistema se ve modificada debido al cambio de voltajes y ngulos en los nodos, modificando tambin las prdidas totales de la red elctrica.

La experiencia en sistemas elctricos de potencia indica que el efecto de un capacitor serie sobre la reduccin de prdidas en el sistema es por lo general adverso, provocando que la nueva distribucin de los flujos de potencia en un sistema mallado incremente la magnitud total de las prdidas. An ms

ilustrativo, si el capacitor es insertado en una lnea que alimenta una carga de una subestacin radial, la reduccin de prdidas es tan pequea que puede ser despreciada, ayudando en mayor medida a reducir el porciento de regulacin de voltaje y mejorando el perfil de tensin en el nodo de recepcin.

Lo mencionado en el prrafo anterior establece una mejor idea del porqu la aplicacin de capacitores serie es tan limitada, comprendiendo principalmente mejoras en el nivel de cargabilidad de enlaces elctricos y mejoras de regulacin de voltaje en sistemas radiales. Sin embargo, en sta seccin se presenta un modelo desarrollado para poder conocer los efectos producidos sobre los voltajes y los ngulos nodales del sistema, sobre la transmisin de potencia real y de potencia reactiva a travs de las lneas, as como el efecto que se experimenta sobre las prdidas del sistema.

En la Figura 5.3 se muestra una lnea compensada en serie, que servir como referencia para desarrollar el modelo para los estudios de sistemas de potencia con lneas compensadas a travs de bancos de capacitores serie.

Rsr

jXsr

jXc

VsZGs
referencia

VrZ9r

Fig. 5.3 Modelo de lnea con compensacin serie

El trmino I'sr, representa la corriente que circula a travs de la lnea despus de que es conectado el capacitor serie. experimentales se ha encontrado que en sistemas Con base a estudios radiales la corriente

prcticamente permanece constante despus de conectar el capacitor serie, mientras que en redes con estructura anillada se puede utilizar la siguiente expresin para calcular el valor de la corriente I'sr.

I'sr = 0.95Isr(1 + FC)

(5.19)

Donde: Isr =Corriente antes de conectar el capacitor serie FC =Factor de compensacin serie aplicado a la lnea El banco de capacitores serie puede ser representado como una fuente de voltaje cuyo valor depender de la corriente que circula por la lnea una vez conectado, as como del valor de reactancia del banco de capacitores. Debido a que sta fuente de voltaje equivalente queda conectada en serie con la impedancia de la lnea, es posible hacer el cambio del circuito equivalente de Thvenin a uno tipo Norton. La Figura 5.4 muestra el circuito equivalente de

Norton para lnea compensada en serie.

Rsr

jXsr

Jnorton
referencia

Fig. 5.4 Circuito equivalente Norton para lnea compensada en serie

La fuente de corriente siguiente:

"Jnorton" puede ser calculada de la manera

Jnorton . V c = H X c X r s r ) = 0.95Isr(l + FCX-iXc) Zsr (Rsr + jXsr) (Rsr + jXsr)

Si consideramos que el valor de la resistencia de la lnea es despreciable, la ecuacin para Jnorton se puede escribir como:

Jnorton =-0.95Isr(FC + FC 2 )

(5.20)

El circuito mostrado en la Figura 5.4 se puede representar con dos fuentes de corriente, una extrayendo corriente del nodo "r" y otra inyectando al nodo "s". En la Figura 5.5 se muestra el circuito equivalente.

Rsr

jXsr

Js=Jnorton ( ^

( ^

) Jr=-Jnorton

referencia

Fig. 5.5 Circuito equivalente para lnea compensada en serie

Las dos fuentes de corriente Js y Jr se pueden expresar

como

inyecciones o extracciones de potencia en los nodos de la siguiente manera:

Ss = VsJs* Sr = VrJr*

(5.21) (5.22)

Ambas fuentes de potencia estarn formadas por una parte real y otra imaginaria, por lo que en forma adicional al modelo de potencia reactiva se requiere un modelo para la potencia real que maneje las inyecciones de potencia en los nodos. A continuacin se presenta el desarrollo del modelo incremental para la potencia real.

Partiendo de la ecuacin (5.1) se tiene que: psr = gsr(vs 2 - Vs Vr Cos 9 s r ) - bsr(Vs Vr Sen Gsr)

Aplicando la forma incremental a la ecuacin anterior:

Apsr =

5pSr

aVs

A Vs

3pSr +

aVr

A Vr

3pSr +

AGs + 30s

apSf

A9r 59 r

(5.23)

Donde:
apSr

= 2gsr Vs - gsr Vr Cos 9sr - bsr Vr Sen Gsr

aVs
apsr

aVr
apSr

s r Vs Cos 9sr - bsr Vs Sen 9sr = -q a

a9s
5psr

= qsr Vs Vr Sen Gsr - bsr Vs Vr Cos Gsr y = - q s r Vs Vr Sen Gsr + bsr Vs Vr Cos Gsr
a

aGr

Haciendo uso de las aproximaciones Sen8sr = 0 se tiene:

Vs Vr = 1p.u., C o s 9 s r ^ 1 y

apsr avs apsr avr

5psr

.. = y gsrVs ., = -gsr Vs y

aes
apsr

=-bsrVs =bsrVs

aer

Sustituyendo las expresiones anteriores en la ecuacin (5.23):

Apsr = gsr Vs A Vs - gsr Vs A Vr - bsr Vs ABs + bsrVs A 6 r

(5.24)

Como el cambio de los voltajes en los nodos es despreciable al variar las inyecciones de potencia real, se considera que AlVsl=AlVrkO, por lo que la ecuacin (5.24) queda como:

Apsr = - b s r Vs A 0 s + bsrVs A 9 r
Apsr

Vs

= -bsr A 9s + bsr A 9 r

Igualando a cero la expresin anterior, se obtiene una ecuacin para el modelo incremental de potencia real de la lnea de transmisin:

Apsr

Vs

+ b s r A 9 s - b s r A9r = 0

(5.25)

En la Figura 5.6 se representa un sistema elctrico de potencia, el cual se usa como referencia para la construccin del modelo incremental de la potencia real.

P12 V1

gsr1+jbsr1

Ap23

gsr2+jbsr2

V2

Fig. 5.6 Sistema elctrico de potencia, referencia para el modelo incremental de potencia real

Aplicando la ecuacin (5.25), se escriben las ecuaciones de las ramas:

(1) ' (2) v

'

Ap12

V1
Ap23

+ b12 A 91 - b 1 2 A 02 - 0

+ b23 A 92 - b23 A 93 = 0

V2

Ahora se escribe las ecuaciones de nodos:

1

AP1__ Ap12 V1 ~ V1

AP2_ Ap23_Ap12 V2 "" V2 AP3__Ap23 V3 ' V2 V1

Si se escribe las ecuaciones en forma matricial se tiene lo siguiente:

Ap12 1 0 1 -1 0 0 1 0 1 -1 b12 0 0 0 0 -b12 b23 0 0 0 0 -b23 0 0 0 V1 Ap23 V2 A01 A02 A93

0 0

AP1 V1 AP2 V2 AP3 V3

Si

se

divide

las dos

primeras

filas

entre 1 b

la

susceptancia

"bsr'

correspondiente a cada fila, y aplicando la expresin

= - X , se tiene:

Ap12 -X12 0
1

0 0

0 -X23 0
0 0

1 - 1 0 1
0

V1 Ap23 V2 A61 A62 A03

AP1 V1 AP2 V2 AP3 V3

-1 0

1 0 - 1 0

0 0

0 0

Se puede ver que sta ltima matriz tiene la estructura siguiente:

elem elem -Xelem

nodos A

nodos

A*

(5.26)

Donde:

A =Matriz de conectividad del sistema elctrico. A' =Transpuesta de la matriz de conectividad. Xelem =Matriz de impedancias primitiva de los elementos multiplicada por (1/j)-

Desarrollando las ecuaciones de (5.26):

(-Xelem^P

+(A)AG = 0

Ap

= [Xelem]" 1 (A)A0

(5.27)

Hv
Sustituyendo (5.27) en (5.28):

(5.28)

(a 1 Jxeiem]" 1 (A)A0 =

AP

A 1 )(YelemXA)A8 =

AP
v

Considerando que B l = ( A ^ Y E L E M X A ) , se tiene el siguiente resultado:

(BL)A0 = ^ P

(5.29)

Se puede demostrar que la estructura de la matriz BL es equivalente a

j(Bxnodai)

[12], donde

Bxnodal

es la parte imaginaria de la matriz de admitancias

nodal del sistema la cual es formada sin incluir las capacitancias en derivacin del sistema y que deber contener tambin su respectivo factor imaginario "j" para cada uno de sus elementos. Por lo anterior se tiene que (5.29) se puede escribir de la siguiente forma:

j(Bxnodal)A9 =

AP V

(5.30)

De aqu se puede despejar los incrementos de ngulos A9 como una AP funcin de las inyecciones de potencia real en los nodos :
- 1

AP V
[j(Bxnodal)]^1

A 6 = [j ( B x n o d a l ) ]

(5.31)

En la ecuacin (5.31) se observa que el trmino

representa

una matriz de coeficientes de sensitividad, factores que multiplicados por las inyecciones de potencia real en los nodos proporciona los incrementos en los ngulos de los voltajes nodales en cada uno de los nodos del sistema elctrico.

Una vez que se ha desarrollado el modelo incremental para la potencia real, como se muestra en (5.31), se une con el modelo de la potencia reactiva de (5.12) dando como resultado el siguiente modelo incremental para capacitores serie:

[j(BXnodal)]" 1

AP/IVI

[j(Bnodal)]" 1

AQ/IVI

(5.32)

Si se conocen las potencias de (5.21) y (5.22), se puede sustituir sus valores de potencia real y potencia reactiva en (5.32), obteniendo as los incrementos de voltaje y de sus respectivos ngulos. Sumando los incrementos calculados a los valores de voltajes y ngulos nodales que se tienen antes de conectar el capacitor serie, se puede conocer los voltajes y ngulos nodales despus de la conexin del banco de capacitores.

Una vez conocidos los valores de los voltajes y sus ngulos despus de la conexin del capacitor serie, se pueden calcular prdidas en lneas as como los flujos de potencia real y reactiva en las mismas. Si lo que se desea es

simplemente ver como se modifican los flujos de potencia real y reactiva en las lneas, se hara uso de (5.7) y (5.26) despejando para obtener Aq/IVI y para cada uno de los elementos. Ap/IVI

5.5.-APLICACIN DE LOS MODELOS INCREMENTALES DE POTENCIA EN SISTEMAS ELCTRICOS.

En sta seccin se estudiar la aplicacin de los modelos de potencia incrementales desarrollados en las Secciones 5.3 y 5.4, con la finalidad de ubicar el punto ptimo para la localizacin de un banco de capacitores, tomando como objetivo principal la reduccin de prdidas en el sistema elctrico, as como los efectos sobre la resonancia y los voltajes de la red elctrica.

Como se mencion con anterioridad

la reduccin de prdidas

es

despreciable y en ocasiones contraproducente cuando se coloca capacitores serie en lneas de transmisin, tambin se provocan efectos despreciables sobre las frecuencias de resonancia del sistema elctrico. Por sta razn, un capacitor serie no puede ser utilizado para reducir prdidas en el sistema, y su aplicacin se ve limitada a resolver los problemas de cargabilidad de enlaces elctricos o de regulacin de voltaje en sistemas radiales demasiado largos.

Por lo tanto, no es necesario aplicar un modelo que indique la localizacin ptima de los capacitores serie, ya que de antemano se conoce la localizacin de los problemas operativos mencionados en las lneas anteriores.

Un banco de capacitores en derivacin, a diferencia de uno serie, puede elevar o reducir las prdidas en un sistema elctrico en una forma considerable, lo anterior dependiendo del punto de instalacin seleccionado. Tambin se

estudi como un capacitor shunt puede afectar considerablemente los voltajes en los nodos del sistema, as como sus caractersticas de barrido de frecuencia. Debido a todo esto, se hace sumamente necesario aplicar el modelo

desarrollado en la Seccin 5.3 de ste captulo, con el objetivo de poder conocer cul o cules son los ptimos puntos para la instalacin de bancos de capacitores en derivacin, tomando en cuenta la reduccin de prdidas del sistema y los efectos sobre el voltaje y la resonancia.

En las siguientes pginas de sta seccin, se muestra la forma de aplicar el modelo desarrollado, tomando como referencia el sistema elctrico mostrado en la Figura 5.7. Para el sistema mostrado se obtuvo una corrida del simulador ASPEN Power-Flow, la cual muestra la corrida de flujos correspondientes antes de la instalacin de los bancos de capacitores que se desean conectar.

A continuacin se listan los datos de los elementos que componen el sistema elctrico de potencia de prueba.

No. de Nodos = 8 No. ae Lineas = 12 Voltaje del Sistema (KV) = 115 (MVA) = 100

Potencia base del Sistema

Potencia de generacin en NODO ~ = 30MW+jl0M'v"AR

Lineas (3 Fases A C S R - 7 9 5 K C M Nodo 1 2 4 4 1 1 2 6 1 7 6 2 tmpedancia del Iiripedancia del sal. Nodo lleg. 3 2 3 5 5 2 6 5 7 5 5 8

1 hilo de guarda AG-5/16" Resis.(pu) 0 .01618 0 . 05049 0.01359 0 .01295 0.01812 0.01618 0.01165 0.01036 0.03884 0.03948 0.01165 0.02265 React.(pu) C .09153 0 . 28558 0.07689 0 . 07322 0.10251 0 .09153 0.06590 0.05858 0.21967 0.22334 0 .06590 0 . 12814

en

estructura y/2(pu) 0.00587 0.01830 0.00493 0.00469 0 . 00657 0.0058^ 0.00422 0.00375 0.01408 0.01432 0.00422 0.00821

generador equivalente en nodo 1 = (0.0022+jC).0111)pu generador conectado en el nodo 7 = (0.006+jC).03)pu BEI ESI

ly/OCHO NODOS -ASPEN Powei FlowV1998D

Ele Ketaotk fiiegrem View ohe Check Hefc

P i l l a i b | s M tty|
N O D O8 IIS k V 56 4 p u 3 0 J ) P 2 0 J 3 Q -30.0 P 2 0O Q N O D O8 1 1 5k V 09 5 2 @ 3 33[.ii 3 8O P 22.00 17 7 P 0 . 3 5 3 Q -21.IP 1 1 . 8 Q

"3

N O O OS 1 1 5k V 09 S 2 @ 34 0 p u 3 03 P2 0S Q I 7 7P T1 2 0 4 0 . D P2 0O Q

N O D O5 1 1 4k V N O D O3 N O D O4 1 1 5k V 0 46;.2 G 4 p g M S k V 0 . 0 5 4 3 . 3 5 [ > u 09 4 8 @ 3 eipu 21.IP 1 1S Q 1 88 P1 01 Q J 0 4P 2 4 2 Q0 4 3 4 P -0 9 0 3 0 64 S P 5.860 -6 4 8 P -6 4 9 0 0 J ) P S O D O 2 3. S P 1 35 Q 2 38 P1 32 Q 1 0 0B P 3 0 00 30P 2 0O Q 4 78 P -27 1 Q 2 67 P -12 80

N O D O1 1 1 5k V 1 5 . 0 P 20.00 1 9 8 P1 2 9 Q 6 79 P3 9 30 4 84 P2 9 10 -3 9 7 P -0 8 5 6 Q

N O D O7 1 1 5k V 1C O C 'c s ro 5 i 2 p V 2 6O P1 19 Q

C O M P E N S A D O R

-O

3 0O P1 0O Q

L J
[Total genetabon-

J
227.6MW
Losses

3.58MW

Fig. 5.7 Diagrama unifilar del sistema estudiado

Una vez conocidos los datos del sistema elctrico, se puede aplicar la ecuacin siguiente para conocer la matriz de coeficientes de sensitividad del modelo de prdidas incrmentales.

[S]= 2[(gsr)eiem][(Vs - Vr)eiemA][j(Bnodal)]- 1

Utilizando

los datos del sistema elctrico, se forma

la matriz de

coeficientes de sensitividad [S]:

0.000104 -0.002560 -0.009724 -0.006250 -0.002937 -0.002817 -0.000301 -0.002562 0.000000 -0.000112 0.000013 -0.000063 -0.000030 0.000126 0.000056 -0.000010 -0.000042 -0.000001 -0.000112

0.000541 -0.000926 -0.000349 -0.000258 -0.000035 -0.000063 0.000590 0.000081 0.000144

0.000144 -0.001243 -0.002632 0.000799

0.000204 -0.002514 -0.002063 -0.003842 -0.005534 -0.004569 -0.000567 -0.002517 0.000132 -0.009448 -0.002678 -0.003210 -0.003714 -0.005551 -0.000381 -0.009459 -0.000002 -0.000080 -0.000015 -0.000572 0.000003 0.000023 0.000030 0.000056 0.000091 0.000005 -0.000080 -0.000572

0.000215 0.000398 -0.001108 0.000040

-0.000413 -0.001495 -0.001315 -0.002022 -0.002693 -0.002310 -0.000013 -0.000508 0.000020

- 0 . 0 0 0 0 0 1 -0.000006 -0.000002

0.001111 -0.001496 0.000036 -0.000508

0.000191

0.000354 -0.000984

-0.000002 -0.000003 -0.000004 -0.000000 -0.012443

(^Lneas) x (#Nodos)

Si se desea instalar un banco de capacitores de 20MVAR, simulando flujos de potencia con el programa ASPEN Power-Flow para cada localizacin del capacitor en cada uno de los nodos, se tiene los siguiente resultados dados en la Tabla 5.1.

Tabla 5.1 Resultados de flujos para el sistema de prueba

NODO DE CONEXION PERDIDAS TOTALES DEL SISTEMA ORDEN DE L A F R E C . DE RESONANCIA VOLTAJE EN EL NODO DE CONEXION

2 3 4 5 6 7 8

3.580MW 3.332MW 3.360MW 3.330MW 3.381 MW 3.343MW 3.581MW 3.211MW

21.938 9.262 8.919 8.063 10.035 9.014 14.158 5.260

1.000 0.962 0.965 0.962 0.970 0.963 1.000 0.952

p.u. p.u. p.u. p.u. p.u. p.u. p.u. p.u.

Los valores del orden de la frecuencia de resonancia en el nodo de conexin se calcula aplicando la ecuacin (2.10).
MVAcc3F MVAcap

hr =

Donde:

MVAcc3F Es el valor de corto circuito trifsico en el nodo MVAcap Es el valor de la potencia trifsica del capacitor

Los valores de corto circuito obtenidos de "ASPEN One Liner" para cada uno de los nodos son:

Tabla 5.2 Valores de corto circuito para el sistema de prueba

NODO MVAcc3F 9625.7 1715.9 1591.0 1300.3 2014.1 1625.3 4009.5 553.5

2 3 4 5 6 7

Si se considera una restriccin de voltaje de 3% arriba del valor nominal y una restriccin de resonancia de orden 5 o mayor, se puede observar que todos los nodos cumplen con las dos restricciones, pero el nodo ptimo es el nmero ocho ya que en l se produce la mxima reduccin de prdidas para el sistema.

Si se analiza ahora el mismo problema anterior utilizando el modelo incremental presentado en ste captulo, se puede realizar un barrido sobre la diagonal de la matriz de impedancias nodal del sistema elctrico, aplicando las ecuaciones (2.4) y (2.10) para conocer en cada nodo el porciento de elevacin de voltaje y su respectivo orden de resonancia. Todos los nodos que posean un orden de resonancia arriba de la restriccin establecida y que adems su voltaje antes de la conexin del capacitor sumado a su incremento correspondiente no sobrepase la restriccin de 3% arriba del voltaje nominal, sern los posibles nodos ptimos para la localizacin del capacitor. Haciendo esto ltimo, se

encuentra que para el sistema de prueba usado todos los nodos del sistema cumplen con ambas restricciones.

Sin embargo, debe observarse que de todos los nodos seleccionados existe uno en el cual la disminucin de prdidas del sistema es mxima. Este

dato se puede obtener de la matriz de coeficientes de sensitividad, sumando los elementos de cada una de las columnas de dicha matriz. Una vez sumados los elementos de cada una de las columnas, se observa cul de ellas posee el mximo valor negativo; que para ste caso resulta ser el nodo nmero ocho, lo cual coincide con lo obtenido efectuando las corridas de flujos con el simulador ASPEN Power-Flow.

En la Tabla 5.3 se muestran los valores de los coeficientes de sensitividad en cada nodo del sistema elctrico, correspondientes a la suma de los elementos de cada una de las columnas de la matriz de sensitividad.

Tabla 5.3 Sensitividad en los nodos para el sistema de prueba

NODO COEFICIENTE -0.00002137 -0.01721760 -0.01631399 -0.01839386 -0.01363399 -0.01696507 -0.00001055 -0.02967334

2 3 4 5 6 7

Cabe mencionar que los coeficientes de la matriz de sensitividad son constantes, a menos que se realicen estudios a distintos niveles de carga del sistema, ya que en general stos coeficientes dependen de la condicin de carga del sistema elctrico. Esta matriz de sensitividad tiene una aplicacin muy importante si lo que se quiere es reducir el valor de prdidas en una determinada lnea. Por ejemplo, si se quiere reducir las prdidas en la lnea nmero doce,

cuya informacin corresponde a la fila doce de la matriz, se puede observar que el mximo coeficiente negativo es el de la columna ocho, correspondiente al nodo nmero ocho, por lo que el nodo ptimo para la ubicacin de la fuente de reactivos ser el ocho logrando as reducir al mximo las prdidas en la lnea. Sin embargo, el efecto de la inyeccin de reactivos se deja sentir en los dems elementos del sistema incrementando o reduciendo sus prdidas, de acuerdo a los coeficientes del nodo ocho de cada una de las filas de la matriz de sensitividad.

Tambin se observa que la fila correspondiente a la lnea nmero nueve posee todos sus valores iguales a cero, ya que sta lnea est conectada entre los nodos uno y el siete, los cuales tienen la misma magnitud de voltaje en la corrida de flujos inicial y de cuya condicin se obtuvieron los coeficientes de sensitividad.

5.6.-RESUMEN

En ste captulo se analiz la aplicacin de los modelos ncrementales en los sistemas elctricos de potencia, comparando los valores obtenidos con las corridas de flujos llevadas a cabo mediante el simulador ASPEN Power-Flow. Se encontr que los resultados obtenidos son los ptimos, reduciendo con el mtodo propuesto el trabajo de clculo computacional especialmente para grandes sistemas, donde el nmero de ecuaciones para la solucin de flujos de potencia es igualmente mayor.

Tambin se analiz la forma de controlar las prdidas en las lneas de transporte de la energa elctrica, utilizando el mismo modelo incremental, lo cual proporciona una herramienta de suma importancia en la operacin eficiente y el control de los sistemas elctricos de potencia.

CAPITULO 6

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Como aportaciones generales en ste trabajo de tesis, se establece una metodologa de estudio y anlisis para la localizacin ptima de bancos de capacitores, usando modelos incrementales que fueron obtenidos con tal propsito. Adems, se desarrolla el software basado en la metodologa

propuesta, usando las ecuaciones presentadas en el trabajo.

De manera particular, en el Captulo 3 se presenta un procedimiento para calcular la frecuencia a la cual el efecto de los capacitores serie, sobre las caractersticas de barrido de frecuencia en los nodos, se hace despreciable; permitiendo as decidir sobre la inclusin de los bancos de capacitores serie dentro del estudio de barrido de frecuencia.

En el Captulo 4, una aportacin importante es el haber adaptado el procedimiento de barrido de frecuencia, desarrollado por Heydt, en aquellos sistemas en los cuales se tiene compensacin serie en las lneas, evitando con esto la construccin de "h" nmero de matrices de impedancias armnicas en los estudios de barrido de frecuencia en los nodos, y en los cuales se analizan "h" frecuencias armnicas.

En lo correspondiente al Captulo 5, las aportaciones se relacionan con el desarrollo de los modelos incrementales para estimar el efecto de capacitores serie y en derivacin sobre las variables del sistema, como son voltajes nodales, flujos "p" y "q", y para el caso particular de los bancos de capacitores en

derivacin, se presenta un procedimiento que permite calcular su localizacin ptima desde el punto de vista de prdidas, resonancia y sobretensin.

Al aplicar los modelos desarrollados se obtienen resultados que nos indican en forma exacta la ptima ubicacin del banco de capacitores,

reduciendo ampliamente el espacio de bsqueda y el clculo utilizado al hacer a un lado los procesos iterativos de las ecuaciones de flujo que en sistemas grandes se vuelven computacionalmente lentos, sustituyndose por modelos de sensitividad mas rpidos y sencillos.

Tambin se estudia la aplicacin de la matriz de coeficientes de sensitividad como un control de prdidas en las lneas que forman el sistema elctrico de potencia, haciendo uso de fuentes de inyeccin de reactivos en los nodos. Esto permite poder disminuir las prdidas totales del sistema reduciendo las prdidas en ciertas lneas que se tengan identificadas como de altas prdidas, elevando el efecto Joule en otras lneas en las que el monto de prdidas es mucho menor, liberando as capacidad de transmisin en los elementos deseados.

Como recomendacin para trabajos futuros se propone el estudio de los efectos sobre las protecciones del sistema al conectar bancos de capacitores serie, presentando tcnicas que minimicen dichos efectos evitando la incorrecta operacin de los relevadores.

Otro tema recomendado para trabajos futuros es el desarrollo de un algoritmo que en forma similar al presentado por Heydt nos permita la realizacin de estudios de barrido de frecuencia incluyendo los bancos de capacitores serie, eliminando el clculo de la frecuencia serie "hs" presentado

en la Seccin 4.7 y que se base nicamente en la matriz de impedancias nodal a frecuencia fundamental.

REFERENCIAS

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[15] Enrique Acha, Manuel Madrigal, "Power Systems Harmonics, Computer Modelling and Anlisis," John Wiley & Sons, Ltd., 2001, pp. 53-64.

NDICE DE FIGURAS
Figura 1.1 2.1 2.2 Variacin de las prdidas debidas a las corrientes reactivas Circuitos para anlisis de resonancia Equivalente de Thvenin en el punto de conexin del capacitor 2.3 2.4 Circuito equivalente con capacitor conectado Magnitud de impedancia equivalente en el nodo de conexin 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 Circuito de transmisin y diagrama fasorial Esquema de compensacin serie y diagrama fasorial Esquema de dos lneas trabajando en paralelo Datos para ejemplo Circuito equivalente de la lnea de transmisin con capacitor serie y variacin de la impedancia en funcin de las frecuencias Caracterstica de reactancia en lnea de transmisin compensada Circuito equivalente para el modelo armnico del generador Modelo de la lnea de transmisin en funcin de sus parmetros a frecuencia fundamental y del orden de la frecuencia "h" Circuito equivalente para el modelo del transformador Circuito equivalente para banco de capacitores conectado en derivacin Circuito equivalente de un capacitor serie en funcin de los parmetros de la lnea a frecuencia fundamental y del orden de la frecuencia "h" 17 21 22 23 24 13 14 Pgina 3 12

26 27

3.6

4.1

31

4.2

32 33

4.3 4.4

34

4.5

35

NDICE DE FIGURAS(Continuacin)
Figura 5.1 5.2 Modelo de la lnea de transmisin para flujos de potencia Sistema elctrico de potencia, para la construccin del modelo incremental de potencia reactiva 5.3 5.4 5.5 5.6 Modelo de lnea con compensacin serie Circuito en serie equivalente Norton para lnea compensada Circuito equivalente para lnea compensada en serie Sistema elctrico de potencia, referencia para el modelo incremental de potencia real Diagrama unifilar del sistema estudiado 45 53 54 55 Pgina 41

58 64

5.7

APNDICE A

CATLOGO DE ESTRUCTURAS UTILIZADAS EN LNEAS

CATLOGO DE ESTRUCTURAS UTILIZADAS EN LNEAS

(3.6, 5.6)

| 2 3 7 , 4.41

, 0 . 0 ,
x

"V ' ' ''

'

< 2 6 . 0 1

( O . o ,

( 1 2 . 1 . 9 , -

( 2 4 . 2 .0 )

%,

. S i . ' ,

I V '

0|

v - /
;
<

;
>

< /x >
\ / .

x
.

O >
/:
>

>
E S T B U C T U R A tt 1 ( 4 0 0 k v ,

,"/ t -

f X

E S T R U C T U R A S 2 ( 4 0 0 kcv )

E S T R U C T U R A 3 ( 0 Kv}

( o ,u . s r - j . - .
(0. 9 2 ,

*{1.

9 . 2 )

( . ! ! ] '
(O. 3 )

( 7 . 71 )

( 0 . 1 6 ,4 . S J ( 0 .0 1

I
7.1, 6)

( 0 .6 . 9f

I. ( 1 . 6 . 3 3 ) T
(O. 0 )

;
>
* (81.0)

0. 0)

< " r ^

E S T R U C T U R A 04 (230 kv)

ESTRUCTURA V 0 6( 1 1 6k v )

E S T R U C T U R A M 0 6 (115 kv)

( 3 . 6 .76 1

(1 4,9)
- -

. 1 t '
(2.806, 10.84)-

L
(0. 3.5)

|l6 6 1 8 .1 C
^ 8 . 5 9 .S . 9 S )

< 1 . 9 8 .sa l , ( 0 .r0 )^

l ) ' L^i- :( 0 . 6 . 1 ( 7 . 1 . 2 . 6 1 | 0 , | ; -

E S T R U C T U R A 07 ( 115 k v )

E S T C U C T UR A S O S( 1 1 6k v f

E S T R U C T U R A #09 (116 kv)

APNDICE A CATLOGO DE ESTRUCTURAS UTILIZADAS EN LNEAS(Cont

( 1 . 6 .9 . 6 " i I *( 3 . 6 .9 . 6 ) ^ ( 0 ,7 . 1 ) I < 0 . 3 4)

I ( 0 .6 . 4 P

fr r -1

" ( S . , 6 4) j ( 6 . 2 .3 . 2 ) 1 5 . 2 . O)

ESTRUCTURA 10 ( 1 1 8k v)

ESTRUCTURA No. 2 3 , 115KV

E S T R U C T U R A 2 4 (11S kv)

( 6 . 6 .1 0 . 6 1 3 ) ^ 1 66 .a . 9 9 ) ( 0 .3 .

( 0 .1 91 ) ( 0 . 1 6 )

^ ( 66 ,38 6 )

V1 2 . 9 1 '(0. 9 6 )
' ( 0 .e4 )

(0 J
0 .32 r

1 6 . 3 . . 4 1 ^ 1 6J . 3 . S )

'(0. 3 2 )
(0. 0)

I) ( 0 . O

ESTRUCTURA # 2 5( 1 1 6k v ) . Con H G d e C C. F. O.

E s t r u c t u r a# 2 6 . ' 1 1 6K V .T p oL i n d e r a

E S T R U C T U R An2 7( 1 1 5k v ) .C o nH C id *CO F .

f O .0 )

E S T R U C T U R A # 28 ( 1 1 S K V ) . Aisladores Cantil iver

APNDICE B

INCREMENTO DE VOLTAJE Y ORDEN DE RESONANCIA AL CONECTAR BANCOS DE CAPACITORES SHUNT

INCREMENTO DE VOLTAJE Y ORDEN DE RESONANCIA AL CONECTAR BANCOS DE CAPACITORES SHUNT

10

15

20

25

30

C a p a c i d a d del B a n c o de C a p a c i t o r e s ( M V A R )

INCREMENTO DE VOLTAJE Y ORDEN DE RESONANCIA AL CONECTAR BANCOS DE CAPACITORES SHUNT (Continuacin)

Capacidad del Banco de Capacitores en MVAR

APNDICE C

NOMENCLATURA

APNDICE C NOMENCLATURA

V KV I

Voltaje Kilovolts Corriente Impedancia Resistencia Inductancia Capacitancia Reactancia Reactancia inductiva Reactancia capacitiva Admitancia Susceptancia Susceptancia de la lnea Conductancia de la lnea Orden de la frecuencia Orden de la frecuencia de resonancia Orden de la frecuencia serie Angulo del factor de potencia Angulo del voltaje Potencia aparente Potencia activa o real Potencia reactiva Flujo de potencia activa en lneas Flujo de potencia reactiva en lneas Factor de compensacin

z
R L C

X
XL

Xc
Y B b 9 h hr hs

9 e s
p Q P

q FC

APNDICE C NOMENCLATURA(Continuacin)

A A A
1

Incremento Matriz de conectividad Transpuesta de la matriz de conectividad Potencia de prdidas Matriz de sensitividad Fuente de corriente Volts ampere reactivos

PL

[S] J VARs