Conclusiones

Se logr identificar los tipos de transistores NPN y PNP, utilizando el

probador de diodos del multimetro.
Identificamos los elementos que conforman un transistor, emisor, base y
colector usando el manual ECG y el probador de diodos del multimetro.
Se logr calcular y medir los voltajes de operacin de VDC que se
encuentran en un circuito con transistores.
Comprobamos el funcionamiento del transistor como interruptor.
Se logr aplicar una carga inductiva a la Salida del transistor.
Se logr aplicar el transistor como interfase de potencia.
Se mostr cmo funciona un amplificador de emisor comn tpico y medir la
ganancia de voltaje con carga.
Se determin el corrimiento de fase entre las seales de entrada y salida de
un amplificador de emisor comn.
Se logr medir la ganancia de un amplificador de emisor comn con
condensador de desacoplo en el emisor.











7. OBSERVACIONES

EN LA ZONA DE SATURACIN, EL VOLTAJE MNIMO ES CASI CERO.
EN LA ZONA DE CORTE, EL TRANSISTOR DE VOLTAJE ES LA DE LA FUENTE Y LA CORRIENTE ES CASI CERO.
IMPLEMENTANDO EL CIRCUITO CON UN REL Y UN DIODO, EL DIODO SE COMPORTA COMO UN
REGULADOR Y CUANDO EL CIRCUITO EST CERRADO LA LMPARA SE ENCIENDE; Y AL ABRIRSE LA
LMPARA NO SE PRENDE.
AL USAR LA BOBINA EN CAMBIO DEL REL Y EL DIODO, HACE QUE SE PRODUZCA PICOS DE VOLTAJE DE
SALIDA DEL VCE.
EN EL COLECTOR EMISOR DEL TRANSISTOR SE OBSERVA LOS PICOS DE VOLTAJE MXIMOS CUANDO
EST IMPLEMENTADO CON UNA BOBINA.
AL AUMENTAR LA FRECUENCIA EL VOLTAJE TAMBIN AUMENTA.
















INTRODUCCION:

EN ESTE LABORATORIO IDENTIFICAREMOS LOS TRANSISTORES NPN Y PNP COMO
TAMBIN VEREMOS LAS CARACTERSTICAS Y FUNCIONES DE CADA UNA DE ELLAS PARA
ESO UTILIZAREMOS EL MULTMETRO DIGITAL PARA IDENTIFICAR EL EMISOR, BASE Y
COLECTOR. SE COMPROBARA EL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR COMO
INTERRUPTOR, VEREMOS CMO FUNCIONA EL AMPLIFICADOR DE EMISOR COMN
TPICO PARA LUEGO MEDIR LA GANANCIA DE VOLTAJE.

APLICAREMOS EL TRANSISTOR COMO INTERFACE DE POTENCIA, EN CADA CIRCUITO
VEREMOS SUS RESPECTIVOS GRFICOS Y PODREMOS VER LAS DIFERENCIAS QUE
EXISTE EN CADA UNA DE ELLAS DEBIDO AL COMPORTAMIENTO DIFERENTE QUE TIENE
CADA CIRCUITO Y AL FINAL CON ELLO SACAREMOS NUESTRAS PROPIAS
CONCLUSIONES.















3. INTRODUCCIN TERICA

3.1 TIPOS DE TRANSISTOR

EXISTEN DISTINTOS TIPOS DE TRANSISTORES, DE LOS CUALES LA CLASIFICACIN MS
ACEPTADA CONSISTE EN DIVIDIRLOS EN TRANSISTORES DE BIPOLARES O BJT (BIPOLAR
JUNCTION TRANSISTOR) Y TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO O FET (FIELD EFFECT
TRANSISTOR). LA FAMILIA DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO ES A SU VEZ
BASTANTE AMPLIA, ENGLOBANDO LOS JFET, MOSFET, MISFET, ETC.





a. TRANSISTORES BIPOLARES

LOS TRANSISTORES BIPOLARES SURGEN DE LA UNIN DE TRES CRISTALES DE SEMICONDUCTOR CON
DOPAJES DIFERENTES E INTERCAMBIADOS. SE PUEDE TENER POR TANTO TRANSISTORES PNP O NPN.
TECNOLGICAMENTE SE DESARROLLARON ANTES LOS TRANSISTORES BJT QUE LOS FET.

LOS TRANSISTORES BIPOLARES SE USAN GENERALMENTE EN ELECTRNICA ANALGICA. TAMBIN EN
ALGUNAS APLICACIONES DE ELECTRNICA DIGITAL COMO LA TECNOLOGA BICMOS O TTL.

b. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO MS CONOCIDOS SON LOS JFET (JUNCTION FIELD EFFECT
TRANSISTOR), MOSFET (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET) Y MISFET (METAL-INSULATOR-
SEMICONDUCTOR FET).

TIENEN TRES TERMINALES DENOMINADAS PUERTA (O GATE) A LA EQUIVALENTE A LA BASE DEL BJT, Y
QUE REGULA EL PASO DE CORRIENTE POR LAS OTRAS DOS TERMINALES, LLAMADAS DRENADOR (DRAIN) Y
FUENTE (SOURCE).

PRESENTAN DIFERENCIAS DE COMPORTAMIENTO RESPECTO A LOS BJT. UNA DIFERENCIA SIGNIFICATIVA
ES QUE, EN LOS MOSFET, LA PUERTA NO ABSORBE INTENSIDAD EN ABSOLUTO, FRENTE A LOS BJT, DONDE LA
INTENSIDAD QUE ATRAVIESA LA BASE ES PEQUEA EN COMPARACIN CON LA QUE CIRCULA POR LAS OTRAS
TERMINALES, PERO NO SIEMPRE PUEDE SER DESPRECIADA.





3.2 FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

PARA QUE UN TRANSISTOR FUNCIONE COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO O CERRADO ES NECESARIO QUE
CIRCULE O NO CIRCULE CORRIENTE ENTRE EL COLECTOR Y EL EMISOR. EN AMBOS CASOS SE INTERCALAN DOS
RESISTENCIAS QUE TIENEN COMO MISIN LIMITAR LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE CIRCULA POR LA BASE Y EL
COLECTOR, Y QUE SE LLAMAN:

R
B
: RESISTENCIA DE BASE.
R
C
: RESISTENCIA DE CARGA.
COMO INTERRUPTOR ABIERTO (ZONA DE CORTE).

a. ZONA DE CORTE

SI R
B
ES MUY GRANDE, I
B
= 0 -> NO DEJA PASAR CORRIENTE ENTRE COLECTOR Y EMISOR. NO CIRCULA
CORRIENTE POR LA BASE.

IMAGEN: ZONA DE CORTE






IMAGEN: TRANSISTOR SE
COMPORTA COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO













b. ZONA ACTIVA

SI R
B
DISMINUYE, I
B
AUMENTA Y PERMITE PASAR CORRIENTE ENTRE COLECTOR Y EMISOR.

LA RELACIN QUE EXISTE ENTRE LA INTENSIDAD DEL COLECTOR Y LA INTENSIDAD DE LA BASE ES: I
C
=
I
B

: GANANCIA DE CORRIENTE, SU VALOR ES APROXIMADAMENTE 100.




















c. ZONA DE SATURACIN

SI AUMENTAMOS PROGRESIVAMENTE EL VALOR DE INTENSIDAD EN LA BASE, LLEGA UN MOMENTO EN EL
QUE LA INTENSIDAD DEL COLECTOR NO SIGUE AUMENTANDO. EL TRANSISTOR SE COMPORTA ENTONCES COMO
UN INTERRUPTOR CERRADO.






OBJETIVOS
Identificar los tipos de transistores NPN y PNP, utilizando el probador de
diodos del multimetro.
Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y
colector usando el manual ECG y el probador de diodos del multimetro.
Calcular y medir los voltajes de operacin de VDC que se encuentran en un
circuito con transistores.
Comprobar el funcionamiento del transistor como interruptor.
Aplicar una carga inductiva a la Salida del transistor.
Aplicar el transistor como interfase de potencia.
Mostrar cmo funciona un amplificador de emisor comn tpico y medir la
ganancia de voltaje con carga.
Determinar el corrimiento de fase entre las seales de entrada y salida de
un amplificador de emisor comn.
Medir la ganancia de un amplificador de emisor comn con condensador de
desacoplo en el emisor.