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SELEO DE MATERIAIS METLICOS

ALUNOS: ALCENIR PABLO COSTA


ANDERSON CLEYTON CANALLE
EDSON DANIEL BANAK VARELA
REVESTIMENTOS CVD E PVD
PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (PVD)
O processo physical vapor deposition tem por objetivo formar uma camada de
revestimento no substrato por deposio fsica de tomos, ons ou molculas do elemento
a ser depositado. Existem trs principais tcnicas para a aplicao do !"#, sendo elas$
Evaporao %rmica, &putterin' e (etali)ao *+nica. Evaporao %rmica envolve o
a,uecimento do material at ,ue este forme vapor ,ue se condensa no substrato.
-ormando um revestimento. &putterin' envolve a 'erao de plasma entre os elementos
do revestimento e o substrato. (etali)ao *+nica essencialmente a combinao dos
dois processos anteriores.
Ori'inalmente o !"# era utili)ado somente para deposio de elementos metlicos
pelo transporte de vapor em vcuo. &em envolver rea.es ,umicas. / tecnolo'ia do !"#
se desenvolveu tanto ,ue uma ampla 'ama de materiais inor'0nicos 1incluindo metais,
li'as, compostos e suas misturas2 e compostos or'0nicos podem ser
depositados.atualmente. O processo de !"# ocorre em uma c0mara 3 vcuo e envolve a
fonte de vapor e o substrato onde a deposio acontece,. #iferentes tcnicas existem
devido a variao em atmosferas, meio da formao de vapor e tenso eltrica do
substrato, as ,uais influenciam a estrutura, as propriedades e a taxa de deposio do
revestimento.
&e'uem abaixo os passos para a deposio$
4. &ntese do material depositado 1transio de um estado condensado, s5lido ou
l,uido, para a fase de vapor, ou, para a deposio de compostos, reao entre os
componentes dos compostos, al'uns dos ,uais podem ser introdu)idos na c0mara
como um 's ou vapor26
7. "apor transportado da ori'em para o substrato6
8. 9ondensao do vapor se'uido pela nucleao e crescimento do filme.
O processe !"# produ) um revestimento para ampla aplicao, incluindo eletr+nica,
5tica, decorao, e preveno de corroso e des'aste. Os revestimentos normalmente
utili)ados para preveno de des'astes so compostos duros. Os revestimentos por !"#
tem dure)a maior ,ue ,ual,uer metal e so usados em sistemas ,ue no podem tolerar
perdas por des'aste nem em escala microsc5pica. / maioria dos processos so operados
em uma base do lote, e o tamanho do componente limitado pelo tamanho da c0mara de
vcuo. !revisto ,ue o substrato pode ser manipulado para enfrentar a fonte de
revestimento, o tamanho e a forma dos objetos so limitados pelo montante das despesas
de capital e operacionais envolvidos e no pelas caractersticas fundamentais do
processo. /lm disso, a limpe)a do substrato fundamental e muito superior 3s
necessidades de preparao de superfcie para outros revestimentos.
Em ferramentas de corte, o cermet com cobertura !"# pode ser coberto com uma fina
camada ,ue possibilita alta resistncia ao des'aste e 3 adeso sobre o material base.
:eralmente, devido 3 baixa temperatura de processamento em comparao ao 9"#, o
!"# apresenta menos deteriorao da camada e da resistncia 3 toro. /l'umas
vanta'ens para essa aplicao$ 'rande abran'ncia de aplica.es, do mdio desbaste ao
acabamento, em comparao ao cermet convencional, a estabilidade durante corte
refri'erado bastante melhorada e a combinao da camada de %it0nio da cobertura ,ue
de baixa afinidade com as peas usinadas e da base de cermet resulta em lon'a vida
;til da ferramenta e usina'em estvel.
/ deposio de camadas condutoras 1metais, silicietos de metais ou silcio
policristalino de baixa resistividade2 e de camadas isolantes 1di5xido de silcio ou nitrito de
silcio < =
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2 constitui uma importante parte na fabricao de 9ircuitos *nte'rados. Este
processo no consome silcio do substrato como no caso da oxidao trmica.
=ormalmente, a deposio ocorre na fase de vapor sob baixa presso ou vcuo. (ais um
exemplo do uso do !"# a deposio de alumnio, no ,ual o alumnio vapori)ado.
9omo suas molculas 'asosas se irradiam em todas as dire.es, elas cobrem
uniformemente a superfcie do susbtrato. /travs de fotolito'rafia, um padro com
conex.es poderia ser estabelecido no mesmo. Este processo recebe o nome de
(etali)ao.
Evapor!a"#o T$r%&a: a mais anti'a e mais amplamente utili)ada tcnica de
!"#. Evaporao %rmica ocorre em um vcuo de presso >,4 a 4>m!a e o tomo de
evaporao da fonte percorre o caminho na c0mara em linha reta, o ,ue limita o
processo, e portanto revestimentos de cantos e de 0n'ulos reentrantes no so possveis
de reali)ar sem a manipulao do substrato. ?evestimentos de /lumnio e 9romo para a
industria automotiva so as maiores aplica.es deste processo.
Sp'(()r Coa(*+: um processo a vcuo ,ue envolve o uso de ons de um plasma
de 's 'erado para desalojar tomos ou molculas de um alvo feito do material ,ue se
tornar o revestimento. O plasma estabelecido entre o alvo e o substrato pela aplicao
de um potencial de corrente contnua ou alternada. @m 's inerte introdu)ido na c0mara
para formar o plasma de descar'a entre os eletrodos.Os materiais ,ue podem sofrer este
processo so metais puros, li'as, compostos inor'0nicos e al'uns polmeros. / maior
resistrio a ser considerada para o material do substrato a temperatura de processo, a
,ual varia de 7A> a BC>D9. O &putter 9oatin' fre,uentemente utili)ado para compostos
e materiais ,ue so dificeis de revestir a partir da Evaporao %rmica.
Io* P,a(*+: / metali)ao i+nica um processo de revestimento a vcuo em ,ue
uma parte dos elementos do revestimento colide com o substrato em forma i+nica. O
processo um hbrido do processo de evaporao trmica e do sputterin', com a taxa de
evaporao mantida a uma taxa maior do ,ue o sputterin'. /l'uns tomos evaporados
passam pelo plasma na forma at+mica, en,uanto al'uns tomos colidem com os eltrons
do substrato e os ons. Eles incidem sobre o substrato na forma i+nica.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITON (CVD)
9hemical "apor #eposition 19"#2 um processo no ,ual h a formao de um
revestimento atravs de reao ,umica do elemento a ser depositado com o substrato. O
material do revestimento pode vir de um 's ou de uma mistura de 'ases ou pelo contato
com s5lidos como no processo de pacE<cementation. Em 'eral, trs etapas de
processamento esto envolvidas em ,ual,uer reao 9"#$ a produo de um composto
transportador voltil, o transporte do 's para o local de deposio sem a deposio do
mesmo e a reao ,umica necessria para produ)ir o revestimento sobre o substrato. /s
rea.es ,umicas usadas em 9"# incluem decomposio trmica, reduo, hidr5lise,
oxidao, carboni)ao e nitretao. Essas rea.es ocorrem isoladamente ou em
conjunto, e so controlados pela termodin0mica, cintica, transporte de massa, a ,umica
da reao e os par0metros de processamento de temperatura, presso e atividade
,umica.
O processo 9"# pode ser classificado como sistema de reator aberto, incluindo
9"# trmico e 9"# de plasma, ou como um sistema de reator fechado, como o !acE<
cementation. =o 9"# trmico, as rea.es 'eralmente ocorrem acima de F>>G9, en,uanto
no 9"# de plasma ocorrem nas temperaturas entre 8>> a H>>G9. @sando o 9"# de
plasma a baixa temperatura a reao do revestimento permite produ)ir substratos com
baixos pontos de fuso ou ,ue poderiam sofrer transforma.es em estado s5lido em toda
a 'ama de temperaturas de deposio. /lm disso, a baixa temperatura de deposio de
revestimentos 9"# de plasma limita as tens.es devido 3 expanso trmica, ,ue pode
levar a fissuras e descamao do revestimento.
(ateriais ,ue no podem comumente serem depositados por eletrodeposio,
como por exemplo, metais refratrios como o tun'stnio, molibdnio, ni5bio, t0ntalo e
)irc+nio podem ser depositados pelo 9"#. %picos produtos ,ue utili)am o 9"# para
revestimentos so cadinhos, bicos de fo'uetes e outros componentes de alta
temperatura6 'uarni.es dos navios ,umicos e revestimentos para componentes
eletr+nicos. Estes metais refratrios so depositados em temperaturas muito abaixo do
seu ponto de fuso ou da temperatura de sinteri)ao e os revestimentos podem ser
produ)ido com um tamanho e orientao preferencial dos 'ros.
Os revestimentos 9"# oferecem boa resistncia ao des'aste, 3 eroso e 3
corroso. / ind;stria de ferramentas de corte depende fortemente deste revestimento.
-ilmes de diamantes depositados por 9"# apresentam propriedades aproximadas ao do
diamante natural, como alta resistividade eltrica, alta transparncia, alta dure)a e alto
ndice de refrao.
-UANDO USAR DCV OU PVD
!rocessos de 9"# so ideais para usar ,uando voc ,uer um filme fino com uma
melhor cobertura por de'rau. @ma variedade de materiais pode ser depositada com esta
tecnolo'ia, no entanto, al'uns deles so menos populares por causa da formao de
subprodutos peri'osos durante o processamento. / ,ualidade do material varia de
processo para processo, no entanto, uma boa re'ra ,ue um processo com maior
temperatura 'era um material com maior ,ualidade e menos defeitos.
!"# inclui as tecnolo'ias padro de deposio de metais. I mais comum do ,ue
9"# para metais, uma ve) ,ue pode ser reali)ada em um processo de menor risco e
mais barato em relao ao custo dos materiais. / ,ualidade dos filmes inferior ao de
9"#, ,ue para os metais si'nifica maior resistividade e para isoladores mais defeitos. /
cobertura por de'rau tambm no to boa ,uanto 9"#.
Em relao 3 filmes !"#, filmes 9"# apresentam melhor cobertura de de'rau
en,uanto ,ue filmes !"# tm, por exemplo, menor concentrao de impure)as, tm sua
espessura limitada mas suas tens.es residuais de compresso inibem a propa'ao de
trincas, tm baixa resistividade, maiores taxas de deposio, maior microdure)a,
melhores propriedades tribol5'icas e maior ,ualidade.
/ escolha do mtodo de deposio 1i.e. evaporao vs. sputterin'2, em muitos
casos pode ser arbitrria, e pode depender mais da tecnolo'ia ,ue est disponvel para o
material no momento.