TRANSISTORBIPOLAR:

TEMA2.2
Zaragoza,12denoviembrede2013
NDICE
TRANSISTORBIPOLAR
Tema2.2
Polarizacin
Modelodepequeaseal
TRANSISTORBIPOLAR
Tema2.2
Polarizacin
Modelodepequeaseal
4
Ya hemos visto que un BJT puede trabajar en cuatro regiones de operacin
diferentes.
Que lo haga en una u otra depende de las tensiones aplicadas a travs de
elementos externos (resistencias y fuentes), que fijan el punto de trabajo
del transistor (es decir, su polarizacin).
Los circuitos de polarizacin son los encargados de fijar el funcionamiento
en continua (DC) del transistor, esto es, el valor de las tensiones aplicadas
al BJT y de las corrientes que circulan por l.
Hay seis variables para fijar: las tensiones entre los terminales (:
CB
,
:
BL
y :
CL
) y las corrientes que circulan (i
B
; i
C
; i
L
).
Slo dos de ellas son independientes puesto que existen cuatro
ecuaciones que relacionan estas seis variables: las dos ecuaciones de
EbersMoll y las dos leyes de Kirchoff.
Por tanto, basta con imponer externamente dos de estas variables para
determinar por completo el punto de polarizacin del BJT.
POLARIZACIN
Introduccin
5
Vamos a ver ahora uno de los circuitos de polarizacin ms sencillos.
Adems, introduciremos simultneamente las caractersticas de
transferencia (relaciones entre las variables, tensiones o corrientes, en el
transistor) habitualmente empleadas, tanto para la descripcin como para
la polarizacin de un BJT.
POLARIZACIN
Introduccin
6
La malla formada por la fuente V
BB
, la resistencia de base (R
B
) y la unin
BE determinan la corriente de base (y, por tanto, la de colector y la de
emisor)
En efecto, la corriente de base y la tensin de base emisor son la solucin
del siguiente par de ecuaciones (en activa):
I
BB
= I
B
R
B
+ I
BL
I
B
=
I
S
[
P
c
v
BE
v
T

- 1
POLARIZACIN.CORRIENTEDEBASE
Introduccin
7
La solucin se puede obtener grficamente mediante la interseccin de la
curva caracterstica i
B
- :
BL
del transistor con la recta de carga impuesta
por la resistencia R
B
y la fuente I
BB
Para el anlisis y diseo a mano no se suele resolver el anterior sistema de
ecuaciones, sino que se da un valor fijo a la tensin I
BL
(~ 0.60.7 V) y se
calcula la corriente de base como:
I
B
=
I
BB
- I
BL
R
B
POLARIZACIN.CORRIENTEDEBASE
Introduccin
8
Fijado el valor de i
B
, slo nos queda un parmetro libre. Se considera
entonces la ecuacin de malla formada por la alimentacin, el colector y
el emisor:
I
CC
= I
C
R
C
+ I
CL
Por ello, las otras caractersticas de transferencia que resultan de inters
son las que relacionan I
C
con I
CL
El punto de polarizacin es la interseccin de la caracterstica I
C
- I
CL
con
la recta de carga determinada por la ecuacin anterior:
I
C
=
I
CC
- I
CL
R
C
POLARIZACIN.CORRIENTEDECOLECTOR
Introduccin
9
Las caractersticas de transferencia I
C
- I
CL
tienen la forma mostrada en
la siguiente figura:
POLARIZACIN.CORRIENTEDECOLECTOR
Introduccin
10
Cada una de las curvas se corresponde con un valor constante de la
intensidad de base (I
B
) o, lo que es lo mismo, de la tensin I
BL
. Para
entender por que son as recordemos las ecuaciones de EbersMoll:
En la regin activa:
Como vemos, fijado el valor de I
BL
est fijado tambin el valor de las
corrientes que circulan, que son independientes de la tensin en la otra
unin (I
BC
) y, por tanto, tambin de la tensin I
CL
= I
CB
+ I
BL
. Por eso,
la curva I
C
- I
CL
es casi plana (tiene una pequea pendiente debida al
Efecto Early).
POLARIZACIN.CORRIENTEDECOLECTOR
Introduccin
I
L
=
I
S
o
P
c
v
BE
v
T

-1 -I
S
c
v
BC
v
T

-1
I
C
= I
S
c
v
BE
v
T

-1 -
I
S
o
R
c
v
BC
v
T

-1
I
L
=
I
S
u
F
c
v
BE
v
T

; I
C
= I
S
c
v
BE
v
T

; I
B
=
I
S
[
F
c
v
BE
v
T

11
Fijado el valor de I
BL
, al disminuir el valor de I
CB
va cobrando
importancia el otro sumando de las ecuaciones de EbersMoll, y va
disminuyendo el valor de las corrientes de emisor y de colector. Cuando
I
CB
es igual a cero, estamos en la frontera entre las regiones activa y
saturacin. Para valores inferiores, la unin CB esta en directo y la tensin
I
CL
es pequea. Las regiones activa y saturacin estn separadas en la
grfica I
C
- I
CL
por una curva de tipo exponencial. En efecto:
I
CB
= u I
CL
= I
BL
I
C
= I
S
c
v
BE
v
T

POLARIZACIN.CORRIENTEDECOLECTOR
Introduccin
TRANSISTORBIPOLAR
Tema2.2
Polarizacin
Modelodepequeaseal
13
En la siguiente figura se ilustra el modelo en de pequea seal de un
transistor bipolar npn en activa:
Donde:
r
bb
y r
cc
(50 ) dan cuenta de la cada de tensin desde los
terminales del dispositivo hasta la regin en donde realmente est el
BJT
r
cc
es despreciable porque el terminal de emisor est ms prximo a
la conexin correspondiente y porque el dopado de emisor es ms
alto (la resistencia es menor)
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
14
Veamos la procedencia del resto de elementos no capacitivos (que dan
cuenta de las variaciones lentas o de baja frecuencia). Supondremos que
transistor trabaja en la regin activa.
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin
La fuente dependiente de salida:
I
ct
= [
P
I
bc
-[
R
I
bc
1 +
:
CL
I
A
se ha incluido el efecto Early
:
BL
= I
BL
+ :
BL
t
:
CB
= I
CB
+:
CB
(t)
Valor de polarizacin Seal
Tensin aplicada a las
uniones colectora y
emisora
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La corriente que circula por el diodo conectado entre la base y emisor
ser:
I
bc
=
I
s
[
P
c
v
BEQ
+A
BE
v
T
- 1 =
I
s
[
P
c
v
BEQ
v
T
c
A
BE
v
T
- 1

I
s
[
P
c
v
BEQ
v
T
(1 +
:
BL
I
1
) - 1
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin
Dos primeros trminos del
desarrollo de Taylor
I
he

I
s
[
P
c
v
BEQ
v
T
-1 +
I
s
[
P
c
v
BEQ
v
T
:
BL
I
1
= I
BQ
+
Au
BF
r
a
r
a
=
F
T
I
BQ
=

F
F
T
I
CQ
I
bc
= u I
C
= [
P
I
B
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El incremento de corriente en el diodo conectado entre base y emisor
debido a la seal A:
BL
, ser el mismo que el que habra si, entre estos dos
terminales, hubiera conectada una resistencia de valor r
n
Regin activa => diodo BC en inversa => equivale a circuito abierto. Se
suele sustituir por una resistencia de muy alto valor r

(decenas de
megaohmios)
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin
I
he
I
BQ
+
Au
BF
r
a
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Con la expiesion anteiioi pouemos uemostiai que la coiiiente que
ciiculai poi la fuente uepenuiente sei:
I
ct
= [
P
I
bc
- [
R
I
bc
1 +
:
CL
I
A
[
P
I
bc
1 +
:
CL
I
A
([
P
I
B
+ [
P
:
BL
r
n
)(1 +
I
CL
I
A
+
:
CL
I
A
)
Si consideramos que I
A
I
CL
y que los incrementos son muy pequeos:
I
ct
= I
C
+ g
m
:
BL
+
:
CL
r
o
g
m
=
[
P
r
n
=
I
C
I
1
r
o
=
I
A
I
C
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin
Generadorde
corriente
Enparalelouna
resistenciar
o
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g
m
reproduce la variacin en la corriente de colector causada por un
cambio (:
b
|
c
) en la tensin en la unin BE. Por tanto, g
m
viene dada por:
g
m
=
[
P
r
n
=
I
C
I
1
r
o
reproduce la influencia del efecto Early. En efecto:
r
o
=
I
A
I
C
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin
19
Condensadores del modelo:
Finalmente, el comportamiento en frecuencia viene limitado por las
capacidades C
n
y C

asociadas a las uniones BE y BC, respectivamente:

C

=
C
]C
1 -
I
BC
I

m
C
n
=
P
g
m
+
C
]L
1 -
I
BL
I

m
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
Introduccin

P
.- tiempo de transito
m.- parmetro caracterstico
de la unin
20
En baja frecuencia las capacidades equivalen a resistencias de muy alto
valor. (circuito abierto)
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
BAJASFRECUENCIAS
Introduccin
21
La resistencia r
bb
suele tener un bajo valor hmico y frecuentemente se
aproxima por un valor nulo.
La resistencia r

suele tener un valor muy elevado y se suele despreciar.

Obsrvese que :
BL
= r
n
i
B
g
m
:
BL
= g
m
r
n
i
B
La resistencia r
o
suele tener un valor muy elevado y tambin se suele
despreciar.
MODELODEPEQUEASEALDEUNBJT
BAJASFRECUENCIAS SIMPLIFICADO
Introduccin