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PROFESOR
ALUMNOS
RAMIRO PAT CHAN
DAVID CHAN MAY
JOS OSORIO QUINTAL
HIRAM RODRGUEZ AGUAYO
ADRIN GONZLEZ
OBJETIVO
Elaborar un circuito conversor DC-DC elevador de voltaje con entrada de 12V y voltaje de
salida de 24V (en su defecto lo ms aproximado posible a este valor).
JUSTIFICACIN
Los convertidores tipo DC-DC son ampliamente utilizados en dispositivos electrnicos,
como computadoras porttiles, telfonos inteligentes, bocinas, entre muchos otros. En esta
prctica se pretende disear e implementar uno del tipo Boost el cual permita entregar
24V teniendo una entrada de 12V.
La razn por la cual se desea realizar este trabajo es para analizar y comprender el
funcionamiento de esta configuracin, empezando desde un diseo y terminando por
pruebas experimentales. Tambin se quiere observar la causas por las cules es sumamente
difcil obtener un voltaje de salida ideal (24V en esta prctica), intentando y procurando
acercarse lo ms posible a dicho valor.
MOTIVACIN
Disear y obtener el correcto funcionamiento del convertidor, as como lograr obtener un
voltaje de salida lo ms cercano al propuesto (24V).
INTRODUCCIN
El convertidor Boost, es un convertidor conmutado y obtiene a su salida un voltaje DC
mayor que a su entrada.
El circuito utiliza las caractersticas del inductor y el capacitor como elementos
almacenadores de energa para elevar la corriente proveniente de la fuente de alimentacin
y usarla para inyectarla al capacitor produciendo as niveles de voltajes mayores en la carga
que los de la fuente. El convertidor boost, en el esquema siguiente (Figura 1), consiste de
dos elementos de conmutacin rpida en este caso se usara un mosfet y el otro es un diodo
de rpida recuperacin, la funcin de este ltimo es evitar que la corriente de descarga de
capacitor se regrese, ya que se desea que cuando la fuente se desconecte del capacitor y de
la resistencia de carga, para almacenar energa en la bobina, se suministre corriente a la
carga mediante la descarga del capacitor.
Cuando el Mosfet est en conduccin (estado 1), la inductancia almacena energa para
luego suministrarla simultneamente a la carga y al capacitor a otro nivel de voltaje en los
intervalos en los que el transistor este en corte (estado 2).
a) Estado uno
b) Estado dos.
Figura 2: Descripcin de los dos estados de la bobina
Cuando el Mosfet no recibe pulso alguno se comporta como circuito abierto entonces
entramos en el estado dos del circuito. Partiendo de lo anterior podemos afirmar que:
Ahora cuando el Mosfet recibe un pulso el circuito pasa al estado 1 y el mosfet entra en
corto circuito obteniendo:
Llamando al pulso que activa al Mosfet como escribiremos una funcin para
funcin al estado del pulso (1 o 0)
( ) (
( ) (
en
)
)
el cual representa el
=0
=0
Haciendo Vc= Vo
Donde Vo es nuestra tensin de salida entonces:
=(1 )
Por tanto
=1
>0
ELEMENTOS UTILIZADOS
Nombre del elemento
Optoacoplador
Capacitor
Transistor MOSFET
Diodo
Transistor NPN
Transistor PNP
Inductor
Resistencias
Generador de Funciones
Osciloscopio
Multmetro
Modelo o valor
HCPL 2211
100 uF a 250V
IRF 640
MVR 1520
BC547
BC557
1.5 mH (aprox)
100 y 10(Potencia)
--------------4 canales
-----------
A)
B)
Imagen 1.1 Generacin de la seal de control. A) Circuito propuesto. B) Seal de entrada (roja) y seal de salida (azul)
A)
B)
Imagen 2.1 Configuracin ttem pole. A) Circuito. B) Seal de salida del circuito
En la imagen anterior (B) se aprecia la seal de salida producida por los transistores, es ella
se aprecia que la seal es igual a la salida del optoacoplador, sin embargo sta ya cuenta
con la corriente necesaria para activar la compuerta del MOSFET.
Posteriormente la salida de los transistores ttem pole se conectaron a la compuerta del
switch (Imagen 2.2) logrando activarlo y desactivarlo.
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INDUCTOR
El inductor que se utiliz para simulacin tena un valor de 1.5mH (Imagen 2.2). Este valor
de inductancia fue el aproximado que se obtuvo de la bobina que se adquiri para esta
prctica (Ver seccin de clculos). Cabe mencionar que la bobina utilizada contaba con un
buen ncleo y buen enrollado, el cual fue un factor de suma importancia para obtener un
valor muy cercano al de los 24V.
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El valor de la capacitancia fue redondeado a 100 uF, dado que en los clculos se obtuvo un
valor el cual no es comercial (Ver seccin de clculos). Cabe mencionar que el diodo
utilizado era de respuesta rpida, por esto en la simulacin se utiliz uno virtual ya que no
se encontr el modelo exacto.
CIRCUITO COMPLETO
A continuacin se muestra el diagrama completo del circuito diseado.
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RESULTADOS EXPERIMENTALES
AQU VAN LAS FOTOS DEL OSCILOSCOPIO Y EXPLICAS TODA
LA COSA.
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RECOMENDACIONES DE ARMADO
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFA