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Buena repetitividad
La figura muestra una fina lmina de material semiconductor (elemento Hall) de espesor t,
a travs de la cual circula una corriente elctrica de control I. En ausencia de campo
magntico, la distribucin de la corriente es uniforme y no se tiene una diferencia de
potencial en los terminales de salida. En cambio, en presencia de un campo magntico de
densidad B, los electrones se ven sometidos a una fuerza de Lorentz resultando una
diferencia de potencial en la salida VH denominada tensin Hall, cuyo valor es
proporcional a la corriente y al campo magntico.
El campo elctrico Ex da lugar a la circulacin de una corriente I . Suponiendo que la
lmina de un metal o de un semiconductor tipo n (los portadores de carga mayoritarios son
electrones), la carga q se ve sometida a una fuerza electromagntica: F=q (v xB) que obliga
a la carga a desplazarse hacia la parte superior de la lmina, quedando polarizada
negativamente y parte inferior positivamente. Esta separacin de cargas produce un campo
electrosttico Ey y una fuerza electrosttica F=qEy que se opone a F. Cuando F y F estn
en equilibrio los portadores de carga se mueven paralelos a Ex como en ausencia de campo
magntico.
Vcc
C1
1uF
Q
DC
R1
270
CV
GND
TR
D1
D2
1N4148
1N4148
TH
250k
0%
C2
0.1u
1N4148
RV2
2
D3
1k
U1
8
R
VCC
R2
NE555
Q1
BD135