IMPERFECCIONES EN LAS

REDES CRISTALINAS:

Defectos puntuales:
Los defectos puntuales son discontinuidades de la
red que involucran uno o quiz varios tomos. Estos
defectos o imperfecciones,, pueden ser generados en
el material mediante el movimiento de los tomos al
ganar energa por calentamiento; durante el
procesamiento del material; mediante la
introduccin de impurezas; o intencionalmente a
travs de las aleaciones.

 Huecos:
Un Hueco se produce cuando falta un tomo en un
sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal
durante la solidificacin a altas temperaturas o como
consecuencia de daos por radiacin. A temperatura
ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas
se incrementan de manera exponencial conforme se
aumenta la temperatura.

 Defectos intersticiales:
Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo
adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de
la estructura cristalina. Los tomos intersticiales, aunque mucho
ms pequeos que los tomos localizados en los puntos de la
red, an as son mayores que los sitios intersticiales que
ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece
comprimida y distorsionada. Los tomos intersticiales como el
hidrgeno a menudo estn presentes en forma de impurezas;
los tomos de carbono se agregan al hierro para producir acero.
Una vez dentro del material, el nmero de tomos intersticiales
en la estructura se mantiene casi constante, incluso al cambiar
la temperatura.