Practica 1 - EPN - EP

PRCTICA # 1
CIRCUITOS DE DISPARO
ELEMENTOS
CON
CARACTERISTICAS
MODULACION
DE
DE
ANCHO
RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)

DE
PULSO (PWM)
MSc. Leonardo Ortega leonardo.ortega@epn.edu.ec,

MSc. Carlos Imbaquingo carlos.imbaquingo@epn.edu.ec,
Ing. Alexander Palacios alexander01pal@gmail.com,
MSc. Xavier Domnguez powercom.ec@gmail.com,
Ing. Miguel Argoti miguel_argoti@hotmail.com
Laboratorio de Electrnica de Potencia
Pgina 1 de 20
generacin de seales de control (osciladores de relajacin).

1.2. Conocer el funcionamiento de la tcnica Modulacin de Ancho de Pulso o PWM
sta para generar seales de control de elementos semiconductores de potenc
2
1.
INTRODUCCIN
OBJETIVOS
2. MARCO TERICO
Conocer las caractersticas de los elementos de resistencia negativa, elementos empleados en la generacin de seales de control (osciladores de relajacin).
2.1. ELEMENTOS CON CARACTERSTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)
Conocer el funcionamiento de la tcnica de Modulacin de Ancho de Pulso o PWM y hacer uso de sta
para generar seales de control de elementos semiconductores de potencia.
Los elementos de resistencia negativa (ERN) usados principalmente para la gene
2.
INTRODUCCIN
de control, son
se observa una reg

Los elementos de resistencia
negativa
(ERN) usados principalmente
generacin
de seales
de con-una regin interm
una regin
de conduccin
semejante para
a lalade
un diodo,
adems
trol, son elementos semiconductores que dentro de sus caractersticas tienen una regin de bloqueo y una
a unaincremento
deadems
la corriente
entre
dos de
sus terminales
regin de conduccinque
semejante
la de un diodo,
una regin
intermedia
especial
en la que a un se produce una
incremento de la corriente
entre
dos
de
sus
terminales
se
produce
una
reduccin
en
el
voltaje
entre 1.1.
estos
voltaje entre estos terminales, como se muestra en la Figura
2.1.
ELEMENTOS elementos
CON CARACTERISTICAS
DE R ESISTENCIA
NEGATIVA
semiconductores
que dentro
de sus(ERN)
caracterstica
terminales, como se aprecia en la Figura 1.
D onde:
Iv
V v = v o lta je d e
V p = v o lta je p ic
Iv = c o r rie n te d
Ip
Ip = c o r rie n te d
V
Vv
Vp
V cc
C u r v a c a r a c te r s tic a d e u n E R N g e n e r a liz a d o
Figura 1: Curva Caracterstica de un ERN generalizado
Figura 1.1
Donde:
Vv
Vp
Iv
Ip
es el voltaje de valle
es el voltaje pico o de activado
es la corriente de valle o de mantenimiento
es la corriente de pico
Como se puede observar la curva caracterstica presenta tres regiones bien definidas:
La regin de BLOQUEO (OA), que se caracteriza por su baja conductiv
Lacaracterstica
regin depresenta
CONDUCCION
(BC),
que se caracteriza por su alta cond
Como se puede observarla curva
tres regiones bien
definidas:
esta
dependiendo
del tipo y de
la estructura del dispositivo puede
La regin de BLOQUEO (OA),
que regin
se caracteriza
por su baja conductividad
(uA).
el rango
de las decenas
centenas de
miliamperios.
La regin de CONDUCCINen
(BC),
que se caracteriza
por su altaoconductividad
(mA),
en esta regin
dependiendo del tipo
y de laLa
estructura
del
dispositivo
puede
conducir
corrientes
en
el
las
regin de RESISTENCIA NEGATIVA (AB),rango
es laderegin
de transicin
decenas o centenas de miliamperios.
conduccin y la regin de bloqueo por lo que se caracteriza por ser una
inestable.
Pgina 2 de 20
INTRODUCCIN
La regin de RESISTENCIA NEGATIVA (AB), es la regin de transicin entre la regin de conduccin y

la regin de bloqueo por lo que se caracteriza por ser una zona altamente inestable.
El ERN puede compararse con un interruptor donde la regin de bloque puede representarse como el estado de abierto mientras que la regin de conduccin puede representarse como el estado de cerrado. A partir de
la curva caracterstica del ERN se puede observar que ste pasa del estado de bloqueo al estado de conduccin
cuando el voltaje entre sus terminales es igual al voltaje pico o voltaje de activado (Vp ) y permanece en este
ERN
puede
un interruptor
la regin
bloque puede
mientras la corriente queEl
pasa
a travs
de compararse
sus terminales con
sea mayor
o igual a ladonde
corriente
de vallede
o corriente
de mantenimiento (I v ). el estado de abierto mientras que la regin de conduccin puede representarse
representa
como el es
cerrado.A
partir
de
la
curva
caracterstica
del
ERN
se
puede
observar
que
este
pasa
del es
En el caso de que la operacin del elemento no se realice en ninguna de las dos zonas, el elemento trabaja
bloqueo
al donde
estadoopera
de conduccin
cuando
el voltaje
entre
sus terminales
en la regin de resistencia
negativa
en forma inestable
oscilando
entre
los estados
de bloqueoes igual al voltaje p
y de conduccin. Es decir,
si se trabaja
en el interior
la regin deen
resistencia
negativalaelcorriente
elemento que
puede
voltaje
de activado
(Vp) y de
permanece
este mientras
pasa a travs de su
actuar dentro de un circuito oscilador de relajacin, donde el circuito externo al ERN debe garantizar que
terminales sea mayor o igual a la corriente de valle o corriente de mantenimiento (Iv).
el punto de operacin se site al interior de la regin de resistencia negativa. El funcionamiento de un

circuito oscilador de relajacin, est basado en los perodos de carga y descarga de un capacitor. En la
Enlaelenerga
caso dealmacenada
que la operacin
del durante
elemento
no se realice
endel
ninguna
de las dos zonas, el
mayora de aplicaciones,
lentamente
el perodo
de carga
capacitor
es violentamente liberada
durante
descarga.
esta manera,
sobre el
capacitor
aparecer
unainestable
onda
trabaja
en lala regin
deDe
resistencia
negativa
donde
opera
en forma
oscilado entre
similar a un diente de sierra, y sobre el elemento que recibe la descarga, aparecer un pulso de corriente.
estados de bloqueo y de conduccin. Es decir, si se trabaja en el interior de la regin de re
Un oscilador generalizado con elemento de resistencia negativa se muestra en la Figura 2.
negativa el elemento puede actuar dentro de un circuito oscilador de relajacin, donde el c

Donde:
externo al ERN debe garantizar que el punto de operacin se site al interior de la regin d
resistencia
negativa.
El funcionamiento
de un circuito oscilador de relajacin, est basado
R1
es la resistencia
de carga del capacitor
R
es
la
resistencia
de
descarga
del
capacitor
perodos
2 de carga y descarga de un capacitor. En la mayora de aplicaciones, la energa
ERN elemento de resistencia negativa
almacenada lentamente durante el perodo de carga del capacitor es violentamente liberad
descarga.
De esta
manera,
sobre
el voltaje
capacitor
aparecer
de sierra, y sob
Antes de energizar ellacircuito
el capacitor
C esta
descargado
y su
es igual
a cero al una
igual onda
que eldiente
del
ERN, inmediatamente despus
de energizar
se inicia
la carga delaparecer
capacitor a un
travs
de Rde
este caso un
espe1 , en
elemento
que recibe
la descarga,
pulso
corriente
oscilador generaliza
cfico la carga del capacitor ser exponencial pues su carga es a travs de una resistencia. Mientras el voltaje
elemento de resistencia negativa se muestra en la Figura 1.2.
R
V cc
D onde:
ERN
Vout
DC
R1
= r e s is te n c ia d e c a rg a d e l c a p a c ito r
R2
= r e s is te n c ia d e d e s c a r g a d e l c a p a c i
E R N = e le m e n to d e r e s is te n c ia n e g a tiv a
Figura 1.2
Figura 2: Circuito en ERN
Antes de energizar el circuito el capacitor C esta descargado y su voltaje es igual a cero al

Pgina 3 del
de 20capacitor a travs d
despus de energizar se inicia la carga
este caso especfico la carga del capacitor ser exponencial. Mientras el voltaje en el capa
menor a VP la corriente en el ERN ser pequea por lo tanto la resistencia equivalente de
de un valor grande por lo que el voltaje de salida Vout en R2 ser pequeo, conforme contin
carga del capacitor el voltaje entre sus terminales alcanzar Vp el mismo voltaje que se ap
ERN, en ese instante el elemento pasa brevemente por la regin de resistencia negativa y
Laboratorio de Electrnica
de Potencia
el del
ERN, inmediatamente
2 INTRODUCCIN
conduccin producindose la descarga del capacitor, proceso
que se repetir peridicamen
mientras el circuito este energizado, formando el circuito oscilador, Figura 1.3.
Vc = V E
V cc
Vp
Vv
t
VR2
VR 2 m a x
VR 2o
t
Figura 1.3
Figura 3: Forma de Onda en el Capacitor y Salida del ERN
Entre los elementos de resistencia negativa ms conocidos podemos anotar:
en el capacitor sea menor a Vp la corriente en el ERN ser pequea por lo tanto la resistencia equivalente de
grande
Transistor
Unijuntura
este ser de un valor
por lo que
el voltaje de salida Vout en R2 ser pequeo, conformeUJT
continua la
carga del capacitor el voltaje entre sus terminales alcanzar Vp el mismo voltaje que se aplicar al ERN, en ese
Transistor Unijuntura Programable
PUT
instante el elemento pasa brevemente por la regin de resistencia negativa y entra a la regin de conduccin
y la corriente a travs
sus terminales Unidireccional
incrementa de tal manera
que la resistencia equivalente
deConmutador
de Silicio
SUSdel ERN se
reduce permitiendo la circulacin de corriente a travs de sus terminales y por lo tanto la posterior descarga
Conmutador Bidireccional de Silicio
SBS
del capacitor a travs de R2 producindose un breve pulso de voltaje en la Vout .
Conmutador Controlado de Silicio
SCS
Adems, el elemento permanecer en conduccin mientras la corriente a travs de sus terminales sea
DiododeBilateral
de Disparo
DIAC
mayor o igual a
la corriente
mantenimiento,
es importante tener en cuenta que la descarga
del capacitor tambin es exponencial y transcurrido un tiempo la corriente tiende a cero siendo en algn punto de la
descarga menor a la corriente de mantenimiento por lo que nuevamente el ERN entra en estado de bloqueo
Los mismos que se clasifican dependiendo de su nmero de capas como de su sentido de
a partir de entonces el capacitor se carga hasta Vp momento en el cual nuevamente el ERN entra al estado
conduccin.
Dela acuerdo
al capacitor,
nmeroproceso
de capas
semiconductoras
puede
ser elde dos, tres, cuat
de conduccin
producindose
descarga del
que se
repetir peridicamente
mientras
circuito este
energizado,
formando
el circuito
se ilustra en la pueden
Figura 3. ser unidireccionales y bidireccion
capas,
mientras
que
por suoscilador,
sentidocomo
de conduccin
dependiendo
de negativa
estas caractersticas
los parmetros
Ip,1, Iv,
y Vv
Los elementos
de resistencia
ms conocidos se resumen
en el Cuadro
los Vp
mismos
quevaran
se clasi-para cada eleme
fican dependiendo
de suse
nmero
de capas
comoelemento
de su sentidounidireccional
de conduccin. Dey acuerdo
al nmero
de capas
este caso
estudia
el UJT
el DIAC
elemento
bidireccional.
semiconductoras puede ser de dos, tres, cuatro y cinco capas, mientras que por su sentido de conduccin
pueden ser unidireccionales y bidireccionales, dependiendo de estas caractersticas los parmetros I p , I v , Vp
y Vv varanEL
paraTRANSISTOR
cada elemento. EnUNIJUNTURA
este caso se estudia(UJT)
el UJT elemento unidireccional y el DIAC elemento
bidireccional.
Dispositivo de dos capas, que puede ser usado en circuitos generadores de pulso de contro
de una barra de silicio tipo n ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en ambos
Dispositivo de dos capas, que puede ser usado en circuitos generadores de pulso de control. Consta de una
extremos de su superficie y una varilla de aleacin de aluminio en la superficie opuesta, Fig
barra de silicio tipo N ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en ambos extremos de su superficie
2.1.1.
EL TRANSISTOR UNIJUNTURA UJT
Pgina 4 de 20
INTRODUCCIN
Unijunction transistor (UJT): basic construction.
y una varilla de aleacin de aluminio en la superficie opuesta, cuya contruccin bsica se muestra en la Figura
4.
Figura 4: Construccin Bsica de un UJT

El UJT tiene tres terminales denominados: Emisor (E), Base 1 (B1 ) y Base 2 (B2 ), los mismos que se
pueden apreciar en la la Figura 5. Entre los terminales B1 y B2 se tiene una caracterstica resistiva determinada por R B1 y R B2 , la misma que se denomina resistencia interbase R BB y cuyo valor oscila entre 4.7 K y 9.1 K.
A partir del circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta que el
voltaje aplicado al emisor E sea superior al voltaje pico Vp el que esta dado por:
Vp = VD + VRB1
(1)
VD 0,5V
(2)
26
Elementos de Resistencia Negativa
Abreviatura
Transistor Unijuntura
UJT
Transistor Unijuntura Programable
PUT
Conmutador Unidireccional de Silicio
SUS
Conmutador Bidireccional de Silicio
SBS
Conmutador Controlado de Silicio
SCS
Diodo Bilateral de Disparo
DIAC
Cuadro 1: Elementos de Resistencia Negativa
Pgina 5 de 20
El UJT tiene tres terminales denominados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2). En la Figura 1.5
se El
observa
el smbolo
para el
UJT y en laemisor
Figura
(b) 1el(B1)
circuito
equivalente
para
el mismo.
UJT tiene
tres terminales
denominados
(E),1.5
base
y base
2 (B2). En la
Figura
1.5 (a)
se observa el smbolo para el UJT y en la Figura 1.5 (b) el circuito equivalente para el mismo.
2
INTRODUCCIN
B2
B2
B2
B2
R
R
E
E
B2
B2
VD
BB
BB
VD
R
B1
B1
B1
B1
B1
(a)
(b)
(b )
((aa) )
B1
(b )
Figura 5: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT
Figura 1.5
Figura 1.5
ello se deduce
Vp depende
del una
voltaje
interbase y es una
fraccin determinada
del mismo, para por
determinar
Entre losDeterminales
B1quey B2
se tiene
caracterstica
resistiva
R y elRB2, esta
Entre los
terminales
B1de yunB2
sedetiene
una caracterstica resistiva determinadaB1por R
B1 y RB2, esta
valor
de VRB1 a partir
divisor
voltaje.
resistencia es denominada resistencia interbase RBB cuyo valor oscila entre 4.7 KW y 9.1 KW.
resistencia es denominada resistencia

interbase
RRBBVcuyo valor oscila entre 4.7 KW
y 9.1 KW.
V
R
=
(3)
V =
B2B1
RB1
B1
B1
R B1 + R B2
R BB
B2B1
A partir del
circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta
Si,
A partir del circuito equivalente se puede deducir que el UJT no entrar en conduccin sino hasta
que el voltaje aplicado al emisor E sea superior
al
R B1voltaje pico Vp el que esta dado por
=
(4)
R al voltaje pico Vp el que esta dado por

que el voltaje aplicado al emisor E sea superior
BB
Donde:
V P = V D + V RB 1
es la relacin intrnseca de bloqueo (0.51 0.82)V
VEntonces:
= V D + V RB 1
P
0 . 5V
V D 0 . 5V
De ello se deduce que Vp depende del voltaje

Vp = VDinterbase
+ VB2B1 y es una fraccin del mismo, para
(5)
determinar el valor de VRB1 a partir de un divisor de voltaje.
De ello se deduce que Vp depende del voltaje interbase y es una fraccin del mismo, para
2.1.2. OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT RAMPA EXPONENCIAL
determinar
el valor de VRB1 a partir
V B 2 B 1de
R B 1divisor
R B 1de voltaje.
un
Este tipo de circuitos
son usados para
V B 2 B 1 de otros dispositivos de mayor potencia
V RBgeneralmente
= el encendido
=
1
como SCR y TRIAC, como se aprecia
en
la
Figura
6.
El
circuito
formado por R1 y C, determinan el tiempo que
R B1 + R B 2
R
tarda en aplicarse Vp al emisor del UJT
para que entre enBBconduccin y se proceda a la descarga a travs de
V B 2 B 1 y descarga
R B 1 (tiempo
R B 1en conduccin) dependen de R , R y C, por
R2 ; el tiempo de carga (tiempo en bloqueo)
1
2
V B 2 B 1de la aparicin del pulso
V
=
=
1 valores permite determinar el tiempo antes
lo que una variacin de RB
estos
en R2 , as
R BB
como el ancho del mismo.
RRB 1B 1 + R B 2
Se recomienda escoger R1 deRtal

manera que el dispositivo opere en la regin de resistencia negativa,
BB
condicin que permite al elemento oscilar entre bloqueo y conduccin. Es por ello importante determinar un
rango entre el cual puede variar R1Rasegurando
el encendido y el apagado del elemento.
B1
h =
Para asegurar el encendido:
dondeElhproceso
(eta)de= encendido
relacinseintrnseca
bloqueo
inicia cuando
en el(0.51
emisoryes0.82
igualdependiendo
al voltaje pico VE del
= Vpelemento),
y por lo tanto
R BB deel voltaje
si
si
V P = V D + h V B 2 B1
Entonces:
Pgina 6 de 20
donde h (eta) = relacin intrnseca de bloqueo (0.51 y 0.82 dependiendo del elemento),
OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT - RAMPA EXPONENCIAL
V P = V D + h V B 2 B1
Entonces:
En la Figura 1.6 se muestra un circuito oscilador de relajacin con carga exponencial cuyo voltaje de
INTRODUCCIN
Vcc
R1
R3
RG
R2
Figura 1.6
Figura 6: Circuito Oscilador de Relajacin con Rampa Exponencial
R1 y C determinan el tiempo que tarda en aplicarse VP al emisor del UJT para que entre en
IR1 = I p , igualdad que es vlida debido a que la corriente de carga del condensador en ese instante es igual a
conduccin
y se
proceda a la
descarga
a travs
de R2de, eluntiempo
decarga
carga
(tiempo
en bloqueo) y
cero, esto es,
el condensador
est
en ese instante
cambiando
estado de
a uno
de descarga.
descarga (tiempo en conduccin) dependen de R1 y R2 adems de C por lo que una variacin de
Entonces : permite variar el tiempo antes de la aparicin del pulso en R como el ancho de
esta resistencias
2
este.
Vcc IR1 R1 = VE
(6)
Se recomienda escoger R1 de tal manera que el dispositivo opere en la regin de resistencia
negativa,
condicin que permite al elemento oscilar entre bloqueo y conduccin. Es por ello
pero en el punto pico IR1 = I p y VE = Vp
importante determinar un rango entre el cual puede variar R1 asegurando el encendido y el apagado
del elemento.
V V
R1 =
cc
(7)
Ip
Para asegurar el encendido:

y para asegurar el disparo:
El proceso de encendido se inicia cuando el voltaje en el emisor es igual al voltaje pico V E = VP y por
Vcc Vp
lo tanto IR1 = IP, igualdad que es valida debido
en ese
R1 <a que la corriente de carga del condensador (8)
Ip
instante es igual a cero, esto es, el condensador est
en este instante cambiando de un estado de
carga En
a de
descarga.
el punto de valle I = I y V = V , por lo que:
E
Entonces :
R1 =
Vcc y para
- I Rasegurar
R 1 el=apagado:
VE
1
pero en el punto de pico IR1 = IP y VE = VP

Vcc de
-V
P
Laboratorio
Electrnica
de Potencia
R1 =
IP
y para asegurar el disparo:

Vcc - V P
Vcc Vv
Iv
Vcc Vv
R1 >
Iv
R1 =
Vcc - V E
(9)
I R1
(10)
Pgina 7 de 20
R1
Vcc - V V
IV
2
INTRODUCCIN
Por lo tanto R1 est limitado por:

Vcc - V V
- VR1P est limitado por:

PorVcc
lo tanto
R1
IV
Vcc Vp
Vcc Vv
< R1 <
Iv
Ip
IP
(11)
La resistencia R2 debe ser lo suficientemente pequea para asegurar que el SCR no se encienda por
La resistencia R2 debe ser lo suficientemente pequea para asegurar que el SCR no se encienda por el
el voltaje envoltaje
R2. en R2 .
Cuando IE = 0
Cuando I E = 0
VR2 =
R2
VR2 =
Vcc
IE =0
R 2 + R BB
R2
Vcc
R2 + R BB
(12)
El capacitor determina el tiempo entre pulso y pulso, adems del ancho de cada pulso. En algunas ocasiones se coloca R3 entre Vcc y la base 2 B2 , la misma que es opcional; se sugiere R3 = 10R2 .
El capacitor determina el tiempo entre pulso y pulso, adems del ancho de cada pulso.
Para analizar formas de onda de voltaje en el capacitor y en R2, se obtendr circuitos equivalentes para
cada caso:
En algunas ocasiones se coloca R3 entre Vcc y la base 2 B2, la misma que es opcional,
1. Cuando
sugiere R3 = 10
R2 . el VE < Vp e I E = 0
se
Mientras el UJT se encuentra en corte los dos ramales son totalmente independientes, el ramal en el
que se encuentra el capacitor se puede analizar como una red RC a la que se aplica una seal paso y el
formas
de voltaje
el capacitor
y endeRvoltaje,
circuitos
2, se obtendr
voltajede
en onda
R2 se puede
hallar aen
travs
de un divisor
como se aprecia
en la equivalentes
Figura 7a.
Para analizar
para cada caso:
2. Cuando el UJT se enciende V
E = Vp .
En el instante que el UJT se enciende, el diodo entra en polarizacin directa y la corriente en el capacitor
(I<C )Ves cero
se muestra
e I como
= 0, Figura
1.7.en la Figura 7b.
a) Cuando el VE
b) Cuando el UJT se enciende VE = VP , Figura 1.8.

V cc
R1
V cc
R3
R1
R3
R B2
VE
R B2
VD
IE = 0
VE
V P - 0 .7 V
-
R B1
0 .7 V
IC = 0
R B1
V C= V P
VR 2
R2
R2
Figura
1.7
(a)
(b)
Figura 1.8
Figura 7: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT
Mientras el UJT se encuentra en corte los dos ramales son totalmente independientes, el ramal en el
Laboratorio
de Electrnica
de Potencia
Pginapaso
8 de 20
que se encuentra
el capacitor
se puede
analizar
como una
RC se
a la
que seelaplica
En el instante
quered
el UJT
enciende
diodouna
entraseal
en
polarizacin
directa y la corr
y el voltaje en R2 se puede hallar a travs de
un divisor
decero.
voltaje.
capacitor
(Ic) es
c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.
VE
V C - 0 .7 V
+
Figura 1.8
En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarizacin

directa y la corriente e
2 INTRODUCCIN
capacitor (Ic) es cero.
3. Cuando
UJTelesta
8. entra en polarizacin directa y la corriente en el
En
el instanteelque
UJTencendido.
se enciendeFigura
el diodo
c)
Cuando
el
UJT
esta
encendido,
Figura 1.9.
capacitor (Ic) es cero.
VE
V C - 0 .7 V
c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.

VE
0 .7 V
V C - 0 .7 V
+
0 .7 V
VC
R B1
+
+
V C R B1
VR 2
VR 2
C
R2
R2
Figura 1.9
Figura 1.9
Figura 8: Circuito Equivalente del UJT
El capacitor se descarga a travs de R2 y RB1 pero en conduccin la segunda se reduce

considerablemente.
El capacitor
descarga
de R2 y RlaB1segunda
pero en
conduccin
la segunda
El capacitor
se descarga ase
travs
de R y Ra travs
pero en conduccin
se reduce
considerablemente.
2
B1
se reduce
Si el elemento
oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R2 sern las mostradas
considerablemente.
Si elenelemento
la Figuraoscila
9. entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R2 sern las
mostradas en la Figura 1.10:
Si el elemento oscila entre corte y saturacin las formas de onda en el capacitor y R2 sern
mostradas en la Figura 1.10:
Vc = V E
V cc
Vp
Vc = V E
V cc
Vp
Vv
t
VR2
VR 2 m a x
Vv
VR 2o
Figura 1.10
VR2
VR 9:
Figura
Equivalente del UJT
2 m Circuito
ax
Donde:
VR2o =
VR 2o
Figura 1.10
R2
(Vp 0,7)
R2 + R B1
(13)
R2
Vcc
R2 + R BB + R3
(14)
R2
Vcc
R2 + R BB
(15)
VR2max =
En caso de no colocar R3 :
VR2max =
Por lo que el voltaje en R2 es mayor, de all que es conveniente colocar R3, pues as disminuye el voltaje
en R2, asegurando que el SCR no se dispare por voltaje durante el periodo de carga del capacitor.
Pgina 9 de 20
En el caso de no colocar R3
BB
Por lo que el voltaje en R2 es mayor, de all que es conveniente colocar R3, pues as disminuye el
voltaje en R2, asegurando que el SCR no se dispare por voltaje durante el periodo de carga del
capacitor.
2 INTRODUCCIN
Deduccin de las ecuaciones de carga y descarga del capacitor
2.1.3.
DEDUCCIN DE LAS ECUACIONES DE CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR
Carga del capacitor
CARGA DELPara
CAPACITOR
determinar la ecuacin de carga se tomar como referencia la Figura 1.11.
Para determinar la ecuacin de carga se tomar como referencia la Figura 10.
Vc
V cc
Vcc
Vp
R 1
Vc = V
Vv
tc a rg a
Figura 1.11
Figura 10: Carga del Capacitor
Tomando en cuenta que el capacitor tiene un valor inicial de Vv y que la respuesta es exponencial en
Tomando
en cuenta
el capacitor
un valor
de VvVcc
y que
respuesta
el caso
de unaque
red R-C
aplicado tiene
un voltaje
pasoinicial
de amplitud
Vvlase
tiene queeselexponencial
voltaje en el en el
caso de una
red R-CVcaplicado
unpor
voltaje paso de amplitud Vcc , Vv se tiene que el voltaje en el capacitor Vc
capacitor
esta dado
esta dado por
V C = V V + (Vcc - V V ) 1 -
-t t
t
t = R C
Vc = Vv + (Vdonde:
cc Vv )(1 e ) 1
(16)
de all que el voltaje en el capacitor es
Donde: = R1 C
-t R C
) 1 - e es:
=elVvoltaje
+ (Vccen-el
V Vcapacitor
De all V
que
C
V
)
t
Vc = Vv + (Vcc Vv )(1 e R1 C )
(17)
esta ecuacin es valida durante la carga del capacitor hasta cuando el voltaje del capacitor sea Vc =
VE = VP ; momento en el cual el UJT entra en conduccin y se inicia el proceso de descarga del
capacitor.
esta ecuacin
es valida durante la carga del capacitor hasta cuando el voltaje del capacitor sea Vc =VE =VP ;
momento en el cual el UJT entra en conduccin y se inicia el proceso de descarga del capacitor.
Descarga del capacitor
DESCARGAPara
DEL CAPACITOR
determinar la ecuacin de descarga se tomar como referencia la Figura 1.12.
Para determinar la ecuacin de descarga se tomar como referencia la Figura 11. La descarga del capacitor
se realiza a travs de la resistencia por lo que el voltaje durante este intervalo de tiempo se describe de la
siguiente manera:
t
Vc = Vp e (RB1 +R2 )C
(18)
Donde: = R B1 +R2
y el voltaje de R2 o resistencia de descarga:
VR2 =
R2
(Vp 0,7)
r2 + R B1
(19)
Para determinar el tiempo de carga, descarga y periodo de oscilacin.

Pgina 10 de 20
INTRODUCCIN
V c = VE
Vcc
Vp
Vc
= V
RB1
C
R 2
Vv
t
VR2
VR 2 m a x
VR 2o
td e s c a rg a
Figura 11: Descarga del Capacitor

Figura 1.12
La descarga del capacitor se realiza a travs de la resistencia por lo que el voltaje durante este
TIEMPO DE CARGA
intervalo de tiempo se describe de la siguiente manera:
El voltaje del capacitor durante
la carga es:
-t
V
= VP
( R B 1 + R 2 )C
Vc = Vv + (Vcc Vv )(1 e R1 C )
Donde t = R B 1 + R 2
t
t
Vc = Vv + Vcc Vv Vcc e R1 C + Vv e R1 C
(20)
(21)
y el voltaje de R2 o resistencia de descarga
R2
VR2 =
Vc = Vcc (Vcc Vv )e R1 C
(Vp
- 0 .7 )
(22)
Si cuando: t = t c (t car ga )R entonces

+ R B 1 Vc = Vv
2
t c
R1 C
Para determinar el tiempo Vdep =
carga,
y periodo
de oscilacin.
Vcc descarga
(Vcc Vv )e
(23)
Tiempo de carga
t c
Vcc Vp
= e R1 C
Voltaje del capacitor durante la Vcarga
V
(24)
cc
n
V C = V V + (Vcc - V V ) 1 - l e
V C = V V + Vcc - V V
V
si cuando t = tC (tcarga)
= Vcc - (Vcc - V V
Vcc - V P
Vcc - V
-tC
)
V
tc
R1 C
Vcc
v
-t
-t
R C
- Vcc e RVCcc +VVp

tc
V e
ln
=
-t
Vcc Vv
R1 C
R C
= Vcc - (Vcc - V V
C
V Vp
- t Rcc
1C
)e
R1C
ln
Vcc Vp
Vc = VVv
cc Vv
)e
(25)
(26)
tc
R1 C
(27)
- tC

R C
Vcc Vv
tc
ln
=
Vcc Vp
R1 C

Vcc Vv
t c = R1 C ln
Vcc Vp
1
(28)
(29)
Pgina 11 de 20
INTRODUCCIN
TIEMPO DE DESCARGA
El voltaje del capacitor durante la descarga es:
t
Vc = Vp e (RB1 +R2 )C
(30)
Si cuando: t = t d (t descar ga ) entonces Vc = Vv

t d

ln
(31)
t d
Vv
= e (RB1 +R2 )C
Vp
(32)
Vv
Vp
ln
Vv = Vp e (RB1 +R2 )C
Vp
Vv
td
(R B1 + R2 )C
(33)
td
(R B1 + R2 )C
t d = (R B1 + R2 )C ln
Vp
(34)
(35)
Vv
PERIODO DE OSCILACIN TOSC

Un periodo de oscilacin es igual a la suma del tiempo de carga ms el tiempo de descarga del capacitor:
TOSC = t car ga + t descar ga = t c + t d
(36)
entonces,

TOSC
Vcc Vv
= R1 C l n
Vcc Vp
+ (R B1 + R2 )C ln
Vp
Vv
pero para la mayora de sistemas t c >> t d , entonces TOSC = t c y Vcc >> Vv

Vcc
TOSC = R1 C ln
Vcc Vp
!
1
TOSC = R1 C ln
V
1 Vccp
(37)
(38)
(39)
Si Vp = VD + VBB y considerando que R2 y R3 << R BB , VBB = Vcc VD << Vp

Entonces: Vp = Vcc
Vp
Vcc
=
1
= R1 C ln
1
TOSC
(40)
Pgina 12 de 20
V P = h Vcc
=>
1
T osc = R 1 C ln
1-h
f =
Vcc
INTRODUCCIN
1
R 1 C ln [1 (1 - h
)]
f =
1
R1 C ln 1
(41)
En varios casos las seales de control son usadas en conversores cuya entrada es la red elctrica y
la salidaEn
debe
mantenerse a la misma frecuencia de esta, entonces, es necesario conocer el cruce
varios casos las seales de control son usadas en conversores cuya entrada es la red elctrica y la
por cero
de
la
onda
de entrada
y usarla
como referencia
para lasesseales
de conocer
control,eleste
salida debe mantenerse
a la misma
frecuencia
de sta, entonces,
necesario
cruce por cero de
procedimiento
conoce
comocomo
sincronizacin
conlas
la seales
red. Ladesincronizacin
consiste en detectar
la onda de se
entrada
y usarla
referencia para
control, este procedimiento
se conoce como
sincronizacin
con
la
red.
La
sincronizacin
consiste
en
detectar
cuando
la
onda
de
voltaje
cruza
cuando la onda de voltaje cruza por cero y en ese instante iniciar la carga del condensador delpor cero y
en ese instante iniciar la carga del condensador del oscilador. Un esquema de oscilador sincronizado con la
oscilador.
Un esquema de oscilador sincronizado con la red se muestra en la Figura 1.13.
red se muestra en la Figura 12.
RZ
R3
R1
1 1 0 V rm s
60 Hz
+
R2
Vout
Figura 12: Oscilador

Sincronizado con la Red
Figura 1.13
En este En
caso
el voltaje de alimentacin para el oscilador de relajacin es el voltaje del zener es decir
este caso el voltaje de alimentacin para el oscilador de relajacin es el voltaje del zener es decir
VCC =VccVZ=, Vadems
recordando que:
Z , adems recordando que:
Si Vp = VD + VBB y considerando que R2 y R3 << R BB , VBB = Vcc y VD << Vp
si VP = VD + VBB y considerando que R2 y R3 << RBB

Entonces:
VBB = VCC y VD << VP
Vp Vcc = VZ
Entonces:
Adems si tiempo de carga esta dado por:
t c = (R1 + P)C ln
Vcc Vv
Vcc Vp

(42)
y si Vcc >> Vv entonces:

t c = (R1 + P)C ln
VZ
VZ VZ
(43)
Simplificando:
t c = (R1 + P)C ln
1
1
(44)
Pgina 13 de 20

VZ
t C = ( R 1 + P ) C ln
VZ - hVZ
simplificando
1
t C = ( R 1 + P ) C ln
1-h
2
INTRODUCCIN
El tiempo de carga tC ser el tiempo que se tarda en aparecer el primer pulso de voltaje en la
resistencia de descarga R2 , y que se lo define como , entonces:
El tiempo de carga t c ser el tiempo que se tarda en aparecer el primer pulso de voltaje en la resistencia
1 como , entonces:
de
descarga
2 ,) y
Cque
ln se lo define
a = ( R 1 +RP
1
h
1
(45)
= (R1 + P)C ln
1
Al colocar un potencimetro la resistencia durante la carga del capacitor es variable y por lo tanto
tambin
lo es,
menor cuando
el potencimetro
P esdel
igual
a ceroesy variable
siendo mayor
Al colocar
unsiendo
potencimetro
la resistencia
durante la carga
capacitor
y por locuando
tanto Ptambin
lo
es,
siendo
menor
cuando
el
potencimetro
P
es
igual
a
cero
y
siendo
mayor
cuando
P
esta
en
su mximo
esta en su mximo valor.
valor.
2.1.4.
EL DIODO
BILATERAL
DISPARO (DIAC)
EL DIODO
BILATERAL
DEDEDISPARO
(DIAC)
DIACesesun
unelemento
elemento de dos
1 (A1)
y nodo
2 (A2),
se lose
puede
considerar
un diodo
El ElDIAC
dosterminales
terminalesnodo
nodo
1 (A1)
y nodo
2 (A2),
lo puede
considerar
un
bidireccional
diseadodiseado
especficamente
para realizarpara
circuitos
de disparo
dede
TRIAC
o SCR.
DIAC nooconduce
diodo bidireccional
especficamente
realizar
circuitos
disparo
deElTRIACs
SCRs.
ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de conmutacin (breakover voltage) sea
El DIAC no conduce ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de
alcanzado. En este momento el elemento muestra una caracterstica de resistencia negativa observndose una
conmutacindel(breakover
voltage)
sea alcanzado.
En este
momento
elemento
muestra
disminucin
voltaje entre
sus terminales
a un valor
aproximado
de el
5V
, originndose
una una
corriente de
caracterstica(breakover
de resistencia
negativa
observndose
disminucin
del ovoltaje
entre
suscaracterstica
terminales
conmutacin
current)
lo suficiente
como parauna
encender
un TRIAC
SCR. La
curva
a un
valor
5 V, 13:
originndose una corriente de conmutacin (breakover current) lo
del
DIAC
se aproximado
muestra en lade
Figura
suficiente como para encender un TRIACs o SCRs. La curva caracterstica del DIAC se muestra en
I
la Figura 1.14:
+ Is
- Vs
V
+ Vs
Vcc
- Is
Donde:
V s = V o lta je d e c o n m u ta c i n
( b r e a k o v e r v o lta g e )
Is = C o r r ie n te d e c o n m u ta c i n
( b r e a k o v e r c u r r e n t)
Figura 13: Curva Caracterstica del DIAC

C u r v a c a r a c te r s tic a d e l D IA C
En la curva caracterstica solo se especifica voltaje y corriente de conmutacin, ya que en el caso del DIAC
la zona de resistencia negativa no es nica, en este
caso
nos referimos a un punto de conmutacin (Vs e Is)
Figura
1.14
y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de cual nodo tenga mayor potencial
con
otro se definesolo
el sentido
de la corriente.
En respecto
la curva al
caracterstica
se especifica
voltaje y corriente de conmutacin, ya que en el caso del
Los smbolos con los que se representa son los mostrados en la Figura 14:
DIAC
la zona de resistencia negativa no es nica, en este caso nos referimos a un punto de
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la Figura 15.
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el voltaje
de la fuente, el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a travs del circuito
de la Figura 16:
Pgina 14 de 20
conmutacin ( Vs e Is ) y un voltaje interandico que es el voltaje entre A1 y A2, dependiend

cual nodo tenga mayor potencial con respecto al otro se define el sentido de la corriente.
Vs eelIs
) y un
interandicoes
queelesmostrado
el voltaje entreen
A1la
y A2,
dependiendo
Elconmutacin
smbolo (con
que
sevoltaje
representa
Figura
1.15de(a), si bien en algunos cas
2 INTRODUCCIN
tambin
con
smbolo
Figura
1.15casos
(b):
El smbolose
conloel representa
que se representa
es elelmostrado
en laindicado
Figura 1.15 en
(a), silabien
en algunos
tambin se lo representa con el smbolo indicado en la Figura 1.15 (b):
A1
A1
A1
A 1 el voltaje entre A1 y A2, dependiendo de

conmutacin ( Vs e Is ) y un voltaje interandico que es
El smbolo con el que se representa es el mostrado en la Figura 1.15 (a), si bien en algunos casos
tambin se lo representa con el smbolo indicado en la Figura 1.15 (b):
A1
A1
A2
A2
(a )
(b )
Figura 1.15
A2
A2
A2
A2
(a )
(b )
(a )
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura
1.16.
Figura 1.15
(b )
Figura 14: Simbologa del DIAC
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.
Figura 1.15
El oscilador de relajacin con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.

P
R1
1 1 0 V rm s
R1
1 1 0 V rm s
60 Hz
60 Hz
Vout
R2
Vout
R2
R1
Figura 1.16
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el
1 1 0abierto
V r mpor
s lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a
voltaje internases el DIAC esta
travs del siguiente circuito: 6 0 H z
Figura 1.16
Figura 15: Oscilador de relajacin con DIAC
Para el anlisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor que el
voltaje internases el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el capacitor a
travs del siguiente circuito:
V in
VC
+
V in
V in
Vc
R2
V D IA C
fC
-
V in
Vc
VC
V D IA C
Figura 16: Circuito Equivalente cuando Vc < Vin
fC
Figura 1.16
Figura 1.17
Trabajando
en elcircuito
dominio dese
la frecuencia
el voltaje
en el
capacitor esta
por: en el capacitor sea menor q
Para el anlisis
de este
considera
que
mientras
eldado
voltaje
a
jX por lo que seX puede
90 determinar el voltaje en el capacitor
voltaje internases el DIAC estaVabierto

=
V 0 = q
(46)
R jX
R + X t an
travs del siguiente circuito:
-
2
1
2
c
Xc
R1
Pgina 15 de 20
Figura 1.17
R
V in
Si
INTRODUCCIN
R21 + X c2 es el mdulo de la carga Zc y t an1 R1c es el ngulo de la carga c
Simplificando el voltaje en el capacitor se obtiene lo siguiente:

Vc = Vf
En el dominio del tiempo:
Vc =
Como funcin coseno:
Xc
(c 90 )
Zc
p
Xc
2 Vf sin(t + c 90 )
Zc
p
Xc
Vc = 2 Vf
cos(t + c )
Zc
A partir del diagrama fasorial:
Xc
Zc
(47)
(48)
(49)
= sinc , entonces :
p
Vc = 2 Vf sinc cos(t + c )
(50)
Si t = y Vc = VDIAC , entonces:
p
VDIAC = 2 Vf sinc cos( + c )
(51)
De esta ecuacin mediante clculos numricos se encuentra c para determinar la resistencia R, una vez
que se ha asumido un valor de C.
2.2.
MODULACIN
DE
ANCHO
DE
PULSO (PULSE WIDTH MODULATION PWM)
Una seal PWM (Modulador de Ancho de Pulso) es una onda cuadrada de periodo constante (T) y ancho
de pulso variable (a). En una seal PWM se trabaja con relaciones de trabajo d que representan el ancho de
pulso con respecto al periodo. Lo que hace bsicamente un PWM es variar dinmicamente el ancho de pulso
de manera que el tiempo en alto disminuya o aumente y en proporcin inversa, el tiempo de baja aumente o
disminuya, pero eso s manteniendo el T constante.
=
a
T
(52)
En la Figura 17 se muestra una seal PWM de perodo T= cte y con un anchos de pulso variable.
Ancho de Pulso ( a ): El ancho de pulso est definido como el porcentaje o tiempo en alto de una seal
cuadrada durante un determinado perodo.
Perodo (T): El perodo se define como el intervalo de tiempo donde la seal PWM ocurre.
Frecuencia ( f ): Se define como el inverso del perodo.
Un PWM permite que ciertos sistemas continuos en el tiempo, tales como un motor, sean controlados por
una seal discreta.Entre las aplicaciones de un PWM se tiene:
Pgina 16 de 20
d =
T
INTRODUCCIN
Figura 17: Seal PWM

Fuentes de alimentacin comunes.
Figura
1.18
Computadoras y otros dispositivos
electrnicos.
Control de velocidad de motores DC.
ura 1.18 se muestra

una
sealdePWM
de perodo T= cte y con un anchos de pulso variable.
Control de
iluminacin
lmparas.
Amplificadores audio para generar las seales de salida para los altavoces del telfono o los sistemas
estreos de alta potencia. Los amplificadores hechos con PWM producen menos perdidas por ejemplo
por calentamiento, con relacin a los amplificadores anlogos tradicionales.
Ancho de Pulso
( a ): El ancho de pulso est definido como el porcentaje o tiempo en alto de u
2.2.1. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
seal cuadrada
duranteBsicas:
un determinado perodo.
Caractersticas
Ganancia en lazo abierto extremadamente alta en el orden de 103 a 106 .
Perodo (T): ElVoltaje

perodo
se define como el intervalo de tiempo donde la seal PWM ocurre.
de salida positivo y negativo con una amplia gama dinmica.
Desajuste de salida con el tiempo y temperatura muy reducida.
Frecuencia ( f Alta
): Se
define como el inverso del perodo.
impedancia de entrada, del orden de 10 ohm, pudiendo en la mayora de casos prcticos despreciar la
corriente
entre los
terminales inversor
y no inversor.
Un PWM permite
que
ciertos
sistemas
continuos
en el tiempo, tales como un motor, sean
controlados por una seal discreta.
A continuacin se describen dos de los curcuitos que pueden ser tiles para generar seales de control.
Entre las aplicaciones de un PWM estn:
Se utiliza en las fuentes de alimentacin comunes. Para las computadoras y otros dispositivos
electrnicos.
Tambin se utiliza para controlar la velocidad de un motor dePgina
DC17 deo 20para controlar l
intensidad de un Foco.
Por otro lado un PWM se utiliza en amplificadores audio para generar las seales de salida para
altavoces del telfono o los sistemas estreos de alta potencia., los amplificadores hechos con P
6
INTRODUCCIN
GENERADOR DE ONDA CUADRADA:

Es un comparador en el que la seal de comparacin depende de si la salida es Vo o Vo , si la salida es
Vo el capacitor empieza a cargarse y este voltaje es comparado con la cada de tensin en R3 de tal forma que
cuando el voltaje en el capacitor es mayor que el voltaje en R3 el voltaje de salida ser Vo , con lo cual se
produce la descarga del capacitor hasta que el voltaje en este sea mas negativo que el de R3 con lo cual la
salida seria Vo , produciendo este proceso cclicamente para dar resultado a la onda cuadrada. Figura 18.
K=
R3
R2 + R3
T = 2R1 C ln
K =
R3
(53)
1+K
1K
(54)
Figura 18: Generador de onda Cuadrada
R2 + R3
GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR:

T = 2 R 1 C ln
1+ K
- K
Esta formado por dos1etapas,
la primera es un Schmitt sin inversin que es la encargada de generar una
onda cuadrada, y la segunda es un integrador que hace que la onda cuadrada sea transformada en una onda
triangular. Figura 19.
GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR
Para este circuito se calcula la frecuencia de salida mediante:

Esta formado por dos etapas la primera es un Schmitt sin
R1inversin que es la encargada de generar una
f =
onda cuadrada y la segunda es un integrador que
hace
la onda cuadrada sea transformada en una onda
4Rque
2 R3 C
triangular.
y la amplitud es:
f =
La frecuencia de salida es:
2.3.
R1
4 R2 R3 C
A=
R3
Vcc
R1
(55)
(56)
R3
Vcc
CIRCUITOS RGENERADORES
DE PWM
La amplitud es: 1
La tecnologa en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando caractersticas de versatilidad, confiabilidad, tamaso reducido, sencillez en su uso, etc., facilitando el diseo y la
Pgina 18 de 20
f =
La frecuencia de salida es:

R3
La amplitud es:
4 R2 R3 C
Vcc
R1
PREPARATORIO
CIRCUITOS GENERADORES DE PWM

La tecnologa en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando
caractersticas de versatilidad, confiabilidad, tamao reducido, sencillez en su uso, etc., facilitando el
diseo y la implementacin de circuitos para el control de sistemas electrnicos de potencia, un
Figura 19: Generador de onda Triangular
ejemplo es la tcnica conocida como
PWM. Entre los circuitos integrados empleados para generar
las seales de disparo cabe destacar a los amplificadores operacionales, el temporizador 555, el
implementacin de circuitos para el control de sistemas electrnicos de potencia, un ejemplo es la tcnica coLM3524,
el TCA785 y las compuertas lgicas de la familia CMOS 74CXX.
nocida como PWM. Entre los circuitos integrados empleados para generar las seales de disparo cabe destacar
a los amplificadores operacionales, el temporizador 555, el LM3524, el TCA785 y las compuertas lgicas de
PWM
sincronizado
con la red usando el circuito integrado 74HC14 ( entre 0.5 y 1.0)
la familia
CMOS 74CXX.
En las Figuras 20, 21 y 22, se muestran algunos circuitos generadores de seal PWM.
Figura 1.19.
14
1 1 0 V r m s /6 0 H z
Vout
7
CD40106B
* L o s p in e s 7 y 1 4 d e la c o m p u e r ta C D 4 0 1 0 6 B c o r r e s p o n d e n a la p o la r iz a c i n
Figura 20: PWM sincronizado con la red con CI 74HC14
Figura 1.19
3.
PREPARATORIO
Consultar
las sincronizada
configuracionescon
(circuitos)
amplificadores
PWM con rampa
lineal
la redde
Figura
1.19. operacionales en modo: Amplificador Inversor, Amplificador No Inversor, Comparador de Voltaje y Amplificador con Histresis (Disparador de
Schmitt), con sus respectivas ecuaciones.
Disear y simular (Proteus) los

generadores
de onda cuadrada
y triangular de las Figuras 18 y 19 para
V cc
V cc
V cc
V cc
2
una frecuencia de 100Hz con una amplitud
de -10V a 10V si se dispone de fuentes de 15V.
Consultar el esquema, disear y simular (Proteus) un circuito generador de PWM de 1KHz y relacin
D1
D2
R1
de trabajo variable entre 0,1 a 0,9 usando el circuito integrado LM555. La alimentacin del circuito es
R3
C
una sola fuente de 15V.
Analizar el funcionamiento de los circuitos simulados.
D5
LM 324
1 1 0 V r m s /6 0 H z
Vout
+
+
D3
D4
D7
Laboratorio de Electrnica de PotenciaR 2
Pgina 19 de 20
V cc
V cc
R4
R5
Figura 1.19
REFERENCIAS
PWM con rampa lineal sincronizada con la red Figura 1.19.
V cc
V cc
D1
D2
V cc
V cc
R1
R3
1 1 0 V r m s /6 0 H z
D5
LM 324
Vout
+
+
D7
D4
D3
R2
V cc
V cc
R4
R5
PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red Figura 1.21.

Figura 21: PWM con rampa lineal sincronizada con la red
Figura 1.20
D1
R1
D2
R3
D5
D6
V cc
1 1 0 V r m s /6 0 H z
D7
14
CD40106B
D3
D4
R2
C2
C1
R5
V cc
R4
Vout
+
+
LM 324
D8
V cc
V cc
R6
R7
Figura 22: PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red
4.
INFORME
Se realizar al final de la prctica de acuerdo
a las1.21
indicaciones del instructor.
Figura
5.- PROCEDIMIENTO
REFERENCIAS
[1]La
Boylestad
, Electronic proceder
Devices and Circuit
Theory,
(New tipos
Edition).
Pearson Education,
prcticaR.,
esNashelsky
tutorial, elL. instructor
a explicar
los 10/e
distintos
de circuitos
generadores
2012.
de seales de control.
[2] M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications.

Pearson/Prentice Hall, 2004.

Pgina 20 de 20
4.- PREPARATORIO
4.1 Disear los siguientes circuitos de control:
CIRCUITO 1.- Disear un generador de PWM de 1.0 KHz, que se obtenga de la comparacin de una

Practica 1 - EPN - EP

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PRCTICA # 1

RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)

MSc. Leonardo Ortega leonardo.ortega@epn.edu.ec,

Laboratorio de Electrnica de Potencia

generacin de seales de control (osciladores de relajacin).

2.1. ELEMENTOS CON CARACTERSTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN)

Los elementos de resistencia negativa (ERN) usados principalmente para la gene

se observa una reg

terminales, como se aprecia en la Figura 1.

Figura 1: Curva Caracterstica de un ERN generalizado

La regin de RESISTENCIA NEGATIVA (AB), es la regin de transicin entre la regin de conduccin y

el punto de operacin se site al interior de la regin de resistencia negativa. El funcionamiento de un

negativa el elemento puede actuar dentro de un circuito oscilador de relajacin, donde el c

Antes de energizar el circuito el capacitor C esta descargado y su voltaje es igual a cero al

Figura 3: Forma de Onda en el Capacitor y Salida del ERN

Entre los elementos de resistencia negativa ms conocidos podemos anotar:

Conmutador Controlado de Silicio

EL TRANSISTOR UNIJUNTURA UJT

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Unijunction transistor (UJT): basic construction.

Figura 4: Construccin Bsica de un UJT

Transistor Unijuntura Programable

Conmutador Unidireccional de Silicio

Conmutador Bidireccional de Silicio

Conmutador Controlado de Silicio

Diodo Bilateral de Disparo

Cuadro 1: Elementos de Resistencia Negativa

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Figura 5: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT

resistencia es denominada resistencia

R al voltaje pico Vp el que esta dado por

es la relacin intrnseca de bloqueo (0.51 0.82)V

De ello se deduce que Vp depende del voltaje

Se recomienda escoger R1 deRtal

Figura 6: Circuito Oscilador de Relajacin con Rampa Exponencial

Para asegurar el encendido:

pero en el punto de pico IR1 = IP y VE = VP

y para asegurar el disparo:

Por lo tanto R1 est limitado por:

- VR1P est limitado por:

b) Cuando el UJT se enciende VE = VP , Figura 1.8.

Figura 7: Smbolo y Circuito Equivalente del UJT

En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarizacin

c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9.

Figura 8: Circuito Equivalente del UJT

El capacitor se descarga a travs de R2 y RB1 pero en conduccin la segunda se reduce

mostradas en la Figura 1.10:

Laboratorio de Electrnica de Potencia

DEDUCCIN DE LAS ECUACIONES DE CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR

Carga del capacitor

Figura 10: Carga del Capacitor

de all que el voltaje en el capacitor es

Descarga del capacitor

Para determinar el tiempo de carga, descarga y periodo de oscilacin.

Figura 11: Descarga del Capacitor

y el voltaje de R2 o resistencia de descarga

Si cuando: t = t c (t car ga )R entonces

- Vcc e RVCcc +VVp

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Si cuando: t = t d (t descar ga ) entonces Vc = Vv

PERIODO DE OSCILACIN TOSC

pero para la mayora de sistemas t c >> t d , entonces TOSC = t c y Vcc >> Vv

Si Vp = VD + VBB y considerando que R2 y R3 << R BB , VBB = Vcc VD << Vp