Cuprins CAPITOLUL 1

NOIUNI INTRODUCTIVE ..........................................................................................................9

1.1 Definiia circuitului integrat ................................................................................................9
1.2 Clasificarea circuitelor integrate..........................................................................................9
1.2.1 Clasificarea circuitelor integrate semiconductoare......................................................9
1.3 Nivelul de complexitate funcional a circuitelor integrate...............................................10
1.4 Scurt istoric........................................................................................................................10
1.5 Tehnologia de fabricare a CI monolitice ...........................................................................11
1.5.1 Tehnologia bipolar...................................................................................................11
1.5.2 Tehnologia MOS .......................................................................................................13
Tehnologia BiCMOS.............................................................................................................15
1.6 Tehnici de izolare folosite in fabricarea CI monolitice .....................................................16
1.7 Proprietile electrice ale straturilor difuzate.....................................................................16
1.8 Structura elementelor de circuit componente ale CI monolitice .......................................17
1.8.1 Structura elementelor de circuit n tehnologie bipolar.............................................17
1.8.2 Structura elementelor de circuit n tehnologie MOS i CMOS .................................21
1.9 Tipuri de capsule ale circuitelor integrate .........................................................................24

NOIUNI INTRODUCTIVE

Capitolul 1

NOIUNI INTRODUCTIVE
1.1 Definiia circuitului integrat
Circuitul integrat (CI) reprezint o unitate constructiv inseparabil de microelemente
interconectate electric i plasate cu mare densitate n volumul sau pe suprafaa unei baze comune.
CI apare ca un tot unitar din punct de vedere al prezentrii, denumirii, testrii i exploatrii.
1.2 Clasificarea circuitelor integrate
n prezent exist o mare diversitate constructiv i funcional de CI, ca urmare a
necesitii permanente de mbuntire a performanelor, de cretere a gradului de integrare i
scdere a preului de cost. Cea mai mare pondere o constituie CI bazate pe proprietile
semiconductoarelor, dar exist i CI care lucreaz pe alte principii (optoelectronice,
acustoelectronice, magnetoelectronice sau termice).
CI se pot clasifica astfel:
a) Din punct de vedere al modului de prelucrare a informaiei. Dup acest criteriu se
deosebesc urmtoarele tipuri de CI:
CI analogice care prelucreaz semnale continue sau cu variaie continu n timp sau frecven
i realizeaz funcii de amplificare, modulare, demodulare etc.;
CI digitale (numerice) care prelucreaz semnale discontinue ca valoare, sub form de nivele
sau impulsuri i realizeaz funcii logice de calcul aritmetic pe baz de cod i/sau de
memorare;
CI de interfa care prelucreaz att semnale analogice ct i numerice, conin convertoare
analog-numerice i numeric-analogice i fac legtura dintre echipamentele analogice i cele
numerice.
b) din punct de vedere al principiului de funcionare CI pot fi: semiconductoare,
optoelectronice, acustoelectronice, magnetoelectronice, termice.
Deoarece obiectul cursului l constituie CI analogice semiconductoare, consideraiile
care urmeaz se fac pentru aceste tipuri de CI.
1.2.1

Clasificarea circuitelor integrate semiconductoare

a) Din punct de vedere al tehnologiei de formare i conectere a elementelor componente

CI semiconductoare se pot clasifica n:
CI monolitice care au toate microelementele i interconexiunile realizate printr-un proces
unitar de elaborare n volumul sau pe suprafaa unui singur cristal semiconductor, numit
pastil sau cip. Cuvntul cip provine din termenul din limba englez ''chip'', adic achie.
CI peliculare care au microelementele sub form de pelicule conductoare, rezistive sau
dielectrice, formate pe un substrat izolator;
CI hibride care sunt ansamble de componente peliculare pasive i componente discrete,
active sau pasive (cipuri monolitice, tranzistoare, condensatoare, bobine) conectate i fixate pe
acelai suport izolator.
b) Din punct de vedere al tehnologiei de fabricare CI pot fi realizate n:
tehnologie bipolar;
tehnologie MOS;
tehnologie BiCMOS.

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

10

1.3 Nivelul de complexitate funcional a circuitelor integrate

Nivelul de complexitate funcional a circuitelor integrate se determin fie n funcie de
numrul de componente de pe cip, fie cu ajutorul unor elemente de referin numite circuite
echivalente.
In funcie de complexitatea CI se disting urmtoarele trepte de integrare:
SSI (Small Scale Integration) - circuite cu grad redus de integrare care conin pn la 100 de
componente pe cip;
MSI (Medium Scale Integration) - circuite cu grad mediu de integrare care conin ntre 100 i
1.000 de componente pe cip;
LSI (Large Scale Integration) - circuite larg integrate care conin ntre 1.000 i 10.000 de
componente pe cip;
VLSI (Very Large Scale Integration) - circuite foarete larg integrate care conin ntre 10.000
i 100.000 de componente pe cip;
V2LSI sau ULSI sau SLSI (Very-Very, Ultra sau Super Large Scale Integration) - circuite
super-larg integrate care conin mai mult de 100.000 de componente pe cip.
1.4 Scurt istoric
Realizarea primelor CI dateaz nc din anul 1958 i a provocat una din cele mai importante
revoluii n industria electronic. Aceasta intr ntr-o alt etap de dezvoltare, reprezentat de
o nou "generaie" de echipamente electronice avnd la baz CI. Noutatea consta n faptul c
ntr-un singur cristal semiconductor de dimensiuni foarte mici, adesea microscopice, se puteau
realiza scheme funcionale cu zeci de elemente, ceea ce permitea construcia unor noi aparate
electronice miniatur, cu performane mbuntite, la preuri de cost sczute. Totodat, prin
crearea i dezvoltarea tehnologiei de elaborare a CI se puneau bazele microelectronicii, ca
ramur distinct, de sine stttoare a electronicii.
Un prim salt calitativ n evoluia CI liniare s-a fcut n anii 1964 -1965 cnd, prin elaborarea
unor tehnici de proiectare specifice (proiectarea cu tranzistoare multe i rezistoare puine,
considerarea deviaiilor i mperecherilor de parametri specifice tranzistoarelor monolitice
etc.) s-a elaborat seria circuitelor aa numite din "generaia nti" ca de exemplu A 702, A
709 i altele. Aceste circuite au marcat trecerea de la circuitele iniiale, neperformante i
neeconomicoase, la circuite care egalau performanele variantelor cu componente discrete, n
condiii de pre de cost avantajoase.
Urmtorul progres major n tehnica CI liniare s-a nregistrat n anii 1967-1968, prin circuitele
din "generaia a doua" ca de exemplu LM 101, A 741, LM 108 (amplificatoare operaionale),
A 723 i LM 105 (stabilizatoare de tensiune integrate) etc. care, n afara unor perfecionri
de proiectare, incorporau i componente noi, rezultate ale efortului de rafinare a tehnologiei de
baz (capacitoare MOS, tranzistoare pnp, cu efect de cmp, "super-"). In aceeai perioad sau dezvoltat tehnicile de analiz automat a circuitelor cu ajutorul calculatorului, care, dei
nefolosite la elaborarea circuitelor menionate, s-au dovedit a fi indispensabile n proiectarea
circuitelor complexe.
Din anii 1972-1973 tehnica CI liniare a intrat ntr-o faz de ''maturitate'', n care practic orice
funcie liniar sau liniar-numeric s-a putut realiza monolitic. Circuitele au devenit
specializate pe familii i aplicaii, astfel nct clasificarea lor pe "generaii" a devenit inutil i
inoperant i s-a trecut la aprecierea lor n funcie de ''gradul de integrare''. Astfel n aceast
perioad s-a ajuns la CI de tipul LSI, nivel de complexitate atins de convertoarele monolitice
(analog-digitale sau digital-analogice) i procesoarele de semnal pentru televizoare.

NOIUNI INTRODUCTIVE

11

1.5 Tehnologia de fabricare a CI monolitice

In funcie de performanele urmrite, circuitele integrate analogice monolitice se pot
realiza ntr-una din urmtoarele tehnologii: bipolar, MOS sau BiCMOS.
1.5.1

Tehnologia bipolar

Tehnologia de fabricare a CI monolitice bipolare s-a dezvoltat mult de cnd, n anul 1959,
s-a inventat procesul planar de realizare a tranzistoarelor. Evoluia s-a manifestat n ceea ce
privete dezvoltrile din domeniul fotolitografiei, a tehnicilor de prelucrare, existnd tendina de
a se reduce tensiunea de alimentare din sistemele electronice care utilizeaz CI. Dezvoltrile din
domeniul fotolitografiei au redus dimensiunea minim ce se poate atinge de la zeci de microni la
nivele submicronice. Astfel, datorit controlului precis de dopare cu impuriti asigurat de
metoda implantrii ionice, aceast metod a devenit dominant n procesele de impurificare. De
asemenea n prezent multe circuite lucreaz la tensiuni de alimentare de 5V sau 3V n loc de
15V (sau n cazul cel mai defavorabil de 18V), ultimele valori fiind necesare n cazul
circuitelor mai vechi pentru a se obine domeniul dinamic maxim (de exemplu la
amplificatoarele operaionale). Reducerea tensiunii de alimentare a CI are ca efect posibilitatea
conectrii mai apropiate a dispozitivelor CI i realizarea unor structuri mai puin adnci cu
capabiliti de frecven mai mari.
In tehnologia de fabricare a CI bipolare, cu izolare prin jonciuni, circuitul monolitic
propriu-zis este realizat n cipul de siliciu, lipit pe baza sau grila capsulei i conectat electric prin
fire subiri de aur (25 m diametru) la terminalele solide ale capsulei numite pini.
Fluxul tehnologic de realizare a CI monolitice cuprinde urmtoarele etape principale:
- proiectarea i realizarea mtilor
- prelucrarea plachetei
- asamblarea i testarea
Proiectarea i realizarea mtilor se obine prin parcurgerea urmtoarelor etape:
a) proiectarea electric de circuit care se face pe baza specificaiilor circuitului date de
utilizatorul CI. Modelarea se realizeaz cu ajutorul calculatorului.
b) proiectarea planului circuitului (numit i lay-out) se face conform schemei electrice i
a unor reguli de proiectare specifice fiecrui element de circuit. Planul CI se deseneaz la scara
cuprins ntre 200:1 i 500:1, executndu-se 6 sau 7 desene care prin suprapunere dau planul
complet. Apoi planul se trece de pe hrtie milimetric pe un material special destinat fotografierii
prin transparen. In final se realizeaz mtile prin reducerea fotografic n dou trepte a
planului fiecrei mti, pn la dimensiunea final a CI.
In prelucrarea plachetei se pornete de la o plachet de siliciu de tip p (wafer n limba
englez), pe care se vor realiza simultan cteva sute de cipuri. Placheta, de grosime 250-300 m
i diametru de 40-80mm, se polizeaz oglind pe una din fee i se prelucreaz prin procesul
planar care se bazeaz pe o succesiune de etape de fotomascare, difuzie i cretere epitaxial.
Fotomascarea (fotolitografia sau fotogravura) este procedeul prin care se definesc
simultan pe suprafaa plachetei toate microelementele tuturor CI i const din: cretere de bioxid
de siliciu (SiO2), etalare de fotorezist, expunere prin masc la raze ultraviolete, developare de
fotorezist, corodare de SiO2, nlturare de fotorezist.
Urmeaz difuzia impuritilor care const n deplasarea, de obicei la temperaturi nalte, a
atomilor de impuriti de la suprafaa bucii de siliciu spre interiorul (volumul) acesteia.
Dupa folosirea primei mti cu ajutorul creia se selecteaz zonele de strat ngropat (zona
notat cu n+ pe fig.1.1,b) se realizeaz o operaie de cretere epitaxial care se refer la
creterea unui strat semiconductor monocristalin pe un substrat monocristalin din acelai
semiconductor (fig.1.1,c). In acest strat de tip n+, n nite insule se vor realiza toate elementele
de circuit ale viitorului CI (insulele de tip n sunt desprite de zone de tip p - fig.1.1,d).

12

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fluxul tehnologic de prelucrare a plachetei unui CI se orienteaz n sensul optimizrii

performanelor tranzistoarelor npn ale viitorului CI, tranzistorul bipolar fiind elementul de circuit
cel mai complicat ca funcionare fizic i control tehnologic care intr n componena CI,
celelalte elemente de circuit (diode, rezistoare, condensatoare, tranzistoare unipolare) urmnd s
se realizeze prin acelai proces.
Pornindu-se de la o structur tipic de tranzistor npn (fig.1.6) etapele fluxului tehnologic
de prelucrare a plachetei unui CI sunt urmtoarele:
se pornete de la plachet de siliciu de tip p;
se formeaz stratul de SiO2;
fotomascarea 1 definete cu ajutorul mtii 1 deschideri n oxid pentru difuzarea stratului
ngropat de colector, necesar la realizarea unei ci de rezisten mic pentru curentul de
colector;
urmeaz ndeprtarea chimic a stratului de SiO2, creterea epitaxial a unui strat de tip n i o
oxidare termic;
Observaie: dup fiecare etap de fotomascare, cu excepia etapelor de fotomascare 6 i
7, urmeaz oxidare termic, astfel nct n continuare aceast operaie nu se va mai aminti.

Fig. 1.1. Fluxul tehnologic de prelucrare

a plachetei unui circuit integrat.
(a) Plachet de siliciu oxidat;
(b) Selectarea zonelor de strat ngropat
(masca 1);
(c) Creterea epitaxial a stratului de tip n;
(d) Selecia zonelor de izolare (masca 2).

fotomascarea 2 definete deschideri n oxid pentru contururile de izolare, realizate prin difuzie
de tip p cu bor;
fotomascarea 3 definete deschideri n oxid pentru difuziile bazelor tranzistoarelor i traseelor
rezistoarelor (difuzie de tip p cu bor);
fotomascarea 4 definete deschideri n oxid pentru difuzia emitoarelor, a contactelor de
colector i a substratelor pentru capacitoarele MOS (difuzie de tip n cu fosfor);

NOIUNI INTRODUCTIVE

13

fotomascarea 5 realizeaz ndeprtarea oxidului din regiunile unde se vor creea capacitoare
MOS prin depunerea unor straturi de oxid cu grosime controlat;
fotomascarea 6 definete deschideri n oxid pentru realizarea contactelor ohmice metalsemiconductor. Urmeaz acoperirea n ntregime a plachetei de siliciu cu aluminiu, grosimea
stratului fiind de ordinul miilor de angstromi (1 angstrom = 10-8 cm)
fotomascarea 7 definete traseele conductoarelor de interconexiune, electrozii (armturile)
capacitoarelor MOS i zonele pentru ataarea conexiunilor, zone numite paduri. Apoi are loc o
depunere n vid, pe spatele plachetei, a unui strat subire de aur necesar lipirii cipului de siliciu
pe baza capsulei.
Avantajul tehnologiei planare const n faptul c se prelucreaz simultan 1020 de
plachete, pe fiecare realizndu-se simultan sute de circuite identice. In acest fel se obin simultan
loturi de mii de CI.
Asamblarea i testarea cuprinde urmtoarele etape: testarea pe plachet, separarea
cipurilor i nlturarea celor descoperite defecte n etapa de testare pe plachet, lipirea cipurilor
pe baza capsulei, ataarea conexiunilor, ermetizarea, testrile i msurtorile finale i marcarea
CI.
1.5.2

Tehnologia MOS

Necesitatea de a combina pe acelai cip funcii digitale complexe cu funcii analogice are
ca rezultat creterea utilizrii tehnologiilor MOS pentru funcii analogice, cum ar fi, de exemplu,
conversia analog-digital cerut de interfeele ntre semnalele analogice i cele digitale. Cu toate
acestea, tehnologia bipolar este nc folosit i va mai fi folosit ntr-un domeniu larg de
aplicaii, n special n acelea care necesit controlul unor cureni de valoare mare i n cazurile
cnd se cere o precizie mare a funciilor analogice.
Tehnologiile de fabricare a CI MOS cuprind un spectru mai mare i mai performant dect
cel al tehnologiilor bipolare, n momentul de fa fiind utilizate mai frecvent:
- tehnologia NMOS i
- tehnologia CMOS.
Tehnologia NMOS furnizeaz dou tipuri de tranzistoare, ambele cu canal n i anume un
tranzistor cu canal indus, la care tensiunea de prag este > 0 i un al doilea tranzistor, cu canal
iniial, la care tensiunea de prag este < 0.
Tehnologia CMOS furnizeaz de asemenea dou tipuri de tranzistoare, unul cu canal n
indus, cellalt cu canal p indus.
Tehnologiile MOS i CMOS sunt foarte asemntoare i din aceast cauz se vor trata
mpreun.
Materialul de start este este o plachet de siliciu, cu o concentraie de 10141015
atomi/cm3.
- fotomascarea suplimentar n tehnologia CMOS permite formarea, la primul pas al procesului
tehnologic, a unei insule de tip opus de conductibilitate substratului (de exemplu insul de tip n
dac substratul este de tip p), n care se va realiza dispozitivul complementar. Aceast insul se
obine printr-o operaia de fotomascare urmat de o implantare de ioni donori (tipic fosfor). Dup
difuzia ionilor donori, concentraia la suprafaa insulei este tipic cuprins ntre 1015 i 1016
atomi/cm3 (fig.1.2,a).
- fotomascarea 1 definete deschideri n stratul izolator de nitrur de siliciu, n zonele care vor
deveni dispozitive active, numite regiuni de cmp. In aceste regiuni se realizeaz o implantare
suplimentar cu ioni prin care se crete concentraia la suprafaa regiunilor. Aceast cretere a
concentraiei este necesar deoarece regiunile de cmp se comport ca tranzistoare MOS (numite
i dispozitive de cmp) cu oxid de gril foarte gros. Pentru a izola corect dispozitivele active
ntre ele, dispozitivele de cmp trebuie s aib tensiunile de prag suficient de mari, astfel nct s

14

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

nu intre n conducie niciodat. Acest lucru se poate realiza numai prin creterea concentraiei
suprafeei din regiunile de cmp. Implantrile sunt urmate de o oxidare local (fig. 1.2, b).
- fotomascarea 2 definete deschideri n stratul izolator, tot n dreptul zonelor active, pentru
realizarea de pai suplimentari de implantare ionic prin care se ajusteaz concentraia suprafeei
n zona n care se va obine canalul tranzistoarelor MOS. Prin aceast operaie de modificare a
concentraiei, se schimb tensiunile de prag ale tranzistoarelor MOS i se aduc n limita 0,71V,
valoare ce corespunde din punct de vedere al marginii de zgomot cu cea din aplicaiile cu circuite
logice.
In circuitele analogice se pstreaz aceleai valori ale tensiunilor de prag ca n cazul
circuitelor digitale, deoarece, pe acelai cip se implementeaz tot mai des att funcii analogice
ct i funcii digitale. Aceast schimbare a tensiunilor de prag se poate realiza fie simultan pentru
ambele tipuri de tranzistoare MOS, fie separat, cu ajutorul a dou mti, cte una pentru fiecare
tip de dispozitiv.
- fotomascarea 3 permite depunerea de siliciu policristalin i definirea astfel a grilelor diferitelor
dispozitive (fig.1.2,c). Tehnologia MOS cu poart de siliciu furnizeaz trei straturi de
interconexiune: metal, siliciu policristalin i strat difuzat. In afar de cazul cnd n proces se iau
msuri speciale, conexiunile dintre stratul de siliciu policristalin i cele de difuzie necesit o
punte de metalizare. Pentru a se realiza o conexiune direct ntre startul de siliciu policristalin i
cel difuzat se include un contact ngropat (buried contact - n l. englez) chiar nainte de
depunerea stratului de siliciu policristalin.

Fig. 1.2. Tehnologia MOS de fabricare a circuitelor integrate.

(a) Fotomascarea suplimentar. (b) Selecia zonelor pentru dispozitive active (fotomascarea 1).
(c) Selecia zonelor de gril (fotomascarea 3).
Dispozitivul cu canal iniial din fig.1.2 are un astfel de contact ngropat care leag sursa
cu grila.

Fig. 1.2, d. Selecia zonelor de surs i dren (fotomascrile 4 i 5).

NOIUNI INTRODUCTIVE

15

- fotomascrile 4 i 5 sunt identice i definesc pe rnd regiunile de dren i de surs, mai nti
pentru dispozitivele cu canal n iar dup aceea pentru cele cu canal p (fig.1.2,d). Urmeaz apoi o
depunere a unui strat de bioxid de siliciu cu rolul de a reduce capacitatea parazit a metalizrilor
utilizate pentru interconexiuni. Se folosete o depunere chimic din vapori a oxidului i nu o
cretere termic, deoarece temperaturile ridicate determin redistribuirea impuritilor din
interiorul dispozitivelor active.
- fotomascarea 6 definete ferestrele de contact n stratul metalic depus. Structura care rezult se
prezint n fig.1.2, e

Fig. 1.2, e. Selecia zonelor de metalizare (fotomascarea 6).

1.5.3

Tehnologia BiCMOS

Un pas important n fabricarea CI actuale l constituie combinarea pe acelai cip a

dispozitivelor bipolare de nalt performan cu dispozitive CMOS, prin procesul denumit
BiCMOS (Bipolar and CMOS devices on one chip, adic dispozitive bipolare i CMOS pe o
singur plachet - n limba englez).
In structurile bipolare, pentru a se realiza un tranzistor cu tensiune de strpungere
colector-baz de valoare mare este nevoie s se utilizeze un strat epitaxial gros (17 m dintr-un
material semiconductor cu rezistivitatea de 5 cm, pentru tensiune de lucru de 36 V). Acest
lucru cere o difuzie de tip p adnc pentru a izola astfel tranzistoarele i celelalte dispozitive.
Pe de alt parte, dac se poate tolera o tensiune de strpungere mic (de exemplu 7 V,
ceea ce permite funcionarea la o tensiune de alimentare de 5 V) atunci se poate utiliza o regiune
de colector mai puin dopat (semiconductor cu rezistivitatea de 0,5 cm) care astfel este mai
subire (de ordinul a 1 m). Astfel devine posibil s se izoleze dispozitivele bipolare prin aceeai
tehnic de izolare local care se utilizeaz i la dispozitivele CMOS. Acest lucru are avantajul c
se reduce substanial capacitatea parazit colector-substrat, deoarece regiunile de mare capacitate,
puternic dopate de la suprafaa cipului, sunt acum nlocuite de izolaie cu oxid, de capacitate
mic. Asfel dispozitivele pot fi ngrmdite pe cip cu densitate mai mare. In plus, tehnologiile
de fabricaie CMOS i bipolare ncep s devin ntr-o oarecare msur similare i este posibil, cu
costul unor pai suplimentari de prelucrare, s se combine prin tehnologia BiCMOS tranzistoare
bipolare de vitez mare, puin adnci i realizate cu implantare de ioni, cu dispozitive CMOS.
O structur tipic de nalt performan obinut prin tehnologia BiCMOS se prezint n
fig.1.3.

Fig. 1.3. Structur BiCMOS.

16

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

1.6 Tehnici de izolare folosite in fabricarea CI monolitice

Spre deosebire de circuitele realizate cu componente discrete, CI monolitice au
elementele componente realizate pe acelai suport. Pentru micorarea reaciilor parazite dintre
microelementele unui CI, ntre acestea trebuie asigurat o izolare electric. Exist mai multe
metode de izolare i anume:
- izolarea multicip;
- izolarea prin diode polarizate invers i
- izolarea prin dielectric.
a) Izolarea multicip const n realizarea fiecrui element component pe cte o plcu de
siliciu i apoi asamblarea acestor elemente sub form de CI.
Metoda prezint avantajul unei izolri foarte bune dar cu preul unui consum mare de
siliciu, necesitatea unui substrat izolator, a unui numr foarte mare de interconexiuni i a unor
capsule speciale.
b) Izolarea prin diode polarizate invers const n realizarea fiecrui element de circuit
ntr-o insul din pastila de siliciu. Dac substratul este de tip p atunci insulele sunt de tip n iar
izolarea electric a elementelor componente ale CI se realizeaz prin polarizarea invers a
jonciunilor pn dintre substrat i insule (fig.1.4). Substratul se conecteaz la potenialul cel mai
negativ din montajul n care se folosete CI (din acest motiv pe fig.1.4,b apar cele dou semne
minus lng cuvntul Substrat).
Metoda prezint avantajul unei utilizri foarte bune a cipului de siliciu i o mbuntire a
randamentului de fabricaie, dar prezint i unele dezavantaje cum ar fi:
la frecvene mari capacitile parazite ale diodelor (jonciunile pn de izolare) determin
apariia unor cuplaje nedorite ntre microelementele circuitului;
tensiunea de alimentare maxim trebuie s fie mai mic dect tensiunea de strpungere a
jonciunilor cu rol de izolare.

a)
b)
Fig. 1.4. Izolarea prin diode polarizate invers. (a) Structura de principiu.
(b) Circuitul electric echivalent.
c) Izolarea dielectric const n realizarea unor insule de tip n, izolate ntre ele cu
ajutorul unui strat de bioxid de siliciu (SiO2), insule n care se obin toate microelementele CI.
In fabricarea unui CI cu izolare dielectric se pornete de la o plachet de material
semiconductor de tip n i cu rezistivitate potrivit regiunilor de colector. In aceast plachet se
corodeaz anuri cu o adncime de 20 m, suprafaa rezultat se acoper cu un strat de oxid i
apoi se depune un strat gros de siliciu policristalin, cu grosimea de 200 m, cu rol de suport
mecanic. Urmeaz apoi o operaie de lefuire (corodare) pn la ndeprtarea total a stratului de
tip n cu excepia celui din insule.
1.7 Proprietile electrice ale straturilor difuzate
Parametrul electric utilizat pentru caracterizarea straturilor difuzate este rezistena pe
ptrat, R .
Pentru definirea acestui parametru se consider o bucat de siliciu de forma celei din
fig.1.5. Bucata de siliciu, uniform dopat, prezint o rezisten:

NOIUNI INTRODUCTIVE

17

L
L
= R
(1.1)
WT W
unde R =/T [] este rezistena pe ptrat a stratului considerat i reprezint rezistena oricrui
strat de form ptrat cu grosimea T. Unitatea de msur se exprim prin / (ohmi/ptrat).
R=

Fig. 1.5. Structur utilizat pentru definirea

rezistenei pe ptrat, R .

Exemplul 1.1. S se calculeze rezistena unui strat semiconductor caracterizat prin

L=50m, W=5m i R =200/ .
Soluie: Se aplic relaia (1.1) i rezult
50
R=
200 = 2 k.
5
1.8 Structura elementelor de circuit componente ale CI monolitice
1.8.1

Structura elementelor de circuit n tehnologie bipolar

a) Tranzistorul npn (fig.1.6) este elementul cel mai complicat, de aceea ntreg procesul
tehnologic se elaboreaz astfel nct s se optimizeze performanele tranzistorului npn. Aria
ocupat de un tranzistor npn este de 140 x 95 m2. Valorile mai mari de concentraii de pe fig.1.6
corespund suprafeei semiconductorului.

Fig. 1.6. Structura tranzistorului npn n tehnologia bipolar.

b) Ttranzistoarele bipolare pnp (fig.1.7) au performane mai reduse dect cele npn.
Dup modul cum curge curentul de colector, paralel cu planul circuitului sau transversal,
se deosebesc:
- tranzistorul pnp lateral (fig.1.7,a);
- tranzistorul pnp vertical sau de substrat (fig.1.7,b).

18

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Colectorul circular al tranzistorului pnp lateral se poate diviza n n sectoare, obinndu-se

un tranzistor multicolector, cu ctig de curent dependent de numrul de sectoare legate n paralel
(fig.1.7,c).

a)
b)
c)
Fig. 1.7. Tranzistoare pnp n tehnologie bipolar. (a) Tranzistor pnp lateral.
(b) Tranzistor pnp vertical. (c) Tranzistor pnp multicolector.
c) Tranzistoarele superbeta sunt tranzistoare care au factorul de amplificare foarte
mare, cuprins ntre 2000 i 10000 i grosimea bazei mic (0,3 m). Tranzistoarele superbeta
prezint dezavantajul unei tensiuni de strpungere colector-emitor de valoare mic (56V). Din
aceast cauz, n realizarea CI, tranzistoarele superbeta se folosesc mpreun cu cele standard, la
care tensiunea de strpungere colector-emitor are valori mai mari.
d) Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J). Dup modul de realizare se
deosebesc:
TEC-J cu canal p, de baz (fig.1.8,a);
TEC-J cu canal n, de colector (fig.1.8,b);
TEC-J cu canal p, obinut prin implant ionic (fig.1.8,c).
TEC-J cu canal n, de colector, are substratul conectat mpreun cu grila i se utilizeaz n
surse de curent i n circuite de polarizare.

a)
b)
c)
Fig. 1.8. Structura tranzistoarelor cu efect de cmp i gril jonciune, realizate n
tehnologie bipolar. (a) TEC-J cu canal p, de baz. (b) TEC-J cu canal n,
de colector. (c) TEC-J obinut prin implant ionic.
Cel de-al treilea tip de TEC-J se obine prin tehnologia BIFET (Bipolar Field Effect
Transistor - n limba englez). Aceste tranzistoare sunt TEC-J cu canal p, obinute prin metoda
implantrii ionice, cu parametrii controlai cu precizie mare i nlocuiesc tranzistoarele pnp care

NOIUNI INTRODUCTIVE

19

diminueaz performanele CI datorit frecvenelor lor limit de valoare mic. Prin metoda
implantrii ionice se pot realiza perechi de astfel de tranzistoare, cu caracteristici foarte
asemntoare i care constituie etajul de intrare al amplificatoarelor operaionale cu TEC-J.
e) Diode. In tehnologia bipolar se pot realiza diode standard i diode Zener.
Diode standard. Principial, oricare dintre jonciunile care intr n construcia unui CI
monolitic poate fi folosit ca diod. De exemplu, la un tranzistor npn apar jonciunile bazemitor, DBE i baz-colector, DBC, cu aciune de tranzistor npn i jonciunea colector-substrat,
DCS, care mpreun cu jonciunea DBC realizeaz o aciune de tranzistor pnp parazit (fig. 1.9). Cu
rB i rC s-au notat rezistenele serie ale bazei, respectiv colectorului. Jonciunea DCS nu se
utilizeaz ca diod deoarece ea nu este izolat (substratul se conecteaz la potenialul cel mai
negativ). Jonciunile rmase se pot combina n cinci moduri (fig.1.10).

Fig. 1.9. Jonciunile unui tranzistor npn, utilizabile,

n principiu, ca diode.

Dintre variantele artate n fig.1.10, se folosete conexiunea b) deoarece tranzistorul din

care provine dioda are tensiunea UCB=0 i deci el lucreaz nc n regiunea activ normal.
Fig. 1.10. Variantele de conectare
ale jonciunilor unui tranzistor bipolar
npn, utilizabile ca diode.
a)

b)

c)

d)

e)

Diode Zener. Jonciunea baz-emitor din conexiunea b) (fig.1.10), polarizat invers, se

comport ca o diod Zener cu o caracteristic de strpungere foarte abrupt. Tensiunea de
strpungere este de 68V i are un coeficient de temperatur de aproximativ +2,3mV/C, iar
aceeai jonciune, polarizat direct are un coeficient de aproximativ -2,3mV/C, astfel c prin
conectarea spate n spate a dou jonciuni baz-emitor se obine o diod Zener care este i
compensat termic (fig.1.11).

Fig. 1.11. Diod Zener realizat n tehnologie bipolar i

compensat termic.

f) Rezistoare. Pentru fabricarea rezistoarelor se folosete unul dintre straturile difuzate

care se realizeaz n cursul procesului de fabricaie al CI. In funcie de stratul difuzat utilizat se
deosebesc mai multe tipuri de rezistoare, caracterizate prin valori diferite ale rezistenei pe ptrat,
ale toleranei absolute i ale celei de mperechere precum i ale coeficientului de temperatur. Se
pot realiza astfel urmtoarele tipuri de rezistoare:
- rezistor de baz (fig.1.12,a), la care R =100...200/ (rezistene n domeniul
5050k), ta=20%, t =2% (pentru strat cu limea W=5m) respectiv 0,2% (pentru strat
cu limea W=50m) i =15002000 ppm/C;
- rezistor de baz ngustat (fig.1.12,b): R =2...10k/ , ta=50%, t=10%, =2500
ppm/C;

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

20

- rezistor de emitor (fig.1.12,c): R =2...10/ (valori uzuale 21k), ta=20%,

t=2%, =600 ppm/C;
- rezistor epitaxial sau de volum (fig.1.12,d): R =2...5k/ , ta=30%, t=5%, =3000
ppm/C;
- rezistor epitaxial ngustat (fig.1.12,e): R =4...10k/ , ta=50%, t=7%, =3000
ppm/C;
- rezistor obinut prin implantare ionic: R =0,1...1k/ , ta=3%, t=2% (W=5m)
respectiv 0,15% (W=50m), =100 ppm/C;
- rezistorul cu straturi subiri este alctuit dintr-o pelicul de tantal sau de nichel-crom,
depus pe stratul de SiO2 i acoperit cu oxid. Se caracterizeaz prin: R =0,1...2k/ ,
ta=5%20%, t=0,2%2%, =10200 ppm/C.
S-au folosit notaiile: R pentru rezistena pe ptrat, ta - tolerana absolut, nsemnnd
precizia de realizare a unei singure valori de rezisten, t - tolerana de mperechere - precizia de
reproducere a rezistenelor cu aceeai valoare nominal, - coeficientul de temperatur.

a)

b)

c)
d)
e)
Rezistoare
realizate
n
tehnologie
bipolar.
(a)
Rezistor de baz.
Fig. 1.12.
(b) Rezistro de baz ngustat. (c) Rezistor de emitor. (d) Rezistor epitaxial. (e) Rezistor epitaxial
ngustat.
g) Tranzistorul MOS este cu canal p i gril de aluminiu. Sursa i drena sunt formate n
stratul epitaxial prin difuzia de baz. Masca de capacitor (fotomascarea 5) se folosete i pentru a
defini regiunea corespunztoare a oxidului aflat deasupra canalului (fig.1.13,a).

a)
b)
c)
Fig. 1.13. Dispozitive MOS realizate n tehnologie bipolar. (a) Tranzistorul MOS.
(b) Capacitorul MOS. (c) Circuitul echivalent al capacitorului MOS, ilustrnd modul de aciune
al capacitii parazite, Cparazit.

NOIUNI INTRODUCTIVE

21

h) Capacitoare (condensatoare). Pentru a nu se consuma o arie excesiv din cipul de

siliciu, valorile economice de capacitoare nu depesc civa zeci de pF. Se pot folosi dou tipuri
de capacitoare i anume: capacitoare obinute din jonciuni polarizate invers i capacitoare MOS.
- Capacitoarele obinute din jonciuni polarizate invers utilizeaz capacitatea de
barier a jonciunii i prezint dezavantajele:
- meninerea permanent a tensiunii de polarizare i
- dependena valorii capacitii de tensiunea aplicat.
Aceste dezavantaje reduc aria de utilizare a acestor capacitoare.
- Capacitorul de tip MOS are structura prezentat n fig.1.13,b. O armtur este o
pelicul metalic depus pe stratul de oxid de grosime controlat (de obicei de grosime mai mic
dect cea a oxidului de pe restul suprafeei CI), dielectricul este stratul de bioxid de siliciu iar
cealalt armtur este format dintr-un strat semiconductor. Intre armtura din material
semiconductor i metalizarea aplicat substratului, se formeaz un capacitor parazit, Cparazit
(fig.1.13,c), cu valoarea de aproximativ o sut de ori mai mic dect cea a condensatorului util.
Acest condensator parazit nrutete comportarea circuitului la frecvene nalte.
1.8.2

Structura elementelor de circuit n tehnologie MOS i CMOS

a) Tranzistoare cu canal n. Structura tipic a unui tranzistor MOS cu canal n se prezint

n fig.1.14. Zona activ a dispozitivului este, din punct de vedere electric, regiunea de sub gril,
partea rmas din dispozitiv fiind necesar pentru a asigura contactul electric la terminale. Ca i
n cazul tranzistoarelor bipolare integrate acest rest contribuie cu capaciti i rezistene parazite
suplimentare.
Este important de remarcat faptul c n cazul tehnologiei MOS proiectantul de circuit are
o flexibilitate mai mare dect omologul su de la circuite integrate bipolare, deoarece poate
controla proprietile fiecrui dispozitiv n funcie de rolul jucat de component n aplicaia
particular de circuit. Astfel el poate defini att limea canalului (analog zonei de emitor de la
tranzistoarele bipolare), ct i lungimea canalului (analog limii bazei de la tranzistoarele
bipolare). In tehnologia bipolar limea bazei nu poate fi controlat de proiectant deoarece
aceast lime este un parametru de proces i nu unul de masc. Spre deosebire de un tranzistor
bipolar, la un dispozitiv MOS transconductana canalului se poate modifica n limite mari, pentru
o valoare dat a curentului de dren, prin simpla modificare a geometriei dispozitivului. Acelai
aspect este valabil i pentru tensiunea de prag gril-surs.
b) Tranzistoare cu canal p. In majoritatea tehnologiilor CMOS tranzistorul cu canal p
prezint proprieti de c.c. i c.a. comparabile cu cele ale tranzistoarelor cu canal n. Principala
diferen const n aceea c golurile au o mobilitate de aproximativ doi ori mai mic dect cea a
electronilor, frecvena limit fT a unui tranzistor cu canal p reducndu-se tot de aproximativ doi
ori fa de cea a unui tranzistor cu canal n.
c) Dispozitive cu canal iniial. Proprietile dispozitivelor cu canal iniial sunt similare
celor cu canal indus, prezentate anterior, cu deosebirea c se efectueaz o operaie suplimentar
de implantare cu ioni a canalului conductor, pentru ca tensiunea de prag s fie negativ (la
dispozitivele cu canal n). Tranzistoarele cu canal iniial se folosesc frecvent cu grila legat la
surs, astfel c dispozitivul se comport ca o surs de curent constant (denumit i dispozitiv
surs de curent). Dispozitivul surs de curent prezint, n saturaie, o valoare finit a
conductanei, deoarece tensiunea de prag se modific odat cu polarizarea substratului. Acest
lucru are un efect puternic asupra performanelor circuitelor analogice care utilizeaz astfel de
dispozitive ca elemente de sarcin de impedan mare.
Un alt aspect important n ceea ce privete performanele acestui dispozitiv este acela c
valoarea curentului meninut constant depinde de variaiile procesului de fabricaie. Sunt
frecvente abateri de 40% fa de valoarea nominal. Mrimea acestei variaii este un factor
important, deoarece, n multe aplicaii n care tranzistoarele MOS cu canal iniial se utilizeaz ca

22

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

circuite de sarcin, de valoarea acestui curent depinde valoarea curentului de polarizare i

mrimea puterii disipate.

Fig. 1.14. Tranzistorul MOS cu canal n, realizat n

tehnologie MOS. (a) Vedere de sus.
(b) Seciune transversal. (c) Simbol.

d) Tranzistoare bipolare. Tehnologia CMOS include etape de prelucrare n urma crora

se poate forma un tranzistor bipolar parazit, al crui colector este legat la substrat. Insula n care
n mod normal se formeaz tranzistorul MOS complementar alctuiete baza tranzistorului
bipolar iar difuzia de surs sau de dren a tranzistorului MOS din insul formeaz emitorul.
Dispozitivul bipolar care rezult este de tipul pnp, dac substratul este de tip p, respectiv npn,
pentru substrat de tip n i se utilizeaz n etaje de ieire i n referine de tipul band-gap.
Performanele acestor tranzistoare sunt direct proporionale cu adncimea insulei i cu gradul de
dopare a acesteia i sunt n general similare cu cele ale tranzistorului pnp vertical (numit i de
substrat) realizat prin tehnologia bipolar.
e) Rezistoare. Straturile difuzate, cele de siliciu policristalin sau chiar tranzistoarele
MOS n anumite condiii, se pot utiliza pentru implementarea de rezistoare. Se ntlnesc
rezistoare difuzate, din siliciu policristalin, rezistoare de volum i rezistoare derivate din
dispozitive MOS.
- Rezistoarele difuzate se formeaz n straturile difuzate folosite la realizarea sursei i
drenei unui dispozitiv cu canal n sau p. Structurile de rezistoare realizate astfel sunt foarte
asemntoare cu cele ale rezistoarelor difuzate obinute cu ajutorul tehnologiei bipolare.
- Rezistoare din siliciu policristalin. In tehnologia MOS cu gril de siliciu se realizeaz
cel puin un strat de siliciu policristalin, necesar obinerii grilei tranzistoarelor. Acest strat poate
fi utilizat la formarea de rezistoare. Geometria lor se aseamn cu cea a rezistoarelor difuzate.
Valoarea rezistenei pe ptrat este de 2080/ la majoritatea straturilor de siliciu policristalin i
prezint variaii relativ mari n funcie de procesul de fabricaie. Aceste rezistoare au aceleai
tolerane ca i rezistoarele difuzate. In fig.1.15 se prezint o structur tipic de rezistor din siliciu
policristalin.
- Rezistoare de volum. In tehnologia CMOS, insula n care se formeaz tranzistorul
complementar, se poate folosi la realizarea unui rezistor, cu rezistena pe ptrat de ordinul
10k/ . Proprietile i geometria acestor rezistoare sunt identice cu cele ale rezistoarelor
epitaxiale (de volum), realizate n tehnologia bipolar. In comparaie cu alte tipuri de rezistoare,

NOIUNI INTRODUCTIVE

23

cele de volum prezint valori mari ale toleranei i ale coeficientului de tensiune i de
temperatur. Ca i la tranzistoarele de volum realizate prin tehnologia bipolar, pentru a se obine
o valoare mai mare a rezistenei pe ptrat se face o difuzie suplimentar, cu rol de micorare a
seciunii active a rezistorului.

Fig. 1.15. Structur tipic de rezistor realizat n

tehnologie MOS, din siliciu policristalin.
- Dispozitive MOS folosite ca rezistoare. In multe circuite, tranzistorul MOS polarizat
n regiunea cvasiliniar (UDS<UDS,sat) poate juca rolul unui rezistor. Valoarea efectiv a
rezistenei depinde de polarizarea grilei i poate fi mai mare dect la rezistoarele difuzate sau la
cele din siliciu policristalin. Avantajul const ntr-o utilizare bun a ariei de siliciu, deoarece pe o
suprafa echivalent cu cea a unui tranzistor se obine o rezisten de valoare mare. Principalul
dezavantaj l constituie gradul nalt de neliniaritate a elementului de rezisten obinut prin acest
procedeu, motiv pentru care acest tip de rezistor se utilizeaz n circuitele mai puin pretenioase.
f) Capacitoarele realizate n tehnolgia MOS joac un rol mult mai mare dect cele
obinute prin tehnologia bipolar. Din cauza impedanei de intrare foarte mari a tranzistoarelor
MOS (teoretic de valoare infinit), tensiunile nmagazinate de capacitoare pot fi sesizate
continuu i nedistructiv prin utilizarea de amplificatoare MOS. Ca urmare capacitoarele MOS se
pot folosi la implementarea multor funcii care n tehnologia bipolar necesit utilizarea
rezistoarelor.
- Capacitoare cu armturi din siliciu policristalin (capacitoare poli-poli). In
implementarea funciilor analogice, multe tehnologii MOS realizeaz dou straturi de siliciu
policristalin (un strat n plus fa de tehnologia normal). Stratul adiional permite obinerea unui
capacitor de calitate bun. Totodat aceast pelicul suplimentar de siliciu policristalin permite
realizarea unui strat suplimentar de interconexiuni.
In fig.1.16 se prezint o structur tipic de capacitor poli-poli.

Fig. 1.16. Structur tipic de capacitor

realizat n tehnologie MOS.
(a) Vedere de sus.
(b) Seciune transversal.
Dielectricul acestui capacitor este comparabil ca grosime cu cel al oxidului de sub grila
tranzistorului MOS. Structura prezint cte o capacitate parazit asociat fiecrei armturi, ceea
ce nrutete comportarea la frecven nalt a circuitului care conine capacitorul poli-poli.
Astfel, capacitatea parazit asociat armturii de inferioare este proporional cu aria acestei

24

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

armturi i reprezint 1030% din valoarea capacitii utile, iar capacitatea parazit asociat
armturii superioare depinde de tehnologia de fabricaie i este tipic de ordinul 515 fF (1f
(femto)=10-15).
Tolerana din valoarea absolut este funcie, n primul rnd, de grosimea oxidului i se
afl n domeniul 1030%. Tolerana de mperechere ntre dou sau mai multe structuri identice
este mai mic i anume 0,11%. Coeficientul de tensiune depinde de variaiile potenialului de la
suprafaa armturilor i este uzual mai mic de 50 ppm/C, nivel suficient de mic pentru a putea fi
neglijat n majoritatea aplicaiilor. Valoarea capacitii depinde i de modificrile de temperatur,
coeficientul de temperatur fiind mai mic de 50 ppm/C.
- Alte structuri de capacitor. In procesele tehnologice n care se realizeaz un singur
strat de siliciu policristalin, pentru realizarea unui capacitor se introduce o etap suplimentar de
fotomascare pentru a se realiza un strat izolator cu grosime controlat. Acest strat de oxid se afl
deasupra stratului de siliciu policristalin care constituie armtura inferioar a unui capacitor.
Armtura superioar se obine n urma operaiei de metalizare a suprafeei cipului, operaie prin
care se realizeaz i contactele i interconexiunile. Proprietile unui astfel de capacitor sunt
identice cu cele ale capacitorului poli-poli.
- Capacitoare obinute din tranzistoare MOS. Un tranzistor MOS poate deveni
capacitor atunci cnd este polarizat n regiunea cvasiliniar a caracteristicii statice, grila formnd
o armtur iar sursa, drena i canalul cealalt armtur. Structura de capacitor prezentat are un
coeficient de tensiune mare i din aceast cauz se poate folosi numai n circuite nepretenioase.
1.9 Tipuri de capsule ale circuitelor integrate
Capsula unui CI protejeaz cipul de siliciu i trebuie s satisfac un numr mare de
cerine, cum ar fi: rezisten mecanic, compactitate, ermeticitate, reactane parazite mici,
rezisten termic mic, comoditate la manipulare i testare, pre sczut.
Dup materialul din care se realizeaz, capsulele CI pot fi: metalice, ceramice, din
plastic.
Dup modul de dispunere a pinilor unei capsule, se deosebesc:
CI cu pinii dispui pe un contur circular;
SIL (Single In Line) adic CI cu capsula simplu aliniat;
DIL (Dual In Line) - CI cu capsula dublu aliniat;
QIL (Quad In Line) - CI cu capsula cvadruplu aliniat.
Dup forma capsulei se deosebesc CI cu capsul: rotund, dreptunghiular, plat (FLAT PACK)
Tipurile diferite de capsule se evideniaz prin codul capsulei. De exemplu pentru o
capsul metalic cu 8 pini codul este TO 99, iar pentru o capsul DIL cu 14 pini - TO 116, unde
iniialele TO provin de la Tipical Outline (contur tipic - n limba englez).
Pentru numerotarea terminalelor, CI se privete de sus i exist mereu o cheie (o aripioar
la capsulele metalice sau un semn distinctiv: punct, semicerc sau dreptunghi - la cele DIL) care
permite identificarea numrului pinilor. Citirea se face n sens trigonometric, pinul 1 fiind cel
aflat la stnga cheii (fig.1.17).

Fig. 1.17. Tipuri de capsule ale circuitelor integrate i

modalitatea de numerotare a terminalelor.