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Materiales electrnicos

Los materiales electrnicos han


tenido un papel determinante en el
desarrollo de todas las tecnologas
basadas en la computacin y en la
informacin.
Los
circuitos
semiconductores,
integrados
en
chips de silicio o arseniuro de galio,
desempean
un
papel
muy
importante en muchos de nuestros
modernos dispositivos como los
aislantes electrnicos, los telfonos
celulares y VCR.
Ley de Ohm y conductividad
elctrica
La magnitud de resistencia depende
de las dimensiones del resistor, as
como de la microestructura y de la
composicin
del
material.
La
resistividad o conductividad no
depende de las dimensiones del
material; por tanto, la resistividad o
la conductividad nos permiten
comparar materiales diferentes. La
resistividad
es
una
propiedad
sensible a la microestructura similar
a la resistencia a la cedencia.
En los materiales cermicos, cuando
ocurre la conduccin, puede ser
resultado de electrones que saltan
de un defecto a otro o debido al
movimiento de los iones. La
movilidad depende de los enlaces
atmicos, de las imperfecciones, de
la microestructura y en el caso de
compuestos
inicos
de
las
velocidades de difusin.
Los materiales electrnicos se
pueden
clasificar
como
superconductores,
conductores
normales,
semiconductores
y
materiales
dielctricos,
dependiendo de la magnitud de su
conductividad
elctrica.
Los

materiales con una conductividad


inferior a 10-12 ohms-1cm-1 o una
resistividad superior a 1012
se
consideran como aislantes.
Utilizamos el termino dielctrico
para aquellos materiales utilizados
en aplicaciones donde la constante
dielctrica es de gran importancia.
La constante dielctrica (k) es una
propiedad
sensible
a
la
microestructura relacionada con la
capacidad de dicho material para
almacenar carga elctrica. Entonces
el trmino aislante se usa para
describir la capacidad de un
material para detener el flujo de
corriente directa o alterna.
Estructura de las bandas en los
solidos
El principio de exclusin de Pauli
solo permite que cada nivel de
energa contenga dos electrones.
Por ejemplo, el nivel 2s de un tomo
individual contiene un nivel de
energa y dos electrones. El nivel 2p
contiene tres niveles de energa con
un total de seis electrones. Cuando
se renen N tomos para producir
un slido, el principio de Pauli sigue
exigiendo
que
solamente
dos
electrones en todo el slido tengan
la misma energa.
-Estructuras de bandas del
solido
Las energas dentro de las bandas
dependen del espaciamiento entre
tomos; la lnea vertical representa
el espaciamiento interatmico de
equilibrio de los tomos en el solido.
Los niveles de energa 3s son la
banda de valencia. Los niveles de
energa 3p, que estn separados de
la banda 3s por una brecha de

energa forman la banda de


conduccin.
La energa de fermi es aquella a la
cual la mitad de los niveles posibles
de energa de la banda estn
ocupados por electrones. Pero
cuando
se
incrementa
la
temperatura del metal algunos
electrones adquieren energa y se
excitan, pasando a los niveles de
energa vacos existentes en la
banda de valencia. Esta situacin
crea un nmero igual de niveles de
energa vacos llamados huevos que
fueron
desalojados
por
los
electrones excitados. Tanto los
electrones excitados como los
huevos recin creados pueden
transportar carga elctrica.
-Estructura de las bandas en el
Mg y otros
El Mg y otros metales de la tabla
peridica tienen dos electrones en
su banda s mas externa. Estos
metales
tienen
una
elevada
conductividad debido a que la
banda p se superpone sobre la
banda s en el espaciamiento
interatomico de equilibrio. Esta
superposicin permite que los
electrones se exciten hacia el gran
numero de niveles de energa no
ocupados de las bandas combinadas
3s y 3p. La superposicin de las
bandas 3s y 3p en el aluminio y en
otros metales de la columna IIIB
tienen un efecto similar.
-Estructura
de
las
bandas
semiconductoras
Los
elementos
del
grupo
4
contienen dos electrones en su capa
externa p, con una valencia de
cuatro. Con base en nuestro anlisis

de la seccin anterior, se separara


que estos elementos tuvieran una
elevada conductividad debido a la
presencia de la banda p sin llenar.
Una distincin importante entre
metales y semiconductores es el
hecho de que la conductividad de
los semiconductores aumenta al
aumentar la temperatura, ya que
ms y ms electrones pueden
alcanzar la banda de conduccin
desde la banda de valencia. Por
otra parte la conductividad de la
mayora de los metales, disminuye
al aumentar la temperatura.
Conductividad de los metales y
aleaciones
La conductividad de un metal puro y
libre de defectos est determinada
por la estructura electrnica de los
tomos. Pero podemos modificar la
conductividad
al
cambiar
la
movilidad de los portadores. La
movilidad es proporcional a la
velocidad de deriva promedio la
cual es baja si los electrones chocan
contra imperfecciones en la red
cristalina.
Efecto de la temperatura, cuando se
incrementa la temperatura de un
metal, la energa trmica hace que
los atomos vibren. En cualquier
instante, el atomo puede no estar
en su posicin de equilibrio y por
ello interactuara y dispersara los
electrones.
Se
reducirn
la
trayertoria
media
libre
y
la
movilidad de los electrones y
aunmentrara la resistividad.
-Efecto del procesamiento y
endurecimiento
Los mecanismos de endurecimiento
y las tcnicas de proceso de los
metales
afectan
de
distintas

maneras las propiedades elctricas


de un metal. El endurecimiento por
solucin solida no es una buena
manera de obtener una alta
resistencia en metales que se desea
tengan elevadas conductividades. El
endurecimiento por envejecimiento
y por dispersin reducen menos la
conductividad
que
el
endurecimiento por solucin solida
ya que entre los precipitados existe
una trayectoria libre promedio ms
larga.
-Conductividad
de
las
aleaciones
Las aleaciones tienen resisitividades
mas elevadas que los metales
puros, debido a la dispersin de los
electrones
en
las
aleaciones
agregadas.
Superconductividad
Un superconductor es un material
que tiene una resistencia elctrica
igual
a
acero
bajo
ciertas
condiciones
y
rechaza
completamente
un
campo
magntico. Esto se le conoce como
efecto Meissner. El origen de la
superconductividad esta relacionado
on el acoplamiento electron-foton y
la formacin resultante de pareas de
electrones de conduccin, segn la
teora BCS. Esta teora explica las
propiedades
de
la
superconductividad
en
superconductores metlicos.
La
superconductividad
en
los
materiales desaparece por encima
de una cierta temperatura conocida
como la temperatura crtica. La
superconductividad
tambin
desaparece cuando est presente
un cierto nivel de campo magntico.

-Superconductores tipo 1
La superconductividad es estable
hasta un cierto campo magntico Hc.
Por lo que para que exista la
superconductividad, la temperatura
debe de estar por debajo de Tc y el
campo magntico debe ser inferior
a un cierto valor. Para que un
material sea superconductor el
campo magntico debe ser excluido
del conductor. Esto explica la
capacidad que tienen estos de
levitar por encima de un iman.
Incluidos el tungsteno y el estao el
incremento del campo magntico
reduce la temperatura para la
superconduccin.
-Superconductores tipo 2
Cuando se les aplica un campo
magntico inferior al crtico, este
flujo magntico puede penetrar en
el superconductor. Entonces si el
campo magntico aplicado se
incrementa a un valor superior,
conocido como campo magntico
critico
superior,
la
superconductividad desaparece.
Definimos
los
superconductores
como materiales que bajo ciertas
condiciones
muestran
una
resistencia elctrica igual a cero.
Esto sugerira que debera fluir una
cantidad ilimitada de corriente a
travs
de
un
alambre
superconductor, ya que no hay un
calentamiento
resistivo
en
el
alambre.
Bajo
ciertas
condiciones,
los
superconductores
ofrecen
una
resistencia elctrica igual a cero, lo
que significa que podemos pensar
en
superconductores
para
aplicaciones elctricas (motores,
cables para la transmisin de la

energa). Tambin se han construido


circuitos electrnicos y en la
imaginologia
de
resonancia
magntica se utilizan poderosos
electroimanes superconductores.
Conductividad
de
otros
materiales
La conduccin en los materiales
inicos
ocurre
frecuentemente
mediante el movimiento de iones
completos, dado que la brecha de
energa es demasiado grande para
que los electrones entren en la
banda de conduccin. Por lo tanto la
mayora de los materiales inicos se
comportan como aislantes. En estos
materiales las impurezas y las
vacancias
aumentan
la
conductividad; las vacancias son
necesarias para la difusin en los
tipos
sustituciones
de
las
estructuras
cristalinas;
las
impurezas
tambin
pueden
difundirse y ayudar a transportar la
corriente.
-Conduccin en polmeros
Los polimeros tienen una estructura
de bandas con una gran brecha de
energa, ya que sus electrones de
valencia estn ocupados en enlaces
covalentes, lo cual causa una baja
conductividad
elctrica.
Los
polimeros se utilizan con frecuencia
en aplicaciones que requieren de
aislamiento elctrico para evitar
cortocircuitos, arcos elctricos y
riesgos de seguridad. En algunos
casos sin embargo esta baja
conductividad es un obstculo.
La resistividad puede reducirse
agregando compuestos inicos al
polmero, ya que los iones emigran
a la superficie del polmero y atraen
la humedad, la cual a su vez disipa

las cargas estticas. Los materiales


compuestos de matriz polimrica
que contienen fibras de carbono o
fibras
recubiertas
de
nquel
combinan una alta rigidez con una
mejor conductividad.
Algunos polmeros tienen buena
conductividad
inherente
como
resultado
de
tcnicas
de
procesamiento o de dopado. Gracias
al entrecruzamiento, los electrones
pueden
moverse
con
mayor
facilidad de una cadena a otra.
Semiconductores
Un semiconductor intrnseco es
aquel cuyas propiedades no estn
controladas por las impurezas o los
dopantes.
Un
semiconductor
extrnseco (tipo p o n) es el
preferido para los dispositivos, ya
que sus propiedades son estables
en funcin de la temperatura y se
pueden
controlar
utilizando
implantacin de iones o difusin de
dopantes.
Los
semiconductores
compuestos se forman a partir de
elementos de los grupos 2B y 6B de
la tabla peridica y se les conocen
como semiconductores dos-seis.
Tambin
se
pueden
formar
combinando elementos de los
grupos 3B y 5B de la tabla peridica
y
se
les
conocen
como
semiconductores tres-cinco. Tienen
una
conductividad
elctrica
fcilmente controlada y cuando
estn adecuadamente combinados,
pueden
funcionar
como
interruptores,
amplificadores
o
dispositivos de almacenamiento de
datos.
En los semiconductores intrnsecos,
controlamos
la
cantidad
de
portadores de carga y como

consecuencia
la
conductividad
elctrica al controlar la temperatura.
A una temperatura de cero absoluto
todos los electrones estn en la
banda de valencia, en tanto que
todos los niveles en la banda de
conduccin
estn
desocupados.
Conforme aumenta la temperatura,
existe una mayor probabilidad de
que se ocupe un nivel de energa en
la banda de conduccin. Conforme
aumenta
la
temperatura,
la
conductividad de un semiconductor
tambin aumenta porque existen
mas portadores de carga presentes,
en tanto que la conductividad de un
metal se reduce debido a la menor
movilidad de los portadores de
carga.
-Semiconductores extrnsecos
La dependencia en la temperatura
de
la
conductividad
en
los
semiconductores intrnsecos es casi
exponencial, pero esto no resulta
til para aplicaciones prcticas. La
conductividad de un semiconductor
extrnseco depende principalmente
del
nmero
de
tomos
de
impurezas, es decir, de dopantes y,
dentro de un cierto rango de
temperaturas, dicha conductividad
es independiente de la temperatura.
Esta capacidad para tener una
conductividad ajustable y al mismo
tiempo
independiente
de
la
temperatura es la razn por la cual
casi
siempre
usamos
semiconductores extrnsecos para la
fabricacin de dispositivos.
-Tipo n
Suponga que agregamos al silicio o
al germanio un atomo de impureza
como antimonio, que tiene una
valencia igual a cinco. Cuatro de los

electrones del atomo de antimonio


participan en el proceso de enlaces
covalentes, en tanto que el electron
adicional se conolca en un nivel de
energa en estado donador justo por
debajo de la banda de conduccin.
-Tipo p
Cuando al silicio o al germanio le
agregamos una impureza como el
boro o galio con una valencia igual a
tres,
no
existen
suficientes
electrones
para
completar
el
proceso de enlaces covalentes. Se
crea un hueco de electron en la
banda de valencia que puede
llenarse con electrones provenientes
de otras localizaciones en la banda.
Los huecos
funcionan como
aceptantes de electrones.

-Semiconductor de brecha
Cuando el electron excitado vuelve
a pasar por la banda de valencia, se
combinan los electrones y los
huecos para producir luz entonces:
Electron+hueco foton
Esto se conoce como recombinacin
radiante, es por eso que se itulizan
materiales de brecha directa, como
GaAs y sus soluciones solidas para
la fabricacin de diodos emisores de
luz (LED) de distintos colores. Los
materiales de brecha de energa
directa
se
conocen
como
optoelectronicos
y
se
han
desarrollado muchos laser y LED
usando estos materiales.
En un semiconductor de brecha de
energa indirecta (Si, Ge y GaP) la
recombinacin de electrones hueco
es muy eficiente y los electrones no
pueden ser promovidos a la banda

de valencia sin un cambio de


momento. Lo anterior se conoce
como recombinacin no radiante:

Electron+huecocalor