ELECTRONICA

BERRUECOS DOMINGUEZ JESUS ENRIQUE

SANCHEZ ROMERO JORGE EMMANUEL
BECERRA QUEVEDO ARGENIS

CIRCUITOS CON TRANSISTORES

-PUNTO DE OPERACIN-

PROFESOR: EDUARDO MONTOYA.

19 DE SEPTIEMBRE DE 2014

Introduccin.
Punto de trabajo o de operacin (Q) de un transistor BJT o bipolar.
El transistor que opera en una regin lineal debe de tener caractersticas
elctricas lineales para poder proporcionar una amplificacin.
En este tipo de circuitos, la seal amplificada se encuentra en la salida, y por
siguiente, hay un aporte de tensin externa denominadas fuentes de alimentacin
o fuente de polarizacin.
Las fuentes de alimentacin cubren dos funciones: administrar las corrientes y
tensiones en continua para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar
energa al transistor la cual parte de ella va

a ser convertida en potencia

(Amplificacin).
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor se denomina punto de trabajo u operacin y se suele expresar por la
letra Q(Quiescent operating point).
Objetivos.
Objetivo general.
Obtener el punto de operacin de un transistor NPN utilizando el
mtodo analtico por medio de frmulas y teora reafirmando los resultados
prcticamente, comparando y obteniendo el error obtenido entre los dos mtodos.
Objetivos especficos.
Armar y hacer funcionar los circuitos dados por el profesor para
obtener el punto de operacin del transistor en cada uno de los tres casos que se
proporcionaran.
Analizar y comparar resultados de cada uno de los tres circuitos
armados de manera analtica y prctica.
Reportar resultados.

Materiales.
Desarrollo.
Experimento 1
Modificar el siguiente circuito para que trabaje en la regin activa.

El primer paso para obtener el punto de operacin

del transistor es obteniendo el voltaje que se
encuentra en la base del transistor VB.
V B=

(V CC )( R2 )
R1 + R2

V B=

(14)(6.1)
=1.37 V
56+6.1

Despus de obtener el voltaje en la base del

transistor es necesario obtener la corriente I B para ello obtenemos la resistencia
que existe en la base del transistor(Resistencia de Thevenin).
RTH =R B =

I B

1
=5.5 K
1
1
+
56 6.1

V B +V BE
1.37+0.7
=
=9.63106=9.36106
RB + R E ( +1) 5.5103 +220(290+1)

Obtenemos IE.
I E =( +1 ) I B=( + 1)( 9.63106 )

Al obtener IE,IC,IB Se puede obtener el voltaje de VCE.

V CC I C RC V CE I E R E =0
V CC I C RC I E R E =V CE =14( 2.79103 ) ( 2.2103 ) ( +1 ) 9.63106 (220 )=2.79103
Comparando valores calculados con valores medidos.

IB
IC
IE
VCE

Valor calculado
9.66*106 A
2.79 mA
0.811 A
7.24 V

Valor medido
3.64 mA
3.56 mA
5.16 V