Diseño Electrónico - C. J. Savant JR., Martin S. Roder & Gordon L. Carpenter - 2da Ed

ACERCA DE LOS AUTORES,
C. J. SAVANT,Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin. Recibi su Ph.D. cum

laude del California Institute of Technology y ha impartido ctedra en el sistema
de la' Califomia State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El
doctor Savant posee el "Premio al Profesor Distinguido" otorgado por la California
State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el "profesor.
ms querido del Departamento de Ingeniera Elctrica" en la misma universidad.
MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingeniera Elctrica y de

.Computacin en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden
recibi su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y luego
pas cinco aos haciendo investigacin en los Laboratorios Bell, el 'lugar de nacimiento del transistor. Su inters en la educacin lo llev a la academia, donde'
ocup los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepresidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden '
sigue siendo la enseanza, por lo cual se le otorg el Premio al Profesor Distinguido de la:Universidad. Es un miembro muy activo de la IEEE, obtuvo el Premio
al Consejero ms Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of
Engineering.
'
GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Area de

los Estados Unidos, donde acumul ms de veinte aos de experiencia en el diseo
y,desarrollo de alta tecnologa para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al
profesor Carpenter muy realista eh sus mtodos de educacin de los futuros ingenieros. En su carrera en la Fuerza Area como director de R&D, entren nuevos
ingenieros para desarrollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos
-de sistemas y asegurar que el hardware pueda construirse para cumplir esas ~specificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacin,
orientada al diseo, y su experiencia prctica ha sido esencial para este texto.
'~""
'"
PREFACIO
La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de
electrnica bsicos en programas de pregrado en ingeniera. El libro cubre tres
reas: . dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados
digitales.' El profesional interesado en una obra actualizada para estudiar en fomia
individual tambin hallar valioso este libro.
Por qu este libro?

Habiendo docenas de libros por elegir en el campo de la electrnica analgica y
digital, usted se preguntar las razones que tuvimos para escribir otro libro sobre el
tema. El principal objetivo fue superar nuestras frustraciones; habamos intentado
ensear electrnica a estudiantes de pregrado utilizando los libros existentes, mas
los textos. tradicionales tratan el campo desde un punto de vista terico, ponen.
nfasis en los fundamentos; como la fsica de semiconductores, pero ignoran las
aplicaciones, que son de lo ms excitante. Los fundamentos no cambian con el
tiempo, y por ello son muy importantes; sin embargo, tratar slo los fundamentos'
resta emocin a 'la materia y, de hecho, es posible que el estudiante riunca desarrolle las habilidades necesarias para una carrera en electrnica. .Por otra parte,
las aplicaciones s cambian con el tiempo, por lo que un mtodo que se centre en .
. ellas a expensas de presentar un tratamiento superficial de los fundamentos, resulta
peligroso.
.
Al mismo tiempo que se abordan los fundamentos en una forma completa y
directa, se da un paso adelante hacia un balance en el mtodo de .la electrnica.
Dada la demanda de mayor diseo en los programas de ingeniera tanto de la
agencia de acreditacin (ABET) como de la industria, sentimos que ya es tiempo
_.~"
1<'x
Prefacio
de equilibrar los fundamentos con un fuerte pero mesurado gusto por el diseo.
Esperamos que este libro inspire la imaginacin de los ingenieros del maana,
quienes sern llamados para disear, no slo analizar, sistemas electrnicos.
Unicidad del mtodo de diseo

El contacto con ingenieros prcticos y reclutadores de ingenieros nos condujo a
poner especial atencin en el diseo de sistemas electrnicos. Al nuevo ingeniero se
le pedir disear sistemas y circuitos electrnicos utilizando un inventario cada vez
mayor de nuevos circuitos integrados y componentes discretos. Por tanto, nuestra
intencin es ensear a los estudiantes de ingeniera a pensar como diseadores, en
vez de memorizar unos cuantos mtodos de diseo; nuestro objetivo es -"educar"
en vez de "entrenar".
Los procedimientos elementales de diseo se incluyen al principio del texto
para motivar al lector. Nuestra experiencia nos dicta que la electrnica analgica
y la digital se comprenden mejor a travs de un mtodo de "hacer para aprender".
Por tanto, los temas como el anlisis a pequea seal se presentan en seguida del
anlisis en cd para posibilitar la inclusin temprana de algunos problemas de diseo
reales y significativos.
Cuando es posible, se desarrolla un procedimiento de diseo paso a paso,
pues sentimos que proporciona confianza al estudiante. Ms que reemplazar la
teora, dichos procedimientos la refuerzan y clarifican. Este mtodo culmina en
el captulo 17, donde se presentan procedimientos universales de diseo que se
pueden aplicar tanto a sistemas analgicos como digitales.
Ejercicios
Se presenta un gran nmero de ejercicios distribuidos a lo largo del libro. Puesto
que los ejercicios se concibieron para proporcionar un refuerzo inmediato a los
estudiantes, siempre van seguidos de las respuestas.
Apndice de SPICE
Se incluye un apndice de fcil comprensin acerca del programa para modelado
de circuitos SPICE. Esto permite a los profesores introducir SPlCE en cualquier
punto del curso. Se incluyen tambin los resultados impresos de ejemplos de
SPICE como modelos para el estudiante.
Otros apndices
El libro incluye apndices que cubren:
Fsica de semiconductores. Se puede utilizar como material complementario del
captulo 1 si se desea mayor detalle.
';:;;~-\~~;::;;;;:;::=======i='"'4-----~
-~-'
Prefacio
xi
Ruido en sistemas electrnicos

Hojas de datos de fabricantes (para dispositivos seleccionados)
Transformadas de Laplace
Respuestas a problemas seleccionados
Correccin del libro

Se hicieron todos los esfuerzos para escribir y publicar un libro correcto. Como
este texto 'evolucion a partir del entorno del aula, ha sido corregido y verificado
en grado extremo por nuestros estudiantes. Las copias del manuscrito se utilizaron
como texto principal en nuestras clases, y se estimul a los estudiantes y colegas
para que lo criticaran libremente (un reto que aceptaron con mucho entusiasmo).
Adems, el manuscrito fue cuidadosamente revisado y verificado por el profesor ,
Mahmoud El Nokali de la University of Pittsburgh. Vctor Valdivia, de la .Stanford Univetsity, llev a cabo uria revisin tcnica adicional mientras los autores
se encontraban en la fase de correccin de pruebas. Por tanto, confiamos en la
correccin y precisin del libro.
Facilidades para el protesor

Se encuentran disponibles para los profesores las Transparencias maestras para
retroproyector de figuras importantes del texto. Tambin hay un Manual del profesor que contiene las soluciones completas de todos los ejercicios y problemas de
fin de captulo del libro. Muchos de los problemas, en particular los del captulo
17, se tomaron de aplicaciones industriales reales, en las cuales se han implantado
los sistemas resultantes.
Los autores recomiendan que se utilicen, junto con el texto, las ltimas ediciones
de los manuales de datos de fabricantes. Por ejemplo, el TTL Data Book, Volume
II de Texas Instruments y el CMOS Data Book de National Semiconductor son
complementos adecuados para la tercera parte del libro, que trata sobre circuitos
integrados digitales. .
Gua para uso' del libro en clase

El material de este libro se puede presentar en una serie de dos o tres cursos de
un semestre o tres cursos de un trimestre del tercer o cuarto ao de la carrera. El
prerrequisito para este libro ,es un primer curso sobre anlisis de circuitos.
Los captulos 1 a 6 cubren el anlisis y diseo de circuitos con diodos, transistores bipolares de unin y de efecto de campo, y amplificadores de potencia para
frecuencia de audio. No se necesitan conceptos sobre plano s para comprender
esta parte del texto.
f
. xii
Prefacio
La segunda parte del libro (captulos 7 a 13) estn dedicados a circuitos integrados lineales. Este material incluye la cobertura completa de amplificadores
operacionales ideales y reales, respuesta en frecuencia, retroalimentacin y estabilidad, diagramas de Bode y diseo a partir de caractersticas de transferencia. En
el captulo 13 se abordan los filtros activos, incluyendo el diseo para filtros Butterworth y Chebyshev. Para esta parte del texto, es til tener algn conocimiento
sobre el mtodo de la transformada de Laplace; por ello se incluye un apndice
para la revisin de la transformada de Laplace.
Los ltimos cuatro captulos del libro (captulos 14 a 17) se dedican a los sistemas y circuitos integrados digitales. Se presenta el anlisis en estado estacionario
de circuitos de pulso y osciladores de relajacin. Se comparan y analizan tres
familias lgicas: TIL, CMOS y ECL. Se estudian varios CI con y sin reloj, y se
incluyen varias aplicaciones prcticas.
El captulo 17 es un captulo nico, pues presenta una metodologa de diseo
"universal" que se puede utilizar ya sea en circuitos analgicos o digitales. Muchos
de los ejemplos de diseo de este captulo se han tomado de la industria para ilustrar
problemas de diseo de la vida real.
Agradecimientos
El material sobre amplificadores operacionales de los captulos 9, 12, Y parte del 13
(incluyendo el diseo de filtros activos) se tom de las notas de clase desarrolladas
originalmente por el Profesor Gene H. Hostetter durante su estancia en la California
State University en Long Beach. El material sobre diseo de filtros activos tambin
apareci en el excelente texto del Dr. Hostetter, Engineering Network Analysis
(Nueva York, Harper & Row, 1984). Estamos agradecidos con el Dr. Hostetter y
con Harper & Row por permitimos utilizar este material.
Desearamos expresar nuestro aprecio por los estudiantes en las diferentes clases
dictadas por los autores utilizando las primeras versiones deI este texto. Se extienden
nuestros agradecimientos al Profesor Gene Hostetter, quien proporcion mucho del
material sobre amplificadores operacionales, y a nuestros colegas los Profesores
Hassan Babaie, Lou Balin, Roy Bamett, Ed Evans, Mi~e Hassul y Ken James por
sus comentarios y asistencia en varias partes del manuscrito.
Quisiramos agradecer especialmente al profesor Paul Van Halen, de la Portland
State University, el que haya proporcionado el primer bosquejo del apndice sobre
fsica de semiconductores, y a Mahmoud El Nokali, de la University of Pittsburgh,
quien ley cada pgina del manuscrito final e hizo vari~ sugerencias valiosas.
Otro agradecimiento especial va dirigido a Bemhard Schmidt, de la University
of Dayton, quien verific cada ilustracin y problema incluido en el texto para
asegurar su claridad y comprensin. Vctor Valdivia, de la Stanford University,
merece una mencin especial por su supremo esfuerzo en la bsqueda de errores
en las pruebas tipogrficas del libro.
/
/
b._ ..
Prefacio
xiii
Todo libro es el resultado de varias repeticiones y revisiones basadas en la

experiencia de clase y en el consejo experto de revisores. Tuvimos la fortuna de
que 28 lectores revisaran todo el volumen o parte de l. Desearamos agradecer a
los siguientes revisores, y a muchos otros cuyo nombre no se menciona aqu, por
sus esfuerzos:
.
Jack Allison, Oklahoma State University
.-Kay D. Baker, Utah State University
W. L. Beasley, Texas A&M University
Robert L: Bemick, California Polytechnic State University, Pomona
Raymond Black, New Mxico State University
T. V. Blalock, University of Tennessee
Frank. Brands, Washington State University
John Churchill, University of California, Davis
R. G. Deshmukh, Florida Institute of Technology
Mahmoud El Nokali, University of Pittsburgh
E.L: Gerber, Drexel University
Ward Helms, University of Washington
Alfred T: Johnson, Jr., Widener University
Jerrold Krenz, University of Colorado, Boulder
B. Lalevic, Rutgers University
John Lowell, Texas Tech University
Eugene Manus, Virginia Polytechnic Institute y State University
Richard Mortis, University of Portland
David A-. Navon, Unversity of Massachusetts, Amherst
Harry Neinhaus, University of South Florida
Charles Ne1son, California State University, Sacramento
David Pearlman, Rochester Institute of Technology
William Sayle, Georgia Institute of Technology
Bernhard Schmidt, University o Dayton
Paul Van Halen, Portland State University
Darrell L. Vines, Texas Tech University
1. L. Yeh, Rutgers University
Carl R. Zimmer, Arizona State University
Adems de nuestros colegas y revisores, muchos estudiantes nos ayudaron a
lo largo del trabajo. Los siguientes estudiantes merecen nuestro aprecio por su
especial asistencia: Gabriel Coceo, Ted Curmi, Jim Eckman, Kevin Kean, Lyle
Mattes, Bob McBride, Mark Pendleton, Steve Phillips, Gloria Quinn, Bob Topper,
Bob Tran, Phi} Vrbancic y Ann Weichbrod. Agradecimientos especiales a Julie
Jamagan, quien realiz varias correcciones fundamentales y gramaticales.
;./
'.:~
,
,xiv
Prefacio
En un proyecto de est complejidad, no es tarea sencilla crear un libro terminado
a partir de un manuscrito. Sin embargo, en las hbiles manos de George y Wendy
Calmenson, de San Francisco, esta crtica tarea pareci sencilla. Su profesionalismo
y atencin al detalle contribuyeron en la elaboracin de un libro del cual estamos
orgullosos.
Deseamos sinceramente que cada una de las personas que brindaron alguna
aportacin a este libro y que tuvieron que ver en su desarrollo estn tan satisfechas
como nosotros lo estamos con el producto final.
Gordon L. Carpenter
Martn S. Roden
C. J. Savant, Jr.
Nota del Editor. Al preparar los autores la segunda edicin de la presente obra,
realizaron diversos cambios para ajustar el contenido especficamente a los requerimientos curriculares de las universidades estadounidenses, soslayando de manera
inevitable los currcula de las instituciones iberoamericanas. Por no coincidir dichos
cambios con los intereses de nuestros lectores, decidimos conservar casi intacto el
orden de los temas de la primera edicin, si bien hemos incluido algunas de las
secciones nuevas que los autores prepararon para la segunda edicin, as como un
buen nmero de ejercicios, tambin extrados de esa nueva versi6n, que se agrupan
al final de cada captulo en las secciones denominadas Problemas adicionales.
"
INTRODUCCION,
~
PARA EL ESTUDIANTE
.
La electrnica es la piedra angular de ia ingeniera elctrica. Si usted se va a especializar en diseo en electrnica de estado slido, o en otras reas como potencia,
computadores, control o comunicaciones, primero debe familiarizarse con las bases
del diseo y el anlisis de circuitos y sistemas electrnicos.
Esta no es una tarea fcil, ya que el campo est cambiando a pasos agigantados.
Usted debe tener cuidado de concentrarse en la educacin, ms que en el entrenamiento, en el rea de electrnica. Aquellos que fueron entrenados en el diseo
electrnico con tubos de vaco durante los aos cincuenta lo encontraron poco til
una dcada ms tarde, cuando los transistores reemplazaron a los tubos de vaco en
todas las aplicaciones, excepto alta potencia y alta frecuencia. Del mismo modo,
aquellos-que fueronentrenados en diseo con transistores durante los aos sesenta
y setenta lo encontraron obsoleto con el advenimiento de los circuitos integrados y
sistemas con amplificadores operacionales. Por tanto, es importante que se prepare
por s mismo para la siguiente revolucin; aprendiendo los fundamentos al mismo
tiempo que "aprende a aprender".
Muchos textos abordan este desafo poniendo mucho'nfasis en la teora y evitando completamente las aplicaciones, lo que no sucede en este texto. Una rida
presentacin terica podra dejarle cierto conocimiento bsico que tal vez aplicar algn da. Sin embargo, es probable que no experimentara la' emocin de
aplicar este conocimiento a situaciones prcticas conforme aprende. De hecho, ni
siquiera sabra si es o no capaz.
o
,
xvi
Introduccin para el estudiante

Por esa razn, este texto est fuertemente orientado al diseo. Usted ser guiado
a travs de muchas aplicaciones prcticas de la teora, y queremos decir prcticas.
Esperamos que se sienta motivado a construir algunos de los sistemas que va a
disear en el papel, para "cerrar el ciclo" y hacer ms slida su educacin.
Algunos de los problemas incluidos al final de los captulos tal vez parezcan
muy complicados a primera vista. El aprendizaje de diseo es gradual, as que no
se desanime, Usted ver que es capazde hacer progresos aun en los problemas
ms complicados de diseo. Su profesor debe poder proporcionarle orientacin.
Ms que nada, disfrute el material de estudio. Usted ha eligido una carrera
excitante, pero los mismos factores que la hacen excitante tambin la vuelven
ardua. En ocasiones deber exceder los lmites de su capacidad mental si desea
triunfar, pero alcanzar el xito ser una compensacin agradable.
Si tiene algn comentario o sugerencia acerca del texto, por favor comunquelo
a cualquiera' de los tres autores. Los profesores Roden y Savant laboran en la
California State University en Los Angeles, mientras que el profesor Carpenter lo
hace en la misma universidad en Long Beach. Debido a que tenernos un especial
inters por la educacin en ingeniera, todos sus comentarios y sugerencias sern
bienvenidos.
10
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"
"
INDICE GENERAL
ANLISIS DE CIRCUITOS CON

CAPTULO 1 DIODOS SEMICONDUCTORES
1.0 Introduccin 1
1.1 Teora de semiconductores
1.1.1
1.1.2
1.1.3
1.1.4
2 -
Conduccin en los materiales 3

Conduccin en materiales semiconductores " 4
Materiales semiconductores 6
Semiconductores contaminados 6
1.2 Diodos semiconductores
1.2.1 Construccin del diodo 10 /

1.2.2 Operacin del diodo 11
1.2.3 Modelos de circuito equivalentes del diodo
1.3 Fsica de los diodos de estado slido

1.3.1
1.3.2
1.3.3
1.3.4
1'.3.5
1.3.6"
13
14
Distribucin de carga" 14
Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo
Efectos de la temperatura 17
Lneas de carga del diodo 19
.
Capacidad de manejo de potencia 23
Capacitancia del diodo 23
1.4 Rectificacin
24
1.4.1 Rectificacin de media onda 24

1.4.2 "Rectificacinde onda completa 25
1.4.3 Filtrado 27
11
15
xviii
fndice general
1.5 Demodulacin 31 .
1.6 Diodos Zener 33
1.6.1 Regulador Zener 34
L6.2 Diodos Zener prcticos y porcentaje de regulaci6n
39
1.7 Diseo de una fuente de poder usando un circuito

integrado 41
1.8 Recortadores y fijadores 43
1.8.1' Recortadores 43
1.8.2 Fijadores 45
1.9 Tipos alternos de diodos 48

1,9.1
1.9.2
1.9.3
1.9.4
1.9.5
Diodos
Diodos
Diodos
Diodos
Diodos
Schottk.y 48
varactor 49
tnel (diodo Esaki) 49
emisores de luz y fotodiodos 49
PIN 51
1.10 Especificacionesde los fabricantes 51

Problemas, 53
Problemas adicionales 59
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES
CAPTPLO 2 BIPOLARES DE UNIN
2.0 Introduccin 61
2.1 . Fuentes de tensin y de corriente dependientes
2.2 . Transistores bipolares 65
2.3 Operacin del transistor 67
2.4 Circuitos con transistores 71
2.4.1
2.4.2
Configuraciones comunes en circuitos 71

Curvas caractersticas 72
2.5 El amplificador EC 75
2.5.1
2.5.2
El amplificador EC con resistor en el emisor

Introduccin al anlisis y el diseo 80
77
2.6 Consideraciones de potencia 83

2.6.1
Derivacin de las ecuaciones de potencia
83
2.7 Capacitores de paso' y de acoplamiento 85

2.7.1
2.7.2
Capacitores de paso 86
Capacitores de acoplamiento
12
86
61
62
\
'ndicegeneral
2.8 Lnea de carga de ca para la configuracin en EC

2.8.1 La lnea de carga de ca a travs de cualquier punto Q
2.8.2 Eleccin de la lnea de carga de ca para mxima
excursin simtrica en la salida'
2.9 Anlisis y diseo en ca
xix
86
87
91
2.9.1 Procedimiento de anlisis 91

2.9.2 Procedimiento de diseo 92
2.9.3' Diseo por debajo de mxima excursin
97
2.10 Amplificador emisor seguidor (colector comn)

2.10.1 Ahlisis en ca y diseo de amplificadores ES
98
100
Problemas, 103
Problemas adicionales, 108
DISEO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES
CAPTULO 3 BIPOLARES DE UNIN
3.0 Introduccin 111
3.1 Anlisis de redes de dos puertos
111'
112
3.1.1 Frmula de ganancia de impedancia

3.1.2 Parmetros hbridos 113
3.2 Resistencia de entrada en cortocircuito

3.3 Parmetros en EC 117
3.3.1 Resistencia de entrada, ReD 118
116
3.3.2 Ganancia de tensin, Av 121

3.3.3 Ganancia de corriente, Ai 123
3.3.4 Resistencia de salida, Ro 123
. 3.4 Alinealidades de los BJT 1~7

3.5 Parmetros para el amplificador CC (SE)
3.5.1
3.5.2
3.5.3
3.5.4 o
130
Resistencia de entrada, Reo 130

Ganancia de tensin, Av 131
Ganancia de corriente, Ai 131
Resistencia de salida, Ro 132
3.6. Parmetros para el amplificador BC

.' '3.6.1 Resistencia de entrada, Reo 136
135
3.6.2 Gknancia de corriente, Ai 137

3.6.3 Ganancia de tensin, A" 138
3.6.4 Resistencia de salida, Ro 138
3.7 Aplicaciones de los amplflcadores con transistores

13
142
.. ,i~
IZ- .'.
xx
Indice general
3.8 Acoplamiento de amplificadores 143

3.8.1
3.8.2
3.8.3
3.8.4
Acoplamiento directo 143

Acoplamiento capacitivo 144
Acoplamiento por transformador
Acoplamiento ptico 147
144
3.9 Divisor de fase 149

3.10 Anlisis del amplificador multietapa
3.11 Dispositivosde cuatro capas
150
153
3.11.1 Rectificador controlado de silicio (SCR)

3.11.2 Conmutador controlado de silicio (SCS)
3.11.3 DIAC y TRIAC 155
154
155
Problemas, 156
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORESDE EFECTO
CAPTULO 4 DE CAMPO
167
4.0 Introduccin 167
4.1 Ventajas y desventajas del FET
4.2 Tipos de FET . 168
168
4.3 Operacin y construccin del JFET
169
4.3.1 Variacin de la tensin compuerta a fuente en' el FET

4.3.2 Caractersticas de transferencia del JFET 171
4.3.3 Circuito equivalente, 9m Y TDS 174
170
4.4 Operacin y construccin del MOSFET 178

4.4.1 MOSFET de empobrecimiento 179
4.4.2 MOSFET de enriquecimiento 181
4.5 Polarizacin de los FET 183

4.6 Anlisis de un amplificador FC
4.7 Diseo de un amplificador FC
4.8
4.9
'4.10
4.11
4.12
185
187
Seleccinde componentes 190

Anlisis de amplificadores DC (FS) 197
Procedimiento de diseo del amplificador DC 198
Amplificador FS de refuerzo 203
Transistor de unin con barrera metal semiconductor
14
206
ndice general
xxi
4.13 Otros dispositivos 206

4.13.1 Transistor de monounin 207
4.13.2 VMOSFET (VMOS) 208
4.13.3 Otros dispositivos MOS 209
Problemas, 210
ESTABILIDAD.DE LA POLARIZACIN EN
CAPTULO 5 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES
5.0 Introduccin 216
5.1 Tipos de polarizacin
216
217
5.1.1 Polarizacin por corriente 217

5.1.2 Polarizacin por tensin y por corriente 218
5.2 Efectos de los cambios de parmetros: Estabilidad de la

polarizacin 220,
5.2:1 Configuracin EC 222
5.22 Configuracin ES 225
5.3 Ejemplos de variacin de parmetros

5.4 Compensacin por diodo
,
226,
235
'
5.4.1 Compensacin por doble diodo
238
5.5 Reduccin de las variaciones en la temperatura
239
5.6 Diseo:para la estabilidad de la polarizacin

de amplificadores con BJT 242
'5.7 Efectos de la temperatura en FET
Problemas, 245
242
AMPLIFICADORES DE POTENCIA Y FUENTES DE

CAPTULO 6 ALIMENTACIN
6.0 Introduccin 248
6.1 Clases de amplificadores
6.1.1
6.1.2
6.1.3
,6.1.4
Operacin en clase
Operacin en clase
Operacinen clase
Operacin en clase
249
A 249
B 250
AB 250
C 252
15
248
xxii
lndice general
6.2 Circuitosamplificadoresde potencia.Operacin en clase A 253

6.2.1 Amplificador acoplado en forma inductiva 253
6.2.2 Amplificador de potencia acoplado por transformador
256
6.3 Circuitosamplificadoresde potencia. Operacin en clase B 262

6.3.1 Circuitos EC push-pull 262
6.3.2 Amplificador de potencia clase B con simetra complementaria 264
6.3.3: Clculos de potencia para el amplificador push-pull cl~e B 271
6.4 CircuitoDarlington 278

6.5 AmplificadorclaseAB cuasicomplementario
con par Darlington 284
6.6 Fuente de alimentacinutilizandotransistores de potencia 285
6.6.1 Fuente de alimentacin utilizando componentes discretos 285
6.6.2 Fuente de alimentacin utilizando un regulador de Cl 287
(regulador de tres terminales)
6.6.3 Fuente de alimentacin utilizando un regulador ajus- 288
table de tres terminales
6.7 Reguladoresconmutados 291

6.7.1 Eficiencia de los reguladores conmutados
293
Problemas,' 293
.Problemas adicionales, 297
CIRCUITOSINTEGRADOS:AMPLIFICADORES
CAPTULO7 OPERACIONALES
7.0 Introduccin 299
7.1 Fabricacinde CI 300
7.1.1
7.1.2
7.1.3
7.1.4
7.1.5
299
Transistores y diodos 300

Resistores 301
Capacitores 301
Transistores laterales 302
Tecnologa de unin Schottky 302
7.2 Amplificadoresde diferencia 303

7.2.1
7.2.2
7.2.3
7.2.4
Caractersticas de transferencia en cd 303

Ganancias en modo comn y en modo diferencial 305
Amplificador diferencial con fuente de corriente constante 307
Amplificador diferencial con terminales de entrada y salida sencillas
310
7.3 Fuentesde corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 313

7.3.1 Fuente de corriente Widlar 314
7.3.2 Fuente de corriente Wilson 315
..;J..
L..'. __
16
ndice general
7.3.3 Espejos de corriente 317

7.3.4 Fuentes de corriente como cargas activas
7.3.5 Trasladadores de nivel 321
xxili .
319
7.4 Configuracincascode 326

7.5 Empaquetadode los amplificadoresoperacionales' . 328
7.5.1 Requerimientos de potencia
330
7.6 El amplificadoroperacional741 \ 330

7.6.1
7.6.2
7.6.3
7.6.4
7.6.5
Circuitos de polarizacin 331

Proteccin de cortocircuito 331
Etapa de entrada 332
Etapa intermedia 332
Etapa de salida 332
7.7 Especificacionesdel fabricante 333

Problemas, 333
CAPTULO8 AMPLIFICADORESOPERACIONALESIDEALES
8.0 Introduccin 339
8.1 Amplificadoresoperacionalesideales 339
8.1.1 Mtodo de anlisis 342
8.2 El amplificadorinversor 342

':8.3 El amplificadorno inversor 347
. 8.4 Resistenciade entrada de un circuito amplificador
operacionalcon retroalimentacin 351
8.5 Entradas combinadasinvertida y no invertida 352
8.6 Diseode circuitoscon amplificadoroperacional 355
8.7 Otras aplicacionesdel amplificadoroperacional 362
8.7.1
8.7.2
8.7.3
8.7.4
8.7.5
Circuito de independencia negativa 362

Generador de corriente dependiente 363
Integrador Miller no inversor 364
. Convertidor de impedancia 365
Amplificadores operacionales y diodos 367
Problemas, 370
Problemas adicionales, 375.
17 .
339
xxiv
fndice general
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
CAPTULO 9 PRCTICOS'
9.0 Introduccin 379
9~1 Amplificadores-operacionales
prcticos
9.1.1
9.1.2
9.1.3
9.1.4
9.1.5
9.1.6
9.1.7
379
Ganancia de tensin en lazo abierto (G) 380

Tensin de desplazamiento en la entrada (Vio) 381
Corriente de polarizacin de entrada (Ipol) 382
Rechazo en modo comn 386
Razn de rechazo a la fuente de alimentacin (PSRR) 387
Desplazamiento de fase 388
Razn de cambio (SR) 388
9.2 Modelomejorado para el amplificadoroperacional 390

9.3 Amplificadorno inversor 395
9.3.1
9.3.2
9.3.3
9.3.4
Entrada no inversora y resistencia de salida 395

Ganancia de tensin del amplificador no inversor 398
Consideracines de ancho de banda 401
Amplificadores no inversores con entradas mltiples 402
9.4 Ainplificadorinversor 405

9.4.1 Amplificador inversor. Resistencia de entrada y salida 405
9.4.2 Ganancia de tensin en la entrada inversora 407
9.4.3 Entradas mltiples. Amplificador inversor 409
9.5 Suma diferencial 412

9.6 Amplificador101 416
9.6.1 Amplificadores 101 no inversores 418
9.6.2 Amplificadores 101 inversores 419
9.7 Diseode amplificadoresutlzaudovaros .

amplificadoresoperacionales 420
9.8 Amplificadorescon entradas y salidas balanceadas 424
9.9 Acoplamientoentre entradas mltiples 426
9.10 Amplificadoresde audio 427
Problemas, 428
~..
18
'.
""
379
xxv
ndice general
CARACTERSTICAS DE LA RESPUESTA
CAPTULO 10 EN FRECUENCIA
10.0 Introduccin 434
10.1 Diagramas de Bode
10.1.1
10.1.2
10.1.3
10.2
10.3
434
436
Trminos de la funcin G(s)H(s) 440

La aproximacin asinttica . 441
Ejemplos de diagramas de Bode 448
Respuesta en frecuencia del amplificador operacional

Respuesta en baja frecuencia: BJT 460
457.
10.3.1 Capacitancia de acoplamiento 460

10.3.2 Diseo para una caracterstica de frecuencia dada 465
10.3.3 Capacitar de paso para el resistor de emisor 469
10.3.4 Efecto combinado del capacitar de acoplamiento y
el capacitar de paso
470
10.3.5 Respuesta en baja frecuencia. Amplificador ES 472
10.3.6 R~spuesta e~ baja frecuencia. Amplificador BC 472
10.4
Respuesta en baja frecuencia. Amplificadores con FET

10.4.1
10.4.2
Respuesta en baja frecuencia para un amplificador FC 473

R~spuesta en baja frecuencia. Amplificador DC 480
10.5 Respuesta en alta frecuenca. Amplificador con BJT

10.5.1
10.5.2
10.5.3
496
Amplificador FC 496
Amplificador DC 501
10.7 Amplificadores casco de 502

10.8 Diseo de amplificado~es en alta frecuencia
10.9 Observaciones finales 506
Problemas, 506
CAPTULO 11
11.0
11.1
11.2
483
Respuesta del EC en alta frecuencia 483

Respuesta del amplificador ES en alta frecuencia 492
Respuesta del amplificador BC en alta frecuencia 494
~0.6 Respuesta en alta frecuencia. FET

10.6.1
10.6.2
473
505
RETROALIMENTACIN y ESTABILIDAD
Introduccin 514
Consideraciones de retroalimentacin en amplificadores
Tipos de retroalimentacin
516
19
514
515
xxvi
fndice general
11.3
Amplificadores
11.3.1
11.3.2
11.4
retroalimentados
Retroalimentacin de corriente. Resta de

tensin para amplificadores discretos- 518
Retroalimentacin de tensin. Resta de
corriente para un amplificador discreto "522
Amplificadores
multietapa
11.5 Retroalimentacin
11.6
Estabilidad
11.6.1
11.7
con retroalimentacin
en amplificadores
de amplificadores
525
operacionales
retroalimentados
Producto ganancia' por ancho de banda
Respuesta en frecuencia.
11.7.1
11.7:2
518
528
531
536
Amplificador
r.etroalimentado
536
Amplificador de polo simple 536

Amplificador de dos polos 538
11.8
Diseo de un amplificador
con igualador de adelanto
11.9
Igualador
por retardo
de tres polos
512
de fase
11.10
Efectos de cargas capacitivas
11.11
Osciladores
548
550
550
Problemas, 556
CAPTULO
12
CIRCUITOS
12.0
Introduccin
12.1
Rectificadores
12.2
Limitadores
12.3
Comparadores
12.4
Disparadores
NO LINEALES
563
563
563
retroalimentados
569
583
Schmitt
591
12.4.1 . Disparadores Schmitt con limitadores
594
Problemas, 599
CAPTULO.J3
607
FILTROS ACTIVOS
13.0
Introduccin
13.1
Integradores
607
y derivadores
13~2 Diseo de redes activas

20
608
613
\
.!
ndice general
13.3
Filtros activos
13.3.1
13.3.2
13.3.3
xxvii
616
Propiedades y clasificacin de los filtros 617

Filtros activos de primer orden 625
Filtros generales de primer orden 637
13.4
Amplificador de tipo general con

un solo amplificador operacional 643
. 13.5 Filtros de segundo orden con un solo amplificador
13.6 Filtros analgicos clsicos 652
13.6.1
13.6.2
13.7
Filtros Butterworth 653

Filtros Chebyshev . 656
Transformaciones
658
13.7.1 Transformacin de pasa-bajas a pasa-altas

13.7.2 Transformacin pasa-banda 660
13.8
Procedimiento de diseo para

filtros Butterworth y Chebyshev
658
661
13.8.1 Diseo del filtro pasa-bajas 661

13.8.2 Orden del filtro 663
13.8.3 Factor de escala de los parmetros 664
13.8.4 Filtro pasa-altas 671
13.8.5 Diseo de filtros pasa-banda y rechaza-banda
13.9
646
Filtros .en circuito integrado
673
676
13.9.1 Fitros de capacitor conmutado 676

13.9.2 Un filtro pasa-bajas Bunerworth de sexto orden de
capacitor conmutado. 679
13.10
CAPTULO 14
Conclusiones 681
Problemas, 682
Problemas, 686 adicionales
SEALES DE PULSO
14.0. Introduccin 687

14.1 Redes Re pasa-altas
14.1.1
688
Respuesta en estado estacionario. Red pasa-altas
14.2, Red RC pasa-bajas

14.3 Diodos 704
14.3.1
687
699
Respuesta en estado estacionario de un

circuito con diodo a trenes de pulsos 705
21
693
xxviii
ndice general
14.4 Circuitos de disparo
709
14.4.1 Respuesta a trenes de pulsos 710
14.5 El generador de pulsos 555 712

14.5.1 El oscilador de relajacin 712
14.5.2 El 555 como oscilador 716
14.5.3 El 555 como circuito monoestable 720
Problemas, 721
Problemas adicionales,
726
CAPTULO 15 FAMILIAS LGICAS DIGITALES
728

15.1 Conceptos bsicos de lgica digital 729
15.1.1
15.1.2
15.1.3
15.1.4
Lgica independientedel tiempo, o asincrnica 730

Lgica dependientedel tiempo, o. sincrnica 731
Funciones lgicas elementales 731
.lgebra de Boole 734
15.2 Construccin y empaquetado de CI 736

15.3 Consideraciones prcticas en el diseo digital
738
15.4 Caractersticas de los BJT en circuitos digitales 742

15.5 Familias lgicas con BJT 743
15.6 Lgica de transistor-transistor (TTL) 743
15.6.1
15.6.2
15.6.3
15.6.4
15.6.5
15.6.6
Colector abierto 745

Carga activa 746
Compuertas H-TIL y LP-TIL 747
Compuertas TIL Schottky 748
Compuertas de tres estados 749
Lista de dispositivos 751
15.7 Lgica de emisor acoplado 752

15.7.1 Lista de dispositivos 753
15.8 Caractersticas de los FET en.circuitos digitales 753

. 15.8.1 MOSFET de enriquecimientode canal n 753
15.8.2 El MOSFET de enriquecimientode canal p 755
15.9 Familias con transistores FE

15.9,1 MOS de canal n 755
15.9.2 MOS de canal p 756
22
755T
ndice general
15.10 MOS complementario
xxix
756
15.10.1 Lista de dispositivos CMOS y reglas de utilizacin
760
15.11 Comparacin de las familias lgicas 760

15.12 Conclusiones 760
Problemas, 765
Problema:adicional, 771
CAPTULO 16 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES
772

16.1 Descodificadores'y codificadores 773
. 16.1.1
16.1.2
Codificadores y descodificadores de teclado 778

Generadores de paridad y verificadores 780
16.2 Manejadores y sistemas asociados 781

16.3 Biestables, memorias de paso y registros de desplazamiento 784
16.3.1
16.3.2
16.3.3
Biestables 785
Memorias de paso y memorias 789
Registros de desplazamiento 791
16.4 Contadores 793

16.5 Relojes : 803
16S1
Oscilador controlado por tensin (VCO)
804
16.6 Conversin de analgica a digital 809

16.6.1
16.6.2
16.6.3
16.6.4
Convertidor de digital a analgico (O/A) 809

Convertidor AID 811
El convertidor A/D de 3 1/2 dgitos 811
Despliegue de cristal lquido 814
16.7 Memorias
16.7.1
16.7.2
16.7.3
16.7.4
815
Memorias de tipo serie 815

Memoria de acceso aleatorio (RAM)
ROM y PROM 818
EPROM 819
16.8 Circuitos ms complejos 821

16.8.1
16.8.2
16.8.3
16.8.4
Unidad aritmtica y lgica (ALU) 821

Sumadores completos 821
Generadores de acarreo adelantado: 823
Comparador de magnitudes 823
16.9 Arreglo lgico programable (PAL) 826

23
"
-..:.:...
xxx
ndice general
Problemas, 826
CAPTULO 17
17.0
17.1
17.2
17.3
17.4
DISEO ELECTRNICO DIGITAL

Introduccin 832
Principios de diseo 832
Definicin del problema 834
Subdivisin del problema 834
Documentacin 835
.17.4.1
17.4.2
17.4.3
17.4.4
17.5
17.6
17.7
17.8
17.9
El diagrama esquemtico 835

La lista de partes 836
Listas de ejecucin y otra documentacin
Utilizaci6n de documentos 836
836
Verificacindel .dseo 837

Armado de prototipos de circuitos digitales 839
Ejemplos de diseo 841
Introduccin a los problemas 860
Conclusiones 863
Problemas, 863
APNDICE A SPICE
A.O Introduccin A-l
A.l Informacin sobre programacin
A.U
A.1.2
Formato A-4
Descripcin del circuito
A.2 . Datos de entrada

A.2.1
A.2.2
A.2.3
A.2.4
A.2.5
A.3.1
A.3.2
A.3.3
..- .. -
A-1
A-3
A-4
A-S
Descripcin de elementos A-5

Descripcin de fuente A-lO
Subcircuitos A-12
Anlisis requerido A-13
Salida requerida A-14
A.3 Ejemplos de programas
......_~--~--
832
A-16
Amplificador EC A-16
Amplificador Fe A-21
Rectificador de onda completa
24
A-26
ndice general
A;3.4
A.3.5
Filtro pasa-bajas Chebyshev de cuarto orden

Compuerta NAND de.dos entradas A-33
,
xxxi
A-30
.
APNDICE B PRINCIPIOS DE FSICA DE SEMICONDUCTORES
A-37
B.O' Introduccin A~37

B.1 Semiconductoresintrnsecos 37
B.2 Impurezas en los semiconductores A-40
B.2.1
B.2.2
B.3
B.4
B.5
B.6
B.7
B.8
B.9
B.iO
B.ll
B.12
B.13
B.14
Semiconductor de tipo n A-40

Semiconductor de tipo p A-40
Concentracin de'portadores A-41

Portadores excedentes A-43,
Recombinacin y generacin de portadores excedentes .A-43
Transporte de corriente elctrica A-44
Desplazamientoen un campo elctrico A-45
Dependencia de la resistividad respecto a la temperatura A-48
Difusin en un gradiente de concentracn A-48
Combinacin de difusin y desplazamiento A-49
Las relaciones de Einstein A-49
Prueba de la ley np = constante A-50
Clculo del nivel de Fermi A-51
Derivacin de la ecuacin del diodo A-52
APNDICE C LA TRANSFORMADADE LAPLACE

C.O
C.1
C.2
C.3
C.4
C.5
A-55
Introduccin A-55
La, transformada de La,placede funciones A-56
La transformada de Laplaee de operaciones A-57
Solucin de ecuecones.dferencales lineales ordinarias A-60
Expansin en fracciones parciales A-62
Propiedades adicionales de la transformada de Laplace A-66
C.5.1
C.5.2
C.5.3
C.5.4
Traslacin real
A-66
Segunda variable independiente A-67
Teoremas de los valores firial e inicial A-68
Teorema de la convolucin A-68
25
xxxii
ndice general
APNDICE n HOJAS DE DATOS DE FABRICANTES

D.I Diodos A-71
0.1.1
0.1.2
D.2
D.3
Transistores de silicio npn 2N3903 y 2N3904 A-81

.Transistores de silicio pnp 2N3905 y 2N3906 A-87
Transistores de propsito general npn 2N2217 a 2N222
JFET de canal n 2N3821, 2N3822 Y2N3824 A-93
MOSFET de canal n 3N128
A-97
Regulador de tensin en Cl MC7800 A-97

Comparadorde tensin LM139 A-104
AMP-OPS
0.4.1
0.4.2
APNDICE E
E.O
E.I
. E.2
A..81
Dispositivos diversos
0.3.1
0.3.2
D.4
Diodos 1N4001 a 1N4007 A-71

Diodos Zener 1N746 a 1N759 A-75
Transistores
0.2.1
0.2.2
0.2.3
0.2.4
0.2.5
A-69
A-I07
Amplicador operacional J-LA741 A-107

Amplicador operacional LM10l A-U6
VALORES ESTNDAR DE LOS COMPONENTES

Introduccin A-121
Resistores A-121
Capacitores A-122
APNDICE F RUIDO EN SISTEMAS ELECTRNICOS

F.O Introduccin A-123
F.I Fuentes de ruido A-124
F.l.l
F.1.2
F.1.3
F.1.4
F.1.5
F.2
APNDICE G
A-123
Ruido de resistores A-124

Otros tipos de ruido 125
Ruido en el diodo A-126
'Ruido en el BIT 126
Ruido en el FET 127
Ruido en amplificadores operacionales

F.2.1
F.2.2
F.2.3
A-121
A-128
Razn seal a ruido A-129

Cifra de ruido A-129
Consideracionespara la reduccin del ruido A-130
RESPUESTAS A PROBLEMAS SELECCIONADOS

Bibliografas y referencias para estudio ulterior, A-138
ndice de materias, 1-1
26
A-132
DISEO ELECTRNICO
Circuitos y sistemas
28
1
"
ANALISIS
DE CIRCUITOS
CON DIODOS
SEMICONDUCTORES
1.0 INTRODUCCiN
El dispositivo electrnico no lineal ms simple se conoce como diodo. Un diodo .
est compuesto de dos materiales diferentes colocados juntos de tal forma que
la carga fluye fcilmente en una direccin, pero no en direccin contraria. El
desarrollo de este dispositivo se debe a Henry Dunwoody, quien en 1906 coloc .
un horno elctrico de carborundum entre dos soportes de latn. Ese mismo ao,
Greenleaf Pickard desarroll un detector de radio a cristal, en forma de bigote de
gato, en contacto con un cristal. Muchos estudios llevados a cabo entre 1906 y
1940 mostraron que el silicio y el germanio eran excelentes materiales para utilizar
en la construccin de estos dispositivos.
.
Fue necesario superar muchos problemas en la construccin y fabricacin de
diodos. Los ingenieros esperaron hasta mediados de la dcada de 1950 para resolver
el ms crtico de esos problemas. Durante la explosin tecnolgica de fines de los
aos cincuenta y principios de los sesentaIa tecnologa de estado slido recibi una .
gran atencin. Esto se debi a la necesidad de contar con componentes electrnicos
livianos, pequeos y de bajo consumo de potencia para utilizarlos en el desarrollo de
misiles intercontinentales y vehculos espaciales. Se dio nfasis a la fabricacin
de dispositivos de estado slido de gran confiabilidad en aplicaciones donde el
mantenimiento sera imposible. El resultado fue el desarrollo de componentes de
estado slido ms econmicos y confiables que los tubos de vaco..
En este captulo se proporciona una introduccin a la operacin y las aplicaciones
del diodo de estado slido. Este dispositivo de dos terminales, que a menudo resulta
ms pequeo que un grano de arroz, es no lineal. En su forma ms simple, esto
significa que la aplicacin de la suma de dos tensiones produce una corriente que.
29
Capitulo 1 Anlisis de circuitos con diodos semiconductores

no es la suma de las dos corrientes resultantes por separado. El comportamiento
del diodo depende de la polaridad de la tensin aplicada. La caracterstica no
lineal del diodo es la razn por la que encuentra tantas aplicaciones en electrnica.
En primer lugar, se consideran los conceptos fsicos bsicos de los semiconductores. Se analiza el diodo de unin de silicio y se desarrolla un circuito equivalente. Posteriormente se arializan algunas aplicaciones importantes de los. diodos,
incluyendo la rectificacin, la demodulacin y la deteccin. En el apndice B se
profundiza ms en la fsica de semiconductores.
Se presenta tambin el diodo Zener y se investiga su uso para regulacin de
tensin. En seguida, se desarrolla una tcnica de diseo especfica.
As mismo, se analizan muchos diodos de propsito especial, como Schottky,
el varactor, el tnel, los emisores de luz y los fotodiodos. El captulo concluye
con el diseo de una fuente de energa utilizando el regulador en circuito integrado
de la serie MC7800.
el
1.1
TEORA DE SEMICONDUC~ORES
Se disearn y analizarn sistemas utilizando circuitos equivalentes para representar
diodos. Es muy posible utilizar estos circuitos sin necesidad de entender por qu
representan modelos aproximados de los diodos. Sin embargo, es til contar con
elementos de fsica de diodos para apreciar los orgenes de los circuitos equivalentes
y entender sus limitaciones.
Un tomo consiste en un ncleo que tiene carga positiva. Los electrones, con
carga negativa, se mueven alrededor del ncleo en trayectorias elpticas. Estos
electrones se distribuyen a su vez en capas. Los electrones de la capa ms externa
se conocen como electrones de valencia. .
Cuando elementos muy puros, como el silicio y el germanio, se enfran desde
el estado lquido, sus tomos se colocan en patrones ordenados que se llaman
cristales, como se ilustra en la figura 1.1. Los electrones de valencia determinan
la forma caracterstica o estructura reticular del cristal resultante.
Los tomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones de valencia cada
uno. Por tanto, estos tomos se agrupan en una estructura reticular tal que cada uno
"comparte" sus cuatro electrones de valencia con los tomos vecinos en la forma
de enlaces covalentes. Los enlaces covalentes mantienen unida a la red.
Aunque los electrones de valencia son retenidos con fuerza en la estructura
cristalina, pueden romper sus enlaces y, por tanto, moverse en forma de conduccin.
Esto sucede si se proporciona suficiente energa externa (por ejemplo, en forma de
luz o calor).
Debido a la interaccin entre tomos en un cristal, es posible que los electrones
de valencia posean niveles de fuente de energa dentro de un intervalo de valores.
Cuanto ms lejos se encuentre un tomo del ncleo, mayor ser su nivel de energa.
Por tanto, los niveles disminuyen conforme el cristal se vuelve ms "rgido".
30
1.1 . Teora de semiconductores
Figura 1.1
Estructura del cristal.
As como existe un intervalo o banda de fuente de energas para los electrones

de valencia, hay otro intervalo de valores de fuente de energa para los electrones libres, es decir, aquellos que rompen el enlace y forman un canal de conduccin.
Las dos bandas pueden o no traslaparse:
1:~
1.1 Conduccin en los materiales
En la figura 1.2 se presentan tres diagramas de niveles de fuente de energa. En
la figura 1.2(a), las bandas de fuente de energa se encuentran muy separadas. La
regin sin sombrear representa,una banda prohibida de niveles de fuente de energa
en el cual no se encuentran electrones. Cuando esta banda es relativamente grande,
como se muestra en la figura, el resultado es un aislante.
Si la banda es ms o. menos pequea (del orden de un electrn volt (eV), la
cantidad de energa cintica que aumenta un electrn cuando cae a travs de un
potencial de 1 V, o 1.6 X 10-19 J), el resultado es un semiconductor. Esto se ilustra
en la figura 1.2(b).
La fuente de energa necesaria para romper un enlace covalente es funcin
del espaciamiento atmico en el cristal. Cuanto ms pequeo sea el tomo, ms
pequeo ser el espaciamiento y mayor la fuente de energa necesaria para romper
los enlaces covalentes. Resulta ms difcil extraer un electrn de conduccin del
silicio que del germanio debido a que los cristales de silicio tienen un espaciamiento
reticular ms pequeo.
31
Figura 1.2
Niveles de energa.
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
(a) Aislante
(b) Semiconductor
(e) Conductor
El conductor; o metal, se tiene cuando las bandas se traslapan, como se muestra

en la figura 1.2(c). El conductor pennte que se muevan las cargas elctricas cuando
existe una diferencia de potencial a travs del material.
En un conductor, no existe barrera alguna entre la fuente de energa del electrn
de valencia y la del electrn de conduccin. Esto significa que un electrn de
valencia particular no est asociado fuertemente a su propio ncleo. Por tanto,
es libre de moverse a travs de la estructura. Este movimiento de electrones,
generalmente como respuesta a la aplicacin de un potencial, es la conduccin.
En los materiales, los electrones se pueden elevar a niveles de energa ms altos
por medio de aplicacin de calor, que provoca vibracin de la red. Los materiales
que son aislantes a temperatura ambiente pueden volverse conductores cuando la
temperatura se eleva lo suficiente. Esto provoca que algunos electrones se muevan a
una banda de fuente de energa mayor, donde quedan disponibles para conduccin.
El diagrama de bandas de la fuente de energa de la figura 1.3 se utiliza para
ilustrar la cantidad de energa necesaria para que los electrones alcancen la banda
de conduccin. El eje de abscisas de esta grfica es el espaciamiento atmico del
cristal. Conforme aumenta el espaciamiento, el ncleo ejerce menos fuerza en los
electrones de valencia. El eje est marcado con el espaciamiento atmico para
cuatro materiales. El carbono (C) es un aislante en forma cristalina (diamante).
El silicio (Si) y el germanio (Ge) son semiconductores, y el estao es un conductor. La barrera de fuente de energa mostrada en la figura representa la cantidad
de energa externa requerida para mover los electrones de valencia hacia la banda de
conduccin.
1.1.2 Conduccin en materiales semiconductores

En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del
tomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace covalente: no
pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energa. Una forma
de suministrar esta energa es calentar el material. A una temperatura de cero
absoluto, no existe vibracin trmicamente inducida en el cristal. No se pueden
romper los enlaces covalentes, por lo que ne existen electrones disponibles en la
banda de conduccin, Debido a ello, no puede existir corriente y el semiconductor
se comporta como aislante.
El calor y otras fuentes de energa provocan que los electrones en la banda de
valencia rompan sus enlaces covalentes y se conviertan en electrones libres en la
~~.----~----~------
32
~~.
..~
1.1 Teoriade semiconductores
Banda de conduccin
I
I
I
I
:
I
Banda de valencia
Si
Espaciamiento atmico -Figura 1.3
Ge
tn
__
Diagrama de bandas de energa. ,
Figura lA
.Conduccin desde un enlace covalente roto.
banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de valencia, se forma
un "hueco". Un electrn cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar
el hueco, creando otro, prcticamente sin intercambio de energa. En la figura 1.4
se muestra la forma en que el movimiento de electrones entre enlaces covalentes
contnbuye a la conduccin.
La conduccin provocada por los electrones en la banda de conduccin es diferente de la conduccin debida a los huecos.dejados en la banda de valencia. En
semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres.
La fuente de energa trmica interna aumenta la actividad de los electrones; por
tanto, saca a los electrones de valencia de la influencia del enlace' covalente y los
dirige hacia la banda de conduccin. De esta forma, existe un nmero limitado
de electrones en la banda de conduccin bajo la influencia' del campo elctrico
aplicado; estos electrones se mueven en una direccin y establecen una corriente,
. como se muestra en la figura 1.5.
Siempre que un electrn .se eleva a una banda superior, se crea un hueco en
la banda de valencia. El movimiento de huecos es opuesto al de electrones y se
conoce como corriente de huecos. Los huecos actan como si fueran partculas
positivas y contribuyen a la corriente total.
Conforme aumenta la temperatura, un mayor nmero de electrones se eleva a
la banda de conduccin, y la corriente aumenta ((441, Vol. I).
Los dos mtodos mediante los cuales se pueden mover los electrones y huecos
a travs de un cristal de silicio son la difusin y el desplazamiento. La agitacin
trmica provoca un movimiento aleatorio de electrones en un semiconductor. Aunque este fenmeno puede relacionarse con la difusin, no provoca ningn flujo neto.
33
6"
Figura 1.5
Corriente.
Banda de
conduccin
Onda de valencia
Flujo de electrones
'Flujo de huecos
de carga. Sin embargo, si otro mecanismo provoca una concentracin en un extremo del semiconductor, los electrones se difunden hacia el otro extremo. Esto da
lugar a un flujo neto de carga conocido como corriente de difusin. El otro mtodo
de movimiento, el desplazamiento, resulta cuando se aplica un campo elctrico al
semiconductor y los huecos y electrones libres se aceleran en el campo elctrico.
La velocidad de este movimiento se llama velocidad de deriva, y el movimiento
provoca corrientes de deriva. La relacin entre el campo elctrico aplicado y la
corriente de deriva es anloga a la ley de Ohm.
1.1.3 Materiales semiconductores

Los tomos de silicio y germanio se ilustran en la figura 1.6. El tomo de germanio
tiene lleno un anillo exterior ms que el tomo de silicio. Este anillo exterior en
el germanio se encuentra a una distancia mayor del ncleo que el anillo exterior
en el silicio. Por tanto, en el tomo de germanio se necesita una fuente de energa
menor para elevar electrones de la banda exterior a la banda de conduccin. Este
punto se ilustra con mayor detalle al comparar las barreras de la fuente de energia
de los dos materiales, como se muestra en la figura 1.7. El germanio tiene una
barrera de la fuente de energa ms pequea para separar sus bandas de valencia y
de conduccin, por lo que se requiere una menor cantidad de energa para cruzar
las barreras entre bandas.
1.1.4 Semiconductores contaminados

Las corrientes inducidas en semiconductores puros son muy pequeas (por lo ge- ,
neral de menos de 10-9A) para aplicaciones prcticas. En un semiconductor
puro, el nmero.
huecos es igual que el de electrones. La conductividad de
34
1.1 Teoria de semiconductores
lOmo de germanio
Figura 1.6 . Estructura atmica del silicio y el germanio.
energa
prohibida
Germanio
Silicio
Figura 1.7
Barreras de energa para el germanio y silicio.
35

Enlace covalente
Electrn libre
libre o hueco
(a)
Figura 1.8
(b)
Estructura del cristal en semiconductores contaminados.
un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se introducen _._.

cantidades pequeas de impurezas especficas en el cristal. Este procedimiento se
llama contaminaci6n. Si la sustancia contaminante tiene electrones libres extra,
se conoce como donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n. Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues
existen ms electrones que huecos.
Si la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como. aceptor o
receptor, y el semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios
son huecos y los minoritarios son electrones. En la figura 1.8 se ilustran las
estructuras cristalinas de un semiconductor de tipo n (Fig. 1.8(a y de otro de tipo p
(Fig. 1.8(b)). Los materiales contaminados se conocen como semiconductores
extrinsecos, mientras que las sustancias puras son materiales intrtnsecos. El cristal
semiconductor intrnseco tiene igual concentracin de electrones libres y huecos
generados por ionizacin trmica. La densidad de electrones se denota por n y
la densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el producto, np, es una
constante para un material dado a una temperatura dada.
La densidad intrnseca de portadores, que se denota con ni, est dada por la
raz cuadrada de este producto. Entonces,
n;=np
:::.. ..
36
.1
Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin trmica, n~ depende

de la temperatura del cristal. Se concluye entonces que n o p, o' ambos, tienen que
ser funcin de la temperatura. La concentracin de huecos minoritarios es funcin
de la temperatura en el material contaminado de tipo n y la densidad de electrones
mayoritarios ~s independiente de la temperatura. En forma similar, la concentracin
de electrones minoritarios es funcin de la temperatura en los materiales de tipo p,
mientras que la densidad de huecos mayoritarios es independiente de la temperatura.
Recurdese que el semiconductor contaminado es an elctricamente neutro, pues
la mayora de los portadoreslibres son neutralizados por la capa de cargas asociadas
con los atomos de impureza.
La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de bloque. Un
semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque.
1.2 DIODOS SEMICONDUCTORES

El circuito lineal ms simple es el resistor. La tensin a travs de este elemento est
relacionada con la corriente que lo atraviesa mediante la ley de Ohm. Esta relacin
se representa de manera grfica por medio de una lnea recta, como se muestra en
la figura 1.9(a). La pendiente de esta lnea es la conductancia del resistor, es decir,
el factor de corriente a tensin. La inversa de esta pendiente es la resistencia en
ohms (0). Si el resistor se conecta en cualquier circuito, el punto de operacin'
debe caer.en algn lugar de esta curva.
'.
El diodo ideal es un dispositivo no lineal con caracterstica de corriente contra
tensin, como la mostrada en la figura 1.9(b). Esta caracterstica se conoce como
lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de rectas. Ntese'
que se intenta colocar una tensin positiva (o directa) a travs del diodo, no se
tiene xito y la tensin se limita a cero. La pendiente de la curva es infinita. Por
tanto, bajo esta. condicin la resistencia es cero y el diodo se comporta como un
cortocircuito. Si se coloca una tensin negativa (o inversa) a travs del diodo, la.
corriente 'es cero y la pendiente de la curva tambin es cero. Por tanto, el diodo se
comporta ahora como una res,istencia infinita, o circuito abierto.
si
Figura 1.9
Curvas de operacin para un resistor y un diodo ideal.
Pendiente =
ir
VR
--------~-------VD
(a)
(b)
37
10
Captulo 1 Anlisis de circuitos con diodos semiconductores
1.2.1
Construccin del diodo

En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos
para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccin del
diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la concentracin de impurezas
. en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo p y el otro con
material de tipo n.
Tambin se muestra en la figura 1.10 el smbolo esquemtico del diodo. Ntese
que, en este smbolo, la "flecha" apunta del material de tipo p al material de tipo n.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres:
germanio, silicio y arseniuro de galio. En general, el silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permite la operacin
a temperaturas ms altas, y los costos de material sonmucho menores. El arseniuro
de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas.
Sin embargo, resulta ms caro que el silicio, yla fabricacin de diodos de arseniuro
de gallo es difcil.
La distancia precisa en la que se produce el. cambio de material de tipo p a
tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de
la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en
una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se comportar como
un diodo. Existen casos donde la unin pn no se puede tratar como un cambio
abrupto en el tipo de material, sobre todo cuando el diodo se forma por difusin.
Esto provoca que la contaminacin cercana a la unin est escalonada; esto es, las
concentraciones de donadores y receptores son una funcin de la distancia a travs
de la unin [2, 14, 36, 37, 44, 53, 57, 61].
Habr una regin desrtica en la vecindad de la unin, como se muestra en la
figura 1.11(a). Este fenmeno se debe a la combinacin de huecos y electrones ~.
, donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores.
Los portadores minoritarios a cada lado de esta regin (electrones en la regin p y.
huecos\en la regin n) se trasladarn hacia el otro lado y se combinarn con iones
en el material. De la misma forma, los portadores mayoritarios (electrones en la
regin n y huecos en la regin p) se movern a travs de la unin.
Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento
de huesos y electrones a travs de la unin se suman para formar la corriente de
difusin, ID. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems de la
corriente de difusin, existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores
minoritarios a travs de la unin, y se conoce como ls- Algunos de los huecos
generados trmicamente en el material n se difunden, a travs de este material,
hacia el borde de la regin desrtica. All experimentan el campo elctrico y se
deslizan, a lo largo de dicha regin, hacia el lado p. Los electrones reaccionan de
la misma forma. Los componentes de estas acciones se combinan para formar la
corriente de deriva, Is. En condiciones de circuito abierto, la corriente de difusin
es igual a la corriente de deriva (en equilibrio).
Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material
n, como se muestra en la figura 1.11(b), se dice que el diodo est polarizado
38
,~
.11

Figura 1.10
Modelo simplificado del
diodo.
Material de
tipo n
Material de
tipo p
+ -
--------;~*-----~-p n
ID
--,-
Figura 1.11
Regiones desrticas.
I I
p
_'-1s ,
is ,
Is :
1" I
r-
r-
r-
...V-
-V'"
(b)
(e)
r-
Regin desrtica
(a)
en directo. La regin desrtica disminuye de tamao .debido ala atraccin de

portadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo a la derecha
atrae huecos a la regin p, y viceversa. Con una regin desrtica ms pequea, la
corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo; ID -Is = 1
despus.de alcanzar el equilibrio, donde 1 es la corriente a travs de la unin.
Por otra parte, si la tensin se aplica como en la figura l.ll(c), el diodo se
polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha;
y, del mismo modo, los huecos se llevan hacia la izquierda. La regin desrtica se
hace ms ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso,
Is .:.....
ID = 1 luego de alcanzar el equilibrio, donde 1 es la corriente a travs de la
unin.
1.2.2
Operacin del diodo

En la figura 1.12 se ilustran las caractersticas de operacin de, un diodo prctico.
Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(b) en los siguientes
puntos: conforme la tensin en directo aumenta ms all de cero, la corriente
no fluye de inmediato. Es necesaria una tensin mnima, denotada por V'"Y' para
obtener una corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder V'"Y' la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande pero
no infinita, como en el caso del diodo ideal.' La tensin mnima necesaria para obtener una corriente significativa, V'"Y' es aproximadamente 0.7 V para semiconductores
39
, ,,:1,
/A
12
Figura 1.12
Caractersticas de
operacin del diodo.
Regin de polarizacin
en inverso
Si
en directo
Tensin de ruptura (fuera de escala)
v, (Si)
Pendiente = ~~
Ruptura de
avalancha
de silicio (a temperatura ambiente) yO.2 V para semiconductores de germanio. La

diferencia de tensin para el silicio y el germanio radica en la estructura atmica
de los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V"( es ms o menos 1.2 V.
Cuando el diodo est polarizado en inverso, existe una pequea corriente de
fuga. Esta corriente se produce siempre que la tensin sea inferior a la requerida
para romper' la unin. La corriente de fuga es mucho mayor para los diodos de
germanio que para los de silicio o arseniuro de galio. Si la tensin negativa es lo
suficientemente grande como para estar en la regin de ruptura, podra destruirse un
diodo normal. Esta tensin de ruptura se define como tensin inversa pico (PIV,
peak inverse voltage) en' las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene
hojas de especificaciones representativas. A menudo se har referencia a ellas en
el texto, por lo que sera conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este
momento). La curva de la figura 1.12 no est a escala en la regin inversa, ya
que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensin elevados
(generalmente 50 V o ms). El dao al diodo normal en ruptura se debe a la
avalancha de electrones, que fluyen a travs de la unin con poco incremento en
la tensin. La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo
calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensin de ruptura del diodo (VBR).
....
40
13
R,
Figura 1.13
Modelos de diodos.
,_ j 3:t----+---<>!
i
Diodo ideal
(a) Modelo en cd (directo e inverso)
e,
o
io
R,.
(b) Modelo simple en ca para el diodo polarizado en inverso
CD
....-----1J
11------.,
(e) Modelo en ca para el diodo polarizado en directo
Los diodos se pueden construir para utilizar la tensin de ruptura a fin de simular
un dispositivo de control de tensin. El resultado es un diodo Zener, que se analiza
en la seccin 1.6.
.
.
1.2.3 Modelos de circuito equivalentes del diodo

El circuito mostrado en la figura l.13(a) representa un modelo simplificado del
diodo de silicio bajo condiciones de operacin en cd tanto en directo como en
inverso. Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de operacin
. del diodo de la figura 1.12. El resistor R,. representa la resistencia en polarizacin
inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). l resistor
Rf representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que
50 O. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocircuito,
o resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo prctico modelado en la
figura:1.13(a) es
.
41
14

Bajo condiciones de polarizacin en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita .
(circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prctico es Rr. El diodo
ideal que es parte del modelo de la figura l.13(a) est polarizado en directo cuando
la tensin entre sus terminales excede de 0.7 V.
Los modelos de circuito en ca son ms complejos debido a que la operacin
del diodo depende de la frecuencia. En la figura L13(b) se muestra un modelo
simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, J, representa
la capacitancia de unin. En la figura l.13(c) se muestra el circuito equivalente
en ca para un diodo polarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores,
el capacitor de difusin, eD, y el capacitor de unin, eJ. La capacitancia de
difusin, Oo, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia
dinmica es T d Yest dada por la pendiente de la caracterstica tensin-corriente.
A bajas frecuencias, los efectos capacitivos son pequeos y Td es el nico elemento
significativo.
1.3
FSICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SLIDO

Ahora que se ha analizado la construccin del diodo y presentado una breve in. troduccin a los modelos prcticos del diodo, se explorarn algunos aspectos ms
detallados de las diferencias entre diodos prcticos e ideales. En el apndice B se
incluyen detalles adicionales.
1.3.1
Distribucin de carga
Los diodos se pueden visualizar como la combinacin de un semiconductor de
tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccin
real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada
por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p ..
Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce
una redistribucin de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran
a travs de la unin y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma
forma, algunos de los huecos libres del material p se mueven a travs de la unin
y se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta
redistribucin de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material
n obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo elctrico y una
diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro
movimiento de carga. El resultado es una reduccin en el nmero de portadores de
corriente cerca de la unin. Esto sucede en un rea conocida como regin desrtica.
El campo elctrico resultante proporciona una barrera de potencial, o colina. en
;:
".
42
;: .
1.3 Ffsica de los diodos de estado slido

Figura 1.14
Barreras de potencial.
15
,____
fiRegin
--'-~, desrtica
I
I
Potencial
Posicin
una direccin que inhibe la migracin de portadores a travs de la unin. Esto se

muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a travs de la unin, se
debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensin con la polaridad
apropiada a travs del diodo.
1.3.2
Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo

Existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado.
Es posible escribir una expresin nica para la comente que se aplique a condiciones de polarizacin tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica
siempre que la tensin no exceda la tensin de ruptura. La relacin se describe
por medio de la ecuacin (1.1).
,,( (qVD)
io = lo: exp nkT
(1.1)
- 1
Los trminos de la ecuacin (1.1) se definen como sigue:

iD
= corriente en el diodo
= diferencia de potencial a travs del diodo

Jo = corriente de fuga
q = carga del electrn: 1.6 x 10-19 coulombs (C)
VD
= constante de Boltzmann:
1.38 x 10-23 JtOK
T = temperatura absoluta en grados Kelvin

n = constante emprica entre 1 y 2, que a veces se refiere
como el factor exponencial de idealidad
43
'.
16

La ecuacin (1.1) se puede simplificar definiendo
kT
q
VT=-
Esto da
(1.2)
Si se opera a temperatura ambiente (25C) y slo en la regin de polarizacin

en directo (VD> O), entonces predomina el primer trmino en el parntesis y la
corriente est dada aproximadamente por
(1.3)
Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15.

La corriente de saturacin inversa, lo, es funcin de la pureza del material, de
la contaminacin y de la geometra del diodo. La constante emprica, n, es un
nmero propiedad de la construccin del diodo y puede variar de acuerdo con los
niveles de tensin y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un
intervalo considerable de tensin con una constante n aceptable. Si n = 1, el valor
de nVT es de 26 mV a 25OC.Cuando n 2, nVT tiene un valor de 52 mV. Para
diodos de germanio, por lo comn se considera que n es l. Para diodos de silicio,
la teora de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47) predice que n debera ser 2. Aunque
se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo
n = 1.3 a 1.6. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccin
particular debido a la tolerancia durante la fabricacin, la pureza del material y los
ni,:eles de contaminacin ([36], Seco 1.2).
Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar la relacin entre la corriente
y la tensin en un punto de operacin Q. Aunque las curvas para la regin en
directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una lnea recta, se sabe que la lnea
no es recta, ya que sigue una relacin exponencial. Esto significa que la pendiente
de la lnea se modifica conforme cambia io- Se puede diferenciar la expresin de
la ecuacin (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier iD dada:
(l.4)
Para eliminar la funcin exponencial, se resuelve la ecuacin (1.2) a fin de obtener

.0'
;.<...
44
1.3 Fisica de los diodos de estado s6lido
17
FIgUra 1.1S
Relacin tensin-corriente
en el diodo.
!1L
.
'D
oe
nVT
(Slo regin directa)
;D".(,::T -1)
(Toda la curva)
exp ( --VD)
nVT
io
= -+1
10
Entonces, al sustituir esta,expresin en la ecuacin (1.4) se tiene

diD
dVD
>
(iD + lo)
nVT
La resistencia dinmica,
Td,
es el recproco de esta expresin, o
Aunque se sabe que Td cambia cuando cambia io, se puede suponer fija para
un intervalo de operacin especfico. Se utiliza el trmino Rf para denotar la
resistencia del diodo en directo, la cual se compone de T d Y la resistencia de
contacto.
1.3.3 Efectos de la temperatura

La temperatura tiene un papel importante en la determinacin de las caractersticas
operacionales de los diodos. Los cambios en estas caractersticas provocados
por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefto y empaquetado de los
circuitos.
45
18
Figura 1.16
Dependencia de ID hacia
la temperatura.
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin de encendido V-y. Por

otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V-y. Esto se
ilustra en la figura 1.16. Aqu V-y vara linealmente con la temperatura de acuerdo
con la siguiente ecuacin (se supone que la corriente del diodo, i o. se mantiene
constante):
.
donde
T = temperatura ambiente, o 25"C

T, = nueva temperatura del diodo en "C
V-y(To)
V-y(Tl)
= tensin del diodo a temperatura ambiente

= tensin del diodo a la nueva temperatura
k = coeficiente de temperatura en VI"C

Aunque de hecho k vara con cambios en los parmetros de operacin, la prctica
estndar en ingeniera permite suponer que es constante. A continuacin se muestran valores de k para varios tipos de diodos ([50],.Seco 1.11):
k = -2.5 mV/"C
para diodos de germanio
= -2.0 mV/"C
k = -1.5 mV/"C
para diodos de silicio
para diodos de Schottky
46
1.3 Fsica de los diodos de estado slido.
19
V"Y(To) es igual a los valores mostrados abajo.

diodos de silicio:
diodos de germanio:
diodos Schottky:
diodos de arseniuro de galio:
0.7 V
0.2 V
0.3 V
1.2 V
Lacorriente de saturacin en inverso, lo, es otro parmetro que depende de

la temperatura. Aumenta aproximadamente 7.20/0FC para diodos tanto de silicio
como de germanio. En otras palabras, lo se duplica ms o menos por cada 10ce
de aumento en la temperatura. La expresin para Ia corriente de saturacin inversa
en funcin de la temperatura es
.
donde
ki
= o.onj't
y TI y T2 son dos temperaturas diferentes. Esta expresin se puede simplificar y

reescribir como:
(1.5)
Esta simplificacin es posible porque
Ejercicios
D1.1 Cuando un diodo est en conduccin a 25CC,hay una cada de 0.7 V entre
sus terminales. Cul es la tensin, V"Y' a travs del diodo a lOOce?
Resp.:
V"Y
= 0.55, V
Dl.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfra a -lOOce. Cul es la tensin.

necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura?
. Resp.:
V-y
= 0.95 V
1.3.4 Lneas de carga del diodo

Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las tcnicas estndar
de anlisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para
las variables, ya que las ecuaciones s610 son vlidas dentro de una regin particular
de operacin.
47
20
Figura 1.17
Circuito con diodo.
Lnea de carga en ca
liD
+ .......
.... ,
(a) Circuito del diodo
~~~7J---------------D_::_~
D~
Lnea de carga en cd
_
Vs
IDQ (RI
liD
11
Rd + VDQ
(b) Lnea de carga en el diodo
A menudo un circuito contiene fuentes de cd y fuentes variables en el tiempo.

Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la nica energa suministrada a
los circuitos proviene de las fuentes de cd. Con las fuentes variables' en el tiempo
fuera del circuito, la tensin y la corriente en el diodo definen lo que se conoce
como punto de operaci6n en reposo (punto Q).
En la figura1.17(a) se ilustra un circuito con un diodo, un capacitor, una fuente
y dos resistores. Si se denomina a la corriente y a la tensin del diodo como las dos
incgnitas del circuito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan
estas dos incgnitas para encontrar una solucin nica para el punto de operacin.
Una de las ecuaciones es la restriccin proporcionada por los elementos conectados
al diodo. La segunda es la relacin real entre corriente y tensin para el diodo.
Estas dos ecuaciones se deben resolver simultneamente para determinar la tensin
y la corriente en el diodo. Esta solucin simultnea se puede llevar a cabo en
forma grfica.
Si en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensin se vuelve
simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del
48
1.3
Ftsica de los diodos de estado slido
21
capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacin de lazo se puede

escribir como
o
(1.6)
Esta es la primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensin del
.diodo. Es necesario combinarla con la caracterstica del diodo y resolver para el
punto de operacin. Lagrfica de esta ecuacin se muestra en la figura 1.17(b) y
se etiqueta como "lnea de carga en cd". La grfica de la caracterstica del diodo
tambin se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccin de las dos
grficas da la solucin simultnea de las dos ecuaciones y se etiqueta como "punto
.Q" en la figura. Este es el punto en el cuai opera el circuito con las entradas
variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicin de reposo.
.,
Si ahora se aplica una seal variable en el tiempo adems de la entrada de cd,
cambia una de las dos ecuaciones simultneas. Si se supone quela entrada variable'
es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacin del
capacitor como un cortocircuito, la nueva ecuacin est dada por '0.7): ..
o
(1.7) .
De los muchos parmetros, slo se han considerado los componentes variables en el

tiempo. (Ntese la utilizacin de letras minsculas para las variables. Considrese
la simbologa de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor
total de los parmetros est dado por
VD=Vd+VDQ
iD =id+IDQ
y la ecuacin (1.7) se vuelve
. Esta ltima ecuacin se etiqueta como "lnea de carga en ca" en la figura 1.17(b).
La lnea de carga en ca debe pasar a travs del punto Q, ya que en los momentos
en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operacin (cd y ca)
deben coincidir. Por tanto, la lnea de carga en ca se determina de manera nica.'.
49
22
Ejemplo 1.1 hl------------------
Wv--
La fuente de tensin,
us
= 1.1 + 0.1 sen l000t
. se coloca a travs de una combinacin en serie de un diodo y un resistor de 100 n,

como se muestra en la figura l.18. Encuntrese la corriente, io, si
nVT = 40' mV
V,=0.7 V
SOLUCiN
Se utiliza LTK para la ecuacin en cd a fin de obtener
Esto fija el punto de operacin en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia

dinmica (se utiliza el smbolo R en vez de r, porque el primero incluye la
resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la unin polarizada
en directo para la seal de ca.
Utilizando la ecuacin (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es
despreciable, se tiene
R = nVT = 40 mV
ID
4mA
= 10 n
Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 n, con la salvedad de que

permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la seal de entrada
.de ca. Utilizando otra vez LTK, se obtiene.
,
Vs
.
~d
= Rfid
+ RLid
Vs
= R + RL
0.1 sen 1000t

110
= 0.91 sen lOOOtmA
Por tanto, la corriente del diodo est dada por

io
= 4 + 0.91 sen l000t
mA
Como io siempre es positiva, el diodo se encuentra polarizado en directo todo el
tiempo, .y la solucin est completa .

.
50
1.3
Fsica de los diodos de estado slido
23
Figura 1.18
Circuito con diodo en
serie.
Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que el valor de la corriente en cd,

la solucin se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca
en la parte negativa es mayor que el valor en cd, el diodo se polariza en inverso y
la corriente se anula. Esta situacin se analiza en la seccin L8.
..-'
----,1
1.~.5 Capacidad de manejo de potencia

Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las
caractersticas se determinan por la construccin fsica del diodo (por ejemplo, el
tamao de la unin, el tipo de empaque y el tamao del diodo). Las especificaciones
del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo
para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se
clasifican por su capacidad de paso de corriente.
La potencia instantnea disipada por un diodo se define por medio de la expresin de la ecuacin (1.8):
(1.8)
1:~3.6 Capacitancia del diodo

El circuito equivalente del diodo incluye un pequeo capacitor. El tamao de este
capacitor depende de la magnitud y polaridad de la tensin aplicada al diodo, as
como de las caractersticas de la unin formada durante la fabricaci6n.
En el modelo simple del diodo de unin mostrado en la figura 1.19, la regin
alrededor de la unin es deficiente en electrones y huecos. En el lado p de la unin
existe una gran concentracin de huecos, mientras que en .el lado n la concentracin de electrones es grande. La difusin de estos electrones y huecos se produce
cerca de la unin, provocando una corriente de difusin inicial. Cuando los huecos
se difunden hacia la regin n a travs de la uni6n, se combinan rpidamente con los
electrones mayoritarios presentes en el rea y desaparecen. Del mismo modo,
los electrones se difunden a travs de la unin, se recombinan y desaparecen. Esto
forma una regin desrtica (a veces llamada regin de carga espacial) cerca de la
unin debido a la recombinaci6n de electrones y huecos. Conforme se aplica una
tensin inversa a travs de la unin, esta regin se ensancha, provocando que la
regin desrtica aumente de tamao.
51
24
. Movimiento de huecos debido

a polarizacin inversa
Movimiento de electrones debido

a polarizacin inversa
,------------
.----...,
ID
= Corriente
de difusin
Vs
Diodo
:~
'--'IN'or----t11 t--------"
R
Vs
___-----'\I'>.i.,,__-----tllr' --------:-'
(a)
Figura 9
--;.:;--
I
I
(b)
Modelo de diodo y circuito equivalente.
La regin desrtica acta como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en

inverso acta como un capacitor cuya capacitancia vara en razn inversa a la raz
cuadrada de la tensin a travs del material semiconductor.
La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF.
Esta capacitancia puede llegar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta corriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para
determinar la cantidad predicha de capacitancia para una condicin de operacin
dada.
1.4
RECTIFiCACiN
Ya se est en posibilidad de ver la forma en que se acomoda un diodo para realizar
una funcin til. La primera aplicacin importante por considerar es la rectificacin.
La rectificacin es el proceso de convertir una seal alterna (ca) en otra que. se
restringe una sola direccin (cd). La rectificacin se clasifica ya sea como de
media onda o de onda completa.
.
1.4.1
'.
Rectificacin de media onda

Como un diodo ideal puede mantener el flujo de corriente en una sola direccin,
se puede utilizar para cambiar una seal de ca en una de cd.
En la figura l.~O se ilustra un circuito rectificador de media onda simple.
Cuando la tensin de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se
puede reemplazar por un cortocircuito (suponiendo que sea ideal). Si la tensin de
entrada es negativa, el diodo se polariza en inverso y se puede reemplazar por un
circuito. abierto (siempre que la tensin no sea muy negativa como para romper la
52
1.4 'Rectificacin
Figura 1.20
Rectificador de media
onda,
Diodo
idea!
R,
"f.---------"w.......
25
---1t>1
u"
,
100
90 /
-90
-100
.l ~
~
directa, .Corriente en la carga
Tensin de entrada
Ten~ind~ salida
Sin el diodo
\U
-----:,
-----\_,
inversa. Sin corriente en la carga
unin), Por tanto, cuando el diodo se polariza en directo, la tensin de salida a

travs del resistor de carga se puede encontrar a partir de la relacin de un divisor
de tensin. Por otra parte, en condicin de polarizacin inversa, la .corriente es
cero, de manera que la tensin de salida tambin es cero.
'
'
En la figura 1.20 se muestra un ejemplo de la forma de onda de salida suponiendo
una entrada senoidal de ,100 V, R, = 10
RL = 90
El rectificador de media onda se puede utilizar para crear una salida de cd casi
constante si se filtra la forma de onda de la figura 1.20. La operacin de filtracin
se comenta en la seccin 1.4.3. Se nota que el rectificador de media onda no es
muy eficiente. Durante la mitad de cada ciclo, la entrada se bloquea completamente
desde la' salida. Si se pudiera transferir energa de la entrada a la salida durante
este medio ciclo, se podra incrementar la potencia de salida para una entrada
determinada.
ny
1.4.2
n.
Rectificacin de onda completa

Un rectificador de onda completa transfiere energa de la entrada a la salida durante
todo el ciclo y proporciona mayor corriente promedio por cada ciclo en relacin
con la que se obtiene utilizando un rectificador de media onda. Por lo general, al
construir un rectificador de onda completa se utiliza un transformador con el fin de
obtener polaridades positivas y negativas. En la figura 1.21 se muestran un circuito
representativo y la curva de la tensin de' salida.
El promedio de una funcin peridica se define como la integral de la funcin
sobre un periodo dividida por el periodo. Es igual al primer trmino del desarrollo
de la funcin en series de Fourier. El rectificador de onda completa produce
el doble de corriente promedio en relacin con el rectificador de media onda.
(Verifquese esta aseveracin.)
53
26

R
Figura 1.21
Rectificador de onda
completa.
1:2.
Ion
~+----~~----~--~----~----~+
100-V
60-Hz
rms
100-V rms
100-Vrms
Forma de onda en la salida
Ion
Figura 1.22
Puente rectificador de onda
completa.
Figura 1.23
Tiempos de conduccin en
el puente rectificador de
diodos.
100-V
60-Hz
rms
100 ..)2
100..)2
Es posible hacer la rectificacin de onda completa sin utilizar un transformador.

. El puente rectificador de la figura 1.22 realiza la rectificacin de onda completa.
Cuando la fuente de tensin es positiva, los diodos 1 y 4 conducen y los diodos
2 y 3 son circuitos abiertos. Cuando la fuente de tensin se vuelve negativa, se
invierte la situacin y los diodos 2 y 3 conducen. Esto se indica en la figura 1.23.
El estudio de la figura 1.22 indica una posible falla prctica en el circuito del puente
rectificador. Si una de las terminales de la fuente se conecta a tierra, ninguna de
las terminales del resistor de carga se puede aterrizar. Hacerlo provocara un lazo
de tierra, que eliminara uno de los diodos. Por tanto,. es necesario aadir un
transformador a este circuito para aislar entre s las dos tierras.
54
1.4 Rectificaci6n
Figura 1.24
Rectificador de onda
completa con filtro.
27
no.v
60Hz
rrns
Figura 1.25
Forma de onda filtrada en
la salida.
v"
,,
',
\
\
\
,,'
, ,,
\1
~--T~
,__---T----1
1.4.3 Filtrado
'Los circuitos rectificadores de la seccin anterior proporcionan una tensin en cd
pulsante en la tensin de salida. Estas pulsaciones (conocidas como rizo de salida)
se pueden reducir considerablemente filtrando la tensin de salida del rectificador.
El tipo de filtro ms comn emplea un solo capacitor. :
En la figura 1.24 se muestra el rectificador de onda completa, donde se aadi
un capacitor en paralelo con el resistor de carga. La tensin de salida modificada
se muestra en la figura 1.25.
El capacitor se carga al valor de tensin ms alto' (Vrnx) cuando la entrada
alcanza su mximo valor positivo o negativo. Cuando la tensin de entrada cae
por debajo de ese valor, el capacitor no se puede descargar a travs de ninguno de
los diodos. Por tanto, la descarga se lleva a cabo a travs de RL. Esto conduce a
un decaimiento exponencial dado por la ecuacin
V0--v',mx'e-ti'" -- Vrnb; e-tIRLC
(1.9a)
Como ejemplo de una situacin de diseo, supngase que la entrada es una sinusoide de 100 V de amplitud y que la tensin de salida ms baja que se puede
aceptar en una aplicacin dada es de 95 V. Entonces
(1.9b)
r
55
,------'~ .. ~
28

donde T' es el tiempo de descarga disponible, como se indica en la figura. Se
puede resolver C en trminos de T' y RL tomando el logaritmo natural en ambos
lados de la ecuacin (1.9b):
T'
In 1.053 = RLC
y, finalmente,
Esta frmula es difcil de utilizar en el diseo del filtro (esto es, elegir un valor
para C), ya que T' depende de la constante de tiempo RLC y, por tanto, de la
incgnita C. Se sabe de cierto que
T'<T
Para una entrada de 60 Hz, la frecuencia fundamental en la tensin de salida es el
doble de este valor, o 120 Hz. Por tanto,
T=
.!. = _1_ = 8.33

f
120
ms
Se puede aproximar el valor del filtro capacitor necesario para una carga particular utilizando una aproximacin de lnea recta, como se muestra en la figura 1.26.
La pendiente inicial de la exponencial en la ecuacin (1.9a) es
que constituye la pendiente de la lnea A en la figura 1.26.

La pendiente de la lnea B de la figura 1.26 es
Entonces
Por tringulos semejantes, se encuentra

56
1.4 Rectificaci6n
Figura 1.26
Aproximacin al tiempo de
descarga
--l---------~-----
Vm'x
Lnea A: descarga del capacitor

Pendiente mI
---------:---------
iv:
I,
-:-'
-4-,:
__1
29
----..;.---l--------
-------
/,
/
i
/'
'/
,
I
"
,
,
,,,
,
"-,
_T/2__1_t2-;
!--r2~,
:-'--t1---
tI
TVnn
= -2 + t2 = -2 + --2Vmx
Sustituyendo T = 1/ fp, donde fp es el nmero de pulsos por segundo (el doble de

la frecuencia original), se obtiene
pero como
.DoV
2Vmx
--:1
se desprecia el segundo trmino para obtener
"
57
30
Esta frmula representa una solucin conservativa del problema de diseo: si la

lnea recta nunca pasa por debajo de Vmn, la curva exponencial estar de seguro
por encima de este valor. Una regla prctica que se sugiere utilizar en el diseo
es elegir
'
(1.10)
.,
Se utiliza ahora la ecuacin (1.10) para resolver la capacitancia en el ejemplo

presentado antes. Se supone que la entrada es una sinusoide de 60 Hz de 100 V
de amplitud y que el valor aceptable ms bajo en la tensin de salida es 95 V. Por
tanto, para este ejemplo, Vmx = 100 V, .. V = 5 V, y la frecuencia, despus de la
rectificacin de onda completa, es
= 120 Hz
fp
Por tanto, de la ecuacin (1.10), .
e .,:
500
5 x 247rRL
0.133
RL
Este anlisis muestra que se puede disear un filtro para limitar el rizo-de salida
de un rectificador. El tamao del rizo suele ser un importante parmetro de diseo.
Como este rizo no sigue una forma estndar (por ejemplo, senoidal o en diente de
sierra), se necesita alguna manera de caracterizar su tamao. La tensin de rizo,
Vr(rms) est dada por
V.(rms) =
r
Vmx - V_t_
__
=-,"JlWI_
2v'3
Ntese que se usa v'3 en vez de .Ji en el denominador. El ltimo nmero se debe
utilizar para encontrar el valor rms de una sinusoide, que es la amplitud dividida
por.Ji. Para una onda en diente de sierra, el valor rms es la amplitud dividida por
v3. Estas cifras se verifican tomando la raz cuadrada del promedio del cuadrado
de la forma de onda sobre un periodo. La forma del rizo es ms parecida a una
, forma de onda en diente de sierra que a una sinusoide. Se supone que el valor:
promedio de la tensin de rizo se encuentra en el punto medio de la forma de onda
(esto es una aproximacin). Si se define la diferencia entre el mximo y el mnimo'
como Vr(p-p) para el rizo pico a pico, el promedio o valor de cd es
58
1.5 Demodulacin
' V.
v,de=
mx
31
Vr(P-p)
-2-
El factor de rizo se define como

factor de rizo
= Vr(rms)
Vdc
Ejercicios
Dl.3 El circuito de la figura 1.24 se utiliza para rectificar una sinusoide de 100 V
rms y 60 Hz. La tensin de salida mnima no debe caer por debajo de 70 V, Y el
transformador tiene una razn de vueltas de 1:2. La resistencia de carga es 2 kn.
Qu valor de capacitor se necesita a travs de RL?
Resp.:
6.6 ..tF
DI.4 La salida de un rectificador de media onda tiene 50 V de amplitud a 60 Hz.

Suponiendo que no existe resistencia en directo en el diodo, cules la mnima
carga que se debe aadir al circuito cuando se usa un capacitor de 50 J.LF para
mantener la tensin mnima por encima de 40 V?
Resp.:
1.33 kn
DI.S Un rectificador de onda completa similar al mostrado en la figura 1.24 tiene

un transformador con una razn de vueltas de 5:1. Qu capacitancia se requiere
para mantener una tensin mnima de 10 V en una carga de 100 n si la seal de
entrada es de 11O V nns a 60 Hz, como se muestra en la figura? '
Resp.:
185 ..tF
Dl.6 Si la tensin de entrada en el ejercicio D1.5 vara entre 110 V Y 120 V rms
a 60 Hz, 'qu capacitancia se necesita para mantener un mnimo de 10V en la
carga?
Resp.:
1.5
161 ..tF
DEMODULACIN
La modulacin de amplitud (AM) es un mtodo para trasladar una seal de baja
frecuencia a una frecuencia superior para su transmisin a travs de un canal. La

forma de onda de AM se caracteriza por la siguiente ecuacin:
V(t)
= V[l
+ mf(t)] sen wct
59
32
Figura 1.27
AM y el proceso de
deteccin.
\'(111
1)
... -r-"'"
V -;-
:.,: -
_,........... -,
Audio
--------;>-,.4:.
'r.,_" _ /.r
,'
v- Portadora de RF.
I'
#/
- ---(a) Onda de RF modulada donde Wm ~
Wc
~\
(b) Adicin de un diodo
_ct~R,t';
r----~~*--~~~~~
',,,
~?...____.
(e) Adicin de un filtro capacitivo
donde m es el ndice de modulacin, f(t) es una seal normalizada (amplitud

limitada a la unidad) de baja frecuencia que se desea transmitir, y Wc es lafrecuencia
de la portadora. La figura 1.27(a) constituye un bosquejo de una forma de onda
de AM caracterstica. La lnea superior discontinua, etiquetada como "audio", est
dada por
.
V[l + mf(t)]
La demodulacin, tambin conocida como deteccin, es el proceso de comenzar

con la forma de onda modulada de la figura 1.27(a) y procesarla de manera que
se obtenga la seal de audio, o la envolvente de la grfica. Este proceso no es
muy diferente del de rectificacin, excepto porque en el caso de la rectificacin
la seal con la que se empieza es una sinusoide de amplitud constante. Esto es, la
rectificacin se puede cons.iderar un caso especial de la demodulacin, donde f(t)
es una constante. Si se construye un rectificador pero se permite que la salida vare
con tanta rapidez como vara f(t), se habr construido un demodulador.
El circuito de la figura 1.27(b) realiza una rectificacin de media onda sobre
la entrada y produce una seal de salida, como se muestra. Si ahora se coloca
un capacitor en paralelo con el resistor, el efecto es proporcionar un decaimiento
exponencial entre pulsos, como se hizo en la figura 1.25, que muestra la salida de
un filtro rectificador. Por tanto, con una adecuada eleccin de parmetros, la salida
del circuito de la figura 1.27(c) es aproximadamente igual a la seal de audio.. ~
60
\ '
1.6' Diodos Zener :
33
La constante de tiempo del circuito (el producto de la resistencia y la capacitancia) se debe elegir con cuidado para no distorsionar la seal modulante (audio). Si
la constante de tiempo se selecciona en forma adecuada, la salida sigue los picos de
la seal pulsante rectificada. Si es muy grande; la seal de audio se distorsiona, ya
que la salida pierde algunos de los picos (es decir, no es capaz de cambiar con la
suficiente rapidez). Si la constante de tiempo es muy pequea, existir demasiado
rizo en la forma de onda de la salida.
Se puede utilizar la aproximacin por lneas rectas (vase Fig. 1.26) para obtener
la siguiente ecuacin de diseo. Para esta ecuacin, se supone que J(t) es una
sinusoide de frecuencia w .
.V
'
--'
>mwV
RLC El lado izquierdo de esta ecuacin es la pendiente, m, del anlisis de la seccin
anterior. El lado derecho es la mxima pendiente de la seal de audio (es decir, el
mximo valor de la derivada de Vm sen wt). Resolviendo para el valor lmite de
la capacitancia, se,encuentra
(1.11)
Esta ecuacin se puede utilizar para seleccionar el valor del capacitar cuando se
conoce la resistencia de carga.
Ejercicios
DI.7 Una portadora de radiofrecuencia de 15 MHz se modula con una seal de
5 kHz con un ndice de modulacin de 0.5. Si la resistencia de carga del detector
es 5 kO, qu valor de capacitar, se debe aadir en paralelo a la carga para filtrar
la seal de radiofrecuencia?
Resp.:
0.013 JLF
D1.8 Si el capacitar detector del ejercicio D1.7 se cambia a 0.01 f.LF, hasta qu,
valor se puede elevar la frecuencia modulante para filtrar la RF al mismo grado

que en el ejercicio Dl.7?
Resp.:
637 kHz
1.6 DIODOS ZENER
34

Si la tensin en inverso excede la tensin de ruptura, el diodo normalmente no se
destruye. Esto siempre que la corriente no exceda un mximo predeterminado y el
dispositivo no se sobrecaliente.
.
Cuando un portador generado en forma trmica (parte de la corriente de saturacin inversa) atraviesa la barrera de la unin (vase Fig. 1.14) Y adquiere energa
del potencial aplicado, el portador choca con iones en' el cristal e imparte suficiente energa para romper un enlace covalente. Adems del portador original, se
genera un nuevo par electrn-hueco que puede tomar suficiente energa del campo
aplicado para chocar con iones en otro cristal y crear nuevos pares electrn-hueco.
Esta accin contina y as se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce
como multiplicacin por avalancha o ruptura por avalancha.
Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes.
La utilizacin de un campo elctrico bastante fuerte en la unin puede provocar
la ruptura directa del enlace. Si el campo elctrico ejerce una fuerza intensa en
un electrn de enlace, el electrn se extrae del enlace covalente provocando la
multiplicacin de pares electrn-hueco. Este mecanismo se llama ruptura Zener.
El valor de la tensin inversa al cual se produce este fenmeno se controla con la
cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene
baja tensin de ruptura Zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una
tensin de ruptura Zener elevada.
Aunque se describen dos mecanismos distintos para que se produzca la ruptura,
a menudo se intercambian .: Con valores de tensin por arriba de aproximadamente
10 V, el mecanismo predominante es la ruptura por avalancha ([35], Seco 2.9).
Como el efecto Zener (avalancha) se produce en un punto predecible, el diodo se
puede utilizar como referencia de tensin. La tensin inversa a la cual se produce
la avalancha se llama tensin Zener.
La caracterstica de lin'diodo Zener tpico se muestra en la figura 1.28. El smbolo de circuito para el diodo Zener es diferente del de un diodo regular y se .ilustra .
en la figura 1.28.
La mxima corriente inversa, Izmx, que puede soportar el diodo depende
del diseo y la construccin de ste. La corriende de prdida (1Znn) por debajo del vrtice de la curva caracterstica generalmente se supone que es 0.1 lzmx
La utilizacin de 1
Zmln asegura que la curva de avalancha permanezca paralela al
eje io entre lzmx e lzmln. La cantidad de potencia que el diodo puede soportar
es P~ = Izmx Vz.
1.6.1
Regulador Zener
Se puede utilizar un diodo Zener como regulador de tensin en.la configuracin
mostrada en la figura 1.29. En la figura se ilustra una carga cuya resistencia puede.
variar sobre un intervalo particular. Este circuito se disea de tal forma que el diodo
opere en la regin de ruptura, aproximndose as a una fuente ideal de tensin. La
tensin de salida permanece relativamente constante aun cuando la tensin de la
fuente de entrada vare sobre un intervalo ms o menos amplio ([49], Seco 4.4).
62
1.6 Diodos Zener
35
Figura 1.28
Diodo Zener-.
Regin de
polarizacin inversa
Regin de
polarizacin directa
,.
.' - -----------------~-----------------,
.
Vrtice
;" - 10110 1Z max

.,.
1Z mln.......
Diodo
regular
-----------------------------------------
Diodo
Zener
IZmx
Figura 1.29
Regulador Zener.
Es importante conocer el intervalo de la tensin de entrada y de la corriente de

carga para disear este circuito de manera apropiada. La resistencia, R, debe ser
tal que el diodo permanezca en el modo de tensin constante sobre el intervalo
completo de variables.
La ecuacin de nodo para el circuito de la figura 1.29 da
R;, =
z = Vs -Vz
Vs -:- V
~R
(1.12)
iz +iL
63
36

Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura),.
se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada-salida.
1. La corriente a travs del diodo iz es mnima cuando la corriente de.carga it:
es mxima y la fuente de tensin Vs es nnima.
,1
2. La corriente a travs del diodo iz es mxima cuando la corriente de carga
iL es nnima y la fuente de tensin v s es mxima.
Cuando estas caractesticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin
(1.12), se encuentra
Condicin 1:
R. _ Vs mn - Vz
,- hmx+1zmm
(1.l3a) ,
Condicin 2:
R. _ Vs mx - Vz
,- IL mn +Iz mx
(1.l3b)
Se igualan (1.l3a) y (1.l3b) para obtener

(Vs mm - Vz
)(IL Rn + 1z mx) =
(Vs
mx -
Vz )(h mx + Iz mm)
(1.13c)
En un problema. prctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de

tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor
de tensin Zener deseado. La ecuacin (1.l3c) representa por tanto una ecuacin
en dos incgnitas, las corrientes Zener mxima y mnima, Se encuentra una segunda
ecuacin examinando la figura 1.28. Para evitar la porcin no constante de la curva
caracterstica, se utiliza la regla prctica de que la mxima corriente Zener debe
ser al menos 10 veces mayor que la mnima ([46], Seco 5.4); esto es,
Izmm
= O.lIzmx
Este es un criterio de diseo aceptable.

Ahora se escribe la ecuacin (1.13c) como
,(VSmn
\
"
.>;
-';:>
C"':"
VZ)(hRn'+' Izmx)
":'::::;:
,.,;,'
= (Vsmx -:= \;~"':-"'~~"';'
VZ)(hmx + O.lIzmx)
- ').~:'
R~s?~~ie~d~_:entonces
para la mxima corrien~e~~e\
-
", r. J'
Izmx
= hmn(VZ
;('
,+<:: ,,:,)',~.':'~ ..1/ __
s~ ~b~i~~7" So rv- .:
-v
: __ "
- VSmn) + hmx(VSmx - Vz) - "",,\J.::

VSmn - O.9Vz - O.IVsmx
/:'
t,'
.;
/'.
"c\'::""",
-':;'.l\j'Z ';
'. ~"\
Ahora que se tiene la mxima corriente Zener, el valor de R; se puede calcular de

la ecuacin (1.l3a) o de la (1.l3b).
-----------------------------64
(174) ,
1.6 Diodos Zener
Ejemplo
':2
37
Diseo de un regulador Zener

Disese un regulador Zener (Fig. 1.30) para cada una de las siguientes con- ,
diciones:
a. La comente en la carga vara de 100 mA a 200 mA y la fuente de tensin
vara de 14 V a 20 V.
,
"
b. La comente en la carga vara de 20 roA a 200 mA Y la fuente de tensin
varade 10.2 a 14 V.
Utilcese un diodo Zener de 10 V en ambos casos.
SOLUCiN
a. El diseo consiste en elegir el valor apropiado de la resistencia, R, y la estimacin de potencia para el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones
de esta seccin para calcular la mxima comente en el diodo Zener y luego
encontrar el valor del resistor de entrada. De la ecuacin (1.14), se obtiene
_ 0.1(10 - 14)+ 0.2(20 - 10)

14 - 0.9(10) - 0.1(20)
Zmx -
1.6
='_ =0.533 A
3
Entonces, de la ecuacin (l.13b), se obtiene R;. como sigue:

R;.
VSmx Izmx +
Vz
hmfn
20 - 10
0.533 + 0.1
= 15.8 n
.
No es suficiente especificar slo la resistencia de R, tambin se debe seleccionar el resistor apropiado que maneje la potencia estimada. La mxima
potencia est dada por el producto de la tensin por la corriente, utilizando
el mximo de cada valor.
PR, = IRmx(VSmx
Vz)
= (1z mx + h mfn)(VSmx ,
'l.
-7 :',''').
Figura 1.30
Regulador con diodo
, Zener.
Vz)
= 0.63 x 10 = 6.3 W
R
65
--"":.
38

Por ltimo, se debe realizar la estimacin de potencia del diodo Zener. La
mxima potencia disipada en el diodo Zener est dada por el producto de la
tensin y la corriente.
.
Pz
= VZIzmx = 10 x 0.53 = 5.3 W
\...
b. Repitiendo los pasos para los parmetros de la parte (b), se obtiene
= 0.02(10 -
I
Zmx
10.2) + 0.2(14 - 10) = -4 A

10.2 - 0.9(10) - 0.1(14)
El valor negativo de Izmx indica que el margen entre VSmn y Vz no es 10

bastante grande para permitir la variacin de la corriente en la carga. Esto es,
bajo la condicin del peor caso de 10.2 V de entrada y 200 mA de corriente
en la carga, no es posible para el Zener mantener 10 V a travs de sus
terminales. Por tanto, el regulador no opera correctamente para ninguna
eleccin de resistencia.
El circuito regulador Zener de la figura 1.30 se puede combinar con el rectificador de onda completa de la figura 1.24 para obtener el regulador Zener de onda
completa de la figura 1.31.
El componente RF se llama resistor de sangra y' se utiliza para proporcionar
un trayecto de descarga para el capacitor cuando se quita la carga. Por 10 comn,
los resistores de sangra son resistencias altas para que no absorban una potencia
significativa cuando el circuito est en operacin. Como RF es mucho mayor que
R;., se desprecia en el siguiente anlisis.
El valor de CF se encuentra adaptando la ecuacin (1.10) a esta situacin. La
resistencia en la ecuacin es la resistencia equivalente a travs de CF. El diodo
Zener se reemplaza por una fuente de tensin, Vz. La resistencia equivalente es
entonces la combinacin en paralelo de RF y R;. Como RF es mucho mayor que
R. la resistencia es ms o menos igual a R;.. Puesto que la tensin a travs de R;
no cae a cero, como es el caso del rectificador de onda completa, en la ecuacin
(1.9) Vmx se debe reemplazar por la excursin total de tensin. Por tanto, el
capacitor queda especificado como en la ecuacin (1.15), donde se supone que a
(la razn del transformador) es 1.
Figura I.JI
ReguladorZenerde onda completa.
a:l.
r-----------~~~----_r------~--~~--~----~
66
1.6 Diodos Zener
CF
__5(Vsmx -
Vz)
39
(1.15)
~V27rfp~
La tensin ms grande que se coloca sobre el regulador es VSmx Corno antes, ~ V

es el rizo pico a pico y fp la frecuencia fundamental de la forma de onda rectificada
(es decir, el doble de la frecuencia original para rectificacin de onda completa).
1.6.2 Diodos Zener prcticos y porcentaje de regulacin

En la seccin anterior se supuso que el diodo Zener era ideal. Esto es, en la regin
de ruptura por avalancha, el diodo se comporta como fuente de tensin constante.
Esta suposicin significa que la curva de la figura 1.28 es una lnea vertical en
, la regin de, ~ptura. En 'la prctica, esta curva no es vertical, y la pendiente es
provocada por una resistencia en serie. La tensin de ruptura es entonces una
funcin de la corriente en vez de una constante. El diodo Zener prctico se modela
como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo Zener con un
diedo ideal en serie con una resistencia, Rz.
Para mostrar los efectos de este resistor en serie, se resuelve nuevamente el
ejemplo 1.2. Se supone que se incorpora un diodo Zener prctico en el circuito, '
con una resistencia de diodo Rz
2 n. En ese ejemplo, se utiliza el circuito
de la figura 1.30 como un regulador donde la mxima corriente Zener es 0.53 A.
Se supone que 1z mln es el 10% de 1Z mx, .o 0.053 A. Debido a Rz, la tensin
de salida (a travs de la carga) ya no es la constante 10 V. Los valores mnimo
y mximo de esta tensin se encuentran a partir de la figura 1.32, utilizando los
valores de corriente mnimo y mximo. La tensin a travs del diodo ideal de la
figura 1.32 es 10 V, por lo que se puede escribir
Vomln = 10 + (0.053 x 2) = 10.1 V

Vomx = 10 + (0.53 x 2) = 11.1 V
Figura 1.32
+--.1
IR
Vi
I
.vz
Circuito Zener equivalente.
i iz
v,
___________
67
40
El porcentaje de regulacin se define corno la excursin de tensin dividida entre.

el valor de la tensin nominal. A menor porcentaje de regulacin, mejor regulador.
Por tanto, en este ejemplo;
porcentaje de reg.
= Vo mx -
Vo mfn
Vonominal
= 0.1,
1l.1- 10.1
10
o 10%
Este valor d~ regulacin es pobre, y la regulacin se incrementa limitando la

corriente en el Zener a un valor ms pequeo. Esto se consigue utilizando un
amplificador en serie con la carga. El efecto de este amplificador es limitar las
variaciones de corriente a travs del diodo Zener. Estos amplificadores se estudian
en el captulo 6.
Ejercicios
Dl.9 Un circuito regulador Zener (vase Fig. 1.30) tiene una entrada cuya tensin
vara entre 10 y 15 V Yuna carga cuya corriente vara entre 100 rnA Y 500 rnA.
Encuntrense los valores de Ri e 1Z mx suponiendo que se utiliza un Zener de 6 V.
Resp.: 6.33
n; 1.32 A
Dl.lO En el ejercicio D1.9, encuntrense las estimaciones de potencia para el diodo

Zener y para el resistor de entrada.
Resp.: 7.94 W; 12.8 W
01.11 En el ejercicio D1.9, encuntrese el valor del capacitor necesario si la fuente

es la salida de un rectificador de media onda con una entrada de 60 Hz.
Resp.: 3800 JJ.F
01.12 Si no se utilizara el resistor, RF, en el circuito de la figura 1..31,y hubiera

un transformador de derivacin central 4: 1 con una entrada de 120 V rms a 60 Hz,
qu valor para R; sera necesario para mantener 10 V a travs de una carga cuya
corriente vara entre 50 rnA Y200 mA? Supngase que la tensin mnima permitida
en la entrada del regulador es 14 V.
Resp.: 14.8 n
Dl.13 Qu valor de capacitor es necesario en el regulador del ejercicio D1.12

para mantener una tensin mnima de 14 V?
Resp.: 697 JJ.F
Dl.14 En el circuito del ejercicio D1.12, supngase que la tensin de entrada vara
de 110 V a 120 V rms a 60 Hz. Seleccinese un valor de capacitancia que se
~':'
tv-,
1.7 Diseo de una fuente de poder usando un circuito integrado
41
acomode tanto a una variacin de corriente de carga de 50 mA a 200 mA como a

la' variacin de tensin de entrada especificada.
Resp.:
e = 922 LF
1.7 DISEO.DE UNA FUENTE DE PODER USANDO UN

CIRCUITO INTEGRADO .
Los reguladores se empaquetan como circuitos integrados (el); como ejemplo,
se enfocar la atencin sobre la serie Me78XX. Las hojas de especificaciones
apropiadas aparecen en el apndice D, i se deben.considerar durante la siguiente
exposicin. Se pueden obtener varias tensiones diferentes de la serie de el 7800;
stas son 5, 6, 8, 8.5, 10, 12, 15, 18 Y24 V. Todo lo que se requiere para disear un
regulador alrededor de uno de estos el es seleccionar el transformador, los diodos
y el filtro. En la figura 1.33 se muestra un circuito caracterstico.
La hoja de especificacionespara este CI indica que debe existir una tierra comn
entre la entrada y la salida, y que la tensin mnima en la entrada del el debe estar
al menosZ 4 V PQr encima de la salida regulada. Para asegurar esta ltima
condicin, es necesario filtrar la salida del rectificador. En la figura 1.33, CF
realiza este filtrado cuando se combina con la resistencia de entrada del el.
La resistencia de entrada equivalente ms pequea del CI est dada por
Vs mini ti.rnx- Entonces
(1.17)
donde Vs m. es la tensin ms grande que s aplica al el, A V es la cada de
tensin del capacitor (es decir, la tensin pico ms pequea aplicada al el menos
la tensin de salida del el ms 4 V) y}p es el nmero de pulsos por segundo.
El capacitor de salida, Ca' se aade para ayudar a aislar los efectos de la
variacin de cargas de cualquier otro. El capacitor corta las variaciones de alta
frecuencia provenientes de la circuitera de carga.
Figura 1.33
Fuente de alimentacin regulada.
~----------~~~----~--~--~
3:1.
VI
69
+
BV
42

Los reguladores de la serie MC7900 son idnticos a los de la serie 7800, con la
excepcin de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas
en vez de positivas.
.
Ejemplo 1.3
h._----------------------'A..NvSupngase que se desea disear un circuito regulador con CI para generar 12 V de

salida en una carga cuya corriente vara de 5 a 800 mA.
SOLUCiN Se usa el cir-cuitode la figura 1.33 con un regulador 7812. La salida
del transformador est dada por una onda senoidal rectificada completa de amplitud
115vZj6, o 27.1 V (cero apico) a 120 Hz.
La tensin mnima que se desea en la entrada del CI es
VSmn = 12 + 2 = 14 V
donde se utilizan 2 V por arriba de la salida deseada.
La resistencia equivalente de carga ms pequea es la razn entre la mnima
tensin y la mxima corriente, o
RL(el peor caso)
16
= 0.8
= 20 n
La diferencia de tensin entre el mximo y el mnimo es

V=27.1-16=11.1
Entonces, de la ecuacin (1.15), se resuelve para el filtro capacitor:

5(27.1- 12)
e = 11.1(47r60)20 = 451 J.lF

Utilizando un capacitor de al menos 451 J-LF, se asegura que el regulador proporcione 12 V regulados para cualquier carga que consuma una corriente de hasta
800 mA.
-,
~
Ejercicios
D1.15 Se utiliza un CI MC7812 como regulador con un transformador con derivacin central para hacer la rectificacin de onda completa de una seal de 40 V
de amplitud pico a pico. Cul es el capacitor ms pequeo que se requiere para
proporcionar una salida de 12 V a 400 mA?
Resp.:
332 J-LF
~----------------~------1~
...
1.8
Recortadores y fijadores
43
Dl.16 En el ejercicio D1.15 se utiliza un MC7808 en lugar del MC7812. Cul

es el capacitor de menor valor necesario para filtrar la seal rectificada de onda
completa?
Resp.:
332 f..LF
1.8 RECORTADORES V FIJADORES

Los diodos tienen otras aplicaciones aparte de la rectificacin y la deteccin. Entre
ellas estn las de recortar una seal de entrada o limitar slo partes de la seal. Los
diodos tambin .se utilizan para restablecer un nivel de cd a una seal de entrada.
1.8.1 'Recortadores
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda
que se encuentre por encima o por debajo de algn nivel de referencia, Los
circuitos recortadores se conocen a veces como [imitadores, selectores de amplitud
o rebanadores. Los circuitos de rectificacin de la seccin anterior utilizan una
accin recortadora de nivel cero. Si se aade una batera en serie con el diodo, un
circuito rectificador recortar todo lo que se encuentre por encima o por debajo del
valor de la batera, dependiendo de la orientacin del diodo. Esto se ilustra en la
figura 1.34.
Para las formas de onda de salida indicadas.en la figura 1.34 se supone que los
diodos son ideales. Se extiende esta suposicin para el circuito de la figura 1.34(a)
mediante la inclusin de dos parmetros adicionales en el modelo del diodo. Primero, se supone que se debe sobrepasar una tensin V"'Y antes de que el. diodo
conduzca. Segundo, cuando el diodo conduce; se incluye una resistencia en directo, R], El efecto de V"'Y es hacer que el nivel de recorte sea V"'Y + Vs en vez
de Vs. El efecto de la resistencia es cambiar la accin recortadora planaa una
que sigue a la tensin de entrada en forma proporcional (es decir, un efecto de
divisin de tensin). La salida resultante se calcula como sigue, y se ilustra en la
'figura 1.35 ([34], Seco 10.2).
Para
Vi
< Vs + V"'Y'
,Vo
= Vi
Para
Los recortes positivo y negativo se pueden realizar simultneamente. El resultado es un recortador polarizado en paralelo, que se disea utilizando dos diodos
71
44
-4v
-4v
-4v
-4v
Figura 1.34
R
..,.,.
Vo
i1
Vi
'+
VB
VO
VB-=o
(a)
R
o
o
+
VVIo
Vo
VB
Vo
Vi
VB-=-
,,
,,
I
I
I
R
+
'\/lA
Vi
VB
o
fT
-=-
o
+
",
I
I
I
I
Vo
Vo
,,
,
,,
(b)
,,
I
t
,
,
-VB
"
,I ,,,
,,
,
,,
,
I
-,
\,
(e)
w.
Vi
o
+
Vo
Vo
vB-=-
(d)
Circuitos recortadores tpicos.
y dos fuentes de tensin orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda
de salida como.la mostrada en la figura 1.36 cuando se suponen diodos ideales. La
extensin a diodos prcticos es paralela al anlisis que conduce a los resultados de
la figura 1.35.
Otro tipo de recortador es el polarizado en serie, que se muestra en la figura 1.37.
La batera de 1 V en serie con la entrada provoca que la seal de entrada' se
superponga en una tensin de cd de -1 V en vez de estar simtrica alrededor
del eje cero. Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra
que el diodo de la figura 1.37(a) conduce slo durante la porcin negativa de la
seal de entrada condicionada (es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra
en conduccin, la salida es cero. Se tiene una. salida distinta de cero cuando el
diodo no conduce. En la figura 1.37(b), 10 contrario es cierto. Cuando la seal
condicionada es positiva, el diodo conduce y existe seal en la salida, pero cuando
el diodo est apagado, no hay seal de salida. Aunque la operacin de los dos
72
1.8
Figura 1.35
~,__.../~--""-FOnDade onda de salida
para el circuito de la figura
1.34(c).
Diodo en
--directo
1
,
:I
!
:
D'od
loen
inverso ---;
:',
,',
45
-l/o
J
L '-/
, -':':::=---:':::---~:-- -
:.
Recortadores y fijadores
Forma de onda distorsionada

---
____B_
Pendiente e R
:
"
l.,
"
Figura 1.36
Recortador con
polarizacin en paralele,
+'
1/;
::1 ~ v~
[O
'
+----\...---'r--_. t
-,------~
VB2 + V,
\~-; .'
circuitos es diferente, las dos salidas son idnticas. En la figura 1.37(c) y (d) se
invierte la polaridad de la batera, y en la salida se obtienen las formas de onda"
mostradas.
1.8.2 Fijadores
Una forma de onda de tensin se puede desplazar aadiendo en serie con ella una
fuente de tensin independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La
fijacin es una operacin de desplazamiento, pero la cantidad de ste depende de la
73
46
VB = 1 V
~--NI----'VV'v----'----<l
Diodo
ideal
Vi
+1
O
-1
I
I
,
,
'
-----~\-----f-,
f
I
I
\
,
\
. (a)
-3
---
VB = 1 V
Vo
c-~-NI-----li::*---'----Q
Diodo
ideal
Vi
~~I
(V)
+1
O .,L-~-\
-1
........
-
-----'T-----l
1-I
I
,
\
-3
(b)
----
~ .. ""I
110 (V)
Vi
(V)
2 +Vs
2- Va
O -+---"'_-+,
---4---1--_
\,
\
\
VB
2
Vi
1V
Vo (V)
(V)
-_=Rf~~;
2+Vs
:i__ 111:~~_I<lt-_
(d)
-;-\
/-,
"
,1'
I
I
1"
,\
I
\
. \
VB ------~-----~/------A_;-----7
O
Figura 1.37
--------~------------~-~-
(e)
\.'
2 -Va
Recortador con polarizacin en serie.
0--1....
----r-----,---<O
1
:i
ti
R~
~I__
+
110
V_B__ -~o
Vm s~nwt
(a) Entrada
Figura 1.38
(b) Circuito fijador
Circuito fijador.
74
(e) Salida cuando VB
< Vm
47
1.9, TIpos alternos de diodos
I"'(V)
-2
h .
.
t
tI
--
+
R
Vi
2 ---
O+---,-_....__
to
tI
'
'
.,'
(b) Fijador con constante de tiempo grande
(a) Entrada
Figura 1.39
Vo (V)
(V)
~<.
+2Ett-0
Vo
(e)
Salida con constante

de tiempo pequea
Fijacin en cero.
1....
forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de fijacin. La forma

de onda de entrada se encuentra desplazada por una cantidad que lleva el valor
pico de la onda desplazada al valor ,vE. Por tanto, la cantidad de desplazamiento.
es la cantidad exacta necesaria para cambiar el mximo original, Vm, al nuevo
mximo, VE. La forma de onda se "fija" al valor VE. Si la forma de onda en la
entrada cambia, la cantidad de desplazamiento se modifica de manera que la salida
siempre se fija en VE. As el circuito de fijacin proporciona un componente de
cd necesario para lograr el nivel de fijacin deseado.
Un circuito de fijacin est compuesto de una batera (o fuente de cd), Undiodo,
un capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que
la constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un
valor constante y permanezca en ese valor durante el periodo de la onda de entrada.
Si se cumple esta condicin y se supone que la resistencia en directo del diodo es
cero, la salida es.una reproduccin de la entrada con el desplazamiento adecuado.
Cuando la salida trata de exceder VE, el diodo se polariza en directo y la salida se
limita a VE. Durante esos instantes, el capacitor se carga.' Cuando se alcanza el
estado estacionario, el capacitor se carga al valor
En la figura 1.39 se ilustra un circuito de fijacin donde la salida se fija a cero

(es decir, no existe batera, por lo que VE = O). Como el diodo se encuentra en
direccin opuesta al del circuito previo, se fija el mnimo en lugar del mximo de
la salida. Se muestra el circuito con una onda cuadrada como entrada. Es importante que la tensin a travs del capacitor permanezca aproximadamente constante
durante el semiperiodo de la onda de entrada. Una regla prctica de diseo es
hacer que la constante de tiempo RC tenga al menos cinco veces la duracin del
semiperiodo (es decir, cinco veces ti - to o t2 - ti). En este caso, el circuito RC
tiene.menos del 20% de la constante de tiempo para cargarse o descargarse durante
el semiperiodo. Esto coloca el valor final en poco menos del 18% del valor inicial
(o sea, exp(-0.2) = 0.82). Si la constante de tiempo es muy pequea, la onda se
distorsiona, como se muestra en la figura 1.39(c). ((6J, Seco 1.22.) Para reducir el
error a menos del 18%, se puede incrementar la constante de tiempo (por ejemplo,
10 veces la duracin del semiperiodo).
......
75
48
1.9 TIPOS ALTERNOS DE DIODOS

Esta seccin presenta brevemente los siguientes tipos de diodos:
Schottky
Varactor
Tnel
Emisor de luz
,. Fotodiodo
PIN .
1.9.1
Diodos Schottky
El diodo Schottky se forma al enlazar un metal. como aluminio o platino, a silicio de tipo n, Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de
conmutacin de alta velocidad, Su smbolo y su construccin se muestran en la
figura 1.40. El diodo Schottky tiene una caracterstica de tensin contra corriente
similar a la del diodo de unin pn de silicio, excepto porque la tensin en directo,
V-y, es 0.3 V en vez de 0.7 V. Cuando el diodo Schottky se opera en modo
directo, se induce corriente 'por el movimiento de electrones del silicio de tipo n
a lo largo de la unin y a travs del metal. Como los electrones se mueven casi
sin resistencia a travs de los metales, el tiempo de recombinacin es pequeo,
del orden de 10 ps. Esto es ms rpido que un diodo ordinario de unin pn. Por
tanto, el diodo Schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutacin de alta
velocidad. La capacitancia asociada con el diodo es pequea.
El material metlico en el contacto 1 y la regin n poco contaminada forman
una unin rectificadora, mientras que la regin n muy contaminada y el contacto
2 forman un contacto hmico. Los electrones en direccin directa del silicio de
tipo n cruzan la unin hacia el metal, donde existen muchos electrones disponibles. Esto produce un dispositivo de portadores mayoritarios que contrasta con
los diodos estndar de uni6n pn, donde los portadores minoritarios determinan las
caractersticas del diodo.
El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una
barrera a travs de la unin debido al movimiento de electrones del semiconductor
a la interfaz metlica.
Los diodos Schottky son tiles en la tecnologa de Cl porque resultan fciles
de fabricar y pueden construirse al mismo tiempo que .los otros componentes del
circuito integrado (chip). La fabricacin de un diodo Schottky en un circuito
integrado requiere de un paso menos que la fabricacin de un diodo de unin pn, ya
que ste necesita la difusin adicional del tipo p. Las caractersticas de bajo ruido
del diodo Schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisin de potencia de
radiofrecuencias de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores
de radar Doppler.
76
1.9 TIpos alternos de diodos
49
iD
Metal
(a) Conduccin
(b) Smbolo
?
Figura 1.40
Diodo Schottky.
..... ''''..,
-.
Figura 1.41
Caractersticas del diodo tnel.
'"1.~.2 Diodos varactor

Los diodos de unin pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo
de polarizacin inversa. El diodo varactor se fabrica especficamente para operar
en este modo. La capacitancia es una funcin de la inversa de tensin. Por tanto,
el diodo acta como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una
funcin de la tensin de entrada.
Un uso comn de este diodo es en el oscilador controlado por tensin (VCO,
voltage controlled oscillatory-. El VCO es un generador senoidalcuya frecuencia
de salida depende de la tensin de entrada.
1.9.3 Diodos tnel (diodo Esaki)

El diodo tnel est ms contannado que el diodo Zener, provocando que la zona
desrtica sea pequea. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el
diodo tdnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la po- .
larizacin directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce
la ruptura. Entonces la corriente cae rpidamente. Esta caracterstica se muestra
en la figura 1.41. La regin de pendiente negativa de la caracterstica se puede
modelar como resistencia negativa en serie con una fuente de cd. El diodo tnel
es til debido a esta regin de resistencia negativa. Como ejemplo, se puede utilizar en conjuncin con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta
frecuencia y alta Q.
La regin de resistencia negativa de un diodo tnel se desarrolla de manera
caracterstica en el intervalo de 50 mV a 250 roV. Esta tensin relativamente baja
limita sus aplicaciones ([36J, Seco 3.4).
1.9.4 Diodos emisores de luz y fotodiodos

Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en
fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz (LED; light emitting diode)
.,
...-;~
77
.~.
50

transforma la corriente elctrica en luz. Es til p,aradiversas formas de despliegues,
y a veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones
por fibra ptica.
Un electrn puede caer de la banda de conduccin a un hueco y liberar energa
en la forma de un fotn de luz. La relacin entre momento y energa en el
silicio y el germanio es tal que el electrn"libera su energa como calor cuando
regresa de la banda de conduccin a la de valencia. Sin embargo, en un cristal
de arseniuro de galio el electrn produce un fotn cuando regresa de la banda de
conduccin a la de valencia. Aunque no existen suficientes electrones en un cristal
intrnseco para producir luz visible, cuando se aplica polarizacin directa, se inyecta
un gran nmero de electrones del material n al p. Estos electrones se combinan con
huecos en el material p en el nivel de energa de la banda de valencia, y se liberan
fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de recombinacin de "
electrones y, por tanto, proporcional a la corriente del diodo. El diodo de arseniuro
de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a la banda infrarroja.
Para producir luz en el intervalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el
arseniuro de galio.
Unfotodiodo realiza la funcin inversa al LEO. Esto es, transforma la fuente de
energa lumnica en corriente elctrica. Se aplica polarizacin inversa al fotodiodo
y la corriente de saturacin inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina
el diodo. La luz genera pares electrn-hueco, que inducen corriente. El resultado
es una "fotocorriente" en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad
de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente
constante mientras la tensin no exceda la tensin de avalancha. Los tiempos de
respuesta son inferiores a 1 J.Ls. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el
rea de la unin se hace mayor, ya que se pueden colectar ms fotones, pero esto
tambin aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unin se vuelve
mayor.
En la figura 1.42 se muestra un fotodiodo. La corriente inversa, -Ip, aumenta
conforme lo hace la intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuacin (1.18) para
estimar la corriente del fotodiodo, Ip:
Ip
= TlqH
(1.18)
donde
TI
eficiencia cuntica
q = carga del electrn: 1.6 x 10-19 e
H = 4> x A = intensidad de luz en fotones/s
4> = densidad de flujo de fotones en fotones/s-cnf
A = rea de la unin en cm2
Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unin y un
amplificador, casi siempre en un circuito integrado. Se deja el anlisis de este tipo
de dispositivo para el captulo 3.
______ ~
78
"
1.10 Especificaciones de los fabricantes
51
+i
Figura 1.42
El fotodiodo.
,P
L
A
"""', r-_:""',--O---f--[>t--t----o--,
,~'
'"
",
Ho
HJ
H2
H3
H4
Ir
.~
1.9.5' Diodos PIN

Un diodo que tiene una regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones p y n se llama diodo PlN. El nombre se deriva del material intrnseco entre
la.s capas p y n. Debido a su construccin, el diodo PIN tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en
directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad' de la
regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totaimente '
de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. La
estimacin 'mxima de tensin del diodo se determina por la intensidad del campo
crtico para la avalancha y el espesor de la regin i.
Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, alternadores y
desplazadores de fase en radiofrecuencia. Con una corriente de control variable,
los diodos PIN se utilizan en modulacin de amplitud ([36], Seco 3.4).
1.10
ESPECIFICACIONES DE LOS FABRICANTES

La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que
puede soportar sin daarse. Cada fabricante desarrolla estos criterios en las hojas de especificaciones del dispositivo. Algunos ejemplos de especificaciones del
fabricante se dan en el apndice D.
A .continuacin se listan los parmetros principales que se encuentran en la hoja
de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
l.
2.
3.
4.
Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del.fabricante. '

Tensin inversa pico (PIV).
Mxima corriente inversa en PIV.
Mxima corriente de cd en directo.
79
52

5.
6.
7.
8.
Corriente promedio de media onda rectificada en directo.

Mxima temperatura de la unin.
Curvas de degradacin de corriente.
Curvas caractersticas para cambios en temperatura de tal forma que el dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas.
En el caso de los diodos Zener, por lo general aparecen los siguientes parmetros
en las hojas de especificaciones:
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico o el nmero del fabricante.
2. Tensin Zener nominal (tensin de ruptura por avalancha).
3. Tolerancia de tensin.
4. Mxima disipacin de potencia (a 25C).
5. Corriente de prueba, IZT.
6. Impedancia dinmica a IzT.
7, Corriente de vrtice.
8. Mxima temperatura en la unin.
9. Coeficiente de temperatura.
10. Curvas de degradacin para altas. temperaturas.
Se escoger un ejemplo de especificacin y se ver la informacin suministrada
por la hoja de especificaciones. Utilizando el diodo rectificador lN4001 mostrado
en el apndice D, se encuentra la siguiente lista: .
1. pIV 50 V.
2. Mxima corriente inversa (a la tensin en cd estimada) a 25C = 10 .LA. A
100C la mxima corriente es 5.LA.
3. Mxima cada instantnea de tensin en directo a 25C 1.1 V.
4. Corriente rectificada promedio en directo a 25C 1 A.
5. Intervalo de temperatura en la unin para operacin y almacenamiento (Tj) =
-65 a +175C.
6. Se presenta una figura de temperatura contra montaje en un circuito impreso
para varias cargas.
7. Se presenta una figura para efectos de longitud de la terminal para cargas
resistivas contra temperatura.
En la figura 1.43 se muestra una tpica curva de degradaci6n de corriente. Esta

curva indica el ajuste requerido en la corriente estimada conforme la temperatura
aumenta ms all del ambiente. A menudo se presenta una curva similar para
degradacin de potencia.
Ntese que el fabricante no proporciona las curvas de degradacin estndar
para el lN4001. Sin embargo, la informacin brindada es ms que suficiente para
asegurar que el diodo de unin no se sobrecaliente al operar en varios modos
circuitales. En la prctica} los diseadores deben asegurar que el diodo est sujeto
a valores de corriente que se encuentren al menos entre el 20% y el 30% por debajo
de los valores mximos publicados. En algunas aplicaciones (como las militares o
espaciales), se requiere un ajuste de hasta 50%.
80
/
53
Problemas
Figura 1.43
Curva de degradacin
de corriente.
Teo ;. Temperatura del

. empaque a la
cual ocurre la
degradacin
PROBLEMAS
1.1 Bosqujese la salida del circuito mostrado en la figura PU cuando la entrada,
Va, es una onda cuadrada de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s.
Supngase que el diodo es ideal.
1.2 Bosqujese la salida del circuito mostrado en la figura P1.2 (el diodo es ideal)
cuando Va es:
.
a. Una onda cuadrada de 100 V pico a pico con periodo de 2 s.
b. Una onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo ele2 s.
c. Una onda triangular de 40 V pico a pico con un periodo de 2 s.
SOOkn
R,
+
v,
iovn
Figura PI.1
+
Rl.
Vo
Figura PI.2
1.3 Bosqujese la salida del circuito mostrado en la figura P1.3 cuando Va es una
onda senoidal de 100 V pico a pico con un periodo de 2 s. Supngase que
el diodo es ideal.
'
'
81
54
Figura Pl.3
1.4 Si la carga de salida de un rectificador de media onda es 10 kn, qu valor

de capacitor se requiere para obtener una tensin de salida que no vare ms
del 5%? La tensin de entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remtase a la
figura PU. Dibjese la forma de onda de la salida.
1.5 Si la carga de salida de un rectificador de onda completa es 10 kn, qu valor
de capacitor se requiere para mantener una tensin de salida que no vare ms
del 10%? La entrada es de 100 V rms a 60 Hz. Remtase a la figura P1.3.
Dibjese la forma de onda de la salida.
1.6 Una seal de radiofrecuencia (rf) de 2 MHz se modula con una seal de 15
kHz, con ndice de modulacin de 0.5. Qu capacitancia se debe utilizar a
travs de un detector de 2 kn de carga para filtrar la rf sin afectar la seal
modulante?
1.7 Grafique ID contra VD para un diodo de silicio si la corriente de saturacin
inversa, 10 = 0.1 j1A utilizando n = 1.5 para el silicio. Determnese tambin
la tensin de encendido del diodo.
1.8 Grafique ID contra VD para un diodo de germanio si la corriente de saturacin
inversa, lo = 0.01 mA. Determnese tambin la tensin de encendido para el
diodo (esta curva se puede trazar en la misma grfica que la del problema 1.7).
1.9 Un diodo particular tiene una corriente de saturacin inversa de 0.2 j1A,
n = 1.6 Y VT = 26 mV. Determnese la corriente del diodo cuando la tensin
a travs de ste es 0.4 V. Determnese tambin la resistencia en directo del
diodo en este punto de operacin.
1.10 Para el circuito mostrado en la figura P1.4, determnese la corriente a travs
del diodo cuando la tensin de cd a travs de ste es de 0.6 V para el intervalo
de corriente y nVT = 40 mV.
Ion
20
11
+
10 senlOOOt rnV
Figura Pl.4
Figura Pl.5
82
Problemas,
55
1.11 Para el circuito mostrado en la figura P1.5, determnese h para cada caso.
a. Cuando los diodos se consideran ideales.
b. Cuando los diodos no se consideran ideales con R, = 10 ny VD = 0.7 V.
Ignrese la corriente de saturacin inversa.
'--'_
'1.12 Un diodo Zener se conecta en un circuito, como se muestra en la figura Pl.6.

Cul es el valor de la resistencia R; que mantiene la tensin en la carga a
12 V (Vz) si la corriente en la carga es 1 A Y la tensin de entrada vara
de 14 a 20 V? Cul es el margen de potencia necesario para el resistor y el
diodo Zener?
. ..__ .....
Figura Pl.6 '
1.13 Si un diodo Zener se conecta en un circuito como el mostrado en la figura P1.6, cul es el valor del resistor R, que mantiene la tensin en la
carga a 12 V (Vz) cuando la carga varia de 50 mA a 500 mA Y la tensin
de entrada vara de 15 a 20 V? Determnese el margen de potencia requerido
para el resistor y el diodo Zener.
1.14 El regulador Zener mostrado en la gura.Pl.? utiliza un diodo Zener de 20
V para mantener 20 V constantes a travs de la resistencia de carga, RL.
Si la tensin de entrada vara de 32 a 43 V Y la corriente en la carga vara
de 200 mA a 600 mA, seleccinese el valor de R; para mantener la tensin'
constante a travs de la carga. Determnese el margen de potencia para el
resistor y el diodo Zener. Supngase que Rz = O.
1.15 El regulador Zener mostrado en la figura P1.7 utiliza un diodo Zener de 9 V
para mantener 9 V constantes a travs de la carga, con una entrada que vara
entre 16 y 25 V Yuna salida que vara entre 100 mA Y 800 mA. Considrese
que Rz =0.,
a. Seleccinese el valor de R; necesario y determnese el requerimiento mnimo de potencia.
Figura PI.7
83
56

b. Determnese el margen de potencia del diodo Zener.
c. Calclese la variacin pico a pico en la salida si Rz
= 1 n. ,
1.16 Considerando que no existen prdidas en los diodos rectificadores de la figura P1.8, cul es el valor de R necesario para mantener VL a 16 V con
una corriente en la carga de 1 A utilizando un diodo Zener de 16,V? Vi varia
entre 110 y 120 V rms a 60 Hz. Supngase que Rz = O. La tensin hacia el
regulador debe ser al menos 5 V arriba de Vz.
R,
h '
2:
lJ..---[)I-----..----r---'lJIIv--,--::=~--<>
+
Figura P1.8
1.17 Suponiendo que no existe cada de tensin en el diodo rectificador de la

figura P1.8, cul es el valor necesario de R; para mantener VL a 16 V con
una carga de 1 A? La tensin de entrada al transformador es de 110 a 120 V
rms a 60 Hz. La salida filtrada del rectificador no debe variar ms de 5 V.
Determnese el margen de potencia necesario para el resistor y el diodo Zener.
1.18 Utilizando los valores para la tensin de entrada a R del problema 1.17 pero
con un Zener de 12 V, cul debe ser el valor de R; para mantener 12 V en
la salida si la carga varia de 20 mA a 600 mA? Qu tamao debe tener el
capacitor?
'
1.19 Utilizando el circuito de la figura P1.8 y suponiendo que no hay prdidas en
los diodos rectificadores, cul es el valor de R; para mantener 12 V a travs
de la carga utilizando un Zener de 1.2V cuando Vi es de 110 a 120 V rms a 60
Hz? La salida del rectificador cae 20% debido al tamao del capacitor, el;
y la carga vara de 20 mA a 500 mA. Cul es el tamao del capacitor?
1.20 Reptase el problema 1.19 utilizando un MC7812 para reemplazar el regulador
discreto mostrado. Determnese el mnimo tamao necesario del capacitor.
'~
"1.21 Con una forma de onda de entrada de 10senwt, cul es la forma de onda de
- salida para los circuitos recortadores mostrados en la figura P1.9? Suponga
que todos los diodos son ideales.
'~ '1~22)Disese un fijador que proporcione +2 V de nivel fijo a una onda de entrada
- cuadrada para el circuito mostrado en la figura Pl.IO. La magnitud de la
,
onda cuadrada de entrada es 4 V con un periodo de 100 us.
'~(
1.13"En los circuitos recortadores con diodos de la figura PUl, Vi 20 sen wt,
,R = 2 kn y VR 10 V. La tensin de referencia se obtiene de una terminal
un divisor de 10 kn conectado a una fuente de 100 V. Desprciense todas
en
84
---57
Problemas
sv
~~
Vi
RI
o
(b)
(a)
~"'~-v--'f--~
+
Vi
5V
VO
Vi
~o-------------][L----o
(e)
(d)
Figura PI.9 '
.o
+
e
1I
~.
Vi
+v
o:
ka
Va
w.
Vi
,1
~I
"
Va
\ VR~
O
(a)
Figura PI.IO
Vi
VR~'
''--._,.
+
Va
.:
(b)
Figura PUl
::--
n.
."-
..
las capacitancias. La resistencia en directo del diodo es 100

R; oo,
y V-y O. Dibjense las formas de onda de ,entrada y salida. Aplquese el
teorema de Thvenin para la red divisora de la tensin de referencia.
1.24'a. La tensin de entrada, Vi. al recortador mostrado en la figura Pl.12(a)

vara en forma lineal de Oa 175 V. Bosqujese la tensin de salida Va en
la misma grfica que la entrada. Supngase diodos ideales.
b. Reptase la parte (a) para el circuito de la figura PL12(b).
DI
D2
100 kl
200 k!l
+
Vi
.o
100 V
+
DI
V"
30 V
D2
100 kn
Vo
Vi
75 V
I
.o
200 k!l
(a)
1
(b)
Figura PU2
85
30 V
.o
58
, Captulo 1 Anlisis de circuitos con diodos semiconductores
Figura PI.13
'\,
/1.25 .Una fuente ideal de tensin senoidal de la kHz cuyas excursiones pico son
de la v con respecto a tierra se aplica al circuito fijador con diodo de la
figura Pl.13. Supngase que R = 00, R; = O, = 1.F,el diodo tiene una
R; 00, R O y V,,,= O, y la resistencia de la fuente es cero. Bosqujese
la forma de onda en la salida.
1.26 La seal mostrada en la figura Pl.13 con una frecuencia de 10 kHz se aplica
al circuito, con valores R, = O, R = 10 kO,
= 1 .F,R = O, R; = 00' y
V,,,=O.
a. Bosqujese la forma de onda en la salida, Vo.
b. Reptase la parte (a) si J? = 1 kO y
0.1 .F.
"\
e=
1.27' Qu'tipo de recortador se necesita para obtener las formas de onda ilustradas
en la figura P1.14? Sup6ngase que la entrada es 10 sent volts. Dibjense y
etiqutense los circuitos.
Vo
Vo
,.,.....,
I
I
(a}
-'
(b}
!~;.
u
+5
Vo
I
I
+5
,
\
I
I
-'
(e)
(d)
Figura PI.14
,',
,/-,
/-,\
86
:.~_.:::
Problemas adicionales
59
PROBLEMAS ADICIONALES
PAI.I Disee una fuente de energa con un rectificador de media onda que tiene
una entrada de 120 V rms a 60 Hz, con una salida mxima de 17 V
y una mnima de 12 V. La fuente debe proporcionar energa a un circuito .electrnico que necesita una corriente mxima de 1 A. Determine la
configuracin del circuito, la razn de vueltas del transformador y el tamao
del capacitor. Suponga que los diodos y el transformador son ideales.
PAl.2 Repita el problema anterior con un rectificador de onda completa.
PAt.3 Determine el valor del capacitor para el circuito mostrado en la figura 1.24
cuando a = 6 y RL = 50 O. La tensin mnima en la carga no debe caer
ms de un 20%.
PAI.4 Disee una fuente de energa con un rectificador de onda completa, un
transformador con razn de vueltas de 4:1 con derivacin central y un diodo
Zener de 8 V Y2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga que vara
de 200 a 500 O. La tensin de entrada al transformador es de 120 V rms,
60 Hz. Ignore las prdidas en el transformador y los diodos., Determine:
a. Iz-.
b.
e [z mSo'
Ri y VsmSo
c. El valor del capacitor necesario.

d. El porcentaje de regulacin cuando Rz
= 2 O.'
PAI.S Disee una fuente de energa regulada con.un rectificador de onda completa,
un transformador con razn de vueltas de 5:1 con derivacin central y un
diodo Zener de 8 V y 2 W, que proporcione 8 V constantes a una carga
que vara de 100 a 500 O. La tensin de entrada al transformador es de
120 V rms, 60 Hz. Ignore las prdidas en el transformador y los diodos.
Determine:
a. 1zm e Izo'
b. Ji; Y Vs mSo'
c. El valor del capacitor necesario.
d. El porcentaje de regulacin cuando Rz
= 2 O.
e. La potencia de R.
PAl.6 a.' Dibuje la seal de salida para el circuito mostrado en la figura PAl.1(a)
si Vi = 9 sen 1000t V. Muestre los valores mximo y mnimo en el dibujo
y la ecuacin de las curvas para diferentes intervalos de tiempo. Suponga
que los diodos son ideales.
b. Repita el problema para la figura PAl.l(b).
87
..
60

2kn
2kn
+
+
4 kn
tlj
v"
SV
4V
Va
6V
(b}
(al
Figura PAI.I
4 kn
Vi
PAl." Disee un circuito recortador para obtener la salida mostrada en la figura PA1.2 a partir de una onda cuadrada simtrica de 10 V. Suponga
que V")' = 0.7 V.
'PAl.S Disee un circuito sujetador para obtener la salida mostrada en la figura PA1.3. Suponga que el capacitor disponible es de 0.1 f.LF y que la
entrada es Vi 5 sen 25 OOOtV. Suponga 'que V")' = 0.7 V.
PA1.9 Seleccione un resistor para limitar la corriente e iluminar en forma adecuada

un LEO cuando se aplican 8 V al LEO.
o ---- ---------
5sen 25 OOOt
+3 t-----,
--------
- -e- t
-7 --------..__---'
Figura PAl.3
Figura PAl.2
88
1-
AMPLIFICADORES
CON TRANSISTORES
BIPOLARES
-DE UNIN
2.0 INTRODUCCiN
El anlisis bsico de circuitos es el estudio de la interconexin de dispositivos pasivos y fuentes. Los dispositivos pasivos lineales incluyen resistores, capacitores
e inductores..Estos dispositivos realizan las operaciones lineales de multiplicaci6n
proporcional, integracin y diferenciacin. LaS fuentes independientes son de corriente o de tensin, y los valores de sus salidas no dependen de ningn otro valor
en el circuito. Las fuentes dependientes se caracterizan- por tener una comente o
tensin de salida, funcin de un parmetro en alguna rama del circuito separada de
aquella de la fuente.. Por lo general, las fuentes dependientes surgen del modelado
de dispositivos activos como los transistores bipolares de unin, los transistores de
efecto de campo y los amplificadores operacionales.
El estudio de dispositivos activos en este libro se inicia con el transistor bipolar
de unin. En 1948 John Bardeen, Walter H. Brattain y William Shock:ley de
Bell Telephone Labortories construyeron y probaron el primer transistoi:. Era un
dispositivo imperfecto (no refinado) de baja ganancia; en realidad, no tena mayores
propsitos que los de experimentar en el laboratorio. Por otra parte, en la industria
el tubo de vaco reinaba en aplicaciones que iban desde bienes de consumo hasta
usos militares. Sin embargo, existan algunas funciones que el tubo no poda
desempear sin un gran gasto. An ms, ciertas aplicaciones eran imposibles de
lograr utilizando tubos de vaco. Poco despus de la invencin del transistor, los
.61
~
..
89
62
Capitulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin

ingenieros vieron sus ventajas en pequeos dispositivos porttiles y empezaron a
mejorar su desempeo. El resultado fue una continua evolucin que condujo al
transistor de hoy en da. Durante los aos sesenta, los procesos y mtodos de
fabricacin se mejoraron de forma tal que el transistor pudo construirse de manera
confiable. Esto produjo una explosin en la industria electrnica, pues muchos
productos se podan construir en forma barata. La capacidad de manejar potencia
y las frecuencias mximas de operacin se incrementaron de forma constante en
este periodo. En la actualidad el transistor ha reemplazado casi completamente al
tubo de vaco, excepto en algunas aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
2.1
FUENTES DE TENSiN y DE CORRIENTE DEPENDIENTES

Las fuentes dependientes producen una tensin o corriente cuyo valor est determinado por la existencia de una tensin o corriente en otro lugar del circuito (ntese
que los dispositivos pasivos producen una tensin o corriente cuyo valor se determina por una tensin o corriente en el mismo lugar del circuito). Las fuentes de
tensin y corriente dependientes o independientes son elementos activos, esto es,
capaces de suministrar energa a algn dispositivo externo. Los elementos pasivos
no pueden generar energa, aunque pueden almacenar cantidades finitas de sta
para su distribucin posterior, como es el caso de los capacitores e inductores.
En la figura 2.1 se muestra un circuito que contiene una fuente dependiente. La
fuente de tensin depende del valor de la tensin, VR2. El factor de amplificacin
es 4. La ley de tensiones de Kirchhoff (LTK) se aplica al lazo para obtener
10 = (5000)1 + 4VR2
VR2
= (5000)1 + 3VR2
Entonces, utilizando la ley de Ohm, se obtiene
V:R2 = -(1000)1
Sustituyendo esto en la ecuacin de lazo, se tiene
10 = (5000)1 + 3VR2
= (5000)1 -
(3000)1 = (2000)1
Por tanto,
1=5 roA
VR2
= -5 V
4VR2
= -20
90
'l.
z:
Nodo 2
Nodo 1
Skn
63
Fuentes de tensin y de corriente dependientes
4VR,
...----w_--<+-.>----,
'\
,...,
12 kn
Rz
1 in
L--
t \..
1,' } lo
"T'
-+
..___
__ ,/
1
I
B
Figura 2.2 Circuito con una fuente de corriente dependiente.
Figura 2.1 Circuito 'con una fuente de tensin dependiente.
La tensin a travs de la fuente dependiente es dos veces mayor que la de la fuente

independiente.
Si la batera de 10 V se reemplaza por una fuente de tensin alterna, la tensin a
travs de la fuente dependiente tendr el doble de amplitud que la entrada y estar
1800 fuera de fase.
Ahora se analizar un circuito simple que contiene una fuente de corriente
dependiente, como el mostrado en la figura 2.2. Ntese que este circuito slo cuenta
con una fuente dependiente y resistores; no existe una fuente independiente de
energa. Por tanto, sin conexiones externas, el circuito se mantendr con corrientes
y tensiones cero para cada rama (verifquese que haciendo todos'los parmetros
iguales a cero se satisfacen las leyes de corriente y de tensin de Kirchhoff). Este
circuito tiene inters slo cuando se conectan circuitos adicionales (en este caso, a
las terminales A y B).
Se encontrar el equivalente de Thvenin del circuito visto a travs de estas dos
terminales. La tensin de circuito abierto es cero, por lo que todo el circuito es
equivalente una sola resistencia. La resistencia de Thvenin no se puede encontrar
utilizando combinaciones simples de resistores debido a la presencia de la fuente
dependiente. Tampoco se puede encontrar utilizando la tcnica de evaluar la tensin
de circuito abierto y hacer un cortocircuito en la corriente para luego tomar la
razn. Ambas cantidades son cero, por lo que este mtodo conduce a una respuesta
indeterminada. El mtodo ms utilizado en este tipo de problemas es suponer que
se aplica una fuente de corriente o tensin a las terminales, evaluar la tensin o
corriente resultante, y entonces tomar la razn para encontrar la resistencia.
Supngase que se aplica una corriente io como se muestra con lneas punteadas
en la figura. La ley de corrientes de Kirchhoff (LCK) (anlisis de nodos) en el
nodo 1 da
Vl
12000 -
Vl - Vo
3tl
+ 2000
=O
En el nodo 2,
Vo - Vl
Vo
2000 + 4000
= to
91
.J
64
Captulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin

Sustituyendo i = vo/4000 en la ecuacin anterior, se tiene
Tu, - 15vo = O
- 2v + 3vo
= 4000io
Se utiliza la regla de Cramer para resolver este sistema de ecuaciones y obtener
1!2I
io
7
-2
X 04000
I = (28000)io = (-31l0)i
-151
3
21 - 30
V
a
La resistencia equivalente, Rm, se obtiene dividiendo
Va
por
ia
para obtener
Rm = -3.11 k!t
El hecho de que la resistencia sea negativa sugiere una ganancia de potencia, o
amplificacin. Este circuito no consume energa. Al contrario, la suministra,
o produce ganancia de potencia.
En la figura 2.3 se ilustra una configuracin comn en anlisis de circuitos
de estado slido. Se encontrar la ganancia de tensin y de corriente de este
sistema. La ganancia de tensin se define como la razn de la tensin de salida a
la de entrada. Del mismo modo, la ganancia de corriente es la razn de corriente
de salida a corriente de entrada. La corriente de entrada es
.
~en
Vi
= Ren =
20senwt mV
1 k!t
= 20 sen wt J,LA
Se puede utilizar una relacin de divisor de corriente para encontrar i.

. _ 2000(20 senwt J,LA) _ 10
2000 + 2000
senwt J,LA
~-
. La tensin de salida est dada por

Va
= -l00i
donde
Va
11
(lO k!t
11
10 kn)
indica una combinacin de resistores en paralelo.
= -(5OOO00)i = -500000(10
92
10-6 senwt) = -5 senwt V
2.2 Transistores bipolares

Figura 2.3
Circuito de estado slido
equivalente.
+
Vi
= 20 sen et.
~i1
2kO
2kO
io
l00~
IOkO
65
io rn
rnV
Entonces, utilizando una relacin de divisor de corriente, se encuentra que la corriente de salida es
.
~o
lOOOO(-looil)
.
10000 + 10000 = -50~l .
La ganancia de tensin es
Vo
Vl
-5 senwt = -250
O.02senwt
La ganancia de corriente es
~ = ~50(lO p.A)
ien
. 20 .tA
= -25
2.2 TRANSISTORES BIPOLARES

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene
dos terminales. ste consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor
consiste en dos materiales de tipo n separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales p separados por un material n (transistor pnp). En la
figura 2.4(a) se incluye la representacin esquemtica de un transistor [22].
Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector.
El emisor, capade tamao medio diseada para emitir o inyectar electrones, est
bastante contaminado. La base, con una contaminacin media, es una capa delgada
diseada para pasar electrones. El colector, capa grande diseada para colectar
electrones, est po~o contaminado.
.
El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas "espalda contra
espalda"; stas se denominan transistores bipolares de unin (BIT, bipolar junction
transistor).
93
66

Base
Figura 2.4
El transistor bipolar.:
11/ I
~COI~<O<
e
Emisor
Colector
Emisor
Base
1/
Emisor
~colector
11
Emisor
Colector
(a) Smbolos de ciruito
1I1I
n
Regin
desrtica
(b) Diagrama potencial colina
Para explicar la operacin del transistor, se desarrolla un modelo matemtico

simple basado en las caractersticas operacionales del dispositivo para la regin en
la que se est trabajando. A fin de mantener la sencillez del modelo, se restringe el
anlisis a bajas frecuencias. En el captulo 3 se modifica este modelo simple para
incluir las resistencias de entrada. Luego, en el captulo 10, se ampla el modelo y
se incluyen componentes adicionales para poder analizar la operacin del transistor
en alta frecuencia.
El presente modelo es suficiente para exponer los conceptos y disear varias aplicaciones tiles en baja frecuencia. Intencionalmente se presenta poco complicado,
de manera que es posible encontrar soluciones de forma cerrada a las ecuaciones
resultantes. No obstante, si se requieren resultados ms exactos, puede ser necesario el anlisis por computador. Se ha desarrollado un programa de anlisis
apoyado por computador, que se conoce como SPICE (simulated program with
integrated circuit emphasis; vase el Ap, A Y (36], pg. 254) Y utiliza el modelo
de Gummel-Poon ([16], pg.. 286). Muchas compaas estadounidenses utilizan
SPICE para desarrollar circuitos de muchos transistores y tambin para realizar
anlisis de "peor caso" en circuitos y determinar los efectos de la tolerancia de los
componentes.
En el captulo 10 se comentan modelos similares al de Gurnmel-Poon utilizado
en SPICE, considerando el anlisis y el diseo en alta frecuencia.
94
2.3 Operacin del transistor
67
2.3 OPERACiN DEL TRANSISTOR
Una explicacin sencilla pero efectiva de la operacin del transistor npn se lleva a
cabo utilizando la tcnica de diagramas de barrera de potencial de la figura 2.4(b).
Este mtodo ilustra de manera simplificada la operacin bsica de un transistor
bipolar de tal forma que se puedan entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando
la unin base-emisor se polariza en directo y la unin base-colector en inverso, los
electrones que dejan el material 11 del emisor slo ven una barrera de potencial
pequea en la unin np. Como la barrera de potencial es pequea, muchos de los
electrones tienen la suficiente energa para llegar al tope de ella. Una vez en el
tope, los electrones se mueven fcilmente a travs del material p (base) a la unin
pn (base-colector). Cuando se acercan a esta unin, los electrones se encuentran
bajo la infuencia de la fuente de tensin positiva y se mueven con mucha rapidez
conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacin en
directo de la unin base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los
electrones que dejan el emisor les ser ms difcil alcanzar el tope. Los electrones
que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energa, y los que alcanzarn
el colector. Por tanto, una reduccin de la polarizacin en directo provoca que la
corriente a travs del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al
incrementar la polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera
de potencial y se permite el flujo de un mayor nmero de electrones a travs del
transistor.__
El flujo de corriente en un transistor de. unin tambin se puede entender mediante el examen del comportamiento de los portadores de carga y las regiones
desrticas.' Estas regiones se indicaron en la figura 2.4(b). Ntese que como la
:Unin base-emisor est polarizada en directo, la regin desrtica es relativamente
delgada. Lo inverso es correcto para la unin base-colector., Un gran nmero de
portadores mayoritarios (electrones) se difunde a travs de l unin base-emisor,
puesto que' sta se halla polarizada en directo. Estos electrones entran a la regin
de la base y tienen dos opciones. Podran dejar esta regin a travs de la conexin
con las fuentes de alimentacin o continuar hacia la regin de colector a travs
de la amplia regin desrtica de la unin polarizada en inverso. Lo normal sera
.esperar que la mayor parte de esta corriente regresara a la fuente, excepto por las
siguientes observaciones. Como la regin de base es muy delgada, estos electrones
necesitan viajar una distancia ms corta para ser atrados por "la fuente positiva del
.colector.Adems, ~. material de la base posee una.conductividad baja. por lo que
el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En realidad,
una cantidad muy pequea de los electrones deja la base a travs de la conexin
con la fuente; la mayor parte de la corriente fluye hacia el colector.
El transistor de unin bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede
. utilizar para amplificar seales. En la figura 2.5 se muestra el circuito equivalente
simplificado de un transistor npn. Por lo general, este modelo es adecuado para el
diseo y anlisis de muchos circuitos.
En la figura 2.6 se muestra un circuito simple para obtener ganancia de corriente. Se aplica una fuente de tensin a travs de la u':lin base-emisor, y se
95
68
r---~c
Bo---...., I
t iB
R
Figura 2.5
Circuito equivalente
simplificado del transistor.
iB = corriente de base
i = corriente de colector
iE = corriente de emisor
R = resistencia entre
base y emisor
Base
ic
Figura 2.6
Circuito simple de
transistor.
Fuente
Carga
Colector'
F'~~?ti;, It"
ic
t~,
Emisor
(a)
(b)
,
conecta una resistencia entre colector y emisor. En la figura 2.6(b) se muestra el
mismo circuito, donde el transistor se reemplaz por el modelo de la figura 2.5.
Debido a la presencia de la fuente dependiente, una corriente en la terminal de
base controla la corriente del colector al emisor. La fuente de corriente en el co.lector depende de la corriente de base, iB. Conforme aumenta iB, la corriente de
colector, ic, aumenta en forma proporcional. La constante de proporcionalidad se
llama beta (/3).
En la figura 2.7 se muestra una versin refinada de este modelo, conocida como
modelo de Ebers-Moll [32]. La unin base-emisor acta como un diodo polarizado
en directo con una corriente iB + io- La unin base-colector est polarizada en
inverso y exhibe una corriente de fuga pequea, lCBO, y una corriente grande,
/3iB. Esta ltima es provocada por la interaccin decorrientes en la base. Queda
claro que
\
' iE
= ic + i'B
(2.1)
Ntese que la direccin positiva de las corrientes de base y de colector se define

entrando al transistor, y en forma inversa para la corriente del emisor. Esta es.
una simple convencin, y se podra haber invertido cualquiera de las direcciones ..
El modelo de Ebers-MoiI incluye una corriente, lCBO, que es independiente de la
corriente de base.
96
2.3 Operacin del transistor

Figura 2.7
Modelo de Ebers-Moll,
69
leso
iB
Diodos
no ideales
B o--__;__; ......-'--<
. +ICt
,1
I,'E.
t
'B
l3iB
Figura 2.8
Corrientes internas en un
transistor.
Vcc
111
'1, '
p
i/,
Electrones
inyectados
f\
iIJ Huecos
Electrones
=-Electrones
difundidos recolectados
1'---(
e
ic
Iuj()
Recombinacin
I'~ iIJ
RH
VIl
(a) Vista interna detallada

(-: +
ICH()
-t----
ic:
iIJ
(b) Vista simplificada
La ganancia de corriente en base comn, a, se define como la razn del cambio

en la corriente de colector al cambio en la corriente de emisor, suponiendo que la
tensin entre el colector y la base es constante: Por tanto,
a= Aicl
A2E VCB
= constante
Esto se muestra de manera grfica en la' figura 2.8, donde JCBO es la corriente
de fuga entre base y colector. Se desea encontrar una relacin entre las corrientes de base y de colector. La corriente de colector se encuentra al observar la
figura 2.8(b):
i,-
\.
___= _---_._
'iC
aiE+
..
(2.2)
ICBO
.. "_
'.'-
..._.:
97
70

Combinando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se encuentra la corriente de emisor,
iE
= aiE
+ lCBO + iB
y resolviendo para la corriente de base,

iB
= iE(l -
(2.3)
a) - lCBO
Se puede eliminar iE de la ecuacin (2.3) reescribiendo la ecuacin (2.2) como

.
tE
= ic
- lCBO
Por ltimo, esto se sustituye en la ecuacin (2.3) para obtener una relacin entre
iB, ic e Leso:
.
.(ic - [cBo)(l - a)
ve
(1 - a)ic
CBO
.
(2.4)
[CBO : \-
o-:
La ganancia de corriente en base comn, a, suele estar entre 0.9 y 0.999. Por
tanto, el inverso se puede aproximar a la unidad; dando as
.
(1 - a)ic
a
lCBO
Beta (fJ) se utiliz antes (vase Fig. 2.6) para definir la razn entre cambios de
corriente de colector y cambios de corriente de base. Esto es,
{3= Aic
.
. AiB
'--_
-_ ..
..
Por tanto, se diferencia la ecuacin (2.4) y se reacomodan los trminos.

a
l-a
{3=-
Los valores tpicos de {3 se hallan entre 10 y 600. Haciendo la sustitucin para {3,
se tiene
.
tB
= -ic{3-
cso
98
2.4
Circuitos con transistores
71
Por lo general, se puede despreciar lCBO, pues es pequea en magnitud. Por tanto,
.,.___-_ ...-.- ..~-(2.5)
El tnninoj;se conoce como factor de ganancia a seal grande o factor de amplificacin en.cd. Por tanto, se vuelve al modelo original simplificado. En la prctica,
el valor de (3 vara con la corriente de base.
Existen iilcon~eilientesen el diseo debido a las variaciones de (3 por los cambios
de corriente en el transistor. Adems, durante la fabricacin del transistor, se
producen variaciones en el valor de beta dentro de un mismo lote de produccin.
Por tanto, dos transistores fabricados al mismo tiempo tendrn diferentes valores
de (3, aun en los mismos niveles de corriente. Esto lleva al desarrollo de un
procedimiento de diseo que haga al valor de la comente de colector relativamente
independiente de los cambios en (3. Estos mtodos se comentan en la seccin 2.5.
Otra suposicin que se realiza a menudo como simplificacin es que la corriente
de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor. Esto es, como lCBO
resulta pequea comparada con ic y como a: est entre 0.9 y 0.999, se tiene
(2.6)
"
,"-~
2.4 CIRCUITOS CON TRANSISTORES
2.4.1 Configuraciones comunes en circuitos

Existen tres configuraciones usadas en circuitos de transistores. La ms utilizada
es la de amplificador en emisor comn (EC), as llamada porque el emisor se
encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida. El siguiente circuito
ms utilizado es la configuracin en colector comn (CC), tambin conocida corno
emisor seguidor. La tercera configuracin es el circuito en base comn (BC). En
la figura 2.9 se muestran ejemplos de estas configuraciones de amplificadores y se .
ilustran los Circuitosque utilizan transistores npn.
.
En este captulo se considera el diseo de la polarizacin, o circuito en cd. Est
caracterizado por el resistor de base, RB, el resistor de emisor, RE, el resistor
de colector, Re, y la fuente de tensin, Vcc. La tc~ica.~~.l~zll~i?n
p_~ael
amplificador EC es la misma que para la configuracin BC, por lo que se consideran juntas. La configuracin CC se considera por separado. Cuando se utilizan
transistorespnp, se invierten las polaridades de las tensiones de VBB y Vcc, pero
los circuitos equivalentes desarrollados en ca se mantienen igual.
99
72

Vc;c
Vee
'Figura 2.9
Circuitos amplificadores.
Re
Re
,
+
RIJ
u,
RE
l/o
+
RE
I/i
l/o
YBB
(a) Emisor comn
2.4.2
(b)
Colector comn
(emisor seguidor)
Ce) Base comn"
Curvas caracterfsticas
Como el transistor es un dispositivo no lineal, una forma de definir su operacin
es usar una serie de curvas caractersticas de manera similar a las utilizadas en el
captulo anterior para los diodos. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de
transistor. Como no se est tratando con dispositivos de dos terminales, las ecuaciones incluyen al menos tres variables. Por tanto, se utilizan curvas paramtricas
para describir el comportamiento del transistor. En la figura 2.10 se muestran dos
grficas caractersticas. En la figura 2.10(a) se ilustra la corriente del emisor como
funcin de la tensin entre la base y el emisor cuando VCE se mantiene constante. Ntese que, como se podra esperar. esta curva es similar a 'la del diodo.
ya que constituye la caracterstica de la corriente en una unin simple. Se dibuja
una lnea de carga utilizando las dos intersecciones con los ejes. Cuando iE = O.
VBE
VBB. La otra interseccin se encuentra haciendo VBE
O. El punto donde
la lnea de carga cruza la curva de iE contra VBE se llama punto de operacin, o
punto Q. La pendiente de la lnea de carga es -l/(RE+RB).
Esto es. la resistencia
equivalente vista por las terminales de base y de emisor es simplemente RE + RB.
La pendiente de la curva caracterstica es l/rd. donde Td es la resistencia dinmica
de la unin base-emisor del transistor. Esta pendiente se puede calcular a partir de
la ecuacin (1.1) y de las simplificaciones que le siguen. Como esta es una unin
pn, nVT = 26 mV (suponiendo una unin de silicio a temperatura ambiente). Tomando la derivada de la ecuacin (1.1) y realizando las simplificaciones adecuadas.
se encuentra que la resistencia dinmica es aproximadamente'
0.026
rd::::::--'
hQ
donde
IEQ
es la corriente del emisor en el punto Q.
100
2.4 Circuitos con transistores
73
Figura 2.10
Curvas caractersticas del
transistor.
Regin de saturacin
Ve!::
(b) Caractersticas colector-emisor
(a) Caractersticas base-emisor
,.:;:'.
.....
......:
Como ie = io] {3, la unin base-emisor es similar a la del diodo. Por tanto,
para una unin polarizada en directo,
. = (10)
7J
tB
exp
(VB.E)
nVT"
Para un diodo de silicio, n tiene un valor de 1.3 a 1.6. Sin embargo, en

transistores de silicio, el valor de n est cercano a la unidad debido a los efectos
de recombinacin provocados por las corrientes de base y de colector combinadas
en la regin del emisor. Los transistores de difusin exhiben Un incremento del 10"
al 20% en l valor de n para niveles de corriente por arriba del intervalo normal
de operacin del transistor. En este texto, se utilizarn n:::: 1 y nVT 26 mV para
transistores de silicio.
Una extensin en lnea recta de la curva caracterstica intersecara el eje VeE
en 0.7 V para transistores de silicio, 0.2 V para germanio y 1.2 V para dispositivos
de ~seniuro de galio.
Si ahora iB se mantiene constante, la unin colector-emisor se define por la curva
de io contra VCE mostrada en la figura 2.10(b). Como puede verse en esta
curva tpica; la corriente de colector es casi independiente de la tensin entre
el colector y el emisor, vos. dentro del "intervalo lineal" de operacin. Cuando
ie est prxima a cero, ic se acerca a cero de manera no lineal. Esto se conoce
como operacin en la regi6n de corte. Para la seccin de las curvas caractersticas
donde VCE se acerca a cero, ic. es mxima. Esta regin, conocida como regi6n de
saturaCin, no es til para amplificar debido a la operacin no lineal.
Las curvas caractersticas son curvas paramtricas de ic contra VeE, con iB
como parmetro. En la figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de
dichas curvas. Cada tipo de transistor tiene su propio conjunto nico de curvas
caractersticas.
101
74
ic(mA)
,f-- Regin de saturacin
Vcc
~
"
---de carga
0.8
_~
~oc-------,~Lnea
0.7
""
____
lB = 0.6
""'~*------..;;;;....
Punto Q IBQ 0.5
r-,
...-----i~""'~--0.4
m-------+--~"o::::'''''---0.3
liiiiii'~:
""~
..-i,,,,\~,,,,~;;;;-;,~'~~,,,,,~:~,;~~;;~~,.,!tX~'
~""\:~1~,J~'
,
~:~~
de corte
i,..
VCEQ
Figura 2.11 Familia de curvas caractersticas

de los transistores.
Vcc
VCE
Figura 2.12 Circuito de

transistor simple.
Como ejemplo del uso de las curvas caractersticas, se analizar el circuito de

la figura 2.12. Aplicando LTK alrededor del lazo de colector emisor, se obtiene
(2.7)
Como iE es aproximadamente igual a ic, la ecuacin (2.7) se puede simplificar, como se hizo en la ecuacin (2.8).
Vcc
= icCRc
+ RE) + VCE
(2.8)
La ecuacin (2.8) define una relacin lineal entre ic y VCE. Esto es,
'.
~c=
VCC-VCE
Rc+RE
(2.9)
Una forma de' graficar esta lnea recta es resolver las dos intersecciones con los
ejes. Si io = 0, VCE = Vcc. Si VCE = 0, entonces
La lnea de carga en cd est graficada sobre las curvas caractersticas de la figura ,

2.11. Cuando se trate el diseo, se ver la forma apropiada de seleccionar los
parmetros del circuito. Por ahora, se supondr que el punto de operacin, el
punto Q, se puede seleccionar en cualquier lugar de la lnea de carga. El punto
102
75
2.5. El amplificador EC
tendr las coordenadas VCEQ e ICQ, los valores en el punto de operacin de VCE e
ic, respectivamente. El punto de operacin es el valor de seal nulo para VCE e ic-
2.5
EL AMPLIFICADOR EC
El EC, o amplificador emisor comn, se llama as porque las corrientes de base y
de colector.se combinan en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuracin
del amplificador, donde se seleccion un transistor npn como ilustracin.
En primer lugar se analiza el circuito de la figura 2.13 bajo condiciones de cd.
La fuente variable, vs, se hace igual a cero. La LTK en el lazo de base se escribe
como
(2.10)
Recurdese que VBE est entre 0.6 y 0.7 V para transistores de silicio, pero en
este bro se utilizar el valor 0.7 V a ~enos que se especifique atto valor.
Se escribe ahora la LTK a travs del lazo de colector-emisor como sigue:
VCC
= Rcle
+ VeE
Entonces
le = Vee -VCE
(2.11)
. Rc
La ecuacin (2.11) define la lnea de carga, que se dibuja en las curvas carac-
tersticas de la figura 2.14(a). Ahora se puede seleccionar sobre la lnea de carga

el punto Q, o punto de operacin, que se define como el punto de seal cero. Si
se supone ahora una entrada de ca
Vs:::
Figura 2.13
Amplificador de transistor
emisor comn npn:
Vsenwt
te
103
76

ic(mA)
Figura 2.14
Curvas caractersticas para
el amplificador EC.
(a) Curvas caractersticas del transistor
(loA)
"" 400 200
---f\--\---,,.-----
t (5)
t (5)
"" O \----Entrada
(b) Curvas de corriente en la entrada y la salida
la onda de salida se puede encontrar de manera grfica. Moviendo el punto de

operacin hacia arriba y abajo a lo largo de la lnea de carga conforme cambia iB,
se pueden graficar to: iB Y veE. como se muestra en la figura 2.14.'
Se determinar el cambio en la corriente de colector para un cambio dado en la
corriente de base. Esta relacin es la ganancia de corriente, que se define como
A- _ tl.ie
- tl.iB
= 32 mA = 80
400 .LA
104
77
2.5 El amplificador EC
ie(mA)
Figura 2.15
Amplificador Ee con
resistor en el emisor.
.r
le
Re
-=- Vee
~
~
Lnea de carga ~n cd
r:
~PuntoQ
-------------
1'"
I
<,
I
I
\
<,
18
<,
Vee
VCE
(V)
(b)
(a)
En la figura 2.14, flie Y fliE se leen como- las excursiones totales en estos
parmetros. Tal ganancia es la que hace importante a este dispositivo para muchas
aplicaciones de ingeniera.
2.5.1
El amplificador EC con resistor en el emisor

En la figura 2.15 se ilustra un circuito EC al cual se aadi un resistor en el emisor.
Se escriben las ecuaciones de Kirchhoff en el lazo emisor-colector para determinar
la lnea de carga en cd. Con referencia a la figura 2.15(a), s encuentra
Vee ;::;Rele + VCE+ RelE
Como le es aproximadamente igual a lE, se obtiene
le
Si le
= Vee -
VeE
RE+Rc
(2.12) .
= O, entonces
VeE = Vee
. Este punto de operacin se encuentra en la regin de corte. Si VeE = O,se obtiene
le
Vee
Re+Rc
105
78

Este punto se encuentra en la regin de saturacin. La lnea de carga resultante
est dibujada en la figura 2.15(b).
Al utilizar el transistor en emisor comn se evit la regin. no lineal de las
curvas .caractersticasque ocurren en niveles bajos de ic (corte) yen valores bajos
de VCE (saturacin). A menudo, al disear un amplificador con transistor se desea
una salida con mxima excursin no distorsionada. Si la seal de entrada en ca es
sim~c~ alre~edor d~ cero. ~uede Qbtener.una_excmsin-mx-ima,colocando el
punto Q en el centro de la lnea de carga. Por tanto,
Vee
2
VCEQ=--
Esta ecuacin establece a VCEQe lCQ. Adems, debido que la unin base-emisor
acta como un diodo,
Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de la base, se obtiene
Ntese que se utilizan letras minsculas y subndices en maysculas para las variables. 'Esto indica valores totales (cd + ca). Este es un momento adecuado para
revisar las convenciones de notacin presentadas al inicio del texto. Debido a que
ic
= f3iB
se tiene
y el punto de operacin,
(2.13)
La tensin, VBE, se considera constante a temperatura ambiente (25C) y tiene

un valor cercano a 0.7 V para transistores de silicio. Con el fin de evitar la
utilizacin de dos fuentes de cd separadas, se puede utilizar una red de divisin
de tensin para suministrar la fuente de cd al circuito de base, corno se muestra
en la figura 2.16. Los valores para R y R2 determinan la ubicacin del punto Q.
106
~v
79
2.5 El amplificador EC
Figura 2.16
Circuito de transistor con
una fuente.
Re
+
+ R",_
Vi
Si en la figura 2.16 la combinaci6n de fuente y resistor conectados a la base se

reemplaza por un equivalente de .Thvenin, el nuevo circuito es idntico al de la
figura 2.15. Por ~to, s610es neces~o elegir adecuadamente RLy_ R2_.__
La tensi6n equivalente de Thvenin y la resistencia de base a tierra son
RVee
Vrn
= VBB
= (R + R2)
'.
Rrn == R
'.
11
R2
(2.14)
R'R
= 'RB = R+R2
1 2
(2.15)
Se puede resolver para Rl y R2 sustituyendo la ecuacin (2.14) en la ecuacin

(2.15):
_---_ ..._--
\ s, =
~
""-'"
RB Vee
=_Yqg_- VBB
R2
RB
1- VBB/Vee
(2.16)
= VeeRB
(2.17)
VBB
Es necesario determinar R, y R2 para establecer el punto de polarizacin requerido.

El anlisis de la seccin anterior supone.que la corriente del colector es igual a la
dei emisor. Esta es una buena aproximaci6n, ya que f3 suele ser superior a 100.
Para el circuito considerado, se desea tener airededor del 10% de la corriente
de entrada _h~~_se
y alrededor del 90% a travs del resistor ~x~~uivlente, RB. Esto proporciona establlidd en la pofanzaon y permite adems
hru"t'if#lcil\ de ecuaciones simplificadas. Por tanto, la corriente en R_:::debeser
aproximadamente 10 veces mayor que la corriente de base. Para lograr esto, se
hace
1------..----.--..-_
\ RB ~ 0.1 f3RE
..)
_/=>
"
107
.... r ,~
.
--
....
/ I \,.1~
_.,j--\
--- -_ - ,(2.18)
\-
'j ,-,-:
'.
80
o
RlE
7
~O.IRE
Esto evita que las variaciones en {3 afecten de inanera significativa el punto de
operacin en cd de la etapa. Ms adelante se dar informacin adicional acerca'
de esto.
Se puede utilizar ahora la ,ecuacin (2.13) a fin de encontrar la corriente de
colector en el punto de operacin. Haciendo RE igual a 0.1 (3RE, se obtiene
lCQ
. VEE - VEE
0.1 {3RE/{3 + RE'
VBB - VBE
l.lRE)
(2.19)
La ecuacin (2.19) se utiliza en el proceso de diseo.
2.5.2
Introduccin al anlisis y el diseo

En problemas de anlisis, el circuito est completamente especificado. En consecuencia, se conoce el punto Q, ya que estn dados tanto R como Rz. Tal vez el
punto de polarizacin no est colocado de manera ptima, y, de hecho, se puede
descubrir que el transistor se encuentra en la regin de corte o de saturacin. Pero,
como todo el circuito est especificado, es suficiente con sustituir valores en las
ecuaciones y calcular los resultados.
En .problemas de diseo, el circuito no est completamente especificado. .El
diseador tiene la opcin de situar el punto de operacin en el mejor lugar posible.
&! se desea tener la mxima excursin posible en la tensin de salida, el punto Q
se ubica en el centro. de la lnea de carga. Si, por otra parte, la seal de entrada
es pequea, a menudo lCQ se puede seleccionar como un valor pequeo para
obtener una salida lineal (sin distorsin), disipando as una menor potencia en
condicin esttica. Como la especificacin del punto Q no proporciona el nmero
suficiente de ecuaciones para encontrar todos los componentes, se deben introducir
restricciones adicionales para obtener un incremento en el desempeo. Por ejemplo,
se utiliza la ecuacin RE 0.1 {3RE para encontrar R y R2 Recurdese que, de
acuerdo con esta ecuacin, la eleccin de RB hace que la localizacin del punto Q
sea menos sensible a variaciones en {3. A veces la configuracin del circuito impone
otras restricciones sobre los valores de los resistores que no permiten satisfacer esta
ltima relacin.
Ejemplo 2.1
Anlisis de un amplificador
EC
Un amplificador EC se configura como en la figura 2.17 con R = 1 kn, R2 = 9 kn,

Rc
1 kn, Vcc
12 V, RE
100 n, f3 100 Y VEE 0.6V. Determnense
VEE, RE e lCQ.
108
81
2:5 El amplificador EC
12 V
Figura 2.17
Amplificador EC para el
ejemplo 2;1.
.
_\J'{(.
1, \
v.
t-~~~ ~.~.;.:}~._
...~' ....:_\
'.....
\.J... .-"
1 kl
9kO
+
Vi
1 in
SOLUCiN Primero se encuentra el equivalente de Thvenin de la red resistiva

conectada a la base. "
v: BB -
R =
.
RI Vee' = (1000)(12) = 1.2 V

RI + R2 (1000 + 9000)
RIR2
RI + R2
(1000)(9000)
(1000 + 9000)
= 900 O
Ahora se utiliza la ecuacin de LTK para el lazo de la base, ecuacin (2.13), a fin
de obtener'
.Ejemplo 2.2
Diseo de un amplificador
EC
En el circuito de la figura 2.17, se desea colocar el punto Q en la mitad de la lnea

de carga. Aqu, f3 = 100, VBE = 0.6 V, RE = 100 n, Re = 1 kO, y Vee 12 V.
Encuntrenselos valores adecuados para RI y R2:
SOLUCiN La especificaci6n de que el punto Q se encuentra en el punto medio

de la lnea de carga requiere que
Vee
VeEQ=-2
Se puede entonces utilizar LTK alrededor del lazo emisor-colector, ecuacin (2.12),
para encontrar IeQ:
1 - Vce - VCEQ
CQ- RE+Rc
Vc - Vcc/2
12'.
RE+Re
= 2(100+1000)
109
= 5.5 mA
82 ' Captulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de uni6n

Es necesario conocer RB y VBB para hallar R y Rz. RB se encuentra de la
restriccin
RB = 0.1 f3RE = 0.1(100)(100) = 1 kn
Se utiliza ahora la ecuacin LTK en el lazo de la base, ecuacin (2.13), para
encontrar VBB como sigue
VBB = VSE + ICQ (
= 0.6 + (0.0055) (
+ RE)
1000
)
100 + 100
= 1.2 ,V
Con VBB y RB determinados, se pueden utilizar las ecuaciones (2.16)

para encontrar R y R2.
R2 = ,RBVCC= 1000 x 12 = 10 k
VBB
1.2
RB
R, = _
= 1000 = 1.11 kO
1 - VBB/VCC 1- 1.2/12
y (2.17)
Ejercicios
D2.1 Dado el circuito de la figura 2.16 con Vcc = 16 V, R = 2 kn, R2 = 20 kn,
Rc = 3 kn, RE = 200 n, f3 = 200 y VBE = 0.7 V, determnense los valores de
VBB, RB e ICQ.
Resp.:1.46 V; 1.82 kn, 3.6 mA
D2.2 Dado el circuito de la figura 2.16 con un transistor pnp, Vcc = -6 V,
R = 2 kn, R2 = 12 kn, Rc = 1 kn, RE = 100 n, f3 = 100 Y VBE = -0.7 V,
determnense los valores de VBB, ICQ y RB
Resp.: -0.86 V; -1.34 mA; 1.71 kn
D2.3 Dado el circuito del ejercicio D2.1 pero con R y R2 no especificados,
disese un circuito para mxima excursin en la tensin de salida. Determnense'
los nuevos valores de R, R2 e IdQ.
'
Resp.:4.3~,
51.2 kn; 2.5 mA
\.D2.4 Utilizando la informacin del ejercicio D2.2, disese un circuito para mxima excursin en la salida. Determnense los nuevos valores de R, R2 'e ICQ.
110
2.6 Consideraciones de potencia
83
Resp.: 1.2 kO; 6 kO; -2.73 mA
JD2.5
En el amplificador del ejercicio D2.1, se requiere que RB sea 10 kO.

Cules son los valores de R1, R2, ICQ y RE que permiten que el amplificador
opere con mxima excursin en la tensin de salida e insensibilidad a variaciones
en (3?
Resp.: 1L4 kO; 81.8 kO; 2.29 mA; 500 O
2.6
CONSID.ERACIONES DE POTENCIA
La estimacin de potencia es una consideracin importante al seleccionar resistores. Los resistores deben ser capaces de soportar la mxima potencia anticipada
sin sobrecalentarse. Las consideraciones de potencia tambin afectan la seleccin
del transistor. Por lo general, los diseadores seleccionan los componentes adecuados para el diseo que tengan la ms baja capacidad de manejo de potencia.
Con frecuencia, se hacen subestimaciones para incrementar la confiabilidad de un
dispositivo. Esto es similar a utilizar factores de seguridad en el diseo de sistemas
mecnicos, donde stos se disean para soportar valores que exceden el mximo.
2.6.1
Derivacin de las ecuaciones de potencia

La potencia promedio se calcula como sigue:
para cd:
para ca:
(T
= T Jo
v(t)i(t) dt
es
En la ecuacin en ca, T
un periodo de la forma de onda. Si la seal no es
peridica, se hace tender T al infinito. La potencia suministrada por la fuente de
energa al amplificador EC de la figura 2.16 se puede escribir como
PVcc
= P(circuito transistor)
l1
= -T
p(corriente de polarizacin)
..
V~C
2
Vcc[IcQ + ~c(t)]dt + R R + I BQR2
1+
V~C
= VcC1cQ + R
1+
R +I BQR2
2
111
84

Se ha supuesto que el valor promedio de ic(t) es cero. Por ejemplo, si la seal de
entrada es una sinusoide,
ic(t)
= A senwt
Entonces
Io
=O
T Asenwtdt
donde T = 21r/w. Como J2BQR2 es pequea, suele ignorarse.

La 'potencia promedio disipada por el transistor es
PCtransistor)
l(
= T Jo
vCE(t)ic(t)
(2.20)
dt
Para una seal de entrada cero, esto se convierte en

P(transistor)
= VCEQlcQ
Para una seal de entrada con mxima excursin posible,

VCE(t)
ic(t)
= VCEQ - VCEQ senwt = VCEQ(1 - senwt)

= ICQ + ICQ senwt = ICQ(l + senwt) .
.
PCtransistor)
=~
lo
VcEQlcQ(l
= V;CEQ1CQ
T
= VCEQlcQ
- senwt)(l
+ senwt)
dt
T (1-sen2wt)dt
{T cos2 wt dt
Jo
VCEQlCQ {T
=
2T
Jo (1 + cos 2wt) dt
T
_ VCEQlCQ
(2.21)
De la derivacin anterior, se ve que el transistor disipa la mxima potencia

cuando no se aplica ninguna seal de ca. Esto se muestra en la figura 2.18. Dependiendo de la amplitud de la seal de entrada. el transistor disipar una potencia
promedio entre VCEQlcQ y un medio de este valor. Por tanto, el transistor se
selecciona para que con seal de entrada cero, maneje la mxima potencia como
sigue:
112
2.7
Capacitares de paso y de acoplamiento
85
Potencia (W)
Figura 2.18
Potencia instantnea en el
transistor.
Potencia instantnea para .

mxima seal de entrada:
VCWICQ(1 + cos2wt)
. 2
__ ~ __ ~~~~
__ ~~
P(potencia mx transistor)
Seal de entrada Vm senwt

__ ~ __ ~_t
= VCEQICQ
(2.22)
Se necesita una medida de la eficiencia para determinar cunto de la potencia

suministrada por la fuente aparece como seal de potencia en la salida. Se define
la eficiencia de conversin como
T/=
Po (ac)
Pvcc{cd)
100
Ejercicios
.'i
D2.6 Cul es la mxima potencia utilizada de la fuente de energa en el ejercicio

D2.1?
Resp.:
69.2 mW
..~,{ D2:7 En el ejercicio D2.1, cul sera la mxima potencia sin distorsin en ca de
Re cuando se inyecta una seal de ca en el amplificador para obtener una mxima
excursin simtrica en la salida?
. Resp.:
J
2.94 mW
D2.8 Cul es la eficiencia de conversin real del amplificador del ejercicio D2.3?
Resp.: 21%
2.7
CAPACITORES DE PASO y DE ACOPLAMIENTO

Los capacitores se aproximan a cortocircuitos para seales de ca y circuitos abiertos
para seales de cd. Por tanto, los capacitares de paso se utilizan para eliminar de
113
..;
86
1
Jl
Capttulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de unin
Figura 2.19
Etapa de amplificacin en
ca emisor comn.
Vcc
manera efectiva (poner en corto) a los resistores durante la operacin en ca, Los
capacitores de acoplamiento se utilizan para bloquear la corriente directa y permitir
el paso de la seal de ca.
2.7.1
Capacitores de paso
Los capacitores se pueden utilizar para poner en corto el resistor de emisor, incrementando as la ganancia del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un
. capacitor cuya impedancia en frecuencias de operacin sea mucho menor que la
resistencia del resistor de emisor. Como la impedancia aumenta al disminuir la frecuencia, la' impedancia del capacitor debe ser mucho menor que el valor de la
resistencia equivalente a travs de la capacitancia en la frecuencia de operacin
ms baja del amplificador.
2.7.2
Capacitores de acoplamiento
Cada par de etapas de un amplificador de varias etapas se puede acoplar por
medio de un capacitor. La impedancia de entrada de la siguiente etapa es la
carga de la etapa anterior. El capacitor de acoplamiento es necesario para prevenir
interacciones de cd entre etapas adyacentes. Un amplificador de transistor de una
sola etapa tiene la forma mostrada en la figura 2.19, donde RL es la resistencia de
entrada equivalente de la siguiente etapa.
Los capacitores son circuitos abiertos en cd y cortocircuitos para ca (en la regin
de operacin de frecuencias medias que se trata aqu), Sin embargo, los capacitores
tienen un papel importante en la determinacin de la porcin de frecuencias bajas
en la curva de respuesta. Esta funcin se trata en el captulo 10.
2.8
LNEA DE CARGA DE CA PARA LA CONFIGURACiN EN EC

Antes de comenzar a analizar las lneas de carga para l amplificador EC, se
hace notar que los mtodos de polarizacin para las configuraciones EC y BC son
114
.\
87
2.8 Lnea de carga de ca para la configuracin en EC
idnticas. Por ello, aunque se est presentando la teora para el EC, se utilizan los
mismos conceptos tanto para EC como para BC.
La resistencia en el circuito colector-emisor para operacin en cd es Re + RE,
la cual se define como Red. Cuando la carga se acopla al transistor a travs de un
capacitor, la resistencia en ca es diferente. Bajo condiciones de ca, la resistencia
en el circuito colector-emisor es
Ntese que para operacin en ca, la terminal Vee se conecta a tierra. Si el resistor
de emisor se 'pone en corto con un capacitor, entonces la resistencia en ca es slo
La lnea de carga de ca tiene una pendiente de - 1/ Rea. Como una entrada en ca
igual a cero coloca el punto de operacin en el punto Q, la lnea de carga interseca

la lnea de carga de cd en el punto Q. Si la seal de entrada es pequea; el punto Q
debera localizarse normalmente para minimizar la corriente de colector estacionaria. Al disear dichos circuitos se eleva el valor de IeQ por arriba del punto cero
lo suficiente para permitir una reproduccin lineal de la seal de entrada (es decir,
sin distorsin por entrar en la regin de corte). Bajo esta condicin, el transistor
disipa menos potencia que si el punto Q estuviese localizado en la mitad de la
lnea de carga de ca. Este procedimiento de diseo se investiga en la seccin 2.9.3.
2.8.1
La lneade carga de ca a travs de cualquier punto Q

La lnea de carga de cd se determin a partir de la ecuacin (2.12), y est dada
por la ecuacin
.
.
~e=
-VeE
. Vee
+ -=-_.;_~RE+Re
RE+Re
Como los capacitores de acoplamiento son circuitos abiertos a cd, esta lnea de
carga se aplica al circuito de la figura 2.19. La lnea de carga se grfica en las
curvas caractersticas de la. figura 2.20. A continuacin se repiten las definiciones
de resistencia en ca y cd.
Red = resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo condiciones de

Rca
cd (los capacitores se consideran circuitos abiertos)

resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo condiciones de
ca (las fuentes de cd se hacen cero y los capacitores se consideran cortocircuitos)
Para el circuito de la figura2.19, se tiene

Red
(2.23)
=RE+Re
Rea = RL
11
Re + RE
(2.24)
115
88

ic (mA)
FigUra 2.20
Curvas caractersticas,
VU,
Rae
'
+ Iq = le
Lnea de carga de ca con pendiente
= --Rca
Lnea de carga de cd con pendiente = --
1
Red
La ecuacin para la lnea de carga de cd es entonces

.
~C
1
= --Vcc
- -VCE = -(Vcc
-VCE)
Red Red Red
El punto Q, que se especifica para una seal de valor cero, se ubica tanto en la lnea
de carga de ca como enla de cd. La lnea de carga de ca pasa a travs del punto Q
y tiene una pendiente de -l/Rae. Esta pendiente es de mayor magnitud que la
de la lnea de carga de cd. La lnea de carga de ca se grafica en la figura 2.20,
LaS intersecciones con los ejes ic Y VCE se pueden obtener de la ecuacin de una
recta a travs de un punto dado ,(XI, YI) con pendiente conocida (m) como sigue:
(y - y)
= m(x -
'
1)
(~C- CQ
.
~C
XI)
- VCEQ)
= -(VCE Rca
(VCEQ
= ---VCE
n: + --Rca
+IcQ )
La intersecci6n con la linea de carga de ca ~on el eje ic

,
VCEQ
IC=-R
+IcQ
ea
116
es entonces
89
2.8 linea de carga de ca para la configuraci6n en EC

te:
Figura 2.21
Lneas de carga para
mxima excursin en ca.
i
[_--------.
~
Lnea de carga de ca con pendiente
V~c = 21<:,",
R .c
V
1_-+----------:/
=- - 1
pendi~~: = +-R1
U.....~,...------7.-"---
ce
Rdc
Vcc
La interseccin de la lnea de carga de ca con el eje Veses, con ic
2.8.2
= 0,
Eleccin de la lnea de carga de ca para mxima

excursin en la salida
Si se desea disear el amplificador para mxima excursin en la tensin de salida,
e!_puntoQ se debe colocar en el centro de la lnea de carga de~. En la figura 2.21
se muestran las lneas de carga para el circuito de la figura 2.19. Es cuestin de
geometra colocar el punto Q para mxima excursin. La lnea de carga de cd se
dibuja como en la figura 2.20. Esto es,
.
Vee =vce+ica
(2.25)
Se escriben las ecuaciones de LTK para el caso de ca, donde los capacitores se
reemplazan por cortocircuitos y las fuentes de cd se hacen iguales a cero. Se escribe
la ecuacin lineal con el mtodo punto-pendiente, como sigue:
(2.26)
La interseccin de esta lnea y la lnea de carga cd es el punto
mxima cuando
VCE
Q. Como ic es
= 0, la mxima corriente de colector, lb, est dada por
I
VCEQ
lc= -+ICQ
.Rco.
117
'1
90

Sin embargo, lb es igual a 21CQ para mxima excursin a lo largo de la lnea de
carga de ca. Sustituyendo esta restriccin en la ecuacin anterior, se obtiene
'.
2lcQ - lCQ
VCEQ
= --Rca
o
VCEQ
1cQ=--
(2.27)
Rca
La ecuacin (2.27) representa una ecuacin en dos incgnitas para especificar la

localizacin'del punto Q para mxima excursin en la salida. La segunda ecuacin
se deriva utilizando la ecuacin de la lnea de carga de cd. La ecuacin (2.27) se
sustituye en la ecuacin (2.25) como sigue:
v.CC = v..CEQ + VCEQRcd

R
ca
que se reduce a
.
VCEQ
VCC
= --=---=-1 + RcdlRca
(2.28)
sta especifica VCE en el punto

como
1CQ =
Vcc
Rca + Red
Q. lCQ se obtiene entonces de la ecuacin (2.27)
(2.29)
ce es la interseccin de la lnea de carga de ca con el eje VCE, como se

muestra en la figura 2.21. La pendiente de la lnea de carga de ca es
V'
-1
Rca
-2ICQ
V'CC
luego
I
ce = 2ICQRca =
V'
ce
2Vcc
1 R IR
+ cd ca
= 2VCEQ i
118
(2.30)
'-::,0,'
91
2.9 ANLISIS Y DISEO EN CA

Ya se tienen las herramientas necesarias que permiten realizar el anlisis y diseo de
circuitos amplificadores. Slo es necesario colocar juntos los resultados derivados
en las secciones anteriores.
Al analizar un amplificador de ca se especifican los componentes del circuito.
Se comienza la solucin determinando la polarizacin en cd. En primer lugar,
se deriva el equivalente de Thvenin para el lazo base-emisor. Esto proporciona
los valores necesarios para encontrar la ecuacin de polarizacin para ICQ. -En
seguida, se construyen las lneas de carga de cd y ca. Si ICQ se halla en la
regin de operacin del transistor (es decir, ni en la regin de corte ni en la de
saturacin), se puede determinar la mxima excursin sin distorsin de tensin
de ca en la salida, examinando la lnea de carga de ca.
Al disear un amplificador la situacin se invierte, ya que el diseador, debe
seleccionar los componentes y tiene la opcin de elegir ICQ. Si se desea una
mxima excursin en la tensin de salida, se coloca ICQ en el centro de la lnea
de carga de ca. ' Por otra parte, si' la seal de entrada es pequea, 1CQ se puede
hacer lo suficientemente grande de manera que la seal de ca en la salida' no se
recorte durante el mximo de la seal de entrada. Al disear, el ingeniero inicia
los clculos en el lado colector-emisor del amplificador ms que en el lado baseemisor. Luego de determinar ICQ, se utiliza la ecuacin de polarizacin para
determinar los valores de R y R2 a fin de hacer que el transistor opere en el valor
seleccionado de IcQ.
2.9.1
Procedimiento de anlisis
En problemas de anlisis, estn dados los valores de R, R2, Vcc, VBE, RE, Rc,
RL y {3. Se presenta un procedimiento organizado de anlisis. Las ecuaciones
utilizadas se han derivado antes en este captulo, y se citan las referencias para que
puedan consultarse estas derivaciones. Se recomienda sobremanera consultar dichas
derivaciones pues es importante estar prevenido respecto a muchas suposiciones. El
propsito ai presentar este procedimiento de anlisis no se restringe a la enseanza
del arte del anlisis de amplificadores. Es ms importante para el estudiante apreciar
la metodologa de reducir la teora a un procedimiento paso a paso. De esta forma,
ser capaz de enfrentarse con nuevas situaciones conforme vayan surgiendo.
,
, Paso 1 Utilice R y R2 para determinar VBB y RB de las siguientes ecuaciones:

TI'
"'BB=
RVcc
R+R2.
RB = R
11
RR2
R2,= R R
,1+
2
(Referencia: ecuaciones (2.14) y (2.15
119
92

Paso 2 Utilice las ecuaciones de polarizacin para calcular ICQ.
l
_ VBB - VBE"
CQ - R3//3 + RE
(Referencia: ecuacin (2.13
Paso 3
VCEQ
Se utiliza la ecuacin de la lnea de carga para determinar VCEQ.
= Vcc
- (RE
+ Rc)IcQ
= Vcc
Reelot;
Paso 4 Se construye la lnea de carga de cd en las curvas caractersticas. Como

se sabe que la lnea de carga de ca interseca la lnea de carga de cd en el punto Q,
la lnea de carga de ca se construye de la ecuacin
donde
Rca es la resistencia equivalente de ca en el lazo colector-emisor.
(Referencia: ltima ecuacin de la Seco 2.8.1)
Paso 5 Determinar la mxima excursin simtrica posible en la tensin de salida

requiere el uso de la lnea de carga construida en las curvas caractersticas. Si el
punto Q se encuentra en la mitad superior de la lnea de carga de ca, se resta
ICQ del mximo valor de ic (el punto donde la lnea de carga de ca interseca el
eje ic). Este da la mxima amplitud .en la corriente de salida de ca del.transistor.
Entonces, si el punto Q se halla en la mitad inferior de la lnea de carga de ca, ICQ
es la mxima amplitud para la corriente de salida de ca del transistor. Entonces,
la mxima excursin simtrica pico a pico en la tensin de salida est dada por
2ic(amplitud mxima) x (Rc " RL)
/.
2.9.2
Procedimiento de diseo
En problemas de diseo, se trabaja primero con el lado colector-emisor del transistor
ms que en el lado base-emisor. Existen dos condiciones por satisfacer. La primera
coloca el punto Q en el centro de la lnea de carga de ca para mxima excursin en
la tensin de salida. La segunda limita lCQ al valor requerido para proporcionar
salida simtrica para una entrada dada. Por lo general, Vcc, VBE, /3 Y RL estn
especificados. Rc y RE se determinan por las otras condiciones especificadas de
ganancia de tensin, ganancia de corriente y resistencia de entrada. Esto se trata
en el captulo 3. Por ahora, los valores de Rc Y RE estarn dados.
120
,',
I:.;"'.E,' .
1:..
93
Paso 1 Para colocar el punto Q en el centro de la lnea de carga, utilcese la

siguiente ecuacin.
ICQ
Vcc'
= ="'"'~~
Reo.+ Red:
Paso 2 Utilcese la lnea de carga de ca para determinar VCEQ.

VIce
VCEQ=-_
2
donde
VICC
= 2ICQRae
Paso 3 Si no existen otras restricciones, seleccinese RB para estabilidad en la

polarizacin.
RfJ = 0.1 f3RE
Paso 4 Utilcese la ecuacin de polarizacin para detemnar VBB.
VBB
= VBE+ ICQ (R;
+ RE)
Paso 5 Encuntrense R y R2 a partir de RB y VBB.
RB
R=
1- VBB/VCC
R2
= RBVce
VBB
(Referencia: ecuaciones (2.16) y (2.17
.. Paso 6 Determnese vo(P_P) (mxima salida simtrica pico a pico) como en el

paso 5 del procedimiento de anlisis.
Vo
= 2ie
(amplitud mxima) x (Re
11 RL)
-:
121
..
94
Ejemplo 2.3 h._A_n_l_iS_i_S
------------~VVv__
Determnese el punto Q para el circuito mostrado en la figura 2.22 si R = 1.5 kn

y R2 = 6 kn. Se utiliza un transistor 2N3903 (vase el Ap. D) con {3 = 140,
RE = 100 n y Re = RL = 1 kn.
SOLUCiN
v;
BB
RB
Utilizando el procedimiento paso a paso de esta seccin, se obtiene
= RVee = 1500 x 5 = 1 V
s; + R2 1500 +6000
=. RRR
2 = 1200 O
+R2
Se determina si el amplificador tiene estabilidad con cambios en {3 mediante la.

verificacin de RB < 0.1 (3RE = 0.1(140)(100) = 1400 O. Como la desigualdad
se cumple, se tiene estabilidad. Se encuentra el punto Q como sigue:
VBB-VBE
Ic.Q = RB/{3+RE
1-0.7
= 1200/140+ 100 =2.76 mA
Se encuentran Rca = Re 11 RL = 500 n y Rct!

VeEQ se encuentra como en el paso 3.
= Re + RE = 1.1 kn.
VeEQ= Vee - IeQRcd = 5 - (2.76 x 10-3)(1.1 x 103) = 1.96 V

Entonces
V' ce = VeEQ+ IeQRac = 1.96 + (2.76 x 10-3)(500) = 3.34 V
Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la lnea de carga de ca, la mxima
excursin simtrica en la tensin de salida es
.
,
2IeQ(Re
11
RL) = 2(2.76 x 10-3)(500) = 2.76 V
Vee
Figura 2.22
= 5V
Circuito amplificador EC.
1kn
122
Re
\,
95
En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la lnea de carga,

de manera que la excursin en la salida no es mxima. Sin embargo, si la seal de
entrada es pequea y no se requiere mxima salida, se puede utilizar una ICQ
pequea para reducir la potencia disipada en el circuito.
--,~
Ejemplo 2.4 h._O__ls_e__o_ -,-------------------''Wv-Seleccinese R y R2 para mxima excursin en la tensin de salida en el circuito
de la figura 2.22.
SOLUCIN Siguiendo los pasos de diseo de la seccin 2.9:2, se determina
primero la ICQ del circuito:
1CQ =
Vcc
ti; + Red
= 500+
1100
3
.13 mA
como
y
Red = RE +Rfi. = 1100
Para mxima excursin,

V'CC ';'2VCEQ
entonces,
VCEQ
VCEQ ==
est dado por
(3.13 mA)(500
m = 1.56 V
La interseccin de la lnea de carga de ca con el eje
VCEQ
V:'
= __QQ
2
entonces
Vc == 3.12 V
123
VCE
es
V' CC,
Como
96.

De las especificaciones del fabricante en el apndice D, la {3 para el 2N3903 es
aproximadamente 140. RB se hace igual a 0.1 (3RE,y entonces
RB
VBB
= 0.1(140)(100) = 1400 n
10-3) [ 1400
140 + 100] + 0.7 = 1.044 V
= (3.13 x
Como se conocen VBB y RB, se encuentran R y R2:

R
RB
1400
1- VBB/VCC = 1_ 1.044/5
R2 = RBVcc
= 1.77 kn
= 1400 x 5 = 6.7 kn
VBB
1.044
La mxima excursin en la tensin de salida, ignorando las no linealidades de

saturacin y corte, sera entonces
mxima excursin de salida
= 2IcQCRc 1I RL)
= 2(3.13 mA)(500 n) = 3.13 V
Las lneas de carga se muestran en las curvas caractersticas de la figura 2.23.

Se controla la mxima potencia disipada por el transistor para asegurar que no
exceda las especificaciones. De la ecuacin (2.22), se obtiene
= (1.56 V)(3.13 mA) = 4.88 mW
P(transistor)
Figura 2.23 Lneas de carga para el ejemplo 2.4.

ic(mA)
~
Rae
~
= 6.26 1\
r
~Lnea
Vcc = 4.55
ICQ
= 3.13
r-,
de carga d~ca con pendiente
-.
~""
-----------~
I
I
I
I
I
I
Lnea de carga de cd con pendiente = --
""~
-,
-,
~
~
<,
VCEQ
1.56
124
Vc;c
3.12
VCC
5
VCE
(V)
1
Red
97
Este valor se encuentra dentro de los 350 mW mximos dados por la hoja de
especificaciones. La mxima eficiencia de conversin es
.
= Po (ca) x 100 = (3.13 X 10-3/2)21000/2 X 100

~ . PVcc (cd)
5 x 3.13 X 10-3 + 52/8470
= 6 6%
.
Ejercicios
(;'-"-D2.9 Rentase a la figura 2.19 y encuntrese la excursin pico a pico en la tensin
de salida cuando R = 2 kn, R2 = 15 kn, RE = 200 n, Re = 2 kn, RL = 2 kn,
f3 = 200, VBE = 0.7 V Y Vee = 15 V.
Resp.:
6:3 V pico a pico
D2.10 En el ejercicio 02.9, disese el amplificador para mxima exc~rsin simtrica encontrando los valores de R y R2
Resp.:
I
R = 4.5 kn; R2 = 36 kn
.
4 D2.1l Cul es la mxima excursin simtrica de tensin para la configuracin del

ejercicio 02.10?
Resp.: 8.8 V
pico a pico
:"\'02.12 Cul es la potencia de salida para el, amplificador del ejercicio 02.10?
Cul es la potencia suministrada al amplificador?
Resp.:
2.9.3
4.9 mW; 71.7 mW
Diseo por debajo de mxima excursin

Como se coment antes, no siempre es deseable disear un amplificador para
mxima excursin posible. Si la seal de entrada es pequea, el punto de operacin
se mueve slo una distancia pequea en ambos lados del punto Q y nunca llega
cerca del corte o la saturacin. En ese caso, disear un amplificador con el punto Q
en la mitad de la lnea de carga desperdicia potencia. La potencia disipada en
condicin estacionaria.es ms de la necesaria para operar sin distorsin. En esta
seccin, se modifica el criterio anterior de diseo para permitir la localizacin del
punto Q por debajo del centro de la lnea de carga.
Supngase que se desea disear para una corriente estacionaria,
leQ
= H
(2.31)
donde l es la interseccin de la lnea de carga de ca con el eje ic y .es igual

a (Fig. 2.20)
.
125
98

.
(2.32)
Aqu {5 es un nmero entre O y 1, igual a 0.5 para el caso de mxima excursin
simtrica. Ahora bien, como
ICQ
= M
se puede resolver la ecuacin (2.32) para
v;
CEQ
VCEQ
a fin de obtener
(1 - {5)IcQRca
(2.33)
{5
Como el punto Q tambin debe estar sobre la lnea de carga de cd, se obtiene
VCEQ
, .
= Vcc
(2.34)
- ICQRcd
Igualando la ecuacin (2.33) a la ecuacin (2.34), 'se tiene

(1 - {5)ICQRca
{5
= V;ce -
1 R
CQ cd
y resolviendo para ICQ, se obtiene
1CQ =
Vcc
(1 - )Rea/ + Red
Ntese que si
1CQ =
{5
(2.35)
= 0.5, la ecuacin (2.35) se reduce a
Vcc
(Rea
+ Red)
como se encontr antes.
2.10
AMPLIFICADOR EMISOR SEGUIDOR (COLECTOR COMN)

El amplificador emisor seguidor (ES), o colector comn (CC), se ilustra en la'
figura 2.24. Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector a
tierra, como en el caso del EC. Este tipo de configuracin para el. amplificador se
utiliza para obtener ganancia de corriente y ganancia de potencia.
126
99
Vcc
Figura 2.24
Emisor seguidor.
NOTA: A lo largo de este

texto, cuando en un circuito
un capacitor no tenga etiqueta, se supone que su capacitancia tiende a infinito (es
decir, es un cortocircuito para
todas las seales de frecuen-
cia).
El EC tiene un desfasamiento de 1800 entre las tensiones de base y de colector.

Esto es, conforme la seal de entrada alimenta de valor, la seal de salida disminuye. Por otra parte, para un ES, la seal de salida est en fase con la seal
de entrada. El amplificador tiene una ganancia de tensin ligeramente menor que
uno. Por otro lado, la ganancia de corriente es significativamente mayor que uno.
Notse que el colector no necesita resistor (Re O), y no se requiere un capacitor
de paso en el emisor.
Este circuito se 'analiza en la misma forma que para el emisor comn. Las
nicas diferencias son los valores que se utilizan para Rca y Red. Para el emisor
seguidor de la figura 2.24,
y
Red
= RE
y la lnea de carga de cd est dada por la ecuacin

.
(Vee - ves)
Red
'1,e=--=--~
La lnea de carga de ca, bajo condiciones de mxima excursin, se encuentra

de la misma forma que para el circuito emisor comn. Para mxima excursin, el
punto Q se localiza en
IeQ
Vee
Rea + Red
(RE
11
Vee
RL) + RE
127
100
2.10.1 Anlisis en ca y diseo de amplificadores
ES
Los procedimientos para anlisis y para diseo de amplificadores ES son los mismos
que para amplificadores EC. Los nicos cambios se dan en las ecuaciones para Rello
Red y la excursin en la tensin de salida. La excursin de salida para el ES est
dada por
= 2ic(amplitud
Vom
mxima) x (RE
(2.36)
11 RL)
Ejemplo 2.5 h._O_is_e__o
-"'VVv--
En el circuito de la figura 2.25(a), encuntrense los valores de R y R2 que proporcionen la mxima excursin simtrica en la salida como se muestra en la figura 2.25(b). Supngase que se utiliza un transistor 2N2222 (vase Ap. D para
hojas de datos) con una f3 promedio de 100.
SOLUCiN
= RE = 600 n
Rea = RE 11 RL = 300 n
Red
1CQ =
Vcc
Rca + Red
= 600 12
-133
+ 300 - '.
mA
Entonces
VCEQ
= ICQRca = (13.3 x 10-3)(300) = 4 V
Figura 2.25 Amplificador ES para el ejemplo 2.S.
ic(mA)
Vcc
12 V
R2
+
Vi
26.6 '\
2N2222
3 = 100
VBE = 0.7V
20
+
Vo
r:
,,""
Unea de carga de ca
13.3 ""'--------~
I
I
":'
,,~
Punto Q
I
I
I
-, <,
-,
<,
VCE (V)
128
4.0.
8.0
u'
12

Para reducir los efectos de las variaciones en
RB
101
/3, se elige
= 0.1 /3RE = O.I(lDOx 600) = 6 kn
VBB = VBE+IcQ (R;
+RE)
.
. (6000
)
= 0.7 + 0.0133 1000 + 600 = 9.48 V
De las ecuaciones (2.16) y (2.17), se obtiene
R
RB
='
6000
l-"VBB/VCC
1 - 9.48/12
R2 = RBVCC = 6000 x 12
VBB
9.48
= 28.5 kn
,
= 7.59 kn
De la ecuacin (2.36), se encuentra

mxima excursin de salida
= 2IcQ(RE
11
RL)
= 2(0.0133)(300) = 7.98 V
Ejemplo 2.6 hl-~_n_l_iS_i_S
-..,...
Wv-
Encuntrense el punto Q y la excursin en la tensin de salida para el circuito de

la figura 2.25(a) con R 10 kn y R2 = 20 kn.
SOLUCiN Utilizando las ecuaciones' (2.14) y (2.15), se obtiene

RB
V
BB
= R 11 R2 = 6.67 kn
RVcc = 12(10 X 103) =4 V

R +R2
30 X 103
De la ecuacin (2.13), se tiene

. ..: VBB - VBE _
4-0.7
-4
ICQ - RB//3+RB - 6670/100+600 - .9 mA
La excursin de salida est dada por
excursin de salida
= 2ICQ(RE 11 RL)
= 2(4.95 x
.:
10-3)(300)
129
= 2.98 V
102

ic (mA)
Figura 2.26
Lneas de carga para el
ejemplo 2.6.
35.1
Lnea de carga de ca
VCE (V)
Esto es menor que la mxima excursin de salida posible. Continuando el anlisis,

VCEQ
= Vcc
- lCQRE
.= 12 - (4.95 x 10-3)(600) = 9.03

Vc
= VCEQ + ICQ(RE
v.
11 RL)
= 9.03 + (4.95 x 10-3)(300) = 10.52 V
le = 1~~2 = 35.1 mA
Las lneas de carga para este problema se muestran en la figura 2.26.
Ejercicios
J
D2.13 Cul es la mxima excursin simtrica de tensin para el amplificador de la

figura 2.24, donde Vcc = 15 V,
= 8 kn, Rz = 2 kn, RE = 1 kn, RL = 1 kn,
VBE = 0.7 V Y (3 = 80?
s,
Resp.:
'J
D2.14 En el ejercicio D2.13, redisese el amplificador para la mxima excursin

simtrica de tensin. Cules son los nuevos valores para R, Rz y Vo(P_p)?
Resp.:
1:
.
:'
7.8 V pico a pico
36.4 kn; 10.3 kn; 10 V pico a pico
D2.15 Cul es la eficiencia de conversin del amplificador diseado en el ejercicio"

D2.14?
Resp.:'
8%
130-
103
Problemas
PROBLEMAS
V2.1 Encuntrese la localizacin del punto Q del amplificador mostrado en la
figura P2.l, donde se utiliza un transistor npn. Supngase que Vee 10 V,
VBB = 1 V, RB = 10 kn, Re = 2 kn, RE = 100 n, f3 = 100, IeB~ = O
i
Y VBE = 0.7 V. Cul es la nueva posicin del punto Q si RB = 1 kn?
2.2 Encuntrese. la localizacin del punto Q del amplificador mostrado en la
figura P2.1 si se utiliza un transistor pnp y Vee -12 V, VBB = -1 V,
RB = 10 kn, Re = 1 kn, RE = 100 n, f3 = 100 Y VBE = -0.7 V. Cul es
la nueva posicin del punto Q si el valor de RB se cambia a 1 kn?
.
-Vee
Vee
Vee
Re
R2
Re
Re
R2
+
+
+
Vi
VO
RI
VB = 0.7 V
+
Vi
VO
RI
RE
':'
':'
(a)
Figura Pl.1
(b)
Figura Pl.2
.. 2.3 Encuntrense los valores de R y R2 necesarios para colocar el punto Q del

circuito de la figura P2.2(a) en el centro de la lnea de carga de cd. Supngase
que Vee -25 V, Re 2 kn y RE 1 kn, y que f3 tiene los siguientes
valores:
a. f3 = 150
b. ,B 100
c. ,B 50
/ 2.4 Encuntrese la mxima excursin pico a pico de ic en el circuito de la
figura P2.2(b). Supngase que R, = 1 kn, Rz = 7 kn,'Vee = 24 V, Re =
2 kn, RE = 400 n y ,B = 100. Dibjese la lnea de carga de cd.
'/2.5 Reptase el problema 2.4 si el valor de R2 cambia a io k!1 y los dems
valores permanecen iguales.
:/ 2.6 Con el circuito del problema 2.5, encuntrense los valores de R, y Rz que
proporcionen la mxima excursin pico a pico posible de ic. Dibjese la
linea de carga.
2.7 Para el amplificador del problema 2.5, calclese lo siguiente:
a. Potencia suministrada por la batera. .
b. Potencia disipada por R, R2, RE y Re.
c. Potencia disipada por la unin de colector.
=
=
131
104
Captulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de uni6n

~ 2.8 Para el amplificador del problema 2.6, calclese lo siguiente:
a. Potencia suministrada por la batera.
b. Potencia disipada por R, R2, RE y Rc.
c. Potencia disipada por la unin de colector.
Comprense las respuestas con las del problema 2.7.
2.9 Para el amplificador de la figura P2.2(b), donde R

3 kn, R2
20 k,n,
Rc = 1 kn, RE = 200 n, f3 = 100 y Vcc = 20 V, encuntrese la posicin
del punto Q. El transistor se reemplaza por otro con diferente {J. Encuntrese
el valor mnimo requerido de {J para que ICQ no cambie ms dei 10%.
~ 2.10 Utilcese el amplificador de la figura P2.3 .
a. Encuntrense los valores de R y R2 para obtener ICQ = 10 mA.
b. Encuntrense la excursin simtrica en la salida para los resistores de la
parte (a).
'
c. Dibjense las lneas de carga de ca y cd.
d. Dibjense las formas de onda de ic y VCE.
.~.
20V
20V
3000
+
~t-----1r----i:'f...
+
~~~
+
Vi
Vi
Figura P2.3
2kO
Figura P2.4
ty" 2.11 Utilcese el amplificador de la figura P2.3.
a. Encuntrense los valores de R y R2 para ICQ
= 30 mA.
b. Encuntrense la excursin simtrica en la salida utilizando los valores de .
la parte (a).
d. Dibjense las formas de onda de io y VCE.
/ 2.12 Utilcese el amplificador de la figura P2.3.
a. Encuntrense los valores de R y R2 para lograr mxima excursin simtrica.
b. Determnese el valor de la mxima excursin simtrica obtenida en la '
parte (a).
d. Bosqujense las formas de onda para ic Y VCE.
132
",
,
,, .
.".:,
Problemas
~.{,
105
:';':.~
2.13 Utilcese el amplificador de la figura P2.4.

a. Encuntrense los valores de Rl y R2 para ICQ 8 mA.
b. Encuntrense la excursin simtrica en la tensin de salida para los valores
de la parte (a).
d. Determnense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada
por RL.
~
.
~.)2.14 Utilcese el amplificador mostrado en la figura P2.4.
a. Encuntrense los valores de R, y R2 para ICQ = 4 mA.
b. Encuntrese la excursin simtrica en la tensin de salida para los valores
de la parte (a).
d. Determnense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada
por RL.
2.15 Utilcese el amplificador de la figura P2.4.

a. Encuntrense los valores de Rl y R2 necesarios para lograr mxima excursin simtrica.
b. Determnese la excursin simtrica en la tensin de salida para los valores
de la parte (a).
d. Detemnense la potencia disipada por el transistor y la potencia disipada
por RL.
l .
.j
2.16 Determnese el valor de Re para mxima excursin simtrica en la salida

para el circuito de la figura P2.5. Supngase que se utiliza un transistor pnp ..
Dibjense las lneas de carga de ca y cd. Cul es el valor pico a: pico de la
mxima tensin simtrica en la salida?
12 V
-12 V
4kO
9kO
Re
+
+
~~------+L
+
Vi
Vi
1 itO'
Figu~ P2.5
Figura P2.6
133
4kO
106
V 2.17 Seleccinense
ICQ y VCEQ para mxima excursin simtrica en la tensin

de salida para el circuito de la figura P2.6.
a. Determnense los valores de R y Rz con el fin de conseguir este punto
de operacin.
b. Encuntrese la mxima excursin simtrica en la tensin de salida.
c. Determnense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada
a la.carga.
i 2.18 Utilcese el.circuito de la figura P2.7.

a. Encuntrense ICQ Y VCEQ.
b. Determnese si el amplificador es estable para grandes cambios en {3.
Puede suponerse que f3 se encuentra en el intervalo 150 < f3 < 250.
c. Dibjense las lneas de carga.
d. Determnese la excursin simtrica en la tensin de salida.
-20V
24V
1 kil
16kil
R2
+
Vi
2kil
4kil
r---l
Vo
z in
Vi
Vo
":'
Figura n.7
Figura n.8
2.19 Utilcese el circuito de la figura P2.S.

a. Encuntrense los valores de R y Rz si
ICQ = 6 mA.
b. Dibjense las lneas de carga de ca y cd.
c. Determnese la excursin simtrica en la tensin de salida.
d. Encuntrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada
~
a la carga.
2.20 Utilcese el circuito de la figura P2.S.
a. Encuntrense los valores de R y Rz si ICQ = 10 mA.
c. Determnese la excursin simtrica en la tensin de salida.
d. Encuntrense la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada
a la carga.
r~";
~2.21 Utilcese el circuito de la figura P2.S.

a. Encuntrense los valores de R y Rz necesarios para conseguir la mxima
excursin simtrica posible.
\.
134
Problemas
107
c. Determnese ia mxima excursin simtrica en la tensin de salida.

d. Encuntrese la potencia disipada por el transistor y la potencia entregada
a la carga.
" 2.22 Utilcese el amplificador emisor seguidor de la figura P2.9.
a. Determnense los valores de VCEQ e ICQ.
b. Determnese la excursin en la tensin de salida.
c. Encuntrense la potencia entregada ala carga y la estimacin de la potencia
requerida por el transistor.
-25 "
20V
1 kil
25 kn
---1'~------~~~~~---r----~
+
Vi
8 kil
2 kil
Vo
Figura Pl.lO
Figura P2.9
v
2.23 Utilcese el amplificador emisor seguidor mostrado en la figura P2.10.

a. Determnense los valores de VCEQ e JCQ.
c. Determnese el valor de la excursin simtrica en la tensin de salida.
d. Al resistor de 1 k11 se le coloca un capacitor en paralelo. Describa los
cambios que Ocurrenen la operacin del circuito.
i 2.24 Determnese la mxima excursin simtrica en la tensin de salida para el circuito de la figura P2.1Oseleccionando nuevos valores para R y R2 Cules
son los valores para estos resistores? Dibjense las nuevas lneas de carga.
1'-.2.25 Al resistor Rc se le coloca un capacitor en paralelo en el circuito de la

figura P2.10. Determnese la mxima excursin simtrica en la tensin de
salida seleccionando nuevos valores para R y R2- Cules son los valores de estos resistores? Encuntrense la potencia entregada a la carga y la
estimacin de potencia necesaria del transistor.
1/ 2.26 Seleccionando nuevos valores para R y R2, determnese la mxima excursin

simtrica en la tensin de salida para el circuito de la figura P2.S si el resistor
de carga se reduce a 500 11. Encuntrense la potencia entregada a la carga y
la estimacin de potencia del transistor.
135
.~
108
.i
PA2.1 Encuentre la mxima amplitud pico a pico de te en
figura PA2.l. Suponga que Vee
24 V, Re
2 kn,
(3 100. Dibuje la lnea de carga en cd cuando
a. R = 1 kn; R2 7 kO
b. R 1 kn; R2 35 kn
c. R 1 kO; R2 3 kO
PA2.2 Encuentre la excursin simtrica pico a pico de ic en
figura PA2.2 cuando R =.5 kO, R2 50 kn, Vee 12
RE = 300 n, (3 200 Y Re = RL = 5 kO.
el circuito de la
RE 400 n y
=
=
=
=
=
el circuito de la
V, VBE 0.7 V,
Vcc
Vee
Re
VBE
= O.7V
e-oo
o>----ilt-----1I~--t:
Vi
Vi
Figura PA2.!
Figura PA2.2
PA2.3 Con el circuito del problema 2.2, encuentre los valores de R y R2 que
proporcionen la mxima excursin pico a pico posible en ie. Dibuje las
lneas de carga.
PA2.4 Para el amplificador del problema 2.2, calcule lo siguiente:
a. La potencia suministrada por la batera.
b. La potencia disipada por las resistencias R, R2, RE y Re.
c. La potencia disipada por la unin del colector.
PA2.S Para el amplificador del problema 2.3, calcule lo siguiente:
a. La potencia suministrada por la batera.
b. La potencia disipada por las resistencias RJ, R2, RE y Re.
c. La potencia disipada por la unin del colector.
Compare sus respuestas con las del problema 2.4.
PA2.6 Para el amplificador de la figura PA2.2, R
3 kO, R2
20 kO, Re
RL 1 kO, RE 200 0, (3 100 Y Vec 20 V, encuentre la posicin
del punto Q. El transistor se reemplaza con otro de f3 distinta. Encuentre
el valor mnimo de (3 para que IeQ no cambie ms del 10%.
136
~,.,
109
"'<.;.PA2.7
Se aplica una fuente de tensin directamente a la base de un transistor npn
como se muestra en la figura PA2.3. La resistencia interna de la fuente se
muestra como ~. Determine ICQ, VCEQ y Vo cuando la entrada de ca
es cero. (Suponga que (3 100 Y VBE 0.7 V.)
+5V
+5 V
1 ka
5 kn
12 ka
e-oc
C_"oo
l'o
Ri
2 kn
2kn
1
-=
:kQl ;
6.----ill----+---I:
+
Vi
2kn
500
-=
1
-
-5 V
-5V
Figura PA2.3
'
Figura PA2."
PA2.8 En el problema anterior, qu valor de resistor ser' necesario aadir a la

resistencia de la fuente para que la salida de] circuito sea 3 V cuando
Vi
= O?
'PA2.9 Analice el circuito mostrado en la figura PAZ.4y determine lo siguiente

(suponga que VBE = 0.7V y (3 = 100):
a. ICQ Y VCEQ.
b. La excursin simtrica a la salida.
c. La potencia suministrada por la batera.
d. La potencia de salida en ca.
-,
e. Las lneas de carga para el amplificador.
-PA2.10 Disee un amplificador emisor comn utilizando el circuito mostrado en
la figura PA2.5 para obtener la mxima excursin simtrica en la tensin
de salida. El diseo .debe tener una polarizacin estable en cd. (Utilice
VBE
-0.6 V Y (3 200.) Determine:
.a, ICQ y VCEQ.

b.
y R2
s.
'c. Mxima excursin simtrica en la tensin de salida.

d. La estimacin en la potencia del transistor requerido.
'"
e. La potencia de salida en ca.
PA2.1l Disee un amplificador emisor comn estable a la polarizacin utilizando
el circuito mostrado en la figura PA2.6 para obtener una tensin de salida
de 1 V cero a pico. (Suponga VBE = 0.7 V y (3 = 200.) Este amplificador
utilizar la mnima potencia de la batera. Determine:
137
Ii
110
Captulo 2 Amplificadores con transistores bipolares de uni6n
,r
l'
-6V
+6V
~
.1;
,.
Rl
R1
~,
2 kn
C-oo
C_"'oo
"
C_oo
1000:
RI
1
"::'
knI ;
:k0
RI
"::'
ioo n
1;
200n
C-oo
"00
-6V
+6V
Figura PA2.5
,'.
Figura PA2.6
a. ICQ y VCEQ.
b.
y R2.
PA2.12 Disee un amplificador emisor seguidor utilizando un transistor npn con
mxima excursin simtrica de salida para las siguientes especificaciones:
RB == 250
Vcc = 12 V, RE = RL = 8
VBE = 0.7 V
f3 = 200.
Tambin, determine Po(ca), la potencia suministrada por la batera, y la
potencia que es necesario disipar en el transistor.
PA2.13 Analice el circuito mostrado en la figura PA2.7, y determine lo siguiente
cuando f3 = 200 Y VBE = 0.7 V:
a. ICQ Y VCEQ.
b. La excursin simtrica de la salida.
c. La potencia suministrada por la batera.
d. La potencia de salida en ca.
e. La estimacin de potencia para el transistor requerido.
n,
'1
f~
;"
n.
"1;.
n.
ro in
lOV
C-oo
+
Vi
,..---i 400 ~
C_oo
200n
IIOV
10 kn
Figura PA2.'
138
too
-::-
;
.
E'>
~>;,'
'.',..
3
- DE
DISENO
AMPLIFICADORES
CON TRANSISTORES ,
BIPOLARES DE UNION
3.0 INTRODUCCiN
En el captulo 2 se analiz la polarizacin, u operacin en cd, de circuitos con
BJT. El transistor se polariza para obtener la suficiente excursin en la tensin
pico a pico de salida. En este captulo, la atencin se centrar en el anlisis en
pequea seal por medio de tcnicas de uso de circuitos equivalentes. Se,describe
la utilizacin del mtodo del circuito equivalente usando parmetros hibridos. Los
parmetros del transistor necesarios para .llevar a cabo este anlisis se' pueden
obtener de las hojas de datos de los fabricantes. stos proporcionan los datos en
un'formato como el mostrado en los ejemplos del apndice D El mtodo de diseo
que se presenta aqu reduce la dependencia del circuito de las variaciones en los
parmetros del transistor.
El captulo comienza con una introduccin a los parmetros hbridos que se utilizan para desarrollar un modelo matemtico del transistor. Se derivan las ecuaciones
para a resistencia de entrada, la ganancia de tensin, la ganancia de corriente y la
resistencia de salida para las diversas configuraciones de amplificadores (es decir.
'EC, CC y BC). En cada caso, se desarrollan tanto las relaciones exactas como las
aproximadas. Se presentan ejemplos de diseo para cada caso. Tambin se expone
, el anlisis de amplificadores multietapa y se proporcionan problemas.
111
139
112
Captulo 3 Diseo de amplificadores con transistores bipolares de unin
3.1 ANLISIS DE REDES DE DOS PUERTOS
3.1.1
Frmula de ganancia de impedancia

Se deriva una relacin importante entre las cantidades de ca de ganancia de tensin,
Av, y de ganancia de corriente, Ai. En la figura 3.1 se muestra un diagrama de
bloques de una red de cuatro terminales (dos puertos) con resistencia de entrada
Ren y resistencia de carga, RL, que se supone son resistores. En general, pueden
ser impedancias complejas.
Las relaciones entre las variables de entrada, Vi e ien, y las variables de salida,
Vo e io. se derivan directamente de la ley de Ohm. Esto es,
Tomando la relacin de estas dos ecuaciones, se obtiene
La ganancia de tensin se define como
_
Av-
Vo
Vi
y la ganancia de corriente como
Combinando las ecuaciones, se obtiene

(3.1)
"
:i
;\
La ecuacin (3.1) se llama frmula de ganancia de impedancia y se utiliza a lo

largo de este texto.
:.~
:i"
11
ti
.,
Figura 3.1
Red de dos puertos.
140
F"
~,.
"
;,..-:
113
3.1.2 Parmetros hbridos

Existen muchas formas de caracterizar redes de cuatro terminales, En un sistema
de cuatro terminales, hay cuatro variables de circuito: la tensin y la corriente de
entrada, y la tensin y la corriente de salida. Estas cuatro variables se pueden
relacionar por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cules variables se
consideren independientes y cules dependientes.
El par de ecuaciones de parmetros hbridos (parmetros h) (y su circuito equivalente) se utiliza a menudo para anlisis de circuitos con BJT. El par de ecuaciones
se especifica como sigue:
= h1li+ h12V2
i2 = h21il + hl2V2
(3.2)
.'lJ
(3.3)
El primer dgito del subndice en / denota la variable dependiente, en tanto que

. el segundo dgito denota la variable independiente asociada con el parmetro h en
panicular. Entonces, por ejemplo, h12 relaciona V2 con VI' Se supone que los
valores de h son constantes.
Cuando se utilizan los parmetros h para describir una red de transistores, el
par de ecuaciones se escribe como sigue:
= hiil + h V2
i2 = hi + hoV2
VI
(3.4)
(3.5)
donde los parmetros h se definen como:
hi
= h 11 =
=
hf = h =
h = h22 =
ii; = h12
21
resistencia de entrada del transistor

ganancia de tensin inversa del transistor
ganancia directa de corriente del transistor
conductancia de salida del transistor
Cuando los parmetros h se aplican a redes de transistores, toman un significado prctico en relacin con el desempeo del transistor. El circuito desarrollado
utilizando los parmetros h se muestra en la figura 3.2. Una aplicacin simple de
las leyes de Kirchhoff al circuito de la figura 3.2 muestra que ste satisface las
ecuaciones (3.4) y (3.5).
Figura 3.2
Circuito equivalente para
los parmetros h.
+CD
VI
_@
.._
jI
j2
(1)+
h,
h;v2
hfjl
1
- -...
s,
Ro
tlz
0141
.-i
114

Cuando los parmetros de entrada y de salida se igualan en forma individual a
cero, cada parmetro hbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, .
una razn de dos tensiones o una razn de dos corrientes. Las siguientes ecuaciones
se derivan de las ecuaciones (3.4) y (3.5). Despus de cada ecuacin estn las
unidades relacionadas con el parmetro y el nombre que se da a ste.
VII
Ren = hi = -:-
ohms: resistencia de entrada en cortocircuito con

cortocircuito
V2
en
adimensional: ganancia directa de corriente con

cortocircuito
V2
en
21 tJ:! =0
adimensiona/: ganancia inversa de tensin con iI en circuito abierto
.. Ysal
siemens (antes mhos):

circuito abierto
= h = -izl
Vz
conductancia de salida con it en
il=O
Estos parmetros son idealmente constantes, aunque los valores numricos dependen de la configuracin del transistor. Por ejemplo, si la terminal 1 de la
figura 3.2 es la base, 2 es el emisor y 3 el colector, el circuito representa una
configuracin en EC. De manera similar, el transistor se puede modelar como una
. configuracin en BC si las terminales 1,2 Y 3 son el emisor, la base y el colector,
respectivamente.
Es muy til contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones,
es decir, EC, CC y BC. Se aade un segundo subndice a cada parmetro hbrido
para proporcionar esta distincin. Por ejemplo, un circuito en EC suele tener hi en
el circuito de base, y se cambia a lu. De manera similar para BC, hi se cambia
por bo: y para CC, se cambia a hic. Los tres valores se relacionan entre s como
(3.6)
En la figura 3.3 se muestra un amplificador EC con dos circuitos equivalentes

distintos. Aunque el modelo de parmetros h define el segundo subndice en
asociacin con el tipo de configuracin del amplificador, hib y lu son valores de
resistencia que se basan en el punto de operacin del amplificador y en la ubicacin
de estas resistencias en el circuito equivalente. En este caso, los subndices no
tienen nada que ver con la configuracin del amplificador. Se aplica el mismo
concepto a h fe, que se refiere a f3 sin importar cmo est colocado el transistor
dentro de la configuracin del amplificador.
En cada circuito equivalente se hace la simplificacin (en .general razonable)
de que hr = h = O. En la figura 3.3(b) se utiliza el modelo en EC, donde el
transistor se reemplaza por el circuito de la figura 3.2 con la terminal 1 como la
base, la 2 como el emisor y la 3 como el colector. En la figura 3.3(c) el transistor
142
115

Figura 3.3
EC y circuitos
equivalentes.
(b)
Re
----r
L
t,
t,
Re
L-_-+-__ ---'_~:
__
(a)
(e)
se reemplaza por el modelo en BC. Esto es, utilizando la figura 3.2, la terminal 1
es el emisor, la 2 es la base y la 3 el colector.
.
Para comente a pequea seal, se observa que hfe es la razn entre el cambio en la corriente de salida (Doic) y el cambio en la corriente de entrada (DoiB).
Recurdese que esta relacin es tambin la expresin que define a /3. Como resultado,
.
he
.. A.ic
=/3=-.
.
Dot B
I
vee
= constante
El valor real de /3 es funcin del punto de operacin Uco) del transistor, En la

porcin plana de la curva de ic contra VCE con ie constante, el cambio en /3 es
pequeo.X'onforme el transistor se aproxima a la saturacin, /3 empieza a caer. A
medida que el transistor se aproxima a corte, /3 tambin se aproxima a cero.
Las especificaciones del fabricante presentan a menudo una grfica de he como
funcin de io. La conductancia de salida del transistor, ho, suele ser pequea.
Por tanto, la resistencia de salida, ro, generalmente es grande. Como ejemplo,
examnese la hoja de especificaciones del fabricante para el 2N3903 (vase Ap.
D). Se puede ver que la conductancia de salida vara de 4 J.LS a 65 .tSconforme
ic vara de 0.1 mA aI mA. Esto significa que la resistencia de salida vara de
15 kn a 250 kn. Como ejemplo de un valor caracterstico, cuando ICQ es igual a
1 mA. la resistencia de salida del transistor es aproximadamente 115 kn. Con una
carga caracterstica de 4 kn, la combinacin en paralelo es ms o menos a kn
(ya que 115 kn es mucho mayor que 4
y se puede suponer que ro es infinita.
La ganancia inversa de tensin de la red, ti., tambin es pequea y se ignora en
el circuito equivalente del transistor utilizado en el texto.
Otro modelo de dos puertos que se utiliza en el estudio de circuitos de transistores es el modelo 11" hbrido, que es importante cuando el transistor se utiliza en
km
143
"1.
116

Bo------.
Figura 3.4
Circuito equivalente .
1r hbrido.
...-----r---o
T"
v"
E~-~--L--~----~--~E
alta frecuencia. Incluye los efectos de los parmetros que se vuelven significativos
en alta frecuencia (esto se analiza en el captulo 10).
En la figura 3.4 se muestra un modelo 7r hbrido del transistor a baja frecuencia
y pequea seal. El modelo para baja frecuencia es similar al de los parmetros h
para el EC. La diferencia' principal es que la fuente de corriente' controlada por
corriente de la figura 3.2 .se reemplaz por una fuente de corriente controlada
por tensin. De hecho, es muy sencillo comparar los parmetros corno sigue:
1
=-
hib
rCE=-
ho
3.2
RESISTENCIA DE ENTRADA EN CORTOCIRCUITO

Se explora el valor de los parmetros antes de abordar la utilizacin real de los
circuitos equivalentes para el diseo y anlisis. Primero se desarrollan las ecuaciones para hie Y hib, que muestran la dependencia de estos parmetros respecto a la
ubicacin del punto de operacin.
Se comienza con la ecuacin para las caractersticas de operacin de la unin
base-emisor, que se comporta corno un diodo, tal corno se present en el captulo 1.
Esta ecuacin se deriva con respecto a VBE para obtener
diB = -exp
10
--dVBE
VT
(VBE)
---
VT
144
3.3
Parmetros en EC
117
En la regin de polarizacin directa, iB est dada aproximadamente por
.
~B
= 1oexp
(VBE)
V
T
Entonces
Pero de la definicin de lu, se obtiene (vase Fig. 3.2)
Recurdese ahora que
Por ltimo;
(3.7)
La ecuacin (3.7) se conoce como ecuacin de Shockley. Utilizando la aproximacin VT = 26 mV, que se aplica al BIT, la ecuacin (3.7) se vuelve
.
h. _ 0.026 V .
,b -
(3.8)
IIcQI
La ecuacin (3.8) es til para estimar el valor de hib, que se utilizar en el circuito
equivalente de la figura 3.3(c) (o gm en el circuito equivalente de la Fig. 3.4).
l.,
3.3
..._-----
PARMETROS EN
ec
. Las ecuaciones que definen los parmetros de amplificacin en ca se resumen

en la tabla 3.1 y se derivan en las siguientes secciones. Obsrvese que la tabla
proporciona dos ecuaciones de definicin para cada parmetro. Estas se denominan
como forma larga y forma corta. La ecuacin en forma corta es una v~_[~
:-~
145
r:
:.......
118
Capitulo 3 Diseo de amplificadores con transistores bipolares de unin

simplificada de la ecuacin en forma larga y se deriva haciendo suposiciones acerca
de los tamaos relativos de algunos de los parmetros. Se anotan las suposiciones
necesarias conforme se deriva cada ecuacin; las suposiciones se encuentran en la
tabla.
Este doble conjunto de ecuaciones se utiliza como base para la tcnica de resolucin de problemas usada aqu. En general, se utiliza la ecuacin en forma corta
porque los parmetros no se conocen de manera' ms precisa. Luego se verifica

que las suposiciones necesarias para hacer' vlida esta forma corta sean, efectivamente, vlidas. Si se aplican las condiciones de la forma corta, los valores de los
componentes caen dentro de los mrgenes de tolerancia de fabricacin. Si no' se
aplican tales condiciones, los clculos se deben repetir utilizando las ecuaciones
en su forma larga.
En la tabla 3.2 se resumen los circuitos equivalentes utilizados en las derivaciones.
3.3.1
Resistencia de entrada, Ren

Se utiliza el circuito de parmetros hbridos para derivar la ecuacin de la resistencia de entrada para cada tipo de configuracin del amplificador. En la figura 3.5 se
modifica el amplificadorEC de la figura 3.3 aadiendo una resistencia de carga acoplada por capacitor. El circuito bsico se muestra en la figura 3.5(a), mientras que
en la figura-3.5(b) y (c) se .muestran dos formas de circuito equivalente. Ntese
que se omiti en el modelo la ganancia inversa de tensin, hr, y la admitancia de
salida, b.
El circuito equivalente de la figura 3.5(b) se utiliza para derivar la resistencia de
entrada, Ren' En general, f3 es bastante grande para aproximar 1 + f3 como f3. La
corriente en RE es, por tanto, aproximadamente igual a f3ib. Si ahora el circuito
se divide como en la figura 3.5(c), la corriente a travs del resistor en serie con
hie en el lazo de entrada es ib. Entonces, para mantener la tensin en el mismo
valor que en el circuito original, se debe cambiar el valor del resistor a f3RE. La
resistencia de entrada se encuentra entonces escribiendo las ecuaciones de LTK y
LCK para el lazo de entrada.
(3.9)
Se sustituye hie
= f3hib
para obtener
(3.10)
Si RB es despreciable comparada con f3RE, la ecuacin (3.10) se puede simplificar

ms hacia la forma mostrada en la ecuacin (3.11).
(3.11)
146
./
'1
3.3 Parmetros en EC
-_,
~
~ --;
~ ~
~
+
...
':I~
':I~
:I':I~
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~ ~
...:::::'"
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147
119
120
Captulo 3 Diseo de amplificadores Contransistores bipolares de unin
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o
..!:! E
o o
U u
c:l
e
u ,"
1-48
..
Iil
121
3.3 Parmetros en EC
. Vee
Figura 3.5
Configuracin EC.
ien
R,
,+
u,
.........
en
RL
u,
iZt+
;:.
RB
RL
Uo
(a) Circuito EC
",
hi,
Re
(b) Modelo en ca
(c) Entrada y salida separadas
La ecuacin (3.10) es la forma larga de la ecuacin y requiere slo una aproximacin, esto es, {3
1. La ecuac~~_(3.11)~t en forma corta porque requiere
la rg.xi_maj::in
adicional de que RB
RB < 0.1 (3~,
: {3RE, que
"-----=-.----/
a menudo se expresa como
-----_/
3.3.2 Ganancia de tensin, Av

La ganancia de tensin se encuentra de la definicin .
La relacin de divisin de corriente aplicada a la salida de la figura 3.5(b) da
El signo negativo resulta de la direccin opuesta de-{3ibcon respecto a it: Entonces
Se desea obtener una expresin para Av que no contenga otras variables. Esto.
es, se necesita eliminar ib y Ven de la ecuacin anterior. Aplicando divisin de
corriente en la entrada, se tiene la siguiente expresin para ib:
149 .
Esto se sustituye en la ecuacin para Av a fin de obtener
Av
Como Vi
-f3RL
Vi
. Re
REien
RL + Re RE + hie + f3RE
= ienReo,
se obtiene
Se cancela la ieo del numerador y el denominador. Como el parmetro Reo est

resuelto en trminos de los parmetros del transistor y de los elementos del circuito,
se puede simplificar an ms. Sustituyendo ReD de la ecuacin (3.9), se obtiene
Av
= -f3RLRe
RL + Re
RB
RB + hie + f3RE
RB + hie + f3RE RB(hie + f3RE)
Cuando se cancelan los trminos iguales del numerador y el denominador y se

reconoce que hie = f3hib, esta expresin se simplifica a la forma larga dada en la
ecuacin (3.12):
Av
= -f3(RL
11 Re}
hie + f3RE
= -RL
11 Re
hi~+ RE
(3.12)
Si hib RE, la ecuacin se reduce an ms hacia la forma corta dada por la

ecuacin (3.13):
(3.13)
Si se coloca un capacitor grande en paralelo con RE de manera que la impedancia en ca sea pequea, hib ya no ser mucho menor que RE y se deber utilizar
la forma larga de la ecuacin (3.12). Esto se vuelve
150
~,:,
..
J
:~..
f:: .
3.3 Parmetrosen EC
~.
123
Esto se puede combinar con la aproximacin de hib de la ecuacin (3.8) para

.obtener
'
A _ -(RL
"Rc)IcQ
0.026
, v -
que muestra que con RE en cortocircuito, la ganancia de tensin del amplificador

depende del valor de ICQ.
3.3.3 Ganancia de corriente, A

,,,,":\
r/\
'l)
J; _\ ,
La ganancia de corriente se encuentra a partir de la frmula de ganancia de impedancia, ecuacin (3,1),
_--'
---.- ,--
Sustituyendo Av y Reo de las ecuaciones (3.9) y (3.12), se obtiene la forma larga

de ganancia de corriente de la ecuacin (3.14):
Ai=-
=-
RB(hie+f3RE)
f3(RLIIRc)
(RB + hie + j3RE)RL hie + f3Re
RBRC
(RB / j3 + hib + RE)(Rc + RL)
-=---:~-__";;:"""""::'_...".--...,,,..-
(3.14)
Si RB : f3RE y hib : RE, la ganancia de corriente se simplifica a la expresin

en forma corta de la ecuacin (3.15):
(3.15)
Estas ecuaciones para el amplificador en EC se resumen en la tabla 3,1.
3.3.4 Resistencia de salida, Ro'
-:
'..:"
Como se muestra en la figura 3.2, en el circuito equivalente para el transistor, el

"'-/ circuito de salida contiene un, generador de corriente ideal en paralelo con una
resistencia de valor l/ho. La fuente de corriente ideal exhibe una impedancia
infinita, ya que se mide la resistencia de salida con la entrada en circuito abierto
(es decir, ib = O). La resistencia de salida para el transistor EC es entonces
151
124

Por lo general, el parmetro hoe es bastante pequeo como para ser despreciado
en los clculos, de modo que la magnitud de la resistencia de salida del transistor
se vuelve infinita. El valor de hoe se puede determinar consultando las especificaciones del transistor. La resistencia de salida, Ro, de un amplificadorEC es Re
cuando roes grande. Muchos de los transistores de unin tienen una ro superior
a 50 kf2.
Ejemplo 3.1
Amplificador EC acoplado con capacitar (diseo)

Disese un amplificador EC (vase Fig. 3.6) con Av = -10, f3 = 200 YRL = 1 kf2.
Se utiliza un transistor pnp y se requiere mxima excursin simtrica en la salida.
SOLUCiN Remtase a la figura 3.7 durante esta derivacin. En la seccin 2.9.2
se encontr cmo seleccionar R y R2 para mxima excursin simtrica cuando se
conocen los dems parmetros del circuito. La nica informacin adicional que
se proporciona aqu es el valor de Av, por lo que existen dos incgnitas adicionales, Re y RE. Entonces, se necesita otra ecuacin, que se debe elegir para forzar
Re = RL = 1 kf2 (vase el problema 3.17 para la justificacin). En primer lugar,
se trata la ecuacin en forma corta para Av a fin de resolver RE:
Av
= -(RL
11
Re)
RE
Cuando se sustituyen los valores conocidos en esta ecuacin, se encuentra RE

SOn. Se necesita encontrar hib para ver si se justifica la ecuacin en forma corta.
Primero se encuentran Reo. y Rc. y luego se calcula el punto Q como sigue:
Reo. = RE + Re
Red
= RE
+ Re
11
RL
= 550 f2
= 1050 f2
Con Reo. y Red determinadas, el diseo de este circuito sigue ahora en forma
paralela el diseo en ca dado en la seccin 2.9.2. El primer paso es calcular la
Figura 3.6
Amplificador EC.
Vcc=-12V
152
3.3 Parmetros en EC
125
ic(niA)
Figura 3.7
Lneas de carga para el
ejemplo 3.1.
.r
IcMAx -15
~
Linea de carga de ca
~~PuntoQ
ICQ -7.5
. --~
1\
I
I
I
VCEQ
Lnea de carga de cd
<,
<,
\
V'cc :
-12 vce(V)
-4.155 -8.31
corriente de colector en reposo necesaria para colocar el punto Q en el centro de

la lnea de carga de ca (es decir, mxima excursin). La ecuacin es
.
ICQ
= ReaVcc.
= -7.5
+ Red
mA
Se verifica ahora la validez de la ecuacin en forma corta para Av. La cantidad

hib se encuentra de la ecuacin (3.8) como sigue:
. - 26 mV _ 26 mV _ 3 4"" n
h,b - . I H
IIcQI
7.5 mA
Entonces
RE
= SO n-
hib = 46.5
Como hb es mucho menor que RE, la forma corta de la ecuacin es vlida, y se

puede continuar con el diseo.
Si existiera alguna especificacin de ganancia de corriente o de resistencia de .
entrada para este diseo, se utilizara para resolver el valor de RB. Como no existe
dicha especificacin, se emplea la expresin
RB
= 0.1 f3RE = 0.1(200)(50) = 1 kn

153
126

Como se est forzando, en efecto, a que RB sea menor que f3RE por un factor de
10, la expresin en forma corta para A probablemente sea vlida. Por tanto,
Ai =
-RBRe
= -1000 x 1000 =-10
RE(Re + RL)
50 x 2000
Se verifica este resultado recalculando, con la forma larga, la ganancia de corriente. Se obtiene
RB = 0.1 f3RE = 0.1(200)(46.5) = 930 O
Entonces
Esto muestra que el uso de la expresin en forma corta provoca un error superior
al 10%. Por tanto, se abandona la forma corta y se contina utilizando la expresin
en forma larga como sigue:
VCEQ
= Vcc
- (Rc + RE)ICQ
= -12 - (1046)(-0.0075) = -4.155 V

VBB
= ICQ
(RE
+ R; ) + VBE
= (-0.0075) (46.5 + ~~~) + (-0.7) = -1.08 V

R =
.=
RB
1 - VBB/VCC
930
= 1.02 kO
1 - 1.08/12
.
Rz = RB Vcc = (930)(-12) = 10.3 kO

VBB
-1.08
Ren =
RB(hb + RE) =
930(50)
= 851 O
RB / f3 + ~b + RE
930/200 + 50
Ro = Re
= 1 kO
(suponiendo ro grande comparada a Re)
La mxima excursin pico a pico en la salida est dada por

2IIeQI<Re 11 RL)
= 2(.0075)(500) = 7.5 V
154
3.4 Alinealtdades de los BIT
127
La potencia suministrada a la carga y la mxima potencia disipada por el transistor

se encuentran por medio de las ecuaciones de las secciones 2.9 y 2.11.
PL
PT
= VCEQlcQ = 30.9 mW
(lCQ)2 RL
= 7 mW
Las lneas de carga para este circuito se muestran en la figura 3.7. Si Ren o Ai
se hubiesen especificado (en lugar de Av), entonces se podra utilizar la ecuacin
para Ren o Ai a fin de determinar RE. Luego se podra utilizar la ecuacin
RE =O.lf3RE
'a fin de resolver para RE. Entonces,
3.4 ALlNEALlDADES DE LOS BJT

En la seccin 2.4.2, se vio que un transistor opera de forma lineal excepto en las
regiones de corte y saturacin. La operacin en estas regiones o cerca d~ ellas
provoca una reproduccin distorsionada de la seal de entrada. Por tanto, se deben
evitar las regiones sombreadas que se muestran en la figura 3.8. Con frecuencia,
los diseadores descartan el 5% de la curva caracterstica en la vecindad de la
regin de saturacin y el 5% de la curva cercana a la regin de corte.
Utilizando estos lineamientos y suponiendo que ICQ seha colocado en el centro
de la lnea de carga de ca, la tensin de salida pico a pico no distorsionada est
dada por la ecuacin (3.16).
Vo(P-p}
= 0.9 X 21IcQ I(RL 11 Rc)

= 1.81IcQICRL 11 Rc)
(3.16)
Supngase ahora que ICQ no se encuentra en el centro de la linea de carga.

El circuito tendr una excursin en la salida reducida para una seal de entrada
simtrica. En las figuras 3.9(a) y (b) se muestra en forma grfica esta excursin
reducida. La mxima excursin simtrica en la salida se puede determinar como
sigue. Supngase que la entrada es una sinusoide tal que
155
128
Figura 3.8
Porciones no lineales de la
curva caracterstica.
Regin no lineal extrema (regin de saturacin)
ICQ en el centro de la lnea de carga
ii;
Mxima
Mxima
excursin
de colector
VCC
~~~ii~.vct:
l/CE
(a) ICQ por debajo del centro de la lnea de carga
CC
Vcc
.
(b) ICQ por arriba del centro de la lnea de carga
Figura 3.9 Excursin reducida en la lnea de carga.
ic{t)
= lc-.
senwt
Entonces
vo{mx. excursin de salida)
= 2Ic-.{Rc
11 Rc)
Para el caso donde Ica est por debajo del centro de la lnea de carga de ca como.
en la figura 3.9(a).
lc-.
= ICQ-
0.05 x
156
lb
3.4 Alinealidades de los BiT
129
donde, de la figura 3.9(a),
' _ Ve
Je--Rca
Entonces
= 2(IcQ -
vo(mx. excursin de salida)
leo est
Para el caso donde

figura 3.9(b),
le
mb
= 0.95J -
0.05Ib)(RL
11
Re)
(3.17a)
por arriba del centro de la lnea de carga, como en la
leQ
Entonces
= 2(0.95I -
vo(mx. excursin de salida)
reQ)(RL " Re)
(3.l7b)
Ejercicios
D3.1 El amplificador en EC de la figura 3.5(a) tiene Vee

15 V, RL
00,
VBE = 0.7 V, Re 5 kO, RE 500 O y (3 = 200. Determnense R, R2, Av, Ai
y la mxima tensin de salida simtrica sin distorsin cuando el punto Q est en
el centro de la lnea de carga de cd .
. Resp.:
R = 11.1 kO; R2 = 104 kO; Av

Ai = -20; vo(P_p) 12.2 V
= -10;
D3.2 En el ejercicio D3.1, RE est en paralelo con un capacitor. Cules son los
valores de R, R2, Av, Ai y Ro?
Resp.:
R = 11.1 kO; R2 = 101 kO; Av = -275;

Ai = -147; I4.n = 2.67 kO; Ro = 5 kO
D3.3 El amplificador con transistor pnjJ mostrado en la figura 3.6 requiere una
ganancia de tensin Av =:: Vo/Vi
-5 Y una resistencia de entrada, Ren = 1 kO.
RL 5 kO, Vec :""12 V, VBE -0.7 V Y f3 200. Determnense la ganancia
de corriente, la mxima excursin simtrica y el valor de los otros resistores .
.. Resp.:
=
=
Ai
. R
= -1;
Vomx
= 6.35
V;
= 1.1 kO; R2 = 8.5 kO
D3.4 Disese un amplificador en EC (Fig. 3.6) con una ganancia de tensin de

-60, RL =:: 5 kO y Ren
5 kO .. Disese para mxima excursin en la
tensin de salida.
Av
157
130

Resp.:
RE == 25.2
Ai == -60;
n; R,
== 13.4 kO; R2 == 179 kO;

vo(P-p) == 7.12 V
(Ntese que la polarizacin del amplificador no es estable.)
D3.5 Disese un amplificador en EC (Fig. 3.6) para mxima excursin en la

salida con RL == 6 kO, Av = -60 y Ai = -20.
Resp.:
RE == 30 O; R, = 2.67 kO; R2 = 40 kO;
Ren =.2
kO;
vo(P-p)
= 7.12 V
PARMETROS PARA EL AMPLIFICADOR CC (ES)
3.5
Resistencia de entrada,
3.5.1
Ren
El circuito ES (emisor-seguidor) se muestra en la figura 3.10. Como antes, C, y

C2 s~ consideran cortocircuitos para frecuencias medias.
Si se escribe la ecuacin de LTK alrededor del lazo de entrada y se resuelve
para la resistencia de entrada, se obtiene (suponiendo 1 + /3 ~ /3)
: = RB 11 [hie + /3(RE
11
RL)]
RB [hie + /3(RE 11 RL)]

=-=-,;;_:_-:---'---:::--:-=-~-=-";:_
RB + hie + /3(RE 11 RL)
(3.18)
Esta es la forma "largade la ecuacin para Ren. Al comparar con la expresin en

la tabla 3.1 recurdese que hie /3hib. Si RB /3(RE II RL), entonces RB se
puede eliminar del denominador, obtenindose la ecuacin en forma corta (3.19):
(3.19)
~
[
Vcc
Figura 3.10
Amplificador CC.
R $_ .;
~
i,;,
+
Vs
hie
Ren
Vi
Rs
u,
(a) Circuito
158
cc
(b) Circuito equivalente en ca
3.5
Parmetros para el amplificador CC (ES)
131

La ganancia de tensin est dada por
As, la 'ganancia es .
Av ;", (3ib(~E
11
RL)
.2enR..n
Ahora se aplica divisin de corriente en el circuito de entrada para obtener

(3.20)
En seguida, se sustituye la expresin para ib en la ecuacin de Av para obtener
Av
= :
f3ien(RE 11 RL)RB .
[RB + hie + (3(RE 11 RL)2enRen
Por ltimo.rsustituyendo la ecuacin (3.18) para Ren y cancelando ien, se obtiene

la expresin en forma larga de la ecuacin (3.21).
Av =
f3(RE 11 RL)
=
RE " RL
11 RL)
hib + (RE 11 RL)
(3.21)
hie + f3(RE
Si hib es pequea comparada con RE

en forma corta
como es comn, se obtiene la expresin
11 RL,
Av =1
Ntese que la ganancia es positiva ya que
3.5.3
Ven est
Ganancia de corriente, A
Como
e invirtierido la ecuacin (3.20), se obtiene

159
en fase con vo
132
entonces la forma larga para Ai es como se muestra en la ecuacin (3.22).
(3.22)
Si hib y RB / (3 son mucho ms pequeas que la combinacin en paralelo de RE y

RL, resulta la siguiente ecuacin en forma corta:
(3.23)
Ntese que la ganancia de corriente es positiva para el amplificador ES.
3.5.4
Resiste_ncia de salida, Ro
En la figura 3.11(a) se muestra un circuito equivalente alterno para un amplificador
ES. Aqu se utiliza el modelo BC del transistor en vez del EC empleado en la
figura 3.10. La resistencia de la fuente de tensin de entrada se muestra como
Rs. El equivalente reducido de la figura 3.11(b) se encuentra de manera similar
a la utilizada en la figura 3.5(c). La corriente en hib es aproximadamente {3 veces
la corriente del circuito a la izquierda de hib. Por tanto, cuando se quita la fuente
de corriente controlada, Rs y RB tienen corrientes a travs de ellas que son {3 veces
las corrientes reales. Para mantener las mismas tensiones, el valor de los resistores
se debe dividir entre (3. La resistencia de salida de este circuito se obtiene como
sigue:
(3.24)
Figura 3.11
Resistencia de salida de la
configuracin ES.
~
Rs
+
lis
s;
RB
R,I~
RE
Rl.
l/o
R"
(a) Circuito equivalente amplificador EF
1-
160
RII~
RE
~RL
11
R"
(b) Circuito equivalente reducido para
encontrar Ro
3.5 Parmetrospara el amplificador
ce (ES)
133
La resistencia de salida depende de los parmetros .de entrada R, y RB, a diferencia del resultado para el amplificador EC, donde Ro depende slo de Re (vase
Seco3.3.4).
Ejemplo
3.2
Amplificador
ce acoplado
por capacitar (diseo)
Disese un amplificador CC npn de una sola etapa (Fig. 3.10) con f3

60,
VBE = 0.7 V: R, = 1 kn, y Vee = 12 V. Determnese el valor de los elementos
del circuito para la etapa a fin de conseguir Ai = 10 con un resistor de carga de
100 n.
SOLUCIN Se deben seleccionar R, R2 y RE, pero otra vez se tienen slo dos
ecuaciones. Estas dos ecuaciones estn especificadas por la ganancia de corriente
y la ubicacin del punto Q. Por tanto, para empezar, RE debe limitarse a ser igual
que RL. Esto proporciona una tercera ecuacin. En consecuencia,
RE = RL
= 100 n
Ahora se encuentran las pendientes de las lneas de carga,
; = RL 11 RE = 50 n
Red = RE = 100 n
Se utiliza ahora el procedimiento de diseo paso a paso incluido en la seccin 2.9.2.
Como no se especifica la amplitud de la seal de entrada, se elige la corriente
estacionaria para colocar el punto Q en el centro de la lnea de ca.
ICQ
= e;Vee
= 80 mA
+ Red
.~
Ahora se ver si se debe utilizar la ecuacin en forma corta o larga para encontrar
RB; hib se encuentra de
hib =
26 mV
--IIeQI
26 mV
--80 mA
.1
I
I
= 0.33 n
l
I
Como hib es insignificante comparada con RE 11 RL, se puede ignorrr. Puesto

que sta es una de las condiciones para la utilizacin de las ecuaciones e. .orma corta, primero se encuentra RB de la ecuacin de ganancia de corriente en rorma cona.
r-:_:,
! .:
r:
161
134

RB
RB
RL
100
Ai=-=-=10
RB
= 1000 n
Una segunda condicin para usar esta forma corta es
Ahora que RB se encontr de la ecuacin en forma corta, se puede verificar esta

suposicin.
0.1 (3(RE
11
RL)
= (0.1)(60)(50) = 300 n
Como 1000 n es mayor que 300 n, se debe retroceder y utilizar la ecuacin en

forma larga. (Antes de continuar, el lector debe convencerse de que entendi lo
que se hizo. Esto es similar a la tcnica de suposicin y verificacin utilizada a
menudo en clculo integral.) La ecuacin en forma larga da
Ai
f3RERB
(RE
+ RL)[RB + (RE
donde se desprecia
RB
hib.
11 RL}{3]
Se despeja RB de esta ecuacin, lo que da como resultado
= 1500 n
VBB se encuentra como en el paso 4 del procedimiento de diseo presentado en

la seccin 2.9.2:
VBS = 0.7
+ 0.08 (
1.5 X 103
)
60
+ 100 = 10.7 V
Continuando con el diseo presentado antes, se encuentra

;
Rl
= 13.8 kn
R2
= 1.68 kn
La ganancia de tensin es .aproximadamente unitaria. La resistencia de entrada se'

encuentra de la ecuacin (3.18).
162
','
3.6 Parmetros para el amplificador Be
135
r.a resistencia de salida se calcula de la ecuacin (3.24):

Ro
[0.33 + 1000~1500]
11100 = 9.36 n
La mxima excursin simtrica pico a pico en la salida est dada por la ecuacin
(3.16), donde la mxima excursin se interpreta como la ms grande sin distorsin
significativa (es decir, eliminando el 5% de cada extremo del intervalo caracteristico). Recurdese que la distorsin se produce cuando la operacin del circuito
se aproxima a corte o saturacin.
La potencia disipada en la carga, PL, y la mxima potencia requerida por el transistor, PT, son
PL
= (0.9IcQ/2)2
RL
= 64.8 mW
,2
PT
= ICQ VeEQ = 320 mW
Ejercicios
D3.6 Disese un amplificador ES (Fig. 3.10) que tenga Ai = 15, Vee

18 V,
lOO, R, O, VBE = 0.7 V Y RL = 200 n. Encuntrese la tensin de salida
pico a pico sin distorsin.
{J
Resp.: R
= 28 kn; R2 = 5.05 kn; RE = 200 n; vo(P-p) = 10.8 V
D3.7 Disese un amplificador ES que tenga

18 V, 3 = 100, VBE = 0.7 V Y RL = 200 O.
Resp.:
3.6
RE
Ren
= 2 kn, Re = 100 n, Vee =
= 200 n; R = 4.89 kn; R2 = 5.1 kn; Ai = 10; vo(P_p) = 6.48 V
PARMETROS PARA EL AMPLIFICADOR BC

El amplificador BC se muestra en la figura 3.12. El circuito BC se dibuja a menudo
con orientacin horizontal, como se ve en la figura 3.12(a). Sin embargo, el circuito
es ms fcil de entender cuando se dibuja como en la figura 3.12(b). De esta
configuracin, es fcil ver que la polarizacin es idntica a la del amplificador EC.
163
136
Figura 3.12
Amplificador
Be.
Figura 3.13
Circuito equivalente
del amplificador BC.
en
+
Vi
Re.
3.6.1
Resistencia de entrada, Ren

El circuito hbrido equivalente para el BC se muestra en la figura 3.l3, donde se
utiliz el modelo hbrido EC. RB es la combinacin en paralelo de Rl y R2 La
ecuacin en forma larga para Ren se deriva en seguida. La corriente en Ren es
ien + (1 + (3)ib. En el siguiente anlisis, as como a lo largo del texto, se supone
que f3 es bastante grande para permitir la sustitucin de f3 por 1 + f3. Entonces,
Sustituyendo ib de la .segunda ecuacin en la primera, se tiene
Combinando trminos y resolviendo para Ren, se obtiene
164
:'
r
.
3.6 Parmetrospara el amplificador Be
137
F""
La ecuacin en forma corta se obtiene suponiendo que hib

Entonces
RE
y RB f3RE.
(3.26)
La ecuacin (3.26) indica .una de las limitaciones ms serias de la configuracin

Be: baja resistencia de entrada. Por lo general, tanto hib como RB/ f3 son de unos
cuantos ohms, por ,lo que Ren es algo pequea.
3.6.2
Ganancia de corriente, A
La ganancia de corriente para el circuito de la figura 3.13 se encuentra de la
siguiente forma:
De la derivacin anterior para Ren, se obtiene
Se sustituye entonces la expresin para ib en la ecuaci6n de Ai y se simplifica para

derivar la expresin en forma larga de la ecuacin (3.27).
(3.27)
Entonces, si RB f3RE y hib
la ecuacin (3.28).
RE,
A- _
Re
- Re +RL
se obtiene la expresin en forma corta de
(3.28)
165
~\
~J
"r
~!
138

La frmula de ganancia de impedancia de la ecuacin (3.1) se utiliza para encontrar
A". Se usan Ai de la ecuacin (3.27) y Ren de la ecuacin (3.25) para obtener la
expresin en forma larga de la ecuacin (3.29):
(3.29)
No se puede simplificar ms la ecuacin (3.29) ya que hib es aproximadamente

igual a RB / (J. Si se aade un capacitor de paso entre base y tierra, RB / (J se
elimina de la ecuacin (3.29) y la expresin se simplifica a
.
Ntese que la ganancia de tensin aumenta de manera significativa al aadir este

capacitor de paso.
3.6.4 Resistencia de salida, Ro

Como en el caso del amplificador EC, el generador de corriente dependiente, (Jib,
presenta una resistencia elevada. Por tanto,
Ro = Re
Ntese que como RE no aparece en las ecuaciones para Ren, Ai, A" o Ro, se puede
elegir de manera que las desigualdades, RB (JRE y hib RE. se satisfagan
fcilmente. En los ejemplos y problemas se selecciona un valor para RE.
Ejemplo 3.3
Amplificador
Be
acoplado por capacitor (diseo)
Disese un amplificador Be utilizando un transistor npn (Fg. 3.12) con (J 100,

Vee = 24 V, RL 2 kn, RE 400
y VBE = 0.7 V. Disese el amplificador
para una ganancia de tensin de 20.
SOLUCiN
Re
De nuevo, se necesita una restriccin adicional, por lo que se hace
= RL =2 kn
":'.'
3.6 Parmetros para el amplificador Be
139
Entonces, de la ecuacin (3.29),

11 RL = 50 n
Av
Reo. = 1400 n
Red = 2400 n
Vcc
ICQ = R
R =6.32 roA
hi'b+ RB
{3
= Rc
eo.
ed
Severifican las condiciones para la ecuacin en forma corta.

hi'b=
--0.026
=4.12 n
ICQ
la cual es mucho menor que RE; por tanto, quiz se pueda utilizar la forma corta.
RB = (3(50- 4.13)
= 4.59 kn
la cual es mucho menor que {3RE. Por tanto, se cumplen ambas condiciones y se
peden utilizar las expresiones en forma corta para calcular Ai y Reo"
kt
Ren
Rc
Rc + RL
2000
-05
(2000 + 2000) - '.
4590
= hib + ~RB
= 4.12 + -= 50 n
1-'
100
Se utiliza otra vez la ecuacin de polarizacin de la seccin 2.9.2 para encontrar

los parmetros del circuito de polarizacin de la entrada.
VBB =VBE+lcQ
(~
+RE)
= 0.7 + (6.32 x 10-3) (
4.59 X 103
)
100
+ 400 = 3.52 V
Los resistores de polarizacin estn dados entonces por
R,
RB
1- VBB/VCC
4.59 X 103
1_ 3.52/24
= 5.38 kO
R2 = RBVCC = (4.59 x 103)(24) = 31.3 kO
VBB
3.52
La mxima tensin de salida pico a pico sin distorsin es

VO(P_p)
= 1.8IcQ(Rc
11
RL)
= 11.38 V
167
140
Captulo 3 Diseo de amplificadores con transistores bipolares de uni6n
Ejemplo 3.4
Be acoplado por capacitor (anlisis)
Amplificador
Un transistor npn se conecta en configuracin Be, como se muestra en la figura

3.12(b). La tensin de la fuente es Vcc = 20 V, (3 = 200, VBE = 0.7V, RE =
200 n, R; = 5 kn, R2 = 80 kn y Rc = RL = 5 kn. Se coloca n capacitor
grande entre la base del transistor y la tierra. Determnense la ganancia de tensin,
la ganancia de corriente, la impedancia de entrada y la mxima excursin simtrica
sin distorsin en la tensin de salida.
SOLUCiN
Se encuentra el equivalente de Thvenin en los circuitos de base.
= n, 11 R2 = 5 kn 11 80 kn = 4.7 kn
RB
5 kn
85 kn
VBB
= 20 x
= 1.18 V
La posicin del punto Q' se encuentra al escribir la ecuacin de LTK alrededor del
lazo base-emisor:
VBE + lCQ ( RE + R;)
donde se supone que lc
'tiene
I.
= VBB
= le-
Sustituyendo valores y resolviendo para lCQ, se
1.18 - 0.7
CQ
= (4700/200 + 200) = 2.13 mA
Entonces,
26mV
hib
= 2.13 mA = 12.21 n
Se utilizan las ecua:ciones (3.27) y (3.29) con RB

como sigue:
= O para
encontrar Ai y A,..
200
Ai
A
ti
= 2(200 + 12.21) = 0.47

= 5000 11 5000 = 2012.21
;)
Ntese que no se incluye RB en la frmula para A" y Ai, ya que tiene un capacitor
de paso grande.:
Despejando Ren con RB = Oen la ecuacin (3.25), se obtiene
l4n = 12.21 11 200 = 11.5 n

168
3.7 Aplicaciones 'de los amplificadores con transistores
141
Para determinar la mxima excursin en la tensin de salida, se evalan las ecuaciones de las lneas de carga de cd y ca para determinar si ICQ se encuentra por
arriba o por debajo del centro de la lnea de carga en ca.
VCEQ= Vcc - (Rc + RE)IcQ
= 20 -
5.2 kO (2.13 mA)
= 8.92 V
La lnea de carga de ca interseca el' eje en

Vc
= VCEQ+ lCQRca
donde
Rca= Rc
11
RL +RE = 2.7 kO.
Entonces,
Vc
= 8.92 + 2.13 mA(2.7 kn) = 14.67 V
le = vc
= 14.67 = 5.4 mA
s-: 2.7 kO
Ntese que el punto Q se encuentra por debajo del centro de la lnea de carga,
ya que ICQ 2.13 mA Y el centro est en 5.4/2 = 2.7 mA. Por tanto, utilizando
la ecuacin adecuada de la seccin 3.4, se obtiene la excursin pico a pico sin
distorsin en la tensin de salida,
Vo<P-p)
= 2(IcQ = 2(2.13 -
0.05I )(RL
11
Rc)
0.05 x 5.4)(2.5)
= 9.3 V
Ejercicios
D3.8 Determnese la ganancia de tensin de un amplificador Be (Fig. 3.12) con
RL = 3 kO, RE = 500 0, Vcc = 15 V, 'VBE 0.7 V, RB 6 kO y {3 200. El
circuito est diseado para mxima excursin en la tensin de salida.
Resp.:
Av
= 38
D3.9 Trabjese de nuevo el ejercicio D3.8 suponiendo que se aade un capacitor

grande de la base a la tierra.
Resp.:
Av
= 158
169
142
Capttulo 3 Diseo de amplificadores con transistores bipolares de unin

D3.10 Disese un amplificador BC (Fig. 3.12) que tenga una ganancia de tensin
de 40. Determnese el valor de los componentes cuando Vee 20 V, RL 4 kn,
= 500 n, VBE = 0.7 V Y {3 = 100.

Resp.:
R, = 4.6 kn; R2 = 36.4kn;
RE
Re
= 4 kn; Ren = 45 n
3.7 APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES CON

TRANSISTORES
f;
i:
.t
En esta seccin, se ven los resultados de las secciones anteriores y se sugieren

aplicaciones para los tres tipos de configuracin de amplificadores, basadas en las
propiedades de stos.
Se ha encontrado que el ainplificador EC posee ganancias de tensin y de corriente significativas con altas impedancias de entrada y salida. La impedancia de
entrada alta es deseable, mientras que la impedancia de salida alta tiene algunos
problemas, Ntese que a mayor impedancia de salida. menor es. la corriente que
se puede extraer del amplificador sin que haya una cada significativa en la tensin
de salida. El EC se utiliza ms para amplificacin de tensin. Puede proporcionar
una excursin grande en la tensin de salida, que se convierte en la entrada de la
siguiente etapa del sistema.
El amplificador ES (CC) proporciona ganancia de corriente alta con impedancia
de salida baja. Tiene una impedancia de entrada alta y una ganancia de tensin
cercana a la unidad. Por supuesto, no se utiliza para amplificacin de tensin. La
baja impedancia de salida hace a este circuito muy til para excitar dispositivos de
alta corriente. Se puede utilizar como una especie de compuerta de potencia (buffer).
entre un EC y una carga que demande corriente. El CC es un amplificador de
potencia y tambin una etapa de acoplamiento de impedancia. Este amplificador
se encuentra normalmente en la etapa final de salida de un amplificador de seal,
pues no slo baja el valor de la impedancia sino que proporciona la potencia
necesaria para excitar la carga.
El amplificador BC tiene una impedancia de entrada baja y una impedancia de
salida relativamente alta. Estas propiedades no son deseables para amplificacin
de seal. Si la base se lleva a tierra a travs de un capacitor, el amplificador tiene
alta ganancia de tensin, pero la ganancia de corriente es menor que la unidad. Aun
sin el capacitor, la ganancia de tensin es mayor que la del EC. Entonces, si la
fuente excitadora del amplificador tiene baja impedancia y la carga demanda poca
.corriente, el BC se puede utilizar como amplificador de tensin. Este amplificador .
es menos sensible a la frecuencia que los otros tipos de amplificador, y se utiliza a
menudo en circuitos integrados para proporcionar una salida con intervalo amplio
de frecuencia.
170
3.8
Acoplamiento
de amplificadores
143
3.8 ACOPLAMIENTO DE AMPLIFICADORES

Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes
de lograr esta interconexin entre amplificadores. En las siguientes secciones se
analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.
3.8.1 Acoplamiento directo

Dos amplificadores estn acoplados directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores.
En la figura 3.14(a) se muestra un ejemplo. La salida en ca 'de la primera etapa
est superpuesta con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de
la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacin de la segunda
etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarizacin, el amplificador
utiliza diferentes valores de fuentes de tensin de cd en lugar de una fuente de
Vee sencilla.,
El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar un amplificador EC a uno ES, como se muestra en la figura 3.14(b), porque la corriente
de polarizacin en un ES por lo general es alta. El acoplamiento directo elimina
la necesidad de contar con el capacitar de acoplamiento y con 'los resistores R y
R'i. de la segunda etapa. El amplificador acoplado directamente tiene una buena
respuesta en frecuencia pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es
decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia.
El acoplamiento directo se utiliza por lo comn en el diseo de circuitos integrados. El amplificador resultante tiene una excelente respuesta en baja frecuencia
y puede amplificar seales de cd. Es tambin ms simple fabricar un circuito
integrado pues no se necesitan capacitores.
Figura 3.14 Amplificador directamente acoplado,
Vcc
Vcc
Vcc
Vi
Vi
(b)
(a)
171
"
;/h~~Lf
144
3.8.2
Acoplamiento capacitivo
El acoplamiento capacitivo es el tipo ilustrado en los diseos de este captulo.
Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de
cd de la primera etapa amplificadora, de aquellos de la segunda etapa. El capacitor
separa el componente de cd de la seal de ca'. Por tanto.Ja etapa anterior no afecta
la polarizacin de la siguiente. Para. asegurar que la seal no cambie de manera
significativa por la adicin de un capacitor, es necesario que ste se comporte como
cortocircuito para todas las frecuencias por amplificar. Los criterios especficos para
la eleccin del tamao del capacitor se exponen en el captulo 10. Para el presente
anlisis, se supone que el capacitor es grande, aproximndose a infinito.
"
3.8.3
Acoplamiento por transformador

Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este
tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta
frecuencia. Los transformadores son ms costosos que los capacitores, aunque sus
ventajas pueden justificar el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada
de la razn de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la
ganancia de tensin o bien la de corriente.. Por ejemplo, en la etapa de salida de
un amplificador de potencia, el transformador se utiliza para aumentar la ganancia
de corriente. Existen otros. beneficios asociados con el uso de un transformador.
Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se
convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atena
las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).
El acoplamiento por transformador sintonizado se utiliza-en receptores de radio
y televisin. De esta forma, las etapas de transistor no slo amplifican la seal
(vdeo o audio) sino que tambin realizan la funcin de separar la estacin deseada
de las dems recibidas por la antena. En la figura 3.15 se ilustra la tcnica para
sintonizar varias etapas a frecuencias ligeramente diferentes. El efecto neto es
Vcc
Figura 3.15
Amplificador sintonizado
acoplado por
transformador.
Envolvente de la
respuesta en
.r; frecuencia
+n~
Vi
J.)
(a) Circuito
172
(b) Salida'
"':"
:,.'
3.8 Acoplamiento de amplificadores
"~.
::
L
145
Figura 3.16
Acoplamiento de
transformador a un altavoz.
(a)
(b)
,1
producir una caracterstica de frecuencia que sea aproximadamente plana sobre el

intervalo deseado de la banda de frecuencias.
El acoplanento de la etapa de salida a la carga en un ES se puede conseguir
utilizando un transformador. En la figura 3.16 se ilustra esta tcnica, donde el
amplificador se acopla a un altavoz. Vase la figura 3.16 para revisar la operacin
de un transformador. Las tensiones de entrada y salida son proporcionales a la
razn de vueltas del transformador, como sigue:
V2
= v} ,(NN2)
donde N es el nmero de vueltas del primario y N2 es el nmero de vueltas en ei

secundario. Las corrientes de entrada y de salida se relacionan de manera inversa
a la tensin, pues se debe conservar la potencia. Entonces
. = . '(NI)
~2
N2
Tomando 'la razn de tensin a corriente, se tiene la relacin de impedancia,

\
En la figura 3.16(b) se ilustra una aplicacin de estos resultados, usando un transformador para excitar un altavoz de 8 n. Si la razn de vueltas del transformador es
5:1, la resistencia equivalente vista por el emisor del transistor es 8 x 52 = 200 n. Si
Vi es una sinusoide de amplitud 10 V, la tensin del emisor tiene aproximadamente
el mismo valor ya que la ganancia del amplificador ES es unitaria. La tensin en el
altavoz es un quinto de esta cantidad, una sinusoide de 2 V de amplitud. La corriente en el altavoz es una' sinusoide de 250 roA de amplitud (utilizando la ley
de Ohm en las terminales del altavoz), y la corriente en el emisor del transistor es
una sinusoide de 50 roA de amplitud.
173
146
Capulo 3 Diseo de amplificadores con transistores bipolares de unin
Ejemplo 3.5
Amplificador acoplado por transformador (anlisis)

Calclense la ganancia de corriente, la ganancia de tensin y la resistencia de
entrada para el amplificador acoplado por transformador de la figura 3.17;
SOLUCiN Ntese que la amplificacin total para la etapa se obtiene tomando
el producto de las ganancias de cada seccin (las secciones estn separadas por
lneas quebradas en la figura).
La ganancia de tensin del transistor se encuentra de la ecuacin en forma corta
del amplificador EC, donde la resistencia de colector (RL 1I Re en la ecuacin) se
encuentra reflejando la resistencia de carga de 500 n a travs del transformador.
La ganancia total de tensin, Av, incluye los efectos de escalamiento en tensin
de los dos transformadores. Los resultados se muestran directamente en la figura.
La ganancia de corriente, A, se encuentra de manera similar utilizando la
ecuacin en forma corta. Ntese que slo existe un resistor en el circuito de
colector, que es la carga reflejada a travs del transformador.
La resistencia de entrada al transistor es RB, que constituye la combinacin en
paralelo de Rl y R2, o 2500 n. Esta se refleja a travs del transformador para
obtener Ren.
Figura 3.17
Amplificador acoplado por
transformador del
ejemplo 3.5.
+
Vi
500n
A~
A;
Rcn,
'- RLal
- 500a2
--=--I RE
500
I
I
= -100
I
-RB = -2500
10
500
RE
I
1
= -5
250kn
Total
0.1
-1
10
-500
Ejercicios
D3.11 Un amplificador EC (Fig. 3.17) tiene un transformador de entrada 1:5 y un ,
transformador de salida 1:5. Adems, RL 20 kn, RE
100 n, Rl 10 kn y
R2 = 100 kn. Determnense las ganancias totales A. Av y ReD.
Resp.:
Av
= -200;
174
= -3.64;
Reo = 364 n
,
3.8 Acoplamiento de amplificadores
147
D3.12 Un amplificador ES tiene un transformador de entrada 10:1 y un transformador de salida 20:1. Adems, RL
10 D, Rl
100 kD y. R2 = 20 kD.
Determnense las ganancias totales Ai, AtI y Ren.
Resp.:
3.8.4
Ai
= 833; Av = 0.005;
Ren = 1.67M
Acoplamiento ptico
Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electr6nicos.
Estas aplicaciones se pueden clasificar como sigue:
Dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
Detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica.
'Mdulos interruptor/reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
Aisladores/acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones
elctricas.
Como ejemplo de esta ltima aplicacin, supngase que se desea utilizar la lnea de
alimentaci6n de 60 Hz como seal de entrada a un circuito electrnico. Debido a los
15 a 25 A de corriente disponibles en la lnea, aqu no se desea hacer una conexin
elctrica para las propias necesidades electrnicas, sino elegir una conexin ptica.
En caso de falla de un componente (por ejemplo, un capacitor en cortocircuito) un
acoplador ptico prevendra de una conexin peligrosa, tal vez fatal, del operador
a la lnea de alimentacin de 110 V, 60 Hz. En los siguientes prrafos se analizan
algunos de los dispositivos pticos ms importantes.
Colector
~
~
Emisor
Figura 3.18
Fototransistor.
Detectores y emisores optoelectrnicos En la seccin 1.9.4 se consider la

utilizacin de LED y diodos sensibles a la luz. Estos ltimos dispositivos operan,
como se muestra en la figura 1.42, de modo que conforme aumenta la intensidad
de luz, H, tambin aumenta la corriente en el circuito externo. Por: supuesto, este
es 'el mismo fenmeno que se produce conforme aumenta la corriente de base en
el transistor, Dicho dispositivo es el fototransistor y se ilustra en la figura 3.18.
Ntese que no existe conexin elctrica a la base.
Los componentes optoelectrnicos requieren un empaquetado tal que permita el
paso de luz hacia el chip a travs del empaque y que tambin proteja al chip. La
"ventana" del empaque del semiconductor se puede modificar para proporcionar
una acci6n de lente, que incremente la respuesta a lo largo del eje ptico del lente
y tambin aumente la sensibilidad direccional. En la figura 3.19 se muestra la
configuracin de un empaque tpico. Los sistemas de comunicacin (como las
lneas telefnicas) que utilizan fibra ptica han reemplazado a los sistemas de
alambre de cobre. La luz se emite hacia adentro y afuera de la fibra ptica con
dispositivos como el mostrado en la figura 3.19.
175
148
Figura 3.19
Configuracin para el
empaque optoelectrnico.
Cortesa de Power
Electronics Semiconductor Departrnent, General
Electric Co.
~o.!Oo
0.180/1
0.224
Y
Dispositivo
ptico
Plstico
Empaques de plstico
-, Terminales
Figura 3.20
Mdulos
interruptor/reflector.
Cortesa de Power
Electronics Semiconductor Department, General
Electric Co.
Emisor detector
"e/
~
I
(b)
(a)
Mdulos interruptor/reflector En muchas aplicaciones, es necesario determinar

la posicin o velocidad mecnica de un disco. La utilizacin de un emisor y
detector .de luz ya sea en modo interruptor, como se muestra en la figura 3.20(a),
o en modo reflector, como en la figura 3.20(b), permite al ingeniero medir el
movimiento mecnico del disco.
Optoacopladores Cuando se desea acoplar dos circuitos elctricos sin hacer
conexiones elctricas, se pueden utilizar optoacopladores (tambin llamados optoaisladoresi, que son componentes completamente electrnicos .. El trayecto de
176
,
."
\,t;
f.:':
"
3.9 Divisor de fase

Figura 3.21
Hoja de datos de un
optoaislador, Cortesa de
Power Electronics
Semiconductor Department, General Electric Co.
149
Aislador fotoacoplado H11 A 1, H11 A2

El H11A 1 Y el H11A2 son diodos emisores infrarrojos
de arseniuro de galio acoplados con un fototransistor de
silicio en un empaque de doble fila, con 6 terminales.
I,
Valores absolutos mximos: (25C)
Diodo emisor infrarrojo

Disipacin de potencia
Corriente directa (continua)
Corriente directa (pico)
(ancho de pulso 1 J.Ls 300' P Ps)
Tensin inversa '
100
60
3
3
miliwatts
miliamps
ampere
volts
Degrada 1,33 mWOCarriba de 25C ambiente
Fototransistor
150
30
Disipacin de potencia
Vceo
70
7
VCBO
YECO
100
Corriente de colector (continua)
miliwatts
volts
volts
volts
miJiamps
luz, de emisor a detector, est totalmente encerrado en el componente y no se

puede modificar en forma externa. El grado de aislamiento elctrico entre los
dos dispositivos es controlado por los materiales en el trayecto de la luz y por la
distancia fsica entre el emisor y el detector. A mayor distancia. mejor aislamiento.
En la figura 3.21 se muestra una porcin de la hoja de datos para un optoaislador.
Ntese que este dispositivo asla 1500 V pico y 1060 V rms entre la entrada y la
salida.
3.9 DIVISOR DE FASE

El divisor de fase, mostrado en la figura 3.22, es un amplificador que simultneamente es EC y CC. Se elige Re = RE = l?L tal que la tensin de salida
en el colector tenga igual magnitud que la tensin de salida en el emisor, pero
estas tensiones se hallan 1800 fuera de fase. Las dos seales de salida de este
circuito son aproximadamente iguales en amplitud a la seal de entrada: esto es,
las razones de ganancia de tensin, VI/Vi y V2/Vi son aproximadamente iguales a
uno, en magnitud. Las dos salidas resultantes de una entrada senoidal se muestran
en la figura. En el emisor, la salida est en fase con la seal de entrada, mientras
que'la salida del colector est 180 fuera de fase con la seal de entrada.
r:
177
:",j;J
150

Vcc
Figura 3.22
Divisor de fase.
.r--!I---+---H.
vifv
Figura 3.23
Amplificador multietapa.
Av = A
A = x
Av = B
A = Y
:
I
Av = e
A = Z
; ~t..---.-Am...:l_p_.tI_R_~_---tI_Am...:.:2:.P_..tI_R_~_~-_LI_Am-=3_P__.J@ ~
Ejercicio
D3.13 Cada una de las salidas de la figura 3.22 se conecta a una carga de 2 kO.
Cul sera la excursin en la tensin de salida del divisor de fase cuando Vee =
20 V? Determnense adems Re, RE, Rl y R2 para mxima excursin de salida
cuando f3 200 Y VBE 0.7 V.
Resp.:
3.10
Re = RE = 2 kO; Rl
= 66.9 kO; R2 = 99.6 kO; vo(P-p) = 6 V
AN.LlSIS DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPA

A menudo los amplificadores se conectan en serie (cascada), como se muestra en
la figura 3.23. La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del
segundo amplificador. No es necesario que las diferentes etapas tengan las mismas
ganancias de tensin y de corriente. En la prctica, las etapas iniciales suelen
ser amplificadores de tensin y la ltima o las dos ltimas son amplificadores
de corriente. La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que .
se gobierna por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Por tanto, cuando se
disean o analizan amplificadores multietapa, se inicia en la salida y se contina
hacia la entrada.
-
178
3.10 Anlisis del amplificador multietapa
Ejemplo 3.6
Amplificador
151
multietapa (anlisis)
Determnense las ganancias de tensin y de corriente para el amplificador de dos

etapas acoplado por capacitor que se muestra en la figura 3.24. Todos los capacitores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la seal
de ca.
SOLUCiN Se desarrolla el circuito equivalente hbrido para el amplificador
multietapa de la figura 3.24. Dicho circuito 'se muestra en la figura 3.25. Las
variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables
normales denotan cantidades de entrada ~ ella. Los clculos para la etapa de
salida son
RI
10,000 x 2000
10,000 + 2000
12 x 2000
10,000+ 2000
=2V
\,
\
VI
BB
- 11
VBB '- VBE
CQ - R/f3+R;
167 kO
.
2-0.7
1670/200+50
=22mA
cQI = 1.17 n
h~b= 26 mV/11
Para la. etapa de entrada,
,R == 7000 x 1000 = 875 n

7000+ 1000
=: 12 x 1000
Vi
7000+ 1000
BB
= 1.5 V
.
1.5 - 0.7
= 875/200 + 50 = 1.47 roA
ICQ
hib
26mV
= 14.7
= 1.77 n
roA
La resistencia de entrada se determina utilizando la ecuacin en forma larga de la

tabla 3.1 como sigue:
ti; = RB
11 ~(hib
+ RE)
= 875 X 200 X (1.77 + 50) = 807 n

875 + 10354
r: __
179
',;k
152

12V
Figura 3.24
Amplificador multietapa
del ejemplo 3.6.
600
n
.~
+
600 n
1i
Vo
Figura 3.25
Circuito equivalente para
el ejemplo 3.6.
en
+
Vi
Figura 3.26
Divisores de corriente para
el circuito de
la figura 3.25.
Re
R~
R~
ien
+
Re =
600n
Vi
(a) Entrada, primera etapa
R~'",
1.67 kn
h'i< = 234
(b) Salida. primera etapa
j~
lO.38icaW
500
600
(el Salida, segunda etapa
La ganancia de comente, Ai, se encuentra aplicando dos veces la ecuacin de la

tabla 3.1, una vez para cada etapa. La primera etapa utiliza el valorde RL derivado
de la entrada a la segunda etapa. Se analiza la figura 3.25 sacando tres divisores de
corriente, como se muestra en la figura 3.26. La divisin de corriente de la etapa
de entrada se encuentra de la figura 3.26(a).
ib
RBien
RB + (3(hib + RE)
180
875ien
0.078i
875 + 200(1.77 + 50).
en
3.11
Dispositivos de cuatro capas
15~
En la figura 3.26(b) la salida de la primera etapa se acopla a la entrada de la

segunda. La resistencia de entrada de la segunda etapa es
R~n RJ 11 h~e 205
La corriente R~nes iL y est dada por
= 15.6ien x
iL
:~
= 11.63 ien
Nuevamente, it: se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces,

-RJiL
-t
= RE + h~e:;::
= -1O:38ieo
2b
-1670(11.63ien)
(1670 + 205)
La corriente de salida se encuentra de la figura 3.26(c):

./ _ 10.38ien x 200 x 500 _ 941 .
.500+600
2en
20 -
La ganancia de corriente es
Ai
= 941
Ahora, utilizando la ecuacin (3.1), se encuentra que la ganancia de tensin es
A
ti
3.11
= 941 x 600 =700

807
DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

Se han analizado dispositivos de dos capas (diodos) y de tres capas (transistores).
El xito de los dispositivos de tres capas, cerno el .BIT y el transistor de efecto
de campo (FET, field-effect transistor) condujo a los investigadores al concepto
del dispositivo de cuatro capas. Con la capacidad de manufactura aumentada, los
dispositivos de cuatro capas no presentan mayores problemas de fabricacin. En las
siguientes subsecciones, se mencionan algunos de estos dispositivos y se comenta
su operacin bsica.
181
154

nodo
nodo
nodo
,.,
i
pnp
p
nodo
pnp
Q2
npn
Compuertac------'--"+L
. Ctodo
Ctodo
Ctodo
(b)
(a)
(b)
(a)
Figura 3.27 Smbolo y construccin del SCR.
3.11.1
_::-
Compuerta
Ctodo
Figura 3.28 Circuito equivalente del SCR con dos BJT.
Rectificador controlado de silicio (SeR)

El rectificador controlado de silicio (SeR, silicon-controlled rectifier) es un dispositivo de cuatro capas (pnpn) con caractersticas de conmutacin muy tiles
([6], Sec.. 11.2-11.6). Se trata de un miembro de la familia de tiristores y se
utiliza en controles de relevadores, muestreadores, cargadores de batera, circuitos de proteccin, inversores, calentamiento por induccin, limpieza ultrasnica y
circuitos de control. Los SeR se pueden construir para control de potencia en la
regin de megawatts y soportan corrientes hasta de 1500 A a 2000 V. Los intervalos de frecuencia estn un poco limitados, pero algunos SeR son capaces de
trabajar a frecuencias hasta de 50 kHz.
En la figura 3.27 se ilustran el smbolo del circuito y la construccin del SeR.
En la figura 3.28 se presenta el equivalente del SeR como un circuito de dos
BJT. Se evala el desempeo de un SeR utilizando el circuito equivalente. Si
aparece una tensin cero en la compuerta, sta se encuentra efectivamente puesta
a tierra. Por tanto, la corriente de base, 1B2, es aproximadamente igual a cero e
1C2 es aproximadamente igual a 1CBO. La corriente de base de Q es
la cual es muy pequea para permitir que Q conduzca. Esto da por resultado una
corriente despreciable entre el nodo y el ctodo, y por tanto presenta una impedancia elevada entre estos elementos. Si la tensin en la compuerta es suficientemente
grande para permitir que Q 1 conduzca, 1C 1 crecer, con el consiguiente aumento
en 182. Debido a la interconexin, el efecto es acumulativo, y cada transistor lleva
al otro a la saturacin. Una vez en saturacin, las uniones se polarizan en directo'
y la cada. de tensin total a travs del dispositivo es de aproximadamente 1 V.
El SeR se acerca a un cortocircuito. Para apagar el SeR, se debe producir algn
tipo de interrupcin en la fuente de tensin del nodo o del ctodo. La accin de
182
..
~'
~~
,
Problemas
155
nodo
nodo
Compuerta
de nodo
Compuerta
de nodo
Compuerta
de ctodo
n
Ctodo
Compuerta
de ctodo
Ctodo
(a)
(b)
nodo 2
nodo 2
=+= =+Cco~
Anodo 1
Anodo 1
(a) DlAC
(b) TRIAC
puerta
Figura 3.30 DIAC y TRlAC.
Figura 3.29 SCS.
. regeneracin para encender un SCR se produce de 0.1 p.s a 1 us, y el tiempo de

apagado va de 5 us a 30 us. Por lo general, esta accin de conmutacin es ms
rpida que la que se obtiene con un solo transistor operando entre saturacin y
corte a corrientes elevadas.
(
3.11.2 Conmutador controlado de silicio (SCS)

El conmutador controlado de silicio (SCS silicon-controlled switch) se construye en
forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas;
una se denomina compuerta de nodo y la otra, compuerta de ctodo. Esto se
muestra en la figura 3.29.
La operacin del dispositivo es similar a la del SCR. Conforme la corriente de
la compuerta de nodo se eleva, la tensin nodo-ctodo necesaria para encender el
dispositivo se vuelve ms pequea. La compuerta de nodo se puede utilizar tanto
para encender como para apagar el dispositivo. Se debe aplicar un pulso negativo
a la terminal de la compuerta de nodo para encender el SCS, y se requiere un
pulso positivo para apagarlo.
3.11.3
DIAC y TRIAC
El DIAC, o diodo de disparo, es un dispositivo de dos terminales que se puede
disparar en cualquier direccin. El dispositivo opera en la regin inversa y la
ruptura se produce en cualquier direccin cuando la tensin aumenta hasta el nivel
necesario. Estos dispositivos se utilizan a menudo en el circuito de compuerta de
. un SCR para empezar la accin de compuerta. El smbolo del DIAC se ilustra en
la figura 3.30(a).
El TRIAC es similar al DIAC excepto que tiene una terminal de compuerta para
controlar el encendido para cualquier polaridad de tensin entre los dos nodos. El
smbolo se ilustra en la figura 3.30(b).
183
(/.:
156
PROBLEMAS
3.1 Dervense las ecuaciones para Av, Ai y
muestra en la figura P3.1.
Ren para el amplificador EC que se
3.2 Calclense Ren, Av y Ai cuando RB = RL = 5 kn, RE = 1 kn y tu = O

para el amplificador EC mostrado en la figura P3.2. Sea f3 igual a:
a. (3=200 .
b. (3 100
c. (3 = 10
Vee
Vee
RL
Re
Rz
+
lI;
lIo
+
u
Ren
.+
lIo
RB
RE
RE
":"
Figura P3.2
Figura P3.1
3.3 Determnense Av, Ai y Ren para el amplificador mostrado en la figura P3.2

cuando RL = RB = 5 kn, hib 40 n, (3 300 y RE es:
a. RE = 1000 O
b. RE = 500 O
c. RE = 100 O
d. RE =0
Analcense los efectos de cambiar RE.
3.4 Para el amplificador EC que se muestra en la figura P3.1, VBE = 0.6 V,

Vee = 12 V, {3 = 300, PL (promedio mximo) = 100 mW y Av = -10.
Determnense R, R2, Ren y Ai. Cunta potencia se disipa en el transistor?
3.5 Encuntrese Av pata el amplificador mostrado en la figura P3.3, donde hie
2 kO, hre = O, hfe = 200 Y l/hoc = 8 kO.
+
i,
R,
VI
+
Amplificador
Figura P3.3
184
v,
RL = 8 kn
Problemas
157
ien
+
Vcc-=-
Figura P3.4
3.6 Para el amplificador Ee mostrado en la figura P3.4, donde hie = 1 kn,

hoe = 10 J.Ls,hfe = 50, grafquese lo siguiente.
a. Ai = iL/iea. suponiendo RE hie como funcin del valor'de RL. Varese
RL entre Oy 500 kn.
b. Ai como funcin de RL pero suponiendo hre = O= hoe.
3.7 Para el amplificador EC mostrado en la figura P3.5, determnese la variacin
, de Ai 'Y Ren si hfe vara de 50 a 150 para el transistor de silicio.
Vcc
100 n
+
+
100 n
Vj
Figura P3.5
24V'
+
I
I
I
Ron
I
I
Figura P3.6
185
158 .

3.8 Determnense iu, Ai. Ren y Ro para el amplificador EC mostrado en la
figura P3.6 si hfe = 100 Y hre = hoe = O.
3.9 Calclese hib para los circuitos con transistor de silicio mostrados en la
figura P3.7 y determnese cuando se debe considerar a hib en las ecuaciones
de diseo.
3.10 Comprense las resistencias de entrada y las ganancias de tensin para los
circuitos amplificadores equivalentes de ca que se muestran en la figura P3.8.
VCC
ICQ =
Ren
50
10 n
1 kn
Vi
Vcc
VCC
1 mA
PCQ = lO mA
+_
Vi
tICQ=O.lmA
100 n
Ren
Vi
Ren.
50
Vn
..".
(a)
(e)
(b)
Figura P3.7
;-
RE
vy..
Ron
(b)
(a)
Figura P3.S
(e)
n.
n,
3.11 Calclese A". Ai Ren cuando f3 = 250, RE = 100

Re = RL = 1100
R, = 10 kn, Rz = 10 kn y hie = 500 n para el amplificador EC mostrado
en la figura P3.9.
3.12 Grafquense Av contra RL

Ai contra Re para 100
< RL < 10 kn
para el amplificador del .problema 3.11. Mantnganse los dems parmetros
constantes.
3.13 Grafquense Av contra RE

Ai contra RE para 10 < RE < 1000
para el amplificador del problema 3.11. Mantnganse los dems parmetros.
constantes.
3.14 Grafquense A" contra f3 y Ai contra f3 para 50 < f3 < 300 n para el amplificador del problema 3.11. Mantnganse los dems parmetros constantes.
186
.,....
Problemas
159
.vcc
Rc
+
Figura P3.9
3.15 Grafquese Reo contra f3 para 50 < f3 < 300 para el amplificador del problema 3.11. Mantnganse los dems parmetros constantes.
3.16 Grafquese Reo contra RE para 10 n < RE < 1000 n para el amplificador
del problema 3.11. Mantnganse los dems parmetros constantes.
3.17 Disese el amplificador EC de la figura P3.9 para alimentar una carga de
2 k!1 utilizando un transistor pnp de silicio. Vee == -24 V, f3 = 200,
Av = -10 y VBE = -0.7 V. Determnese el valor de todos los elementos y
calclese Ai, Reo y la excursin simtrica no distorsionada en la tensin de
salida para cada Re dada:
a. Re =RL
b. Re '= O.lRL
c. Re '= 10RL
Comprense los resultados
3.18 Disese un amplificador EC como el de la figura P3.9 utilizando un transistor
pnp cuando RL
3 k!1, Av
-10, VBE
-0.7 V, f3 = 200 Y Vec =
-12 V. Determnense el valor de todos los elementos, A, Ren y la mxima
excursin simtrica a travs de RL.
3.19 Disese un amplificador EC como el de la figura P3.9 utilizando un transistor

pnp cuando RL = 4 k!1, Av = -15, Reo = 20 k!1, Vec = -20 V, f3 = 300 y
VBE = -0.6 V. Determnense el valor de todos los elementos y la mxima
excursin pico a pico en 'la tensiri de salida.
.
3.20 Disese un amplificador EC como el de la figura 3.5(a) utilizando un transistor npn cuando RL = 9 k!1, A:u = -10, Ai = -10, VBE = 0.7 V, f3 = 200 y
Vee = 15 V. Determnense el valor de todos los elementos, Ren y la mxima
excursin pico a pico en la tensin de salida.
3.21 Disese un amplificador EC para obtener una
cuando Ai = -2, RL = 4 k!1, Vee =,15 V,
Determnense el valor de todos los resistores,
la mxima excursin en la tensin de salida.
figura 3.5(a).
187
ganancia de tensin de - 5
VBE = 0.6 V Y f3 = 200.
la resistencia de entrada y
Utilcese el circuito de la ,
160

3.22 Disese un amplificador EC para obtener una ganancia de tensin de - 25
cuando Ren == 5 kn, RL == 5 kn, Vee == 12 V, f3 == 200 y VBE == 0.7 V.
Determnense el valor de todos los resistores, la ganancia de corriente y

la mxima excursin en la tensin de salida. Utilcese el circuito de la
figura 3.5(a).
3.23 Disese Un amplificador EC para obtener una ganancia de tensin de -10

cuando Ren == 2 kO, RL = 4 kO, Vee == 15 V, VBE = 0.6 V Y (3 = 300.
Este amplificador requiere una excursin en la salida de slo 2 V pico a pico,
de manera que el diseo se debe hacer para que el consumo de corriente de
la fuente sea mnimo. Determnense el valor de todos los resistores y la
ganancia de corriente.
3.24 Calclense Ren, Av, Ai y vo(P-p) para excursin simtrica de salida para
el amplificador ES que se muestra en la figura P3.10. Sean RL == 1 kit,
RB == 5 kn, hib == 40 n, f3 == 300, Vee == 6 V Y VBE == 0.7 V. Encuntrese
la solucin para cada valor de Re dado:
a. Re == 1 kn
b. Re == O
Analcense los efectos en Ren, Av, Ai y
vo(P-p)
cuando Re tiende a cero.
Vcc
Vcc
+
Vi
Ren
Figura P3.11
Figura P3.10
3.25 Disese un amplificador ES como el de la figura P3.11 utilizando un tran. sistor npn con Ri == 500 n, VBE == 0.7 V, Ai == 25, f3 == 200 Y Vee == 15 V.
Determnense el valor de todos los elementos, Ren, Av y la mxima excursin
en la tensin de salida.
3.26 Disese un amplificador ES para excitar una carga de 8 n cuando f3 == 60,
Vee == 24 V, VBE == 0.7 V, Av == 1 Y Ai == 10. Utilcese el circuito de la
figura P3.11. Determnense el valor de todos los elementos, la excursin en
la tensin de saliday Ren.
3.27 Disese un amplificador ES como el de la figura P3.11 utilizando un transis- .
tor pnp con RL == 500 n, VBE == -0.7 V, f3 == 200, Ai == 10 Y Vee == -15 V. '
Determnense el valor de todos los elementos, Ren, Av y la mxima excursin
en la tensin de salida.
188
~~:I
:.
-.
Problemas
161
3.28 Disese un amplificador ES como el de la figura P3.11 utilizando un transistor npn. cuando RL
1500 n, VBE 0.7 V, Ren = 10 kn, f3 = 200 y
Vcc = 16 V. Determnense el valor de todos los elementos, Ai, AtI y la
mxima excursin-en la tensin de salida.
3.29 Disese un amplificador ES como el de la figura P3.1l para excitar una

carga-de 10 n cuando Vcc = 24 V, VBE = 0.6 V, Av = 1, Ren = 100 n,
y f3 = 200. Determnense el valor de todos los elementos, Ren y la mxima
excursin en la tensin de salida.
3.30 Disese un amplificador BC (vase Fig. 3.12) con una ganancia de tensin
de 10 y una carga de 4 kn. Utilcense f3 = 100, VBE = 0.7 V, Vcc = 18 V
Y RE = 500 n. Determnense el valor de ICQ, R, R2, RB y la mxima
excursin..en la tensin de salida. Cul es la ganancia de tensin si se coloca
un capacitor grande en paralelo con R I?
3.31 .Disese un amplificador BC utilizando los valores dados en el problema 3.30
excepto que la ganancia de tensin es 100. Determnense el valor de R, R2,
IcQ, RB Y la mxima excursin en la tensin de salida.
3.32 Disese un amplificador BC para mxima excursin en la tensin y por
lo menos 100 n de impedancia de entrada, RL
8 kO, Vcc
12 V Y
RE = 400 n. Utilcese un transistor npn con- f3
200 Y VBE
0.7 V.
Determnense la ganancia de tensin y el valor de todos los resistores.
=
=
=
=
3.33 Analcese un amplificador BC para Reo, Av y VO(P-p) que tiene los siguientes
valores: Vcc
ll:!V, R 2 kO, R2 25 kO, RE = 200 n, Rc = RL
4 kO, f3 = 200 Y VBE 0.7 V. La base est aterrizada para ca.
3.34 Determnense Av, Ai y Reo para ,el amplificador ES mostrado en la figura P3.12 cuando f3 200 Y hib = O.
Vcc
+
Vi
R:
10 n
Figura P3.12
3.35 Determnense las ganancias totales de corriente y de tensin y la resistencia

de entrada para el amplificador acoplado por transformador que se muestra en
la figura P3.13. Utilcese un transistor npn con a = 4, RI = 2 kO, R2 = 4 kO,
Vcc = 15 V, f3 = 200 Y RL = 500 O. Desprciese b.
3.36 Determnense las ganancias totales de corriente y de tensin y la resistencia de
entrada Ren para el amplificador acoplado por transformador, como se muestra
189
:~..
162

10 V
V<.c
a:l
1 kn
2kn
Vz
80 kn
Rz
V3
a:l
IIOR,
20
in
[el
3 in
~- (:'
.~
lj
!
,
Figura P3.14
Figura P3.13
10 V
1
200 n
2.3 kn
.,
8 kn
2kn
ien
0-'
+
V;
Vn
2kn
1 kn
Figura P3.15
en la figura P3.13. Utilcese un transistor pnp con a 7, Vee

R = 3 kn, R2 = 4 kn, y RL = 300 n. Desprciese hie.
-15 V,
.
3.37 Ac6plese directamente un amplificador Ee a un ES (vase Fig. 3.l4(b)) para

una excursin de 4 V en la salida con los siguientes valores: Vee = 12 V,
A" = 10, Q tiene /3 = 200 y VBE = 0.7 V, Q2 tiene /3 = 100 Y VBE = 0.7 V,
YRE = 100 O. Sea Re = 4 kO.
3.38 Determnense los valores de VI, Vi, V3, V4, te, e le2 para el circuito de' la
figura P3.l4. Supngase que /3 es igual a 300 o ms.
24 V
Figura P3.16
190
r,:.:'
163
3.39 Determnense A y A" para el amplificador de dos etapas mostrado en la

figura P3.15. Los transistores son de silicio.
3.40 Detenninense A" y A para el amplificador de dos etapas mostrado en la
figura P3.16. Los transistores Sonde silicio.
PA3.1 Analice el circuito de la figura PA3.1 y determine lo siguiente cuando
f3 = 300 Y VBE = 0.6 V.
a. ICEQ Y VCEQ
b. La excursin sin distorsin en la tensin de salida.
c. La potencia suministrada por la fuente.
d. La' ganancia en tensin.
e. Las lneas de carga.
15 V
20V
240kQ
4 kQ
c-co
c-co
o-j t----+--~
!li
22 kQ
Figura PA~.l
e -.... \
~
4kQ.,
1--4---+-_.-1:
+
!lo
l!i
fR
4 kQ- .. ,
'
Figura PA3.2
PA3.2 Disee un amplificador con una ganancia total de A" = -15 cuando a la
entrada la fuente tiene una impedancia (R) de 2 kn y el amplificador
mismo tiene una Ren = 4 kn. VBE 0.7 V, Y f3 200 (vase Fig. PA3.2).
El amplificador debe tener mxima excursin a la salida. Determine todos
los valores de resistor, Ai. y la mxima excursin en la tensin de salida.
PA3.3 Disee un amplificador como el mostrado en la figura PA3.3 para obtener

una ganancia en tensin de -200 con una resistencia de entrada de 1 kn.
Determine todos los valores de resistor y la mxima excursin en la tensin
de salida cuando f3 = 400 Y VBE = 0.7 V.
PA3.4 Disee un amplificador ES como el mostrado en la figura PA3.4 para
alimentar una carga de 200 n utilizando un transistor de silicio pnp.
Vcc = -24 V. f3 = 200. A = 10 y VBE = -0.7 V. Determine el
valor de todos los elementos y calcule Ren. ICQ Y la excursin simtrica
sin distorsin a la salida para cada una de las RE dadas:
191
164

a. RE =RL
b. RE =O.2RL
c. RE =5RL
Compare sus resultados por medio de una tabla.
12 V
+
110
'.
Figura PA3.3
Vcc
c_oo
~1----11-""
u,
Figura PA3.4.
PA3.S Analice el circuito mostrado en la figura PA3.5 y determine lo siguiente

cuando J3 300 y VBE 0.6 V.
a. ICQ y VCEQ.
c. La potencia necesaria de la fuente.
d. La mxima potencia de salida (sin distorsin en ca)
e. Las lneas de carga
+10 V
10 kil
e-oo
.--+-----c
c_oo
IIj
600" I 300,,1 ;
L..1_0_k_il_--1
-10V
Figura PA3.s;
192
165
PA3.6 Analice el circuito mostrado en la figura PA3.6 cuando {3 = 100 Y VBE

0.7 V, Y determine lo siguiente:
a. ICQ y VCEQ.
c. La potencia suministrada por la fuente.
d. La mxima potencia de salida (sin distorsin en ca).
e. La ganancia en corriente.
.
8 kn
200 n
e-oc>
Vi~
...,8_k_n
__
-l 300
o I soo
01 ;
-=
-12 V
Figura PA3.6
PA3.7 Determine lo siguiente para el circuito mostrado en la figura PA3.7 cuando

{3 400 Y VBE 0.6 V:
a. Los puntos Q para ambos amplificadores.
b. La mxima excursin simtrica sin distorsin en la tensin de salida.
c. Bosqueje la seal de salida.
d. La ganancia ellfensin, Vo/Vi
100 kn
Vi
5 kn
8.8 kn
Vo
Figura PA3.7
PA3.S Para el circuito mostrado en la figura PA3.S cuando Vi = 0.1 sen 1000t V,
determine la tensin de salida (suponga que {3 = 200 Y VBE 0.7 V):
a. De la terminal vo(+) a la terminal vo(_).
b. De la terminal vo(+) a tierra.
PA3.9 Determine Ai, Av, y Ren para el amplificador de dos etapas mostrado en
la figura PA3.9.
193
166
: Circuito integrado
: 40 kn
e
~
Vi
ioo n
3kO
Ikn
Un
1.
6V
Figura PA3.S
20kO
, 1kO
~I-'-+--~
C-oo
R;.'
2 kO
Vi:
C-oo
500
500
V"
Figura PA3.9
P3.10 Disee un amplificador Ee utilizando un transistor npn para mxima

tensin de salida con las siguientes caractersticas: Av = -20, Ren = 4 kn,
RL = 5 kn, Vcc = 12 V, (3 = 300, VBE = 0.7 V. Determine todos los
valores de resistor, excursin pico a pico sin distorsin en la tensin de
salida y ganancia en corriente.
PA3.1l Encuentre una R tal que a cd, Vo = Opara el circuito de la figura PA3.10.
Encuentre tambin ICQ' ICQ2, Ren, Ro y Av. Suponga que VBE = 0.7 V
Y(3 = 100 para los dos transistores.
+20V
+
Vi
1.
1 kO
Vo
Ro .:
1 kO
1.
-20 V
Figura PA3.10
194
.,3
AMPLIFICADORES CON
TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
4.0 INTRODUCCiN
El desempeo del transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) propuesto porW. ShockIey en 1952, es diferente del desempeo del BIT. El parmetro
de control para un FET es la tensin en vez de la corriente.
El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma
de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a
electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de
FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.
Al comparar el FET con el BJT se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al
colector, en tanto que la fuente (S) es anloga al emisor. Un tercer contacto, la
compuerta (G), es anlogo a la base. La fuente y el drenaje de un FET se pueden
intercambiar sin afectar la operacin del transistor.
Este captulo comienza con una exposicin sobre las caractersticas del FET y
una comparacin de stas con las del BJT. A continuacin se describen la construccin y la operacin tanto de los JFET (junctionfield-effect transistor, transistor
de efecto de campo de unin) como de los MOSFET (metal-oxide semiconductor
field-effect transistor, transistor de efecto de campo metal 6xido semiconductor).
Se desarrollan las tcnicas de polarizacin para los FET y luego se plantea el
anlisis en ca utilizando circuitos equivalentes. Despus se derivan las ecuaciones
de ganancia para el amplificador fuente comn (FC). Se contina con el desarrollo
de un procedimiento de diseo paso a paso, que se aplica a muchos ejemplos de
diseo.
167
195
Captulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo
1
,
1
Luego se presenta el anlisis y diseo de amplificadores drenaje comn (OC)

(fuente seguidor (FS)). Se desarrollan procedimientos de diseo paso a paso, seguidos de ejemplos de aplicacin de estos procedimientos.
El captulo concluye con un breve anlisis sobre otros dispositivos especiales.
4.1 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET

Las ventajas del FET se pueden resumir como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del
orden de 107 a 1012 O). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FE~ a los BJT para la etapa
de entrada a un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BIT.
3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BIT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar
un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, se puede
obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para
valores pequeos de tensin drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capaci-
tancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.
4.2 TIPOS DE FET

Se consideran tres tipos principales de ffiT:
1. FET de unin (JFET)
2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
196
4.3
Operacin y construccin del JFE!'
169
3. FET metal xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enrique- .

cimiento)
Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET,
insulated-gate FEl).
4.3 OPERACiN y CONSTRUCCiN DEL JFET
I
i
j~l
I
Al igual que el BIT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero slo tiene una
unin pn en vez de dos, como en el BIT. En la figura 4.1 se muestra un esquema
de la estructura fsica del IFET.
,
j
E1IFET de canal n, mostrado en la figura 4.1(a), se construye utilizando una
j
cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo difundidos en ella, uno
~
en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p con dos
11
materiales de tipo n difundidos en ella, como se muestra en la figura 4.1(b).
Para entender la operacin del JFET, se conecta el JFET de canal n de la
figura 4.1(a) a un circuito externo. Se aplica una fuente de tensin, VDD, al
drenaje (sta es anloga a la fuente de tensin Vee para el BIT) y se enva a
tierra. Una fuente de tensin de compuerta, VGG, se aplica a la compuerta (aqulla
es anloga a la VBB para el BIT). Esta configuracin se muestra en la figura 4.2(a).
VDD proporciona una tensin drenaje a fuente, VDS, que provoca una corriente
de drenaje, io, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, io. que es idntica
a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La
tensin compuerta a fuente, VGS, que es igual a - VGG (vase Fig. 4.2(a, crea una
regin desrtica en el canal, que reduce el ancho de ste y por tanto aumenta la
resistencia entre drenaje y fuente. Como la unin compuerta-fuente est polarizada
en inverso, el resultado es una corriente de -compuerta nula.
Considrese la operacin de un JFET con VGS = 0, como se muestra en la-figura
4.2(b). La corriente de drenaje, io, a travs del canal n del drenaje a la fuente,
provoca una cada de tensin a lo largo del canal, con ~I potencial ms alto en la
unin drenaje-compuerta. Esta tensin positiva en la unin drenaje-fuente polariza .
en inverso la unin pn y produce una regin desrtica, como se muestra en el
rea sombreada de la figura 4.2(b). Cuando se incrementa VDS, tambin aumenta
la corriente de drenaje, iD, como se ilustra en la figura 4.3. El resultado de esta -
Figura 4,1
Estructura fsica de un
JFET.
Compuerta
Compuerta
(a) Canal n
(b) Canalp
197
170
1",..
Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo

+
Figura 4.2
i~
Operacin del JFET en un

circuito externo.
(b)
(a)
.___,_----
Vp
VDS
Figura 4.3
Caracterstica it -VDS
para un JFET de canal n.
4.3.1
accin es un aumento de la regin desrtica y de la resistencia del canal entre el

drenaje y la fuente. Conforme aumenta VD$, se alcanza un punto donde se forma
una regin desrtica a travs de todo el canal y la corriente de drenaje alcanza su
punto de saturacin. Si se aumenta VDS ms all de este punto, iD permanece
constante. El valor de la corriente de saturacin de drenaje con VGS = O es un
parmetro importante y se denomina corriente de drenaje de saturaci6n, IDSS.
Como se puede ver en la figura 4.3, aumentar VDS ms all del estrangulamiento
del canal no provoca aumento en in, y la curva caracterstica iD-VDS se vuelve
plana (es decir, io permanece constante conforme aumenta VDS).
Variacin de la tensin compuerta a fuente en el FET
En la seccin anterior, se desarro1l61acurva caracterstica iD-VDS con VGS O.En

esta seccin, se consideran las caractersticas iD-V DS completa 'para varios valores
del parmetro vas. Ntese que en el caso del BfI', las curvas caractersticas (ieVeE) tienen a iB como parmetro. El FET es un dispositivo controlado por tensin
y se controla mediante VGS. En la figura 4.4 se muestran las curvas caractersticas
iD-VDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. Antes de analizar
estas curvas, tmese nota de los smbolos para los JFET de canal n y de canal p,
que tambin se muestran en la figura 4.4. Estos smbolos son iguales excepto por
la direccin de la flecha.
Conforme se incrementa VGS (ms negativo para un canal n y ms positivo
para un canal. p) se forma la regin desrtica y se cierra para un valor menor
que iD. Por tanto, para el JFET de canal ~ de la figura 4.4(a), la iD mxima se
reduce desde ID$S conforme vGS se hace ms negativo, Si VGS .~snnuye an
ms (ms negativo), se alcanza un valor de VGS,. despus del cualjD ser cero .
sin importar el valor de VDS. Este valor de VGs. se denomina VGsoFF, o tensin
de estrangulamiento (Vp). El valor de Vp es negativo para un JPET de canal n y
positivo para un JFET de canal p.
198
r'-'
~;:
,
4.3 Operaci6ny construccin del JFET

Figura 4.4
Curvas caractersticas iD VDS para un JFET.
iD
V(;s=OV
lIGS=OV
ves=-IV
VGS= +1 V
Ves= -2 V
vGs=+2V
.r---------~~-'---------'----..
VDS
(a) Canai n :
4.3.2
171
'-----------
vos
(b) Canal p
Caractersticas de transferencia del JFET

De gran valor en el diseo con JFET es la caracterstica de transferencia, que es
una grfica de la corriente de drenaje, is. como funcin de la tensin compuerta
a fuente, Vas, por encima del estrangulamiento. Se grafica 'con VDS igual a una
constante: aunque la caracterstica de transferencia es en esencia independiente de
VDS pues, luego de que el FET llega al estrangulamiento, iD permanece constante
para valores mayores de VDS Esto se puede ver a partirde las curvas iD-VDS de
la figura 4.4, donde cada curva se vuelve plana para valores de VDS> Vp Cada
curva tiene un punto de saturacin diferente.
En la figura 4.5, se muestran las caractersticas de transferencia y las caractersticas io-vos para un JFET de canal n. Se grafican con el eje iD comn. Las
caractersticas de transferencia se pueden obtener de una extensin de las curvas
iD-VDS.' Un mtodo til de determinar la caracterstica de transferencia es con
ayuda de la siguiente relacin (ecuacin de Shockley):
(4.1)
Por tanto, slo se necesita conocer IDSS y Vp, y toda la caracterstica queda determinada. Las hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parmetros,
por lo que se puede construir la caracterstica de transferencia o utilizar la ecuacin
(4.1) directamente. Ntese que io se satura (es decir, se vuelve constante) conforme VDS excede la tensin necesaria para que el canal se estrangule. Esto se
puede expresar como una ecuacin para VDS(sat) para cada curva, como sigue:
VDS(sat)
= Vas
+ Vp
199
172
Capitulo 4 Amplificadores
con transistores de efecto de campo

io(mA)
Figura 4.5
Caractersticas del JFET.
Frontera entre las regiones

hmica y activa
Regin!
hmica'
. :li
t
Vc;s"':'OV'
,1-- Re~n
l,..;f
a_cll_v_a
~
-_1 _V-H-I' :
Regin de
ruptura
-2V
-3V
- Vcs -_-:4C!","""'--'7-"'=----'--:-----5:,----1'-0---15'---+----VDS (V)
I
I
(a)' Caractersticas de transferencia
BVc;/lS
(b) Caractersticas io -vc S
Conforme ves se vuelve ms negativo, el estrangulanento se produce a menores

valores de VDS y la corriente de saturacin se vuelve ms pequea. La regin til
para operacin lineal es por arriba del estrangulamiento y por debajo de la tensin
de ruptura. En esta regin, iD est saturada y su valor depende de Ves, de acuerdo
con la ecuacin (4.1) o con la caracterstica de transferencia.
Las curvas caractersticas de transferencia e io-vcs para el JFET, que se muestran en la figura 4.5, son diferentes de las curvas similares para el BIT: el FET es un
dispositivo controlado por tensin, mientras que el BIT se controla por corriente.
El parmetro de control para el FET es la tensin compuerta-fuente en lugar de la
corriente de base, como en el BIT.
Existen otras dos diferencias entre el FET y el BIT. Primero, el espaciamiento
vertical entre pares de curvas paramtricas para el FET no est relacionado de
manera lineal con el valor del parmetro de control. As por ejemplo, en-a figura
4.5 la distancia entre la curva con Ves OV Y la curva con Ves -1V no es
la misma que entre la curva con Ves = -1 V Y la curva con Vos = -2 V.
Esto contrasta con las curvas para el BIT, donde existe una relacin ms lineal.
La segunda diferencia se relaciona con el tamao y la forma de la regin hmica
de las curvas caractersticas. Recurdese que al utilizar BIT se evita la operacin
no lineal pues no se utiliza el transistor por debajo del 5% de los valores de VCE,
que se denomina regin de saturacin. Se observa que el ancho de la regin hmica
para el JFET es funcin de la tensin compuerta a fuente. Conforme disminuye la
magnitud de la tensin compuerta a fuente, aumenta el ancho de la regin hmica.
Se observa tambin en la figura 4.5 .que la tensin de ruptura es funcin de la
tensin compuerta a fuente. De hecho, para obtener una amplificacin de seal
200
'r
,
p.'
173
razonablemente lineal, se debe utilizar slo un segmento relativamente pequeo de

estas curvas; el rea de operacin lineal se encuentra en la regin activa.
Ntese, de la figura 4.5, que conforme VDS aumenta desde cero, 'se alcanza un
punto de ruptura en cada 'curva, ms all del cual la corriente de drenaje se incrementa muy poco a medida que VDS contina aumentando. El estrangulamiento
se produce en este valor de la tensin drenaje a fuente. Los valores de estrangulamiento de. la figura 4.5 estn conectados con una curva punteada que separa la
regin hmica de la regin activa. Conforme VDS contina aumentando ms all
del punto de estrangulamiento, se alcanza un punto donde la tensin entre drenaje y
fuente se vuelve tan grande que se produce ruptura por avalancha. (Este fenmeno
tambin se produce en diodos y en BJT.) En el punto de ruptura, io aumenta lo
suficiente, con incrementos insignificantes en VDS. Esta ruptura se produce en la
terminal de drenaje de la unin compuerta-canal. Por tanto, se produce avalancha
cuando la tensin drenaje-compuerta, VDG, excede la tensin de ruptura, BVGDS
(para VGS OV), para la unin pn. En este punto, la caracterstica iD-VDS exhibe
la peculiar forma mostrada en la parte derecha de la figura 4.5.
La regin entre el estrangulamiento y la ruptura por avalancha se denomina
regin activa, regin de operacin del amplificador, regin de saturacin o regin
de estrangulamiento, como se muestra en la figura 4.5. La regin hmica (antes del
estrangulamiento) a veces se denomina regin controlada por tensin. El FET
opera en esta regin cuando se desea un resistor variable y en aplicaciones .de
conmutacin.
La tensin de ruptura es funcin de VGS as como de VDS. Conforme aumenta
la magnitud de la tensin entre compuerta y fuente (ms negativa para el canal n
y ms positiva para el canal p), disminuye la tensin de ruptura. Con VGS = v;"
la corriente de drenaje es cero (excepto por una pequea corriente de fuga), y con
VGS = O, la corriente de drenaje se satura a un valor
donde IDSS es la corriente de saturacin drenaje afuente.

Entre el estrangulamiento y la ruptura, la. corriente de drenaje est saturada y
no cambia significativamente como funcin de VDS. Despus de que el FET pasa
el punto de operacin de estrangulamiento, el valor de io se puede obtener de las
curvas caractersticas o de la ecuacin (4.1), la cual se repite.aqu para referencia.
t ::::::
ID ss
( 1-
VGS
v;,
La corriente de saturacin drenaje a fuente,

IDSS
IDSS,
es funcin de la temperatura,
= KT-3/2
donde K es una constante [51]. La tensin de estrangulamiento es una funcin

aproximadamente lineal de la temperatura (como es el caso de la corriente baseemisor en el BJT); por tanto
..._
201
174
donde kp ~ 2 mVrC.
En esta seccin, las corrientes y tensiones se presentan para un JFET .de canal
n. Los valores para un JFET de canal p son opuestos a aquellos dados para el
canal n.
4.3.3
Circuito equivalente, gm y
rDS
Para obtener una medida de la amplificacin posible con un JFET, se introduce el

parmetro 9m, que es la transconductancia en directo. Este parmetro es similar
a la ganancia de corriente (o he).para un BIT. El valor de 9m, que se mide em
siemens (S), es una medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio
en la tensin compuerta-fuente. Esto se puede expresar como
8iD
9m
iD
VGS VDS = constante
= oVGS ~
(4.2)
La transconductancia, 9m, no permanece constante si cambia el punto Q. Esto

se puede ver por la determinacin geomtrica de 9m a partir de las curvas de
transferencia caractersticas; Conforme cambia io, vara la pendiente de la curva
de transferencia caracterstica de la figura 4.5, cambiando por tanto 9m'
Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuacin (4.1), lo que
da como resultado
oiD
9m=--=
oVGS
2IDss(1 - vGS/Vp)
-Vp
(4.3)
Se define
2IDSS
-Vp
9mo=---
que es la transconductancia en VGS = O. Utilizando esta ecuacin, la transconductancia est dada por
9m=9mo( 1-
VGS)
Vp
Una forma alterna de la ecuacin (4.4) se puede encontrar definiendo
202
(4.4)
~.,
..
F."
".:'
...
:~
175
en la ecuacin (4.1) y rearreglando los trminos, como sigue:

.
~D
= IDSS
.
VGS
ID SS
Vp - VGsQ =
vGsi
Se selecciona elpunto Q de tal forma que

obtiene
1- V ) = ""V2(Vp - vGs) = k,,(Vp

(
io
= IDQ
y VGS
= VGSQ. Por tanto, se
fi!DQ
-.k"
(4.5)
Pero de la ecuacin (4.3), '

. 2IDss ('
VGSQ)
2IDss
gm=--1--p-VGsQ)
Vp
v;, =---2-(V
Vp'
Se usa la ecuacin (4.5) y se sustituye el valor de Vp - VGSQpara obtener
_ 2IDss fi!DQ
r;r-:-I
gm----_- 2k "fi!DQ
--__ 2V",,,.J.DQ
,Vi'k"
k"
(4.6)
La resistencia dinmica en inverso, TDS, se define como el inverso de la pendiente de la curva iD-VDS en la regin de saturacin:
(4.7)
Como la pendiente de esta curva es muy pequea en la regin activa (vase

Fig. 4.4), TDS es grande.
Se desarrolla un circuito equivalente en ca para un JFET del mismo modo que
para el BIT, con la expresin
(4.8)
La.ecuacin (4.8) se puede escribir de nuevo utilizando las ecuaciones (4.2) y (4.7),
como sigue:
(4.9)
203
r
~
~; 176
Captulo4 Amplificadores con transistores de efecto de campo

io
Figura 4.6
Circuito equivalente FET.
. G~
~D.
G~
S
(a) Incluyendo rDS
Figura 4.7
Curvas caractersticas
iD - 'VDS para el JFET.
(b) Simplificado
io(mA)
!Jc;s=
-1.0 V
-l.OV
-3.0 V
15
20
!JDS
(V)
lo cual conduce al circuito equivalente mostrado en la figura 4.6(a). Debido a

que TDS es muy grande, por lo general se puede utilizar el circuito equivalente
simplificado de la figura 4.6(b) para determinar el desempeo en la regin activa
de un JFET. La ecuacin (4.9) se reduce entonces a
El desempeo de un JFET est especificado por los valores de 9m y TDS.

Estos parmetros se determinan ahora para un JFET de canal n utilizando la curva
caracterstica de la figura 4.7. Se selecciona una regin de operacin que est
aproximadamente enmedio de las curvas, esto es, entre Ves
-0.8 V y VGS
-1.2 V, e iD = 8.5 mA e iD = 5.5 mA. De la ecuacin (4.2), se encuentra
9m -
ll.iD
Il.VGS VDS
(5.5 - 8.5) roA - 7 S S

- . m
constante . -1.2 - (-0.8)
Si las curvas caractersticas para el FET no estn disponibles, 9m Y Ves se

pueden obtener matemticamente, siempre que se conozcan IDss y Vp Por lo
general, estos dos parmetros se incluyen en las especificaciones del fabricante. Se
puede seleccionar una corriente de drenaje esttica, IDQ, que se halle entre 0.3 y
0.7 veces Ioss. 10 cual ubica el punto Q en la regi6n ms lineal de las curvas
caractersticas. Repitiendo la ecuacin (4.1), se obtiene
204
4.3
Operacin y construccin del JFET
177
y en el punto de operacin,
= gmo. ( 1-
gm
VaSQ)
--v;-
donde
La relacin entre iD y vas se puede graficar en un plano sin dimensiones (es

decir, una curva normalizada), como se muestra en la figura 4.8. El eje vertical de
este plano es iD/IIDssl, mientras que el eje horizontal es vas/Vpl. La pendiente
de la curva es 9m.
.
Un procedimiento razonable para localizar el valor esttico cercano al centro de
la regin de operacin lineal es como sigue:
= IDss/2 y, de la curva, VasQ = 0.3 Vp. Ntese, de la

figura 4.8, que esto se halla cerca del punto medio de la curva.
1. Seleccinese IDQ
2. Seleccinese VDSQ= VDD/2.
Figura 4.8
iD/IIDssl
vGs/IVpl
contra
. ( r
...!JL _
IIDs~ -
0.6
Ves
IVpl
--- 0.5
0.4
0.2
Ves
-}
-0.64
..
205
IVpl
~8

La transconductancia se encuentra de la pendiente de la curva de la figura 4.8
en el punto Q, y est dada por
9m
0.9IIDSS
O.64Vp
1.42IDss _ -0-71
Vp
l
1
]
9mo
Estos valores suelen representar un buen punto de inicio para fijar los valores
estticos en el JFET.
1,Ejemplo 4.1 h.__-----------------VVv--Determnese gm para un JFET cuya Ioss = 7 roA, Vp

Eljase una posicin razonable para el punto Q.
= -3.5
V, Y VDD
= 15 V.
SOLUCIN Se comienza volviendo. a la figura 4.8 y seleccionando el punto Q

como sigue:
. Ioss
= -- 2 = 3.5 mA
IDQ
VDSQ
VDD
= -2= 7.5 V
VGsQ = 0.3Vp = -1.05 V
La transconductancia, 9m, se encuentra de la pendiente de la curva en el punto

iD/IDSS
0.5 y vGs/Yp 0.3. Por tanto,
9m
4.4
'\
1.42IDss = 1.42 x 7 mA
I:V,I
3.5 V
= 2840
S
JL
OPERACiN Y CONSTRUCCiN DEL MOSFET

En esta seccin, se considera el FET de metal-xido semiconductor (MOSFET).
Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el'
dielctrico dixido de' silicio (Si02), y ya sea en modo de empobrecimiento o
bien de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen y consideran en las siguientes
secciones.
206
~'
~.'
4.4 Operacin y construccin del MOSFET
~.'.
179
.<
Figura 4.9
El MOSFET de empobrecimiento de canal n.
Canal n
(b) Smbolo
a) Esquema de la estructura fsica
iD(mA)
+lV
VGS=O
-IV
,
VGS
10.
(e) Caractersticas de transferencia e
4.4.1
!;;
15
iD-VGS
MOSFET de empobrecimiento
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p
se muestran en las figuras 4.9. Y 4.10, respectivamente. En cada una de estas
figuras'se muestran la construccin, el smbolo, la caracterstica de transferencia y
las caractersticas iD-VGS. El MOSFET de empobrecimiento se construye (como
se muestra en la figura 4.9(a) para el de canal n y en la figura 4.10(a) para el de
canal p) con un canal fsico construido entre el drenaje y la fuente. Como resultado
de ello, existe una to 'entre drenaje y fuente cuando se aplica una tensin, VDS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal 11, de la figura 4.9 se establece en
un sustrato p, que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de
tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los
extremos del canal n y los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D).
Se hace crecer una capa de SiOz, que es un aislante, en la parte 'superior del canal
n, como se muestra en la figura 4.9(a). Se deposita una capa de aluminio sobre
el aislante de SiOz para formar la terminal de compuerta (G). El desempeo del
MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse en las
figuras 4.9(c) y 4.1O(c}. El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta
y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSFET de
enriquecimiento, y la capa de SiOzacta como aislante. Para el MOSFET de canal
n, mostrado en la figura 4.9, una VGS negativa saca los electrones de la regin
del carial, empobrecindolo. Cuando VGS alcanza v", el canal se estrangula. Los
valores positivos de Vas aumentan el tamao del canal, dando por resultado un
-,
207
180
"
Figura 4.10
El MOSFET de empobrecimiento de canal p.
Canal p
(a) Esquema de la estructura fsica
(b) Smbolo
n(mA)
-IV
+IV
+2V /,+3V
Ves
10
15
-VDS(V)
(e) Caractersticas de transferencia e iD-VGS
aumento en la corriente de drenaje, Esto se indica en las curvas caractersticas de

la figura 4.9(c).
Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores
positivos corno negativos de vGS~ Se puede utilizar la misma ecuacin de Shockley
(Ec. (4.1)) a fin de aproximar las curvas para valores negativos de VGS. Obsrvese,
sin embargo, que la caracterstica de transferencia contina para valores positivos
de VGS, Como la compuerta est aislada del canal, la corriente de compuerta es
sumamente pequea (10-12 . A) y VGS puede.ser
de cualquier polaridad.
.
Como puede verse en las figuras 4.9(b) y 4.10(b), el smbolo para el MOSFET
posee una coarta terminal, el sustrato. La ft.echaapunta hacia adentro para un canal
n y hacia afuera para un canal p. El MOSFET de empobrecimiento de canal p,
que se muestra en la figura 4.10, es igual que el de la figura 4.9, excepto que
se invierten los materiales n y p al igual que las polaridades de las tensiones y
corrientes.
Eje.mplo 4.2
~~----~~--------------------------------~
Calclese la corriente de drenaje, io. para el MOSFET de empobrecimiento de la
figura 4.9 con los siguientes valores de VGS:
a.
b.
VGS
VGS
= -1
V
=-2 V
208
c.
VGS
d.
VGS
= -3
= +O.S V
,;
:j
r
""
"
4.4 Operacin y construccin del MOSFET

SOLUCIN Se utiliza la ecuacin (4.1) para"cada caso, donde
"Vp = -3.5 V.
a.
.
2D
" (
VGS
"
VGS)2"
b. io ~ IDSS
c.
)2 = 7 ( 1 - -3.5 )2 = 3.57
-:2 )2
v;,
-3.5
- 1
=Loss 1 - Vp
(
,,1 -:
) 2 = 7 ( 1-
"
2D
= Ioss ( 1 -
VGS
="Ioss ( 1-
VGS"
d. 2D
Vp
Vp
=7 " 1-
IDSS
181
= 7 mA Y
mA "
= 1.29 mA
-3
-3.5
)2 = 0.14 mA
0.5
) 2 = 7 ( 1- -3.5 )2 = 9.14 mA
Es interesante notar que io aumenta en forma considerable a medida que vGS se

vuelve positiva. La exactitud de la aproximacin de la frmula se deteriora para
valores positivos de VGS.
-,
4.4.2
MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento se muestra en la figura 4.11. ste difiere del
MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino
que requiere de una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer
un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a
fuente, VGS, que atrae electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y
la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones
se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido. Cuando la tensin alcanza
el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin los electrones suficientes
para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable
iD hasta que VGS excede VT.
"
No existe un valor Lose para el MOSFET de enriquecimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero para
VGS = O. Para valores de
VGS
> VT
la corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin

(4.10)
El valor de k depende de la construccin del MOSFET y, en principio, es funcin

del ancho y el largo del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mAfV2; la tensin
Lo
209
182 . Capitulo 4 Amplificadores con transistores de efecto de campo

s
Figura 4.11
El MOSFET de
enriquecimiento de canal n.
(b) Smbolo
iD(mA)
IIcs=5
4V
3V
2V
(c) Caractersticas de transferencia e iD-V,DS
"
fi
~~
de umbral; VT, es especificada por el fabricante. Se puede encontrar un valor para

9m derivando la ecuacin (4.10), como se hizo con los JFET, con el siguiente
resultado:
li
9m =
i
"
"
i!
&iD
--8vGS
= 2k(vGS
- VT)
(4.11)
:f.
;~j
Si
~I
~,
~:'
~;:
.,~
k
,'',.
el'
"
~;
l'
~~
~
;1;
",
l"
",
"~
r,
~
,
!t
~:
&
';
entonces io = O.
El MOSFET de enriquecimiento de canal p se muestra en la figura 4.12; como
puede verse, exhibe caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de
enriquecimiento de canal n.
Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET
de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento es til en aplicaciones de
el (vase Cap. 15) debido a su tamao pequeo. y su construccin simple. La
compuerta para los MOSFET de canal n y de canal p es un depsito de metal en
una capa de xido de silicio: La construccin comienza con un material de sustrato
(de tipo p para canal n; de tipo n para canal p) sobre el cual se difunde material '
del tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje. Ntese que el smbolo para el
MOSFET de enriquecimiento, que se ilustra en las figuras 4.11 y 4.12, muestra una
quebrada entre fuente y drenaje para indicar que no existe un canal inicial.
lnea
210
1ft, '
I_::"
1'"
';';
4.5 Polarizacin de los FE!'

G
, Figura 4.12
El MOSFET de enriquecimiento de canal p.
183
(b) Smbolo

iD (mA)
Ves = ~5 V
(e) Caractersticas de transferencia e iD-VGS
Ejemplo 4.3
h,
_
Determnese io para un MOSFET de enriquecimiento de canal n con VT
cuando k = 0.3 mA/V2 y VGS est dado por los siguientes valores:
\AA,-
= 3.0 V
a. 3.0 V
b. 4.0 V
c. 5.0 V
SOLUCiN
a. io
b. io
c. iD
Los siguientes valores se calculan de la ecuacin (4.10).
= 0.3(vGS
= 0.3(4 = 0.3(5 -
- VT)2 0.3(3 - 3i
3)2 = 0.3 mA
3)2 = 1.2 ~
= O mA
4.5 POLARIZACiNDE LOS FET

Los mismos circuitos bsicos de la figura 3.6 que se utilizan para polarizar los BIT
se pueden emplear para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento. Sin embargo. para la regin activa del JFET y el MOSFET de empobrecimiento, la,
polaridad de VGS puede ser opuesta a la de la fuente de tensin del drenaje. Cuando
211
184
1'1
~~
,i
"ii
VI)))
Figura 4.13
Amplificador FET.
R[)
R!
~
Vi
R.
R,
V"
-=
(a)
(b)
C;
gmtlg.s
ien
Vi
R[)
V).:!i
Re;
F-1.
V"
-=
(e)
se selecciona el punto de operacin, no hay tensin de polaridad opuesta disponible

de la fuente para cumplir con los requerimientos del circuito. Puede ser necesario
descartar R2 (vase Fig. 4.13) de maneta que slo se obtenga una tensin de la
polaridad correcta. No siempre es posible encontrar valores de un resistor para
lograr un .punto Q particular. En tales casos, seleccionar un nuevo punto Q puede
proporcionar a veces una solucin al problema.
Aqu se consideran las ecuaciones de polarizacin para el amplificador FC,
.. mostrado en la figura 4.13, donde se utiliza un JFET. Los mtodos de polarizacin
son similares para los MOSFET de empobrecimiento.
En la..figura 4.13(a) se ilustral un amplificador JFET utilizando una fuente de
tensin de cd para la polarizacin. Se forma el equivalente de Thvenin en el
circuito de polarizacin para obtener
(4.12a)
.'.
l.
~
.,
(4. 12b)
l'
I~
~
~
:~
".
Como se tienen tres incgnitas, IDQ, VosQ y VDSQ, se necesitan tres ecuaciones
en cd. Primero, la ecuacin en cd alrededor del lazo compuerta-fuente se forma
de la figura 4.13(b), como sigue:
~
~
l...
(4.13)
212
4.6 Anlisis de un amplificador Fe
185
Ntese que, como la corriente de compuerta es cero, existe una cada de tensin
cero a travs de Ro. Una segunda ecuacin en cd se obtiene de la 'ecuacin de la .
ley de Kirchhoff en el lazo drenaje-fuente, como sigue:
VDD = VDSQ + IDQ(Rs + RD)
(4.14)
La tercera ecuacin de cd necesaria para establecer el punto de polarizacin se

encuentra de la ecuacin (4.1), que se repite aqu con vo = IDQ y vas = VasQ.
, IDQ
IDSS '
(1-
VOSQ)2
Vp
(4.15)
Estas tres ecuaciones son suficientes para establecer la polarizacin para el JFET
y el MOSFET de empobrecimiento que se utilizan en amplificadores lineales. El
MOSFET de enriquecimiento se usa para el digitales.
Ntese que no se necesita colocar el punto Q en el centro de la lnea de carga de
ca como se hizo para la polarizacin del BJT. Esto se debe a que normalmente se
utiliza un amplificador FET en la entrada del amplificador para sacar ventaja de la
alta resistencia de entrada. En este punto, los niveles de tensin son tan pequeos
que no se excita al amplificador con grandes excursiones. Adems, como las curvas
caractersticas no son lineales, se producira distorsin con grandes excursiones de
entrada.
4.6
ANLISIS DE UN AMPLIFICADOR FC
En la figura 4.13(c) se muestra el circuito equivalente en ca para el amplificador
FET. Se supone que TDS es grande comparada con RD 11 RL, por lo que se puede
despreciar. Escribiendo la ecuacin de LTK alrededor del circuito de compuerta,
se encuentra
'Vgs
= ~i
- RsiD
= Vi
RS9mVgs
Resolviendo para vgs' se obtiene

Vi
Vgs
1 + RS9m
La tensin de salida, vo, est dada por

_
. (R D 11 R L) - -(RD 11 RL)9mvi
1 + Rs9m
Vo - -td
La ganancia de tensin, Av, es

213
186
Av ::;;Vo == -9m(RD 11 RL)

Vi
1 + RS9m
::;;
"-(RD 11 RL)
(4.16a)
Rs + 119m
En ocasiones, se coloca un capacitor en paralelo con Rs, en cuyo caso la ganancia

de tensin aumenta a
La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estn dadas por
s: ::;;
Ra ::;;R 11 R
(4.16b)
(4. 16c)
Ejemplo 4.4
Amplifi~ador Fe (anlisis)
Encuntrese Av para el amplificador JFET de la figura 4.14(a). El punto Q se encuentra en VDSQ ::;;12 V e IDQ ::;;7 mA. Los parmetros del FET estn dados por
9m = 3 mS
rDS =200
kn
SOLUCiN . Del circuito equivalente de la figura 4.14(b), se obtiene
A v = -Vo =. -iD(RD
vgs
vgs
11 ros)
= -9m (R D 11 rDS )
= 52
VDD = 24V
Figura 4.14
Circuito JFET del ejemplo
4.4.
19 kfl
+
l/o
Vi
G
gmvs
+
Vi
r/}s
19 kn
R/}
l/"
Re
-=
(b)
(a)
214
4.7 Diseo de un amplificador
Fe
187
4.7 DISEO DE UN AMPLIFICADOR FC

En esta seccin se muestra el procedirrento de diseo de un amplificador Fe. Se
.presenta el diseo del amplificador JFET y el del MOSFET de empobrecirrento
como un procedirrento paso a paso. El lector debe estar seguro de que entiende el
origen de cada paso, ya que pueden requerirse diversas variaciones subsecuentes.
Los amplificadores se disean para cumplir requerirrentos de ganancia si las
especificaciones deseadas estn dentro de la categora del transistor. Por 10 general,
se especifican la fuente de tensin, la resistencia de carga, la ganancia de tensin y
la resistencia de entrada (o ganancia de corriente). El problema aqu es seleccionar
los valores de las resistencias R, R2 RD Y Rs. Remtase a la figura 4.15
conforme se sigan los pasos del procedimiento. Este procedimiento supone que se
ha seleccionado un dispositivo y que sus caractersticas son conocidas, al menos
Vp e Ioss.
.
Paso 1 Seleccinese un punto Q en la porcin ms lineal de las curvas caractersticas del JFET. Remtase a la figura 4.15(b) como ejemplo. Esto identifica
VDSQ, VGSQ, IDQ Y 9m' Si no se dispone de una curva caracterstica io - VGS,
utilcese la curva adimensional de la figura 4.8, con l oss y Vp dados por el tipo
de transistor que se va a utilizar.
Paso 2 Escrbase la ecuacin en cd de la ecuacin de LTK (Ec. 4.14) alrededor
del lazo drenaje-fuente, .
VDD = VDSQ + (Rs
+ RD)IDQ
Resolviendo para la suma de los dos resistores, se obtiene

R
VDD - VDSQ K
R s+ D=
=
IDQ
(4.17)
La ecuacin (4.17) representa una ecuacin con dos incgnitas, Rs y RD.

Paso 3 Utilcense las ecuaciones de ganancia de tensin (Ec. (4.16a para obtener una segunda ecuacin en Rs y RD. Se puede sustituir la ecuacin (4.17) en
la ecuacin (4.16a)
Av
= -RL
Rs
11 RD
+ 119m
-RL 11 RD
(K - RD) + 119m
(4.18)
La resistencia, RD, es la nica incgnita de esta ecuacin. Al despejar RD se

obtiene una ecuacin cuadrtica con dos soluciones, una negativa y una positiva.
Si la solucin positiva provoca que RD > K 1, esto implica una resistencia Rs
....
215
188
Figura 4.15
Amplificador JFET FC.
R2
RD
+
vi
RL
VO
Rs
(a) Circuito FC
(b) Curva caracterstica
negativa y se debe seleccionar un nuevo punto Q (es decir, regresar al primer paso
de diseo). Si la solucin positiva da RD < K, se contina con el paso 4.
Paso 4 Despjese Rs utilizando la ecuacin (4.17), que es la ecuacin del lazo
drenaje-fuente desarrollada en el paso 2.
R s=
VDD - VDSQ R
- D
IDQ
Con RD Y Rs conocidas, slo se necesita encontrar R y R2

Paso 5
Escrbase la ecuacin de LTK para el lazo compuerta-fuente (Ec. (4.13):
La tensin VOSQ es de polaridad opuesta a VDD. Por tanto, el trmino IDQRs

debe ser de .mayor magnitud que VOSQ. De otra forma, VGG tendr polaridad
opuesta a la de VDD, lo que no es posible de acuerdo con la ecuacin (4.12b).
Paso 6 Se despejan ahora R y R2 suponiendo que la VGG encontrada en el
pasoS tiene la misma polaridad que VDD. Estos valores para los resistores se
seleccionan encontrando el valor.de Ro de la ecuacin de ganancia de corriente
o de la resistencia de entrada. Se resuelve la ecuacin (4.12) para encontrar R
y R2:
,".,
216
"'
r
.
...
r;:i'
4.7 Diseo de un amplificador Fe
~:
Figura 4.16
Diseo de un JFET con
capacitor en paralelo con
el resistor de fuente,
i en
189
+
Re
Vi
Paso 7 Si VGG tiene la polaridad opuesta a VDD, no es posible depejar RI y R2.

La forma prctica de proceder es hacer VGG = O V. Entonces, R2 -+ oo. Como
VGG est especificada por la ecuacin (4.13), ahora el valor previamente calculado
de Rs necesita modificarse. En la figura 4.16, donde se utiliza un capacitor para
poner en cortocircuito una parte de Rs, se desarrolla un nuevo valor de Rs como
sigue:
VGG
= O = VGsQ +IDQRScd
Por tanto, despejando Rsee se obtiene

RScd
-VGSQ
DQ
El valor de RScd es RS1 + RS2 y el valor de RSca es Rs1

Ahora que se tiene una nueva Rscd, se deben repetir varios pasos.
Paso 8 Determnese RD utilizando la ecuacin de LTK para el lazo drenajefuente (reptase el paso 2):
RD
= Kl
- RScd.
El problema de diseo reside ahora en calcular tanto RS1 como RS2 en lugar de
encontrar un solo resistor de fuente.
Con el nuevo valor para RD de K, - Rss. se pasa a la expresin de la
ganancia de tensin de la ecuacin (4.16a), utilizando RSca en vez de Rs para
esta ecuacin de ca.
Se deben incluir los siguientes pasos adicionales en el procedimiento de diseo.
Paso 9 Se encuentra RSca (que es simplemente Rs) de la ecuacin de ganancia
de tensin, la (4.16a):
Av
-(RL 11 RD)
RSca + 119m
217
190
11
RSca
es la nica incgnita de esta ecuacin. Por tanto,

1
gm
Rsu: =
Supngase ahora que se encuentra que Rsca es positiva pero menor que
Esta es la condicin deseable pues
RScd
RScd.
= RSca + RS2
Entonces el diseo est completo y

R
= Reo = RG
Paso 10 Supngase que RSca es positiva pero mayor que RScd. El amplificador
no puede disearse con la ganancia de tensin y el punto Q seleccionados. Se debe
elegir un nuevo punto Q y regresar al paso 1. Si la ganancia de tensin es muy
alta, quiz no sea posible efectuar el diseo con ningn punto Q. Puede necesitarse
un transistor diferente o dos etapas separadas.
4.8
SELECCiN DE COMPONENTES
Un diseo no est completo aun cuando los diferentes valores de componentes ya
estn especificados. Es todava necesario seleccionar los componentes reales por
utilizar (por ejemplo, elegir los nmeros de partes en el catlogo de un fabricante).
Por tanto, cuando el diseo requiere el valor de un resistor, por ejemplo de 102.5
n, el diseador no ser capaz de encontrar este resistor en un catlogo de partes
estndar. El valor nominal de los componentes disponibles depende de las tolerancias. Corno ejemplo, un resistor de 100 n con 5% de tolerancia puede tener
cualquier valor entre 95 n y 105 n. No tendra mucho sentido para el fabricante
ofrecer otro resistor fuera de produccin con un valor nominal de 101 n, puesto
que ese resistor tendra un valor aproximado entre 96 n y 106 n. As la distancia
entre valores nominales adyacentes de los componentes est relacionada con la tolerancia, disminuyendo dicha distancia conforme se reduce la tolerancia (es decir,
componentes de mayor precisin). Los valores estndar de resistores y capacitares
se incluyen en el apndice E.
Corno los valores de los componentes no estn disponibles al instante para ,
cualquier grado de resolucin, no tiene sentido llevar a cabo clculos de diseo
hasta un nmero con un tamao irracional de dgitos significativos.
En los ejemplos de diseo, aqu presentados se especifican los valores hasta tres
dgitos significativos. Es importante asegurarse de que an se mantiene la exactitud
. 218
4.8 Seleccin de componentes
191
hasta dos dgitos significativos luego de las operaciones aritmticas. Por ejemplo,
supngase que se deben aadir
0.274 + 0.474
Si estos nmeros se redondean a dos dgitos significativos, se obtiene
0.27 + 0.47 = 0.74
Sin embargo, si se realiza primero el clculo, se obtiene
,
0.274 + 0.474 = 0.748

que se redondea a 0.75. Redondear los nmeros antes de realizar la suma provoca
un error en el segundo dgito significativo. Por tanto, para reducir los errores
acumulados y aumentar la confianza de que las respuestas son exactas hasta dos
dgitos significativos, se mantienen al menos tres dgitos a lo.largo de los clculos.
Ejemplo 4.5
h Amplificador
JFET Fe (diseo)
Disese. un amplificador JFET FC con una ganancia de tensin de Av = -4,

Ren 100 kO, RL = 20 kO, Ioss = 6.67 mA, Vp = -3.33 V Y VDD = 20 V.
Como no se silbe si ser necesaria una R2, se empieza con la figura 4.15(a) y las
curvas adimensionales de la figura 4.8.
SOLUCiN
Paso 1
IDQ
VGSQ
El punto Q se selecciona de la figura 4.8 como sigue:

IDSS
= -2= 3.33 roA
= 0.3Vp = -1
VDD
VDSQ = -2- =
10 V
Entonces
9m
IDSS
= 1.42--v.--'
= 2.84 x
-3
10
219
9m
=350
Paso 2
Del paso 2 en el procedimiento de diseo, se obtiene
RD + RScd =
Paso 3
20 V -10 V
3.33 mA
= 3 kn = K,
Utilizando la ecuacin de ganancia en ca, se obtiene
-(20 kQ 11 RD)
RD + 350
kn -
= -4
Rb + (21.65 kn)RD - 67 Mn2 = O

De la ecuacin cuadrtica para RD se selecciona la raz positiva,
RD =2.747
kn
Paso 4 Esta cantidad es menor que K1; por tanto, se procede a realizar el paso
4. Se encuentra Rs utilizando la ecuacin (4.15):
Rs =
3 kn -
Paso 5
RD
= 253 n
Este paso deja ahora
VGG= -1 + 253(3.33 x 10-3) = -0.15 V

Como esta tensin negativa no se puede obtener dividiendo la tensin de la fuente
con resistores, se contina con el paso 7.
Paso7
R2
Sea
-+ 00
Entonces
VGG = O = VGsQ + IDQRscd
= -1 + (3.33 x 1O-3)Rscd
Resolviendo para RScd, se obtiene
RScd 300
n
220
""
F
:' ..
"
lo"

Paso 8 .Bste paso
RD
= 3 kn -
193
da
= ~.7kn
RScd
Rsca. sedetermina del paso 9.
Rsca. =
RL 11 RD __ 1 = -(20 kn 112.7kn) _ 350 kn = 245 n

Av
9m
' -4
El circuito final se muestra en la figura 4.16, donde los valores de los componentes
son
. RD =2.7 kn
RS1 = Rsca. = 245
RS2
= RScd -
Rsca. = 300 n- 245
RG = Ren = RI
Ejemplo 4.6
h Amplificador
n = 55 n
= 100 kn
JFET Fe (diseo)
Reptase el ejemplo 4.5 para la figura 4.17, pero seleccionando un punto Q que no
se encuentre en el centro de la regi lineal.
'
SOLUCiN Se selecciona de manera arbitraria el nuevo punto de operacin

como sigue.
Paso 1
IDQ =
3.5 mA
VGSQ
= -0.8 V
VDSQ
=6 V
Entonces
9m
= 2.0 X
10-3 S
9m
.;.-
=500
n
221
194

Paso 2
En el procedimiento de diseo, este paso da
RD + Rs
Paso 3
Av
20-6
3.5 X 10-3
= 4 kn = Kl
Entonces se encuentra
-RD 1120kn
RD + 500 n
= -4 = 4 kn -
de la cual se obtiene, despus de resolver la ecuacin cuadrtica,

RD =3.716 kn
Esta cantidad es menor que K1; por tanto, se procede a realizar el paso 4.
Paso 4
De la ecuacin (4.17), se obtiene
Rs = 4 kn - 3.716 kn = 284 n
Paso 5
Utilizando la ecuacin de polarizacin de este paso, se encuentra
Voo = -0.8 + 284(3.5 x 10-3) = 0.194 V

Paso 6 Para determinar R, y R2 con Reo = Ro, se utiliza el paso 6 ya que
Voo tiene la misma polaridad que VDD. (En contraste con la situacin del ejemplo
anterior.) Por tanto,
100 kn
1 _ 0.194/20 = 101 kn
R,
R2
= 100 kn
I 20 )
~0.194
= 10.3 Mn
El circuito final se muestra en la figura 4.17.

VDD
Figura 4.17
Amplificador Fe para el
ejemplo 4.6.
20 V
Rl = 10.3 Mil
G
~r-~--------~~
Vi
RL = 20 kl
RI = 101 kl
222
1
\
.
.
-;
"
.'
Ejemplo 4.7
h Amplificador
195
JFET Fe (anlisis)
Analcese el amplificador JFET FC de una etapa que se muestra en la figura 4.18

y determnense Av, Ai Y 14n. Supngase que IDSS = 2 mA Y Vp = 2 V.
SOLUCiN En primer lugar se calcula el punto Q, a partir del cual se determina
gm; tanto Av como Ai dependen de este parmetro. Recurdese que el valor de gm
depende de la ubicacin del punto Q. Se necesitan dos ecuaciones para determinar
IDQ y VGSQ, como sigue:
'
VGSQ
= -RsIDQ = -O.4IDQ
y de la ecuacin (4.1),
IDQ =
IDSS
(1-
VGSQ)2
Vp
Cuando se resuelven estas dos ecuaciones, se obtiene una ecuacin cuadrtica en

IDQ '
IDQ
(1_
-0.4IDQ)2
-2
donde IDQ est en miliamperes,

Esto se reduce a
2
"
IDQ - 22.5IDQ + 25
=O
Se resuelve esta ecuacin cuadrtica y se obtienen dos valores: 21.33 mA Y

1.17 mA. Como IDSS tiene slo 2 mA, se descarta el valor mayor y se obtiene
IDQ -= 1.17 mA
VD!>.= 20 V
Figura 4.18
Amplificador Fe para el
ejemplo 4.7.
10 k!1
+
+
Vi
223
.;
196

Por tanto,
VasQ = (-O.4)(IDQ) = -(0.4)(1.17) = -0.469 V
Se utiliza la ecuacin (4.3) para encontrar 9m como sigue:

9m = -2IDss
= (2)(2) (1 _ -0.469)
(1 _ VasQ)
vp
Vp
-(-2)
-2
= 1.53 mS
2._ = 653 O
9m
Ahora se encuentra la ganancia de tensin de la ecuacin (4.16a):

Av = _
RD 11 RL = 10 kO " 2.67 kO = -2.8

RSca + 119m
100 0+653 O
te; = 30 kO
A- _ AvRen _ -2.8(30000)
-
RL
2670
Ejercicios
D4.1 Disese un amplificador JFET Fe que tenga una RL de 10 kO, VDD = 12 V,
Re~ = 500 kO y Av = -2. Utilcese el circuito de la figura 4.15(a). Seleccinese
el punto Q como VDSQ = 6 V, VasQ = -1 V, IDQ = 1 mA Y 9m = 2500 .S.
Resp.: Rs
1.22 kO; RD = 4.78 kO;
R = 509 kO; R2 27 MO;
A = -100
D4.2 Redisese el amplificador del ejercicio D4.1 para un punto Q en VDsQ

7 V, VasQ = - 1'.2V, 1D9 = 0.5 mA y 9m = 3330 .S.
Resp.: R 500 kO; R2 00;

RD 7.6 kO; RSdc 2.4 kO;
RSca 1.86 kO; A
-100
224
4.10 Procedimiento de diseo del amplificador De
4.9
197
ANLISIS DE AMPLIFICADORES OC (FS)

El amplificadorIFETDC (FS) se ilustra en la figura4.19(a) y el circuito equivalente,
en la figura 4. 19(b). El mtodo de anlisis para este amplificador es paralelo
al de la seccin 4.7. La resistencia de entrada es Ren ~ ReJ. Ntese, en el
circuito equivalente, que se ignora rDS, ya que por lo general es mucho mayor
que Rs. Si rDS no es mucho mayor que Rs, se modifican las siguientes ecuaciones
reemplazando Rs con rDS 11 Rs.
Escribiendo la ecuacin de LTK alrededor del lazo compuerta a fuente, se tiene
de la cual se obtiene
La tensin de salida es
y la ganancia de tensin es la razn

(4.19a)
Ntese que como Rs 11 RL tiene la misma magnitud que, 119m, la gananciade
tensin del amplificador FS es menor que la unidad.
.
La ganancia de corriente se encuentra utilizando la frmula de ganancia de
impedancia como sigue:
Ai
= A" Ren
RL
Rs 11 RL
ti;
(Rs 11 RL)+ 119m RL
= (Rs 11
Rs
Ro
RL)+ 119m Rs +RL
Figura 4.19 Amplificador JFET FS.
VDD
+
Vi
(a) Amplificador
(b) Circuito equivalente
225
(4.19b)
.,
.
1:
,;;
"
198
4.10
j
\
PROCEDIMIENTO DE DISEO DEL AMPLlFIC~
\.~
OC
En esta seccin. se presenta el procedimiento de diseo del amplificador JFET OC.

Este procedimiento es el mismo que se utiliza para el diseo de amplificadores
MOSFET de empobrecimiento. Se especifican las siguientes cantidades: ganancia
de corriente. resistencia de carga y VDD. Se puede especificar la resistencia de
entrada en lugar de la ganancia de corriente. Con Ai (o Ren) especificados, se
tienen tres ecuaciones (dos ecuaciones de lazo y la ecuacin para Ai) con tres
incgnitas. R. R2 y Rs. En este caso. tmese la figura 4.19(a) como referencia.
Si se especifican tanto Ren' como Ai, se tienen cuatro ecuaciones y slo tres
incgnitas. Con una ecuacin ms que el nmero de incgnitas, en 'general no
es posible encontrar una solucin sin modificar el circuito. En dichos casos, se
introduce un capacitor de paso a travs de una porcin de Rs, como se muestra en
la figura 4.20. Con ese cambio. se tienen cuatro incgnitas, R. R2 RS1 y RS2.
por lo que el circuito se puede resolver.
l
F
,.
. Paso 1 Selecci6nese un punto Q en el c~ntro de las curvas caractersticas del

FET con ayuda de la figura 4.8. Este paso determina VDSQ. VosQ, IDQ y 9m.
Paso 2 Escrbase la ecuacin de LTK alrededor del lazo drenaje a fuente.
de la cual se encuentra el valor de cd para Rs.

(4.20a)
Paso 3 Encuntrese RSca de la ecuacin de ganancia de corriente reordenada.
ecuacin (4.19b). como sigue:
(4.20b)
Figura 4.20
Amplificador OC.
226
4.10 Procedimiento de diseo del amplificador DC
199
donde'
RG =R
Si se especifica la resistencia de entrada, hgase Rsca = RScd = Rs y calclese la
resistencia de entrada mediante la ecuacin (4.'20b). Si la resistencia de entrada no
es suficientemente grande, puede ser necesario cambiar la ubicacin del punto Q.
Si se especifica Ren. es necesario calcular RScd de la ecuacin (4.20a) y Rsca
de la ecuacin (4.20b). En esos casos, RSca es diferente de RScd, por lo que se
provoca un' cortocircuito en parte de Rs con un capacitor.
Paso 4, Determnese Vaa utilizando la ecuacin
No se produce inversin de fase en un amplificador FET fuente seguidor y. por'lo

general, Vaa es de la misma polaridad que la fuente de alimentacin.
Paso 5 Determnese los valores de R y R2 de la ecuacin (4.12):
R=
Ra
1- VGalVDD .
R2
= RaVDD
VGG
Por lo comn, existe suficiente corriente de drenaje en un FS para proporcionar la

tensin de polaridad inversa necesaria para cubrir las tensiones negativas requeridas
por la compuerta del FET. Por tanto, se puede utilizar la polarizacin normal por
divisin de tensin.
Ahora se toma de nuevo el problema de la especificacin de la' resistencia de
entrada: Se puede suponer que parte de Rs est en cortocircuito, como en la
figura 4.20, lo cual lleva a valores diferentes de RSca y RScd. El paso 2 se utiliza
para encontrar RScd. En el paso 3, Ra se hizo igual al valor especificado de Ren .
y se utiliz la ecuacin (4.20b) para encontrar RSca.
Si la RSca calculada es ms pequea que RScd, se cumple con el diseo realizando un cortocircuito en RS2 con un capacitor. Recurdese que RSca = RS2 y
Rse = Rs + Rs2. Por otra parte, si RSca es mayor que Rsa. el punto Q se debe
cambiar de posicin. Se selecciona un valor ms pequeo para VD~Q, provocando'
por tanto un aumento en la cada de tensin a travs de RS1 + Rs2, lo cual hace
ms grande a Rsa. Si VDSQ no se puede reducir lo suficiente para hacer a RScd
mayor que Rss, entonces el amplificador no se puede disear con la ganancia de
corriente dada, Ren, y el tipo de FET. Se debe cambiar una de estas tres especificaciones o utilizarse una segunda etapa amplificadora para proporcionar la .ganancia
requerida.
.'
227
200
Ejemplo 4.8
h Amplificador
OC (diseo)
Disese un amplificador JFET De con las siguientes especificaciones:. Ai

RL = 400 n, Ioss = 20 mA, v" = -6.67 V Y VDD = 12 V.
= 12,
SOLUCiN
Paso 1 Seleccinese el punto Q como sigue (vase Fig. 4.8):
IDQ
IDSS
= -2= 10 mA
VDD
VDSQ = -=6 V
2
VesQ = (0.3)(-6.67) = -2 V
.1
.!
ij
- 1.42IDss _ 4 26 S
gm V.
-.
m
I
~,~
1
1
- =235
gm
Paso 2 Como no se especifica ningn valor para Ren, entonces Rs

RScd y se utiliza la figura 4.19, dando por resultado
RSca
;!
'1
l
;
j
Rs
= VDDIDQ
- VDSQ =
12 - 6
10 x 10-3
= 600 n
Paso 3 Este paso se utiliza para encontrar Re reordenando la ecuacin (4.19b):
Re
= Ai
[RL + 1 + RL/ Rs]

gm
= 12 [400 + 1 + 400/600] = 9.5 kn

4.26 mS
Como Re es mayor que el mnimo especificado para

y se puede continuar con el paso 4.
Paso 4
Vee
= -2 + (10 x
10-3)(600)
228
=4V
Ren, el diseo
es aceptable
5.3 Ejemplos de variacion de parmetros
229
causante del cambio en lCQ. Se pueden llevar a cabo varias acciones para reducir
este valor. Por ejemplo, es posible seleccionr un transistor diferente con una lCBO
menor. De forma alterna, se puede reducir el cambio total de temperatura en el
amplificador reduciendo, por tanto, el trmino AlcBO. Tambin es posible reducir
an ms RB o aumentar RE. Estas acciones cambian la ganancia de corriente y la
impedancia de entrada, pero como la especificacin del diseo no dice nada acerca
de la impedancia de entrada y la ganancia de corriente, esto se puede ver como
una opcin viable.
--,
0#
1
Ejemplo 5.2
h Amplificad.or
ES
'Disese un amplificador ES (vase Fig. 5.6) con Ai = 10, lCB01 = 10 LA.a

25C, VBE = 0.7 V a 25C, y RL 200 n. La temperatura vara entre 25C y
85C, mientras que f3lo hace entre 80 y 120. La fuente de tensin vara entre 17.5
y 18.5 V.
.
:
SOLUCiN Remtase al captulo 3 y a la tabla 3.1 para las ecuaciones de diseo

necesarias. Se inicia con
RE
= RL = 200 n.
Entonces
que da lo siguiente:
RB =2 kO
= 100 Q
Reo.
= RE
Red
= RE = 200 n
lcQ
= Reo.cc
=
+ Red
11
RL
26 mV
hib
18
.
100+200 = 60 mA
26 mV
= 11cQI = 60 mA = 0.43 n
Para justificar la utilizacin de la forma corta para la expresin de Ai. se deben

verificar dos condiciones:
257
;j,
j
.~
230
Captulo 5 Estabilidad de la polarizacin en amplificadores con transistores

hib ~ O.IRE
RB ~ O.If3(RE 11 RL)
La primera de estas dos condiciones se cumple, no as la segunda. Por tanto, la

expresin en forma corta no es vlida. Se utilizar entonces la forma larga. Se
justifica, sin embargo, la omisin de hib de la expresin.
entonces
RB =2.5 kO
= VBE + IcQ(RB/
VBB
f3 + RE)
= 0.7 + (60 x 10-3) (2500 + 200) = 14.2 V

100
El clculo de las variaciones de parmetros basado en las condiciones dadas produce
~VBE = -2~T = -2(60) = -120 mV
= ICBOI(2(T.2-25Q/1O
~ICBO
.= (10 X 10-6)(260/10
~f3
~VCC
1) = 0.63 mA
= 40
=1
Se encuentra ~IcQ
promedio de 100.
~IcQ
- 1)
utilizando la ecuacin (5.14), donde se utiliza el valor f3
= 200 + ;~/loo
(-0.12) + 1+ loo~2%)/2500 (0.63 x 10-3)

+ 2500(13.5)(40) + _1_0)
100P2002
200 .
=0.53 mA+7 mA+3.38 mA+5 mA= 15.9 mA

Este cambio en ICQ se muestra en la figura 5.8. Se encuentra que la mxima
excursin de corriente de cero al pico es
ic, = 120 x 0.95 - (60+ 15.9) = 38.1 mA

258
"',
5.3 Ejemplos de variaci6n de parmetros

/lI
CQ
233
= 1.45 mA + 0.72 mA + 0.23 mA = 2.4 mA
Para el cambio de temperatura de 25 a -50C,
/lICBO
= ICBO(r75/10
= (1.5
/lVBE
/lICQ=
ICQ
1)
x 10-6)(-0.99)
'"' -2(-50
El cambio en
= -1.49
.LA
-;-25) = 150 mV
es 'entonces
-1
50+1750/350(0.15)+
350
1+3S0(SO)/1750(-l:49x
-6
10 )
+ 1750(1.11 - 0.7) (lOO)

3502S()2
= -2.73
mA - 0.05 mA +0.23 mA = -2.25 mA
Ahora que se han calculado las variaciones en ambas direcciones, es necesario,

encontrar la nueva excursin simtrica mxima en la corriente de colector.' El
cambio en la corriente de colector esttica en la, direccin positiva es 2.4 mA,
mientras que el cambio negativo es 2.55 rnA. As, con el punto Q original en ei
" centro de la lnea de carga, el cambio negativo mueve el punto ms ce~ca de la
regin no lineal que el cambio positivo. La excursin negativa es, portanto, el
factor limitante para la' mxima excursin simtrica. Despus del movimiento en'
la direccin negativa, el nuevo punto Q est en
'
ICQ =:=
(7.5 -:-2.55) mA
= 4.95 mA
Si se evita el 5% de la parte baja de la lnea de carga debido a las no linealidades,

la mxima amplitud en la excursin de corriente es
' "
(4.95 - 5%
x 15) rnA = 4.2 mA
Por tanto, la excursin total pico a pico tiene el doble de esta cantidad, u 8.4
mA. sta es la mxima corriente de colector pico a pico para una salida libre de
distorsin y se ilustra en la figura 5.9. La mxima excursin en la tensin de salida
se reduce de 6.75 V a 4.2 V.
En este diseo, el primer trmino de la ecuacin de /lIcQ es el mayor. Por
tanto, el efecto de la temperatura en VBE provoca el mayor cambio en leo- Si la
cantidad de reduccin en la excursin simtrica de la salida no fuera aceptable, una
261
234
Captulo 5 Estabilidad de la polarizacin en amplificadores con transistores

ic(mA)
Figura 5.9
Lnea de carga del
ejemplo 5.3.
95%
Amplitud de la
excursin
4.95 -~'1Ir:''''''--Amplirud
~
de la
excursin
5%
4.125
~ __ ~~----------
12
8.5
solucin sera tratar de reducir el primer trmino de la expresin. Esto se puede

lograr colocando el amplificador en un lugar ms fro o propiciando la eliminacin
de calor del transistor.
Ejercicios
D5.4 Determnese la variacin en ICQ para un amplificador Ec que se dise
utilizando los siguientes criterios: Av -10, RL 4 k!1, ReD 5 k!1 e ICBO =
0.1 /LAa 25C. El valor de f3 vara de 100 a 300 y la temperatura cambia de 25
a 85C (vase Fig. 5.4).
Resp.: ICQ
comienza en 1.56 rnA Y aumenta a 2.58 rnA a 85C
D5.5 .Cul es la mxima excursin simtrica no distorsionada en la tensin de

salida para el amplificador del ejercicio 05.4?
Resp.:
1.54 V pico a pico
D5.6 Si el amplificador del ejercicio D5.4 se diseara para operar de -25C a

+25C, cul sera la variacin en ICQ?
Resp.: ICQ
I
I
disminuye en 0.757 mA
D5.7 Cul es la mxima excursin simtrica sin distorsin en la tensin de salida

para el amplificador del ejercicio D5.6?
Resp.:
2.57 V pico a pico
262

f;:(
,
5.5 Reduccin de las variaciones en la temperatura

Si (RB
11 RD)//3
239
RE, entonces ICQ est dada aproximadamente por
Sustituyendo la expresin para VTH, se tiene
y la variacin con la temperatura est dada por

'i
"
8ICQ
8T
8V-y
2RB
8VBE
= 8T (RB + RD )RE
Si se hace RB
= RD,
---;- RE
(5.17)
entonces la ecuacin (5.17) se convierte en

.1
8IcQ
,8T
= _1_
RE
[8V"Y _ 8VBE]
8T
8T
Si la caracterstica del diodo es similar a la de la unin base-emisor, esta expresin

se reduce a cero y se alcanza una compensacin de temperatura ms precisa. Para
asegurar que las caractersticas sean similares, los diodos y el transistor se pueden
fabricar en el mismo circuito integrado. ,
5.5
REDUCCiN DE LAS VARIACIONES EN LA TEMPERATURA

Cambiar la temperatura de cualquier dispositivo electrnico cambia sus caractersticas de operacin. Un aumento en la temperatura puede inclusive hacer que
el dispositivo falle. Por tanto, es importante para el diseador considerar la temperatura de operacin de los dispositivos utilizados en un sistema.
Para los BIT, un aumento de la temperatura en la unin provoca un aumento
de ICQ, reduciendo por tanto la mxima excursin en la tensin de salida.
Los aumentos en la temperatura pueden estar provocados ya sea por calor externo
o interno que se genera al operar el dispositivo a niveles altos de corriente. La
capacidad del transistor est limitada por la temperatura permisible en la unin
especificada por el fabricante. Es responsabilidad suya como diseador asegurar
que su diseo no permita que la temperatura de la unin no exceda el valor mximo
especificado, o el desempeo se ver deteriorado. Tambin es importante que
t,
267
.....
6.1 Clases de amplificadores
249
.6.1' CLASES DE AMPLIFICADORES

Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo
que la corriente de colector es diferente de cero. Existen cuatro clasificaciones
principales: clase A, clase B, clase AB y clase C. En los siguientes apartados se
analiza cada una de ellas.
6.1.1
II
Operacin en clase A
La clase A' es el tipo de operacin considerado en 'los amplificadores de los
captulos 2, 3 Y 4. En la operacin en clase A, el amplificador reproduce totalmente la seal de entrada. La corriente de colector es distinta de cero todo el
ti~p;Este
tipo de operacin es ineficiente ya que, auShlseaI de entrada, ICQ
eSaifrente de cero y el transistor disipa potencia. Esto es, el transistor disipa
potencia en condicin esttica o de reposo.
En la figura 6.1 se ilustran curvas caractersticas tpicas para la operacin en
clase A. L! co~.
~CQ, se sita por lo -:=gse~ne'7r=~-.-:e~n~el_c-;-en_tr_o_d-:ec-;-la;-l_n;-,e=a
de
carga de ca.-En la figura se muest&an un ejemplo de entrada senoidal y la corriente de colector resultante en 'la salida. Ntese que la entrada senoidal se
dibuja con la ordenada alineada con la lnea de cll!ga.. Entonces se vara VCE
como funcin del tiempo, moviendo hacia arriba y abajo la lnea de carga. Las
variaciones en VCE provocan variaciones proporcionales en la corriente de colector, las cuales se leen proyectando el valor de VeE a la lnea de carga y luego
en forma horizontal al eje ic- Ntese que si se evitan las porciones no lineales de las curvas de operacin (las regiones sombreadas del diagrama), una entrada senoidal provoca una salida senoidal.
Figura 6.1
Operacin en clase A.
ic
n.;:,:!J.----
Regin de saturacin
/
/
/
/
/
Vcc
277
270
Captulo 6 Amplificadores de potencia y fuentes de alimentaci6n
(6.8)
La ecuacin (6.8) se deriva notando que la ganancia de tensin es unitaria para el

amplificador ES. Esto es, la tensin en ca a travs de R2 es igual que la tensin
del emisor a tierra, v,.
Igualando ID con idp, se encuentra la condicin limitante para la operacin del
diodo en la regin de polarizacin directa (vase Ec. (6.7. A partir de esto, R2
se puede encontrar como sigue:
Vcc /2 - 0.7
R2
= ~bp +
v,p
R2
entonces
R2 =
Vcc/2 - 0.7 - v,p

.
~bp
Como el amplificador es un ES, Vi :::::v,. A frecuencias medias, la tensin a travs

de el es cero, por lo que la tensin completa, VL, aparece a travs de RL. Por
tanto, v, = VL. A la frecuencia de corte baja (3 dB), la potencia de salida cae a
1/2 de la potencia a frecuencias medias, y la tensin a travs de RL es igual a la
tensin a travs de el. Cada una de estas tensiones es igual a vL/,,[i. La magnitud
pico de la tensin a travs de la combinacin en serie de RL y el es
Por tanto, el valor de
VLp
en la ecuacin (6.9) se puede escribir como

(6.10)
La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figura

6.18 para la condicin de ZL = RL a frecuencias medias del amplificador donde
XCI
=0.
Se supone que el capacitor es un cortocircuito para operacin a frecuencias

medias. Ntese que RL se refleja como j3RL. El diodo tiene una resistencia en
directo, R, y otra inversa, Rr.
.
La resistencia de entrada se encuentra de la figura 6.18 como sigue:
(6.11)
298
Problemas
333
eficiencia sin sacrificar ganancia de corriente. En el captulo 6 se muestra que la

mxima eficiencia que se puede alcanzar para el amplificador de SC es 78%. El
amplificador de salida simple tiene una eficiencia mxima de s61025%. Algunos
amplificadores operacionales utilizan un par Darlington de simetra complementaria para aumentar la capacidad de salida. La etapa de salida de simetra complementara en el 741 consiste en QI4 y Q20.
7.7 ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Cada amplificador operacional posee caractersticas que se describen en las especificaciones del fabricante. stas se combinan en- manuales.
Cada especificaci6nproporciona tambin las caractersticas del amplificador operacional bajo varias condiciones de operacin. Los parmetros principales se muestran ya sea en forma tabular o grfica. Pueden existir tambin aplicaciones tpicas
del amplificador operacional recomendadas por el fabricante. Otros datos de la especificacin pueden incluir ejemplos de circuitos externos necesarios para balancear
dicho amplificador operacional. Este es un momento adecuado para familiarizarse
con el apndice D, donde se ilustran ejemplos de hojas de especificaciones. Se
incluye el JLA741, y debe verse como un ejemplo representativo.'
Los amplificadores operacionales son bloques de construccin verstiles para
que' los utilice el diseador. Conforme se examinen varias aplicaciones de estos
bloques (en los siguientes cinco captulos), sera muy til obtener una de las ltimas
copias de un manual de CI lineales de los fabricantes, que contiene varias hojas de
especificaciones y otra informacin valiosa.
.
PROBLEMAS
7.1 Cul es la ganancia en' modos diferencial y comn para el amplificador de
la figura 7.3 si RCI RC2 10 kn, RE 10 kn y Vcc
15 V? Supngase
que VEE/RE es una fuente de corriente constante y que VBS .; 0.7 V,
VT = 26 mV Y VEE = 15 V.
7.2 Cul es la ganancia en modos diferencial y comn para el amplificador de

la figura 7.3 si REE
5 kn, RCI
RC2
5 kn, Vcc
VEE = 15 V?
Supngase que VBE 0.7 V, VT 26 mV y 3 100.
=
=
7.3 Encuntrese la tensin diferencial para el circuito de la figura 7.3 si VI

Y V2
= 0.55 V. Sean Rc = 5 kO, REE = 5 kn
e lEE
= 2.6 roA.
= 0.6 V
7.4 Un fabricante indica la ganancia de tensin de un amplificador diferencial

como 200 y el CMRR como 80 dB. Si se aplica una seal diferencial de
2 mV en la entrada junto con una seal indeseada en modo comn de 10 mV,
cul es la amplitud de cada seal en la salida?
361
,
I
f
I
334
Captulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales
7.S El amplificador diferencial de la figura 7.5 tiene Ad = 200, una tensin

diferencial en la entrada de 3 mV, una tensin en modo comn de 15 mV y
un CMRR de 95 dB. Calclese la tensin en modos diferencial y comn en
la salida.
7.6 Calclense Vol, Vo2 Y Vo3 en trminos de las entradas VI y V2 para el circuito
de la figura, P7.1. Supngase que la ganancia diferencial de tensin, Ad
(salida doble a entradadoble), es lOOy que la ganancia de tensin en modo
comn, Ac, es -0.5 para cada etapa. Se supone que todos los transistores
son idnticos.
Vcc
Vcc
R
1----0
Vo3
Vz
Figura P7.!
7.7 Calclese Vo3 en trminos de las entradas VI y V2 para el circuito de la figura

P7.2. Las ganancias de tensin en modos diferencial y comn para la primera
etapa son las mismas que las del problema 7.6. Para el transistor Q3, f3 100,
Re
10 kn, hib SO n y RE 200 n
7.8 Calclense Vol Y Vo2 para las tensiones de entrada que se muestran en la
figura P7.3. Ad y Ac son las mismas Queen el problema 7.6.
Vcc
R
Vcc
VI
V2
Figura P7.2
362
1'
J.:.,
337
7.21 Para la fuente de corriente Wilson de la figura 7.9, calclese la resistencia de

salida si Vee
15 V, R 12 kO, VT 26 mV, VBE 0.7 V Y (3 100.
Supngase que se emplean transistores 2N3903 en el intervalo de 500 J1-A .
(vase Ap. 01).
7.22 En el circuito del problema 7.21, cules son los valores ?e 1REFe 1e2?
7.23 Cul es la salida del trasladador de nivel de la figura 7.14 si VBB ='8 V,
RB = 5 kn, Vee = 10 V, la fuente de corriente proporciona 4 mA, RE =
800 n, VBE = 0.7 V Y(3 = lOO?
7.24 Disese un trasladador de nivel para obtener un desplazamiento de 4 V
utilizando el circuito de la figura 7.14(b). Supngase que RB = 4 kO, VBB =
8 V, Vee = 12 V, VEE = 12 V, (3 = 100 y VBE =: 0.7 V. Utilcese una fuente
de corrierite.que proporcione 6 m.'
7.25 Un amplificador multietapa acoplado directamente tiene un amplificador EC
en la ltima etapa. La Ve para el amplificador EC es 6 V con una Re de
5 kO: Disese un trasladador de nivel para que siga al amplificador EC y
proporcione una salida en ca. Los valores delos parmetros son Vec = 10 V,
VEE = 10 V, VBE 0.7 V Y (3 100. Disese la fuente de corriente para
que tenga una salida de 5 mA ..
PA7.1 Si REE en el problema 7.14 se reemplaza con una fuente de corriente simple
(VA
80 V), cul es el nuevo CMRR? Determine el valor de RREF.
12V
8kO
le
..
Uo
5000
12V
Figura PA7.1
365
rt
338
Captulo 7 Circuitos integrados: amplificadores operacionales

PA7.3 Disee un espejo de corriente del tipo mostrado en la figura PA7.2 donde
11 10 mA, 12 1 mA, h 0.1 mA, 14 100 J1.A e 15 50 J1.A. Suponga
que los transistores son idnticos y tienen una {3 100.
~
t:
t~
,.
'.~
"~!
:~1
,',
.~
~
PA7.4Encuentre el desplazamiento en cd (cuando Vi O), Ad. Ac y el CMRR del

circuito mostrado en la figura PA7.3. Suponga que {3 = 300 para todos los
transistores, VT 26 mY, VA 80 y Y VBE 0.7 Y. Determine el valor
de RREF y R2 para una lEE
2 mA e lREF 50 mA.
PA7.2 Determine las tensiones de salida en modo diferencial y modo comn y el
CMRR para el circuito mostrado en la figura PA7.1. Suponga que VBE =
0.7 Y, 1fT 26 mY, VA 60 Y y, que los transistores son iguales con
(3 200. Tambin determine Ren(MD) y Ren(MC).
~~
r~
,
Rt
f'
2071
,I 15
REF
;.<
,
,1'
~
~
Qt.
Q2
Rz
~
,.
Q4
QJ
Qs
R4
RJ
ij
~
t)
Figura PA7.2
-=
rn,)
'1
.12 V
!-i
3.7 kQ
3.7 kn
soo
~
~
Vo
~:
~
'.'p
u.
2kQ
1.':
~~
h
,:.~
r~~,
f~
~~
('1
Lo,
..L
Rl
r.e'
r~
~
-12 V
Figura PA7..3
366
Q6
Rs
394
Capitulo 9 Amplificadores operacionales prcticos
Ejemplo 9.3
hL-----------------
'VVv-
Encuntrese la impedancia de salida de la compuerta de potencia (buffer) de ganancia unitaria que se muestra en la figura 9.16.
.
Figura 9.16 Compuerta de potencia (buffer) de ganancia unitaria.
SOLUCiN Cuando se compara el circuito de la figura 9.16 con el circuito con

retroalimentacin de la figura 9.13, se encuentra que
Por tanto,
R
= 00 11 uc; = 2Rcm
La ecuacin (9.8) no se puede utilizar, ya que no se est seguro de que se apliquen

en este caso las desigualdades que conducen a la simplificacin de la figura 9.15(c).
O sea que la simplificacin necesaria es
2Rcm
11
(2Rcm + Ri)
Sin esta simplificacin, el circuito toma la forma mostrada en la figura 9.17. Este
circuito se analiza para encontrar las siguientes relaciones:
Entonces la resistenciade salida est dada por

v
Rsai = i
Ro
1 + RG/(R~ + Ri)
si se hace la suposicin
Ro
(R~ + Ri) 2Rcm

422
(9.9)
Captulo 10
Caractersticas de la respuesta en frecuencia
VPD
G
11
Cgs
+
Vi
Rs
RG
Cgd
RL
Rs
rd,
Ve
D
(a) Amplificador OC
(b) Circuito equivalente en alta frecuencia
+.
+
R
Vi
RG
==
Cgd
;;;Cgs(l-1v)
r-Cd'
C (1--)
gs Av
rd,
R,
RL
Vo
-"-
(e) Circuito equivalente en alta frecuencia con el efecto Miller

Figura 10.34
Amplificador OC.
7"2
= (Ra 11 Ri) [Cgd + Cgs(l
- Av)]
Como en general Ra es muy grande, se puede aproximar Ra

Ri. Entonces la frecuencia de corte est dada por
11
R; por medio de
10.7 AMPLIFICADORES CASCO DE

Ahora se retoma el amplificador cascode, que se vio por vez primera en la seccin
7.4. El circuito se repite en la figura 10.35.
La configuracin cascode exhibe una frecuencia de corte ms alta que la de
amplificadores BC en cascada utilizando el mismo tipo de transistor. Como el am530
.~
:~
Captulo 10 Caracteristicas de la respuesta en frecuencia

y
hibl
26mV
=boa =~
La ganancia de la primera etapa es

'.. :
-hibZ
A vl=--=-
l'
hibl
La ganancia en la salida es
I Ejempio
10.16
hL-_-'--
'\N'tr-
Considrese el circuito de la figura 10.35 con

RI
= Rz = RJ = 5 kS1
Vcc =24 V
= 1 kS1
RE
ro = 11 kS1
= 100
f3
RL =Rc =5 kS1
Encuntrense las ganancias de tensin Avl y Avz as como la resistencia de salida
Ro.
SOLUCiN
v: _
BI -
Las siguientes ecuaciones siguen los resultados de esta seccin.
5kS1x24
_
5 kS1 + 5 kS1 + 5 kS1 - 8 V
.
.
8:- 0.7
. lCI =lcz= ~
=7.3 mA
26mV
hibl
= boa = 7.3 mA = 3.56 S1

532
Captulo 10 Caractersticas de la respuesta en frecuencia

10.16 Utilcese un transistor 2N3903 en el circuito de la figura 10.17. Dibjese
el diagrama de Bode para este amplificador cuando RI
1 kO, R2 9 kO,
f3 = 200, RL = Re = 1 kO, RE = 100 'O, C2 = 0.01 f-LFY CI = 0.1 f-LF.
10.17 Disense un amplificador EC con Reo = 15 kO, Av = -10, RL = 10 kO Y

una frecuencia de corte baja de 40 Hz. Utilcese un transistor con f3 = 200,
VBE = 0.7 V Y Ved = 12 V. Cules son los valores de CI y C2 en cadcaso?
a. Si los polos estn separados una dcada.
b. Si los polos se encuentran en la misma posicin.
c. Si CI y C2 son iguales. Determnense las nuevas frecuencias de corte.
Comprense los resultados de las partes (a), (b) y (e),
m:;
t','"
~i:
k'
~~\
I
li
k\1
I
",",
.
I
~
~
10.18 Al resistor de emisor del amplificador del problema 10.17 se le coloca un

capacitor de paso. Qu valor debe tener este capacitor si la frecuencia de
corte es 40 Hz?
10.19 Un amplificador ES tiene RI = 20 kO, R2 = 2 kO, RL = 100 0, RE = 50 0,
C(salida) = 100 f-LFYC(entrada) = 3.3 f-LF.Dibjense los diagramas de Bode
para este amplificador si Vee = 10 V, f3 = 200 Y VBE = 0.7 V.
10.20 Disese un amplificador ES con Ai = 10, RL = 20 Y una frecuencia de
corte baja de 20 Hz. Utilcense Vee = 10 V Y un transistor con f3 = 80 y
VBE = 0.7 V. Cules son los valores de CI y C2 en cada caso?
a. Si los polos estn separados una dcada.
b. Si los polos se encuentran en la misma posicin.
c. Si el yC2 son iguales. Determnense las nuevas frecuencias de corte
i1
10.21 Dado el amplificador FET de la figura 10.23 con un MOSFET 3N128 y

VDD = 12v, Reo 50 kO.
a. Disese el amplificador para que tenga una ganancia de tensin en frecuencias medias de -2 cuando RL = 3 kO. Utilcense 9m = 5000 f-LS,
VDSQ = 7.5 V e IDQ = 2 mA.
b. Seleccinense CI y C2 tales que la frecuencia baja de 3 dB sea 10 Hz.
"1
,
"
10.22 Disese un amplificador JFET para Av = -10, Reo = 50 kO YRL = 20 kO

utilizando Vee = 20 V. El punto Q se selecciona en VDSQ = 7 V, VGSQ =
-0.35 V, IDQ = 1.3 mA Y9m = 1600 f-LS.Seleccinense CI, C2 y
para
una frecuencia de corte baja de 20 Hz.
e3
10.23 En el amplificador del problema 10.22, el transistor se reemplaza por un

MOSFET, que tiene 9m 3333 f-LSen un punto Q de VDSQ 6 Y, IDQ =
1 mA Y VGsQ 2 V.
a. Disese el amplificador.
b. Selecci6nense el,
y
e, c-.
536
554
Captulo 11 Retroalimentacin y estabilidad
Figura 11.25 Diagrama de bloques de un oscilador con puente de Wien.
Figura 11.26 Oscilador con puente de Wien.
(11.45)
Ntese que como Z3 y Z4 son resistivas, esta razn es real.
El oscilador con desplazamiento defase se muestra en la figura 11.27. Consiste
en tres redes RC idnticas, cada una de las cuales proporciona un desplazamiento
de fase de -600, lo que da los -1800 de desplazamiento total requeridos. Este
oscilador constituye una forma simple de oscilador con amplificador operacional,
y es relativamente barata.
Si se escribe la funcin de transferencia de la red de retroalimentacin, se
encuentra que su ngulo es de -1800 cuando la frecuencia es
1
fo
(11.46)
= 2v'6 'Ir Re
lo cual representa por tanto la frecuencia de oscilacin. En la prctica, se requieren

ms de tres redes RC debido a que cada seccin carga a la anterior y, en consecuencia, cambia sus caractersticas. Una alternativa a utilizar ms de tres redes es
aadir una etapa de compuerta de potencia (buffer) entre cada par de redes RC con
el fin de reducir los efectos' de carga.
En la figura 11.28(a) se muestra un oscilador muy simple que se puede construir
utilizando un cristal piezoelctrico, mejor conocido como cristal de cuarzo, y un
amplificador. Como el modelo elctrico del cristal es un circuito resonante, se
utiliza junto con circuitos discretos o integrados. Se puede conseguir un control
muy preciso de la frecuencia con los osciladores a cristal, as como estabilidades
en el intervalo de varias partes por milln en la variacin de la frecuencia sobre
intervalos normales de temperatura. Estn disponibles cristales de cuarzo en frecuencias de 10 kHz a 10 MUz.. Se pueden obtener cristales con otros intervalos de
frecuencia, pero en general no son artculos del mercado. En la figura 11.28(b) se
muestra un circuito oscilador a cristal simple.
582
-,
f'
~.'
12.2 Limitadores retroalimentados
571
Tabla 12.2 Rectificadores de onda completa. (Continuacin)

2. Ejemplos numricos
10 kO
10kO
."
10kO
10 kO
V",f> O
Se obtiene un desplazamiento
del nivel de cd aadiendo una
tensin Vrefde entrada. Cuando
Vrer > O. la curva se desplaza
hacia abajo. y cuando Vrcr < O.
la curva se desplaza' hacia arriba..
10 kO
10 kO
10 kO
Vi
Vref
VI
+ Vref
t/o
. Se obtiene un desplazamiento del eje aadiendo

una Vreral amplificador
bsico de salida negativa.
10 kO
Cv'cr
positiva)
599
(Vref negativa)
..,
:'3
580
Captulo 12 Circuitos no lineales
D12.4
10 kO
Resp.:
Vi= VI
---k----1
+ :2 V2
Vi
Figura D12.4
Ejemplo
1.2.2 hL-------------------VVv-Un limitador retroalimentado, como se muestra en la figura 12.5, tiene RA = 10 kO,
RF = 20 kO, R = 4 kO, R2 = 2 kO, Vref = 10 V, V'Y = 0.7 V Y R = 50 O.
Detemnese el punto en el que la caracterstica Va contra Vi cambia de pendiente, y
encuntrese tambin la pendiente en la regin de saturacin (diodo en conduccin).
SOLUCiN De las ecuaciones para el punto de ruptura, ecuaciones (12.6) y
(12.7), se encuentra
La pendiente est dada por la ecuacin (12.5) como sigue:
= .,
pendiente
.
(;A) (1 + ~~) (.R R2 + R)
= - 101kO
= -0.21
11
(. 2kO)
1 + 4 kO
(4 kO
11
.
2 kO + 50 O)
Las caractersticas Va contra Vi se muestran en la tabla 12.3 como el limitador

"bsico de lmite inferior'. En la tabla 12.4 se incluyen otras aplicaciones adicionales del limitador.
608
690
Captulo 14 Seales de pulso
Figura 14.3
Respuesta al escaln de
redes pasa-altas.
v
Entrada escaln
V~-----------------Respuesta
al
escaln
vo(O)
Vo(OO)
= Vi = A + BeO = A + B
= Vf = A + Be-oc = A
con el resultado
A=Vf
B=V;-V
Entonces la ecuacin para la curva es
v(t)
= Vf + (Vi -
V)e-t/,r
(14.3)
Como ejemplo del uso de la ecuacin (14.3), se encuentra otra vez la respuesta de
la red a la funcin escaln mostrada en la figura 14.3.
El valor inicial de la tensin de salida es V, ya que la tensin del capacitor
no puede cambiar instantneamente cuando la entrada salta de O a V volts. El
valor final es cero, ya que el capacitor se comporta como circuito abierto para una
entrada de cd. Por tanto, se tiene
Vf =0
Sustituyendo estos valores en la ecuacin (14.3), se obtiene
::;
como antes.
Ahora se complicar el sistema haciendo que la entrada sea la composicin de
dos escalones. Considrese que la entrada es un pulso de amplitud V y duracin
T. Esto se consigue aadiendo un escaln de amplitud V en el origen a un escaln
de' amplitud -V retrasado T segundos. Esto se muestra en la figura 14.4(a).
Se despeja la seal de salida en dos pasos. Se encuentra la salida para tiempos
anteriores a t = T como antes. Esto es, puesto que el sistema no puede ver el
718
f
\
>.
:.~
724
Captulo 14 Seales de pulso
t:
!.:'
:-..
i;
a. 10 Hz a 100 Hz
b. 100 Hz a 1 kHz
c. 1 kHz a 10 kHz
:~
La relacin de activdad no puede ser superior a 0.2, Seleccinense los
tv
'o',
valores de todos los resistores y capacitores, as como el nmero del el

inversor. Supngase que se tiene disponible toda la potencia necesaria.
Dibjese el diagrama del circuito diseado.
l~
l.
14.13 Desarrllese un tren de pulsos de 60 Hz utilizando la lnea de energa de

100 V, 60 Hz con el sistema mostrado en la figura P14.4. La salida es un .
tren de pulsos con relacin de actividad de 100%. Seleccinense todos los
valores para resistores y capacitores. Dibjese el diagrama del circuito para
el diseo completo.
~
'0',
..
t~
"1"
11
j;
,.
~
.
Vi
-!
Monoestable
555
Rectificador
de
de onda
5VhI
110
110
.t
Figura P14.4
ti
~
~
~
~
~
~
~
~~
~i
-:
';;.
l
~
;:
:~.
14.14 Disese un generador de pulsos que tenga los siguientes intervalos variables.
a. 0.1 kHz a 1 kHz
b. 1 kHz a 10 kHz
c. 10 kHz a 100 kHz
Se requiere una relacin de actividad de 1.0. Supngase que se tiene disponible toda la potencia necesaria en el diseo.
14.15 Disese un sistema de control de luz de trfico utilizando circuitos digitales.
La luz de trfico se utilizar en una interseccin de cuatro vas, y cada
direccin debe tener tres colores: rojo, amarillo y verde. Para encender una
lmpara, el circuito debe proporcionar una salida de +5 V. Si la salida a
una cierta lmpara del circuito es cero volts, la lampara se apagar. En la
figura P14.5 se muestran los tiempos de encendido necesarios y un mapa de
la interseccin.
Luz
A
Luz
B
O
Figura Pl4.S
Verde
Amarillo
50s 60s
Rojo
90s
Verde Amarillo
Rojo
60s
1 cycle
752
80s 90s
_jAL
IAI
B
A-56
Apndice
La transformada de Laplace
Cuando se transforma la ecuacin (C.2), resulta una ecuacin nueva, o transformada. La ecuacin diferencial se reduce a una ecuacin algebraica con s como
variable. Esta ecuacin transformada se puede manipular de manera algebraica
para despejar en forma transformada la cantidad que se desea.
Si se requiere la solucin en el tiempo, la funcin resultante de s se puede
transformar de modo inverso en una funcin del tiempo. Este proceso, denominado
"bsqueda de la transformada inversa de Laplace", es ms fcil de realizar con la
ayuda de tablas de transformadas de Laplace.
C.1
LA TRANSFORMADA DE LAPLACE DE FUNCIONES

La aplicacin de la ecuacin (C.I) a varias funciones del tiempo sirve de base para
una tabla de pares transformados. Como ejemplo, considrese la funcin escaln
unitario, u(t), como se muestra en la figura C.l. La representacin matemtica es
u(t)
= {O
<O
1 t >O
(C.3)
La transformada de Laplace est dada por
(C.4)
En la tabla C.I se muestran transformadas de Laplace importantes y comunes.
Figura C.I
La funcin escaln
unitario.
u(t)
1~-------------------------
962

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ACERCA DE LOS AUTORES,

C. J. SAVANT,Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin. Recibi su Ph.D. cum

MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingeniera Elctrica y de

GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Area de

Por qu este libro?

Unicidad del mtodo de diseo

Ruido en sistemas electrnicos

Correccin del libro

Facilidades para el protesor

Gua para uso' del libro en clase

Todo libro es el resultado de varias repeticiones y revisiones basadas en la

Introduccin para el estudiante

ANLISIS DE CIRCUITOS CON

Conduccin en los materiales 3

1.2 Diodos semiconductores

1.2.1 Construccin del diodo 10 /

1.3 Fsica de los diodos de estado slido

1.4.1 Rectificacin de media onda 24

1.7 Diseo de una fuente de poder usando un circuito

1.9 Tipos alternos de diodos 48

1.10 Especificacionesde los fabricantes 51

Configuraciones comunes en circuitos 71

El amplificador EC con resistor en el emisor

2.6 Consideraciones de potencia 83

Derivacin de las ecuaciones de potencia

2.7 Capacitores de paso' y de acoplamiento 85

2.8 Lnea de carga de ca para la configuracin en EC

2.9 Anlisis y diseo en ca

2.9.1 Procedimiento de anlisis 91

2.10 Amplificador emisor seguidor (colector comn)

3.1.1 Frmula de ganancia de impedancia

3.2 Resistencia de entrada en cortocircuito

3.3.2 Ganancia de tensin, Av 121

. 3.4 Alinealidades de los BJT 1~7

Resistencia de entrada, Reo 130

3.6. Parmetros para el amplificador BC

3.6.2 Gknancia de corriente, Ai 137

3.7 Aplicaciones de los amplflcadores con transistores

3.8 Acoplamiento de amplificadores 143

Acoplamiento directo 143

3.9 Divisor de fase 149

3.11.1 Rectificador controlado de silicio (SCR)

4.3 Operacin y construccin del JFET

4.3.1 Variacin de la tensin compuerta a fuente en' el FET

4.4 Operacin y construccin del MOSFET 178

4.5 Polarizacin de los FET 183

Seleccinde componentes 190

4.13 Otros dispositivos 206

5.1.1 Polarizacin por corriente 217

5.2 Efectos de los cambios de parmetros: Estabilidad de la

5.3 Ejemplos de variacin de parmetros

5.4.1 Compensacin por doble diodo

5.5 Reduccin de las variaciones en la temperatura

5.6 Diseo:para la estabilidad de la polarizacin

AMPLIFICADORES DE POTENCIA Y FUENTES DE

6.2 Circuitosamplificadoresde potencia.Operacin en clase A 253

6.3 Circuitosamplificadoresde potencia. Operacin en clase B 262

6.4 CircuitoDarlington 278

6.7 Reguladoresconmutados 291

Transistores y diodos 300

7.2 Amplificadoresde diferencia 303

Caractersticas de transferencia en cd 303

7.3 Fuentesde corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 313