DB 3, DB 4

Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)

Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)

Breakover voltage
Durchbruchsspannung

28 ... 45 V

Peak pulse current

Max. Triggerimpuls

2A

Glass case
Glasgehuse

DO-35
SOD-27

Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions / Mae in mm

0.13 g

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings

see page 16
siehe Seite 16

Grenzwerte

Power dissipation Verlustleistung

TA = 50 /C

Ptot

150 mW 1)

Peak pulse current (120 pulse repetition rate)

Max. Triggerstrom (120 Impulse)

tP # 10 :s

IPM

2 A 1)

Tj
TS

40+100/C
40+150/C

Operating junction temperature Sperrschichttemperatur

Storage temperature Lagerungstemperatur

Characteristics
Breakover voltage
Durchbruchspannung

Kennwerte
dV/dt = 10V/:s

DB 3
DB 4

VBO
VBO

28 ... 36 V
35 ... 45 V

Breakover current Durchbruchstrom

V = 98 % VBO

IBO

< 200 :A

Asymmetry of breakover voltage

Unsymmetrie der Durchbruchspannug

*V(BO)F - V(BO)R*

)VBO

< 3.8 V

Foldback voltage Spannungs-Rcksprung

)I = IBO to/auf IF = 10 mA

dV/dt = 10V/:s

)VF/R

>5V

Thermal resistance junction to ambient air

Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft

RthA

< 60 K/W 1)

) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
420
01.10.2002

DB 3, DB 4

Typical characteristic of a DIAC Typische DIAC-Kennlinie

Test circuit for a thyristor trigger Meschaltung fr Thyristor-Zndschaltung

01.10.2002

421

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Datasheets for electronic components.