Tema 5 parte II

La lnea microstrip
Transmisin por Soporte Fsico
4 de Ingeniera de Telecomunicacin
Profesor: Jos Luis Masa Campos (joseluis.masa@uam.es)
Grupo de Radiofrecuencia: Circuitos, Antenas y Sistemas (RFCAS)

Dpto. de Tecnologa Electrnica y de las

Comunicaciones
Escuela Politcnica Superior
Universidad Autnoma de Madrid

5.4. Estudio de la lnea microstrip

5.4.1 Constante dielctrica efectiva

5.4.2 Impedancia caracterstica
5.4.3 Campo en la lnea microstrip.
5.4.4 Prdidas en la lnea microstrip

TRSF(2010 2011)

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5.4 Estudio de la lnea microstrip

La existencia de dos conductores diferenciados permite establecer una
funcin potencial f
Como el dielctrico del sustrato er no envuelve completamente la
estructura no puede definirse un modo TEM puro
r contorno en conductores, se pueden anticipar
Aplicando condiciones de
las lneas de campo de Emstrip

r
Etan g

s .c

r
= 0 Emstrip

s .c

r
= En

s .c

r
Emstrip

r e 0 , m0
Emstrip

er
m0

z
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5.4 Estudio de la lnea microstrip

Dentro del dielctrico de er la velocidad de fase sera:
c0
vf =
, yh
er
Dentro del dielctrico de aire la velocidad de fase sera:

vf = c0 ,
Si

y>h

h << l Modo quasi_TEM

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5.4.1 Constante dielctrica efectiva

En estas condiciones se puede resolver la estructura como un problema
electroesttico
2f = 0
En este modo quasi_TEM la nueva velocidad de fase es:
c0
vf mstrip =
e refec
, tal que erefec = constante dielctrica efectiva 1 < e refec < e r
Es la constante dielctrica de un medio homogneo que envuelva
completamente a la lnea microstrip y que se comportara igual que la
combinacin de aire y dielctrico er

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5.4.1 Constante dielctrica efectiva

Aproximando las curva obtenidas por anlisis electromagntico, se
puede establecer el valor de e refec como:

e refec

2
-0.5
e + 1 e - 1
h
W W
r
r
+
1 + 12 + 0.041 - ;

1
2
W
h
2

h
=
- 0.5
W
e r + 1 e r -1
h

;
>1
1
12
+

2
2
W

, de tal manera que la constate de propagacin y la longitud de onda del

modo quasi_TEM de la lnea microstrip ser:

b mstrip

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2p
=
= k0 e refec
lmstrip

l mstrip =

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l0
e refec

5.4.2 Impedancia caracterstica

A partir del valor de e
se puede obtener la impedancia caracterstica de
refec
la microstrip

Z 0 mstrip

60
8h W
ln +

W
4
W
h
e

;
1
refec

h
=
120p
W

W
W
; h > 1
e refec + 1.393 + 0.667 ln + 1.444

Una vez fijado el espesor h y el tipo de sustrato mediante er hay una relacin
inversa entre anchura W e impedancia caracterstica Z0mstrip
Si - Z0mstrip W
Si Z0mstrip - W

Fijando h, er

Si - Z0mstrip - h
Si Z0mstrip h

Si - Z0mstrip er
Si Z0mstrip - er
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Fijando W, er

Fijando h, W

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5.4.2 Impedancia caracterstica

Para una Z0mstrip conocida, y fijado un sustrato a travs de su er se puede
determinar la relacin entre la anchura de la pista W y el espesor de sustrato h
(normalmente conocido) como:

8eA
W

;
2
W
e2 A - 2
h
=
h 2 B - 1 - ln (2 B - 1) + e r - 1 ln (B - 1) + 0.39 - 0.61 ; W > 2

h
p
2
e
e

r
r
, tal que

A=

Z 0 mstrip
60

e r +1 e r -1
0.11
0.23 +

+
2
e r +1
er
B=

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60p 2
Z 0 mstrip e r

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5.4.3 Campo en la lnea microstrip

Se realiza una aproximacin quasi_esttica introduciendo paredes metlicas
verticales y horizontal en altura y = Aproximacin a stripline

d >> W para no
perturbar las lneas de
campo

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5.4.3 Campo en la lnea microstrip

Ecuacin a resolver (problema esttico)

2
2
f ( x, y ) = 2 f ( x, y ) + 2 f ( x, y ) = 0
x
y
2
t

Condiciones de contorno

x = d 2

f(x , y ) = 0 ; y = 0
y=

Como existen dos dielctricos (er y e0), la solucin f(x,y) se definir en esas dos zonas
Se aplica distribuciones separables

f ( x, y ) = f ( x ) g ( y )
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5.4.3 Campo en la lnea microstrip

Solucin de la ecuacin del potencial f(x,y)

npx
npy
An cos d senh d

; 0 yh
n =1,impar
f ( x, y ) =
npy

; h y
p
n
x

d
Bn cos
e
n =1
d
,impar

Como el potencial f(x,y) debe tener continuidad igualamos ambos trminos en

y=h

npx
nph
npx An cos
senh
= Bn cos
e
d
d
d

nph
d

Despejamos Bn y sustituimos en f(x,y)

Renombraremos a An como E0n
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5.4.3 Campo en la lnea microstrip

Solucin final potencial f(x,y) en cualquier punto de la estructura
microstrip ser:

npx
npy
E0 n cos d senh d

n =1,impar
f ( x, y ) =
np ( y - h )

p
p
n
x
n
h

d
cos
E
senh

n =1,impar 0 n
d
d

; 0 yh
; h y

A partir de f(x,y) se obtiene el campo elctrico:

r r

E = Et = - tf ( x, y ) = - f (x, y )x + f (x, y ) y
x

x
- Ex

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- Ey

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5.4.3 Campo en la lnea microstrip

La aportacin ms importante del campo en la microstrip la
encontramos en su componente en y:

npy
np npx
cosh
cos
E

0n

d
d
d

n=1,impar
E y (x , y ) =
np( y - h )

np npx
nph
d

e
senh
cos
E

0
n

- f ( x, y )
d d
d
y
n=1,impar

; 0 yh
; h y

La componente Ex toma mayor importancia en los bordes de la lnea.

El no confinamiento de las lneas de campo E hace que haya acoplo de campo
en lneas adyacentes.

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5.4.4 Prdidas en la lnea microstrip

Prdidas en el dielctrico tan d 0

Prdidas en conductores s
Prdidas en el dielctrico
La constante de atenuacin en el dielctrico ad es la habitual de una lnea de
transmisin (modo TEM), ponderada por el factor de relleno (FR) que
contempla la presencia de los dos dielctricos (aire y er).
ad =

k0 e refec tan d
2

FR =

FR =

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k0e r (e refec - 1) tan d

2 e refec (e r - 1)

(Np m )

e r (e refec - 1)

e refec (e r - 1)

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5.4.4 Prdidas en la lnea microstrip

Prdidas en el dielctrico tan d 0

Prdidas en conductores s
Prdidas los conductores
De manera aproximada la constante de atenuacin por prdidas en los
conductores ac se calcula teniendo en cuenta la resistencia superficial del metal
Rs:
ac =

Rs =

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1
d s s

Rs
Z 0 mstrip W

ds =

(Np m)

1
= Profundidad de penetracin en el metal
pfm0s

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5.4.4 Prdidas en la lnea microstrip

Prdidas en el dielctrico
Fibra de vdrio reforzada con
tefln (PTFE)

Nombre

er

Tan d

RF-35

3.5

0.0025

RF-45

4.5

0.0037

RF-60A

6.15

0.0038

CER-10

10

0.0035

Prdidas en los conductores

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Cantidad de
PTFE

Cermicas rellenas con tiras de

tefln (PTFE)

Nombre

er

Tan d

TLY

2.17

0.0009

TLX

2.5

0.0018

TLE

2.95

0.0026

TLC

3.2

0.0030

Prdidas por Rs
Metal

Estao

9.17e6

Aluminio

3.53e7

Cobre

5.88e7

Plata

6.14e7

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