3ra Experiencia de Microondas

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

DEPARTAMENTOS ACADMICOS
2DA. EXPERIENCIA DE LABORATORIO DE MICROONDAS

Principio del modulador PIN
1.-Objetivos:
a.- Curvas del modulador PIN: frecuencia y periodo de modulacin.
b.- Hallar las frecuencias de corte y resonancia.
2.-Fundamentos del Diodo Pinn:
Antecedentes:
Funcin Deseada:
Varias aplicaciones en tecnologa de microondas requieren el uso de elementos conmutadores
y atenuadores, cuyas caractersticas (esto es, estados ON y OFF o valores de la atenuacin)
pueden ser afectadas por una seal elctrica de control. Tales componentes pueden ser
realizados con la ayuda de, por ejemplo, moduladores PIN, que son conmutadores
electrnicamente controlables, atenuadores, desfasadores y filtros conmutadores, todos
estos son ejemplos de componentes de microondas, los cuales utilizan diodos PIN.
Un atenuador, cuya atenuacin es afectada por la aplicacin de voltaje control, puede ser
usado como un modulador.
Si la modulacin de la onda cuadrada es llevada a la salida con un grado de modulacin del
100%, esto corresponde a una modulacin ON/OFF como lo especificamos en la
representacin de la parte superior de la figura 1.1.
Si adems, esta modulacin es insertada por componentes de 2 puertos insertados entre el
oscilador y el circuito restante, en el caso ideal, debe tener las siguientes caractersticas (ver la
parte inferior de la figura 1.1).
a) En el intervalo ON los 2 puertos deben de ser libres de reflexin y absorcin (Pabs=0), as
estas seales de microondas son totalmente transmitidas.
b) Para el intervalo OFF se tienen 2 posibilidades fundamentalmente diferentes: para que la
seal de microondas transmitida sea cero, o la seal incidente puede ser reflejado
completamente (2 puertos sin perdida) o completamente absorbida (2 puertos disipativos). El
primer caso ha sido considerado por el modulador y usado en el sistema de entrenamiento.
En la siguiente seccin se tratar con la teora del diodo PIN usado en la construccin del
modulador, solo para dar un alcance, esto es explcitamente necesario para la comprensin del
experimento. Basado en esta informacin la interaccin del diodo PIN y el circuito de RF es
explicado despus de la seccin siguiente con un diagrama del circuito equivalente del
modulador utilizado.
Diodo PIN
Si se aplica una seal de RF a un diodo PIN o Schottky que ha sido polarizado directamente con
la ayuda de un voltaje D.C. Uo, entonces este diodo acta como una resistencia hmica en el
circuito AC. Como este valor depende de Uo, obtenemos por tanto una resistencia en AC
controlable va Uo. Sin embargo, esta resistencia es slo lineal, es decir, independiente de la
Ing. Vctor Crdova B.
1/18


amplitud del voltaje AC, siempre que el rango de la caracterstica modulada por el voltaje AC
pueda aproximarse por una lnea recta (condicin de "pequea seal"). En el caso de
amplitudes de voltaje AC ms grandes, la resistencia es no lineal, lo que lleva a la distorsin de
las seales (multiplicacin de frecuencias, etc.). Se utiliza el diodo PIN descrito a continuacin
para evitar esta no-linealidad indeseada de la resistencia en AC que ocurre en muchas
aplicaciones con grandes amplitudes. La Figura 1.2 muestra la seccin transversal de un diodo
PIN en representacin esquemtica en la parte superior y en la parte inferior de la figura, la
distribucin espacial de la concentracin de portadores de carga (sin polarizacin). Para el
comportamiento en radiofrecuencia es esencial la capa I intrnseca ubicada entre las capas P y
N altamente dopadas. Si se aplica un voltaje DC al diodo en directa (polo positivo a la capa P),
se inyectan en la capa I prcticamente tantos electrones provenientes de la capa N como
huecos desde la capa P. Si la carga debida a los portadores de carga positiva (huecos) suman Q,
luego los portadores de carga negativa suman -Q, y, por tanto, la capa I est libre de carga
espacial. Los portadores de carga positiva y negativa se recombinan unos con otros. Si el
tiempo de vida medio se denota por , luego los portadores de carga Q = Q t/ se
recombinan durante el intervalo de tiempo t. En el caso estacionario (es decir, Q
independiente del tiempo), esta reduccin de Q debe ser compensada con una inyeccin de
portadores de carga de las capas P y N. Esto significa que debe fluir una corriente:
Io = Q/ t = Q/
y por tanto la cantidad de carga es:
Q = Io .............................. .....................(1)
De la ecuacin (1) llegamos a la importante conclusin de que los portadores de carga
contenidos en la capa I pueden controlarse con la corriente Io. Esto tambin es verdad cuando
la corriente del diodo est compuesta de una corriente DC y una corriente AC superpuesta (de
frecuencia angular ) con una "frecuencia relativamente baja":
i(t) = Io + cos( t).......................................(2)
Aqu, la dependencia del tiempo de Q "sigue" a la dependencia del tiempo de i, de modo que
un cambio en el nmero de portadores de carga inyectados por unidad de tiempo se
compensa con un nmero cambiado de portadores de carga recombinados por unidad de
tiempo:
Q i(t) = (Io + cos( t))
para
<<1
Si se aumenta , este proceso de compensacin (constante de tiempo ) ya no puede seguir a
los rpidos cambios de tiempo de la corriente. Si el periodo T = 2 / del voltaje AC es
considerablemente ms pequeo que el tiempo de vida , entonces Q es determinado slo por
Io.
Q Io........... (3)
para T << , es decir,
>> 1
Este resultado es la clave para entender el comportamiento en radiofrecuencia del diodo PIN:
la carga Q de los portadores de carga mviles en la capa I es controlada slo por la corriente de
polarizacin Io (corriente DC o corriente AC de baja frecuencia) y no por la seal de RF ( >>
1) superpuesta. Esto se aplica incluso si la amplitud de la corriente AC es mucho ms grande
que Io.
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Las consideraciones anteriores se pueden hacer ms precisas, si las relaciones se describen
matemticamente como sigue: el cambio dQ de la carga resulta de la diferencia entre la
cantidad inyectada de carga idt y la cantidad recombinada de carga Qdt/ como:
dQ = idt - Qdt/
De aqu obtenemos la ecuacin diferencial para Q(t) con i(t) como el "parmetro de control":
dQ/dt + (1/ ) Q = i(t).................................(4)
Si uno sustituye la superposicin de una componente DC y una AC como se especifica en la
ecuacin (2) para i(t), entonces se obtiene lo siguiente como solucin estacionaria a esta
ecuacin diferencial:
Q(t) = [Io + (1/ (1 + ( )2))1/2 cos( + )]
con una fase , que no es de inters aqu.
Se observa que el efecto sobre Q(t) de la corriente AC, tal como lo describe el segundo trmino
puede despreciarse, incluso para > Io, siempre que
>> 1.
La corriente AC que fluye a travs de la capa I consiste de electrones y huecos, con lo cual la
conductividad elctrica est dada por el producto de la densidad de carga (Q por unidad de
volumen) de los portadores de carga libres y sus movilidades (aproximadamente n = p = ):
=(
) Q/V 2 (Q/V)
Si insertamos Q de acuerdo a la ecuacin (3) y V como el producto del rea A de la seccin

transversal y el espesor de la capa (vea Fig. 1.2), obtenemos:
= 2 ( Io/Aw)
y por tanto la resistencia en radiofrecuencia es:
R = w/ A = w2/(2
Io)...............................(5)
Por tanto, el diodo PIN brinda la corriente AC con una resistencia de radiofrecuencia R, cuyo
valor es inversamente proporcional a la corriente de polarizacin Io (modulacin de la
conductividad) y, de acuerdo a las consideraciones anteriores, esta resistencia se mantiene
lineal incluso para grandes amplitudes AC (siempre que no aparezcan fenmenos de ruptura o
alcances de efectos trmicos).
Si se aplica un voltaje de polarizacin inversa al diodo PIN, es decir, Uo 0, se forma una capa
desrtica en la juntura PI, que cubre una porcin de la capa I. La porcin restante forma una
zona autoconductora. Como tal, el comportamiento en radiofrecuencia se describe por la
conexin en serie de un capacitor sin prdidas (capa desrtica) y un capacitor con prdidas
(zona autoconductora). Ambos capacitores pueden combinarse para altas frecuencias, por lo
que se aplica aproximadamente lo siguiente:
C
A/w
( = constante dielctrica)
3/18


Las prdidas (representadas por un resistor en serie o en paralelo) disminuyen cuando hay un
aumento en el voltaje de polarizacin negativo, debido a que la capa desrtica se expande y
cubre finalmente la zona I completa.
Si se incluyen las resistencias del sustrato en las capas P y N vecinas, entonces el
comportamiento en RF del diodo PIN para voltajes de polarizacin positivos y negativos puede
ser representado por un circuito RC en paralelo o en serie, tal como se muestra en la Fig. 1.3.
La reactancia capacitiva en directa puede despreciarse para una corriente de polarizacin Io
suficientemente grande (varios mA), de modo que el diodo PIN se comporta como una
resistencia hmica con R ~ 1/Io. Para Uo < 0 as como para el caso de Uo = 0, se comporta
como un capacitor constante C con prdidas.
En la fig. 1.4 se bosqueja con ms claridad la respuesta en radiofrecuencia descrita, utilizando
diagramas de caractersticas DC y AC. Aqu se muestra como la curva de voltaje u(t)
correspondiente a una seal AC ( >> 1) con amplitud predeterminada es afectada por el
valor de la corriente de polarizacin Io (I> 0: lneas continuas, I= 0: lneas punteadas). La
caracterstica D.C. de u(t) slo se aplica para la relacin de la corriente de polarizacin Io con el
voltaje de polarizacin Uo. Se debe recordar que, a pesar de la gran amplitud de la corriente
AC, no hay distorsin (impedancia lineal) y que el diodo PIN se comporta como un "pequeo"
resistor hmico para Io > 0, pero como una "gran" reactancia capacitiva para Io = 0. Los valores
numricos especificados para la corriente y el voltaje son los tpicos para un diodo PIN
diseado para niveles pequeos de potencia.
En la siguiente seccin se demostrar cmo un modulador con las caractersticas descritas
anteriormente puede ser realizado conmutando entre estos dos estados.
Circuito de radiofrecuencia de un modulador PIN:
El modulador PIN se realiza con tecnologa de guas de onda. Esto se puede realizar en una
forma sencilla instalando una impedancia en paralelo, electrnicamente conmutable, en la
lnea de transmisin. La magnitud de esta impedancia en paralelo debe ser muy pequea en el
intervalo "OFF" de modo que la lnea est prcticamente en cortocircuito (reflexin de la seal
de microondas), y muy grande en el intervalo "ON", de modo que la reflexin y la absorcin
sean tan despreciables como sea posible.
El diodo PIN puede ser acoplado a la gua de onda mediante un poste metlico (vea el lado
izquierdo de la Fig. 1.5). El centro de la fig. 1.5 muestra el circuito equivalente para esta
estructura. Los recuadros punteados simbolizan la seccin de la lnea (impedancia de onda
caracterstica Zo). El poste metlico acta como una inductancia (reactancia X L) colocada en
serie con el diodo PIN. Cuando el diodo se polariza en inversa (Uo 0) se representa por la
conexin en serie de un capacitor con una resistencia hmica pequea, la cual, en conjunto
con el poste metlico, produce un circuito resonante (Fig. 1.5, centro superior). Si las
dimensiones del poste son tales que el circuito resonante serie se encuentra en resonancia a la
frecuencia de operacin, luego, a esta frecuencia resulta una "pequea" impedancia en
paralelo. Esto se aproxima al cortocircuito deseado debido a que RS << Zo (vea Fig. 1.5,
superior derecha). En consecuencia se realiza la funcin en el intervalo "OFF".
4/18


Si se aplica al diodo una polarizacin positiva suficientemente grande, ste acta como un
pequeo resistor R << Zo y R << XL. La conexin en serie de XL y R puede ser transformada (para
la frecuencia de operacin) en un circuito en paralelo (Fig. 1.5 inferior derecha), con lo cual es
vlida la aproximacin X'L XL debido a que XL >> R. Debido al hecho de que la impedancia en
paralelo debe ser mucho ms grande que Zo para el intervalo "ON", XL debera ser mucho
mayor que Zo. Pero, como ste no es el caso, an debe modificarse el circuito. Esto se
consigue conectando una capacitancia en paralelo, la cual se puede realizar en tecnologa para
frecuencias altas, utilizando un disco metlico mostrado en la Fig. 1.6. La capacitancia en
paralelo puede elegirse de tal forma que junto con la inductancia forme un circuito resonante
paralelo a la frecuencia de operacin (Fig. 1.6 centro inferior). Finalmente, el alto valor de la
resistencia lateral, sigue siendo tal que R' >> Zo, lo cual es una excelente condicin para el
estado "ON" (baja reflexin y absorcin). El hecho de que la capacitancia se encuentre ahora
en paralelo con la resistencia hmica en el estado "OFF" (Fig. 1.6 superior derecha) no tiene
efecto en la funcin, debido a que X >> RS.
Figura 1.1. La funcin deseada del modulador PIN.
5/18

Fig. 1.2. Representacin esquemtica de la seccin de corte del diodo PIN y la distribucin de
concentracin del portador de carga (sin polarizar).
(1) Capa de conduccin p con gran concentracin de carga portadora.
(2) Capa de conduccin n con gran concentracin de carga portadora.
(3) Capa de conduccin intrnseca con ancho W y con rea A de seccin de corte.
Fig. 1.3. Diagrama de circuito equivalente en paralelo y serie para la respuesta en alta
frecuencia del diodo PIN como una funcin (positiva) de la corriente de polarizacin Io y
(negativo) del voltaje de polarizacin Vo.
6/18

Fig. 1.4. Comportamiento controlado DC y AC del diodo PIN.
Fig. 1.5. Gua de onda rectangular con un diodo PIN acoplado va un poste metlico.
Izquierda: Diseo de la estructura (sin fuente de alimentacin LF)
(1) Diodo PIN con cubierta coaxial.
(2) Poste metlico con dos partes.
Centro: Diagrama de circuito equivalente RF para Uo 0 (arriba) y Uo > 0 (abajo).
(3) Diagrama de circuito equivalente para el diodo PIN.
(4) Inductancia equivalente para poste metlico.
(5) Diagrama del circuito equivalente para la gua de onda
7/18


Derecha: Circuito equivalente para XL=XS=X (resonancia en serie).
Fig. 1.6. Estructura de acuerdo con la figura 1.4 con capacidad adicional de disco de metal
Izquierda: Diseo de la estructura (sin fuente de alimentacin LF)
(6) de disco capacitivo.
Centro:
Circuito equivalente RF para Uo 0 (arriba) and Uo>0 (abajo)
(7) impedancia suplente (capacitancia) para disco capacitivo:
Reactancia = Xc.
Derecho: Circuito equivalente RF con Xc=XL=X (resonancia paralela).
8/18

Fig 1.7. Montaje experimental. Configuracin del oscilador Gunn con placa de corto circuito en
el lado izquierdo (cerca del elemento Gunn) y diafragma con hueco en el lado derecho.
3.- Procedimiento experimental:
1. Armar el arreglo experimental segn lo especificado en la fig. 1.7 inicialmente sin
modulador PIN.
2. Hacer las mediciones sin el modulador PIN.
2.1 Conmutar en la unidad bsica. Voltaje de alimentacin del diodo Gunn U G
8V .
2.2 Mediciones del voltaje del diodo detector U D , o usando el osciloscopio.

3. Mediciones de la curva de voltaje con respecto al tiempo del voltaje del diodo detector
con el modulador PIN instalado.
3.1 Instalar el modulador PIN como esta especificado en la fig1.7.
3.2 Conectar el modulador PIN a su fuente de polarizacin y conectar el osciloscopio para la
medicin de la curva de voltaje de modulacin U PIN (t ) con respecto al tiempo.
3.3 Observar en el osciloscopio la curva de Upin(t) como una funcin de la posicin de la perilla
de control (20) respecto al modulador PIN. Comparacin con la Fig. 1.8 (superior).
Nota: Si el voltaje Upin(t) no disminuye a cero durante el medio perodo, el tornillo de ajuste
del modulador PIN debe ser dado vuelta hasta que ocurra esto.
9/18


3.4 Observar el voltaje del diodo detector en la curva UD(t) con respecto al tiempo en el
osciloscopio. Leyendo el valor del on como una funcin de pin e ingresando los valores
en la tabla 1.1. Ver la figura 1.8 para la definicin de estos parmetros.
Nota: Cuando un osciloscopio de canal doble est disponible, las curvas de Upin(t) y de UD(t)
con respecto a tiempo pueden ser observadas simultneamente. Si solo un canal
simple del osciloscopio est disponible, las seales pueden ser observadas uno a la vez
alternando la conexin de las lneas al osciloscopio. Aqu es importante considerar que
la conexin del modulador PIN no se puede mover para la medida de Upin(t).
4. Registrar las componentes de voltaje AC (1Khz) de las seales del diodo detector con el
voltmetro selectivo de frecuencia (Equipo de medicin).
4.1. Ahora la seal de salida del diodo detector se mide con el voltmetro selectivo de la
frecuencia (vase la conexin en lnea punteada en la figura 1.7) en vez de usar el
osciloscopio (parte 3 de los experimentos).
4.2 Fije el voltaje del modulador al valor mximo (pin=0.9V).Para esto la pantalla del
voltmetro selectivo de frecuencia est calibrada a 0 dB. Despus reduzca el pin en
pasos de 0.1V y registre los valores de la pantalla del voltmetro selectivo de la frecuencia
en funcin de pin. Incorpore los valores en la tabla 1.2.
Nota: El valor en la pantalla (en dB) corresponde a la cantidad 10log(n/ no), por lo cual n
es la amplitud de los componentes AC de voltaje a 1KHz de la seal del diodo detector
(vase la figura inferior 1.8). El no es el valor que corresponde a pin = 0.9V.
5.
Medir las caractersticas del diodo Gunn.

Repetir el paso 1 y alimentar el Oscilador Gunn con voltajes de paso de 0,5 voltios.
Comenzar a realizar las mediciones desde 0 voltios DC hasta 10 voltios DC. Para cada
variacin de voltaje medir la corriente en el equipo voltmetro selectivo de frecuencia.
6.
Caractersticas de la Gua de Onda

Medir las dimensiones a y b (internas y externas) de la gua de onda.
7.
Caractersticas de la Cavidad Gunn.

Medir las dimensiones a, b y d (internas) de la cavidad del oscilador Gunn.
10/18

Fig. 1.8. Diversas curvas de seales con respecto al tiempo y definiciones de los
correspondientes parmetros de la seal.
Arriba: Caracterstica del voltaje de modulacin Upin(t) en la entrada del modulador PIN.
Centro: Caracterstica del voltaje del diodo detector UD(t).Por comparacin la caracterstica de
UD=UDo tiene que ser dibujado para el caso del modulador PIN removido.
Abajo: Componentes del voltaje AC (1 KHz) UD(t) de la curva del voltaje del
UD(t) con respecto al tiempo.
diodo detector
11/18


Tabla 1.1
Parmetros para las caractersticas del voltaje del diodo detector y su dependencia en la
modulacin de voltaje (ver fig. 1.8).
Voltaje del diodo u D en [V]
Modulador-PIN removido
Con modulador-PIN
u D0 =
u off
U PIN
0.9V
u ON
U PIN
0.8V
u ON
U PIN
0.7V
u ON
U PIN
0.6V
u ON
U PIN
0.5V
u ON
U PIN
0.4V
u ON
U PIN
0.3V
u ON
U PIN
0.2V
u ON
U PIN
0.1V
u ON
12/18

Tabla 1.2. Dependencia de las componentes de voltaje AC de 1kHz u N de la seal del

diodo detector sobre el voltaje de modulacin.
(Con referencia a la amplitud u N , 0 para uPIN 0.9V )
u PIN en [V]

10 log(u N u N , 0 ) en [dB]
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
13/18

14/18


4.- Preguntas:
1.
Bajo la asuncin de caracterstica de ley cuadrtica del diodo detector determine la

potencia PON en el estado "ON" del modulador PIN que se transmite a travs del
modulador PIN y la potencia POFF transmitido en el estado "OFF" y comparar cada valor
con la potencia relativa Po transmitida cuando se quita el modulador PIN.
Base sus clculos en el voltaje de modulacin ms alto (pin=0.9V).
Nota:
PON/Po = ON/UDO and POFF/Po = OFF/UDO.
2.
De acuerdo con los resultados de la pregunta 1 discuta la conveniencia del uso del
modulador PIN como un "interruptor de microonda electrnicamente controlado".
3.
Determine la diferencia de voltaje ON-OFF en funcin del voltaje de modulacin pin y

dibuje esta funcin en el diagrama 1.1
4.
Dibuje la curva del valor mostrado en el voltmetro selectivo de frecuencia (tabla 1.2) en
funcin de pin en el diagrama 1.2.
5.
Discuta la relacin cualitativa entre y ON-OFF.
6.
Graficar los valores corriente versus tensin del oscilador Gunn.
15/18


5.- Apndice para el experimento 1
Comentarios sobre el uso del modulador PIN en los experimentos siguientes:
Los siguientes experimentos se realizan utilizando el modulador PIN y el voltmetro selector de
fase. Estas mediciones pueden, bajo ciertas circunstancias, ser distorsionadas por valores
negativos en el equipo medidor.
Estos valores negativos pueden ocurrir, en principio, si la seal de microondas ha de ser
determinada en un punto en el circuito de medicin en el que esta seal sea mas pequea en
algunos rdenes de magnitud que la seal entregada al circuito de medicin por el oscilador
Gunn. Esta situacin ocurre, por ejemplo, si la lnea ranurada termina con una carga con un
coeficiente de reflexin de magnitud cercana a uno y la seal debe ser medida en el mnimo
del patrn de onda estacionaria o si debe ser medida la seal en el puerto de un acoplador
direccional el cual idealmente, debera estar completamente desacoplado.
En lo que sigue se explica brevemente el origen de tales "valores negativos" y se mencionan
algunos medios para evitar estos valores:
1. La seal disponible en el puerto de salida del oscilador de Gunn contiene, adems de los
componentes deseados en la frecuencia fundamental (aqu cerca a 9.5 GHz), armnicos
superiores. Las amplitudes de estos armnicos superiores son ms bajas por algunas
rdenes de la magnitud de amplitud de la frecuencia fundamental. El cociente de las
amplitudes de armnicos ms altos con la frecuencia fundamental depende del voltaje de
polarizacin Ug del elemento de Gunn.
2. Las diversas componentes de frecuencia de la seal se transfieren diferentemente desde el
puerto de salida del oscilador Gunn a un punto de medicin arbitrario de acuerdo a la
funcin de transferencia dependiente de la frecuencia. Si la funcin de transferencia es
"cercana" a cero para la frecuencia fundamental (por ejemplo punto mnimo en la lnea
ranurada terminada por la placa de cortocircuito), ella no es cercana a cero para los
armnicos superiores. Esto es porque los armnicos superiores pueden ser dominantes en
estos puntos de medicin y por tanto serlo tambin en la seal del detector. Esta situacin
se ilustra en la Fig. 1.9.
3. El voltmetro selectivo de fase indica la diferencia de los valores del detector de seales
para el estado "OFF" y "ON" del modulador PIN. Las propiedades del modulador PIN como
"se observa" de los armnicos superiores son diferentes de las propiedades de la
componente de la frecuencia fundamental. Para el estado "off" la amplitud de los
armnicos superiores pueden exceder la amplitud del estado "on". Esto puede ocurrir
especialmente cuando el modulador PIN est conectado con una carga que refleja
altamente y que conduce a resonancias en la seccin de lnea de transmisin entre
modulador PIN y la carga.
4. Si la seal del diodo detector es ms alta en el estado "OFF" que en el estado "ON", hay un
defasaje de 180 grados entre la seal usada para controlar el modulador PIN y la seal del diodo
detector. Esto lleva a mostrar valores negativos en el voltmetro sensor de fase.
16/18


Medidas para evitar valores negativos en el visualizador:
Los valores negativos no siempre pueden ser evitados si se selecciona un rango de medicin de
50 dB en el voltmetro selectivo. Pero para el rango de 45dB (y menos) las medidas siguientes
pueden servir para evitar este efecto perturbador:
(A) Cambiando el voltaje de polarizacin del elemento Gunn en un rango aproximado de 7
a 9. Esto altera las amplitudes de los armnicos superiores. Observe que una
desintonizacin del voltaje de polarizacin requiere que todas las medidas de la
calibracin estn repetidas con el nuevo voltaje de polarizacin.
(B) Evitar resonancias en la seccin entre el modulador PIN y el reflejo de la carga
insertando el aislador en esta seccin e insertando el atenuador ajustable entre el
oscilador Gunn y el modulador PIN. Esta modificacin posible en las configuraciones
de la medicin se ilustra en la figura. 1.10.
Fig. 1.9. Influencia de armnicos superiores en las mediciones resultantes:

(1) Espectro de la seal en la salida del oscilador Gunn.
(2) Espectro en el punto de medicin.
17/18

Fig. 1.10. Alternativas para la realizacin del oscilador de microondas de pulso formado y
amplitud modulada.
Izquierdo:
Derecho:
Configuracin propuesta en el texto para los experimentos E2 a E12.

Realizacin alternativa (Ver tambin modificacin para el procedimiento del
experimento)
(1)
(2)
(3)
(4)
Oscilador Gunn
PIN-modulator
Aislador
Atenuador ajustable (= 5dB)
6.- Bibliografa:
E.A. Wolf, R Kaul: Microwave and system application, Wiley & Sons, New york,
1988
R.V. Garver: Microwave Diode Control Devices Artech House, Deadham (MA) 1976
M.E. Hines: Fundamental Limitations in RF-Switching and Phase-Shifting Using Semiconductor
Diodes Prac.IEEE 52, 697-708 (1946)
G.Hiller: Design with PIN-Diodes, RF design, March/April and May/June 1979
M. Caulton et al: IN-Diodes for low frequency-High Power Switching Application IEEE Trans.
Microwave Theory tech. MTT-30, 875 (1982)
18/18

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

2DA. EXPERIENCIA DE LABORATORIO DE MICROONDAS

Ing. Vctor Crdova B.

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Si insertamos Q de acuerdo a la ecuacin (3) y V como el producto del rea A de la seccin

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Figura 1.1. La funcin deseada del modulador PIN.

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Fig. 1.4. Comportamiento controlado DC y AC del diodo PIN.

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2.2 Mediciones del voltaje del diodo detector U D , o usando el osciloscopio.

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Medir las caractersticas del diodo Gunn.

Caractersticas de la Gua de Onda

Caractersticas de la Cavidad Gunn.

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Voltaje del diodo u D en [V]

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Tabla 1.2. Dependencia de las componentes de voltaje AC de 1kHz u N de la seal del

(Con referencia a la amplitud u N , 0 para uPIN 0.9V )

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Bajo la asuncin de caracterstica de ley cuadrtica del diodo detector determine la

Determine la diferencia de voltaje ON-OFF en funcin del voltaje de modulacin pin y

Discuta la relacin cualitativa entre y ON-OFF.

Graficar los valores corriente versus tensin del oscilador Gunn.

Ing. Vctor Crdova B.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

2DA. EXPERIENCIA DE LABORATORIO DE MICROONDAS

Ing. Vctor Crdova B.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA