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Vamos a explicar la grfica obtenida, las grficas dibujadas son los distintos valores que
obtenemos de , cada una de ests graficas corresponden a un valor de , que
toma valores entre 0 Vdc y -1.4 Vdc con un incremento de 200mV tal y como se explico
anteriormente. La variacin que obtenemos en el eje X corresponde al barrido en
continua realizado por .
Cuando =0, en el momento que se aplica un voltaje , los electrones son atrados
al terminal de drenaje, se establece una corriente convencional . El flujo de carga se
encuentra relativamente sin inhibicin y limitado nicamente por la resistencia del
canal-n entre el drenaje y la fuente. Esta resistencia antes de que llegue al voltaje
de estrechamiento, , unos 1.4 V para este tipo de transistor, se mantiene constante.
A partir de este instante obtenemos , corriente de drenaje mximo de un JFET que
est definida mediante las condiciones =0 y >| |. Est corriente para este tipo
de FET es de unos 18.5mA. Esto corresponde con la primera grfica de mayor valor de
de color rosa.
El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por , es el voltaje de control del
JFET. Cuando tenemos una tensin negativa de mayor que , obtenemos regiones
de agotamiento similares a las obtenidas con =0, a un nivel menor de , como
podemos observar en la Figura 5. El nivel de saturacin resultante para se va
reduciendo a medida que se hace ms y ms negativo. El nivel de saturacin lo
alcanzamos cuando se mantiene constante. Cuando = , es lo
suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturacin de 0mA.