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Sach Nr.

DATENBLATT / Specification
K-Nr.:

22279

K-no.:

T60404-N4644-X400

Item no.:

V AC U UM SC H M ELZE

Datum:

30 A - Stromsensor Modul / Current Sensor Module

27.10.2009

Date:

Kunde:

Kd. Sach Nr.:

Seite

Customer

Customers part no.:

Page

von

of

Mabild siehe Blatt 2 :


Mechanical outlines page 2

Anschluschema:
Schematic diagram
i1

10 + UB

5...8

9 ia

+
Ra

Ca
1...4
11 - UB
M

Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):


Operational data/characteristic data (nominal values):

Nennstrom

i1Neff

3...31

iaNeff

1,5...15,5

mA

KN

1...4 : 2000

I1max

92

IBo

<

18

mA

UB

15

V 5%

UBtot

18

Ri

<

220

Ra

20...250

TU

-40...+85

70
40
92
20

85
31
92
20

C
A
A

Rated current

Nennausgangsstrom
Output current

Nennbersetzungsverhltnis
Transformation ratio

berstrom

(Ra <20 ))

Over current (Ra < 20 )

Versorgungsstrom im Leerlauf
supply current

Versorgungsspannung
Supply voltage

Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.)


Maximum supply voltage (without function)

Innenwiderstand
Interal resistance

Abschluwiderstandsbereich
Load resistance

Umgebungstemperatur
Ambient temperature

Maximum Ratings:
Maximum Ambient Temperature:
Maximum RMS-Current:
Maximum Peak-Current:
Output Resistor
(all primary current bars in parallel)

Housing and bobbin material UL-listed

Applicable documents:

Hrsg.:
editor

Name
Le
Bd.

KB-E

60
50
92
20

Gehuse- und Spulenkrperwerkstoff UL-gelistet.

Weitere Vorschriften:
Datum
27.10.09
30.08.04

50
54
92
20

Index
81
81

nderung
Anschlufeld Seite 2: Stiftabmessung fr Stifte 9-11 von 0,5x1,0 korrigiert in 0,7x0,6mm. Schreibfehler.
Umgebungstemperatur: Unterer Grenzwert von -10 auf -40 korrigiert. Lapidarnderung.

Bearb:

Ma.

KB-E B: Le

KB-PM B: Ga.

designer
check
check
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Schadenersatz. Alle Rechte fr den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten

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DATENBLATT / Specification
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22279

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V AC U UM SC H M ELZE

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30 A - Stromsensor Modul / Current Sensor Module

27.10.2009

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Kd. Sach Nr.:

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Mabild (mm):

Freimatoleranz DIN ISO 2768-c

Anschlsse:

Mechanical outline

General tolerances

Connections:

2,77

2x2,54
1

9 10 11

7,0

1,95

3,85

14,5

1...8: 1 mm
9...11: 0,7x0,6 mm

Toleranz der Stiftabstnde


0,3mm
(Tolerances grid distance)

of

11,4
8

4,5

2,54
7,62

18,0

Beschriftung:

33

marking

4644X400
F
DC
25,2

DC

0,5
3,5

3,50,5
0,7x0,6

1,0

DC=Date Code
F=Factory

Prfung: (V: 100%-Test; AQL...: DIN ISO 2859-Teil1)


Inspection

1)

(V)

Ausgangsstrom (Ra =100 )

ia (20 A)

10

mA 0,5 %

IO

0,05

mA

Up,eff

kV,

Output current (Ra = 100 )

2)

(V)

Offsetstrom
Offset current

3)

(V)

M3014*:

1s

*Die Spannungsfestigkeit gilt am separaten Bauelement zwischen den Stiften 1...8 und den Stiften 9...11.
The dielectric strength is valid between pin 1...8 and pin 9...11.

Messungen nach Temperaturangleich der Prflinge an Raumtemperatur


Measurements after temperature balance of the samples at room temperature
Hrsg.:
editor

KB-E

Bearb:

Ma.

KB-E B: Le

KB-PM B: Ga.

designer
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Connections variants N4644-X400


N,1

i 1,RMS

i a,RMSf

Wdg.

mA

40

20

10

92

46

23

20

20

20

KN

Ra

F ges
F ges
Beschaltung
(i 1RMS) (i 1RMS/2) connection
%
%

Ohm

1 : 2000

2 : 2000

4 : 2000

20

20

8
1

5
4

8
1

5
4

1,5

20

1,5

1,5

Maximal mebarer Strom 1 (Ra)


Maximum measurable current 1(Ra)
1
100,0
A 90,0

80,0

70,0

60,0

50,0

40,0
0,0

Hrsg.:
editor

KB-E

20,0

Bearb:

40,0

Ma.

60,0

80,0

KB-E B: Le

100,0

120,0

KB-PM B: Ga.

designer
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check
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140,0

160,0

180,0

200,0 220,0
Ohm

240,0
Ra

freig.: HS.
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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprfung


General data ascertained by type test

Megenauigkeit bei Raumtemperatur

Fi

<

0,5

FLi

<

0,1

FTi

<

0,1

DC...100 kHz

<

Verzgerungszeit bei 1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/s t (1max, 100 A/s) <

Measuring accuracy at room temperatur

Linearitt
Linearity

Temperaturdrift von Fi (-40...+70C)


Temperature drift of Fi (-40...+70C)

Frequenzbereich (bei eingeschrnkter Amplitude)


Frequency range (with limited amplitude)

Ansprechzeit
Response time

Delay time at 1max with a current rise of di/dt = 100 A/s

Offsetstrom (beinhaltend Io, Iot, IoT)

Ioges

<

0,1

mA

Offsetstrom bei Raumtemperatur

Io

<

0,05

mA

Iot

<

0,05

mA

IoT

<

0,05

mA

IoH

<

0,05

mA

ioss

<

mA

Io/UB

<

0,01

mA/V

Ck

<

pF

TL

-40 ... +70C

<

15

Offset current (including Io, Iot, IoT)


Offset current at room temperature

Drift von Io
Offset current drift

Temperaturdrift von Io (-40...+70C)


Offset current temperature drift (-40...+70C)

Hysterese von Io
Hysteresis of Io

Offsetripple (s.Blatt 5)
Offset ripple (s. page 5)

Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io
Supply voltage rejection ratio

Maximal mgliche Koppelkapazitt primr - sekundr


(bei nichtisoliertem das Innenloch voll ausfllendem Primrleiter)

Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)


(with not isolated the the hole completely filling primary conductor

Lagertemperaturbereich
Storage temperature range

Masse

Masse

Spannungsfestigkeit (gltig nach EN 50178 VDE0160, fr Isolierklasse I,


Verschmutzungsgrad 2 und verstrkte Isolierung)
Dielectric strength (with EN 50178 VDE0160: material group I, pollution degree 2, reinforced insolution)

Anwendungsklasse nach EN 60721 5K3


(Applicability tested by IEC 68-2-30: test Db)

Stromrichtung: Ein positiver Mestrom erscheint am Anschlu ia, wenn der Primrstrom in Pfeilrichtung fliet.
Current direction: A positiv output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.

Hrsg.:
editor

KB-E

Bearb:

Ma.

KB-E B: Le

KB-PM B: Ga.

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Weitere Vorschriften:
Applicable documents:

Konstruiert, gefertigt und geprft nach VDE0160 EN 50178 und erfllt die Vorschriften.
Parameter:
Verstrkte Isolierung: Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11
Verschmutzungsgrad 2
Bemessungsisolationsspannung UDC = 1 kV
Isolierstoffklasse 1
Constructed, manufactured and tested in accordance with VDE0160 EN 50178 and agrees with the standards.
Parameters:
Reinforced insulation Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11
Pollution degree 2
Rated insulation voltage UDC = 1 kV
Insulation material group 1

Gehuse, Spulenkrperwerkstoff und Gieharz

UL gelistet

Housing, bobbin material and casting resin

UL-listed.

Typprfung:
Type test

1)

Stospannungsprfung in Anlehnung an M3064


HV transient test according to M3064

Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11


Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11

Einstellwerte:

1,2 s / 50 s-Kurvenform
UP,max =
9 kV
Ri
=
60

Settings

(waveform)

10 Impulse im Abstand t = 10 Sekunden mit wechselnder Polaritt


10 pulses in a cycle of t = 10 seconds with changing polarity

2)

M3024:

Up,eff

4 kV,

60 s,

Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11


Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11

UTA,eff

Hrsg.:
editor

KB-E

Bearb:

Ma.

750 V

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Mgliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpa:


Avariable offset ripple reduction means of a low pass:

Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpa verringert werden . Dazu mu parallel zu Ra eine Kapazitt Ca geschaltet
werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazitt
(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlngert. Sie berechnet sich nach der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the
remaining value
.
of the offset ripple (ioss(Ra Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is lengthened. It is calculated
from:

1
a + 2,5 Ra Ca
.

bzw. fg = -------------------2 . Ra . Ca

ioss (Ra . Ca)

Beispiel:

-------------------- = 10%

Example:

ioss
Ra = 100 ;

Ca = 27 nF

a 6,8 s;

fg = 17 kHz

100.0

Ioss(Ra*Ca)
Ioss

10.0

[%]

1.0
0.1

10

100

Ra*Ca
[us]

Hrsg.:
editor

KB-E

Bearb:

Ma.

KB-E B: Le

KB-PM B: Ga.

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Erluterung einiger in den Tabellen verwendeter Gren (alphabetisch)


Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)

aKrit:
Abstand eines strstromfhrenden Leiters von der Gehuseseitenflache, bei dem auch an ungnstiger Stelle die
zugeordnete
Strgre am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht bersteigt. Den Angaben liegt ein sinusfrmiger
Strimpuls mit einer
Impulsbeite von 50 s in Hhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the
applicable
interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse
current with a pulse
width of 50 s having the same magnitude as the rated current.

Fges(i1): Die Summe aller mglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:

ia (i1)

100 . ---------------- - 1

KN . i1

In der Ausgangsprfung zugelassener Mefehler bei RT, definiert durch

Fges =
Fi:

Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by

Ia

Fi = 100 ----------- - 1
iaNeff

wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert fr einen Eingangsgleichstrom in Hhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)

FLi:

I1
Ia

FLi = 100 --------- - ---------


Linearity fault defined by
I1Neff
Ian

Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehrige offsetbereinigte Ausgangsgre (d.h. Io = 0). Ian
Linearittsfehler definiert durch

s. Erluterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).

FTi:
Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgren Ian (vgl. Erluterung zu Fi) im spezifischen Temperaturbereich,
gegeben
durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:

Ian (TU2 ) - Ian (TU1)

FTi = 100 .-------------------------------------

iaNeff

IaSt:
Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Strgleichstrom in Hhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm
Abstand von der Gehuseseitenflche (ungnstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the
sides of the
housing (unfavourable position).

IoH:

Nullpunktabweichung nach bersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)

Iot:

Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 C.


Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 C.

:
Ansprechzeit, gemessen als Verzgerungszeit bei i1 = 0,9 . 1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom und dem
dazugehrigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9

t (1max, 100 A/s):

1 between a rectangular current i1 and the output current ia

Verzgerungszeit zwischen 1max und dem dazugehrigen Ausgangsstrom ia bei einem Stromanstig des
Primrstroms von di1/dt = 100 A/s.
Delay time between 1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/s.

Hrsg.:
editor

KB-E

Bearb:

Ma.

KB-E B: Le

KB-PM B: Ga.

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