UNIDAD 5

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante

dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre..

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio

Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes,
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como
de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de
plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras
de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la
superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de
radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra
para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales
se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el
material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas
fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de
los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la
base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y
los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente
elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar
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como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No
obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el
equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos
tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de
los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la
corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial
o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante
Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor
La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales,
a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta,
disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores,
pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de
los siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias
dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo
con la cantidad de luz que reciben.
En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales
semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes.

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco
en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina
recombinacin.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,
ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a
saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas
ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando
con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a

los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un
tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos
de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un
tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica
(ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,

entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrara en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente
elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones
libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que
quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de

potencial a un. elemento semiconductor, se
establece una. corriente de electrones en
un sentido y otra. corriente de huecos en
sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos
o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un
elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas
positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para
las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas
positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".
CUESTIONARIO MATERIALES SEMICONDUCTORES

1- Qu es un material semiconductor?
2- Cules son los elementos ms comunes como semiconductor?
3- Cules son las caractersticas de estos materiales?
4- Cules son sus usos ms frecuentes?
5- Cuntos tomos poseen en la ltima rbita los semiconductores y cuantos el Si y El
Ge?
6- Qu tipo de enlace presentan los semiconductores?
7- Cmo se puede variar la conductividad en un semiconductor?
8- Para que exista conduccin que debe pasar en el tomo?
9- Qu tipo de semiconductores existen?
10- Explique cada uno Como se produce el mecanismo de conduccin?