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Introduccin

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad


elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un
buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el
elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio
tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red
cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de
valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse
a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a
estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al
potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Materiales Semiconductores

Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron


pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los
primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese
nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro
de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para
sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una
aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la
galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca
calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa
piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si
a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su
conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente
de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas
o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin
de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el
primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica
moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio
(Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas
intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente
elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrnica digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece


elementos con.caractersticas de semiconductores,
identificados con su correspondiente.nmero atmico y
grupo al que pertenecen. Los que aparecen con
fondo.

gris corresponden a metales, los de fondo verde a


metaloides y los de.fondo azul a no metales.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla


Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si),
para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores,
circuitos integrados y microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres,
cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento
especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados
por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen
solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio
elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica
de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen
formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya
a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o
corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad
elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES


Grupo en la
Electrones
Nmero Nombre del
Categor
Nmeros
Tabla
en la ltima
Atmico Elemento
a
de valencia
Peridica
rbita
48

Cd (Cadmio)

B (Boro)

13

Al (Aluminio)

31

Ga (Galio)

49

In (Indio)

14

Si (Silicio)

32

Ge (Germanio)

15

P (Fsforo)

IIa

IIIa

2 e-

+2

Metaloide 3 e-

+3

Metal

Metal

4 e-

IVa

Metaloide

Va

No metal 5 e-

+4

+3, -3, +5

33

As (Arsnico)

51

Sb
(Antimonio)

16

S (Azufre)

34

Se (Selenio)

52

Te (Telurio)

Metaloide

VIa

No metal

6 e-

+2, -2 +4,
+6

Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor


La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los
materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura
interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta,
la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores,
pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin
aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede
variar aplicando uno de los siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura

Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina

Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como


las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors),
varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida


tambin como fotorresistor o clula fotoelctrica.
Posee la caracterstica de disminuir el valor de su
resistencia interna cuando la intensidad de luz que
incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como
material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de
cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el
encendido y apagado automtico del alumbrado
pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye
la luz solar.

En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba


expuestos, los materiales semiconductores se comportarn como
conductores o como aislantes.

La conductividad elctrica de los cuerpos materiales ()


constituye la capacidad que tienen de conducir la corriente
elctrica. La frmula matemtica para hallar la conductividad
es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad


() se obtiene hallando primeramente el resultado de la
recproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicndolo a
continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la
longitud del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se
puede observar tambin que la resistencia (R) es
inversamente proporcional a (), por lo que, a menor
resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante
ser mayor.

SEMICONDUCTORES
"INTRNSECOS"
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la
siguiente forma:
1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la
banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones
libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de
conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro
de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor
se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la


ilustracin, en el caso de los
semiconductores el espacio
correspondiente a la banda
prohibida es mucho ms estrecho
en comparacin con los
materiales aislantes. La energa
de salto de banda (Eg) requerida
por los electrones para saltar de
la banda de valencia a la de
conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los
semiconductores de silicio (Si), la
energa de salto de banda
requerida por los electrones es
de 1,21 eV, mientras que en los
de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor


intrnseco, compuesta solamente por tomos de
silicio (Si) que forman una celosa. Como se
puede observar en la ilustracin, los tomos de
silicio (que slo poseen cuatro electrones en la
ltima rbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar
ocho electrones y crear as un cuerpo slido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de
silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo
aislante.

SEMICONDUCTORES
"EXTRNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le
introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para
hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa
mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de
tomos
de
otros
elementos
o
"impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a
elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones
en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco
electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el
arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente
elctrica.

En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores


para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un
componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada
para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial
primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco
grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o


cristal semiconductor de.silicio pulida con brillo de espejo,
destinada
a
la
fabricacin
de
transistores
y
circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la
oblea conteniendo cientos de.minsculos dados o chips, que
se pueden obtener de cada una. Esos chips son los.que
despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se
convertirn en.transistores o circuitos integrados. Una vez que
los chips se han convertido en.transistores o circuitos
integrados sern desprendidos de la oblea y colocados
dentro.de una cpsula protectora con sus correspondientes
conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en


menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio


(S) para fabricar diodos semiconductores en forma de
placas rectangulares, que combinadas y montadas en
una especie de eje se empleaban para rectificar la
corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da,
adems del silicio y el germanio, se emplean tambin
combinaciones de otros elementos semiconductores
presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea,
correspondiente a un antiguo diodo de
selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el


arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material
destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de
lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se


encuentra instalado un diodo lser de arseniuro de
galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o msica grabada en un
CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un
disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en


estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su
ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar
una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su
ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya
sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le

corresponda

cada

tomo

en

especfico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro


electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando
enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada
uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del
elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a
una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa
estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos
semiconductores se comportan como aislantes.

Conclusin
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.