DEFECTOS CRISTALINOS

1
Profesora: Clara
Turriate.

DEFECTOS DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA
Los slidos reales contienen imperfecciones cuyo
nmero y tipo juega un papel importante en la
determinacin de las propiedades del slido.
Muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas de los
materiales pueden ser afectados, tales como:
- la capacidad de formar aleaciones en fro,
- la conductividad elctrica
- la corrosin etc.

Clara Turriate

Formacin de un cristal
Independientemente del mecanismo ambiental que ha
originado un cristal, este sigue dos etapas: nucleacin
y crecimiento.
1. NUCLEACIN.- Comienza con la formacin de un
ncleo o partcula inicial, a partir de la cual ste ya
puede crecer y puede ser:
Homognea:
misma
composicin del cristal
Heterognea:
diferente
composicin.
Las
partculas
extraas
quedan incluidas dentro del
nuevo cristal.
Clara Turriate

2. CRECIMIENTO.- A partir de los ncleos se inicia el

crecimiento de los cristales siempre que las
condiciones del medio lo permitan (tiempo,
estabilidad, etc).

La cristalizacin nunca es perfecta. (variaciones en el

color o la forma de los cristales)
El crecimiento real de los cristales se separa de este
modelo ideal, producindose
los defectos
cristalinos.
Clara Turriate
4

DEFECTOS CRISTALINOS
Son discontinuidades en la organizacin espacial del cristal.
Influyen en las propiedades mecnicas, fsicas y qumicas de
los materiales cristalinos.
Pueden ocurren por:
- el movimiento trmico de las
unidades que forman la red,
- tensiones impuestas sobre el
slido desde el exterior,
- dislocacin de arista,
- defectos macroscpicos tales
como fisuras, poros y las
inclusiones extraas.
Clara Turriate

DEFECTOS TRMICOS: Dilatacin trmica por

vibracin

.
DEFECTOS ELECTRNICOS: Impurezas atmicas.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

DEFECTOS ATMICOS: Fallos en la estructura

cristalina
PUNTUALES, LINEALES O SUPERFICIALES
Clara Turriate

DEFECTOS PUNTUALES
ATMOS INSTERSTICIALES:
tomo en un intersticio.
Espontneo.
La
concentracin
aumenta
con
Temperatura.
LUGARES VACANTES: En los que no
hay tomos
TOMO EXTRAOS:
tomos diferentes que se sitan en los
puntos reticulares o en los huecos.
Espontneo.
La
concentracin
sube
con
Temperatura.
Clara Turriate

CAUSAN LOS
EFECTOS DE
DIFUSIN.

Espacios
vacos en la
red

DEFECTOS
PUNTUALES

hueco

Vacancia es un hueco creado

por la perdida de un tomo que
se encontraba en esa posicin
dejando un lugar vacante.
Distorsionan la red.
El nmero de vacantes en
equilibrio se incrementa con la
temperatura.

Clara Turriate

ATOMOS EXTRAOS
EN LA RED

DEFECTOS PUNTUALES

Este defecto ocurre cuando un

tomo del slido es reemplazado
por un tomo diferente.
El tomo sustituyente puede ser
ms grande o ms pequeo que el
tomo original.
Este defecto puede presentarse
como una impureza o como una
adicin deliberada en una aleacin.

Las impurezas dan lugar a la formacin

de cristales no estequiomtricos.
Clara Turriate

DEFECTOS PUNTUALES

Imperfeccin combinada
vacancia defecto intersticial

DEFECTO
FRENKEL.
.
Ocurre cuando un ion salta de un
punto normal dentro de la red a un
sitio intersticial dejando entonces
una vacancia. (cristales inicos)
DEFECTO SCHOTTKY
Ocurre cuando un in migra a la
superficie con otro in de signo
opuesto originado un par de
vacancias en un material con
Clara Turriate
enlaces inicos.

10

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES

Permiten:
La difusin en el estado slido
Formacin de soluciones slidas (aleaciones)
Alta conductividad trmica y elctrica de los
metales
Modifican las propiedades del cristal

Clara Turriate

11

Identifique el defecto puntual:

Defecto de vacancia
(.)

Defecto Insterticial
(.)
Defecto sustitucional
(..)

Los defectos ....son interrupciones localizadas en los arreglos

Clara Turriate
12
atmicos

DEFECTOS DE LINEA

Son defectos que dan lugar a

una distorsin de la red
centrada en torno a una
lnea. Se crean durante la
solidificacin de los slidos
cristalinos o por deformacin
plstica, por condensacin de
vacantes.

Clara Turriate

13

IMPORTANCIA DE LAS
DISLOCACIONES
Proveen ductilidad en los metales. Si no estuvieran
presentes las dislocaciones, una barra de hierro sera frgil y
los metales no podran ser moldeados por varios procesos
tales como forjado.
El deslizamiento atmico explica el porque de la baja
resistencia de los metales respecto al valor terico
predicho por los enlaces metlicos
Es posible controlar las propiedades mecnicas de un
metal o aleacin interfiriendo con el movimiento de las
dislocaciones
Clara Turriate

14

DEFECTOS BIDIMENSIONALES
Fronteras superficiales, interfases o planos que separan un
material en regiones de la misma estructura cristalina pero
con distintas orientaciones (material policristalino). Tipos:
borde de grano(limite entre cristales), superficies libres ( en
contacto con el ambiente)y planos de macla(cambio de
orientacin del grano).

RED de cristal Clara

ideal
Turriate

RED de cristal
15
defectuoso

LIMITES DE
GRANO
Se puede definir como la
superficie que separa los granos
individuales
de
diferentes
orientaciones cristalogrficas en
materiales policristalinos.
Se
puede
controlar
las
propiedades de un material
mediante el endurecimiento por
tamao de grano debido a que los
lmites de grano actan como
barreras al movimiento de
dislocaciones.
Clara Turriate

16

Limite
de
grano

El borde de macla es un plano

que separa dos partes de un grano
que tienen una pequea diferencia
en la orientacin cristalogrfica

Clara Turriate

17

Monocristales
El ordenamiento atmico es perfecto
No hay interrupciones a lo largo de todo el material
No hay cambios en la orientacin de la red
La forma macroscpica de un monocristal puede reflejar o no la
simetra de la estructura cristalina
Alguna aplicaciones ingenieriles precisan monocristales:
El Si en la microelectronica
Zafiro (Al2O3) para la industria del lser
El diamante en abrasivos
El Ni en superaleaciones para labes de turbinas
Las propiedades cambian con la direccin: anisotrpicos.

18

Policristales
La mayora de los slidos cristalinos estn
formados por pequeas cristalitas
La estructura del cristal es la misma en cada una
de las cristalitas, pero la orientacin de la red vara
de unas a otras
Estas cristalitas se denominan granos. La regin
donde dos granos se encuentran se llama frontera
de grano.
Las propiedades pueden o no variar con la direccin.
A causa de las imperfecciones estn mas cerca de alcanzar la
resistencia mecnica ideal.
La mayora de los materiales en ingeniera son policristalinos.
Clara Turriate

19

Aplicaciones de los cristales

Paneles fotovoltaicos
Un panel fotovoltaico consta de un cristal de slice que, al ser
estimulado por un fotn, es capaz de desprender electrones (efecto
fotoelctrico) que son recogidos por un material conductor. La
fabricacin de paneles fotovoltaicos tiene la necesidad de
obtencin de cristales planos, a un bajo coste.

Clara Turriate

20

Aplicaciones de los cristales

Cristales lquidos
Los cristales lquidos constan de un fluido
compuesto por molculas alargadas que
tienen la propiedad de ordenarse como un
cristal ante la polarizacin elctrica del
medio. Al ordenarse cambian sus
propiedades pticas (color, opacidad, etc).
Se han utilizado intensamente en las
pantallas
de
pequeos
aparatos
electrnicos (calculadoras, relojes) y
actualmente se estn introduciendo en el
mercado de los monitores (pantalla plana).
Clara Turriate

21

Aplicaciones de los cristales

Cristales artificiales
Su uso en la industria como cristales abrasivos (el
alto coste de los naturales como el diamante ).
En la joyeria (variedad de piedras preciosas
artificiales con colores impactantes).

Informtica
Un chip consta de distintas capas de materiales
crecidos durante el proceso de fabricacin: metal,
xido y semiconductor cristalino (slice) que, al
recibir un impulso elctrico, puede transmitirlo o
no a un material conductor.
Clara Turriate

22

Ejercicio de aplicacin.
Un oxido de la forma AB cristaliza en la misma estructura
del cloruro de sodio (NaCl: cbico de cara centrada para
el in Na+ y para el in Cl-). El compuesto tiene una
frmula aproximada de AB0,98 El defecto se presenta
debido a que algunas posiciones del catin estn
ocupados por tomos de A y un nmero equivalente de
las posiciones del anin estn vacos. Determinar: (a) la
densidad del cristal no estequiomtrico, si la constante
reticular de la celda unidad es 4,695 A, (b) el % de
lugares vacantes del anin. Rta. 4,6 g/cc , 2%

Clara Turriate

23

Ejercicios
1. Si la densidad real de un alambre de cobre, de
100cm de largo y un centmetro de dimetro, es 8,93
g/cc, determine:
a. El porcentaje de vacancias por cada celda unitaria
b. La cantidad de vacancia contenidas en el alambre
c. La cantidad de tomos de Cu en el alambre.
2. Se tiene una solucin solida formada por tomos
X,Y,Z, siendo X el metal base, Y esta disuelto
intersticialmente
y Z es sustituto. Se ha
determinado experimentalmente que 300/1000
lugares estn vacantes, que la expansin
volumtrica es 2%
conservado la solucin el
mismo tipo de red (FCC) que el metal base, que el
porcentaje de espacios vacios totales es de 21% y
que la densidadClara
esTurriate
7,85 g/cc. Determine
la frmula
24

3. El oxido de hierro II cristaliza en la misma estructura del cloruro de

sodio (NaCl: cbico de cara centrada para el in Na + y para el in
Cl-). El compuesto tiene una frmula aproximada de Fe O <1. El
defecto se presenta debido a que algunas posiciones del metal estn
ocupados por iones de Fe+3 en lugar de iones Fe+2 y un nmero
equivalente de las posiciones de los aniones estn vacos. Si la
relacin de iones de Fe+3 a iones de Fe+2 es como 2es a 15, y la
arista de la celda unidad es de 3,26 A. Determinar la densidad del
cristal no estequiomtrico.
4. Una aleacin formada por 3 elementos A,B y C presenta un
empaquetamiento cbico de cuerpo centrado igual que el metal base
A. La aleacin se ha formado por sustitucin de B y por ocupacin
intersticial de C. Considerando que dos de cada 800 lugares de la
red cristalina estn vacantes, que el % atmico de B es 10% de A, el
de C es 10% de A y la expansin volumtrica 1,25% . Determinar la
densidad de la aleacin.
Datos: Radio atmico de A= 1,15A. Masa atmica de A = 56; B=
65,4 ; C= 12
Clara Turriate

25

PROPIEDADES FSICAS DE LOS

MINERALES
Escala de Mohs

1.DUREZA:
2.Exfoliacin:
3.Densidad
4.Tenacidad:
5.Brillo:
6.Color

Clara Turriate

26

LOS SEMICONDUCTORES
Un material conductor, tiene gran
cantidad de electrones libres,
permitiendo el flujo de electrones
entre sus tomos (electricidad)
Eje: el cobre.

Un aislante es todo lo
contrario por lo cual se
dice que no conduce
electricidad.
Eje: Plstico

Un semiconductor, es un material que tiene las

propiedades elctricas de un conductor y de un aislante,
como por ejemplo el Germanio y el Silicio
(metaloides), este ultimo el ms utilizado en la
actualidad para la fabricacin de componentes
electrnicos.
Silicio
- Fabricacin de componentes electrnicos
- Construccin de ladrillos, vidrios y otros materiales
- Silicona para implantes mdicos
- Fertilzate en la agricultura

Semiconductores comerciales

Son materiales de conductividad intermedia entre la de los

metales y la de los aislantes, que se modifica en gran medida
por la temperatura, la excitacin ptica y las impurezas.

Clara Turriate

28

NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se encuentre

el electrn del ncleo mayor es el estado de energa, y cualquier
electrn que haya dejado su tomo, tiene un estado de energa
mayor que cualquier electrn en la estructura atmica.
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 eV

Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV

Banda de conduccin
Banda de valencia

Banda de valencia
Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Conductor

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/tomo
Eg=6eV
- - -

4 electrones/tomo

Banda de conduccin

Banda prohibida

Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanzara
alcanzara la
la energa
energa
necesaria
necesaria para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin,
conduccin, podra
podra
moverse
moverse al
al estado
estado vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro
tomo
tomo vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura
ambiente
ambientecasi
casiningn
ningnelectrn
electrntiene
tieneesta
estaenerga.
energa.
Es
Esun
unaislante.
aislante.

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/tomo

- - 4 electrones/tomo

Banda de conduccin

Banda de
valencia

No
No hay
hay banda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda
de
de valencia
valencia tienen
tienen la
la misma
misma energa
energa que
que los
los estados
estados
vacos
vacos de
de la
labanda
bandade
de conduccin,
conduccin, por
por lo
lo que
que pueden
pueden
moverse
AA
moverse generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica.
temperatura
temperaturaambiente
ambientees
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.

Diagrama de bandas del Ge

Energa

4 estados/tomo
Eg=0,67eV
- - -

4 electrones/tomo

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanza
alcanza la
la energa
energa
necesaria
necesaria para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin,
conduccin, puede
puede moverse
moverse
al
al estado
estado vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo
vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
algunos
algunoselectrones
electronestienen
tienenesta
estaenerga.
energa. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.

SEMICONDUCTORES (CRISTAL DE SILICIO)

Semiconductores Intrnsecos: cristales en estado puro,
todos los tomos son iguales. No tiene impurezas

En equilibrio (Aislante)

Electrones libres y zona de

conduccin. (Conductor)

TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Semiconductores Extrnsecos: se le agregan impurezas,
es decir tomos diferentes de otros materiales
(aleaciones). Proceso conocido como dopaje del cristal
de silicio.

TIPO P: Portadores
mayoritarios huecos (+)

TIPO N: Portadores
mayoritarios electrones (-)

LA UNION PN
UNION DE DOS ELECTRODOS (DIODO)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

ZONA P:

Zona de agotamiento

ZONA N:

Portadores
Mayoritarios Huecos

(Barrera de potencial)

Portadores
Mayoritarios electrones

Cmo se obtiene
Smbolo
Foto

Transistor
Se fabrican con la unin
de tres semiconductores
PyN
Segn se unan tenemos
NPN o PNP
Son dispositivos de TRES
terminales
llamados,
Colector, Base y Emisor

http://www.youtube.com/watch?v=xh90z-kLx78

Clara Turriate

37