TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVOS
1. Conocer en este laboratorio la teoria, como se usa y sus apicaciones del
transistores bipolares.
2. Comprobar mediante el aboratorio el reconocimiento de losmtransistores.
Marco Terico
Qu es un transistor?
Un transistor es un dispositivo electrnico que funciona a base de un dispositivo semiconductor que
cuenta con tres terminales, los que son utilizados como amplificador e interruptor, oscilador,
conmutador o rectificador. Una pequea corriente elctrica, que es aplicada a uno de los terminales,
logra controlar la corriente entre los dos terminales.
Los transistores se comportan como parte fundamental de los aparatos electrnicos, anlogos y
digitales. Especficamente, en los aparatos electrnicos digitales, un transistor se utiliza como
interruptor, pero tambin se les da otros usos que guardan relacin con memorias RAM y puerta
lgicas. Por otra parte, en cuanto a los aparatos anlogos, se utilizan, por lo general, como
amplificadores.
Como ya se mencion, un transistor est conformado por tres partes. Una de ellas es la que se encarga
de emitir electrones, por lo tanto, es el emisor. Una segunda parte es la que los recibe, el denominado
colector, y por ltimo, una tercera parte que opera como un modulador del paso de los electrones.
Existen varios tipos de transistores, entre los que encontramos los transistores bipolares y los
transistores de efecto de campo.

TRANSISTOR BIPOLAR.-

Simbologa. Convenio de tensiones y corrientes

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor,
colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de
dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los smbolos
de circuito y nomenclatura de sus terminales.

Colector
B

Base
Emisor

La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es

observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta
hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia
dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica
el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.

Transistor tipo NPN

Transistor tipo PNP

Estructura fsica
El transistor bipolar es un dispositivo formado por
tres regiones semiconductoras, entre las cuales se
forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4
observamos el aspecto til para anlisis de un
transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el
dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el
emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el
colector tipo P.

Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo

PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base ser P y
el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo
NPN.

Base (tipo P)

Substrato de Silicio

Figura 4. Estructura de un TRT bipolar

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el Colector

cual se difunden impurezas1, de forma que se obtengan las
tres regiones antes mencionadas. En la figura 5 vemos el
aspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se
encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n
(substrato que acta como colector), se difunden regiones p y
n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.
Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son
muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo.

Colector (tipo N)

Emisor (tipo N)

Emisor

Base

n+
p
n

Figura 5. Estructura real de un TRT

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar
un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del
funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a
regular,
y
en
el
terminal
de
base
(B)
se
Alimentacin
aplica la seal de control gracias a la que
controlamos la potencia. Con pequeas
variaciones de corriente a travs del
Gran seal de salida
terminal de base, se consiguen grandes
variaciones a travs de los terminales de
colector y emisor. Si se coloca una
resistencia se puede convertir esta Pequea seal
variacin de corriente en variaciones de de entrada
tensin segn sea necesario.
Alimentacin
Figura 8. Ejemplo de funcionamiento

Fundamentos fsicos del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el

emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede
considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y
un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente,
pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisorbase.
En la figura 9 se puede ver lo que sucede. Se dispone de
A
dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en IA
Ibase
inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es
I
elevada (IA), la corriente por B es muy pequea (IB). Si se
unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unin (lo
IB
B
que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha,
entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a
Figura 9. Efecto transistor
quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De
esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una
corriente muy pequea. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la
corriente por la base ya no existe polarizacin de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto
no
circula
corriente.

Corrientes y tensiones
Para el anlisis de las distintas corrientes que aparecen en
un transistor vamos a considerar un transistor de tipo
PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 10.
Este tipo de polarizacin ser el usado cuando el
transistor trabaje en regin activa, como se ver en los
siguientes apartados. La unin emisor-base queda
polarizada como una unin en directa, y la unin
colector-base como una unin en inversa.
En la figura 11 se muestran las principales corrientes (de
electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras
aplicar la polarizacin indicada en la figura 10. Se puede
observar lo siguiente:

Emisor
(tipo P)

Base
(tipo N)

Emisor
Base
Colector

Emisor
(tipo P)

Colector
(tipo P)

Figura 10. Polarizacin

Colector
(tipo P)

IEp
ICp

IE

IEn

IC

IBr

ICn

IB
Figura 11. Corrientes en un TRT

Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin est en directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base,
sino que siga hacia el emisor (ICp)
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en inversa (ICn ms
una parte nfima de ICp)
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de colector, ms la
corriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)

A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones bsicas como son las siguientes:
I E + IB + IC = 0 (I )
Esta ecuacin viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor es un nodo
con tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de ser
cero.
Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en funcin de sus componentes de la
siguiente forma:
I E = I En + I E p
I C = ICn + IC p
I B = I E n + IC n + I B r
Relaciones ms importantes. Parmetros y
En un transistor bipolar uno de los aspectos ms interesantes para su anlisis y uso es el conocer las
relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuacin I tenemos una primera
relacin. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parmetros dependientes de la
estructura del propio transistor.
Definimos los parmetros y (de continua) como la relacin existente entre la corriente de
colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir:
IC
IC
(II )
=
=
IE
IB
Operando podemos relacionar ambos parmetros de la siguiente forma:

I
IC
IC
= c=
=
=
I B I E IC
I E (1 IC I E ) 1

En general el parmetro ser muy prximo a la unidad1 (la corriente de emisor ser similar a la
de colector) y el parmetro tendr un valor elevado (normalmente > 100).
A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una ms que es til cuando se trabaja con
pequeas corrientes de polarizacin, en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre
colector y base puede no ser despreciable:
I C = I B + ( + 1) I C 0 ( III )
En esta ecuacin se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturacin de la unin colectorbase, la cual, en general se puede aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que circulara por
dicha unin polarizada en inversa si se deja al aire el terminal de emisor.

Funcionamiento cualitativo del transistor

En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar
podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de funcionamiento. Por regiones de
funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas dependiendo de la regin en la que se encuentre.

Regiones de funcionamiento
Corte

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente,
y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la
condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido
contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Activa

La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colectorbase en inversa.

En general, y a efectos de clculo, se considera que se verifica lo siguiente:

V BE = V
I C = IB
donde V es la tensin de conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios).

Saturacin

En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-colector se

encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica slo lo siguiente:
VBE = VBE sat
VCE = VCE sat
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores determinados
(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula tambin
corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: I C = I B

Otros aspectos del funcionamiento del BJT

Efecto Early
Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones no
deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensin colector-base. Estas
variaciones de corriente son consecuencia de la modulacin de la anchura de la base, tambin
conocida como Efecto Early.
En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un incremento en
la anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento provoca una disminucin de la
anchura efectiva de la base, tal y como se observa en la figura 12 (la anchura efectiva de la base
pasa de WB a WB). Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para

la recombinacin en base. La pendiente positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona
activa es debida a este efecto.
Base
VCB
Emisor

Colector

WB

WB

Figura 12 . Descripcin de la modulacin de la anchura de base con la tensin

Fenmenos de avalancha y perforacin

El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan uniones PN polarizadas,
tiene unas limitaciones fsicas de funcionamiento debidas a los fenmenos de avalancha que se
pueden producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bipolar
se puede producir la destruccin del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferentes:
Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica tensin inversa elevada a
las uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna entre en avalancha. La unin base-emisor
es especialmente sensible a la aplicacin de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.
Ruptura por perforacin de base. En el apartado anterior se ha hablado de la disminucin de la
anchura de la base debido a la tensin inversa aplicada a la unin colector-base. Puede ocurrir
que
las
tensiones
aplicadas
sean
tan
grandes
que
Base
desaparezca completamente la anchura de la base del
transistor (es decir, que WB = 0). Este caso se
denomina perforacin de la base, y se produce la
destruccin del transistor al circular una corriente muy
elevada entre emisor y colector. En la figura 13
observamos el fenmeno de perforacin de base.
WB
Figura 13. Perforacin de base

Consideraciones sobre potencia

Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia mxima que es capaz
de disipar. En general se puede hablar de potencia en rgimen continuo y potencia en rgimen
alterno. En este cuaderno slo se considerar el rgimen continuo, o de polarizacin del transistor
bipolar.
La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuacin:
P = V I
en el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa viene dada
por la corriente de colector multiplicada por la tensin que colector-emisor, es decir:
P = VCE I C
El producto de la corriente de colector por la tensin colector-emisor indica la potencia disipada por
el dispositivo.
En funcin del tipo de transistor (de su fabricacin, caractersticas y encapsulado), de las
condiciones ambientales y del uso de disipadores, la potencia que puede soportar un transistor
vara.
La potencia mxima que puede disipar un transistor se puede representar en unos ejes de
coordenadas, obteniendo la hiprbola de mxima disipacin del dispositivo. En el apartado de
curvas
caractersticas
se
muestra
un
ejemplo.

MATERIALES:

Fuente de voltaje.

- Resistencias

Voltmetro.

Cables.

Transistores

TABLAS Y SIMULACIN
A) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

VBB(V)
0.7
0.8
0.9
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.3
2.4
2.5

VCE(V)
9.94
9.88
9.83
9.77
9.65
9.53
9.41
9.30
9.18
9.06
9.00
8.94
8.89

IC(mA)
0.06
0.12
0.17
0.23
0.35
0.47
0.59
0.70
0.82
0.94
1.00
1.06
1.11

IB(uA)
0.22
0.39
0.59
0.78
1.19
1.60
2.01
2.43
2.85
3.27
3.48
3.69
3.90

VRB(V)
0.10
0.19
0.28
0.37
0.56
0.75
0.94
1.14
1.34
1.53
1.63
1.73
1.83

VRC(V)
0.06
0.12
0.17
0.23
0.35
0.47
0.59
0.70
0.82
0.94
1.00
1.06
1.11

VBE(V)
0.60
0.61
0.62
0.63
0.64
0.65
0.66
0.66
0.66
0.67
0.67
0.67
0.67

B
272
307
288
294
294
293
293
288
287
287
287
287
284

B) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

VBB(V)
S/F
0.7
0.8
0.9
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.3
2.4
2.5

VCE(V)
10.9
11.8
11.5
11.3
11.1
10.6
10.1
9.66
9.18
8.69
8.20
7.95
7.71
7.46

IC(mA)
0.36
0.08
0.15
0.22
0.30
0.46
0.62
0.78
0.94
1.10
1.27
1.35
1.43
1.51

IE(mA)
0.36
0.08
0.15
0.23
0.30
0.46
0.62
0.78
0.94
1.11
1.27
1.35
1.43
1.52

IB(uA)
1.21
0.26
0.49
0.74
1.00
1.54
2.10
2.67
3.27
3.87
4.50
4.82
5.14
5.46

VR1(v)
10.9
11.3
11.2
11.1
11.0
10.8
10.6
10.4
10.2
10.0
9.80
9.70
9.60
9.50

VR2(v)
1.08
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.40
2.50

VRC(v)
0.65
0.15
0.27
0.40
0.54
0.82
1.11
1.40
1.69
1.98
2.28
2.42
2.57
2.72

VRE(v)
0.44
0.09
0.18
0.27
0.36
0.55
0.74
0.94
1.13
1.33
1.52
1.62
1.72
1.82

VX(v)
11.34
11.85
11.72
11.59
11.45
11.17
10.88
10.59
10.30
10.01
9.72
9.57
9.42
9.28

B
297
307
306
297
300
298
295
292
287
284
282
280
278
276

Preguntas
Qu es un transistor bipolar, y cul es la funcin bsica del transistor?
Un transistor bipolar es un dispositivo formado por tres capas de material semiconductor organizadas
en forma de sndwich. Puede ser material tipo N entre dos materiales tipo P o viceversa. De acuerdo a
la forma como se alternen estas tres capas, se pueden obtener dos tipos: el NPN y el PNP. La FUNCION
BASICA y ms importante de un transistor es la amplificacin de corriente.
Cules son las fallas ms comunes de los transistores?
Que entre a corte y saturacin sin que el diseo as lo provee, que nunca se polarice, que la ganancia en
dc se modifique por sobre calentamiento, que este en corto, que este abierto, en general un transistor
es muy sensible y si no tienes una buena precisin a la hora de hacer el diseo junto con escoger las
resistencias de polarizacin al polarizar puede que falle y no funcione como esperbamos.
Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p ademsen el transistor NPN sale la
corriente por el emisor, y en el PNP ingresa lacorriente por esta misma
Algunas aplicaciones de los transistores
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
1. Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
2. Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
3. Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
4. Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Cuales son los tipos de transistores que hay?

Transistor de contacto puntual
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacincobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve
en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su da.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metalesy
los aislantes como el diamante. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo(P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son
del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general,
el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo

En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos
surtidor y al otro drenador. Aplicando tensinpositiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento,
cesa la conduccin en el canal.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras
diferentes:
1. Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. (IP) (modo de iluminacin).