O O O O

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si
 NÍVEL DE INTEGRAÇÃO

NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP

SSI 2 a 50
MSI 150 a 5.000
LSI 5.000 a 100.000
VLSI 100.000 a 10.000.000
ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000
SLSI acima de 1.000.000.000
 ALGUNS PROBLEMAS COM
CONTAMINAÇÃO
DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO
- QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA
- TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA
Contaminantes atuam como armadilhas
“METAL” PORTA ou cargas no óxido
ÓXIDO DE PORTA

FONTE DRENO

Contaminantes atuam como

armadilhas, degradando tempo de
TRANSISTOR MOS
vida e mobilidade no canal
DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE

- RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO

- CONTATO RUIM

“METAL” PORTA

ÓXIDO DE PORTA

FONTE DRENO

Contaminantes atuam como “pontos

fracos”, degradando a rigidez
dielétrica do óxido de porta
DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO

- UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO

UM CIRCUITO

Defeito fatal no
circuito
- PARTÍCULAS
C) JATO DE NITROGÊNIO

✱ MAIS ADEQUADO
✱ MAIS DIFÍCIL
✱ PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA

MELHOR LIMPEZA?

DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA

Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002
 Base Mundial de Computadores
1500
Milhões de Usuários

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0
80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 .....................2005 ....................2010
8 bits 8/16 Micros multi-
16 bits 16bits 32 bits 32 bits 64 bits 128 bits núcleos
Uso pessoal bits
de 64 a
486 686 MIPS 10000 256 bits
386 Micros a serem
APPLE PC PC XT PC AT Power Alpha Pentium-pro
PS desenvolvidos
PC 601 Power PC620
Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios
Número de
1E+13 Componentes 1 Terabit RAM

µ P 625MHz
1E+12 64G RAM
100M com

1E+11 16G RAM µ P 500MHz

50M.
4G RAM
1E+10
1G RAM µ Proc. with 25M
1E+09 comp. 400 MHZ clock

64M RAM 2000 MHz clock

1E+08

16M RAM 50 MHz clock

1E+07

1E+06 1M RAM

1E+05 64K RAM µ Proc. 32 bits –

10MHz
1E+04 16K RAM µ Proc. – 1MHz clock

1E+03 1Kbit 1sr calculator , 1st µ Proc.

1E+02 MSI – 100K Hz clock

1E+01

1E+0
0 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020
Ano
 Redução de dimensões e tamanhos das
pastilhas de silício
0.35µ m
as

Dimensões mínimas adotadas na pastilha

para os dispositivos eletrônicos

0.035µ m

Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa
pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos