Capitolul

2
22

CAPITOLUL 2

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

nelegerea funcionrii circuitelor logice presupune cunoaterea unor aspecte
legate de regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare utilizate n aceste
structuri: dioda, tranzistorul bipolar i tranzistorul unipolar. Dei predate n cadrul
cursului de Electonic I (Dispozitive Electronice), considerm util o revedere
succint a acestor noiuni.

2.1. Regimul de comutaie al diodei semiconductoare

Caracteristica static a diodei semiconductoare, fig.2.1 diagrama (a), n care
s-a notat cu VP - tensiunea de prag cu Vstr- tensiunea de strpungere, cu I 0 - curentul
rezidual sau de saturaie, poate fi aproximat prin segmentele (b) din aceeai figur,
desenate cu linie mai groas i care permit o descriere simplificat a funcionrii
diodei. Astfel, se disting dou zone de funcionare i anume: zona de blocare,
situat n intervalul Vstr<VA<Vp i caracterizat prin IA=0, respectiv zona de
conducie, pentru VAVP, n care I A
diferenial a diodei (

1
VA . S-a notat cu Rd rezistena
Rd

1
tg ), determinat de coarda ce aproximeaz n
Rd

cadranul 1 caracteristica diodei, n jurul punctului de funcionare M(VA0,IA0).

Not: n funcie de valoarea coordonatei IA0 , punctul M se poate situa mai jos
sau mai sus pe caracteristica static a diodei, determinnd o pant (tg) mai mic
sau mai mare, deci o tensiune de prag (VP) mai mic sau mai mare. Rezult c
punctul de frngere (VP) al caracteristicii (b) variaz n funcie de poziia lui M i
nu coincide obligatoriu cu VP - ul determinat pe caracteristica static real din
fig.2.1, diagrama a.

n general, pentru diodele cu siliciu se consider V P=0,7 V i neglijnd Rd

(Rd0), unghiul tinde ctre 90 o, deci caracteristica (b) din cadranul I este nlocuit
de segmentul (c).

Capitolul 2

23

n dorina de a simplifica i mai mult expunerea, adeseori se consider i

VP0, fig. 2.1 d, situaie n care dioda se transform ntr-un ntreruptor deschis
(IA=0) n intervalul (Vstr , 0), respectiv nchis (IA) pentru VAVP=0. Limitarea
curentului n acest ultim interval rmne n sarcina elementelor de circuit nseriate
cu dioda.
IA
(d)
IA0
(b)
Vstr

I0

(c)

(b)
(a)
M

1
VA Rd

arctg
O Vp 90o

(a)

Fig.2.1. Caracteristica static a diodei semiconductoare i diversele ei aproximri

2.2. Regimul de comutaie al tranzistorului bipolar

Considerm un tranzistor bipolar n conexiune EC, fig. 2.2, i caracteristicile
sale de intrare i de ieire, fig. 2.3 i 2.4.
IC
VCB

+VCC
RC
VCE

VBE
Fig. 2.2. Cea mai simpl schem
cu TB n conexiune EC

IB

VCE

Fig. 2.3. Caracteristicile de intrare

ale unui TB n conexiune EC
V

BE
I CBde
BEtranzistorului
Scriem ecuaia dreptei statice de sarcin pe circuitul
ieireVal
ON
0
din fig. 2.2:
VCC=RCIC+VCE
(2.1)
i o trasm prin tieturi n planul caracteristicilor de ieire din fig. 2.4. Observm c,
n cazul particular al schemei din fig. 2.2, din care lipsesc elementele reactive de
circuit, dreapta static de sarcin coincide cu dreapta dinamic de sarcin pe care
urmeaz s se deplaseze n regim dinamic punctul de funcionare al tranzistorului.

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

24

Pornind de la relaiile:
IC = NIE + ICB 0 ;
IE = IC + IB,
se deduce expresia lui IC:
N I B I CB 0
I B I CB 0
IC

1 N
1 N

(2.2)
(2.3)

(2.4)
Blocarea tranzistorului se produce atunci cnd se anuleaz curentul de
colector (IC = 0), adic aa cum rezult din relaia 2.4, atunci cnd:
IB = - ICB 0.
(2.5)
Zona de blocare se situeaz, prin urmare, sub caracteristica de ieire
corespunztoare relaiei 2.5, fig. 2.4, deci sub punctul A de pe dreapta static i
dinamic de sarcin.
IC
B
B

RAN
IB

SAT
IB=0
IB= -ICB O

BL.
VCE sat

VCE (B)

A
A
VCC

VCE

Fig.2.4. Caracteristicile de ieire ale unui TB n conexiune EC

ntruct la tranzistoarele cu siliciu I CB0 este neglijabil (de ordinul

nanoamperilor), putem considera c zona de blocare se ntinde practic pn sub
caracteristica IB=0, fig. 2.4, deci pn n punctul A de pe dreapta static i dinamic
de sarcin. n aceast zon, polarizrile jonciunilor se prezint ca n fig. 2.5, adic
jonciunea BC este invers polarizat, deci blocat, iar jonciunea BE insuficient
polarizat, deci tot blocat.
Atragem atenia asupra faptului c tranzistorul din fig. 2.2 este de tip npn,
ceeace face ca jonciunile BE i BC s fie de tip pn, deci s se deschid numai
atunci cnd tensiunile sunt aplicate cu + pe baz i pe emiter / colector i numai
dac diferenele de potenial respective depesc 0,6V.

Capitolul 2

25

Creterea lui VBE peste valoarea VBE ON 0,6 V , conduce la creterea IB

(vezi caracteristica de intrare din fig. 2.3) i implicit la creterea lui IC (ICNIB).
Punctul de funcionare al tranzistorului se va deplasa de la A ctre B pe
dreapta de sarcin, fig. 2.4, traversnd regiunea activ normal (RAN) a
caracteristicilor de ieire. n aceast zon, polarizrile jonciunilor se prezint ca n
fig. 2.6, adic jonciunea BE este direct i suficient polarizat, deci deschis, iar
jonciunea BC invers polarizat. Acest mod de polarizare, specific pentru RAN,
favorizeaz producerea binecunoscutului efect de tranzistor studiat n cadrul
electronicii analogice.
Crescnd i mai mult VBE pn la atingerea valorii VBEsat= 0,7 V, punctul de
funcionare al tranzistorului ajunge n B, fig. 2.4, deci la limita zonei de saturaie.
Polarizrile jonciunilor se prezint ca n fig. 2.7, ambele jonciuni fiind direct i
suficient polarizate, deci deschise.
+VCC
IC=0

+VCC

RC

IC>0
VBC=VBE-VCE<0

VBC=VBE-VCE<0
VBE<0,6V

VCE=VCC

VBE0,6 V

Fig. 2.5. Polarizrile jonciunilor

unui TB blocat

RC
VCE=VCC-RCIC

Fig. 2.6. Polarizrile jonciunilor

unui TB n RAN
IC

VBC=0,6 V

VBEsat 0,7 V

+VCC
RC

VCEsat 0,1 V

Fig. 2.7. Polarizrile jonciunilor unui TB la saturaie

Observaie: Dac electronica analogic (liniar) s-a ocupat cu studierea unor
circuite n cadrul crora, n mod invariabil, tranzistrorului i era impus
funcionarea n RAN (singura zon n care se poate vorbi despre efectul de
tranzistor i, implicit, despre fenomenul de amplificare), dac n cadrul aceleiai
electronici analogice zonele de blocare i saturaie erau evitate datorit
distorsiunilor de neliniaritate pe care le introduceau, electronica digital (numeric)
se ocup cu studierea unor circute de comutaie static n care tranzistorul
comut dintr-o stare limit (blocare, saturaie) n alta (saturaie, blocare),
regiunea activ normal a caracteristicilor sale fiind doar o zon de trecere
imposibil de evitat i care trebuie tranzitat ct mai repede dac se doresc viteze de
comutaie mari.

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

26

Pe baza celor prezentate, putem afirma c un tranzistor care funcioneaz n

regim de comutaie poate fi teoretic nlocuit cu un ntreruptor K, a crui stare este
deschis dac tranzistorul este blocat (vezi fig.2.8 a), respectiv nchis dac
tranzistorul este saturat (vezi fig.2.8 b).

IC=0
K

+VCC

+VCC

RC

RC
VCE=VCC

a) TB blocat

VCE=0

b) TB saturat

Fig. 2.8. TB n regim de comutaie, nlocuit cu un ntreruptor

ntr-adevr, lund n consideraie funcionarea real, n regim dinamic, a

tranzistorului, schema din figura 2.2 va trebui completat cu generatorul de tensiune
dreptunghiular vG de rezisten intern RG prezentat n fig.2.9. Rezistena R B are
numai rolul de a limita curentul de baz al tranzistorului.
+VCC
iC

vG

RC

(a)

CB
iB
RB

RG

iB

t1
CB

t2

(b)

0
vCE
(c)

vG

Fig. 2.9. Schem pentru studierea

regimului de comutaie al TB

ICsat iC
0,9 ICsat
0,1 ICsat
0

t tcr

ts tc

Fig. 2.10. Diagrame pentru ilustrarea

regimului de comutaie al TB

Diagramele de semnal din fig. 2.10 ilustreaz rspunsul tranzistorului la un

impuls de curent, fiind uor de observat faptul c iC , departe de a-l urmri pe iB ca
form de und, prezint o evoluie mult diferit. Astfel, dei i B nregistreaz la
momentul t1 un salt pozitiv rapid, iC nu reacioneaz instantaneu, ci dup un timp de
ntrziere (t), urmat de o cretere relativ lent (ter) pn la atingerea valorii 0,9ICsat ,
dup care tranzistorul intr, n sfrit, n saturaie. Prin urmare, dei comanda de

Capitolul 2

27

trecere din blocare n saturaie a fost dat prin saltul pozitv al lui i B din momentul t1,
executare acestei comenzi, deci comutaia direct are loc ntr-un interval de timp:
tcd=t+ter.
(2.6)
Similar, dei comanda pentru comutaia invers (din saturaie n blocare) se
d la momentul t2 aceasta se produce ntr-un interval de timp:
tci=ts+tc,
(2.7)
unde tS este timpul de stocare, iar tc - timpul de cdere. Dup cum se poate observa
din fig. 2.10 c, ntrzierea cea mai mare la comutaia invers se datoreaz timpului
de stocare a crui existen se explic astfel: la saturaie, cele dou jonciuni ale
tranzistorului sunt direct polarizate (v. fig. 2.7), motiv pentru care are loc o dubl
injecie de purttori de sarcin majoritari (electroni) din cele dou zone extreme n
zona bazei (v. fig. 2.11).

p
p

+ -

Fig. 2.11. Ilustrativ pentru apariia timpului de stocare

ntruct baza este de tip p, electronii difuzai devin aici purttori de sarcin
minoritari n exces, a cror evacuare urmeaz s nceap n momentul t 2 al primirii
comenzii de blocare i va dura un interval de timp egal cu ts.
Creterea vitezei de comutaie a tranzistorului bipolar presupune micorarea
timpilor tcd i tci, acionnd asupra componentelor lor celor mai importante: t cr,
respectiv ts.
Soluiile pentru micorarea timpilor de comutaie vizeaz att proiectarea
specific a circuitelor electronice, ct i tehnologia de fabricaie a tranzistoarelor din
componena lor.
Astfel, o soluie pentru micorarea tcd o constituie conectarea n paralel cu
RB, fig. 2.9, a unei capaciti CB, cu rolul de a unta (scurtcircuita) n regim dinamic
(la momentele de salt t1 i t2) rezistena RB i de a realiza n acest mod un curent de
baz iB mai mare (fig. 2.10 b , desenat cu linie ntrerupt) care s foreze la rndul
su o evoluie mai rapid a lui ic i, prin urmare, s determine o micorare a
timpului de cretere.
ntr-adevr, reactana capacitiv X CB simte variaia rapid din
momentul t1 ca pe aceea a unui semnal de frecven nalt:

X CB

1
2fC B

0,

(2.8)

i produce un efect de untare a rezistenei R B. Dup consumarea saltului din

momentul t1 i intrarea lui vG n palierul t1t2, rezistena RB redevine treptat
principala cale de asigurare a curentului de baz i B, deoarece pentru f=0,
XCB (vezi relaia 2.8).

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

28

Micorarea timpului de comutaie invers, t ci, se realizeaz prin mpiedicarea

intrrii n saturaie a tranzistorului, avnd ca efect eliminarea timpului de stocare.
Prezentm n continuare 2 scheme (fig. 2.12 i 2.13) care asigur acest deziderat.
Schema din fig. 2.12 s-a obinut din cea din fig. 2.9 n care rezistena R B a
fost divizat n dou:
RB=RB 1+RB 2,
(2.9)
punctul comun al rezistenelor RB 1 i RB 2, fiind conectat la colectorul tranzistorului
prin intermediul unei diode.
VD
D

VD
IB

RB 2

RB 1

VCE

VBE

VBE

VCE

(a)
(b)
Fig. 2.13. O alt metod de eliminare
a timpului de stocare

Fig. 2.12. O metod de eliminare

a timpului de stocare

Aplicnd K II pe ochiul de circuit din fig. 2.12, obinem:

VD=RB2IB + VBE VCE,
(2.10)
i din condiia de deschidere a diodei:
VD 0,6 V,
(2.11)
rezult:
RB2IB + VB E - VCE 0,6 V
(2.12)
innd seama de faptul c VB E ON 0,6 V , condiia de deschidere a
diodei devine:
VC E RB 2 IB.
(2.13)
Prin urmare, alegndu-l convenabil pe R B2, se poate aranja ca n momentul n
care VC E (vezi fig. 2.4) scade sub o anumit valoare,

VCE

(B)

R B 2 I B VC E

(B)

VCE sat ,

(2.14)
dioda D s se deschid i curentul

de baz I B s rmn fixat la valoarea

corespunztoare punctului B. n acest mod saturaia este evitat, iar valorile I C ( B) ,

VC E ( B) sunt foarte apropiate de cele corespunztoare punctului B, deci saturaiei.

Schema din fig. 2.13, care este de fapt schema unui tranzistor Schottky,
realizeaz evitarea intrrii n saturaie a tranzistorului ntr-o manier similar cu cea
descris mai sus.
ntr-adevr, scriind K II pe schema din fig. 2.13, a, obinem:
VD= VB E - VC E,
(2.15)
i innd seama de faptul c la dioda Schottky tensiunea de prag este 0,35 V, condiia
de deschidere a diodei se poate scrie:

Capitolul 2

29

VD=VB E VC E 0,35 V
(2.16)
sau, innd seama de faptul c VBE ON 0,6 V :
VC E 0,25 V.
(2.17)
V

0
,
1

0
,
2
V
Se observ uor c, ntruct
, condiia 2.14 este
C ESat
satisfcut i n acest caz.
Micorarea timpilor de comutaie prin soluii tehnologice vizeaz reducerea
capacitii de barier a colectorului i creterea vitezei de recombinare a purttorilor
n baz prin doparea acesteia cu atomi de aur.

2.3. Regimul de comutaie al tranzistorului unipolar

Considerm un tranzistor unipolar de tip TECMOS cu canal indus n
conexiune surs comun, fig. 2 .14, i caracteristicile sale de transfer i de ieire,
fig. 2.15 i 2.16.
+V
i

DD

RD
T

ID

C
G

GS

Et.
urm.

vDS

(T2)

Fig. 2.14. Schem pentru studierea

DSsat

=V -V
GS

Regiunea de
nchidere

V =V
GS

VGS

Fig. 2.15. Caracteristica de

transfer a TU

regimului de comutaie al TU
I

Bl

A
V

DD

GS

DS

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

30

Fig. 2.16. Caracteristicile de ieire ale TU

Scriem ecuaia dreptei statice de sarcin pe circuitul de ieire al tranzistorului

din fig. 2.14:
VDD = RDID + VDS
(2.18)
i o reprezentm prin tieturi n planul caracteristicilor de ieire din fig. 2.16. Ca i
n cazul tranzistorului bipolar considerat n paragraful anterior, observm c dreapta
static de sarcin coincide cu cea dinamic pe care urmeaz s se deplaseze punctul
de funcionare n regim variabil.
Conectnd la intrarea circuitului din fig. 2.14 un generator de tensiune
dreptunghiular vG de rezisten intern RG i innd seama de capacitile care apar
la ieire, obinem diagramele de semnal din fig.2.17.
vG vGS

Vp

(a)

t2

t1

vDS
VDD
(b)

cd

t
ci

Fig. 2.17. Diagrame pentru ilustrarea regimului dinamic al TU

Este evident faptul c regimurile tranzitorii generate de salturile pozitive i
negative pe care le nregistreaz v GS n momentele t1 i t2, sunt interpretate de ctre
tranzistoare ca regimuri de nalt frecven, motiv pentru care tranzistorul T 1 din
schema din fig. 2.14, ca i tranzistorul T 2 din etajul urmtor (nedesenat explicit),
pot fi nlocuite cu schemele lor echivalente de nalt frecven din fig. 2.18.
C

G
VGS

C
S

gs

gd

g VGS
m

ds

ds

VDS
S

Fig. 2.18. Schema echivalent la nalt frecven a TU

Capitolul 2

31

Prin urmare, la ieirea circuitului din fig. 2.14 se va vedea nu numai

capacitatea parazit Cp, datorat conexiunilor, ci i capacitatea de ieire drensurs a lui T1, Cds1, mpreun cu capacitatea de intrare gril-surs a tranzistorului
T2 din etajul urmtor, Cgs2 .
Rezult o capacitate echivalent situat ntre dren i surs:
Cech = Cp + Cds 1 + Cgs 2,
(2.19)
avnd o valoare de aproximativ 5 pF.

n intervalul 0 t1 , fig. 2.17, vGS < Vp i, aa cum rezult din caracteristica

de transfer din fig. 2.15, ID = 0, deci tranzistorul este blocat i VDS=+VDD (vezi fig.
2.16). Capacitatea Cech se va ncrca prin RD la valoarea +VDD, cu o constant de
timp R D C ech .
n momentul t1 se produce saltul pozitiv al tensiunii de intrare v GS, salt care
depete valoarea lui Vp i deschide tranzistorul T1. Capacitatea Cech se descarc pe
rezistena dren-surs (rt) a tranzistorului n stare de conducie cu o constant de
timp
1 rt C ech ,
(2.20)
corespunztoare comutaiei directe a tranzistorului (din starea de blocare n starea de
conducie). Tensiunea de ieire vDS se apropie de 0, pe msur ce punctul de
funcionare se deplaseaz de la A ctre B, fig. 2.16.
n tot intervalul t 1 t 2 , tranzistorul T1 conduce, aflndu-se n regiunea
ohmic.
n momentul t2 al producerii saltului negativ al tensiunii de intrare, T 1 se
blocheaz i Cech se va rencrca prin RD la valoarea +VDD cu constanta de timp:
2 R D C ech
(2.21)
,
corespunztoare comutaiei inverse a tranzistorului (din starea de conducie
corespunztoare regiunii ohmice, n starea de blocare).
Durata comutaiei directe i inverse se calculeaz cu relaiile aproximative:
t cd 2,3 1 2,3 rt C ech ;
(2.22)
t ci 2,3 2 2,3 R D C ech
.
(2.23)
ntruct rt 10 K, iar RD100 K, rezult c :
t c i 10 t c d ,
(2.24)
fapt pe care am ncercat s-l ilustrm n fig. 2.17, b.
+VDD
RD
K

+VDD

ID=0
VDS=VDD

RD
K

VDS=0

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

a) Blocat

32

b) Saturat

Fig. 2.19. TU n regim de comutaie, nlocuit cu un ntreruptor

Ca i n cazul tranzistorului bipolar, se observ, fig. 2.16, posibilitatea

aproximrii coordonatelor punctelor A i B cu cele ale interseciilor cu axele de
coordonate a dreptei statice i dinamice de sarcin, fapt care permite o corect
asimilare a funcionrii tranzistorului unipolar n regim de comutaie cu aceea a unui
ntreruptor K deschis (vezi fig. 2.19) - atunci cnd tranzistorul este blocat, respectiv
nchis - atunci cnd tranzistorul se afl n regiunea ohmic.

2.4. Comparaie ntre tranzistorul unipolar i cel bipolar

Prezentm n tabelul 2.1, o interesant comparaie ntre tranzistoarele
unipolare i cele bipolare.
Tab. 2.1

Nr.
crt.

Criteriul de comparaie

Tranzistor
unipolar
(TU)

Tranzistor
bipolar
(TB)

Observaii

Numrul de operaii de
baz n procesul de
fabricaie

35

140

Avantaj
TU

Rebuturi pre de cost

De 5 10
ori mai mic

Avantaj
TU

Suprafa ocupat pe
placheta de siliciu

0,0009 mm2

0,04 mm2

Avantaj
TU

Rezistena de intrare

1012 1018

1 5 K

Avantaj
TU

Cuplajul dintre etaje

Direct

Cu circuite de
polarizare i
depl. de nivel

Avantaj
TU

Rezisten
activ MOS

Nu pot fi
realizate

Avantaj
TU

10 K

1 30

Avantaj
TB

6
7

Realizarea de
rezistene de valori
mari
Rezisten de trecere a
tranzistorului saturat

Capitolul 2

33

(rt)
8

Factor de zgomot

mare

mic

Avantaj
TB

Timp de comutare

mare

mai mic

Avantaj
TB

Se observ cu uurin c tranzistoarele bipolare sunt superioare n ceea ce

privete timpii de comutaie, n timp ce TECMOS-urile sunt superioare din punct de
vedere al puterii consumate, al densiti de asamblare , al preului de cost, etc.

2.5. Reprezentarea electric a variabilelor booleene

n paragrafele anterioare s-a demonstrat corectitudinea aproximrii
funcionrii unui tranzistor (bipolar sau unipolar) n regim de comutaie cu aceea a
unui ntreruptor.
Referindu-ne n continuare la tranzistorul bipolar (concluziile putnd fi uor
extinse i asupra celui unipolar), observm c tensiunile de ieire n stare de saturaie
sunt practic egale cu zero indiferent de tipul tranzistorului (npn sau pnp), dar difer
ca polaritate n cazul n care tranzistorul este blocat (tab. 2.2).
Alocnd valoarea logic 1 strii de blocare i 0 strii de saturaie,
constatm c, n cazul tranzistorului de tip npn, nivelului celui mai ridicat de
tensiune, +VCC, notat cu H (de la High = Sus), i corespunde 1 logic, iar celui mai
cobort, 0V, notat cu L (de la Low = Jos) - 0 logic. Spunem c acest mod de alocare
corespunde logicii pozitive. Dimpotriv, n cazul tranzistorului de tip pnp, nivelului
celui mai cobort de tensiune (-VCC) i corespunde valoarea logic cea mai ridicat,
adic 1 logic, deci ne aflm n cazul unei logici negative .
Tab. 2.2. Explicativ pentru cele dou tipuri de logic: pozitiv i negativ

Tip
tranzistor

npn

Schema aproximativ

Schema
electric

Blocare

Saturaie

+VCC

+VCC

+VCC

RC

RC

RC

VCE
-VCC

-VCC

-VCC

RC

RC

RC

VCE

Pozitiv

+VCC

1 0
R Sat
Bl

Bl Sat
VCE=-VCC K

Tip
logic

VCE=0

VCE=+VCC K

Simboluri
logice
alocate

VCE=0

1 0
R
-V

Regimul de comutaie al dispozitivelor semiconductoare

pnp

34

Negativ

n cele ce urmeaz vom prezenta numai circuite care lucreaz n logic

pozitiv.