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Circuitos de control de disparo aplicado al TIRISTOR

EE432M

Circuitos de control de disparo aplicado al

TIRISTOR
Flix Valentin Santos Caari
felixvsantosc@gmail.com
Escuela Profesional de Ingeniera Elctrica
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

RESUMEN: Este informe le da los CONOCIMIENTOS

PREVIOS necesarios para llevar a cabo en el laboratorio, el
manejo de circuitos de control aplicado a Tiristores.

ON y el resto del tiempo en el estado de OFF. La

cantidad de tiempo que est en cada estado es
controlado por el disparador. La corriente para la
carga puede variarse ajustando la porcin del tiempo
del ciclo que el SCR permanece encendido.

PALABRAS CLAVE: Tiristor, UJT, disparo,Zener.

I. OBJETIVOS
En la presente experiencia se busca experimentar
con circuitos de control aplicado a Tiristores.

Carga
SCR

Fuente de Voltaje

II. FUNDAMENTO TERICO

SCR
El SCR (rectificador controlado de silicio): es un
dispositivo de tres terminales usado para controlar
corrientes ms bien altas para una carga.
ANODO

Formas de Onda
VAK

CATODO

COMPUERTA
G

VCARGA

Figura 1. Smbolo del SCR

Comprende a todos aquellos dispositivos que poseen
cuatro capas en su estructura interna(familia PNPN) y
adems un mecanismo de control.
Un SCR acta a semejanza de un interruptor.
Cuando est encendido hay una trayectoria de flujo
de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo.
Acta entonces como un interruptor cerrado. Cuando
est apagado no puede haber flujo de corriente del
nodo al ctodo. Por tanto acta como un interruptor
abierto. Dado que es un dispositivo de estado slido,
la accin de conmutacin es muy rpida
El flujo de corriente promedio para una carga puede
ser controlado colocando un SCR en serie con la
carga. Si la alimentacin de voltaje es ca. el SCR
pasa una cierta parte del ciclo de ca. en el estado de

Figura 2. Forma de onda

En la figura anterior se muestra la forma de onda de
un circuito de control con SCR. Al momento que el
ciclo de ca. inicia su parte positiva, el SCR est
apagado. El voltaje instantneo a travs de sus
terminales de nodo y ctodo es igual al de la fuente.
Dado que el SCR interrumpe en su totalidad el
suministro de voltaje, el voltaje a travs de la carga
es cero durante este lapso. Como se observa luego
de transcurrido un tercio del semiciclo positivo el
voltaje nodo ctodo del SCR cae a cero, indicando
que comienza la etapa de conduccin; se puede decir

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entonces que el ngulo de retardo de disparo es de

60 y el ngulo de conduccin es de 120.

Circuito 2:

Caracterstica de la compuerta de lo SCR.Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente

aplicado a la corriente aplicado a la compuerta. Esta
corriente de compuerta (iG) fluye por la unin entre la
compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal
del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta
necesaria para disparar un SCR est en el rango de
0,1 a 50 mA y el voltaje entre la compuerta y el
ctodo debe ser ligeramente mayor a 0,6 V.
Una vez que el SCR ha sido disparado, no es
necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a
travs de los terminales principales, de nodo a
ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la
corriente de nodo a ctodo caiga por debajo de un
valor mnimo, llamado corriente de retencin, el SCR
se apagar.
Circuitos comunes de control de compuerta.Rcarga

R1

Fuente de Voltaje
R2
SW

Circuito 1
Cuando se cierra SW, habr corriente en la
compuerta cuando el suministro de voltajes sea
positivo. El ngulo de retardo de disparo es
determinado por el valor de R2. Si R2 es bajo, la
corriente de compuerta ser
lo suficientemente
grande para disparar el SCR cuando la fuente de
voltaje sea baja. Luego el ngulo de disparo ser
pequeo, y la corriente de carga promedio ser alta.
El propsito de R1 es mantener una resistencia fija
en la terminal de la compuerta, an cuando R2 es
cero. Esto es necesario para proteger la compuerta
contra sobrecarga. R1 tambin determina el ngulo
de retardo de disparo mnimo.
Una desventaja de este circuito de disparo est en
que el ngulo de retardo de disparo slo puede
ajustarse entre 0 y 90.

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Rcarga

R1

Fuente de Voltaje
R2

El mtodo ms sencillo para mejorar el control de la

compuerta es agregar un capacitor a la terminal
inferior del resistor de la compuerta. La ventaja de
este circuito es que el ngulo de retardo de disparo
puede ser ajustado ms all de los 90. Cuando la
fuente ca. es negativa, el voltaje inverso a travs del
SCR es aplicado al circuito de disparo RC, cargando
negativamente el capacitor en la placa superior y
positivamente la placa inferior. Cuando la fuente entra
en su semiciclo positivo, el voltaje en directa a travs
del SCR tiende a cargar a C en la direccin opuesta.
Sin embargo, la acumulacin de voltaje en esta
nueva direccin es retardada hasta que la carga
negativa es removida de las placas del capacitor.
Este retardo en la aplicacin de un voltaje positivo a
la compuerta puede ser extendido ms all del punto
de los 90. A mayor resistencia del potencimetro,
mayor es el tiempo de que tarda la placa superior de
C en cargarse positivamente, y por tanto el disparo
del SCR se retarda.
EL UJT (Unijunction transistor) : Es un dispositivo de
conmutacin de transicin conductiva. Es un
dispositivo de tres terminales que se denominan
emisor, base1 y base2.

Base 2
E
Emisor

Base 1

Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 es

menor que cierto valor llamado voltaje pico, el UJT
est apagado y no puede haber flujo de corriente de
E a B1. Cuando el voltaje de emisor a base 1 excede
al voltaje pico por una cantidad muy pequea, el UJT
se dispara. Cuando esto ocurre, el circuito de E a B1
se vuelve casi cortocircuito, y la corriente puede
descargarse de un terminal a otro. En la mayora de
los circuitos UJT, la descarga de corriente de E a B1
es de corta duracin, y el UJT pronto se revierte a la
condicin de apagado.

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A. Los UJT en circuitos de disparo para SCR.Los UJT casi son ideales como dispositivos de
disparo para los SCR. A continuacin indicamos
varias razones de la compatibilidad entre los UJT y
los SCR:
-

El UJT produce una salida tipo pulso, que es

excelente para asegurar el encendido de un SCR
sin forzar la capacidad de disipacin de carga de
compuerta del SCR.

El punto de disparo del UJT es inherentemente

estable sobre un rango de temperatura amplio.
Puede hacerse an ms estable con muy poco
esfuerzo. Esto anula la inestabilidad trmica de
los SCR.

Los circuitos de disparo con UJT pueden

adaptarse con facilidad para el control
realimentado.

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el voltaje de
encenderse.

nodo

ctodo

correcto

para

III. CUESTIONARIO
Describa el funcionamiento del circuito A y diselo.
Repetir la parte 1 para el circuito B,C y D

IV. DESARROLLO DEL CUESTIONARIO

ANLISIS DE LOS CIRCUITOS:
Circuito A:

Rcarga

Caracterstica del SCR:

Rd

iGT max 15 mA

Ref
Fuente de
Voltaje

R2

Rev

V
SCR

ZD1

CE

R1

Gmx

12 V

ILmax 40 mA
Para la curva positiva de la figura:

V VGK
R1 R2 R3

IG
En este circuito, el diodo zener ZD Recorta la forma de
onda de la fuente de voltaje al voltaje nominal del zener
(generalmente unos 20 V con una fuente de 120 V ca)
durante el medio ciclo positivo de la lnea de ca. Durante el
medio ciclo negativo ZD1 est con polarizacin en directa
y mantiene cerca de 0 V a Vs.

Una vez que se ha establecido el voltaje de cd Vs, lo

que ocurre muy poco despus del cruce por cero
hacia positivo, de la lnea de ca. CE comienza a
cargarse a travs de RE. Cuando CE alcanza el
voltaje pico del UJT, ste se dispara, creando un
pulso de voltaje a travs RE . Esto dispara SCR,
permitiendo as el flujo de corriente a travs de la
carga poor el resto del semiciclo positivo.
Este arreglo del circuito proporciona una
sincronizacin automtica entre el pulso de disparo
del UJT y la polaridad del SCR. Es decir, cuando el
UJT entrega un pulso, se garantiza que el SCR tenga

como :

V VGK
la

expresin

IG
en

IG

R2 R3 R1

anterior

se

puede

aproximar

a:

V
R2 R3
funcin

del

tiempo

se

tiene:

220 2 sen( wt )
...................(1)
R2 R3

Para

wt d
:

0, 015

(d : ngulo de retardo de disparo) en (1)

220 2 sen( d )
R2 R3

sen( d )

0, 015( R2 R3 )
220 2

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0,5 sen d 1

entonces

0,5

10,368x10 (R1 R 2 ) 20,7395x10

1
1
1

wC 2 60C 120 C

XC

Para un ngulo de disparo entre 30 y 90:

0,015(R1 R 2 )
220 2

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Como R1 R2 R 3

V 220 2 sen( wt )

Z
X C 2 ( R2 R3 ) 2

10 K (R1 R 2 ) 20 K

Luego VC :
( R1 R2 ) mn 10 K

R1 10 K , R2 100

VC

( R1 R2 ) mx 20 K

R1 10 K , R2 10 K

Pero:

R2 10 K

220 2 X C sen( wt 90)

X C 2 ( R2 R3 ) 2

VC VGK 0, 6

220 2 X C sen( wt 90)

X c 2 ( R2 R3 ) 2

R3 0 10 K
R1 1K
Cuando se cierra SW, habr corriente en la
compuerta cuando el suministro de voltajes sea
positivo. El ngulo de retardo de disparo es
determinado por el valor de R3. Si R3 es bajo, la
corriente de compuerta ser
lo suficientemente
grande para disparar el SCR cuando la fuente de
voltaje sea baja. Luego el ngulo de disparo ser
pequeo, y la corriente de carga promedio ser alta.
El propsito de R2 es mantener una resistencia fija
en la terminal de la compuerta, an cuando R3 es
cero. Esto es necesario para proteger la compuerta
contra sobrecarga. R2 tambin determina el ngulo
de retardo de disparo mnimo.
Circuito B:

para

0, 6

d 100
220 2 X C

X C ( R1 R2 ) 2
2

sen (10 ) 0,6

....

(*)
De (*) obtenemos la siguiente expresin:

XC
0,01048355
R1 R2

1
0,010
2 60C ( R1 R2 )

Luego:

C ( R1 R2 ) 0,253

R1 R2 110 K
C 2,1085
R1 R2 110 K
C 2,53

R1 10 K
R2 100 K
C 2,2 F
R L 100

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SCR:

iGT 15 mA
V

Gmx

12 V

IL 20 mA
Cuando la fuente ca. es negativa, el voltaje inverso a
travs del SCR es aplicado al circuito de disparo RC,
cargando negativamente el capacitor en la placa
superior y positivamente la placa inferior. Cuando la
fuente entra en su semiciclo positivo, el voltaje en
directa a travs del SCR tiende a cargar a C en la
direccin opuesta. Sin embargo, la acumulacin de
voltaje en esta nueva direccin es retardada hasta
que la carga negativa es removida de las placas del
capacitor. Este retardo en la aplicacin de un voltaje
positivo a la compuerta puede ser extendido ms all
del punto de los 90. A mayor resistencia del
potencimetro, mayor es el tiempo de que tarda la
placa superior de C en cargarse positivamente, y por
tanto el disparo del SCR se retarda.

Circuito C:

Circuito D

EE432M

V. REFERENCIAS
BT 151-500R Product data sheet, NXP
Semiconductors
BT 136-600D Product data sheet, NXP
Semiconductors,4Q TRIAC
RASHID M., Electrnica de potencia
MALLONEY, Electrnica de potencia