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BJT
FET
Diodo Gunn
Donde
Si R2 es menor que 4L/C tendremos que el resultado de la expresin
dentro del radical ser negativa y por tanto A es compleja. Por tanto
podemos decir que:
El Efecto Gunn
Bandas de Energa
La estructura de las bandas de energa del diodo Gunn se muestra en
la siguiente figura:
Estructuras:
Unin pn: generacin de pares en zona de alto campo. Los eson barridos rpidamente hacia la zona n; los huecos por deriva
hacia la p, el tiempo empleado es igual al de trnsito.
Diodo Read (n+-p--p+): 1)regin de avalancha (o<x<b)
2) regin de deriva (b<x<b+w)
Estructura lo-hi-lo: grupo de carga Q en x=b mediante
tcnicas epitaxiales (MBE)
Caractersticas dinmicas:
Superposicion dc+ac.
Se supera campo critico => aparecen huecos en zona de avalancha.
Siguen apareciendo huecos mientras E>Ec (desface /2).
Deriva de huecos hacia el contacto P+ => corriente de huecos
desfasada en respecto a la tension ac.
Tiempo de transito = mitad del periodo de oscilacion
Bibliografa