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Osciladores de Microondas

Una definicin seria que es un sistema electrnico que genera una


seal de RF sin necesidad de que exista una excitacin alterna a la
entrada.
Idealmente un oscilador genera una corriente de la siguiente forma:

En la practica tanto la amplitud A como la frecuencia f 0 fluctuan alrededor de


sus valores medios.

Los criterios para hacer el diseo del oscilador sern:

Fijar los niveles de A y f0


Minimizacin del ruido de fase
Ajustar la frecuencia de oscilacin

Fundamentos de un Oscilador de Microondas:


La seal alterna de la salida se obtiene a partir de la energa continua
de la polarizacin del dispositivo.
Podra definirse el oscilador como: un circuito que transforma la
energa contina en energa alterna.
La seal alterna se puede estudiar en el dominio del tiempo o de la
frecuencia.

Componentes de un Oscilador de Microondas:


Un elemento de resistencia negativa, tpicamente un dispositivo
activo que puede ser un diodo o un transistor.
Una estructura resonante pasiva que fuerza una oscilacin sinusoidal.
Una estructura de acoplamiento entre las 2 anteriores.

Elementos activos de un Oscilador de Microondas:


Dispositivos de dos terminales:

Diodos Gunn: ruido de fase pequeo.


Diodos Impatt: potencia de salida alta y buena eficiencia

Dispositivos de tres terminales:

BJT
FET

Clasificacin de los Osciladores

Parmetros caractersticos de un Oscilador

Propiedades de los resonadores tpicos

Diodo Gunn

El diodo Gunn est basado en el descubrimiento de que materiales


semiconductores como el Arseniuro de Galio al ser excitados con una
tensin continua, genera frecuencias en el espectro de las
microondas, todo esto con la particularidad de no usar contacto
hmicos.
Osciladores de Resistencia Negativa diodo Gunn Como ya se
mencion en las secciones anteriores el diodo Gunn, tiene la
caracterstica principal de que posee una regin de resistencia
dinmica negativa, la misma que es usada para fabricar osciladores.
Para hacer un anlisis ms comprensible de cmo se van a generar
estas oscilaciones consideremos el siguiente circuito RLC.

Haciendo el anlisis en AC tendremos que la ecuacin de voltajes es:

Al resolver esta ecuacin tendremos que i(t) tiene la siguiente forma:

Donde
Si R2 es menor que 4L/C tendremos que el resultado de la expresin
dentro del radical ser negativa y por tanto A es compleja. Por tanto
podemos decir que:

Por lo que ahora podemos afirmar que el circuito posee una


resistencia negativa, y que se encuentra oscilando sinusoidalmente

con una frecuencia , adems que la amplitud de la oscilacin crece


exponencialmente con el tiempo.

Esta es la base fundamental de los osciladores Gunn, ya que el


circuito resonante se consigue a travs de cavidades coaxiales, de
gua de onda u otro tipo de dispositivo. En cualquier caso la
resistencia negativa la da la caracterstica del diodo Gunn, y el
circuito resonante la da la geometra de los elemento.
Si alteramos el circuito anteriormente analizado, cambiando la
resistencia por una resistencia de carga RL, y un diodo Gunn el mismo
que ofrece una resistencia negativa r (V) bajo ciertas condiciones,
entonces la curva de resistencia dinmica total del circuito seria:

Como podemos observar la parte comprendida entre las lneas


verticales corresponde a la zona de resistencia influenciada por el
diodo Gunn.
Un voltaje DC debe ser aplicado al diodo Gunn a travs de una
inductancia, este voltaje debe conducir al diodo a operar en la zona
de resistencia negativa.

El Efecto Gunn
Bandas de Energa
La estructura de las bandas de energa del diodo Gunn se muestra en
la siguiente figura:

Como podemos apreciar se incluyen tanto las bandas de valencia


(energa de electrn negativa) y de conduccin (energa de electrn
positiva); nos concentraremos en las bandas de conduccin (sobre el
eje horizontal). Al observar detenidamente la primera banda sobre el
eje horizontal encontramos que la misma presenta 3 valles.
Los electrones tienden a ocupar siempre el centro de los valles, para
mejor explicacin se aproxima los 2 valles G y L en la siguiente figura:

La energa de cada electrn en el valle en que se encuentre, puede


aproximarse a travs de la siguiente expresin:

Proceso de Transferencia de electrones

Diodo Impatt (impact ionization avalanche


transit time)
Produce resistencias negativas en rango de microondas basado en
propiedades de ionizacin por impacto y tiempo de trnsito.
Es una de las mejores fuentes de potencia de estado slido.
Uno de los inconvenientes es el ruido que proviene del proceso de
avalancha

Estructuras:

Unin pn: generacin de pares en zona de alto campo. Los eson barridos rpidamente hacia la zona n; los huecos por deriva
hacia la p, el tiempo empleado es igual al de trnsito.
Diodo Read (n+-p--p+): 1)regin de avalancha (o<x<b)
2) regin de deriva (b<x<b+w)
Estructura lo-hi-lo: grupo de carga Q en x=b mediante
tcnicas epitaxiales (MBE)

Como la region de alto campo es constante se necesita un valor de


campo critico menor=> calentamieton menor.

Caractersticas dinmicas:

Superposicion dc+ac.
Se supera campo critico => aparecen huecos en zona de avalancha.
Siguen apareciendo huecos mientras E>Ec (desface /2).
Deriva de huecos hacia el contacto P+ => corriente de huecos
desfasada en respecto a la tension ac.
Tiempo de transito = mitad del periodo de oscilacion

Vs=velocidad de saturacion (=107 cm/s, Si, 300k), (E>8 -104 V/cm).


Rendimiento de la conversion dc->ac

Bibliografa

Grupo de radiofrecuencia, UC3M, septiembre 2009. Tema 11:


Osciladores de Microondas
M.Golio the RF and Microwave Handbook CRC Press 2001

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