Bsp. 2 Schalten induktiver Lasten Es jst die in der Skizze dargestelite Schaltung gegeben. Vor dem Einschatten flie®t kein Strom i (0) = 0. Kennlinie der idealen Diode Dioole — sbatis4 a) Bestimmen Sie fur den Einschalt- und den Ausschaltvorgang die prinzipiellen Verlaute (Gleichung und Skizze) des Stromes durch den Schalter ig, durch die Last i, und durch die Diode ip sowie der Spannungen Uber den Schalter ug und Uber der aus Induktivitat und Widerstand bestehenden Last ua, b) Wie andem sich diese Verlaufe, wenn an Stelle der Freilaufdiode D eine Reihenschal- tung von Diode und Z-Diode verwendet wird? c) Uberlegen Sie sich, welche Verlaufe sich fur die Stréme is, i, und ip ergeben, wenn mit einer Taktfrequenz von fr = 10 kHz geschaltet wird und die Schaltung schon mehrere ‘Sekunden in Betrieb ist. Gehen Sie von einem Taslverhaltnis D = ta/T = 0,6 aus. Die Werte fur die Last (Widerstand und Induktivitat) betragen dabei R=019 L = 10 mH. Bsp.3 Streuinduktvitéten von Leitungen Fur den elektrischen Anschlu8 der Leistungsschalter an den Zwischenkreis (Zwischenkreis- Kondensator) sind drei Leitungsfahrungen (Cu) als parallelliegende zylindrische Leiter, koa- xiale Leiter und parallelliegende rechteckige Leiter beziiglich ihrer Streuinduktivitaten zu untersuchen Leitungslange 1=300 mm Abstand zwischen den Leitern a =0,5mm Radius der rundenLeiter mm Breite und Hohe der rechteckigen Leiter 1mm; h = $0. mm A) ‘August 2001 LE_IND_Ot 2a) Bestimmen Sie die Streuinduktivitaten [162 nH; 66 nH: 4,7 nH} (Fur die die Berechnung der Streuinduktivitat der rechteckigen Platten moge naherungsweise die Bedingung a << b erfult sein ) b) Welche Auswirkung hat die Beriicksichtigung der Streuinduktivitat in den Zuleitungen der Schaltung von Aufgabe 2 fir den Verlauf der Strme und Spannungen von Aufgabe 2c) c) Welche SchluBfolgerungen ergeben sich aus den Berechnungen der Streuinduktivitaten fur die Ausfuhrung der Zuleitungen? Bsp. 4 Schalten am Wechselstromnetz Ein Magnet der induktivitat L = 1 H und dem Innenwiderstand Rj = 60 © wird bei festgehal- tenem Anker an Wechselspannung 230 V/50 Hz angeschattet. a) Bestimmen Sie unter Vernachlassigung des Innenwiderstandes den sich einstellenden ‘Strom, wenn einmal im Nulldurchgang und einmal bei dem Maximaiwert der Spannung eingeschaltet wird: Wie gro8 sind die sich einstellenden Effektivwerte des Stromes? [1.27 A; 0,73 Al b) Bestimmen Sie unter BerUcksichtigung des Innenwiderstandes den Stromverlauf bei ei- nem Schaltvorgang im Nulldurchgang der Spannung c) Uberlegen Sie, wie sich der Verlauf des Stromes andern wird, wenn der Magnetkreis auf Grund des EinschaltstromstoBes in die Sattigung gerat? Bsp. 5 Phasenanschnittsteuerung Fin (nach stillstehender) Gleichstrommotor wird mit einer Phasenanschnittsteverung an 230 VSO Hz betrieben (siehe Skizze) Der sich einstellende Strom berechnet sich zu ) 4sin(y -ade >} mit = =are tan( Bestimmen Sie fur einen Steuerwinkel von « = 60° den Strom und die Ventilspannung am ‘Thyristor. Skizzieren Sie den Verlauf. Tragen Sie die Leitdauer 5 ein, agus 2001 UE WNO.O1 aFachhochschule Jena Fachbereich Elektrotechnik Prof. Dr. Dittrich Leistungselektronik Korrespondenzen der Laplace - Transformation Ne Zeitfunktion f(t) L 3) Impuls 2 ott) Sprung ie 2 3 T iE 1-e# 5 1 . sin-wt 5 cose é 1 ~cos-w! 9 10 i Fo Differentation 12 JF(O-dt Integration 13 IW) *fy (1) Faltung JAM-A dar Bildfunktion 1+pr 1 pater) 1 1 PL +p) Hp The") p-F(p) -f(-0) Frey {jrco-al FR) Fp)Fachhochschule Jena Fachbereich Elektrotechnik Leistungselektronik Prof. Dr. Dittrich Streuinduktivitaten Schutze, Th. Inverters with IGBT High Power Modules. PCIM Europe 6/1997 0a seanatia miconductor ine a eo ie comslal cable ee “ 5 tiptoe (busbar) ~~ HR oF spprenimation t ribbon tin-condueto ine | |Fachhochschule Jena — Fachbereich Elektrotechnik Leistungselektronik Prof. Dr. Dittrich Induktivitaten haufig vorkommender Anordnungen ordi 7 [ona : [oemconaen : a : “weiter Klammecausdeuck = inners, E-—}-f—+- « ar * ‘von L. Bet Eisenfeiter Kenn leiebt L, i$ lig bela 0,9 hich ancina pe 2a(te HIRES 7 wenn aeBedem bf (ict aneoat 21,% fiegende Bleche) ce wpe mtg Be ie Ged egg ce apt ba re Blatt are ssciesUieat gett eee fee Catan any ies id: Hodes des Aes seam Quran von Toney wad A Philippow. Taschenbucl{Fachhochschule Jena FB Elektrotechnik & Informationstechnik Prof. Dr. Dittrich Z 2 _ eae Leistungselektronik Dioden Bsp. 1 Diode im Schalterbetrieb In der nachfolgend angegebenen Schaltung arbeitet eine Diode IDP12E120 (Ty * 125°C) als Freilaufdiode. Die Last wird mit einer Taktfrequenz fy = 20 kHz und einem Tastverhdltnis D = 0,25 (Tastverhaltnis D = Einschaltzeit des Transistors / Taktzeit T) geschaltet. Die Schaltung befindet sich im eingeschwungenen Zustand und es flieBt ein nahezu konstanter Laststrom I = 12 A. Die Stromanstiegsgeschwindigkeit beim Schalten betrage dir/dt = 500 Alps. « O-———_F a2 $7 — #O | | | [i i oll Boo sO Be i Transistor oi Uz = 800 V en zeitlichen Verlauf des Laststromes, des Stromes durch den Schalter a) Skizzieren Sie di fer Diode und den zeitlichen Veriauf der und durch die Diode, die Spannung an d Verlustieistung in der Diode Kennzeichnen Sie insbesondere den Verlauf der Kommutierung mit der Sperrverzogerungsrlickstromspitze und der Sperrverzogerungszeit tr (Und ts, tf) ) Bestimmen Sie die DurchlaBvertuste Peay Sperrverluste Pray Ausschaltverluste Pr, und die Gesamtveriuste Pay = Pex der Diode. September 2002 LE_OIOOE_02Fachhochschule Jena FB Elektrotechnik & Informationstechnik Leistungselektronik Prof. Or. Dittrich Schalten mit MOSFET Beispiel 1 Ansteuerung MOSFET Eine aktive induktive Last soll durch einen MOSFET SPP11NGOSS an einer Zwischen- kreisspannung Uz = 480 V_mit einer Taktfrequenz von fr = 20 kHz geschaltet werden. Der Einschaltvorgang fur jeden Takt soll nach jeweils 200 ns abgeschlossen sein, Ermitteln Sie die GréBe des einzupragenden Stromes, damit nach der geforderten Zeit die Gate-Source Spannung den Wert von 10 V erreicht hat. Verwenden Sie das Diagramm der typischen Gate-Ladung. Beispiel2 Schaltvorgang MOSFET Eine aktive induktive Last soll durch einen MOSFET SPP11NGOS5 an einer Spannung von U, = 400 V,, bei einem als konstant anzunehmenden Strom durch die Induktivitat von 10 A und mit einer Taktfrquenz von fr = 10 kHz geschallet werden. Die Schaltung befindet sich langere Zeit nach der Inbetriebnahme im stationaren Zustand. Die Ansteuerung erfolgt Gber einen Treiber, der eine Rechteckspannung Usme = 10 V/0 V abgibt. Der Gate-Vorwiderstand betragt Ro: = 50 @ und der inteme Gatewiderstand des MOSFET Rem = 6,8 ©. Die Betriebstemperatur des MOSFET betrage T, = 80° C. Die Diode wird als ideal (Q,, = 0) angenommen oT | oe exe) | ee september 2002 LE_MOS_02 1a) Vergegenwartigen Sie sich das Ersatzschaltbild des Leistungs - MOSFET. Tragen Sie in das Diagram von Usne den Zu erwartenden und zu den Verlaufen Uns(t) bzw. I(t) passenden Verlauf von Ucs(t) ein. Kennzeichnen Sie weiterhin im Diagramm Zeiten VON tejon, fe, tons tom fr UNG ter “onive 1 é Uos fy Ws i [— Lf Ny : b) Bestimmen Sie die Einschaltverzugszeit tacn) und die Einschaltzeit to Berechnen Sie dazu den Aufladevorgang der Eingangskapazitat Ci. Wie gro8 ist die mittlere Stromanstiegsgeschwindigkeit? Gehen Sie vom folgenden Ersatzschaitbild aus woseeT L_s (Hs, 2 Mes) ©) Bestimmen Sie die Fallzeit der Spannung ty \owie die Geschwindigkeit der Span- nungsanderung. Gehen Sie vom folgenden Ersatzschaltbild aus. Die Indiktivitat mit naherungsweise h. = konst, wird hier als Stromquelle angenommen. In der Zeit ty wird die Drain-Gate- Kapazitat umgeladen werden. Gehen Sie davon aus, dass in der Zeit t, die Gate-Source-Spannung konstant sei. moster september 2001Ausschaltvorgang 4d) Bestimmen Sie die Zeit bis zum Anstieg von Uns {20 ns} ) Berechnen Sie die Anstiegszeit der Spannung t, unter Annahme eines mittleren Wertes fur die ROckwirkungskapazitat Cres bei Ups = 10 V und vergleichsweise und bei Ups = 100 Vv. [7 ns, 253 ns] f) Bestimmen Sie die Fallzeit des Stromes. [56 ns] Beispiel 3 Schaltverhalten mit Dioden und Streuinduktivitaten In der folgenden Skizze ist der Strom bei einem idealisierter Schaltvorgang unter Vernach- lassigung der realen Diodeneigenschaften sowie der Streuinduktivitaten fur den stationaren Zustand dargestellt. Als Diode wird eine IDP12E 120 (T, = 125 °C, Die fur Ur = 800 V an- gegeben Werte mogen auch fur den vorliegenden Fall gelten.) eingesetzt und die Streuin- duktivitat betrage 0,5 HH. a) Um was far eine Schaltung handelt es sich? b) Zeichnen Sie maQstablich den zu erwartenden realen Stromvertauf io(t) und den Span- nungsveriauf Upsit) in die Skizze ein. b) Zeichnen Sie den zu erwartenden Verlaut Io(Ups) wahrend des Ein- und Ausschaltens in das SOA-Diagramm des MOSFET SPP1 1N60S5 ein Schatzen Sie ein, ob der Veriauf zulassig ist me 300 8 200 | 100 of 2 0 100 200 300 400 s00 600 760 #00 990 september 2002 LE_MOS_02o¢e———— A Sone Leistungselektro ik | JENA cnn Fa Prof, Di-ing. P Dithich | Schalten mit MOSFET fur Annahme, dass die Kapazitaten des MOSFET kanstant sind - Schaltung mit SIMPLORER erstellen auf Polung der Bauelemente, insbesondere der Quellen achten - Ansteuerung mit Zustandsgraph programmieren Se + Keniinien fefinieren fe statische Diodenkenniinie: Functionsmadul / Kennlinien / EXP Transtetkenniinie des MOSFET mit Hilfe DAY in Datenfile *.MDX fur Functionsmedul / Kennlinien / XY LINT Gberlragen - Im Ausgabementi der Bauelemente Ausgabewunsche 28. fir DISPLAY / Standardelemente / Quick View festiegen Umfangreiche Ausgabe ist in DAY méglich (vother Ausgabe in Datei ASCII festiegen) = | it Ne St bp = We 6 20m som rs000 7 - Mit der Schaltung experimentieren bei der Nachbildung der induktiven Last durch Stromquelle treten weniger Einschwingvorgadnge bei Beginn der Simulation auf 111 ouf Simulationsparameter, insbesondere Zeiten fUr Schitweite achten septembet 2001 Moxfot chat|Zustandsgrat und Startwertzuweisung | ones rRas2 orale Take ets a -O—f--O— 4 Takizet -Otm | eIN14 EIN23 | tsync = 0 | SET i= ss1i=1 SET: =sst:=0 D075 | SET. = ss2'=0 ‘SET: = ss2=1 SET. = tsynet i (60.00 vt | 25.00 lta Rid lt 00 -0.50 060m = 0.80m 1.00m —t September 2003 LE_IND_O2[Fachhochschule Jena FB Elektrotechnik & Informationstechnik Leistungselektronik Prof. Dr. Dittrich Thermische Belastbarkeit Beispiel 1: Verluste bei ohmscher Last Eine ohmsche Last R = 57 © an einer Gleichspannung Uz = 400 V wird mit Hilfe eines MOSFET SPP11N6OSS (Betriebstemperatur T = 100° C, Ugs = 10 V) bei einer Taktire- quenz von 20 kHz ein- und ausgeschaltet, wobei das Taktverhaltnis D = 0,5 betragt. Die Schaltzeiten betragen t, = 50 ns und t= 100 ns (lineare Verlaufe). a) Bestimmen Sie den zeitlichen Verlauf der Verlustleitung p(t) Wie gro8 ist der Spitzenwert der momentanen Verlustletstung p(t)? [700 Ww) b) Bestimmen Sie die mittlere Verlustleistung 164 c) Bestimmen Sie die bei Einhaltung der angegebenen Betriebstemperatur maximal zulas- sige Gehausetemperatur T. unter der Annahme, da die unter b) ermittelte mittlere Ver- lustleistung kontinuierlich auftrit. (83,6°C] d) Bestimmen Sie fur die eingangs gewahite Betriebstemperatur T, = 100°C mit Hilfe des Diagramms zur transienten thermischen Impedanz die maximal zulassige Gehausetem- peratur T. unter der Annahme, da@ nur in der Leitendphase Verlustleistungsimpulse Po auftreten [85.1°C] Beispiel 2: Verluste bei induktiver Last Eine induktive Last an einer Gleichspannung Uz = 400 V wird mit |lilfe eines IGBT SGP10N60 (Betriebstemperatur T; = 100°C, Uce = 15 V) mit 20 kHz ein- und ausgeschattet {0 = 0,5). Der sich einstellende Laststrom betragt 10 A. Der Strom- und Spannungsveriauf ist vereinfacht in der folgenden Skizze dargestellt a) Bestimmen Sie fir die Zeiten tor, t- und ty die Verlustenergien [0,53 mWs; 0,1 mWs; 0,2 mWs] b) Bestimmen Sie die mittleren (auf die Taktzeiten hochgerechneten) Verlustleistungen Pon Panam, Pawo UN Prx. [10,5 W; 2 W; 4 W] c) Wie gro8 ist der Spitzenwert der momentanen Verlustleistung pmax? [4 kW] | 7 i | < . 7 | | 5 2 2 | 3 | 2 | 5 a \ 3 -100 oO 100 200 300 400 september 2001Beispiel 3: Auswahl eines Kahikérpers ‘An einem IGBT SGP 10N60 entsteht im Dauerbetrieb eine Verlustleistung von P = 20 W. Die Betriebstemperatur soll T, = 125°C nicht Gbersteigen, wobei von einer maximalen Um- gebungstemperatur von 40°C auszugehen ist. Fur den thermischen Widerstand zwischen Gehause und Kuhlkorper konnen folgende Werte angenommen werden: Riv =0,8K/W far isolierte Montage mit Glimmerscheiben 0,05 mm (Durchschlagfe- stigkeit ca. 2,5 KV) und Verwendung von Warmeleitpaste Re,cn = 0,3 KAW direkte Montage unter Verwendung von Warmeleitpaste a) Bestimmen Sie die sich unter den gegebenen Randbedingungen einstellende Gehause- temperatur far T, = 125 °C [101°C] b) Bestimmen Sie fur isolierte sowie direkte Montage die maximal zulassige Temperatur des Kahikérpers. [85°C; 95°C] c) Bestimmen Sie fur die beiden Ausfahrungen den zulassigen Warmewiderstand des Kahlkérpers und wahlen Sie einen Kihikérper (siehe Begleitmaterial) aus. [2,25 KW; 2,75 KV] Beispiel 4: _Impulsbetrieb Ein IGBT SGP10N60 wird mit einer Grundiast betrieben, die die Betriebstemperatur auf Ts = T, = 100°C ansteigen laBt. Da der Leistungsschalter in einer Regelung betrieben wird, ist mit in bestimmten Zeitabstanden auftretenden (siehe Skizze) Stromimpulsen zu rechnen, die den IGBT zusétzlich belasten Es kann davon ausgegangen werden, daB sich wahrend der angegebenen Impulszeiten die Gehausetemperatur nicht andert Bestimmen Sie mittels der transienten thermischen Impedanz die Sperrschichttemperatur T zu den Zeitpunkten t = 2 ms; 3 ms und 3,2 ms. Gehen Sie vereinfachend von der far T, = 100°C/10 A angegebenen Sattigungsspannung Ucetsan @Us. [106,7°C; 102,5°C; 106,7°C] Strom /A ‘september 2001 2)Fachhochschule Jena Fachbereich Elekurotechaik Leistungselektronik Prof. Dr. Dittrich, Profilkiihlkérper aus Al Mg Si 0,5 F 22 ‘ype: PR 125 ‘ype: PR 128 ‘ype: PR 129 ‘ype PR 130 tye: PR 131 Alutronic