4 1 Detectores

Universidad de Zaragoza
Comunicaciones ópticas
4.1.- detectores para sistemas de

comunicaciones ópticas
- conceptos básicos de detección óptica
- fotodetectores basados en uniones p-n
- el fotodetector p-i-n
- fotodiodos de avalancha (APD’s)
- ruido en fotodiodos
Ignacio Garcés, Javier Mateo

Grupo de Tecnologías de las Comunicaciones
Dpto.Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
- introducción al tema 4
Un detector es el final de un sistema de comunicaciones ópticas, donde la luz

inyectada desde un láser de semiconductor a una fibra óptica se convierte otra vez
en una corriente eléctrica. Dicha corriente, a su vez, será amplificada, filtrada, y
llevada al sistema de decisión. Al conjunto de elementos que forma la unión del
detector y la electrónica asociada la denominaremos receptor óptico. Los
detectores usados en sistemas de comunicaciones ópticas están basados también
en materiales semiconductores donde la absorción de fotones va a dar lugar a un
aumento de la conductividad del medio a través del efecto fotoeléctrico: absorción
de fotones y generación de pares electrón-hueco. En particular estos detectores
están basados en uniones p-n especiales que presentan ventajas tales como:
pequeña área de detección, alta responsividad, bajo ruido y ancho de banda
elevado. Existen dos tipos básicos de detectores de comunicaciones ópticas: el
fotodetector p-i-n y el fotodetector de avalancha. En este punto 4.1 estudiaremos
sus características más relevantes, mientras que en el siguiente punto
estudiaremos el sistema de recepción completo.
Comunicaciones Ópticas 2 4.1.- Detectores

- conceptos básicos de detección óptica
En el concepto de detección óptica está implícito el concepto de absorción de
potencia óptica. La absorción de fotones por un medio puede dar lugar a la
generación de electrones en banda de conducción, lo que equivale o bien a generar
una corriente proporcional al número de fotones absorbidos o bien a modificar la
conductividad de un semiconductor; por otra parte si la energía de los fotones
incidentes es suficientemente alta puede también dar lugar a la extracción de
electrones de un material, que sería el efecto fotoeléctrico (se puede dar tanto en
metales como en semiconductores).
e- libre - En un proceso de detección
Nivel de extracción fotoeléctrico se dan los siguien-
tes procesos:
a) generación de portadores a
hν partir de la absorción de fotones
hν Par electrón-hueco b) transporte de los portadores
a partir de un campo eléctrico,
lo que da lugar a corriente
eléctrica.
- En algunos fotodetectores se
Absorción y generación de dan a su vez procesos de
un par electrón-hueco: ganancia (APD’s, fotomultiplica-
Extracción de un electrón dores)
fotodetectores
- conceptos básicos de detección óptica:
eficiencia cuántica
Todos los fotones que llegan a un fotodetector no dan lugar a pares electrón-hueco
que contribuyen a corriente eléctrica. Parte de ellos se reflejan en la primera
intercara aire-semiconductor, parte de ellos no se van a absorber y de los que
realmente se absorban no todos van a contribuir a generar una corriente eléctrica
(cerca de la superficie del semiconductor los pares electrón hueco se recombinan
con facilidad). Todo esto viene expresado por la figura y la relación:
η = (1 − R)ς (1 − e −αd )
Da cuenta de las pérdidas de Fresnel: puede

reducirse colocando capas antireflejantes
ζ da cuenta de la fracción de portadores que

contribuyen a corriente eléctrica. Se puede
reducir bastante por procesos tecnológicos.
Da cuenta de la fracción de fotones absorbi-

dos por el material: cuantos más, mejor:
cuanto mayor sea d, más se absorberán.
absorción de los materiales
Así como la energía de gap de cada material semiconductor fijaba para las fuentes
ópticas la longitud aproximada de emisión, para los detectores fija la longitud de onda
a partir de la cual son incapaces de absorber, porque los fotones no tienen suficiente
energía para generar un par electrón-hueco.
En la figura se muestra el
coeficiente de absorción intrínseco
para algunos materiales con los
cuales se hacen detectores en
función de la longitud de onda. A
una cierta longitud de onda que
llamaremos de corte los fotones
dejan de ser absorbidos y el
material se hace transparente.
Darse cuenta que los semiconduc-
tores de gap indirecto (Si, Ge)
pueden ser usados como
detectores.

responsividad
La responsividad relaciona la corriente eléctrica generada con el número de fotones

incidente en el detector. Si tenemos un flujo Φ de fotones y cada fotón diera lugar a
un electrón tendríamos una corriente igual a eΦ. Por lo tanto la potencia óptica
incidente será P = Φhν y la intensidad será I = eP/hν. No todos los fotones dan lugar
a electrones, luego:
eP
I elec = η = RP
hν
A R le llamamos responsividad, tiene unidades de A/W y viene dado por:
e λ ( µm)
R =η =η 0 proporcional a la
hν 1.24 longitud de onda
La responsividad se irá a cero cuando

se llegue a la longitud de onda de
corte, ya que no se absorberán
fotones por el medio.
λ0 ( µm)
Si el detector tiene ganancia (genera M electrones por fotón): R = ηM
1.24
tiempo de respuesta
Después de producirse el fenómeno de genera-
ción del par electrón-hueco se debe extraer los
portadores de la región para dar lugar a una
corriente eléctrica. Esto se hace a través de un
campo eléctrico aplicado. Los portadores se van
a mover a velocidades vh y ve (diferentes) dadas
por: v = μE , donde µ (µe, µh) es la movilidad de
i(t) los portadores. Eso da lugar a un tiempo de
tránsito (τtr) de los portadores hasta que
contribuyen por completo a la corriente.
τtr t
Por otra parte los detectores llevan asociada una resistencia y una capacidad, por lo
que se van a comportar como un circuito RC, con su tiempo de respuesta τRC= RC.
El tiempo de subida (del 10% al 90% de su valor final) se define como:
Tr = (ln 9)(τ RC + τ tr )
Tiempo de respuesta:
El ancho de banda eléctrico viene dado por la caída a 1.- e- generados en zona de deplexión
2.- e- generados en zona de difusión
3dB de la función de transferencia al cuadrado y es: 3.- Constante de tiempo RC del
fotodiodo y el circuito asociado
1 0.35
Δf elec = =
2π (τ tr + τ RC ) Tr
- La unión p-n como detector
(fotodiodo)
La unión p-n puede utilizarse como detector si
usamos los materiales adecuados. En la unión
p-n tenemos una ventaja de entrada: existe un
campo generado en la región de deplexión.
Este campo va a expulsar a los electrones y
huecos de dicha zona con rapidez y va a dar
lugar a una corriente eléctrica.
A su vez van a poder generarse pares en la región 3 pero como no existe campo
eléctrico en esta región los portadores se mueven hasta que se recombinan (tiempo
de difusión). En la región 2, cercana a la región 1, tampoco hay campo eléctrico, pero
los portadores moviendose pueden llegar a entrar en esta región dando lugar a
corriente eléctrica: son portadores generados en la zona de difusión y van a dar
problemas de tiempo de respuesta.
La unión p-n es un diodo y, como tal, presenta un comportamiento del tipo:
( )
I elec = I s e eV / k BT − 1 − I p
El factor Ip da cuenta de la corriente eléctrica fotogenerada y lleva signo negativo por
que va en ese sentido (en contra de la intensidad en directa).
- La unión p-n como detector
(fotodiodo)
Los modos de operación de la unión p-n se muestran en las figuras.
Es conveniente polarizar en inversa el fotodiodo para:

- aumentar el campo eléctrico en la región de deplexión: los portadores salen más rápido
- aumentar el tamaño de la región de deplexión: así se absorben más fotones
- mejorar la respuesta en frecuencia del fotodiodo pues aumentar el tamaño de la región
de deplexión disminuye la capacidad del dispositivo y, por tanto, el factor RC
Con uniones p-n se pueden obtener valores de τRC ~ 100 ps y τtr ~ 100 ps -> 1 Gb/s
- el fotodiodo p-i-n
De todas formas, la unión p-n presenta un
problema grave para utilizarla como
fotodetector en comunicaciones ópticas,
debido al tiempo de difusión de los portadores
generados fuera de la zona de deplexión, con
tiempos del orden del ns
Una manera de disminuir la contribución de la

difusión de portadores es hacer la zona de
deplexión muy grande. Esto se hace
normalmente utilizando lo que se denomina una
estructura p-i-n, donde un semiconductor
intrínseco (realmente está ligeramente dopado
n) se pone entre la unión p-n.
De esta forma tenemos una región con

campo eléctrico no nulo cuyo espesor
podemos ajustar a voluntad

- ventajas de usar un fotodiodo p-i-n
- El aumentar la región donde se absorben electrones asegura que se van a

absorber prácticamente todos, lo que dará lugar a mayores eficiencias.
- Al aumentar la zona de unión se disminuye la capacidad de la misma y, por tanto,

la constante de tiempos RC.
- Las zonas p y n se pueden hacer ahora muy pequeñas, por lo

que la difusión de portadores va a contribuir mucho menos en
la respuesta dinámica del dispositivo.

- el fotodiodo de avalancha (APD)
Un fotodiodo de avalancha es un fotodiodo sometido a una fuerte corriente en inversa

de forma que los fotoelectrones generados puedan a su vez generar nuevos pares
electrón hueco al acelerarse bajo la influencia del fuerte campo eléctrico existente y
adquirir una energía mayor que la de gap. A este proceso se le llama ionización por
impacto, y es la base de estos dispositivos, en la cual el número final de electrones que
da lugar a corriente es mayor que el número de fotoelectrones. Para que ocurra este
proceso debe darse un campo eléctrico umbral en la región de deplexión, que es
bastante elevado (3x105 V/cm). Para conseguir estos campos hay que polarizar en
inversa el diodo con voltajes entre 50-400 V, aunque en fotodiodos APD se trata de
minimizar el voltaje aplicado a través de una estructura de unión como la mostrada.
En esta estructura se introduce

una capa más p entre la
estructura pin, que es la que
generará un campo más
elevado y, por tanto, ganancia
en el número de electrones
finales (Estructura SAM).
Pueden alcanzarse factores de
multiplicación de 104
En realidad el efecto es algo más complicado: los electrones pueden generar nuevos
pares electrón-hueco pero los huecos también. Cada uno de ellos lo hace con un
coeficiente distinto llamado coeficiente de ionización (probabilidad de ionización por
unidad de longitud, cm-1), αe y αh. Son dependientes del valor de V y de la Tª.
Se define el coeficiente k (relación Interesa que el coeficiente k sea o muy pequeño

entre ionizaciones) como o muy grande, es decir, que domine uno de los
αh dos coeficientes para que el sistema no pueda
k=
αe realimentarse y producir problemas.
El factor de ganancia se suele denominar con M: 1− k

M=
I total e −((1− k )α e d ) − k
M=
I fotogenerada M → ∞ si k → 1
El valor de M depende de αe y αh y del espesor de la zona de ganancia. Evidente-

mente como estos coeficientes dependen de V también depende el valor de M.
La responsividad de un APD viene multiplicada

por el factor M frente a la de un pin.
Por otra parte hay el tiempo de respuesta de un
APD viene determinado por el tiempo que le
cuesta a los electrones viajar por el dispositivo
M (tiempo de tránsito) pero también del tiempo de
generación del efecto de avalancha y del tiempo
de tránsito de los huecos generados de vuelta.
Esto va a aumentar el tiempo de respuesta de

los APD’s (ganamos ganancia a costa de ancho
de banda)
Comunicaciones Ópticas
V 14 4.1.- Detectores
wabs wabs Mkwm wm

τ= + +τ m y τm ≈ + Con wabs espesor de la zona de
detección y wm espesor de la zona
ve vh ve vh de multiplicación
Debido a los procesos de ionización

Los tiempos de respuesta son algo mayores debido al término en τm, que aumenta al
aumentar M. Si k ~ 0 (por ejemplo silicio), el factor τm se hace pequeño y los tiempos
de tránsito son similares.
De forma general
un APD va a ganar
sobre un p-i-n unos
5-10 dB de SNR
- ruido en fotodetectores
Vbias En sistemas de comunicaciones ópticas el fotodiodo se

espera que funcione con baja potencia de luz incidente. Por
eso es muy importante tener información acerca del ruido que
RL va a estar presente en el receptor (el sistema receptor
consiste en el fotodiodo más la electrónica asociada. Un
esquema sencillo se muestra en la figura).
Por lo tanto, el sistema receptor ha de estar optimizado para mantener una relación
señal a ruido determinada:
S potencia _ de _ señal
= SNR =
N potencia _ de _ ruido
Y donde la potencia de ruido sería la suma de la componente del fotodetector más la
del circuito receptor. El estudio del circuito receptor va a ser realizada en el siguiente
punto por lo que nos vamos a centrar en el estudio del ruido del fotodiodo más la
resistencia de carga que siempre va a estar y que va a ser de resistencia mucho
mayor que la propia del diodo, por lo que despreciaremos ésta.
Podremos también definir la sensibilidad del receptor como la mínima potencia

óptica para conseguir una determinada relación señal a ruido. Sobre estos aspectos
nos centraremos en el punto 4.2.
- ruido en fotodetectores (Agrawal)
Los mecanismos fundamentales de generación de ruido en fotodetectores son el ruido
cuántico o de disparo (shot noise) y el ruido térmico. También existen otros tipos de
ruido menos importantes como la corriente de oscuridad (ruido generado por el
fotodetector en ausencia de luz) o la corriente de fugas superficial.
El ruido cuántico aparece porque la fotogeneración de portadores es en sí un

proceso aleatorio. La corriente eléctrica generada por una potencia óptica constante
será, por tanto, de la forma: I (t ) = I + i (t )
p s (4.1.1) con I p = RPin
e is(t) representa la fluctuación de la corriente eléctrica debida a ruido cuántico. Se
puede demostrar que dicha fluctuación es un proceso aleatorio que sigue la
estadística de Poisson, aunque en la práctica se puede usar la estadística gaussiana.
La varianza del ruido cuántico (que puede ser considerado como un ruido blanco)
viene dada por:
σ s = 2eI p Δf
2
donde Δf es el ancho de banda del sistema receptor.
El valor de Δf depende del diseño del receptor completo. Raramente es el ancho de

banda del receptor el que limita este valor, sino que existirán elementos de la
circuitería que lo limitarán a valores más pequeños. La corriente de oscuridad suele
incluirse también en este término (también induce ruido cuántico) por lo que,
finalmente, escribiremos:
σ s = 2e ( I p + I d ) Δf
2

- ruido en fotodetectores
El ruido térmico (también ruido de Johnson) aparece porque en cualquier elemento
de un circuito los electrones sufren movimientos aleatorios, que inducen una corriente
aleatoria incluso en la ausencia de luz. El elemento que más influye en la generación
de esta corriente aleatoria que se superpondrá a la que genera el diodo será la
resistencia de carga. Estrictamente hablando este ruido no corresponde al fotodiodo,
pero se ha de incluir porque siempre el fotodiodo convierte la intensidad eléctrica a
voltaje en algún sitio. Entonces, la ecuación 4.1.1 la podemos poner como:
I (t ) = I p + is (t ) + iT (t )
La corriente aleatoria dada por el proceso térmico sigue una estadística gaussiana y
su densidad espectral es prácticamente constante hasta 1 THz (casi ruido blanco).
Su varianza viene dada por: 4k T
σ T2 = B Δf Notar que no depende de Ip
RL
En este punto sólo estamos teniendo en cuenta la resistencia de carga. Evidente-
mente deberemos incluir nuevos términos que den cuenta del ruido térmico de los
otros elementos del circuito receptor. Una solución sencilla suele venir dada por la
inclusión de un término nuevo Fn (figura de ruido del amplificador) de la forma:
4 k BT
σ T2 = Fn Δf
RL
- relación señal a ruido en p-i-n’s
Para un p-i-n no hay más contribuciones, por lo que la varianza total de la corriente
viene dada por la suma de los cuadrados, ya que los efectos están incorrelados:
4 k BT
σ 2 = σ s2 + σ T2 = 2e( RPin + I d )Δf + Fn Δf
RL
La relación señal a ruido será, por tanto:
SNR =
I p2
=
(RPin )2
σ 2
2e( RPin + I d )Δf +
4 k BT
Fn Δf
RL
En la mayoría de los casos la intensidad generada es muy pequeña (llega poca luz)
por lo que el ruido térmico domina sobre el cuántico: diremos que estamos en el
límite de ruido térmico. En ese caso:
R (RPin )
2 La SNR aumenta pues con el cuadrado de la potencia incidente o
SNR T = L aumentando la resistencia de carga: esto llevará, como veremos
4k BTFn Δf más tarde, a usar circuitos receptores de alta impedancia
Un parámetro que se suele usar para conocer la potencia necesaria para conseguir
un SNR determinado, conocido el ancho de banda es el NEP (noise equivalent
power): mínima potencia por unidad de ancho de banda para conseguir SNR = 1
- relación señal a ruido en p-i-n’s
1/ 2
Pin ⎛ 4k TF ⎞
NEP = = ⎜⎜ B 2 n ⎟⎟ Valores típicos de NEP: 1-10 pW/Hz1/2
Δf ⎝ RL R ⎠
Otro valor que se suele dar es la detectividad D = NEP-1 o incluso la detectividad
específica D = D A (A: área del detector)
*
Evidentemente si aumentamos mucho la potencia incidente empezará a limitar el

ruido cuántico. En el límite en el que la varianza por ruido cuántico sea mayor que la
del ruido térmico nos encontraremos en el límite de ruido cuántico:
RPin ηPin
SNR s = =
2eΔf 2hνΔf
La relación señal a ruido puede ser dispuesta en función del número de fotones que
debe llevar un bit “1” para conseguir dicha SNR. Si consideramos una tasa de
transmisión NRZ, entonces B ~ 2Δf y la potencia en un bit (energía por unidad de
tiempo) será P = NphνB, luego:
SNR s = ηN p
Alrededor de unos 100 fotones serán necesarios para conseguir una SNR de 20 dB
en el límite de detección cuántico, mientras que en el térmico se necesitarían varios
miles de fotones para conseguir la misma SNR.
- relación señal a ruido en APD’s
En APD’s la responsividad del detector aumenta en gran medida debido al parámetro
de ganancia M: I p = MRPin si el receptor no tuviese ruido, la SNR debería aumentar
un factor M2. Evidentemente esto no es así porque el ruido cuántico (el térmico no)
se ve afectado por un factor similar, por lo que habrá que estudiar el problema.
Realmente el estudio del aumento del ruido cuántico no es sencillo porque el proceso
de generación de pares electrón-hueco por ionización de impacto es, a su vez, un
proceso aleatorio. Luego no basta con añadir un término M2 al valor de la varianza
del ruido cuántico, sino que el resultado final es:
donde:
σ s = 2eM FA ( RPin + I d )Δf
2 2
FA = kM + (1 − k )(2 − 1 / M )
Una vez más se advierte la mejora de las

características del APD si el valor de k <<1.
En cualquier caso, la SNR para un APD:
SNR =
(MRPin )2
4 k BT
2eM 2 FA ( RPin + I d )Δf + Fn Δf
RL

- relación señal a ruido en APD’s
De la fórmula anterior se ve que en el límite de ruido térmico la SNR mejora un

factor M2, pero en el caso de límite de ruido cuántico la SNR disminuye un factor FA.
Luego en cualquier caso no va a ser mejor utilizar un APD sobre un p-i-n, sólo en los
casos en que el ruido térmico domine.
Lo que sí podemos calcular es un valor óptimo de M que mejore la SNR
diferenciando la ecuación anterior frente a M y obteniendo el máximo. Eso ocurre
para: 1/ 3
⎛ 4k BTFn ⎞
M opt ⎜
=⎜ ⎟⎟
⎝ keRL ( RPin + I d ) ⎠
Representando esos valores para un receptor
con valores típicos de InGaAs en 1.55 µm
(menos el valor de k), podemos ver que cuanto
más cercano es el valor de k a cero más valor
de M se puede utilizar en un receptor APD.
Para valores de k en el rango de 0.7 (típico en
InGaAs) el valor de M que optimiza el SNR
está en la decena; para Si, con k ~ 0, el valor
de M puede llegar a ser de una centena.
RL = 1 kΩ, Fn = 2, R = 1 A/W, Id = 2 nA

- APD’s frente a p-i-n’s
Límite Límite
térmico cuántico Depende de la relación
SNR SNR necesaria será
más conveniente usar
1.´ 106 un p-i-n o un APD en
500000. cada una de las regio-
APD
nes en las que limita el
ruido térmico o el cuán-
100000. tico. Hay que tener en
50000 cuenta que el APD
p-i-n siempre es más caro y
más complejo de usar
0.00002 0.000050.0001 0.0002 0.0005 0.001 Pin (W) que el p-i-n.
Datos: RL = 1 kΩ, Fn = 2, R = 1 A/W, Id = 2 nA, T = 300º K

FA = 2; M = 100; Δf = 1 GHz;

- p-i-n’s comerciales

- apd’s comerciales

Bibliografía.- apartado 4.1
- Agrawal, pags. 138-170 (Muy bien. En algún momento un poco complejo. Ruido en
fotodetectores)
- Saleh, pags. 644-673 (conceptos básicos, muy bien)
- Keiser, pags. 234-260 (sencillo, bien)
Para ampliar:
- Gowar, pags. 441-462 (pins) y 465-486 (APDs)
- Agrawal, pags. 144-155 (detectores de última generación)
-Wood, capítulo 6 (pins) y capítulo 7 (APDs)

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Universidad de Zaragoza

4.1.- detectores para sistemas de

Ignacio Garcés, Javier Mateo

Un detector es el final de un sistema de comunicaciones ópticas, donde la luz

Comunicaciones Ópticas 2 4.1.- Detectores

Da cuenta de las pérdidas de Fresnel: puede

ζ da cuenta de la fracción de portadores que

Da cuenta de la fracción de fotones absorbi-

Comunicaciones Ópticas 5 4.1.- Detectores

La responsividad relaciona la corriente eléctrica generada con el número de fotones

La responsividad se irá a cero cuando

La unión p-n es un diodo y, como tal, presenta un comportamiento del tipo:

Es conveniente polarizar en inversa el fotodiodo para:

Una manera de disminuir la contribución de la

De esta forma tenemos una región con

Comunicaciones Ópticas 10 4.1.- Detectores

- El aumentar la región donde se absorben electrones asegura que se van a

- Al aumentar la zona de unión se disminuye la capacidad de la misma y, por tanto,

- Las zonas p y n se pueden hacer ahora muy pequeñas, por lo

Comunicaciones Ópticas 11 4.1.- Detectores

Un fotodiodo de avalancha es un fotodiodo sometido a una fuerte corriente en inversa

En esta estructura se introduce

Se define el coeficiente k (relación Interesa que el coeficiente k sea o muy pequeño

El factor de ganancia se suele denominar con M: 1− k

El valor de M depende de αe y αh y del espesor de la zona de ganancia. Evidente-

La responsividad de un APD viene multiplicada

Esto va a aumentar el tiempo de respuesta de

wabs wabs Mkwm wm

Debido a los procesos de ionización

Vbias En sistemas de comunicaciones ópticas el fotodiodo se

Podremos también definir la sensibilidad del receptor como la mínima potencia

El ruido cuántico aparece porque la fotogeneración de portadores es en sí un

El valor de Δf depende del diseño del receptor completo. Raramente es el ancho de

Comunicaciones Ópticas 17 4.1.- Detectores

Evidentemente si aumentamos mucho la potencia incidente empezará a limitar el

Una vez más se advierte la mejora de las

Comunicaciones Ópticas 21 4.1.- Detectores

De la fórmula anterior se ve que en el límite de ruido térmico la SNR mejora un

Comunicaciones Ópticas 22 4.1.- Detectores

Datos: RL = 1 kΩ, Fn = 2, R = 1 A/W, Id = 2 nA, T = 300º K

Comunicaciones Ópticas 23 4.1.- Detectores

Comunicaciones Ópticas 24 4.1.- Detectores

Comunicaciones Ópticas 25 4.1.- Detectores

Comunicaciones Ópticas 26 4.1.- Detectores

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