Semiconductores

Semiconductores

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Semiconductores

Esencialmente, un semiconductor y un aislador difieren solamente en

el ancho de la banda de energías prohibidas. A bajas temperaturas
todos son aisladores y a temperatura ambiente los semiconductores
pueden conducir.

Algo sobre la estructura de los semiconductores

Semiconductores más comunes

La capacidad de compartir o aceptar 4 electrones es una característica común en ellos

C : 1s 2 2 s2 2 p2
Si: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p2
Ge: 1s 2 2s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4 s2 4 p2

Todos tienen una brecha indirecta, eso los hace pobres para posibles aplicaciones
ópticas. Además, forman buenos óxidos y para los huecos las m* son grandes.
Compuesto
GaAs: Ga: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4s2 4 p1
As: 1s 2 2 s2 2 p6 3s2 3 p6 3d10 4 s2 4 p3

Este tipo de compuesto, al que se suma el InSb tienen la cualidad de tener una brecha
directa. Esto los hace aptos para aplicaciones ópticas como foto diodos y láseres.
Son difíciles de producir

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Bandas en Semiconductores

Las diferencias entre los semiconductores en cuanto a sus características

eléctricas se relacionan principalmente con el ancho del gap (banda
prohibida) y las posiciones relativas de las bandas de conducción y valencia

El concepto de masa efectiva

Algunas consideraciones previas
→ Las bandas de energía son equivalentes a ε (k )
las relaciones de dispersión en los casos
de vibraciones en una red, es decir, esta-
blecen la relación entre la energía y el
vector de onda de los electrones, ε = ε ( k ).
k
→ Los electrones están representados como
paquetes de ondas agrupadas en torno a
un valor del vector de ondas k .
Cada componente de esa onda tiene la
forma, vg electrón
libre
−i(ε t − kx) vg = 0
e

→ La velocidad de grupo de los electrones es
entonces, k
∂ω ∂ε −π / a π /a
vg = = ; con p =
k
∂k ∂p

3
El concepto de masa efectiva
Algunas consideraciones previas
(Continuación)
→ Si consideramos un paquete de ondas que se desplaza en δ x en la dirección de una
fuerza aceleradora F durante un tiempo δ t , entonces,
Fδε
δε = Fδ x ⇒ δε = vg Fδ t ⇒ δε = δt

δ k
la última expresión implica que,
dk dp

= =F
dt dt
Expresión equivalente a la segunda ley de Newton.
→ Es obvio que para un electrón libre podremos escribir la relación propia
de la mecánica clásica
dp dvg
=m
dt dt
pero para un electrón en un cristal esto no funciona.

El concepto de masa efectiva

Algunas consideraciones previas
(Continuación)
→ definimos aceleración (de grupo) como
dv
ag = g
dt
a partir de lo cual se llega a
−1
 d 2ε 
F =  2  ag
 dp 
→ para un electrón libre
−1
 d 2ε 
 2 =m
 dp 
→ pero para un electrón en un cristal, la energía no es cuadrática en el momentun,
especialmente en los bordes de zona. Así, se define la masa efectiva por la relación
−1
 d 2ε 
m* =  2  (masa efectiva)
 dp 
→ de esta manera,
dv
F = m* g
dt

4
El concepto de masa efectiva
dvg
... y algunos comentarios dp

dvg ∂ 2ε 1
= =
dp ∂p 2 m*
vg electrón
libre
vg = 0
m* π p


a
k π
m*

a
−π / a π /a
p

m*

m* puede ser positiva o negativa. ¿Qué significa el valor negativo?

¿Semiconductor?
Glosario
Semiconductor intrínseco=sin dopantes
Semiconductor extrínsecos=con dopaje
Átomos distintos a los del semiconductor ocupando puntos de la red de éste.

• Un semiconductor al igual que un aislador tienen la banda

de valencia completa y la que sigue, de conducción, vacía.
Entre dichas bandas hay una brecha prohibida. El ancho
de dicha brecha define las característica del material:
Eg < 1.5 eV para semiconductores, E g > 4 eV en aisladores.

• A temperaturas bajas tienen la banda de valencia completa

y la de conducción vacía. No es posible la conducción.

• A temperatura ambiente es posible la transición entre

BV y BC por activación térmica

• Cuando electrones transitan de la banda de valencia a la

de conducción, ambas bandas contribuyen al transporte
de carga.

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Semiconductores
Esquemas simplificados
ε estados ocupados
estados desocupados

Estructura Banda de
Conducción

de bandas Banda de
Valencia

π π
−


a a

E E vacío
qφ E
BV
Banda de valencia EC
EC
EV
Banda prohibida }E g
EF
EV
}E g

Banda de conducción BC

Diagramas de bandas

Conducción en un semiconductor

ε
E Este diagrama de bandas
EC BC BC representa la situación
EF }E g
BV correspondiente a bajas
EV BV temperaturas. No es posible la
−

π


π conducción eléctrica.
a a

Mediante algún mecanismo,

ε por ejemplo térmico, algunos
E
BV BC
de los electrones de la banda
EC de valencia se promueven a la
EF
EV
} Eg BV
banda de conducción. En este
BC situación es posible la
π π
−
a a conducción y ocurre en ambas
bandas simultáneamente.

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Conducción en un semiconductor
En el silicio la banda prohibida tiene 1.1 eV, ¿cuántos electrones son promovidos a la
banda de conducción a temperatura ambiente? (supóngase un material intrínseco, es
decir, sin dopajes con átomos de otros materiales)

Si llamamos n a la densidad de electrones en la banda de conducción, entonces

n = NP ( E g ), donde N es el número total de electrones en el semiconductor y Eg el ancho del
gap y P ( E g ) está dado por la distribución de Fermi:
1
P ( Eg ) = (E −E ) / k T
1+ e g f B
el problema es que no conocemos aún la energía de Fermi. Recordando que
n + nv = N donde nv es el número de electrones en la banda de valencia, y que
1
nv = NP (0), con P (0) =
1 + e - EF / k B T
entonces:
 1 1 
N = N (E −E ) / k T
+ 
1+ e g f B 1 + e - EF / k B T 
y entonces
E F =E g / 2

Reemplazando el valor de k BT (≈ 0.025 eV), y el valor de la energía de Fermi,

es fácil mostrar que,
- Eg / k B T
n = Ne (Maxwell-Boltzmann)

Conducción en semiconductores (E≠0)

En diagrama de bandas

EC BC

EF E
EV
BV
BV
Lo mismo visto en estructura de bandas

ε  Al igual que en metales,
E
∆k ∆k está limitado por el
 BC efecto de defectos e im-
∑k > 0 purezas.
BV
El momentum de los
electrones es
∆k
π π
−
a a

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 Huecos
• A temperatura ambiente, la banda de valencia suele estár
parcialmente llena, razón por la que resulta conveniente analizar sus
propiedades en términos de los estados vacíos

• Un estado vacío o vacancia puede ser ocupado por una función de

ondas de un electrón. Dicha vacancia recibe el nombre de hueco.

• En una banda llena, por simetría, a cada estado k le corresponde un

estado –k de modo que los momentos de los electrones allí se cancela
y hay conducción.
En figura, la inexistencia de un electrón
ε en a (hueco) hace que exista un
momentum resultante en la dirección del
campo eléctrico. En otras palabras, al
hueco le corresponde un momentum en la
b a dirección del campo.
π  π
−
a
E a EL HUECO SE COMPORTA COMO UNA
PARTÍCULA CON CARGA POSITIVA +e

Huecos
• Al igual que los electrones, los huecos tienen una masa efectiva
depende de su posición en la banda de energía
• Al ser estados vacancias, normalmente se ubican en el tope de las
bandas, esto significa que para los electrones en la banda,
−1
 d 2ε 
 2 <0
 dp 

• Pero para las cargas positivas la energía tiene signo contrario al de los
electrones, así, −1
2
d ε 
mh* = −  2  > 0
 dp 

ε
De hecho, la fuerza y la aceleración del
b a hueco apuntan en la misma dirección, lo
que implica que la masa efectiva es
también positiva
π  π
−
a
E a

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Huecos • En los semiconductores reales la banda de valencia está
formada por dos bandas que coinciden (aprox.) en el
maximo de ellas, razón por la que existen huecos livianos
y pesados según la banda que ocupan.

Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

Debido a que en un semiconductor intrínseco, la generación de un
hueco en BV siempre es acompañado de la generación de un electrón
en BC,
n = p = ni

donde n a la densidad de electrones en la banda de conducción y p la

densidad de huecos en la banda de valencia y ni , la densidad de
portadores intrínsecos.

En forma aproximada, asumiendo que la banda de conducción es muy

angosta, podemos escribir,
n = N P ( Eg ),
donde N es el número total de electrones en el semiconductor (*) , Eg
el ancho de la brecha y P( Eg ) la probabilidad de que un estado en el nivel
de energía ubicado en el borde superior de la brecha esté ocupado por un
electrón.
1
P ( Eg ) = ( E g − E f ) / kB T
(Fermi - Dirac)
1+ e

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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

La energía de Fermi
El problema es que no conocemos aún el valor de la energía de Fermi.
Por simplicicidad supondremos que el nivel 0 de energía está en la banda
de valencia (también muy delgada), es decir, EV = 0 con lo cual, el número
electrones en la banda de valencia es,
1
nv = N P(0), con P (0) =
1 + e - EF / k B T
así, dado que N = n + nv
 1 1 
N = N (E −E ) / k T
+ 
1+ e g f B 1 + e - EF / k B T 
de donde

E F =E g / 2

⇒ En los semiconductores intrínsecos el nivel de fermi se ubica en el centro

de la banda prohibida

Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

¿Qué pasa a temperatura ambiente?
k BTa ≈ 0.025 eV, es decir Eg  k BTa con lo que,
- Eg / 2 k B T
n = Ne (Maxwell-Boltzmann)

¿Qué significa esto? ¿cuál es la condición que determina este comportamiento?

Pero lo anterior es una aproximación...

→ Las bandas no son angostas. Los electrones se distribuyen en un
rango amplio de energías en las bandas de valencia y conducción.

Si se consideran todos los niveles de energía en la banda de conducción,

n = ∫Banda de g ( E ) p( E )dE
conducción

donde
g ( E ) es la densidad de estados con energías entre E y E + dE y
p( E ) la probabilidad de que un estado electrónico esté en un estado con
energía E.

10
Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos
En el caso de los metales encontramos que

g (E) =
( )
8 2 π m3 / 2 1/ 2
E

3
pero en tal caso los electrones eran libres.
Para semiconductores hay que hacer algunas correcciones, entre ellas reemplazar m
por m * (su mayor valor en la banda de conducción) y eligiendo el origen de E en EC ,
( )
3/ 2
8 2 π ( m* ) 1/ 2
g(E)=

3
( E − Eg ) = C ( E − Eg )
donde C, por el momento, la consideraremos como constante.
De esta manera
1/ 2
∞ ( E − Eg ) dE
n = C∫ ( E − Eg ) / k B T
Eg
1+ e
Suponiendo temperatura en torno a la ambiente, E − EF >> k BT , es válida la
aprimación de Boltzmann, es decir,
∞
n = C ∫ ( E - Eg )1/ 2 e ( F ) B dE
− E−E / k T
Eg

donde g ( E ) es la densidad de estados con energías entre E y E + dE y p( E ) la proba-

bilidad de que un estado electrónico esté en un estado con energía E.

Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

de lo anterior, calculando la integral y reemplazando algunos términos,
3/ 2
 2π me*k BT  − ( E g − EF ) / k B T
n = 2  e

2 
Como el término exponencial varía mucho más rápido que el preexponencial,
podemos escribir,
−( E − E ) / k T
n = NC e g F B
donde
3/ 2
 2π me*k BT 
NC = 2  

2 
... y ¿qué pasa con los huecos?
Los cálculos se realizan de manera similar con la diferencia que representan
un no-electrón y por lo tanto la probabilidad de existencia es

Ph ( E ) = 1 − P( E )
e-( EF − E ) / kBT
Ph ( E ) =
1 + e-( EF − E ) / kBT
y la densidad de estados es,
3/ 2
(8 2)π ( mh* ) 1/ 2
g (E) = ( −E )

3

11
Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

Repitiendo cálculos anteriores nos llevan a que:

3/ 2
− EF / k B T  2π mh* k BT 
p = NV e con Nv = 2  

2 
En el caso intrínseco, n = p = ni , por lo que,
− Eg / k B T
np = ni2 = N C NV e

relación cuya importancia es central en la teoría de semiconductores por cuanto

su validez se extiende también a semiconductores extrínsecos por lo cual tiene
la connotación de una ley.
Desde la última relación se obtiene que, para un materiales intrínsecos
3/ 2
 2π k BT  * * 3 / 4 - EG / 2 kB T
ni = 2  2  ( me mh ) e


extendiendo así la validez del resultado obtenido antes en forma aproximada.

Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

Ejercicio
Demostrar que la posición de la energía de Fermi sólo está en el centro de la
banda de energías prohibidas cuando me* = mh* .

Encuentre una expresión general para la posición de EF

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Distribución electrónica en semiconductores intrínsecos

¿Cuál es la distribución electrónica en un

semiconductor intrínseco?
P( E ) g ( E )
EC

EF

EV
(1 − P ( E )) g ( E )

P( E ) g (E)

Semiconductor extrínseco
→ Los semiconductores intrínsecos rara vez se utilizan en la tecnología,
pero son la base para la construcción de dispositivos.
→ Generalmente los dispositivos se utilizan con impurezas (dopaje) que
cambian radicalmente su comportamiento.
→ Según la impureza se clasifican como "tipo n" o "tipo p".
→ Hay varios mecanismos para introducir las impurezas:
 No intencionado (crecimiento del cristal en ambientes contaminantes).
 Al fabricarlo (se hace crecer el semiconductor con las impurezas).
 Por difusión (tratamiento a altas temperaturas en en gases dopantes).
Ej. PH 3 , AsH 3 , etc.
 Por implantación de iones.

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Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
Se obtienen introduciendo en el semiconductor impurezas del grupo V
como P, As o Sb de manera que sustituyen átomos del cristal. El resultado
es un enriquecimiento de portadores negativos (electrones). Tales semi-
conductores reciben el nombre "tipo n".

El electrón del Fósforo que no

participa de los enlaces con el Si
queda orbitando en torno al P.

Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
• El dopaje rompe la periodicidad del cristal.
• Si el efecto de la impureza es importante (intensa y de rango amplio)
abarcando varios sitios se puede introducir una simplificación (aproxi-
mación) que permite tratarla como un átomo simple inmerso en el
potencial promedio de la red.
• Así, la impureza donadora, respecto del electrón orbitante, puede ser
tratada como átomo de hidrógeno en el potencial promedio de la red.
e2
⇒ U =− , ε es la permitividad del semiconductor
4πε r

2 2 e2 
⇒ − * ∇ −  Ψ (r ) = ( Ed − EC )Ψ (r )
 2me 4πε r 

Aquí se considera la energía respecto del borde inferior de la banda

de conducción E C . Es así porque la banda de conducción es la que
acepta los electrones donados.

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Semiconductor extrínseco
Semiconductor tipo n
La solución:
e 4 me* 1
Ed − EC = − 2 2
; n = 1, 2,3...
2 ( 4πε ) 2

n
y el estado base es
2
 m*   ε 
Ed = EC − 13.6  e  o  eV
 m  ε 
y el radio de giro del electrón

a=
( 4πε ) /
2 = 0,53
( ε /ε o ) o
A
me*e2 (m *
e / m)
Algunos valores para E C − Ed son:
0,006 para Ge; 0,025 para Si y 0,007 para GaAs.

Semiconductor extrínseco
Conclusión:
a) los estados donadores o "donores" son localizados (no forman bandas)
b) debido a que su energía es muy próxima a la energía de la banda de
conducción ( EC − Ed ) / k BT << 1, a temperatura ambiente están todos
ionizados.
c) los electrones donados desde los donores incrementan la conductividad
del semiconductor.
EC
EC E d

Ei Ed
EV
EV

La energía de los donores es
muy cercana a la de la banda
de conducción y por ello, lo
más probable es que estén
ionizados

E
En presencia de campo eléctrico
la inclinación de la banda favo-
rece la ionizacón de donores

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Tabla de impurezas o dopaje
Energía (meV) - Energía (meV)
Impureza
Semiconductor Impureza
donora Ec -Ed Ea - Ev
aceptora
-GaAs Si 5.8 C 26
Ge 6.0 Be 28
S 6.0 Mg 28
Sn 6.0 Si 35
Si Li 33 B 45
Sb 39 Al 67
P 45 Ga 72
As 54 In 160
Ge Li 9.3 B 10
Sb 9.6 Al 10
P 12.0 Ga 11
As 13.0 In 11

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