BAHAN – BAHAN LISTRIK

DASAR FISIKA KUANTUM

Dosen Pembimbing :
Hj. Melda Latif

Kelompok XI
Intan Pertiwi ( 0810951054 )
Olivia Fernaza ( 0810951064 )
Vinda D. Zoebir ( 0810952068 )

Jurusan Teknik Elektro

Universitas Andalas
Padang
2009
BAND GAP

Dalam ilmu fisika padat, band gap, yang dikenal juga energy gap, adalah jangkauan
energi padat di mana tidak terdapat elektron. Untuk insulator dan semiconduktor,
band gap maksudnya adalah perbedaan energi (dalam satuan volt elektron) antara
puncak pita valensi, dan dasar pita konduksi, yaitu jumlah energi yang dibutuhkan
untuk membebaskan sebuah elektron di kulit luar dari orbitnya.

BAND GAP DALAM SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor adalah material dengan band gap yang kecil, tapi bukan nol (<3 eV).
Insulator adalah material dengan band gap yang besar. Dalam semikonduktor dan
insulator, elektron dibatasi oleh sejumlah pita energi, dan terlarang dari rentang lain.
Kata “band gap” ditujukan pada perbedaan energi antara puncak pita valensi dengan
dasar pita konduksi, di mana elektron dapat melompat dari satu pita ke pita lainnya.
Agar elektron dapat melompat dari pita valensi ke pita konduksi, elektron
membutuhkan sejumlah energi tertentu untuk bertransisi. Energi yang dibutuhkan
berbeda untuk masing-masing material. Elektron dapat memperoleh energi yang
cukup untuk melompat ke pita konduksi dengan menyerap phonon (panas) ataupun
photon (cahaya).

Konduktivitas pada semikonduktor intrinsik tergantung pada band gap. Satu-satunya

pengangkut yang tersedia untuk konduksi adalah elektron yang memiliki energi
thermal (panas) yang cukup untuk melewati band gap.

Teknik band gap adalah proses mengontrol atau mengubah band gap suatu material
dengan mengontrol komposisi dari campuran semikonduktor tertentu, seperti
GaAIAs, InGaAs, dan InAIAs. Kita juga dapat membentuk lapisan material dengan
cara mengganti komposisi dengan teknik molecular beam epitaxy. Metode ini
dibentuk dalam desain heterojunction bipolar transistors (HBTs), dioda laser, dan sel
solar.

Perbedaan antara semikonduktor dan insulator terletak pada konvensi. Semikonduktor

adalah sejenis insulator dengan band gap terbatas. Insulator dengan band gap yang
lebih besar, biasanya lebih dari 3 eV, tidak dianggap semikonduktor dan biasanya
tidak menunjukkan sifat semikonduktor dalam kondisi praktis. Gerakan elektron juga
memainkan peran dalam menentukan klasifikasi material informal.

Energi band gap pada semikonduktor akan berkurang seiring dengan peningkatan
temperatur. Ketika temperatur meningkat, amplitudo vibrasi atom meningkat,
menyebabkan ruang interatomic yang lebih besar. Interaksi antara kisi-kisi phonon
dengan elektron bebas dan hole akan mempengaruhi band gap pada tingkatan yang
lebih kecil. Hubungan antara energi band gap dengan suhu dapat dijelaskan dengan
rumus empiris Varshni :

,
Di mana Eg(0), α dan β adalah material konstan.
Pada kristal semikonduktor biasa, band gap ditetapkan berdasarkan keadaan energi
kontinyu. Pada kristal quantum dot, band gap tergantung ukuran dan dapat diubah
untuk membentuk jarak energi antara pita valensi dan pita konduksi, juga dikenal
dengan quantum confinement effect (efek kurungan kuantum).

Band gap juga tergantung pada tekanan. Band gap dapat terjadi secara langsung
maupun tidak langsung tergantung pada struktur pita elektronik.

SECARA MATEMATIS

Rasio kemungkinan bahwa dua keadaan dengan perbedaan energi ΔE akan ditempati
oleh elektron ditentukan dengan faktor Boltzmann :

Di mana : :

adalah fungsi eksponen

adalah perbedaan energi
adalah konstanta Boltzmann
adalah suhu

Pada level Fermi (chemical potential), kemungkinan suatu keadaan ditempati adalah
½. Jika level Fermi berada di tengah band gap sebesar 1 eV, rasionya adalah e -20 atau
sekitar 2.0•10-9 pada suhu kamar dengan energi panas 25.9 meV.

SEL PHOTOVOLTAIC

Band gap menentukan bagian mana dari spektrum solar yang dapat diserap sel
photovoltaic. Sebuah pengubah luminescent solar menggunakan medium luminescent
untuk menurunkan nilai photon dengan energi di atas band gap menjadi photon
dengan energi yang mendekati band gap semikonduktor yang terdiri dari sel solar.

DAFTAR BAND GAP

Material Symbol Band gap (eV) @ 300K

Silicon Si 1.11
Selenium Se 1.74
Germanium Ge 0.67
Silicon carbide SiC 2.86
Aluminium phosphide AlP 2.45
Aluminium arsenide AlAs 2.16
Aluminium antimonide AlSb 1.6
Aluminium nitride AlN 6.3
Diamond C 5.5
Gallium(III) phosphide GaP 2.26
Gallium(III) arsenide GaAs 1.43
Gallium(III) nitride GaN 3.4
Gallium(II) sulfide GaS 2.5 (@ 295 K)
Gallium antimonide GaSb 0.7
Indium(III) nitride InN 0.7
Indium(III) phosphide InP 1.35
Indium(III) arsenide InAs 0.36
Zinc oxide ZnO 3.37
Zinc sulfide ZnS 3.6
Zinc selenide ZnSe 2.7
Zinc telluride ZnTe 2.25
Cadmium sulfide CdS 2.42
Cadmium selenide CdSe 1.73
Cadmium telluride CdTe 1.49
Lead(II) sulfide PbS 0.37
Lead(II) selenide PbSe 0.27
Lead(II) telluride PbTe 0.29
Copper(II) oxide CuO 1.2

PADA PHOTON DAN PHONON

Dalam photon, band gap atau stop band adalah jarak frekuensi photon, di mana jika
tunneling effect diabaikan, tidak ada photon yang dapat dikirimkan lewat material.
Material yang menunjukkan sifat ini dikenal sebagai photonic crystal. Hal yang sama
terjadi pada phonon pada phononic crystal.

DIRECT AND INDIRECT BAND GAP

Band gap untuk semikonduktor terdiri dari 2 jenis, band gap langsung dan band gap
tidak langsung. Keadaan energi minimal dalam pita konduksi, dan keadaan energi
maksimal dalam pita valensi, masing-masing digolongkan berdasarkan k-vector
tertentu dalam zona Brillouin. Jika k-vectornya sama, maka digolongkan dalam band
gap langsung, jika berbeda digolongkan dalam band gap tidak langsung.

PENGERTIAN RADIATIVE RECOMBINATION

Interaksi antara elektron, hole, phonon, photon, dan partikel lain dibutuhkan untuk
memenuhi kekekalan energi dan momentum kristal (yaitu kekekalan total k-vector).
Sebuah photon dengan energi di dekat band gap semikonduktor memiliki momentum
yang hampir nol. Proses penting yang disebut radiative recombination, di mana
elektron pada pita konduksi menghancurkan sebuah hole pada pita valensi,
melepaskan kelebihan energi sebagai photon. Jika elektron berada dekat dasar pita
konduksi, dan hole berada dekat puncak pita valensi, proses ini mungkin terjadi pada
band gap langsung, tapi tidak mungkin terjadi pada band gap tidak langsung, karena
kekekalan momentum kristal akan terganggu. Agar radiative recombination dapat
terjadi pada material band gap tidak langsung, prosesnya harus melibatkan
penyerapan atau pemancaran phonon, di mana momentum phonon sama dengan
perbedaan antara momentum electron dan hole. Keterlibatan phonon menyebabkan
proses ini terjadi dalam jangka waktu tertentu, yang menyebabkan radiative
recombination lebih lambat pada band gap tidak langsung dibanding band gap
langsung. Itulah sebabnya light-emitting dan laser diode selalu dibuat dari material
band gap langsung, bukannya band gap tidak langsung seperti silicon.

Fakta bahwa radiative recombination lebih lambat pada material band gap tidak
langsung menunjukkan bahwa pada hampir semua situasi, radiative recombination
merupakan proporsi kecil dari rekombinasi total, karena kebanyakan rekombinasi
berupa non-radiatif, ditempatkan pada titik cacat atau batas grain. Bagaimanapun, jika
elektron yang sangat aktif tercegah untuk mencapai tempat rekombinasi ini, mereka
tidak punya pilihan lain kecuali kembali jatuh ke dalam pita valensi dengan radiative
combination. Ini dapat terjadi dengan membentuk dislocation loop dalam material. Di
pinggir loop, bidang di atas dan di bawah “dislocation disk” ditarik terpisah,
membentuk tekanan negatif, yang meningkatkan energi dari pita konduksi besar-
besaran, yang menyebabkan elektron tidak dapat melewati pinggir ini. Jika area tepat
di atas dislocation loop dalam kondisi bebas-kerusakan (tidak memungkinkan
terjadinya rekombinasi non-radiatif), elektron akan kembali jatuk ke dalam kulit pita
valensi dengan radiative recombination dan memancarkan cahaya. Ini merupakan asal
prinsip “DELEDs” (Dislocation Engineered LED).

PENGERTIAN PENYERAPAN CAHAYA

Kebalikan dari radiative recombination adalah penyerapan cahaya (light absorption).

Cahaya dengan energi photon mendekati band gap dapat menembus lebih jauh
sebelum terserap oleh material band gap tidak langsung daripada band gap langsung.

Hal ini sangat penting untuk photovoltaic (sel solar). Silicon merupakan material sel
solar paling umum, meskipun merupakan gap tidak langsung dan kurang baik
menyerap cahaya. Sel solar silikon biasanya setebal ratusan micron, jika lebih tipis,
banyak cahaya yang hanya akan melewatainya. Sebaliknya, sel solar film tipis dibuat
dari material band gap langsung yang menyerap cahaya di daerah yang lebih tipis, dan
dapat dibuat dari lapisan aktif yang sangat tipis (<1 micron).

Penyerapan spektrum dari material band gap tidak langsung biasanya lebih
bergantung pada suhu dibanding material langsung, karena pada suhu rendah terdapat
lebih sedikit phonon, karena sebuah photon atau phonon dapat bersamaan menyerap
untuk membentuk transisi tidak langsung. Contohnya, silicon mulai meneruskan
cahaya merah pada suhu liquid helium, karena photon merah tidak punya energi yang
cukup untuk proses langsung.

FORMULA PENYERAPAN

Metoda yang umum dan biasa untuk menentukan apakah sebuah band gap langsung
atau tidak langsung adalah dengan menggunakan absorption spectroscopy. Dengan
menetapkan daya tertentu dari absorption coefficient terhadap energi photon, kita
dapat mengetahui nilai yang dimiliki band gap, dan apakah band gap itu langsung atau
tidak langsung.
Untuk band gap langsung, absorption coefficient α berhubungan dengan frekuensi
cahaya berdasarkan rumus berikut :

, with

Di mana :

• α adalah absorption coefficient, fungsi dari frekuensi cahaya

• ν adalah frekuensi cahaya
• h adalah konstanta Planck (hν adalah energi sebuah photon dengan frekuensi
ν)
• turunan konstanta Planck ( )
• Eg adalah energi band gap
• A * adalah konstanta frekuensi-independen tertentu, dengan rumus di atas

• , di mana dan adalah massa efektif dari elektron

dan hole, berturut-turut (mr disebut "reduksi massa")
• q adalah elementary charge
• n adalah indeks bias
• ε0 adalah permitivitas ruang hampa
• xvc adalah "elemen matrix ", dengan besar satuan panjang dan nilai yng sama
dengan konstanta lattice.

Rumus ini berlaku hanya untuk cahaya dengan energi photon lebih besar, tapi tidak
terlalu besar, dari band gap, dan mengabaikan semua sumber penyerapan lain selain
penyerapan band ke band, seperti daya tarik listrik antara elektron yang baru dibentuk
dengan hole. Tidak berlaku juga jika transisi langsung dilarang, atau jika banyak
bagian pita valensi yang kosong atau pita konduksi penuh.

Rumus untuk band gap tidak langsung :

Di mana :

• Ep adalah energi phonon yang membantu dalam transisi

• k adalah konstanta Boltzmann
 • T adalah suhu thermodynamic

Karena itu, jika hν dibanding α2 membentuk garis lusur, dapat diduga bahwa ini
merupakan band gap langsung, dapat diukur dengan cara memperkirakan garis lurus
ke sumbu α = 0. sebaliknya, jika hν dibanding α1 / 2 membentuk garis lurus, dapat
diduga bahwa ini merupakan band gap tidak langsung , dapat diukur dengan
memperkirakan garis lurus ke sumbu α = 0 (anggap ).
 DAFTAR PUSTAKA

en.wikipedia.org