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unesp - FEIS
Laboratório de
Eletrônica de Potência
Introdução
Conversores Estáticos: Controle do fluxo de energia entre dois ou mais sistemas
elétricos com características distintas.
Área de Estudo: Eletrônica de Potência
Sub-áreas: Principais Aplicações
♦ Eletrônica de Potência Básica
• Comutação Natural, tensões ≤ 2 kV, correntes ≤ 1kA e E1 ( v 1 , f1 )
Retificador
freqüências ≤ 1 kHz.
♦ Elevadas correntes
• Aplicações com correntes > 1 kA
=
Conversor
♦ Elevadas tensões Indireto de
• Aplicações com tensões > 2 kV Freqüência Conversor
♦ Elevadas Freqüências Chopper Direto de
Conversor Freqüência
• Aplicações com freqüências > 1 kHz
Indireto de
♦ Elevadas Potências Tensão
• Aplicações com tensões > 2 kV e correntes > 1 kA
♦ Comutação forçada
• Inversores de tensão autônomos à SCR.
♦ Técnicas Especiais de Controle e Filtragem. E2
= Inversor
(v 2 , f 2 )
♦ Fontes de alimentação, Controle de máquinas elétricas,
Aquecimento indutivo, Alimentação de segurança e emergência,
Transmissão em corrente contínua, Interligação de sistemas com
freqüências diferentes, Carregadores de baterias, Retificadores em
geral, etc...
V
INTERRUPTOR IDEAL (S)
• Tempos de comutação nulos (entrada em condução e bloqueio instantâneo);
• Resistência nula em condução;
• Resistência infinita quando bloqueado.
I I
Operação em dois quadrantes
Operação em um quadrante com corrente bidirecional
♦ Diodos (bloqueio reverso) ♦ MOSFET
♦ SCR (bloqueio direto) ♦ SCR + diodo em anti- V
V
♦ Transistor Bipolar paralelo
♦ IGBT ♦ IGBT + diodo em anti-
paralelo
♦ Transistor Bipolar + diodo
em anti-paralelo
I I
Operação em dois quadrantes
com tensão bidirecional Operação em quatro
quadrantes
♦ SCR (bloqueio direto e
reverso) V ♦ Arranjo de diodos com V
♦ Transistor Bipolar + diodo transistores bipolares
em série
Implementações:
1 1
1
i i ii
11 l + +
+ i
(-)
(-)
v v v
v
(+)
(+) - - -
0 0 0 0
Potência 5
Controlável 10
[kVA]
SCR
10 4 SCR : Silicon Controlled Rectifier
GTO GTO : Gate Turn-off Thyristor
MCT : MOS Controlled Thyristor
MCT SI Thy SI Thy : Static Induction Thyristor
10 3
BPT : Bipolar Power Transistor
IGBT : Insulated Gate Bipolar
IGBT Transistor
10 2
MOSFET : MOS Field-Effect
Transistor
BPT
10 1
MOSFET
10-1
10 -1 10
0
10 1 10
2
10 4 10 5 10 6
Freqüência de Operação [kHz]
i v
A C
Cátodo (C)
Característica Volt-Ampère
i Polarização Direta (Condução)
Polarização
R VS
Direta
1
rT redução da resistência da região de depleção
VRRM IR
v
V(TO)
Polarização A C
Reversa
Injeção de portadores minoritários
v(t)
VFP
Onde:
t
VFP: Máxima tensão direta na VS
Bloqueio
entrada em condução
indutivo
ton Qr
Tensão em Tempo
Componente Máxima Tensão Corrente Média
Condução Recuperacão
Diodos Rápidos
1N3913 400 V 30 A 1,1 V 400 ns
SD453N25S20PC 2500 V 400 A 2,2 V 2 µs
Diodos
Ultra-rápidos
MUR815 150 V 8A 0,975 V 35 ns
MUR1560 600 V 15 A 1,2 V 60 ns
RHRU100120 1200 V 100 A 2,6 V 60 ns
Diodos Schottky
MBR6030L 30 V 60 A 0,48 V
444CNQ045 45 V 440 A 0,69 V
30CPQ150 150 V 30 A 1,19 V
Base Emissor
(B)
Base
(E)
Emissor
Característica Volt-Ampère
♦Região Ativa:
Boa regulação de corrente e
elevadas perdas em condução.
♦Região de Corte:
IB = 0
♦Em condução:
I B > IC / β
IC
β : Ganho de Corrente IB
βF : Ganho forçado
I Csat
I Bsat
♦Região Quase-Saturação
Reduzido valor de VCE em condução. ♦Região de Forte-Saturação
Para IB ≥ IBsat e IC ≤ ICsat Elevados tempos envolvidos durante o
Garante-se que: VCE ≤ VCEsat. bloqueio (aumento tempo “estocagem”).
Operação com: βF de 5 a 10.
O ganho β reduz rapidamente para elevadas ♦Como interruptor: Região de quase-
correntes. saturação (em condução) e corte (bloqueio).
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin 12
Limites de Operação Segura para o BPT
• Carga Resistiva
vCC
RL
iC(t)
+
iB(t) RB
vCE(t)
+
vS(t) vBE(t) - -
+
- • Extração de
corrente reversa de
base reduz o tempo
(1) Bloqueio de “estocagem”.
(2) Atraso de entrada em condução (carga
capacitância base-emissor)
(3) Tempo de subida da corrente.
(4-5) Em condução
(6) Atraso do bloqueio (Tempo de “estocagem”)
(descarga da capacitância base-emissor).
(7) Tempo de descida da corrente ton toff
Q2
D
(G) Gate
(G)
Gate
Fonte
(Source)
(S)
Característica Volt-Ampère
• Região ôhmica: Região de interesse para • Entrada em Condução
operação como interruptor. VGS >> VGS(th)
tipicamente: 10 ≤ VGS ≤ 20
• Bloqueio
VGS < VGS(th)
• A resistência em Condução
(RDSon) possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operação em paralelo
de MOSFETS.
• Região Ativa: Regulação de corrente melhor
do que o BPT.
• Circuito de Comando, com características
• Região Corte: VGS < VGS(th) de fonte de tensão, mais simples do que
- VGS(th), tensão (G-S) mínima para entrada aqueles para o BPT (comando com carac-
em condução. terísticas de fonte de corrente).
Gate cDS
Cgs VDS
10% 90% (VDD)
ID
(VDD)
ID VDS(on)
90% 10%
(S) tr tf
td(on) ton td(off) toff
E
Coletor
VCE
t • tr: Tempo de subida de IC
VGE3 Região Direta
coeficiente negativo. Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin 22
Alguns Dados Técnicos para Diferentes IGBTs
Módulos
CM400HA-12E 600 V 400 A 2,7 V 0,3 µs
CM300HA-24E 1200 V 300 A 2,7 V 0,3 µs
• As aplicações para o IGBT normalmente encontram-se para elevados níveis de tensão VCE (500 a 1700 V)
e elevadas potências (1-1000 kW), 1998.
•IGBTs com coeficiente positivo de temperatura facilitam o paralelismo.
•IGBTs com coeficiente negativo de temperatura apresentam reduzidas perdas em condução.
•Circuitagem de controle muito simples (similar aos MOSFETs).
•Mais lentos do que os MOSFETs, contudo, mais rápidos do que os BPTs, GTOs e SCRs.
•Freqüências típicas de utilização: Comutação dissipativa: 3-30 kHz
(1998) Comutação não dissipativa: até 200 kHz
Definição IEC: Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor biestável, contendo três ou mais
junções (P-N), com capacidade de conduzir ou bloquear uma corrente num ou nos dois sentidos.
I
T1
T2 P+ N P N+
A C
(C) Cátodo
C
Característica Volt-Ampère
• VAC ≥ VBO → Entra em condução
I
Passa pela região de resistência Polarização
Direta
negativa e opera em regime na
Região de Saturação
Q2
Q1
Q2
Gate (G) Q1 Gate
Polarização direta
em condução, permitindo a aplicação em elevadas
IH iG > 0 tensões e potências (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A)
iG =0
-VBR IBO
- 1998.
VH VBO VAC
vAC
E 90% E IRM
10% E t E2
td tf
E2 +∆V
ton
baixas freqüências.
t
Símbolo G2
Terminal SCR1
Principal 2
(Tp2)
G1
Construção Básica
SCR2
Tp2
Gate Tp1
(G) Terminal
Principal 1 N
P
Tp2 N
P
• O TRIAC permite o controle de SCR1
N N
G
corrente nas duas direções. P N G2
G1 N P
P N
P
Tp1
N
• Equivalente à dois SCRs conectados SCR2
em anti-paralelo.
Tp1
-VD -VH
+VH +VD V
• V ≥ VD → Condução
-IH
• Permite corrente nos — I > 0 (1o Quadrante)
dois sentidos. Operação
• V ≤ -VD → Condução 3o Quadrante
O GTO: Tiristor especialmente projetado de modo que a corrente de gate possa alterar de modo
apreciável a corrente de manutenção (IH), permitindo o bloqueio pelo gate.
O processo de entrada em condução é análogo ao SCR.
(A) Ânodo
I
(G)
Gate
Cátodo
(C)
Dispositivos
Diodo Potência BPT MOSFET IGBT SCR GTO
Característica de Ataque ----- Em corrente Em tensão Em tensão Em corrente Em corrente
Potência envolvida no Média para
----- Muito Baixa Muito Baixa Média para Elevada Elevada
comando Elevada
Complexidade do Circuito
----- Elevada Muito Baixa Muito Baixa Baixa Elevada
de Comando
Média para Média para
Densidade de Corrente Média Elevada para Baixa Elevada Elevada
Elevada Elevada
Máxima Tensão
Média Média Média para Baixa Média para Elevada Elevada Elevada
Suportável
Média para
Freqüência de Operação Baixa para Média Elevada Média para Baixa Baixa Baixa
Elevada
Perdas nas comutações Baixa para Média para
Muito Baixa Média para Elevada Elevada Elevada
(circuitos convencionais) Média Elevada