DIODOS RECTIFICADORES: Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos, estos facilitan el paso

de la corriente contínua en un sólo sentido (polarización directa), en otras palabras, si hacemos circular corriente
alterna a través de un diodo rectificador esta solo lo hará en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen
directamente el diodo, por lo que a la salida del mismo obtenemos una señal de tipo pulsatoria pero contínua. Se
conoce por señal o tensión contínua aquella que no varia su polaridad.

DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEñAL (RF): Los diodos de tratamiento de señal necesitan algo más de calidad
de fabricación que los rectificadores. Estos diodos están destinados a formar parte de etapas moduladoras,
demoduladoras, mezcla y limitación de señales, etc.

Uno de los puntos más críticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en
la "capacidad de unión", misma que se debe a que en la zona de la Unión PN se forman dos capas de carga de
sentido opuesto que conforman una capacidad real.

En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mínima expresión, lo cual
ayudará a que el diodo conserve todas sus habilidades rectidficadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias.

Entre los diodos más preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este
didodo fue desarrolado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y
de los de unión PN de los que han heredado el procedimiento de fabricación.

DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE ( VARICAP ): La capacidad formada en los

extremos de la unión PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que
ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del
circuito en el cual se está utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, además de las
zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor
óhmico, lo que conforma un capacitor de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido
inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda
comportar como uncapacitor con muy bajas pérdidas.

Si aumentamos la tensión de polarización inversa las capas de carga del diodo se esparcian lo suficiente para que
el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético capacitor (el mismo efecto producido al
distanciar las placas del un capacitor estándar).
Por esta razón podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, más conocidos como varicap's,
varian su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensión que los polariza de forma inversa.

La utilización más solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de
capacitor variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción, ejemplo, cuando
cambiamos la sintonía de un receptor antiguo, se varía mecanicamente el eje de un capacitor variable en la etapa
de sintonía; pero si por el contrario, pulsamos un botón de sintonía de un receptor de televison moderno, lo que
hacemos es variar la tensión de polarización de un diodo varicap que se encuentra en el módulo sintonizador del TV.

DIODO ZENER:Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia

que existe en la gráfica con respecto a la corriente directa e inversa. Si polarizamos
inversamente un diodo estándar y aumentamos la tensión llega un momento en que se
origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destrucción. Este punto se da
por la tensión de ruptura del diodo.

Se puede conseguir controlar este fenómeno y aprovecharlo, de tal manera que no se

origine la destrucción del diodo. Lo que tenemos que hacer el que este fenómeno se dé
dentro de márgenes que se puedan controlar.

El diodo zener es capaz de trabajar en la región en la que se da el efecto del mismo nombre
cuando las condidiones de polarización así lo determinen y volver a comportarse como un
diodo estándar toda vez que la polarización retorne a su zona de trabajo normal. En
resúmen, el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la
tensión zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejará pasar a través de él
una cantidad determinada de corriente.

Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores,

limitadores y recortadores de tensión.
 FOTODIODOS:Algo que se ha utilizado en favor de la técnica electrónica moderna es la influencia de la energía
luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no
son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricación de modo que la
influencia luminosa sobre su conducción sea la máxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de
silicio en el émbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.

DIODOS LED( LUMINISCENTES ): Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrónico
y veremos por lo menos 1 ó más diodos led. Podemos encontrarlos en direfentes formas,
tamaños y colores

diferentes. La forma de operar de un led se basa en la recombinación de portadores mayoritarios en la capa de

barrera cuando se polariza una unión Pn en sentido directo. En cada recombinación de un electrón con un hueco se
libera cierta energía. Esta energía, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros
se hace de forma térmica.

Dichas radiaciones son básicamente monocromáticas (sin color). Por un método de "dopado" del material
semiconductor se puede afectar la enegía de radiación del diodo.

El nombre de LED se debe a su abreviatura en ingles ( Light Emmiting Diode )

Además de los diodos led existen otros diodos con diferente emisión, como la infrarroja, y que responden a la
denominación IRED (Diodo emisor de infra-rojos).

Clases de Diodos
Pondremos las diferentes clases de diodos que son más comunes dentro de los
circuitos electrónicos que podamos usar.

- Diodos de unión.
- Diodos de punta de contacto.
- Diodo emisores de luz.
- Diodo capacitivo (varicap).
- Diodo Zener.
- Diodo túnel.
- Diodo Gunn.

Diodos de unión: Los diodos de unión son los que hemos venido describiendo en esta
sección de diodos, es decir, el que consta de un cristal de germanio o de silicio,
debidamente dopado, y tiene una forma cilíndrica. Son diodos para baja potencia
que se usan mucho como rectificadores de pequeños aparatos. A esta clase de diodo
también se le conoce con el nombre de diodos de juntura. Es muy conveniente
aprenderse de memoria cada uno de los símbolos electrónicos de los diodos, ello nos
facilitará la comprensión de los esquemas, no sólo los de de Areaelectronica.com,
sino también cualquier esquema que necesiten entender.
Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similiares a los diodos de
unión y la única diferencia es, en todo caso, el sistema de construcción que se ha
aplicado. En la imagen se muestra un esquema de
uno de estos elementos que consta de una punta de
contacto en forma de muelle (1) que se hay
conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se haya
a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En
la parte baja, una base metálica hace de soporte y
asegura la rigidez del conjunto. Exactamente igual
que ocurre con los diodos de unión, el diodo de punta
de contacto se comporta dejando pasar la corriente
en un solo sentido.

Diodos emisores de luz: Los diodos emisores también son conocidos con el nombre de
LED (iniciales de su denominación inglesa Light Emitter Diode) que tienen la
particularidad de emitir luz cuando son atravesados por la corriente eléctrica. Como
quiera que consiguen una luz bastante viva y, además, con una mínima cantidad de
corriente (del orden a algunas decenas de miliamperios).
Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso físico en el que
desprenden fotones al volver a su órbita de valencia. La energía luminosa radiada
puede ser de color verde si el elemento a sido tratado con galio-fósforo, o roja si lo
sido con galio-arsenio. De hecho los galios son muy conocidos por la gran variedad de
aplicaciones que se les a encontrado en todo orden de aparatos electrónicos.

Diodo capacitivo (varicap): Este diodo, también llamado diodo de capacidad

variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal es la
de obtener una capacidad que depende de la tensión inversa a él aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de receptores
de radio en FM.

Diodo Zener: El diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de
un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso;
pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado
valor, presenta una tensión de valor constante. Este fenómeno de tensión constante
en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dipositivos
excepcionalmente útiles para obtener una tensión relativamente invisible a las
variaciones de la tensión de alimentación, es decir, como dispositivos reguladores de
tensión.

Diodo Tunel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se

pone de manifiesto rápidamente al observar su curva
característica, la cual se ve en el gráfico. En lo que respecta a
la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo
corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes
según la tensión que se le somete. La intensidad de la corriente
crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensión
hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor
tensión, se produce una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado
se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión.

Diodo Gunn: Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que
no es rectificador. Se trata de un generador de
microondas, formado por un semiconductor de dos
terminales que utiliza el llamado efecto Gunn.Cuando se
aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua de 7 V,
de modo que el ánodo sea positivo con respecto al
cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua
pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia
que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una
cavidad resonante. De hecho, la emisión de microondas
se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado
se desplazan del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en
un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas, lo que
determina la frecuencia en los impulsos.

Partes: 1, 2

1. Introducción
2. Características, funcionamiento y aplicación de los
siguientes diodos: Zener, Vericap, Túnel, Foto Diodo, Gunn, Schockley
3. Transistor, Característica, Composición y Configuración
4.
5. Colector Común
6. Conclusión
7. Bibliografía

INTRODUCCIÓN
Definición de diodo
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la
de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia depende, en gran parte, del
número de electrones libres que contenga. En un conductor este número es grande y en un
semiconductor pequeño es insignificante. El número de electrones libres de un semiconductor
depende de los siguientes factores: calor, luz, campos eléctricos y magnéticos aplicados y
cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la
influencia de la Electrónica en todos los aspectos de latecnología. Es inconcebible la vida
moderna sin los medios de comunicación (radio, televisión, telefonía), sin
los sistemas de manejo de información(computación), sin la electrónica de consumo en el
hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la técnica. Todo ha sido posible gracias a
los trabajos de investigación y desarrollo tecnológico, los cuales se han visto acelerados a partir
de la invención de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados
en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prácticamente todos
los sistemas electrónicos actuales. La tecnología de los semiconductores es un factor básico en
las economías de los países desarrollados.
De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se
establecen tres tipos de éstas: conductores, aislantes y semiconductores. La facilidad
del movimiento depende de la estructura atómica de la sustancia.
Rojas Ponce y Atagua López

Características, funcionamiento y aplicación de los siguientes

diodos: Zener, Vericap, Túnel, Foto Diodo, Gunn,
Schockley
Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de un diodo
normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso,
y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensión de valor
constante. Este fenómeno de tensión constante en el sentido inverso convierte a los diodos de
Zener en dispositivos excepcionalmente útiles para obtener una tensión relativamente invisible
a las variaciones de la tensión dealimentación, es decir, como dispositivos reguladores de
tensión.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, también llamado diodo de capacidad variable, es, en
esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal es la de obtener una capacidad
que depende de la tensión inversa a él aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de receptores de radio
en FM.
Representación en Circuito

Símbolo
Gráfica del Diodo
Diodo Túnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rápidamente al observar su curva característica, la cual se ve en el gráfico. En lo que respecta a
la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de
paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete. La intensidad de la corriente crece
con rapidez al principio con muy poco valor de tensión hasta llegar a la cresta (C) desde donde,
al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse
cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión.

Símbolo Representación en circuito

Gráfica
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con
lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a
su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia
de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
La función de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la información grabada en
el surco hipotético del CD transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos
eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o
los datosgrabados en el CD.

Símbolo Grafica
Representación en un Circuito
Diodo Gunn: Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que no es
rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos
terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una
tensión continua de 7 V, de modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente
que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia
que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la
emisión de microondas se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan
del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas,
lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Símbolos
Polarizados inversos y directos
Representación en Circuito
Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de
alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un
tipo de tiristor.
La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia (OFF) y
la III, la región de baja impedancia. Para pasar delestado OFF al ON, se aumenta la tensión en
el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La impedancia del diodo desciende
bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión,
hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus
terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I

Representación en Grafica
Símbolo
Representación en Circuito

Transistor, Característica, Composición y Configuración

Transistor (símbolo, tipos, curva característica y funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican
mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una
apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor.
La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que
los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de
forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un
dispositivo unipolar.
Características de los Transistores:
• El consumo de energía es relativamente bajo.
• El tamaño de los transistores es relativamente más pequeño que los tubos de vacío.
 • El peso.
• Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
• Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
• No necesita tiempo de calentamiento.
• Resistencia mecánica elevada.
• Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la fotosensibilidad (fenómenos
sensibles a la luz).

Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. La
operación del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que
cumplen el electrón y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la
polarización base - colector. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a al
polarización aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores
mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminará la polarización base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, según se
muestra en la figura 4.16. En resumen:
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene
polarización inversa ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el
flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las
regiones de agotamiento, que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál
polarización inversa. Habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión
p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la pregunta sería si acaso estos
portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si pasarán directamente al
material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja
conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta
resistencia hacia la Terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro
amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor
cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización
inversa, hacia el material tipo p conectado a la Terminal del colector. La razón de esta relativa
facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización
inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores con polarización
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el
material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región
de la base tipo n. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores
minoritarios en la región de agotamiento atravesará la unión con polarización inversa de un
diodo puede atribuírsele el flujo.

Configuración de Base Común

Para la configuración de base común con transistores PNP y npn. La terminología de la base
común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la
configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra
en, el potencial de tierra. A lo largo de este trabajo todas las direcciones de corriente harán
referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones.
Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor
(flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los
amplificadores de base común se requiere de dosconjuntos de características, uno para el punto
de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada
para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). El conjunto de
características de la salida o colector tiene tres regiones básicas deinterés: las regiones activa,
de corte y de saturación. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores
lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión
emisor - base se polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 4.17. En el extremo
más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente
del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo señala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequeña (micro amperes) en magnitud si se compara con
la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuración de base común se muestra en la figura 4.19. La notación que con más frecuencia
se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura
4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de
propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo
regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor
potencia ICBO, así como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a
la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor
importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un
transistor tienen polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como el emisor - base están en polarización directa.

Colector Común
La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de
impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor común.
La figura 4.21 muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de
carga conectada del emisor a la tierra.
Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado
de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista de diseño, no
se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del
circuito de la figura 4.21. Puede diseñarse utilizando las características de salida para la
configuración de colector común: son la mismas que para la configuración de emisor común.
CONCLUSIÓN
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrónica, que para su
comprensión hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y
comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propósito de
resolver algún problema.
Para nosotros uno de los aspectos más importantes de los mismos es que no se quedan en un
solo tipo de diodo; más bien se los ha desarrollado en formas que extienden su área de
aplicación.