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CAPÍTULO 3
ETAPA DE POTENCIA
En el capítulo anterior se ha proporcionado una visión global acerca de los

convertidores CA-CA así como de las diferentes tecnologías más ampliamente
utilizadas para su desarrollo. El objetivo de este capítulo es la descripción de la
etapa de potencia del convertidor de bajo coste objeto de estudio de la presente
tesis doctoral así como de los cálculos que deben realizarse para un correcto
dimensionamiento de dicha etapa.
Para ello se comienza describiendo de forma general la estructura de la
etapa de potencia de un convertidor tensión frecuencia no regenerativo con
configuración de bus intermedio para posteriormente describir cada una de sus
etapas de forma individual.
Copyright © 2005 Jose Martín Echeverría Ormaechea

3-2 Capítulo 3
3.1 INTRODUCCIÓN
Como ya se ha comentado anteriormente la etapa de potencia de un convertidor
tensión frecuencia variable es la encargada de rectificar el sistema trifásico de
tensiones de entrada, almacenar energía en forma de tensión continua en el bus
intermedio y convertir dicha tensión continua mediante el empleo de un módulo
inversor en un sistema trifásico de frecuencia y tensión ajustables en función de
la velocidad de giro que se desea obtener en el dispositivo electromagnético
conectado a la salida.
Desde un punto de vista general la etapa de potencia de un convertidor
con circuito intermedio funcionando en modo tensión puede divid irse en los
siguientes módulos.
CARGA DE LOS
CONDENSADORES
CONDENSADORES
CHOPPER
FILTRO
DE RECTIFICADOR INVERSOR
ENTRADA
DETECTOR
SOBRETENSIÓN
CIRCUITO INTERMEDIO
AISLAMIENTO
ELECTRICO
DRIVER
Figura 3.1 Diagrama de bloques de la etapa de potencia
Con el fin de reducir la emisión electromagnética y las posibles

perturbaciones que pudieran ocasionarse a cualquier otro dispositivo conectado
a la misma alimentación trifásica que el convertidor, es necesario implementar
un sistema eficaz de filtrado a la entrada del mismo. El dimensionamiento de
este filtro dependerá en gran medida del diseño de la etapa de potencia así como
de la elección de los parámetros de funcionamiento del convertidor.
Dentro del circuito intermedio pueden distinguirse cuatro módulos
claramente diferenciados. Por un lado, y teniendo en cuenta que el convertidor

Etapa de Potencia 3-3
está orientado a alimentar cargas en modo tensión, es necesario introducir un

sistema de condensadores en el bus de continua que garantice la máxima
estabilidad posible de la tensión proporcionada por el rectificador. En el
momento de conectar el sistema, los condensadores se encontrarán
completamente descargados por lo que , para evitar elevadas peticiones de
corriente durante su carga, es necesario introducir un segundo bloque que en
función de la tensión del bus de continua controle la corriente que circula por
dicho bus en los instantes iniciales. El tercer módulo al que se hace referencia
está encargado de medir en todo momento la tensión del circuito intermedio y
comunicar dicho valor a la etapa de control de forma que se garantice el
aislamiento eléctrico entre ambas etapas. La medición de la tensión de bus
permite controlar la velocidad de carga de los condensadores del bus intermedio
y garantiza que, en caso de que la carga eléctrica conectada al convertidor
comience a trabajar en modo regenerativo, se evacue el exceso de energía
mediante un cuarto módulo, consistente en un chopper, evitando de este modo
aumentos peligrosos de la tensión con la que operan los condensadores. El
circuito de frenado regenerativo o chopper consiste en la introducción de un
elemento semiconductor de potencia que, en caso de detectarse un aumento de
la tensión del bus de continua, conecte una resistencia de potencia en paralelo
con los condensadores del citado bus con el fin de evacuar el exceso de energía.
En caso de sustituir el rectificador no controlado por un inversor (topología
típica de un inversor regenerativo) no sería necesario la inclusión de un chopper
en el circuito intermedio dado que el exceso de energía podría ser devuelto a la
red de alimentación. Sin embargo esta solución, a pesar de ser mejor desde un
punto de vista energético, resulta más cara y complicada de controlar.
El inversor, que en el caso que nos ocupa está compuesto por seis
conmutadores de potencia conectados en configuración de puente trifásico de
Graetz, requiere un módulo intermedio denominado driver para la adecuación
de los niveles de tensión de las señales PWM generadas por la etapa de control.
Estas señales de control se aíslan eléctricamente de la etapa de potencia a través
de una batería de opto acopladores.

3-4 Capítulo 3
A continuación se va a profundizar en cada uno de los módulos

anteriormente descritos comentando los criterios que se han seguido para su
elección y dimensionamiento.
3.2 MÓDULO COMBINADO

Como se ha comentado anteriormente, el diseño y funcionamiento de los
convertidores de frecuencia requiere el empleo de semiconductores de potencia.
Este tipo de dispositivos funcionan como interruptores y por lo tanto alternan
entre dos posibles estados:
• Posición de bloqueo o corte. El semiconductor no permite el paso de la
corriente eléctrica y bloquea las tensiones aplicadas al mismo.
• Posición de conducción también llamada saturación. El semiconductor
permite el paso de corriente eléctrica y la caída de tensión entre sus
extremos depende de la tecnología de fabricación.
En un interruptor ideal sería deseable lograr las siguientes características
de funcionamiento:
• Pequeña intensidad de fuga cuando el semiconductor se
encuentra en su estado de bloqueo.
• Capacidad de bloquear elevadas tensiones.
• Alta capacidad de conducción de corriente eléctrica en el estado
de conducción.
• Pequeña caída de tensión en el estado de conducción.
• Alta velocidad de conmutación con el fin de limitar al máximo
las pérdidas que se producen durante dichas conmutaciones.
• Elevada inmunidad del dispositivo semiconductor ante
variaciones abruptas tanto de la tensión como de la corriente
(dv/dt y di/dt).
• Pequeñas tensiones e intensidades de control para reducir al
máximo la potencia requerida para el control del dispositivo.

En los dispositivos que pueden encontrarse en el mercado, la tecnología

empleada en su fabricación alejará su comportamiento más o menos respecto de
las características anteriormente mencionadas. En general puede afirmarse que
las características más importantes a la hora de seleccionar el tipo de
semiconductor son las siguientes:
• Tensión de utilización. Esta tensión dependerá directamente de la
potencia del convertidor tensión frecuencia desarrollado. En
general, la tensión de bloqueo del dispositivo deberá ser por lo
menos el doble que la tensión nominal a la que se verá sometido
durante su funcionamiento nominal.
• Intensidad nominal de empleo. La tecnología de fabricación del
semiconductor fijará en gran medida su capacidad para trabajar
en paralelo con otros dispositivos idénticos y por lo tanto la
capacidad de transmitir corriente eléctrica.
• Tiempos de conmutación. En general todos los dispositivos
semiconductores precisan mayores tiempos para pasar del estado
de conducción al estado de corte que viceversa. Esta
característica asimétrica en el disparo de los mismos exigirá la
introducción un tiempo muerto, dead time, mayor o menor en
función del tipo de dispositivo seleccionado.
• Velocidad de conmutación. Como se ha comentado en el capítulo
anterior con el fin de disminuir el contenido de armónicos a la
salida del convertidor es conveniente aumentar la frecuencia de
conmutación, dado que de este modo se distribuyen dichos
armónicos alrededor de la frecuencia de conmutación y sus
múltiplos, siendo fácilmente filtrados por el filtro pasa bajo
formado por las bobinas del motor.
• Corriente de fuga mientras el dispositivo permanece en estado de
bloqueo. Posteriormente se comprobará la importancia de este
parámetro a la hora de dimensionar los circuitos de disparo de los
semiconductores en el caso de que se seleccione la técnica de
bootstrap a la hora de implementar el driver. Una alta corriente

3-6 Capítulo 3
de fuga producirá una elevada descarga de los condensadores de

bootstrap por lo que éstos deberán sobredimensionarse.
• Caída de tensión durante la conducción. Las pérdidas en todo
dispositivo semiconductor pueden ser divididas en dos tipos
claramente diferenciados. Por un lado, las pérdidas por
conmutación que se producen durante el cambio de estado de los
semiconductores y que, por lo tanto, serán directamente
proporcionales a la frecuencia de trabajo de la onda portadora.
Por otro lado, las pérdidas por conducción, que serán iguales a la
caída de tensión en el dispositiv o multiplicada por la corriente
que circula por el mismo. Por lo tanto, a mayor caída de tensión
mayores pérdidas por conmutación a corriente constante.
• Potencia de control. Cuanto menores sean los requerimientos de
potencia para conmutar el semiconductor, más sencillo y barato
resultará el sistema electrónico necesario para realizarla.
3.2.1 EVOLUCIÓN DE LOS COMPONENTES DE POTENCIA
La historia de la electrónica de potencia comenzó en el año 1900 con la

introducción del rectificador de arco de mercurio [48]. Posteriormente,
aparecieron el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto
vacío de rejilla controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Este tipo de
dispositivos precursores de los actuales dispositivos semiconductores se
aplicaron en dispositivos orientados al control y gestión de la energía eléctrica
hasta la década de 1950.
La primera de las revoluciones electrónicas comienza en 1948 con la
invención del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los
investigadores Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de los
dispositivos que actualmente se están empleando parten de esta invención.
La aparición en 1958 de los primeros dispositivos PNPN comerciales
(tiristores) marca el inicio de la actual evolución de la electrónica de potencia.
Desde entonces se han introducido nuevas tecnologías con el fin de controlar

grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor. En los
siguientes apartados se describen con detalle este tipo de dispositivos.

3-8 Capítulo 3
3.2.1.1 Dispositivos no controlables
El principal componente de los módulos rectificadores no controlables es el

diodo de potencia.
Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su
cátodo, siendo la caída de voltaje directa de un diodo (VFM) de potencia muy
baja, típicamente entre 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de cátodo es más alto que el
voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo.
A (Ánodo) A (Ánodo)
J1
K (Cátodo) K (Cátodo)
Figura 3.2 Diagrama de bloques y esquemático de un diodo
El fenómeno físico de la semiconductividad está basado en el

desplazamiento de portadores de carga los cuales tienen velocidades muy altas
en su movimiento, aunque finitas. Por ello, las dos transiciones entre los estados
de conducción y bloqueo no pueden ser instantáneas. Las características
dinámicas de los diodos en rectificadores operando a frecuencias industriales
tienen una relevancia pequeña, pero en aquellos casos en los que la frecuencia
aumenta hasta unos 50 kHz (por ejemplo en los diodos de rueda libre que se
colocan en paralelo con los elementos de conmutación) , éstos han de tenerse en
cuenta. Al proceso de paso del estado de conducción al de bloqueo se le llama
recuperación inversa del diodo.

En la Figura 3.3 se representa la evolución de las intensidades y tensiones

durante la fase de recuperación de un diodo. En la curva superior puede
observarse la evolución de la intensidad ánodo cátodo a la que se le suele
designar como intensidad anódica iA . La disminución de esta corriente diA /dt
está determinada por el circuito sobre el que actúa el diodo y condiciona en gran
medida el proceso de recuperación inversa. La tensión inversa VR(DC) aparece al
terminar el tiempo de almacenamiento o t al-d . El tiempo t c, que es el tiempo que
necesita la corriente para anularse, se denomina tiempo de caída. La suma de
ambos tiempos trr recibe el nombre de tiempo de recuperación inversa (del
inglés, reverse recovery time).
t rr = t al −d + t c [ 3.1 ]
El proceso inverso, es decir, el paso del estado de bloqueo al estado de

conducción es mucho menos crítico. Está caracterizado por el tiempo de
recuperación directa trd (del inglés, direct recovery time). Antes de aparecer la
caída de tensión directa propia de la conducción, aproximadamente de 1 a 2 V.,
ocurre un breve pico de tensión denominado pico de recuperación directa. En la
Figura 3.1 VAK representa la tensión aplicada entre el ánodo y el cátodo del
diodo.
Las principales características que se deben tener en cuenta a la hora de
seleccionar los diodos son los siguientes. En el estado de bloqueo el diodo
presenta unos valores máximos que puede tolerar tales como:
• VRRM Tensión de pico inversa repetitiva.
• VRSM Tensión de pico inversa no repetitiva. (Transitoria)
• IRRM Valor de pico para la intensidad de fugas con VRRM
Las características en sentido directo o de conducción son las siguientes:
• IF(AV) Intensidad directa media. Medida mediante un semiciclo de
corriente de 50 ó 60 Hz de onda senoidal. con una temperatura
del diodo constante.

3-10 Capítulo 3
• IF(RMS) Intensidad directa eficaz. Medida mediante un semiciclo

de corriente de 50 ó 60 Hz de onda senoidal con una temperatura
del diodo constante.
• IFSM Intensidad directa instantánea máxima. Medida no repetitiva
realizada mediante una semionda senoidal de 50 ó 60 Hz.
iA
diA /dt
q t
r I r /2
I r /2
V
AK
ta l-d tc
t rr
V
FM
t
V
R(DC)
Figura 3.3 Características de recuperación inversa del diodo
Las curvas características dependen de la temperatura de la unión

semiconductora por lo que será especialmente importante prestar una especial
atención al diseño del sistema de refrigeración.
Los diodos de potencia que pueden encontrarse en el mercado son
principalmente de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (también

llamados de recuperación rápida) y los Schottky. Los diodos de uso general

están disponibles para bloquear tensiones de hasta 3000 V y permitir la
circulación de corrientes de hasta 3500 A con tiempos de recuperación inversa
superiores a los 20 µs. Los diodos de recuperación rápida cuentan con unos
niveles de tensión y corriente algo inferiores con tiempos de recuperación
inversa que varía entre 100 y 5000 ns. Los diodos Schottky están constituidos
por una unión metal-semiconductor en lugar de la unión convencional
semiconductor-semiconductor y cuentan con tensiones umbrales (tensión
directa a partir de la cual el diodo conduce) mucho menores que los diodos de
uso general y los de recuperación rápida. Su velocidad de conmutación es
equiparable a la de los diodos de recuperación rápida. Tanto los diodos de
recuperación rápida como los diodos Schottky son esenciales para la
interrupción de los convertidores de potencia a altas frecuencias.
3.2.1.2 Dispositivos semicontrolables y controlables
Se denominan dispositivos semicontrolables aquéllos que aceptan señales de

control para pasar del estado de bloqueo al estado de conducción, pero en los
que el paso inverso está determinado bien por la red de alimentación, bien por la
carga. Dentro de esta categoría se agrupan los SCR (del inglés, Silicon
Controled Rectifier) o tiristores.
Por el contrario se denominan dispositivos controlables o de conmutación
propia aquéllos que permiten su activación y desactivación a través de su
entrada de control. Dentro de esta categoría se agrupan los GTO, transistores
MOSFET, transistores BJT (del inglés, Bipolar Junction Transistor) y los
IGBTs entre otros.
3.2.1.2.1 Tiristor
Este dispositivo es conocido también como rectificador de silicio controlado o

SCR. Se presentó en 1956 aunque no se fabricó de forma comercial hasta dos
años más tarde. Históricamente se trata de uno de los dispositivos más
importantes en la electrónica de potencia ya que se han empleado de forma
masiva.

3-12 Capítulo 3
Se trata de un dispositivo de cuatro capas de estructura PNPN con tres

uniones PN. Cuenta con tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta (Figura
3.4). Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las
uniones J1 y J3 se encuentran polarizadas de forma directa o positiva. La unión
J2 se encuentra polarizada de forma inversa y sólo fluirá una pequeña corriente
de fuga del ánodo al cátodo. Si dicho voltaje directo aumenta por encima de un
determinado valor conocido como tensión directa de ruptura, la zona J2 entrará
en ruptura y se producirá un gran movimiento libre de portadores a través de las
tres uniones, que provocará una corriente directa elevada desde el ánodo hacia
el cátodo. Esta corriente deberá ser mayor que un determinado valor conocido
como corriente de enganche con el fin de mantener la cantidad requerida de
flujo de portadores a través de la unión. De lo contrario , al reducirse el voltaje
del ánodo al cátodo, el dispositivo volverá al estado de bloqueo.
A (Ánodo) A (Ánodo)
P
J1
N
J2
P
G J3
(Compuerta)
N G
(Compuerta)
K (Cátodo) K (Cátodo)
Figura 3.4 Diagrama de bloques y s ímbolo del tiristor
Una vez que el tiristor se encuentra activado se comporta como un diodo

en conducción, ya que a partir de ese momento se pierde todo el control sobre el
dispositivo. Así, el tiristor seguirá conduciendo hasta que la corriente que
circula de ánodo a cátodo baje por debajo de un valor mínimo conocido como
corriente de mantenimiento. A partir de ese instante se forma una región de
agotamiento en la unión J2 y el tiristor pasará directamente al estado de bloqueo.

Una forma de activar el tiristor sin necesidad de emplear elevadas

tensiones directas consiste en conectarlo a una pequeña tensión entre el ánodo y
el cátodo (polarización positiva del tiristor) e introducir simultáneamente un
pulso de corriente a través de la señal de compuerta. Nuevamente, una vez
disparado se depende de las características del circuito en el que ha sido
introducido el tiristor para que deje de conducir.
Durante el diseño de circuitos de potencia empleando tiristores se deben
tener en cuenta las siguientes consideraciones:
• La señal de compuerta debe eliminarse después de activarse el
tiristor. Una señal continua en la compuerta aumentaría la
pérdida de potencia en dicha unión.
• Mientras el tiristor esté con polarización inversa, no se debe
introducir señales en la gate. De lo contrario, el tiristor puede
fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
• El ancho de pulso de la señal de disparo debe ser mayor que el
tiempo requerido para que la corriente del ánodo se eleve al valor
de la corriente de enganche. En la práctica, se requiere una
anchura de pulso de disparo mayor que el tiempo de activación
del tiristor.
• Introducción de inductancias en serie para la limitación de la
di/dt. Los tiristores requieren un tiempo mínimo para dispersar la
conducción de la corriente de forma uniforme a través de sus tres
uniones. Si la velocidad de elevación de la corriente a través del
ánodo es muy alta en comparación con la velocidad de dispersión
aparecerán puntos internos de calentamiento, por lo que el
dispositivo podrá fallar debido a temperaturas excesivas.
• En caso de que la carga sea altamente inductiva se deberá colocar
una red RC en paralelo con el tiristor para protegerlo contra el
dv/dt generado durante las conmutaciones.

3-14 Capítulo 3
Durante los últimos años han surgido elementos de conmutación basados

en la topología del tiristor con el fin de compensar algunas de sus limitaciones.
Dentro de esta familia de semiconductores cabe señalar los siguientes:
• Tiristores de conmutación rápida. Uno de los princ ipales
problemas que plantean los tiristores a la hora de ser empleados
en convertidores tensión frecuencia que emplean varios pulsos de
conmutación por ciclo es su baja velocidad de conmutación. Para
resolver este problema se han desarrollado los llamados tiristores
inversores, en los que se ha reducido la velocidad de
desactivación hasta los 10 µs en término medio.
• Tiristores de desactivación por compuerta. GTO. Este tipo de
dispositivos se activan mediante una señal positiva en la gate y se
desactivan mediante una señal negativa en la misma. El principal
problema que presentan es la complicación que requieren los
circuitos de control dado que el valor de la corriente negativa que
se precisa para su desactivación es elevado.
• Tiristores de triodo bidireccional o TRIAC (del inglés, Triode
AC). Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones y
normalmente se emplean en el control de fase de corriente
alterna.
• Tiristores de conducción inversa. Se trata de un tiristor con un
diodo antiparalelo incorporado con el fin de soportar el flujo de
corriente inversa debida a cargas inductivas. Este tipo de
dispositivos cuentan con unas tensiones de bloqueo inverso muy
reducidas (en torno a los 40 V) por lo que su empleo se ve
restringido a aplicaciones muy específicas.
• Tiristores de inducción estática o SITH (del inglés, Static
Induction Thyristor). Desde el punto de vista de sus
características dinámicas el SITH se acerca mucho a las
características de un transistor MOSFET dado que se activan y
desactivan mediante tensiones aplicadas en la gate . Su principal
problema es que con la tecnología actual, este dispositivo es

extremadamente sensible a su proceso de fabricación por lo que

pequeñas variaciones en el mismo pueden producir cambios de
importancia en sus características.
• Tiristores controlados por luz o LASRC (del inglés, Laser
activated SRC). Este tipo de dispositivos se activa mediante
radiación directa provocada con luz sobre el disco de silicio. Los
LASRC se utilizan principalmente en aplicaciones de alto voltaje
y corriente, dado que ofrecen total aislamiento elé ctrico entre la
fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación que
puede llegar a flotar a un potencial tan elevado como varios
cientos de kilovoltios.
• Tiristores controlados por MOS. Un tiristor controlado por MOS
(MCT) combina las características de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. Este tipo de
dispositivos cuenta con una baja caída de tensión en conducción,
un tiempo de activado rápido (típicamente 0.4 µs), un tiempo de
desconexión rápido (típicamente 1.25 µs para un MCT de 300 A
y 500 V), bajas pérdidas de conmutación, una baja capacidad de
bloqueo de voltaje inverso y una alta impedancia de entrada de
compuerta lo que simplifica mucho los circuitos de excitación.
Por otro lado, es posible conectarlos de forma eficiente en
paralelo con lo que es posible aumentar la corriente global que
proporciona un sistema basado en MCTs.
3.2.1.2.2 Transistor bipolar de potencia o BJT

Se trata del primer semiconductor controlable y su desarrollo permitió la
construcción de los primeros amplificadores de electrónica de estado sólido. En
el campo de la electrónica de potencia, este componente se emplea como
interruptor controlable en vez de hacerlo como amplificador.
Desde el punto de vista de la capacidad del dispositivo para manejar
tensiones y corrientes las prestaciones de los transistores de potencia son mucho
más modestas que las de los tiristores. Uno de sus principales problemas radica
en su comportamiento NTC (del inglés, Negative Temperature Coefficient)

3-16 Capítulo 3
frente a la temperatura. Este comportamiento hace que al conectar en paralelo

dos transistores bipolares, si por diferencias en la fabricación por uno de ellos
circula más corriente que por el otro, el que más se calienta disminuye su
resistencia entre colector y emisor por lo que provoca un aumento automático
de la corriente. Este fenómeno puede llevar a la destrucción de uno de los
dispositivos.
Al mismo tiempo, este tipo de dispositivos se controla mediante la
introducción de forma permanente de una cierta corriente a través de su base.
Esta corriente resulta ser proporcional a la corriente que circula por el colector y
a la ganancia del transistor que no suele ser demasiado elevada. Esto obliga a
que las potencias de los circuitos de control de la base tengan que ser
relativamente elevadas para garantizar los disparos. Para resolver este
inconveniente sin que desaparezcan las ventajas del transistor de potencia, se
usan asociaciones de transistores acoplados en conexión darlington. En este tipo
de montajes se coloca un transistor auxiliar en el camino base emisor del
transistor de potencia para que la ganancia global del sistema sea el producto de
las ganancia de cada uno de los transistores, y de esta forma se reduzca la
intensidad necesaria para su control.
Desde el punto de vista de su comportamiento dinámico en las
transiciones entre corte y saturación o viceversa hay que señalar que se admiten
frecuencias de conmutación superiores a las del tiristor, pudiendo llegar a
conmutar sin ningún problema inc luso con frecuencias de 10 ó 20 kHz. Los
tiempos a tener en cuenta en cualquier análisis transitorio de este tipo de
dispositivos son los siguientes:
• Tiempo de retardo (tr). Tiempo transcurrido entre el inicio de la
excitación de la base y la llegada de la intensidad del colector al
10 % de su valor final.
• Tiempo de subida (ts ). Tiempo transcurrido para que la intensidad
de colector pase del 10 al 90 % de su valor final.
• Tiempo de excitación (te). Suma de los dos anteriores. Un valor
típico puede ser de unos 2 µs.

• Tiempo de almacenamiento (tal-BJT). Tiempo que transcurre desde

que se deja de excitar la base hasta que la intensidad del colector
cae al 90 % de su valor inicial. Un valor medio podría ser de
unos 6 µs.
• Tiempo de caída (tc). Tiempo que transcurre hasta que la
intensidad de colector baja del 90 % al 10 %. Un valor medio
podría ser de unos 2 µs.
• Tiempo de apagado (ta). Suma de los dos tiempos anteriores.
En la Figura 3.5 se muestran gráficamente los tiempos anteriormente

comentados.
t=0 se
excita la
base
orden
de
corte
90% i
c nom
10% i
c nom
t t t al- t
r s BJT c
Figura 3.5 Características de conmutación del BJT

3-18 Capítulo 3
3.2.1.2.3 Transistor MOSFET

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por tensión, que requiere
una pequeña corriente de entrada para activarse. La velocidad de conmutación
es muy elevada, reduciéndose los tiempos de conmutación al orden de los
nanosegundos.
El primer transistor MOSFET fue desarrollado a comienzos de los años
70. Este dispositivo que empleaba una tecnología de canal Vertical no fue
comercialmente viable debido a la alta densidad de campo eléctrico que se
concentraba en el canal de conducción, el cual afectaba a la fiabilidad del
mismo. Estos problemas se solucionaron con la aparición de las tecnologías
MOS (del inglés, Metal Oxide Semiconductor) de doble difusión DMOS (del
inglés, Double Diffused MOSFET), proceso que actualmente todavía se emplea
para fabricar la mayoría de los transistores MOSFET de potencia y los IGBTs.
Con esta tecnología es posible controlar la longitud del canal en un rango por
debajo de la micra empleando diferentes ciclos de calentamiento durante su
fabricación. Además, el control del proceso se realiza sin necesidad de emplear
las extremadamente caras herramientas de impresión de alta resolución que son
usuales en las tecnologías de integración de componentes VLSI (del inglés,
Very Large Scale Integration). De esta forma es posible integrar de forma
barata millones de celdas DMOS conectadas en paralelo con un índice de
funcionamiento post-integración superior al 70 %. En la Figura 3.6 puede verse
la estructura típica de un transistor de potencia MOSFET con tecnología DMOS

Gate (G)
N N
N-
Drain (D)
N+
Drain (D)
Figura 3.6 Estructura básica del transistor MOSFET de tecnología DMOS
Si se aplica una tensión positiva entre los terminales gate y source, el

campo eléctrico aplicado atraerá los electrones del substrato P, y los acumulará
en la superficie por debajo de la capa de óxido de la gate. Si la tensión VGS es
mayor o igual a un valor conocido como voltaje de umbral (VT) se acumulará un
número suficiente de electrones para formar un canal virtual N y la corriente
fluirá del drenaje a la fuente. Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de
canal P, las polaridades de las tensiones y las corrientes se invierten. En los
MOSFET tipo agotamiento existe un canal previo ya generado con lo que en los
dispositivos de canal N la aplicación de una tensión VGS positiva lo enriquece
mientras que una negativa lo empobrece.
Mediante el empleo de esta estructura, se ha logrado reducir la resistencia
que aparece cuando el dispositivo se encuentra activado desde los 0.7 µ? m2 de
los años 80 a los 0.06 µ? m2 en la actualidad.

3-20 Capítulo 3
En la Figura 3.7 se muestran los tiempos a tener en cuenta durante la

activación y la desactivación de este tipo de dispositivos.
V
GS t=0 se
excita la orden
gate de
corte
VGSP
V
T
ts
t tc
t d(off)
d(on)
Figura 3.7 Características de conmutación del MOSFET
El retraso de la activación o td(on) es el tiempo requerido para cargar la

capacidad de entrada al nivel de tensión VT que es conocido como tensión
umbral de disparo del transistor MOSFET. El tiempo de elevación (ts ) es el
tiempo de carga de la gate desde el nivel de umbral hasta un 90% de la tensión
máxima de trabajo de la gate Este voltaje suele ser representado mediante el
acrónimo VGSP . La capacidad de entrada está formada por el dióxido de silicio
como dieléctrico y los contactos metálicos de los terminales gate y source. El
tiempo de retraso en la desactivación o td(off) , es el tiempo requerido para que la
capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de sobre excitación de la
gate hasta la región de estrechamiento del canal. La tensión aplicada entre los
terminales gate y source VGS debe reducirse de forma significativa antes de que
la tensión aplicada al canal VDS comience a elevarse. El tiempo de abatimiento
tc es el tiempo que se requiere para que se descargue la capacidad de entrada
desde la región de estrechamiento del canal hasta el voltaje del umbral. Si VGS
es menor que V T el transistor se desactiva.
Los tiempos habituales de conmutación para un transistor MOSFET de
potencia son los siguientes:

t d (on) = 130 ns ; t s = 850 ns ; t d (off ) = 630 ns ; t c = 180 ns
Este tipo de dispositivos cuenta con una gran facilidad a la hora de

conectarlos en paralelo debido a su característica de funcionamiento PTC (del
inglés, Positive Temperatura Coefficient). En caso de que aumente la corriente
que circula por alguno de los dispositivos, automáticamente aumenta su
resistencia debido al aumento de la temperatura, con lo que se limita
automáticamente dicha deriva de corriente.
Desde el punto de vista de la máxima tensión de bloqueo hay que señalar
que la caída de tensión cuando el dispositivo se encuentra activado es
proporcional a la máxima tensión que es capaz de bloquear. Este
comportamiento limita en cierta medida el empleo de este tipo de dispositivos
en aquellas aplicaciones en las que la tensión del bus de continua es
relativamente alta dado que aumentan las perdidas por conducción.
La última innovación en la fabricación de este tipo de dispositivos ha sido
la aparición de la estructura UMOS (del inglés, U channel MOSFET). Este tipo
de dispositivos permiten integrar el mismo número de celdas que en la
tecnología DMOS con la ventaja de que se elimina la resistencia aportada por la
unión del transistor JFET. De esta forma es posible acercarse un poco más a la
resistencia límite teórica del propio silicio, llegando a valores de 0.01 µ? m2
diminuyendo en gran medida las pérdidas por conducción de los dispositivos.
3.2.1.2.4 IGBT
Un IGBT combina las ventajas de las tecnologías BJT y MOSFET dado que
presenta la alta impedancia de entrada de los MOSFET, manteniendo las bajas
pérdidas de conducción de los BJT. Desde su primera descripció n a principios
de 1980 ([49] , [50]) el IGBT se ha convertido en uno de los dispositivos más
empleados en campo de la electrónica de potencia de media y baja tensión, al
ofrecer equilibrio entre la velocidad de conmutación, la caída de tensión en
conducción y [51] robustez.
Esta topología de semiconductor de potencia puede encontrarse en el
mercado en dos diferentes tecnologías de fabricación:

3-22 Capítulo 3
• Tecnología plana en sus versiones non punchthrough y

punchthrough [52].
• Tecnología “Trench”, en sus versiones non punchthrough y
punchthrough [52]-[53].
La tecnología trench se corresponde aproximadamente con la cuarta
generación de IGBTs que han ido surgiendo desde comienzo de la década de
1980, presenta una menor caída de tensión en el estado de conducción frente a
las tecnologías planares, al mismo tiempo que reduce la posibilidad de que se
enclave el dispositivo debido al tiristor parásito, por lo que es posible el paso de
mayores densidades de corriente. Por desgracia, una mayor densidad de
corriente implica la necesidad de aumentar el exceso de carga del condensador
de gate por lo que el rendimiento de los dispositivos trench durante la
conmutación es menor. Recientes investigaciones ([54], [55]) han demostrado
que el rendimiento en la conmutación de los IGBTs fabricados según la
tecnología trench puede aumentarse o disminuirse en función de la estructura
interna del mismo. La Figura 3.8 muestra la estructura básica de un transistor
IGBT.
Se puede comprobar como la sección transversal del IGBT es idéntica a
la de un MOSFET de tecnología DMOS (ver Figura 3.6) excepto en el substrato
P+. Sin embargo, el rendimiento del IGBT es más cercano al de un BJT que al
de un MOSFET. Esto se debe al substrato P+, que es el responsable de la
inyección de portadores minoritarios en la región N.

Gate (G) Emisor (E)
N N
N+
P+
Colector (C)
Figura 3.8 Estructura básica del transistor IGBT
Si se comparan el IGBT y el MOSFET, en general se puede decir que el

IGBT es capaz de trabajar con tensiones y corrientes más elevadas pero a una
frecuencia de trabajo inferior. Esta reducción en el margen de las frecuencias de
trabajo se debe a que en los IGBTs aumenta mucho el tiempo requerido para
que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de sobre excitación de
la gate hasta la región de estrechamiento del canal td(off) . Sin embargo en general
son capaces de trabajar a una mayor frecuencia que la recomendada por el
límite de las pérdidas por conmutación.
Desde el punto de vista de la conexión en paralelo, los IGBTs han
demostrado ser eficaces a la hora de conectarlos en paralelo con el fin de
aumentar la corriente total absorbida por el sistema.
3.2.2 ELEMENTOS DE POTENCIA SELECCIONADOS
En la Tabla 3.1 puede verse un resumen muy general de las características de

los semiconductores controlados expuestos en los apartados anteriores. Es
necesario tener en cuenta que probablemente en algunos casos los valores

3-24 Capítulo 3
expuestos [74] sean superados por los dispositivos más recientes sobre todo en
aquellos dispositivos que están en constante evolución como por ejemplo los
GTO y los IGBT.
Tabla 3.1 Resumen de características de semiconductores controlados.
Tiristor GTO BJT MOSFET IGBT
Tensión de trabajo (V) 5000 3500 1400 500 1800
Capacidad de bloqueo de Muy alta Alta Media Baja Alta

tensión
Intensidad nominal máxima (A) 5000 3000 300 100 400
Potencia consumida durante el Muy alta Alta Media Baja Media

control del dispositivo.
Caída tensión directa (V) 1a2 1a2 3 5
Máx frecuencia conmutación 500 2000 3000 250000 20000

(Hz)
Velocidad de conmutación Baja Media Media Muy alta Alta
Facilidad de control Baja Alta Alta Muy alta Muy alta
Dado que se ha decidido que el módulo rectificador tenga una

configuración no controlable con el fin de reducir el coste y la complejidad del
sistema, deberá estar compuesto por diodos de potencia. Por su parte, la
elección de los interruptores de la etapa inversora está condicionada por la
tensión de trabajo del bus de continua. Dado que la alimentación del motor se
realiza media nte un sistema trifásico de 400 V, el bus intermedio del
convertidor estará sometido a una tensión media de unos 566 V. Por otro lado
en el caso de alimentar motores eléctricos, es necesario prever hasta qué nivel
de tensión se va a permitir que aumente dicho bus intermedio durante los

frenados regenerativos. Cuanto mayor sea el aumento de dicha tensión, mas

rápidamente se extraerá energía del sistema mecánico. En concreto se ha
decidido permitir que la tensión del bus alcance los 900 V por lo que se
dimensionarán los semiconductores de potencia para que puedan bloquear
tensiones de 1200 V como mínimo. El transistor MOSFET no cumple estos
requerimientos de tensión de bloqueo, mientras que el tiristor puede ser
descartado por su baja velocidad de conmutación. Por lo tanto, las posibles
alternativas a la hora de seleccionar los interruptores de la etapa inversora se
reducen al IGBT y al transistor bipolar.
Ya se ha comentado anteriormente que durante los últimos años el IGBT
ha despertado el interés de la mayor parte de los diseñadores de etapas de
potencia en régimen conmutado. Este fenómeno, unido al hecho de que en
general las topologías empleadas en la mayor parte de los dispositivos de
potencia están basadas en el semipuente y en el inversor trifásico de Graetz, ha
llevado a los fabricantes de semiconductores de potencia a ofrecer módulos
compactos en los que se integran dichos componentes de potencia ya
interconectados entre sí.
Las principales ventajas de recurrir a uno de estos módulos integrados,
son:
• Mayor facilidad para realizar el montaje final del convertidor
debido a que todos los componentes de potencia se encuentran
encapsulados juntos.
• Reducción del coste del dispositivo final al evitarse la realización
de complicados cableados entre los distintos componentes de
potencia.
• Una mayor eficacia en la disipación térmica de energía dado que
el usuario final únicamente debe preocuparse por la unión
mecánica del equivalente a un único componente al disipador
térmico.
• Facilidad para que, en el montaje final, las conexiones con las
gate de los IGBTs sean lo más cortas posible con el fin de evitar
la aparición de inductancias parásitas en el circuito.

3-26 Capítulo 3
El último avance que se ha producido en el campo de los IGBTs ha sido

la evolución de este tipo de módulos integrados con el objetivo final de reducir
el coste de desarrollo de los inversores. Fruto de esta evolución son los PIM (del
inglés, Power Integrated Module). En este tipo de dispositivos cada fabricante
cuenta con sus propias configuraciones, pudiendo integrar:
• El rectificador trifásico no controlado.
• Resistencias NTC para el control de la temperatura de los
elementos de potencia.
• Shunts integrados para el cálculo de la corriente eléctrica que
circula por las fases de salida.
• Un IGBT para el accionamiento del circuito recuperador de la
energía regenerada.
• Un tiristor para el accionamiento del circuito de carga controlada
del condensador del circuito intermedio.
• Drivers para la adecuación de las señales de control a los niveles
de tensión y corriente necesarios para el disparo de las gate.
• Protecciones contra sobreintensidades, caídas de tensión,
desaturación de los componentes de potencia, cortocircuitos a la
salida, etc.
• En algunos casos se ha propuesto la posibilidad de integrar
dentro del propio PIM un microprocesador o un DSP (del inglés,
Digital Signal Processor) en el que poder introducir el control de
todo el sistema. Esta última solución implica que el PIM en sí
mismo constituye el convertidor tensión frecuencia siendo
únicamente necesario conectarle los condensadores del bus de
continua e instalarlo en el disipador térmico. En el momento de
escribir esta memoria da la impresión de que esta última
posibilidad no ha arraigado en el mercado debido, entre otros
motivos, al hecho de que obliga a emplear un microprocesador
determinado en el que las ingenierías encargadas del diseño de
electrónica de potencia no tienen experiencia , o bien que no

cumple con los requerimientos de potencia de cálculo o de

cantidad de memoria necesarios para todas las aplicaciones. Por
otro lado, en caso de avería sería necesario cambiar todo el
módulo, con lo que se incrementa de forma notable el coste de
mantenimiento del sistema.
Para la implementación de los módulos rectificador e inversor del
convertidor (ver Figura 3.1) se ha decidido emplear un único PIM del fabricante
SEMIKRON. Se trata de uno de los componentes de la familia MiniSKiiP 3, en
concreto el SKiiP 31 NAB 12 T11. Este dispositivo integra dentro del mismo
encapsulado un puente rectificador trifásico, un puente inversor trifásico de
IGBTs en tecnología NPT (del ingés, Non PunchThrough) con el fin de reducir
la caída de tensión en el estado de conducción, un IGBT extra con el fin de
implementar el circuito de recuperación de energía regenerada o Chopper y un
sensor de temperatura NTC.
Posteriores avances en el desarrollo de este producto han ido
encaminados a la sustitución de los IGBTs por otros de tecnología Trench
modificada con el fin de reducir todavía más la caída de tensión y reducir el
tamaño de cada uno de los mismos.
Figura 3.9 Modulo de potencia SKiiP31 NAB 12 T11
Una de las principales ventajas de emplear el IPM seleccionado reside en

su peculiar sistema de conexiones por presión. Este sistema, en el que no es

3-28 Capítulo 3
necesario realizar soldaduras, garantiza que en ningún caso los componentes

internos del módulo de potencia puedan sufrir daños debido a las elevadas
temperaturas que se producen durante el montaje del módulo en el circuito
impreso. Por otro lado se simplifica en gran medida el montaje y desmontaje del
módulo en caso de ser necesario proceder a su sustitución.
Figura 3.10 Corte transversal del SKiiP31 NAB 12 T11
En la Figura 3.10 puede observarse el método de montaje del módulo de

potencia en el convertidor de frecuencia. En la parte inferior de color azul se
representa el disipador de aluminio encargado de garantizar la correcta
disipación de temperaturas del sistema. Sobre el disipador se sitúa el substrato
cerámico sobre el que se han instalado los elementos de potencia. Este substrato
cerámico garantiza una resistencia térmica de interconexión muy baja , a pesar
de lo cual se monta sobre el disipador empleando pasta conductora térmica. Las

conexiones eléctricas entre los diferentes componentes se realizan mediante

hilos de cobre soldados mediante ultrasonidos y protegidos de las vibraciones
mecánicas mediante la inmersión de todo el sistema en una silicona aislante. Por
otro lado, las conexiones eléctricas con el circuito impreso se realizan mediante
unos contactos de presión que sobresalen por la parte superior del módulo de
potencia. En caso de que la corriente sea elevada, se colocan varios conectores
de presión en paralelo. La correcta conexión entre los pads del circuito impreso
(en verde en la figura) y los contactos de presión se garantiza mediante una tapa
que presiona al circuito impreso en el lado opuesto al módulo de potencia. La
presión de contacto se ajusta mediante uno o varios tornillos. Con el fin de
aprovechar al máximo el espacio, la parte interior de la tapa cuenta con una
serie de huecos en los que pueden colocarse componentes electrónicos en
formato de montaje superficial.
3.2.3 CIRCUITO AUXILIAR PARA EL CONTROL DE LOS ELEMENTOS

DE POTENCIA
Como ya se ha comentado anteriormente el módulo inversor está compuesto por

seis dispositivos totalmente controlables dispuestos en tres parejas, cada una de
las cuales recibe el nombre de semipuente. Cada uno de dichos semipuentes es
el encargado de conformar una de las tres tensiones de salida del convertidor.
De los dos dispositivos de conmutación que conforman el semipuente, se
debe prestar una especial atención al superior debido a la dificultad que existe a
la hora de proporcionarle la tensión de disparo en la gate. El problema consiste
en que es necesario mantener una tensión VGE de aproximadamente 15 V a
pesar de que la tensión de emisor del dispositivo superior varía en función del
instante en el que se considera la medición de dicha tensión.
3.2.3.1 Sistemas de alimentación múltiple
Los sistemas de alimentación múltiple basan su funcionamiento en emplear

cuatro fuentes de alimentación con salidas aisladas entre sí con el fin de generar
las señales de alimentación de los seis IGBTs que conforman el puente de
Graetz y los seis drivers individuales necesarios para controlar dichos IGBTs.
Una de las fuentes de alimentación proporciona la tensión de alimentación de

3-30 Capítulo 3
los tres drivers conectados con los IGBTs situados en la parte inferior de los
semipuentes del sistema Graetz, mientras que cada una de las otras tres fuentes
de alimentación alimentan a los drivers de cada uno de los IGBTs superiores.
Dado que esta solución aumenta en gran medida el coste final del
inversor, algunos fabricantes están fabricando componentes que integren las
cuatro fuentes de alimentación en un único componente. La Figura 3.11 muestra
una posible solución para obtener, a partir de una tensión alterna de 380 V
cuatro fuentes de alimentación de 15 V empleando componentes de
MOTOROLA.
Alim+ (P3,4)
+DCDC1 (P1)
C13
IC2 40uF D12 1N4007 IC3 R15 C8
+
11 100V 14 5K1 33uF
R+ (P4) INPUT1 15V-1
6 1 SMD 35V
+
PWM POWER +INPUT1 30 mA

12 INPUT2 COM-1 13 -DCDC1 (P1)
OUTPUT 5 2 +INPUT2 +DCDC2 (P1)
7 12 SMD
TP 15V-2
2 3 30 mA R16 + C9
GND-2 +INPUT3
1 C12 11 5K1 33uF
BUS- (P1,3,4) GND1 COM2
+ 100V 35V
400uF 10
M57120L 15V-3 -DCDC2 (P1)
4 30 mA
-INPUT1 +DCDC3 (P1)
9
COM3
5 R17 + C10
-INPUT2
8 5K1 33uF
15V-4
6 SMD 35V
-INPUT3 100 mA
COM4 7 -DCDC3 (P1)
Alim- (P3,4) +DCDC4 (P1)
M57140-01
R18 + C11
2K 33uF
SMD 35V
-DCDC4 (P1)
Figura 3.11 Alimentación en sistemas de drivers de alimentación múltiple
Dado que las cuatro fuentes de salida son independientes entre sí, es
posible conectar los pines 9, 11 y 13 del dispositivo M57140-01 directamente a
los emisores de los IGBTs superiores a pesar de que la tensión de dichos puntos
permanece flotante en todo momento.
3.2.3.2 Técnica Bootstrap
La tensión Vbs (diferencia de tensión existente entre los pines Vb y Vs en el

driver orientado a emplear la técnica bootstrap) provee la energía necesaria para
controlar el estado de funcionamiento del IGBT superior. Esta fuente de
alimentación precisa contar con una tensión de salida comprendida entre 10 y
20 V para poder garantizar que puede activarse en todo momento el IGBT
superior. Algunos dispositivos incluyen un sistema para la detección de

tensiones inferiores a la necesaria con el fin de evitar que se intente activar el

IGBT superior con tensiones inferiores a la mínima. Este tipo de protecciones
impide que los IGBTs trabajen fuera del estado de saturación y por lo tanto
disipando una cantidad excesiva de energía.
El mantener una tensión Vbs constante presenta la dificultad añadida de que la
tensión Vs es variable (en la mayoría de los casos se trata de una señal cuadrada
de alta frecuencia que varía aproximadamente entre cero voltios y la tensión del
bus de continua). Una de las técnicas empleadas para integrar esta fuente de
alimentación flotante recibe el nombre de técnica bootstrap. Esta fuente de
alimentación está formada por un diodo y un condensador conectados tal y
como puede verse en la Figura 3.12.
bootstrap resistor
DC+
bootstrap diode
VCC VB D1
DIODE
bootstrap
capacitor
Vcc VS
D1
DIODE
DC-
Figura 3.12 Circuito de bootstrap
Dicho condensador se carga siempre que Vs se conecta a tierra a través del

IGBT inferior absorbiendo energía de la fuente de alimentación Vcc. Dicha
energía se emplea para proporcionar la corriente necesaria para activar el IGBT
superior al mismo tiempo que mantiene la tensión necesaria para que dicho

3-32 Capítulo 3
transistor no deje de trabajar en saturación. Esta técnica tiene la ventaja de ser

barata y sencilla de implementar, pero cuenta con algunas limitaciones ya que el
duty cycle y el tiempo que se puede mantener el transistor superior conduciendo
dependen de la cantidad de energía que se almacena en el condensador de
bootstrap. En caso de ser necesarios grandes tiempos en ON o grandes duty
cycles, será preciso contemplar la posibilidad de emplear circuitos basados en
bombas de corriente para la carga del condensador.
3.2.3.2.1 Dimensionamiento del condensador de bootstrap

Un condensador de bootstrap correctamente dimensionado permitirá mantener
en todo momento una tensión Vbs lo suficientemente estable como para poder
disparar con garantías el IGBT superior de su correspondiente semipuente. Los
parámetros que influyen en la disminución de la tensión Vbs son los siguientes:
• Carga necesaria para activar los IGBTs (QG )
• Intensidad de fuga desde la gate al emisor de un IGBT (ILK_GE )
• Intensidad de carga flotante (IQBS)
• Intensidad de fuga flotante (ILK )
• Intensidad de fugas en el diodo bootstrap (ILK_DIODE )
• Intensidad del diodo en estado ON (IDS-)
• Carga requerida para activar los desplazamientos internos (QLS)
• Intensidad de fuga del condensador de bootstrap (ILK_CAP )
• Duración de la activación del IGBT (THON )
Durante la carga del condensador pueden darse tres situaciones diferentes
en función del valor que adopta la corriente de salida del semipuente ILOAD . En
las siguientes expresiones VFM representa la caída de tensión directa en el diodo
bootstrap, VFP la caída de tensión directa en el diodo de rueda libre del IGBT
inferior y Vcc la tensión de alimentación del driver.
Caso 1: ILOAD < 0; La corriente de salida circula por el IGBT inferior haciendo
que la tensión VCEon sea relevante. Siendo VCEon la caída de tensión que

aparece entre el emisor y el colector de un IGBT cuando se encuentra

activado.
Vbs = Vcc − V FM − VCEon [ 3.2 ]
Caso 2: ILOAD = 0; VCEon no debe tenerse en cuenta dado que por el IGBT
inferior no circula corriente.
Vbs = Vcc − V FM [ 3.3 ]
Caso 3: ILOAD > 0; La corriente de salida circula por el diodo de rueda libre del
IGBT inferior por lo que al sumar la tensión VFP en este caso la tensión
Vbs es mayor que en los casos 1 y 2.
Vbs = Vcc − VFM + VFP [ 3.4 ]
De las expresiones anteriores se comprueba que el peor caso desde el

punto de vista de la carga del condensador de bootstrap se da para corrientes de
carga negativas, por lo que se deberá tener en cuenta el término de la caída de
tensión en el IGBT inferior.
La tensión almacenada en el condensador variará entre un valor máximo,
que se produce cuando el IGBT inferior se encuentra activado, y un valor
mínimo, justo antes de volver a activar dicho IGBT. A la hora de dimensionar el
condensador deberá tenerse en cuenta que dicho mínimo siempre deberá ser
superior a la mínima tensión de gate necesaria para que el IGBT superior
trabaje en saturación VBSUV- , por lo que a la hora de calcular la caída de tensión
en el condensador de bootstrap se sumará siempre un término VGEmin elegido en
función de las características del módulo de potencia , que siempre cumplirá la
siguiente expresión:
VGE min > VBSUV− [ 3.5 ]
Teniendo en cuenta lo anteriormente comentado puede expresarse la

caída de tensión en el condensador bootstrap como:
∆Vbs = Vcc − V F − VGE min − VCEon [ 3.6 ]
Por otro lado la carga total necesaria para disparar el IGBT superior
puede expresarse como:

3-34 Capítulo 3
( )
Qtotal = QG + QLS + I LK _ GE + I QBS + I LK + I LK _ DIODE + I LK _ CAP + I DS − THON [ 3.7 ]
Una vez conocida la caída de tensión y la carga requerida al condensador
puede calcularse su capacidad:
Qtotal
C BOOT min = [ 3.8 ]
∆VBS
En caso de que el diseño exija trabajar con THON elevadas, el valor de la

capacidad obtenida de las expresiones hasta ahora mostradas será lo
suficientemente elevada como para justificar el empleo de condensadores
electrolíticos. Este tipo de condensadores cuentan con una ESR (del inglés,
equivalent series resistance) apreciable que debe tenerse en cuenta a la hora de
calcular la capacidad mínima ya que dicha resistencia parásita forma un divisor
resistivo al estar en serie con la resistencia RBOOT (en la Figura 3.12 la
resistencia RBOOT recibe el nombre de resistencia de bootstrap) provocando en
la primera carga del condensador de bootstrap un pulso en la tensión Vbs . Este
salto de tensión y su variación con el tiempo dV bs /dt deben ser limitados
necesariamente.
Los fabricantes de los drivers suelen recomendar que el ESR cumpla la
siguiente relación:
ESR
Vcc ≤ 3 [ 3.9 ]
ESR + RBOOT
Una posible solución de compromiso para reducir el ESR a la vez que se
implementan capacidades elevadas es el combinar en paralelo condensadores
electrolíticos y pequeños condensadores cerámicos, dado que el primero de
ellos garantiza el mantener la tensión Vbs deseada, mientras que el segundo evita
las variaciones bruscas de la tensión durante la conexión de este tipo de
sistemas.
3.2.3.2.2 Dimensionamiento de la resistencia de bootstrap

La resistencia RBOOT colocada en serie con el diodo de bootstrap limita la
corriente inicial de carga del condensador de bootstrap. Por ello,

necesariamente no puede tener un valor demasiado elevado dado que

aumentaría en gran medida el valor de la constante de tiempo de carga del
condensador. Así, dicha constante de tiempo debe ser lo suficientemente
pequeña para permitir cargas de dicho condensador incluso con tiempos de
activación del IGBT inferior muy pequeños.
3.2.3.2.3 Dimensionamiento del diodo de bootstrap

El diodo de bootstrap debe ser capaz de bloquear la suma de la tensión del bus
de continua y la máxima tensión alcanzada por el condensador de bootstrap. Por
otro lado, es conveniente que su tiempo de recuperación tr r sea lo menor posible
con el fin de permitir cargas del condensador de bootstrap con tiempos de
activación del IGBT inferior muy pequeños.
3.2.3.2.4 Dimensionamiento de las resistencias de gate
La velocidad de conmutación de los IGBTs puede ser controlada mediante el

correcto dimensionamiento de las resistencias que controlan sus corrientes de
activación y de desactivación. Estas resistencias se colocan en serie con la gate
y en el presente trabajo se corresponderán con las siglas RGon y RGoff,
respectivamente. A continuación se va a describir un método aproximado para
calcular dichas resistencias teniendo en cuenta las resistencias equivalentes que
presenta el driver a la salida, siendo RDRp y RDRn las resistencias del canal p y n
de los transistores de salida integrados dentro del mismo. La Figura 3.13
*
muestra la nomenclatura empleada en los siguientes apartados siendo VGE la
tensión de meseta del IGBT al mismo tiempo que QGC y QGE representan
respectivamente la carga de gate-colector y gate-emisor.

3-36 Capítulo 3
Figura 3.13 Nomenclatura
Resistencia de Activación desde el punto de vista del tiempo de disparo

En cualquier IGBT se define el tiempo de disparo tsw como el tiempo
necesario para alcanzar el final de la tensión de meseta. Durante este intervalo
de tiempo es necesario proporcionar al dispositivo una carga eléctrica Qgc+Qge.
Este nivel de carga exigirá proporcionar una corriente media Iavg que responde
aproximadamente a la siguiente expresión
QGC + QGE
I avg = [ 3.10 ]
t sw
Teniendo en cuenta que la resistencia total que presenta la gate es igual a
Vcc − V ge*
Rtotal = [ 3.11 ]
I avg
Donde

Rtotal = RDRp + RGon + RDS [ 3.12 ]
Siendo RDRp la resistencia que presenta el transistor canal P integrado en

la salida del driver al proporcionar corriente a la gate de su IGBT. Es decir, la
resistencia que presenta el driver entre su alimentación y su salida al activar la
gate del IGBT. Por su parte RGon representa la resistencia de limitación de
corriente en la gate que se quiere incluir y RDS es la resistencia de limitación de
corriente durante las cargas del bootstrap que en ocasiones se coloca en serie
con el condensador de bootstrap como puede verse en la Figura 3.12.
Comprobación de que la resistencia de activación calculada no genera en la
gate variaciones de tensión superiores a las que el fabricante aconseja.
Una vez fijada la resistencia RGon en función del tiempo deseado en el que
se quiere que se active el IGBT, se deberá comprobar que dicha resistencia no
provoca una dV out /dt excesivamente grande en la salida. Esta variación de la
tensión con el tiempo es también función de la capacidad que existe entre la
gate y el colector del IGBT CGC. Por lo que suele aceptarse la siguiente
relación:
Vcc − VGE
*
Rtotal =
dVout [ 3.13 ]
CGC
dt
La máxima dV out /dt suele recogerse de las especificaciones técnicas del
IGBT considerado.
Resistencia de desactivación desde el punto de vista de la reducción del
dVout/dt
A pesar de que la tónica general a la hora de dimensionar la resistencia de
desconexión del IGBT es colocar una resistencia de la mitad de valor que la de
activación, es conveniente comprobar nuevamente que con dicha resistencia la
variación de la tensión a la salida no supera los valores especificados por el
fabricante siguiendo la siguiente expresión aproximada.

3-38 Capítulo 3
*
VGE
RGoff = − RDRn − RDS
dVout [ 3.14 ]
CGC
dt
Siendo RDRn la resistencia que presenta el driver entre la salida y su
referencia cuando se desconecta el IGBT y RDS la resistencia de limitación de la
corriente de carga de los condensadores bootstrap que en ocasiones se coloca en
serie con el condensador de bootstrap.
3.2.3.3 Driver seleccionado
El driver seleccionado para la construcción del regulador tensión

frecuencia variable ha sido el IR2233. Se trata de un driver trifásico que emplea
la tecnología bootstrap. Se ha empleado esta tecnología dado que resulta mucho
más económica al precisar únicamente una sola fuente de alimentación.
Sus entradas lógicas son compatibles con salidas CMOS (del inglés,
Complementary metal oxide semiconductor) y LSTTL (del inglés, Low power
Schottky Transistor-Transistor Logic ) por debajo de 2.5 V. Cuenta con un
amplificador operacional con el fin de facilitar la implementación de
retroalimentaciones analógicas de la corriente del puente a través de resistencias
Shunt. Permite además desconectar todas las salidas mediante la activación de
una entrada digital.
En caso de producirse un error lo notifica a través de una señal digital
empleando lógica inversa. Los errores que discrimina pueden ser una
sobrecorriente o una caída de tensión en la fuente de alimentación de los
bootstrap. Esta característica es especialmente útil dado que permite evitar los
problemas de desaturación de los IGBTs.
Finalmente, los tiempos de propagación de todas las señales han sido
sincronizados con el fin de garantizar un correcto funcionamiento en sistemas
con frecuencias de conmutación muy elevadas, al mismo tiempo que permite
trabajar con MOSFET canal N e IGBTs con tensiones en el bus intermedio por
encima de los 1200 V.

En la Figura 3.14 pueden verse los valores obtenidos para las resistencias
de activación y desactivación de los IGBTs así como la resistencia de limitación
de carga del condensador bootstrap para el caso particular del circuito
presentado en el presente trabajo de investigación.
+15 Vp
D2
BYT11
R2 5R11 5% D15 1N4148

Gate High3
D4
C5 + C16 BZX55C15
6.8 uF 2.2 uF R1 10R 5%
W
R3 10R 5%
+15 Vp
Figura 3.14 Detalle de uno de los circuitos de disparo
Se observa cómo se ha introducido un diodo Schotcky de alta velocidad

como diodo de bootstrap (D2) con el fin de garantizar en todo momento una
elevada velocidad de bloqueo de las sobretensiones que puedan acontecer en la
parte de potencia , y proteger de este modo la fuente de alimentación de 15 V.
Con el fin de separar las resistencias de gate encargadas de trabajar en los ciclos
de encendido y apagado, se ha colocado un diodo en serie cono la resistencia de
apagado R2, de forma que la corriente de carga circule por la resistencia R1 y la
de descarga por R2. Por otro lado, y dado que la capacidad de bootstrap
necesaria es muy elevada, se han introducido dos condensadores en paralelo uno
de los cuales es cerámico con un muy pequeño valor de ESR, tal y como se ha
comentado en los apartados anteriores.
Como protección adicional se ha añadido un diodo Zener de 15 V en la
gate del IGBT, dado que de esta forma se protege la salida del driver, se recoge
la corriente generada por variaciones bruscas de la tensión del colector y se
logra mantener la tensión gate-emisor siempre bajo control. Esta protección es
especialmente importante durante la desconexión del IGBT inferior en caso de

3-40 Capítulo 3
producirse un cortocircuito, ya que la tensión del emisor de dicho IGBT puede

llegar a bajar por debajo de la referencia debido a las inductancias parásitas de
los cables del propio bus, según se puede ver en la Figura 3.15.
Figura 3.15 Protección Zener de la gate del IGBT
La resistencia R3 se coloca con el fin de limitar la corriente de carga de

los condensadores de bootstrap. Está demostrado que la principal causa de
averías en el driver está producida por una petición excesiva de corriente
durante las conmutaciones de los IGBTs inferiores. Esta resistencia
(normalmente llamada RDS) debe tenerse en cuenta a la hora de calcular las
resistencias de activación y desactivación de los IGBTs por lo que aparece en
las fórmulas tal y como se ha considerado en los apartados anteriores.
Por último, la Figura 3.16 muestra el esquema eléctrico de conexión del
driver IR2233 dentro de la etapa de potencia.

+5 Vp Power IGBT Low3

Power IGBT Low2
SW1 Switch 2A/250V
3 U1 Power IGBT Low1
Power IGBT High3
2 Power IGBT High2
1 1 28 Power IGBT High1
ITRIP FAULT
SW2 Switch 2A/250V 2 27
3 FLT-CLR LIN3
2 3 26 +15 Vp
1 CAO LIN2
4 25
SW3 Switch 2A/250V CA- LIN1
3 5 24 D2
2 CA+ HIN3 BYT11
1 6 23
SD HIN2 +15 Vp R 2 5 R 1 1 5 % D15 1N4148
7 22
VSS HIN1 Gate High3
8 21 D4
COM VCC C5 C16 BZX55C15
+
9 20 6.8 uF 2.2 uF R1 10R 5%
LO3 VB1
W
10 19
LO2 HO1 R3 10R 5%
11 18
LO1 VS1 +15 Vp
12 17
VS3 VB2
R26 13 16
100K 5% HO3 HO2 D6
14 15 BYT11
VB3 VS2
R5 5R11 5% D 7 1N4148
C13 ir2233
6.8 nF Gate High3
D5
C6 + C17 BZX55C15
6.8 uF 2.2 uF R4 10R 5%
V
R6 10R 5%
R32 +15 Vp
100K 5% R17 5 R 1 1 5 % D15 1N4148
Gate Low3
R18 D9
C14 D16 1K 5% BYT11
6.8 nF R16 10R 5% BZX55C15
R 8 5 R 1 1 5 % D10 1N4148
Gate High3
R14 5 R 1 1 5 % D13 1N4148
D8
Gate Low2 BZX55C15
R33 R15 C7 + C18 R 7 10R 5%
100K 5% D14 1K 5% 6.8 uF 2.2 uF
U
R13 10R 5% BZX55C15
R9 10R 5%
C15
6.8 nF R11 5 R 1 1 5 % D11 1N4148
Gate Low1
R12
D12 1K 5%
R10 10R 5% BZX55C15
Figura 3.16 Esquema de conexión del IR2233
Puede observarse que se han instalado tres filtros pasa baja a la salida de
las señales PWM correspondientes a los tres IGBTs inferiores. Estos filtros no
son necesarios para el correcto funcionamiento del convertidor pero, dado que
van a ser empleados diferentes sistemas de modulación, permiten comprobar
que las señales generadas cumplen las condiciones necesarias para poder
controlar los IGBTs.
3.3 CIRCUITO DE TENSIÓN INTERMEDIO

Como puede verse en la Figura 3.1 el circuito de tensión intermedio está
formado por tres elementos claramente diferenciados. Por un lado los
condensadores de potencia para la estabilización del bus, el circuito de carga
controlada de dichos condensadores y finalmente la electrónica necesaria para
que la tensión del bus de continua no sobrepase valores peligrosos.

3-42 Capítulo 3
Los condensadores seleccionados deben poder soportar la tensión del bus

de continua por lo que se han colocado dos condensadores electrolíticos en serie
con una capacidad cada uno de 450 µF y una tensión nominal de 450 V. Dado
que no se ha considerado necesario introducir reactancias inductivas en el
circuito intermedio, no es necesario hacer cálculos adicionales para limitar la
oscilación de la tensión del bus debido a efectos resonantes.
3.3.1 CARGA CONTROLADA DE LOS CONDENSADORES
En condiciones normales de funcionamiento del convertidor, en el instante en el

que se conecta el sistema trifásico de tensiones, los condensadores de
estabilización del bus de continua suelen estar completamente descargados, por
lo que es necesario, controlar de alguna forma la elevada corriente de carga que
demandarán de la fuente de alimentación. Para ello se ha colocado en serie con
dichos condensadores tres resistencias NTC de 10 ? cada una de ellas, como
puede verse en la Figura 3.17.
Una vez alcanzada una tensión umbral en los condensadores de
estabilización del bus de continua, dichas resistencias deben ser cortocircuitadas
mediante un relé. Dicho relé es controlado mediante el puerto analógico digital
de un DSP o con un comparador analógico con histéresis en caso de que el
dispositivo de control carezca de convertidor analógico digital. Con el fin de
garantizar el adecuado aislamiento eléctrico entre las etapas de control y de
potencia del convertidor, la señal de activación del relé se aísla mediante un
optoacoplador digital.

t
BUS +
10-NTC 10-NTC 10-NTC
NTC1 NTC2 NTC3
RELAY2
+12V-P
4
3
D11 1
1N4148 2
+5V-P T9AS1D12-12
C33 + R59
U15 SMD 450uF 470K
8 R34 3K3 450V 1W
VCC
2 7 Q7
AN Vo
SMD 3 6
CAT VE 2N2222A
R35 5
GND
1K
HCPL0201 C22 10 nF
50V SMD
GND-C C24
RELE-NTC (P4)
100nF
SMD C34 + R60
GND-P 450uF 470K
450V 1W
BUS -
Figura 3.17 Circuito de carga controlada del b us de continua
En caso de emplear un DSP y por lo tanto medir la tensión del bus de

continua mediante el convertidor analógico digital, es necesario optoacoplar
dicha señal analógica mediante un optoacoplador lineal como se muestra en la
Figura 3.18
+15 Vc
U12A GNDp
U13
8
VDCINPUT (P7) 3 + 1 1 8 8
1 2 2 7 7
2 - 3 3 6 6
+15 Vp R61 430R 4 5
no smd 4 5
TLC27L2CP
4
IL300 R63
Pin 8 U12 39K
+12 Vp
C33
100nF
VDC (P1)
C38
Pin 4 U12 R62 R64
68K 100nF 18K
GNDp
ponmelo cerca, cerca de los pines
GNDp
Figura 3.18 Circuito para el optoacoplado de la tensión del bus de continua

3-44 Capítulo 3
3.3.2 ELECTRÓNICA PARA LA LIMITACIÓN DEL BUS DE CONTINUA
Puede verse en la Figura 3.9 cómo cada uno de los IGBTs del módulo de
potencia tiene colocado en antiparalelo un diodo de rueda libre. Estos seis
diodos forman una estructura de puente rectificador trifásico, por lo que en caso
de que el motor induzca tensiones superiores a las de la fuente durante los
frenados regenerativos, aparece un flujo de energía desde la salida del
convertidor hacia el bus de continua. Dado que una de las limitaciones de los
elementos de potencia es la tensión máxima de bloqueo, no se debe permitir que
dicho valor de tensión aumente por encima de dicha tensión máxima.
Dada la importancia de este sistema de seguridad se ha considerado
necesario implementarla de forma independiente al sistema generador de
señales PWM que finalmente se emplee.

R19
10K 5%
C9
R22 22 nF
10K 5% U2
1 8 R24
out A Vcc 25K1%
2 7
A- out B R20 10K 5% R25 1M 5%
3 6 DC+
A+ B-
4 5 R21
C11 Vss B+ +15 Vp 10K 5%
10 nF LMC6462 R23
1K 5%
D17 BZX55C5V6 R27 250R 5%
U3
R29 5R11 5% D18 1N4148
3 5 Gate IGBT Chopper
2 LIN LO 7
HIN HO R30
4 D19 1K 5%
8 COM R28 10R 5% BZX55C15
1 VB
6 VCC
VS
IR2103
+15 Vp
C10 C12
100 nF 100 nF
Figura 3.19 Electrónica para la limitación de la tensión del bus de continua
Como puede verse en la Figura 3.19 la tensión del bus de continua se

capta a través de un divisor de tensiones resistivo compuesto por las resistencias
R25 y R21. Este puente resistivo divide la tensión de entrada aproximadamente
en un factor de 100. Mediante un comparador con histéresis se genera un pulso
entre 0 y 5 V cada vez que la tensión del bus de continua supera la referencia
fijada. Esta señal de control se introduce en un driver para lograr los niveles de
tensión y corriente necesarios para gobernar el IGBT de frenado que el
fabricante SEMIKRON ha incorporado en el mismo encapsulado. Mediante este
conmutador se conecta en paralelo con los condensadores del bus intermedio
una resistencia de potencia convenientemente dimensionada en función del tipo
de carga electromecánica que se controle mediante el convertidor de frecuencia.

3-46 Capítulo 3
3.4 PROTECCIONES EMPLEADAS EN EL

CONVERTIDOR DE FRECUENCIA
Por diseño, los convertidores de frecuencia llevan asociados protecciones con el
fin de limitar las sobretensiones, sobreintensidades y las variaciones muy
fuertes de tensión y de intensidad. A pesar de que debido a que uno de los
objetivos del presente trabajo de investigación es estudiar el comportamiento de
los convertidores con el fin de minimizar alguna de estas protecciones, se van a
nombrar todas las protecciones que pueden ser implementadas.
3.4.1 PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
Este tipo de fenómenos son más peligrosos en el lado de la red de alimentación

y por lo tanto en el lado del rectificador. Para protegerse de este tipo de
problemas, suele ser habitual conectar dispositivos cortocircuitables por
sobretensión (varistores) entre las fases de alimentación según una
configuración en triángulo.
Para la protección de los semiconductores ante aumentos bruscos de la
tensión aplicada el módulo de potencia ya tiene integrados diodos de rueda libre
y en el Apartado 3.3.2 se ha comentado el sistema de limitación de dicha
tensión del bus de continua.
3.4.2 PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES
Analizando en detalle la estructura del convertidor de frecuencia es posible

distinguir tres posibles defectos debidos a aumentos bruscos de la corriente
eléctrica.
• Cortocircuito a la salida del rectificador. Un cortocircuito a la salida
del rectificador provocará una elevada circulación de corriente a través
de los diodos debido a que la única impedancia que la limita es la
propia impedancia de la red. Este tipo de defectos se previenen
instalando en el armario eléctrico donde se vaya a colocar el
convertidor fusibles de protección extrarrápidos o bien un
magnetotérmico convenientemente tarado.

• Cortocircuito en bornes del motor. En este caso la sobrecorriente es

de menor importancia que en el supuesto anterior dado que se encuentra
limitada por la suma de las impedancias de la red y la impedancia del
bus intermedio. Para evitar problemas en los semiconductores se coloca
un fusible de protección en serie con el bus intermedio de forma que en
caso de aumentar la corriente por el mismo de forma no controlada se
interrumpa la conexión entre el rectificador y el inversor. Hay que tener
mucho cuidado a la hora de dimensionar este fusible , ya que durante la
primera conexión del convertidor con los condensadores descargados la
corriente que circula por el bus intermedio es varias veces superior a la
nominal en función del tipo de control de carga de los condensadores
que se implemente.
• Semiconductor de potencia cortocircuitado. En caso de que se
produzca este tipo de sobreintensidad en uno de los diodos, la actuación
es similar al primer supuesto, mientras que si se produce en el inversor
se asemejará al segundo supuesto.
3.4.3 PROTECCIÓN FRENTE A CAÍDAS DE TENSIÓN EN LA RED DE

ALIMENTACIÓN.
Este tipo de fenómeno únicamente es peligroso cuando el convertidor

trabaja en modo regenerador por lo que no es relevante en el caso que nos
ocupa. En caso de tratarse de un convertidor no regenerativo una caída de la
tensión de alimentación únicamente provoca la pérdida de energía en el
convertidor y por lo tanto su incapacidad para controlar de forma adecuada
la carga.

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CAPÍTULO 3

En el capítulo anterior se ha proporcionado una visión global acerca de los

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Figura 3.1 Diagrama de bloques de la etapa de potencia

Con el fin de reducir la emisión electromagnética y las posibles

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está orientado a alimentar cargas en modo tensión, es necesario introducir un

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A continuación se va a profundizar en cada uno de los módulos

3.2 MÓDULO COMBINADO

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En los dispositivos que pueden encontrarse en el mercado, la tecnología

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de fuga producirá una elevada descarga de los condensadores de

3.2.1 EVOLUCIÓN DE LOS COMPONENTES DE POTENCIA

La historia de la electrónica de potencia comenzó en el año 1900 con la

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3.2.1.1 Dispositivos no controlables

El principal componente de los módulos rectificadores no controlables es el

Figura 3.2 Diagrama de bloques y esquemático de un diodo

El fenómeno físico de la semiconductividad está basado en el

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En la Figura 3.3 se representa la evolución de las intensidades y tensiones

El proceso inverso, es decir, el paso del estado de bloqueo al estado de

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• IF(RMS) Intensidad directa eficaz. Medida mediante un semiciclo

Figura 3.3 Características de recuperación inversa del diodo

Las curvas características dependen de la temperatura de la unión

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llamados de recuperación rápida) y los Schottky. Los diodos de uso general

3.2.1.2 Dispositivos semicontrolables y controlables

Se denominan dispositivos semicontrolables aquéllos que aceptan señales de

Este dispositivo es conocido también como rectificador de silicio controlado o

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Se trata de un dispositivo de cuatro capas de estructura PNPN con tres

Figura 3.4 Diagrama de bloques y s ímbolo del tiristor

Una vez que el tiristor se encuentra activado se comporta como un diodo

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Una forma de activar el tiristor sin necesidad de emplear elevadas

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Durante los últimos años han surgido elementos de conmutación basados

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extremadamente sensible a su proceso de fabricación por lo que

3.2.1.2.2 Transistor bipolar de potencia o BJT

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frente a la temperatura. Este comportamiento hace que al conectar en paralelo

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• Tiempo de almacenamiento (tal-BJT). Tiempo que transcurre desde

En la Figura 3.5 se muestran gráficamente los tiempos anteriormente

Figura 3.5 Características de conmutación del BJT

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3.2.1.2.3 Transistor MOSFET

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Figura 3.6 Estructura básica del transistor MOSFET de tecnología DMOS

Si se aplica una tensión positiva entre los terminales gate y source, el

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En la Figura 3.7 se muestran los tiempos a tener en cuenta durante la

Figura 3.7 Características de conmutación del MOSFET

El retraso de la activación o td(on) es el tiempo requerido para cargar la

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t d (on) = 130 ns ; t s = 850 ns ; t d (off ) = 630 ns ; t c = 180 ns

Este tipo de dispositivos cuenta con una gran facilidad a la hora de