pn – DIODA

ZADATAK.1. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K

u stanju ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani
su NA=1017 cm-3 i ND=1016 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=5 µm2?

Rješenje:

Za većinske nosioce na zadanoj temperaturi vrijedi:

p 0 p ≅ N A = 1017 cm −3 i n0 n ≅ N D = 1016 cm −3

Kontaktni potencijal iznosi:

 n0 n ⋅ pop  300  1016 ⋅ 1017 

U K = U T ⋅ ln = ⋅ ln  = 0,755 V
 n 2
i
 11600


 (1,45 ⋅10 )
10 2 


Širina osiromašenog područja:

2 ⋅ε0 ⋅εr  1 1  2 ⋅ 8,854 ⋅10 −14 ⋅ 11,7  1

 ⋅ (U K − U ) = ⋅  17 + 16  ⋅ (0,755 − 0 ) = 0,328 µm
1 
dB = ⋅  +  −19
q  NA ND  1,6 ⋅10  10 10 

Kapacitet osiromašenog područja:

S 5 ⋅10 −8
CB = ε 0 ⋅ ε r ⋅ = 8,854 ⋅ 10 −14 ⋅ 11,7 ⋅ −4
= 1,58 ⋅ 1015 F = 1,58 fF
dB 0,328 ⋅ 10

ZADATAK.2. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i

NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=900 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1 µs,
τp=0,5 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje:

Struja zasićenja za diodu s obje široke strane:

 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 Ln L p 


1
Za manjinske nosioce na p -strani računamo:

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2

= 2,1⋅ 105 cm −3
NA 1015

T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 900 ⋅ = 23,28 cm 2 s
11600 11600

Ln = Dn ⋅ τ n = 23, 28 ⋅ 10 −6 = 48,25 ⋅10 −4 cm = 48,25 µm

Za manjinske nosioce na n -strani računamo:

n 2 (1,45 ⋅1010 )
2

p0 n = i = = 2,1⋅103 cm −3
ND 1017

T 300
D p = µ p ⋅U T = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600

L p = D p ⋅τ p = 7,76 ⋅ 0,5 ⋅10 −6 = 19,7 ⋅10 −4 cm = 19,7 µm

Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:

 n0 p p0 n   2,1 ⋅105 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅  23,28 ⋅ −4
+ 7, 76 ⋅  = 1,63 ⋅10
−4 
−12
A
 Ln L p  48, 25 ⋅ 10 19,7 ⋅ 10
  

Uz zadani napon kroz diodu poteče:

   
   
  U   −12 0,5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 1,63 ⋅ 10 ⋅  exp  − 1 = 0,41 mA
 m ⋅U T    300  
 
 1⋅  
  11600  

ZADATAK.3. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1015 cm-3 i

NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=700 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,5
µs, τp=1 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju
priključi napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje:

Struja zasićenja za diodu s obje uske strane:

2
  n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp wn 


Za manjinske nosioce na p -strani računamo:

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2

= 2,1 ⋅ 103 cm −3
NA 1017

T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 700 ⋅ = 18,1 cm 2 s
11600 11600

Ln = Dn ⋅ τ n = 18,1 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> w p = 2 µm

Za manjinske nosioce na n -strani računamo:

p0 n
n2
= i =
(
1,45 ⋅ 1010 ) 2

= 2,1 ⋅ 105 cm − 3
ND 1015

T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 350 ⋅ = 9,05 cm 2 s
11600 11600

L p = D p ⋅ τ p = 9,05 ⋅ 1 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> wn = 1 µm

Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:

 n0 p p0 n   2,1 ⋅10 3 2,1 ⋅105 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅ 10 −2 ⋅ 18,1 ⋅ −4
+ 9,05 ⋅  = 3,1 ⋅ 10
−4 
−11
A
 wp wn  2 ⋅ 10 1 ⋅ 10
  

Uz zadani napon kroz diodu poteče:

   
   
  U   −11 0 ,5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 3,1 ⋅ 10 ⋅  exp  − 1 = 7,72 mA
 m ⋅U T    300  
 
  1⋅  
  11600  

ZADATAK.4. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i

NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=900 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1 µs,
τp=0,5 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje:

3
Zadana je dioda s uskom n stranom (Lp>>wn) i širokom p stranom (Ln<<wp). Struja
zasićenja za takvu diodu je:

 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ 
 Ln wn 

Za manjinske nosioce na p -strani računamo:

n0 p
n2
= i =
(
1,45 ⋅ 1010 )2

= 2,1⋅ 105 cm −3
NA 1015

T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 900 ⋅ = 23,28 cm 2 s
11600 11600

Ln = Dn ⋅ τ n = 23,28 ⋅ 10 −6 = 48,25 ⋅ 10 −4 cm = 48,25 µm << w p

Za manjinske nosioce na n -strani računamo:

n2
p0 n = i =
(
1,45 ⋅1010 ) 2

= 2,1⋅103 cm −3
ND 1017

T 300
D p = µ p ⋅U T = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600

L p = D p ⋅ τ p = 7,76 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 19,7 ⋅ 10 −4 cm = 19,7 µm >> wn = 1 µm

Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:

 n0 p p0 n   2,1 ⋅105 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅  = 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 10 − 2 ⋅  23,28 ⋅ + 7 , 76 ⋅  = 1,88 ⋅ 10
−12
A
  −4 −4 
 Ln wn   48,25 ⋅ 10 1 ⋅10 

Uz zadani napon kroz diodu poteče:

   
   
  U   0, 5
I = IS ⋅  exp  − 1
 
= 1,88 ⋅ 10 −11 ⋅  exp  − 1 = 4,68 mA
 m ⋅UT    300  
 
 1⋅  
  11600  

ZADATAK.5. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1015 cm-3 i

NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=700 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,5
µs, τp=1 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm . Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
2

Vrijedi Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju
priključi napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

4
Rješenje:

Zadana je dioda s uskom p stranom (Ln>> wp) i širokom n stranom (Lp<<wn). Struja
zasićenja za takvu diodu je:

 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp L p 


Za manjinske nosioce na p-strani računamo:

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2

= 2,1 ⋅ 103 cm −3
NA 1017

T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 700 ⋅ = 18,1 cm 2 s
11600 11600

Ln = Dn ⋅ τ n = 18,1 ⋅ 0,5 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm >> w p = 1 µm

Za manjinske nosioce na n-strani računamo:

ni2 (1,45 ⋅ 1010 )

2

p0 n = = = 2,1 ⋅ 105 cm −3
ND 1015

T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 350 ⋅ = 9,05 cm 2 s
11600 11600

L p = D p ⋅ τ p = 9,05 ⋅ 1 ⋅ 10 −6 = 30,1 ⋅ 10 −4 cm = 30,1 µm << wn

Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:

 n0 p p0 n   2,1 ⋅103 2,1 ⋅105 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅ 18,1 ⋅ −4
+ 9, 05 ⋅  = 1,62 ⋅ 10
−4 
−12
A
 wp L p  1 ⋅ 10 30,1 ⋅ 10
  

Uz zadani napon kroz diodu poteče:

   
   
  U   −12  0,5
I = IS ⋅  exp  − 1 = 1,62 ⋅ 10

⋅ exp   − 1 = 0,404 mA
 
 m ⋅UT    300  
 
 1⋅  
  11600  

5
ZADATAK.6. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i
NA=5·1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=850 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=1,2
µs, τp=0,8 µs. Površina pn spoja iznosi S=1 mm . Izračunati struju zasićenja na T=300 K.
2

Vrijedi Lp>>wn=1 µm i Ln>> wp=2 µm. Izračunati dinamički otpor uz priključene

propusne napone U=0,5 V i U=50 mV? Nacrtati raspodjele manjinskih nosilaca za
priključen napon U=0,5 V. Pretpostaviti m=1.

Struja zasićenja za diodu s obje uske strane:

 n0 p p0 n 
I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅
 wp wn 


Za manjinske nosioce na p -strani računamo:

n0 p =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 )2

= 4,2 ⋅ 10 4 cm −3
NA 5 ⋅ 1015

T 300
Dn = µ n ⋅ U T = µ n ⋅ = 850 ⋅ = 21,98 cm 2 s
11600 11600

Ln = D n ⋅ τ n = 21,98 ⋅ 1,2 ⋅ 10 −6 = 51,36 ⋅ 10 −4 cm = 51,36 µm >> w p = 2 µm

Za manjinske nosioce na n -strani računamo:

p0 n =
ni2
=
(
1,45 ⋅ 1010 ) 2

= 2,1 ⋅ 103 cm −3
ND 1017

T 300
D p = µ p ⋅UT = µ p ⋅ = 300 ⋅ = 7,76 cm 2 s
11600 11600

L p = D p ⋅ τ p = 7,76 ⋅ 0,8 ⋅ 10 −6 = 24,9 ⋅ 10 −4 cm = 24,9 µm >> wn = 1 µm

Uvrštenjem u gornju jednadžbu dobivamo:

 n0 p p0 n   4,2 ⋅10 4 2,1 ⋅103 

I S = q ⋅ S ⋅  Dn ⋅ + Dp ⋅ = 1,6 ⋅10 −19 ⋅10 −2 ⋅  21,98 ⋅ −4
+ 7,76 ⋅  = 7,65 ⋅ 10
−4 
−12
A
 wp wn  2 ⋅ 10 1 ⋅ 10
  

Strujno naponska karakteristika opisana je Shockley-evom jednadžbom:

  U  
I = I S ⋅  exp  −1
 
  m ⋅U T  

6
Dinamički otpor je definiran kao

dU 1 1 UT UT
rd = = = = =
dI dI  U  1  U  I + IS
I S ⋅ exp ⋅
 I S ⋅ exp  − IS + IS

 m ⋅U T  U T  m ⋅U T 
dU

Uz priključen npon U=0,5 V struja kroz diodu je:

   
   
  U   0,5
I = IS ⋅  exp  − 1 = 7,65 ⋅ 10 −12  exp   − 1 = 1,91 mA
 
 m ⋅U T   300  
 1⋅
     
  11600  
I >> I S pa vrijedi

300
UT 11600
rd ≅ = = 13,6 Ω
I 1,91 ⋅10 −3

Uz priključen npon U=50 mV struja kroz diodu je:

   
   
  U   −12  0,05
I = IS ⋅  exp  − 1 = 7,65 ⋅10

exp  − 1 = 4,523 ⋅10 −11 A
 m ⋅U T
   300  
 1⋅
  
  
  11600  

U ovom slu čaju ne vrijedi I>>IS (U<3·UT) pa dinamički otpor računamo:

300
UT 11600
rd = = = 489 MΩ
I + I S 4,523 ⋅10 −11 + 7,65 ⋅ 10 −12

Raspodjele manjinskih nosilaca za napon propusne polarizacije prikazan je na slici.

np cm-3 pn cm-3

np0
pn0

n0p
p0n

wp wn

7
Ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca su prije izračunati i iznose

n0 p = 4,2 ⋅10 4 cm −3 i p0 n = 2,1 ⋅ 103 cm −3

Rubne koncentracije računaju se preko Boltzmannovih relacija:

 
 
 U  0,5
n p 0 = n0 p ⋅ exp  = 4,2 ⋅ 10

4
⋅ exp  = 1,046 ⋅1013 cm −3
UT   300 
 
 11600 

 
 
 U  0,5
pn 0 = p0 n ⋅ exp  = 2,1 ⋅ 10 ⋅ exp

3
 = 5,231 ⋅ 1011 cm −3
UT   300 
 
 11600 

ZADATAK.7. Struja zasićenja neke pn-diode na T=300 K iznosi 1 pA. Serijski otpor
neutralnih p i n strana iznose redom 2 i 8 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke
diode da na zadanoj temperaturi kroz nju poteče struja 1 mA.

Rješenje:

Realnu diodu možemo prikazati kao idealnu diodu kojoj je u seriju spojen serijski otpor:

I
rS

+ -
U

Shockley-eva jednadžba uz m=1 opisuje strujno naponsku karakteristiku idelne diode. Uz

zadanu struju dio vanjskog napona bit će na pn-spoju (idealna dioda), a dio na serijskom
otporu diode. Možemo napisati:

U = U D + I ⋅ RS

UD možemo uz zadanu struju izračunati iz Shockley-eve jednadžbe

−3
 I  300  10 
U D = U T ⋅ ln  + 1 = ⋅ ln  −12 + 1 = 0,536 V
 IS  11600  10 

8
Napon koji treba priključiti jednak je

U = U D + I ⋅ RS = 0,536 + 10 −3 ⋅10 = 0,546 V

ZADATAK.8. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 1 pA. Serijski otpor diode iznosi 10
Ω. Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (ϖt ) [mA] ? Uzeti UT=25 mV.

Rješenje:

Realnu diodu u statičkim uvjetima rada (za istosmjerne napone) možemo prikazati
sljedećim nadomjesnim sklopom

I
rS

+ -
U

Istosmjerni napon na diodi jednak je

−3
 I   1,5 ⋅10 
U = U D + I ⋅ RS = U T ⋅ ln + 1 + I ⋅ RS = 25 ⋅ 10 −3 ⋅ ln −12
+ 1 + 1,5 ⋅ 10 −3 ⋅ 10 = 0,543 V
 IS   10 

Za mali izmjenični signal idelnu diodu predstavljamo dinamičkim otporom i gornja

shema izgleda:
rd rS

Dinamički otpor iznosi

U T 25 ⋅ 10 −3
rd ≅ = = 16,67 Ω
I 1,5 ⋅10 −3

Izmjenična komponenta struje generirat će na vanjskim priključcima diode napon:

u d = id ⋅ (rd + RS ) = 0,25 ⋅10 −3 ⋅ (16,67 + 10) = 6,67 mV

Prema tome na stezaljke diode treba priključiti napon:

u D = 0,543 [V ] + 6,67 ⋅ sin (ϖt ) [mV ]

9
ZADATAK.9. Na spoj dioda priključen je napon U=60 mV. Izračunati napone U1 i U2
ako su diode jednakih karakteristika i imaju rstruju zasićenja IS=10 pA. Uzeti UT= 25 mV
i m=1.
U1 U2
+ - + -

+ U -
Rješenje:

Shockley-eva jednadžba opisuje strujno-naponsku karakteristiku diode i napisana je za

sljedeći polaritet napona i smjer struje:

+ -
U

Prema tome za gornji spoj dioda možemo označiti struje:

U1 U2
+ - + -

X
ID1 ID2

ID3
+ U -
Pojedine struje možemo napisati kao (zbog U<3·UT jedinice u Shockley-evoj jednadžbi
ne smiju se zanemariti):

  U1  
I D1 = I S ⋅ exp   − 1

 UT  

 U2  
I D 2 = I S ⋅ exp  − 1

  UT  

  −U2  
I D 3 = I S ⋅ exp  − 1

  UT  

10
Za čvor X možemo napisati:

I D1 + I D3 = I D 2

Za napone vrijedi:

U = U1 + U 2 ⇒ U1 = U − U 2

Uvrštenjem struja dobivamo:

 U− U1     −U2    U  
I S ⋅ exp  − 1 + I S ⋅ exp 
 
 − 1 = I S ⋅ exp  2
 U
 − 1

  UT     UT     T  

IS su jednake pa se može napisati:

U 
exp 

UT  1 U2 
−1+ − 1 = exp  −1

 U1  U  UT 
exp 
 exp 2 

UT  UT 

Uz supstituciju exp U 2  = x gornja jednadžba prelazi u:

 
 UT 

U 
exp 

U
 T  1
+ = x + 1,
x x

odnosno

 U  
x 2 + x −  exp   + 1 = 0
 
 UT  

Uvrštenjem U dobivamo:

x 2 + x − 12 = 0 ⇒ x1 = 3
x2 = − 4

Prihvatljivo rješenje je x1=3 što daje:

 U  = 3 ⇒
exp  U 2

T
 U 2 = 27,47 mV , U 1 = 32,53 mV

11
 Zadaci za vježbu
VJ.1. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K u stanju
ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su
NA=5·1017 cm-3 i ND=10 16 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=25 µm2?

Rješenje: dB=0,324 µ m, CB=7,98 fF

VJ.2. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K uz napon

na pn spoju U= - 3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1016 cm-3 i ND=1015
cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=50 µm2?

Rješenje: dB=2,2 µ m, CB=2,35 fF

VJ.3. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=300 K uz napon

na pn spoju U=0,3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1016 cm-3 i ND=1015
cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=50 µm2?

Rješenje: dB=0,71 µm, CB=7,34 fF

VJ.4. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=350 K u stanju

ravnoteže (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su
NA=5·1017 cm-3 i ND=5 ·1015 cm-3. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina
pn-spoja S=100 µm2?

Rješenje: dB=0,43 µm, CB=24,3 fF

VJ.5. Za skokoviti pn-spoj izračunati širinu osiromašenog područja na T=350 K uz na pn

spoju U= - 2 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5·1017 cm-3 i ND=5·1015 cm-
3
. Koliki je kapacitet osiromašenog sloja ako je površina pn-spoja S=100 µm2?

Rješenje: dB=0,84 µm, CB=12,34 fF

VJ.6. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·1017 cm-3 i NA=1016 cm-3.
Parametri manjinskih nosilaca su µn=800 cm2/Vs, µp=280 cm2/Vs, τn=0,8 µs, τp=0,5 µs.
Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon U=0,6 V?
Pretpostaviti m=1

Rješenje: IS=1,74·10-13 A, I=2,1 mA

VJ.7. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·1017 cm-3 i NA=1016 cm-3.
Parametri manjinskih nosilaca su µn=800 cm2/Vs, µp=280 cm2/Vs, τn=0,8 µs, τp=0,5 µs.
Površina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=350 K. Vrijedi
wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon U=0,6 V?
Pretpostaviti m=1

12
Rješenje: IS=2,2 ·10-10 A, I=94,8 mA

VJ.8. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·1015 cm-3 i NA=1017 cm-3.
Parametri manjinskih nosilaca su µn=700 cm2/Vs, µp=320 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=0,8 µs.
Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp>>wn=1,5 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=4,02·10-13 A, I=0,1 mA

VJ.9. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·1015 cm-3 i NA=1017 cm-3.
Parametri manjinskih nosilaca su µn=600 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=0,8 µs.
Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=350 K. Vrijedi
Lp>>wn=1,5 µm i Ln>> wp=2 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=5,1 ·10-10 A, I=8 mA

VJ.10. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 17 cm-3 i NA=1016 cm-
3
. Parametri manjinskih nosilaca su µn=800 cm2/Vs, µp=280 cm2/Vs, τn=0,8 µs, τp=0,4 µs.
Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp>>wn=2 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=1,95·10-14 A, I=4,87 µA

VJ.11. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=10 16 cm-3 i NA=5·1017 cm-
3
. Parametri manjinskih nosilaca su µn=500 cm2/Vs, µp=350 cm2/Vs, τn=0,4 µs, τp=0,8 µs.
Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp>>wn=2 µm i Ln<< wp. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi napon
U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=1,53·10-13 A, I=38 µA

VJ.12. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 15 cm-3 i N A=5 ·1017
cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=500 cm2/Vs, µp=300 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=1
µs. Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=300 K. Vrijedi
Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=2,74·10-14 A, I=6,84 µA

VJ.13. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5·10 15 cm-3 i N A=5 ·1017
cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su µn=400 cm2/Vs, µp=250 cm2/Vs, τn=0,5 µs, τp=1
µs. Površina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izračunati struju zasićenja na T=350 K. Vrijedi

13
Lp<<wn µm i Ln>> wp=1 µm. Kolika struja poteče kroz diodu kad se na nju priključi
napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Rješenje: IS=3,11·10-11 A, I=0,49 mA

VJ.14. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor neutralnih p i n strana
iznose redom 5 i 10 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke diode da kroz nju
poteče struja 10 mA. T=300 K.

Rješenje: U=0,686 V

VJ.15. Struja zasićenja neke pn-diode na T=350 iznosi 1 nA. Serijski otpor neutralnih p i
n strana iznose redom 5 i 10 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke diode da na
zadanoj temperaturi kroz nju poteče struja 10 mA.

Rješenje: U=0,636 V

VJ.16. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 15 Ω.
Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (ϖt ) [mA] ? Uzeti T=300 K.

Rješenje: uD=0,509 [V]+8,1·sin(ωt) [mV]

VJ.17. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 12 Ω.
Koliki napon moramo priključiti na diodu da bi potekla struja
iD = 2,5 [mA] + 0,35 sin(ϖt ) [mA] ? Uzeti T=300 K.

Rješenje: uD=0,53 [V]+7,8·sin(ωt) [mV]

VJ.18. Na spoj dioda priključen je napon U=65 mV. Izračunati napone U1 i U2 ako za
struje zasićenja dioda vrijedi IS1=IS2=10 pA i IS3=20 pA. Uzeti UT= 25 mV i m=1.

U1 U2
+ - + -

D1 D2

D3
+ U -

Rješenje: U2=27,94 mV; U1=37,06 mV

14