RAPPORT FINAL

PROJET RF LNA Application DCS 1800

4GE
2010-2011

Cdric LAUZIER Dinh Dong DOAN Cuong Hung TRAN Nicolas PLAN Taous RAAF

Dpartement Gnie Electrique

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Xavier HENNEMANN

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Sommaire
I) 1) 2) 3) 4) 5) 6) II) 1) 2) a) b) c) d) 3) 4) a) b) c) d) e) f) 5) Etude de lapplication radio DCS 1800 ............................................................................................ 4 Historique .................................................................................................................................... 4 Principe ........................................................................................................................................ 6 Norme .......................................................................................................................................... 7 Transmission radio ...................................................................................................................... 8 Modulation .................................................................................................................................. 9 Canaux physiques ...................................................................................................................... 10 Etat de lart du LNA ....................................................................................................................... 11 Prsentation .............................................................................................................................. 11 Notion de bruit .......................................................................................................................... 11 Les diffrents bruits ............................................................................................................... 12 Facteur de bruit d'un amplificateur ...................................................................................... 13 Facteur de bruit d'une chane ............................................................................................... 14 Mesure du facteur de bruit ................................................................................................... 15 Paramtre S ............................................................................................................................... 15 Les caractristiques dun LNA ................................................................................................... 16 Classification du LNA ............................................................................................................. 17 Consommation en DC ............................................................................................................ 17 Gain de lamplificateur .......................................................................................................... 17 Impdance dentre et de sortie ........................................................................................... 17 Linarit du LNA .................................................................................................................... 17 Le produit dintermodulation dordre 3 IP3 .......................................................................... 18 Caractristiques de quelques LNA existants ............................................................................. 19

III. Simulation......................................................................................................................................... 22 1. 2. 3. 4. 5. Simulations DC........................................................................................................................... 22 Simulations Ft et Fmax .............................................................................................................. 25 Simulations paramtre S ........................................................................................................... 25 Simulation de NF et de la stabilit du systme ......................................................................... 27 Optimisations du montage ........................................................................................................ 27 5.1 Principe .................................................................................................................................... 27 5.2 Adaptation en entre .............................................................................................................. 28

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5.3 Adaptation en sortie ................................................................................................................ 29 5.4 Montage final .......................................................................................................................... 31 6. 7. Simulation de la compression du gain 1dB............................................................................. 34 Simulation du point IP3 ............................................................................................................. 35

V. Conclusion ......................................................................................................................................... 37 Bibliographie.......................................................................................................................................... 38 Annexe 1 : Simulations comparatives de divers transistors.................................................................. 39 A. I. 1. 2. 3. 4. II. 1. 2. III. 1. 2. B. Etudes de transistors ..................................................................................................................... 39 Transistor bipolaire BJT ............................................................................................................. 39 Etude Statique ....................................................................................................................... 39 Etude dynamique .................................................................................................................. 40 Paramtres S ......................................................................................................................... 40 Adaptation ............................................................................................................................. 44 Transistor MOS .......................................................................................................................... 45 Etude Statique ....................................................................................................................... 45 Paramtres S ......................................................................................................................... 46 Le JFET .................................................................................................................................. 48 Etude Statique ....................................................................................................................... 48 Paramtres S ......................................................................................................................... 49

Conclusion ..................................................................................................................................... 50

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I)

Etude de lapplication radio DCS 1800

1) Historique
Le Digital Communication System (DCS 1800) est aussi appel GSM 1800. Le GSM (Global System for Mobile Communication) est une norme labore au cours des annes 80 et 90, et qui est toujours en volution afin de dfinir les paramtres pour un rseau de communication cellulaire numrique. La norme GSM est utilise pour les rseaux de communication sans fil travers le monde. Sauf en Amrique du Nord o elle est en concurrence avec la norme IS-95 (CDMA). Il existe un rseau GSM au Canada et il est exploit par Microcell (FIDO) [1]. Lide dun systme radio mobile bas sur une structure cellulaire a t labore au dbut des annes 70, dans les laboratoires de Bell aux USA. Cependant, ce nest quau cours des annes 80 que lon a vu limplantation et lexploitation commerciale de rseaux de tlphones cellulaires analogues. Chaque pays dveloppait son propre rseau ce qui ne permettait pas un abonn dutiliser son tlphone dans un autre pays. Cette situation tait particulirement critique en Europe o les passages dun pays lautre sont assez frquents. Paralllement, le march des quipements tant limit, aucune conomie dchelles ne pouvait tre ralise. Au vu de la croissance des rseaux cellulaires, les problmes de capacit ont t anticips. En 1982 le Groupe Spcial Mobile fut cr afin dlaborer une norme pour un rseau de communication mobile europen rpondant aux critres suivants: Bonne qualit subjective de la voix. Baisse des cots des quipements et des services. Passage dun pays lautre sans interruption de service. Habilit supporter de nouveaux services. Utilisation efficace du spectre de frquences. Compatibilit avec dautres systmes, dont RNIS. Le groupe opta pour un rseau numrique pour trois raisons principales : 1. Capacit : pour rpondre la croissance de la demande, de nouvelles bandes de frquences auraient t ncessaires aux systmes analogiques ; ce quoi plusieurs pays se sont opposs en raison du spectre de frquences disponibles restreint. De nouvelles technologies analogues furent proposes mais leurs cots taient trs levs. 2. Compatibilit avec dautres systmes : lindustrie des tlcommunications venait de se convertir la technologie numrique avec, entre autres, le rseau RNIS.

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3. Qualit de la voix : les rseaux analogiques mobiles font face des problmes de perturbations radio qui entranent une baisse de la qualit du signal reu. La transformation du signal en bits, combine dautres techniques, empche ces problmes. Lre des communications mobiles numriques dbute la mi-91. Le sigle GSM change galement de signification pour devenir Global System for Mobile communications. Il s'agit d'un rseau radio fonctionnant autour de la frquence 900 MHz avec accs multiple rpartition dans le temps (TDMA). Au dbut de lanne 1994, on comptait 1.3 millions dabonns, 5 millions au dbut de 1995 et 55 millions en octobre 1997. Pour augmenter la plage des frquences disponibles, et donc la capacit des rseaux GSM europens ; une norme de rseau concurrente : le DCS 1800, fonde sur le systme cellulaire britannique, a t adapte l'architecture GSM. La norme DCS est principalement utilise en France par loprateur Bouygues Telecom. Plusieurs extensions de GSM ont t dfinies depuis. Elles ont surtout pour but daugmenter le dbit binaire. On peut mentionner notamment le GPRS (General Packet Radio Service) et le EDGE (Enhanced Data rates for GSM Evolution).

Figure 1 : Premier Tlphone GSM franais.

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2) Principe
Sur un relais GSM, les antennes panneaux assurent les liaisons avec les mobiles et pour assurer une couverture optimale du rseau GSM, de nombreux relais sont implants sur tout le territoire. Pour permettre aux diffrents relais de transmettre les communications tlphoniques et les changes de donnes entre eux et vers les stations principales du rseau, un rseau maille filaire et hertzien est utilis [2]. Le rseau hertzien fait appel des faisceaux radios transmis par des paraboles gnralement installes en contrebas des antennes panneaux sur les pylnes. Ces faisceaux hertziens utilisent plusieurs gammes de frquences qui leur sont rserves. Le rseau GSM est constitu de zones circulaires se chevauchant permettant ainsi une couverture gographique tendue, comme illustre sur la figure 2 :

Figure 2: Dcoupage d'une rgion couverte en cellules.

La dimension dune cellule est fonction de la puissance de son metteur-rcepteur. Si un metteur-rcepteur est trs puissant, alors son champ daction sera trs vaste, mais sa bande de frquence peut tre rapidement sature par des communications. Par contre, en utilisant des cellules plus petites, (metteur-rcepteur moins puissant) la mme bande de frquence pourra tre rutilise plus loin, ce qui augmente le nombre de communications possibles. Dans la conception dun rseau cellulaire, il faut considrer les aspects suivants:

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La topographie (btiments, collines, montagnes, etc.). La densit de la population (ou de communications) pour tablir la dimension des cellules. Deux cellules adjacentes ne peuvent utiliser la mme bande de frquence afin dviter les interfrences. La distance entre deux cellules ayant la mme bande doit tre de 2 3 fois le diamtre dune cellule.

La taille des cellules peut varier entre 0.5 et 35 km et dpend de la densit dutilisateurs et de la topographie. Les cellules sont regroupes en bloc (appel motif ou cluster). Le nombre de cellules dans un bloc doit tre dtermin de manire ce que le bloc puisse tre reproduit continuellement sur le territoire couvrir. Typiquement, le nombre de cellules par bloc est de 4, 7, 12 ou 21. La forme, la dimension des blocs et le nombre de cellules sont fonctions du nombre de frquences (canaux) disponibles [3].

3) Norme
Le DCS 1800 doit rpondre une norme bien spcifique dont les principaux points caractristiques sont rsums dans le tableau suivant (figure 3) [4]:

Figure 3 : Spcifications du GSM 900 et DCS 1800.

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4) Transmission radio
La norme GSM impose une transmission numrique des donnes. Les avantages du numrique par rapport a lanalogique sont [5]: Une phonie de meilleure qualit. Une augmentation du nombre dutilisateurs dans le rseau. Une ouverture de nouveaux services (textes ou SMS, images ou MMS). Une confidentialit des rseaux (cryptage des informations). Un contrle de la puissance dmission. Un accs au RNIS.

La transmission de donnes est ralise par paquets. La norme GSM prvoit quatre types de paquets (voir figure 4) : Les paquets daccs :

Pour prendre contact avec la station de base (BTS), le mobile met un paquet daccs sur le canal daccs ddi. Le paquet daccs est le plus petit des quatre types de paquets. Grce un temps de garde GP important, le paquet daccs peut tablir des communications avec des terminaux distants de 35 Km. Le rseau estime en permanence la dure de voyage dun paquet et asservit en consquence linstant du dbut dmission du terminal pour compenser le retard du la propagation des ondes. Les paquets de synchronisation :

Ils dtiennent les informations pour les terminaux mobiles sur la localisation dans le rseau et de la frquence daccs dans ce rseau (identification de la station de base, identit de la cellule, identit de la zone). Ces informations sont codes sur 78 bits parmi les 142 bits qui se trouvent dans ce paquet. Les paquets normaux :

Ils correspondent aux paquets qui transportent les informations de la communication dun abonn du rseau. Dans un paquet, 26 bits correspondent aux rglages des paramtres de rception. 2 bits indiquent le type dutilisation du canal et 6 bits marquent la monte et la descente en amplitude du signal. Les paquets de correction de frquence :

Ils transportent les bits dinformation concernant la station de base.

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Figure 4 : Typologie du GSM.

Quel que soit son type, le paquet est dfini par 4 zones : deux zones TB qui prcdent et suivent le corps porteur du paquet et une priode de garde GP qui sert compenser la dure de transmission, variable dun paquet lautre pour le rcepteur car celui-ci ou lmetteur aura boug entre lenvoi des deux paquets.

5) Modulation
Lmission dune onde lectromagntique de forme purement sinusodale ne permet pas la transmission dinformation. Pour que ce soit possible, il faut faire varier un des paramtres caractrisant cette sinusode appele porteuse . Les trois paramtres sur lesquels il est possible dagir sont : lamplitude, la frquence et la phase. Ce processus est appel modulation [6]. La modulation spcifie pour la norme GSM est la modulation GMSK (Gaussian Minimum Shift Keying), qui est une modulation de frquence enveloppe constante, ce qui est plutt intressant lorsqu'on travaille sur un canal affectant l'amplitude du message. La modulation GMSK est le rsultat du filtrage par un filtre gaussien d'une modulation MSK. Sans trop rentrer dans les dtails, le signal MSK est construit partir de deux porteuses : l'une ayant une frquence double celle de l'autre. Le signal binaire moduler est d'abord dcompos en somme de deux signaux binaires distincts (dit "bits pairs" et "bits impairs"). Selon la valeur des ces deux bits un instant donn, la porteuse MSK aura une frquence instantane f ou f/2, multiplie par +1 ou -1. L'intrt de cette modulation est qu'elle donne un signal particulirement "lisse", sans changements de phase abrupts.

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Figure 5 : Principe de la modulation GSMK

6) Canaux physiques
Au niveau de linterface entre le terminal mobile de labonn et la station de base, le GSM met en uvre deux techniques de multiplexage : lAMRF (accs multiple rpartition de frquences) :

LAMRF partage les deux plages de frquences (890-915 MHZ et 935-960 MHZ) en 124 canaux de 200 KHZ pour offrir 124 voies de communication duplexes en parallle, chaque sens de communication possdant une voie de communication qui lui est rserve. lAMRT (accs multiple a rpartition temporel) :

LAMRT partage lusage dune voie de transmission en huit communications diffrentes.

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II)

Etat de lart du LNA

1) Prsentation
Un amplificateur faible bruit LNA (Low Noise Amplifier en anglais) est un dispositif lectronique permettant de mettre en forme des signaux de trs faible amplitude, issue dune antenne. Il est en gnral en tte de ligne de la partie rceptrice de lantenne (figure 6) afin de minimiser les pertes en ligne. Cest pourquoi, il est trs souvent appel pramplificateur. Ce type de disposition est trs frquemment utilis pour les systmes travaillant de hautes frquences. Le LNA a pour rle essentiel damplifier le signal dmission, sans ajouter de bruit. Pour des signaux de forte amplitude, il ne doit pas ajouter de distorsion au signal et doit liminer les interfrences. En effet, suivant la distance sparant lmetteur du rcepteur, le signal est plus ou moins attnu. Cest pourquoi il est ncessaire de lamplifier [6].

Figure 6 : Chane de rception complte.

Comme on peut le voir sur cette figure, la chaine de rception se compose de plusieurs composants, eux-mmes caractriss par un gain et un bruit interne : do limportance de la notion de bruit dans une chaine de rception.

2) Notion de bruit
Le bruit correspond une fluctuation alatoire des tensions ou des courants dans un circuit, crant alors un signal alatoire se superposant au signal utile qui transporte linformation. Les origines physiques du bruit dans un composant semi-conducteur sont lies
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aux mouvements des lectrons et aux mcanismes de collision des porteurs ainsi quaux interactions entre ces porteurs et le rseau cristallins. Ds lors, plusieurs bruits ressortent des composants comme le bruit de diffusion, le bruit de grenaille, le bruit dexcs et le bruit thermique [7].
a) Les diffrents bruits

Le bruit de diffusion :

Il est li la fluctuation de la vitesse des porteurs. On peut distinguer deux types de bruit de diffusion : le bruit thermique et le bruit en excs. Le bruit de grenaille :

Le bruit de grenaille (ou bruit de Scottky) est dorigine physique et se manifeste essentiellement dans les composants o les porteurs sont peu nombreux et circulent grande vitesse, comme par exemple dans le cas dune barrire de potentiel. Le bruit en excs :

Ce bruit est un bruit basse frquence d la fluctuation de la densit des porteurs lis aux dfauts de pigeages. On distingue 2 types de bruit en excs : le bruit dgnrationrecombinaison, ou bruit en 1/f, et le bruit de scintillation ou bruit en 1/f. Le bruit thermique :

Il sagit dun bruit intrinsque lamplificateur, que lon retrouve au niveau des rsistances. Le bruit thermique est cre par lagitation thermique des porteurs de charges, cest dire les lectrons dans une rsistance lectrique. Le bruit est exprim laide de la relation de Nyquist : Avec : Vb est la variance de la tension aux bornes de la rsistance Kb constante de Boltzmann qui vaut 1,3806 x 10-23 J.K-1 R rsistance en ohms

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Facteur de bruit NF (Noise Factor) Ce paramtre dfinit la sensibilit d'un rcepteur et est indpendant de tout signal dtect. Il traduit la dtrioration du rapport signal/bruit prsent l'entre du rcepteur en tenant compte du bruit gnr par les diffrents tages composant le rcepteur. Cette dfinition se traduit par l'expression suivante :

Ce rapport est toujours suprieur 1 et est le plus souvent exprim en dB, not NF dans ce cas l.

b) Facteur de bruit d'un amplificateur

Soient, pour l'tude d'un amplificateur, les notations suivantes [8] : Ne, Ns : les puissances de bruit totales disponibles respectivement en entre et en sortie de l'amplificateur. Se, Ss : les puissances des signaux respectivement l'entre et la sortie de l'amplificateur. g : le gain de l'amplificateur. NA : le bruit ajout par l'amplificateur.

On obtient alors les relations suivantes :

D'o le facteur de bruit de l'amplificateur :

Si on note N = NA / g le bruit ajout par l'amplificateur ramen l'entre, on obtient :

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Pour les amplificateurs oprationnels, les constructeurs fournissent gnralement les tensions et courants de bruit en entre de l'amplificateur. La dtermination du facteur de bruit en fonction de ses lments est fournie ci-aprs. A partir des courants, de la tension de bruit et de la prise en compte du bruit thermique gnr par les rsistances externes, on peut facilement calculer le bruit ajout par l'amplificateur et en dduire son facteur de bruit. La modlisation du bruit pour les amplificateurs oprationnels est la suivante (figure 7)

Figure 7 : Modlisation du bruit pour un amplificateur oprationnel.

La densit de bruit quivalente en entre du montage correspond donc la somme des densits de bruit. On dfinit donc :

Le bruit de la source tant dfini comme le bruit invitable est donn par la relation suivante :

c) Facteur de bruit d'une chane

Le facteur de bruit global d'une chane de n lments placs en cascade est obtenu par une mthode de calculs assez simple.

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Soit une suite d'tages d'amplificateurs, nots A1, A2, ...An ayant les caractristiques suivantes: Facteurs de bruit nf1, nf2, ...nfn et Gains en puissance g1, g2, ...gn.

Figure 8 : Rpartition des gains et des facteurs de bruit dans une chane de rception.

Le facteur de bruit total, not nf, vu de l'entre est donn par la relation suivante :

Il sagit de la formule Friis. Dans celle-ci, le facteur de bruit et le gain sont exprims de faon linaire (et non en dcibels). On remarque que plus le gain des tages, situs entre l'entre du systme et l'entre d'un tage, sont levs et moins le facteur de bruit de la chane sera fonction du facteur de bruit de l'tage. On peut donc en dduire que le facteur de bruit total est essentiellement dtermin par le facteur de bruit des premiers tages.
d) Mesure du facteur de bruit

Il existe, au moins, deux mthodes pour dterminer le facteur de bruit d'un rcepteur. La premire consiste comparer la puissance de bruit du rcepteur la puissance de bruit gnre par une diode bruit. La seconde est un peu moins immdiate. En effet, elle consiste relever la puissance de bruit dans une bande de 1 Hz avec un analyseur de spectre. Puis on en dduit la valeur du facteur de bruit, grce aux formules prcdentes [8].

3) Paramtre S
Pour un quadriple [9] on peut dfinir une matrice S :

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Figure 9 : Dfinition de la matrice S partir d'un quadriple.

Avec a1 : signal d'entre a2 : signal rflchi en sortie b1 : signal rflchi en entre b2 : signal de sortie On dfinit le paramtre S :

Avec les quations suivantes: b1=S11.a1+S12.a2 b2=S21.a1+S22.a2 En consquence si a2 = 0, ce qui signifie que la sortie du quadriple est adapte, alors S11 = b1/a1 est le coefficient de rflexion vu lentre et S21 = b2/a1 est le coefficient de transmission de lentre la sortie. De mme, si a1 = 0, ce qui signifie que lentre du quadriple est adapte, alors S22 = b2/a2 est le coefficient de rflexion vu la sortie et S12 = b1/a2 est le coefficient de transmission de la sortie vers lentre.

4) Les caractristiques dun LNA

De nombreux paramtres doivent tre contrls dans un LNA, conformment lantenne et au circuit le prcdent : La classification. Le gain. La consommation en rgime continu (DC). Limpdance dentre. Limpdance de sortie. La linarit vis--vis du point de compression 1dB. La linarit, vis--vis du point dintermodulation dordre 3 IP3.
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a) Classification du LNA

Pour un LNA, il est essentiel de savoir la bande de frquence dans laquelle on travaille, c'est--dire la frquence minimale et la frquence maximale : F1 : frquence de basse coupure : dans notre application F1=1780MHz F2 : frquence de haute coupure : dans notre application F2=1860MHz Il faut savoir que le rapport de F2/F1 dfinit la slectivit de lamplificateur.

b) Consommation en DC

Dans toute notre tude et notre choix de composant (bipolaire, Jfet, Mosfet), nous allons tenir en compte de la consommation en courant de ce dernier en statique, car il faut quelle soit la plus faible possible.

c) Gain de lamplificateur

Le LNA sert amplifier le signal, il est donc caractris par un gain. Ce nest autre que le rapport entre la puissance de sortie sur la puissance dentre de notre amplificateur. Le gain permet doptimiser la sensibilit au bruit dans la partie rception de lantenne. G=10 log ( / ) en dB

d) Impdance dentre et de sortie

Comme on a pu le voir dans la caractrisation dune antenne, le LNA est en tte de ligne de la chane de rception du signal, et on sait dautre part que le LNA a pour rle dattnuer le bruit au maximum. Ceci revient minimiser au maximum les phnomnes de rflexion lentre et la sortie du LNA. Il est donc essentiel dadapter au maximum limpdance dentre et celle de la sortie, pour viter toute perte de puissance au sein de notre amplificateur faible bruit.
e) Linarit du LNA

Souvent, on idalise le LNA un amplificateur parfait c'est--dire quon schmatise son gain comme constant quelque soit la puissance fournie ce dernier. Cela nest pas vrai dans la pratique. Il existe bien un phnomne de saturation qui apparait partir dun certain seuil. Pour modliser sa linarit on sintresse principalement son point de compression
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1dB (c'est--dire que le LNA engendre une perte de 1dB par rapport la puissance fournie en entre) [10].

Figure 10 : Illustration du phnomne de non linarit du LNA, grce au point de compression 1dB.

f) Le produit dintermodulation dordre 3 IP3

On place en entre d'un LNA un signal qui comporte 2 frquences relativement voisines. En sortie de notre amplification on observe alors des problmes dintermodulations, c'est--dire la prsence dautres frquences non dsirables, appeles frquences dintermodulation. En gnral, on retrouve sur la sortie 4 frquences, f1, f2 videment mais aussi des frquences supplmentaires telle que 2f1-f2 et 2f2-f1 pour une intermodulation dordre 3.

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Figure 11 : Spectre frquentiel de sortie d'un LNA la suite d'une entre comportant deux raies f1 et f2.

Le problme qui se pose est que si les frquences f1 et f2 sont trs proches, les frquences 2f1-f2 et 2f2-f1 sont videmment proches aussi (voir figure 11). Ainsi, il sera difficile de les liminer, sans pour autant dtriorer notre signal (ce qui nest videmment pas recherch). On prfrera les minimiser au maximum, ce qui dpend essentiellement de la puissance en entre. LIP3 est lamplitude que doit avoir le signal dentre pour que les 2 frquences du systme f1 (frquence basse de coupure) et f2 (frquence haute de coupure) aient la mme amplitude. Donc plus lIP3 est grand et plus notre systme se rapproche dun systme linaire. On dtermine ce point grce la figure suivante (figure 12).

Figure 12 : Dtermination du produit d'interception d'ordre 3 IP3.

5) Caractristiques de quelques LNA existants

Afin davoir une ide des performances attendues en simulation, il est intressant de pouvoir connatre diffrentes caractristiques de LNA existants. Au cours de nos recherches, nous avons

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remarqu que la plupart des LNA sont le plus souvent soit base de transistors bipolaires, soit base de transistors GaAs FET. LNA STB7003 de chez ST Electronics

Il sagit dun LNA tri-bande, spcialement conu pour lapplication GSM/DCS 1800, aliment sous une tension de 2.8V. Ses principales caractristiques sont rsumes dans le tableau suivant :

Figure 13 : Extrait de la datasheet du LNA STB7003 de chez ST Electronic pour la frquence de travail du DCS 1800.

En termes de gain, caractris par la composante S21, on constate quil est relativement constant sur la plage de frquence de travail du DCS 1800, comme en atteste la figure 14 :

Figure 14 : Evolution du S21 du LNA STB7003 en fonction de la frquence.

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Le LNA MAAM12032 de chez MA-COM :

Ce LNA est constitu dun transistor GaAs FET. Les principales caractristiques sont rsumes par les donnes numriques suivantes (figure 15):

Figure 15 : Extrait de la datasheet du MAAM12032 de chez MA-COM.

Le LNA MPS-1718A9-82 de chez MicroWave Technology :

Ce LNA est galement base de transistor GaAs Fet et est spcialement prvu pour lapplication DCS 1800. Les principales grandeurs sont donnes par le tableau suivant (figure 16) :

Figure 16 : Extrait de la datasheet du MPS-1718A9-82 de chez Micro Wave Technology.

Grce ces 3 produits existants, on peut se donner des valeurs de caractristiques attendues, notamment au niveau de la valeur du gain (S21) et du facteur de bruit. Ainsi, on doit pouvoir sattendre aux valeurs suivantes : Un gain S21 compris entre 10 et 20 dB. Un facteur de bruit NF proche de 2 dB. OIP3 compris entre 30 et 40 dB. Page 21

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III. Simulation
1. Simulations DC
La simulation DC permet de dterminer o on va positionner le point de polarisation (Ic et Vce) du transistor afin quil fonctionne en mode linaire. Suite aux simulations comparatives du rapport prcdent (voir annexes) et quelques recherches complmentaires, nous avons fait le choix pour raliser notre montage, dutiliser un transistor BJT : le AT41411. En effet, ce dernier possdait les meilleurs caractristiques sur tous les aspects importants pour notre montage (facteur de bruit, isolation, gain...). Schma de simulation Selon la datasheet de notre transistor : Vce_max = 12V, Icmax=50mA. On va se servir de ces maximums pour notre plage de polarisation. On va donc tracer Ic en fonction de Vce.

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Dans notre cas, 2 critres principaux vont nous permettre de choisir le point de fonctionnement : un faible NF (<2dB) et un gain lev (>12dB). Il faudra veiller garder une consommation acceptable (<100mW). On va simuler ces 2 critres en fonction de la tension Vce avec les paramtres S et notre frquence dapplication.

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Ib augmente

On retient que cest la tension Vce (tension de collecteur-emmetteur) qui va jouer sur la valeur du facteur de bruit plutt quune variation du courant de base. Au contraire, les 2 paramtres vont jouer sur le gain le gain S(2,1) du transistor. Un LNA fonctionnant toujours dans une classe de consommation A ; c'est--dire autour de 20% de son courant maximum et la moiti de sa plage de tension ; nous polariserons notre montage sous Vce=8V et Ic=50mAx20%=10mA. Vu le de 170; nous utiliserons donc Ib=60A. Ce point de fonctionnement, compromis entre un gain lev et un facteur de bruit faible est confirm par la datasheet du composant. Ainsi, on tablit le circuit de polarisation pour le transistor comme suivant :

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2. Simulations Ft et Fmax
Tout transistor micro-onde a des frquences critiques de fonctionnement quil faut connatre pour bien apprhender son comportement en haute frquence. La frquence de transition fT est frquence de coupure : c'est--dire, la frquence partir de laquelle le gain va chuter (pour notre transistor). Avec des blocs S_parameter, MaxGain et MeasEqn du logiciel ADS, on obtient les rsultats de simulation suivants :

3. Simulations paramtre S
Cette simulation permet de trouver le coefficient de rflexion lentre (S11), le coefficient de rflexion la sortie (S22), coefficient de transmission direct de lentre la sortie (S21) et le coefficient de transmission inverse de la sortie vers lentre (S12). Pour cela, il faut donc simuler les paramtres S en entre et sortie du montage. A 1.8 GHz, on obtient dj un assez bon gain de S21=12.583 dB et une bonne isolation S12=-23.348dB bien que lentre et la sortie du systme ne soient pas adaptes. Cette observation est confirm par le trac de labaque de Smith : plus les points sont proches du centre de labaque et meilleur ladaptation est (on aurait alors une impdance de 50 ohms).

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A laide de ces paramtres S, on peut calculer dautres caractristiques du montage : les VSWR dentre (VSWR1) et de sortie (VSWR2).

Les valeurs leves de ces derniers confirment le fait que le montage nest pas adapt.

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4. Simulation de NF et de la stabilit du systme

La fonction CalcNoise intgre dans le bloc S-parameters et le bloc StabFact nous permettent dobserver le facteur de bruit et la stabilit du systme. Dailleurs, le bloc Options est ajout pour tablir la temprature ambiante de la simulation. La valeur par dfaut de "Temp" est 25C qui est convenable pour les semi-conducteurs. Pourtant, pour analyser le NF prcisment, la temprature doit tre mise 16.85C.

Avec un tel circuit de polarisation, on obtient NF=2.175dB que lon va optimiser dans la suite. La stabilit du systme est dj assure puisque le facteur de Rollet est >1.

5. Optimisations du montage
5.1 Principe

Afin de faire des adaptations en entre et en sortie, on y met une structure compose dlments inductifs et capacitifs (structure en T, en L, en ). Puis le logiciel fait varier la valeur de ces composants pour une meilleure optimisation des caractristiques. On cherche minimiser les 2 paramtres S11 et S22 en assurant en mme temps un NF le plus faible possible.

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5.2 Adaptation en entre

On utilise une structure en T avec 2 inductances en srie (Lserie1 et Lserie2) et une capacit en parallle (Cshunt).

La prsence de Lserie1 est trs importante car son influence sur le NF est non ngligeable. La simulation suivante va montrer le rle indispensable de Lserie1 dans notre circuit dadaptation. On va fixer une valeur pour Lserie2 et faire varier Cshunt + Lserie1 en premier temps afin de choisir une valeur adquate pour Lserie1.

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Les rsultats de simulation nous confirment lintrt de Lserie1 : Cshunt=2.5 pF et Lserie1=4 nH, on amliore le NF (1.797dB par rapport 2.175 dB obtenu en 1.1.4) mais aussi ladaptation en entre S11= -25.632 dB Ensuite, on fixe cette valeur de Lserie1 et fait varier Cshunt +Lserie2 pour obtenir une meilleure valeur de S11 :

On trouve finalement, sur la courbe de Cshunt = 2.5 nF, Lserie2 = 6.6 nH qui donne la meilleure valeur de S11 (-32.841dB) et une valeur du NF plus petit (1.762dB)

5.3 Adaptation en sortie En gardant le circuit dadaptation en entre, on insre la sortie une structure en T suivant e:

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En fait, ladaptation en sortie seffectue de telle sorte qu la fois S22 et S11 soient les plus faibles possible. Cependant en simulation, ce nest pas le cas. En effet, ces 2 paramtres varient de faon inverse : plus S22 diminue, plus S11 augmente. Avec plusieurs valeurs de C et L essayes en simulation on constate quil ne serait pas possible dobtenir les meilleures adaptations en entre et en sortie en mme temps en assurant toujours un aussi faible NF (1.762dB) Les meilleures valeurs de Cserie1, Cserie2 et Lshunt trouves pour satisfaire aux adaptations en entre et sortie ainsi qu loptimisation du NF sont Cserie1 = 0.28 pF, Cserie2 = 0.3 pF et Lshunt = 15.1 nH

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5.4 Montage final

Notre montage est finalement constitu du circuit de polarisation du transistor, des circuits dadaptation en entre et en sortie

On retrouve dans ce qui suit toutes les caractristiques importantes de notre LNA en application DCS1800 : NF = 1.762 dB => faible bruit

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 K = 1.021 et | |=0.544 => systme inconditionnellement stable

S(2,1) = 15.69 dB => trs bon gain S(1,2) = -20.267 => bonne isolation S(1,1) = -12.102 dB et S(2,2) = -14.901 dB => assez bonne adaptation en entre et en sortie

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 VSWR_in = 1.66, VSWR_out = 1.439 => signaux en entre et en sortie beaucoup moins dgrads par le bruit

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6. Simulation de la compression du gain 1dB

La compression est un effet non linaire due la saturation. Dans la zone linaire, lorsque la puissance d'entre augmente, celle de sortie augmente suivant le gain. A partir d'un certain niveau d'entre, la puissance de sortie devient plus faible que prvue. On spcifie le point de compression 1 dB comme tant le point pour lequel la puissance de sortie est de 1dB infrieure la puissance thorique idale.

Pour la simuler, on utilise le bloc HARMONIC BALANCE en ADS et on place en entre un gnrateur de puissance avec une seule harmonique (P_1Tone). En sortie on place une charge dimpdance standard 50. Nous allons faire varier la puissance dentre et mesurer la puissance rsultante en sortie. La simulation se fera une frquence unique de 1.8 GHz correspondant notre application.

On trouve qu Pin = -5.4 dBm commence la compression (ou distorsion) du gain 1dB. La consquence sur notre systme est que ce dernier doit tre utilis une puissance dentre infrieur cette valeur ce qui correspond 0.3mW. Un dpassement de cette valeur ne sera pas nuisible pour le montage mais le gain ne sera pas optimal. LNA-DCS1800 Page 34

7. Simulation du point IP3

Le point d'interception IP3 est une caractristique dfinissant l'intermodulation. Au point d'interception d'ordre trois, les produits d'intermodulation possdent le mme niveau que le fondamental du signal de mesure. Plus ce point est loign de lorigine, plus le composant est linaire. Pour le simuler, on remplace le PORT P_1Tone par P_nTone o n est le nombre de frquences du signal envoy lentre du LNA, dans ce cas n=2. On dfinit donc 2 frquences fondamentales de la faon suivante :

o RF = 1800 MHz et fspacing=1MHz

Pour obtenir les courbes de puissance du fondamental et de lIM3, on a besoin de certaines quations suivantes : (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8)

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1 : calcul de la partie relle de la puissance apparente complexe la sortie dont lquation est avec

le conjugu de l'intensit complexe,

tension complexe et

la puissance

apparente complexe en valeur efficace (do la division par 2). 2 : Spectrum_W tant en watt, on y ajoute 30 pour le mettre en dBm 3 & 4 : calcul de la puissance de chaque fondamental f1 et f2 5 : la somme de ces deux puissances en dBm 6 & 7 : calcul de la puissance de IM3 : 2*f1-f2 et 2*f2-f1 8 : la somme de ces deux IM3 en dBm

IP3

Rsultat de simulation : lextrapolation de 2 courbes Pload_dBm et P3rdOrd_dBm nous permet de dterminer le point dinterception IP3. On trouve IIP3 = 5dBm et OIP3 = 23.657 dBm
La valeur de lOIP3 obtenue est assez leve, celle-ci assure que notre LNA est peu sensible lintermodulation dordre 3.

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V. Conclusion
Le montage que nous avons conu rpond toutes les exigences dun LNA pour une application DCS1800. Voici un rcapitulatif des caractristiques de notre montage :

Caractristique
Composant Frquence de fonctionnement Alimentation DC Consommation Gain typique Noise Figure (NF) Point de compression 1dB OIP3 typique VSWR Out VSWR In

Conditions

Valeur
BJT, AT41411

TAMB = 25C TAMB = 25C TAMB = 25C TAMB = 25C, f = 1.8 GHz TAMB = 25C, f = 1.8 GHz TAMB = 25C, f = 1.8 GHz TAMB = 25C, f = 1.8 GHz TAMB = 25C, f = 1.8 GHz TAMB = 25C, f = 1.8 GHz

1.700 MHz 1900 MHz 8V 80mW 15.7dB 1.76dB -5.4dBm 20dBm 1.44 :1 1.66 :1

Sa ralisation nous a permis dtudier plus en dtails les diffrents concepts lis la ralisation dune antenne ainsi que les difficults et les compromis ncessaires aux diffrentes tapes de la conception. Pour mener bien cette tude, nous avons galement dcouvert et appris utiliser les fonctionnalits du logiciel de simulation ADS.

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Bibliographie
[1] Wikipedia http://fr.wikipedia.org/wiki/Global_System_for_Mobile_Communications [2] Pierre Brisson, Universit de Montral www.iro.umontreal.ca/~kropf/ift-6052/notes/gsm.pdf [3] Willy Pirard, Institut Scientifique de Service Public http://www.issep.be/files/files/Fonctionnement%20des%20reseaux%20GSM1%20Octobre%2 02003.pdf [4] Technologies of Information and Telecommunications Thse Antennes Larges Bandes destines aux normes GSM [5] Jean Philippe Muller [6] Wikipedia
http://fr.wikipedia.org/wiki/Amplificateur_faible_bruit

[7] Wikipedia
http://fr.wikipedia.org/wiki/Amplificateur_faible_bruit

[8] Site perso dlectronique et tlcommunication

http://f5zv.pagesperso-orange.fr/RADIO/RM/RM04/RM04c04.html

[9] Institut National dlectronique du sud http://www.ies.univ-montp2.fr/equipes/GEHF/spip.php?article91 [10] Florent Portelatine, site perso dlectronique et tlcommunication
http://portelatine.chez-alice.fr/electronique/hf/mesures.html

Guide de design de LNA : http://www.qsl.net/va3iul/LNA%20design.pdf

Cours de 4me anne Gnie Electrique lINSA Lyon

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Annexe 1 : Simulations comparatives de divers transistors

(extraits du rapport n1)

A. Etudes de transistors
I. Transistor bipolaire BJT
1. Etude Statique

On peut tracer la caractristique Ic (VCE), laquelle on va superposer la droite de charge statique en se plaant dans la zone de fonctionnement linaire du transistor :

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On peut galement tracer le gain statique

2. Etude dynamique Pour faire cette tude, il suffit de faire varier lgrement les grandeurs lectriques dentre. Les petites variations du courant Ic en fonction du courant Ib donne le dynamique :

On trouve une valeur _dyn=99 pour un VCE de 2V. 3. Paramtres S Pour tudier les paramtres S du transistor, on utilise le schma suivant : LNA-DCS1800 Page 40

On remarque que la polarisation du transistor se fait avec un courant de base Ibb=200 et un VCE=6V. On obtient alors les rsultats suivants :

Pour notre application DCS-1800 dont la frquence de travail se situe aux alentours de 1.8 GHZ, nous obtenons des rsultats assez satisfaisants. En effet, le coefficient de rflexion lentre S11 est plutt faible (-15 dB). Le gain (S21) est assez lev puisquil est de 12 dB. Quant au coefficient S12, il est vraiment faible dans la frquence de travail. Il ny a que le S22 qui ncessiterait une adaptation en sortie, afin davoir une valeur plus faible de ce coefficient.

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La reprsentation de Smith souligne encore ce problme. Mais elle permet de voir leffet capacitif due au transistor au niveau de S22. Ainsi il faudra rajouter un effet selfique pour le compenser.

Ltude en paramtre S permet galement de connaitre la frquence max (fmax) et la frquence de transition (fT). La frquence fT se dtermine en traant le gain en courant H21 en fonction de la frquence et en relevant la valeur de la frquence pour laquelle |H21|=0 dB :

On trouve fT=16 Ghz >> frquence dutilisation, donc il ny aura pas de problmes. La frquence fmax se dtermine en traant le gain unilatral U en fonction de la frquence et en relevant la valeur de la frquence pour laquelle |U|=0 dB :

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L encore, on remarque que la frquence fmax >> frquence dutilisation et par consquent on naura pas de problmes pour cela. Facteur de Rollet :

Pour notre frquence de travail, on a : |Delta|<1 et |K|>1, le transistor est donc inconditionnellement instable. LNA-DCS1800 Page 43

4. Adaptation Pour adapter au mieux le transistor, il faut sarranger pour que les facteurs S11, S22 et S12 soient les plus faibles possibles. Pour ce faire on va adapter lentre et la sortie du transistor en plaant des filtres dits en T constitus de 2 condensateurs et de 2 inductances, dont on fait varier les valeurs pour la frquence de travail. Le schma utilis est le suivant :

Finalement en jouant sur les valeurs du filtre, on obtient des bons rsultats :

Pour les 3 paramtres S11,S12 et S22, on a presque une impdance purement relle.

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II.

Transistor MOS

Schma global pour toutes nos tudes sur ce transistor :

1. Etude Statique Droite de charge statique du MOSFET : Id=f(Vds) pour diffrents Vgs fix. M3 correspond au point de polarisation choisit : Vds=13,3 V et Vgs= 7,4 V
0.7

0.6

0.5

m3 indep(m3)=13.131 plot_vs(Id.i, Vds)=0.202 Vgs=7.368421

m1 indep(m1)=7.879 plot_vs(Id.i, Vds)=0.364 Vgs=10.000000 m1

m2 indep(m2)=19.798 plot_vs(Id.i, Vds)=1.034E-20 Vgs=3.684211

0.4

droite

Id.i

0.3

m3
0.2

0.1

m2
0.0

-0.1 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

Vds

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2. Paramtres S Evolution des paramtres S en fonction de la frquence. Pour lapplication 1,8 GHz, les paramtres sont acceptables (S11 et S22 <0 et S21>1) mais trs moyens.

Gain H21 en fonction de la frquence. La frquence de transition se situe pile notre frquence dutilisation donc il va falloir prendre un autre transistor pour notre application.

Gain de Mason en fonction de la frquence. Ce graphe nous permet de dterminer la frquence maximum doscillation : ici 5,6 GHz.

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Abaque de Smith pour les paramtres S11 et S22. Pour notre frquence dutilisation, le quadriple associ au transistor nest pas du tout adapt car les coefficients S22 et S11 se situent trop loin du centre de labaque (adaptation).

Facteur de Rollet :

Pour notre frquence de travail, on a : |K|>1, le transistor est donc inconditionnellement instable.

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III.

Le JFET
1. Etude Statique

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2. Paramtres S

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Evolution des paramtres S en fonction de la frquence : pour lapplication 1,8 GHz, les paramtres S11 et S22 sont ngatifs mais levs => adaptations ncessaires en entre et en sortie ; On a obtenu une bonne valeur de S12 (<27,5dB 1,8GHz) alors que S21 > 2 dB 1,8GHz mais encore trs modeste. Gain H21 et Gain de Mason en fonction de la frquence. La frquence maximum doscillation est suffisamment grande alors que la frquence de transition se situe infrieure notre frquence dutilisation donc il va falloir prendre un autre modle de JFET ou nous orienter vers un autre type de transistor pour notre application.

B. Conclusion
Avec les rsultats des transistors choisis, le transistor bipolaire est le plus adapt la frquence de notre application DCS-1800. Au vu des paramtres tests (Paramtres S, fmax, ft, Gain, facteur de Rollet), le modle du transistor bipolaire est plus performant que les 2 autres modles. Une tude plus complte (dtermination IP3, adaptation entres/SOTIES, puissances de sortie et d'entre...) devrait nous permettre de confirmer ce choix ou de nous orienter vers un autre modle.

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